KR920000116A - 반도체부품의 종형 열처리장치 - Google Patents

반도체부품의 종형 열처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920000116A
KR920000116A KR1019910003156A KR910003156A KR920000116A KR 920000116 A KR920000116 A KR 920000116A KR 1019910003156 A KR1019910003156 A KR 1019910003156A KR 910003156 A KR910003156 A KR 910003156A KR 920000116 A KR920000116 A KR 920000116A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat treatment
cap
tube
gas
semiconductor component
Prior art date
Application number
KR1019910003156A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940010513B1 (ko
Inventor
미츠토시 고야마
고이치 다카하시
히로노리 소노베
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR920000116A publication Critical patent/KR920000116A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940010513B1 publication Critical patent/KR940010513B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체부품의 종형 열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체부품의 열처리장치를 설명하기 위한 단면구성도,
제2도는 본 발명의 제2실시예를 설명하기 위한 단면도,
제3도는 본 발명의 제3실시예를 설명하기 위한 단면도.

Claims (8)

  1. 밑바닥이 있고 한쪽이 개구되어 구성된 열처리관(11)과, 이 열처리관(11)의 개구면에 설치되어 있는 캡(12), 이 캡(12)의 중앙부를 관통하여 상기 열처리관(11)의 내부에 삽입 설정되는 것으로, 열처리할 반도체부품(191,192,…)을 지지하고 있는 로드(16), 열처리용 가스를 상기 열처리관(11)의 아랫방향으로부터 공급하는 가스공급수단(20), 적어도 상기 로드(16)에 의해 지지된 반도체부품(191,192,…)이 설치되는 위치보다 윗방향으로부터 배기시키고, 상기 열처리관(11) 내의 열처리용 가스를 배기시켜 열처리관(11)내의 압력을 외기(外氣)보다 약간 낮은 값으로 설정하는 제1배기수단(211, 212, 22, 24), 상기 열처리관(11)의 개구면에 근접하여 형성되어 있는 제2배기수단(261, 262)및, 상기 캡(12)의 내면부에 형성되며 이 캡부에 대응하여 존재하는 외기와의 연통로 및 상기 열처리관(11)내부와 상기 제2배기수단(261, 262)을 연통시켜 상기 열처리관(11)내부의 열처리용 가수와 더불어 상기 외기와의 연통로로부터 침입하는 외기를 배기시키는 기체통로(28)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체부품의 종형 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열처리관(11)은 윗쪽으로 개구되어 구성되고, 이 개구면에 상기 캡(12)이 탑재되며, 상기 로드(16)가 윗쪽으로부터 매달려 있는 것을 특징으로 하는 반도체부품의 종형 열처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열처리관(11)은 아랫쪽으로 개구되어 구성되는, 이 개구면에 상기 캡(12)에 설치되도록 된 것이고, 상기 로드(16)는 윗쪽에 상기 반도체부품을 지지하고 아랫쪽으로부터 밀어올림으로써 상기 반도체 부품이 상기 열처리관(11)내에 설치되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체부품의 종형 열처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 캡(12)의 중앙부분에는 상기 열처리관(11)내부로 연통되는 개구(15)가 형성되고, 이 개구(15)를 관통하여 상기 로드(16)가 배치되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체부품의 종형 열처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 캡(12)과 상기 로드(16)는 일체적으로 구성되어 있는 특징으로 하는 반도체부품의 종형 열처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 방(25)은 상기 열처리관(11)의 상부개구면의 주위를 둘러싸도록 이 개구면에 탑재되는 상기 캡(12)의 접촉면에 개구되어 형성되며, 이 방(25)에는 상기 제2배기수단(261, 262)및 상기 기체통로(28)가 연통되어 이 기체통로(28)를 통과한 기체가 상기 링형상의 방(25)을 매개해서 상기 제2배기수단(261, 262)으로 유도되도록 되어 있는 것을 특징으로하는 반도체부품의 종형 열처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 캡(12)의 중앙부분에는 상기 로드(16)를 삽입하기 위한 외기로 연통된 개구(15)가 형성되며, 이 개구(15)는 상기 연통로를 매개해서 상기 기체통로(28)로 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체부품의 종형 열처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2배기수단(261, 262)은 가스정화기(23)로 연통되어 배기기체중에서 열처리용 가스성분을 분리하는 것을 특징으로 하는 반도체부품의 종형 열처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910003156A 1990-02-27 1991-02-27 반도체부품의 종형 열처리장치 KR940010513B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4630890 1990-02-27
JP2-46308 1990-02-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920000116A true KR920000116A (ko) 1992-01-10
KR940010513B1 KR940010513B1 (ko) 1994-10-24

Family

ID=12743562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910003156A KR940010513B1 (ko) 1990-02-27 1991-02-27 반도체부품의 종형 열처리장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5127365A (ko)
JP (1) JPH04211119A (ko)
KR (1) KR940010513B1 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
US5308955A (en) * 1991-07-11 1994-05-03 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Vertical heat treatment apparatus with vented heat insulation cover means
JP3164248B2 (ja) * 1992-06-11 2001-05-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5540782A (en) * 1992-10-15 1996-07-30 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treating apparatus having heat transmission-preventing plates
JPH06151340A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Nippon Ee S M Kk 熱処理装置
JP2548062B2 (ja) * 1992-11-13 1996-10-30 日本エー・エス・エム株式会社 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
EP0635875B1 (en) * 1993-02-05 1997-01-02 Asm Japan K.K. Apparatus for heat treatment
JP3292540B2 (ja) * 1993-03-03 2002-06-17 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
TW241375B (ko) * 1993-07-26 1995-02-21 Air Prod & Chem
JPH07130662A (ja) * 1993-11-04 1995-05-19 Nec Corp 縦型減圧ｃｖｄ装置
US5672539A (en) * 1994-01-14 1997-09-30 Micron Technology, Inc. Method for forming an improved field isolation structure using ozone enhanced oxidation and tapering
US6047713A (en) * 1994-02-03 2000-04-11 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a throttle valve
JP3982844B2 (ja) * 1995-01-12 2007-09-26 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体の製造方法
JP3971810B2 (ja) * 1995-11-30 2007-09-05 三星電子株式会社 縦型拡散炉
JP3166065B2 (ja) * 1996-02-08 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5895530A (en) * 1996-02-26 1999-04-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber
KR100224659B1 (ko) * 1996-05-17 1999-10-15 윤종용 종형 기상 성장 장치용 캡
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
US6005225A (en) * 1997-03-28 1999-12-21 Silicon Valley Group, Inc. Thermal processing apparatus
JP3556804B2 (ja) * 1997-05-20 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
JP3579278B2 (ja) * 1999-01-26 2004-10-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びシール装置
US6031207A (en) * 1999-01-26 2000-02-29 Harper International Corp. Sintering kiln
US6194030B1 (en) * 1999-03-18 2001-02-27 International Business Machines Corporation Chemical vapor deposition velocity control apparatus
US6367881B1 (en) * 1999-10-14 2002-04-09 L & P Property Management Company Coil seating assembly
US6514879B2 (en) * 1999-12-17 2003-02-04 Intel Corporation Method and apparatus for dry/catalytic-wet steam oxidation of silicon
US6442867B2 (en) 2000-01-04 2002-09-03 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for cleaning a vertical furnace pedestal and cap
US6488778B1 (en) 2000-03-16 2002-12-03 International Business Machines Corporation Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing
US20030207021A1 (en) * 2000-04-28 2003-11-06 Hiroshi Izawa Deposited-film formation apparatus, deposited-film formation process, vacuum system, leak judgment method, and computer-readable recording medium with recorded leak-judgment- executable program
US6902395B2 (en) * 2002-03-15 2005-06-07 Asm International, N.V. Multilevel pedestal for furnace
AU2003249029A1 (en) * 2002-07-15 2004-02-02 Aviza Technology, Inc. Control of a gaseous environment in a wafer loading chamber
KR100697280B1 (ko) * 2005-02-07 2007-03-20 삼성전자주식회사 반도체 제조 설비의 압력 조절 방법
US20090078202A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Neocera, Llc Substrate heater for material deposition
CN101969021A (zh) * 2010-08-05 2011-02-09 北京七星华创电子股份有限公司 保温桶及具有该保温桶的立式热处理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4501766A (en) * 1982-02-03 1985-02-26 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Film depositing apparatus and a film depositing method
KR890008922A (ko) * 1987-11-21 1989-07-13 후세 노보루 열처리 장치
JP2654996B2 (ja) * 1988-08-17 1997-09-17 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR940010513B1 (ko) 1994-10-24
JPH04211119A (ja) 1992-08-03
US5127365A (en) 1992-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920000116A (ko) 반도체부품의 종형 열처리장치
US4870923A (en) Apparatus for treating the surfaces of wafers
US3091223A (en) Sealed vent water heater
KR870009953A (ko) 유리판 성형장치
KR920012537A (ko) 화학기상 성장장치
KR960019616A (ko) 반도체 다이의 진공 픽업용 배플형 콜레트 및 픽업 방법
KR920017201A (ko) 종형 열처리장치
KR890005832A (ko) 열처리 장치
DE50111480D1 (de) Röstvorrichtung
KR920004763A (ko) 개별적인 증기 및 응축수 유입구를 구비한 증기트랩
GB2050197B (en) Device for washing polluted gas and an installation equipped with such a device
EG22105A (en) A sensor
KR880002761A (ko) 유리봉 연신용 가열장치
KR870009176A (ko) 연소장치
DE3276872D1 (en) Installation for introducing gas into a bath of liquid metal
KR880002578A (ko) 분무 흡수기
KR930003289A (ko) 종형 열 처리장치
US4211536A (en) Poke hole closure apparatus
KR970015757A (ko) 고진공 소결 및 열처리장치
TW358224B (en) Chemical vapor deposition apparatus
US2929858A (en) Exhaust hoods for electric arc furnaces
KR840009176A (ko) 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버
NL7603212A (en) Burner controlled water heater - has air supply to otherwise enclosed burner taken downwards through pipe heated by water
SU1713953A1 (ru) Колпакова печь дл термообработки в защитной атмосфере
DE3474713D1 (en) Method and installation for evacuating exhaust gases from fossil fuels, preferably flue gas, especially after passing through a wet scrubber, using the exhaust air flow from a cooling plant, especially from a cooling tower

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030930

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee