KR920003452A - 종형 열처리 장치 - Google Patents

종형 열처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920003452A
KR920003452A KR1019910012909A KR910012909A KR920003452A KR 920003452 A KR920003452 A KR 920003452A KR 1019910012909 A KR1019910012909 A KR 1019910012909A KR 910012909 A KR910012909 A KR 910012909A KR 920003452 A KR920003452 A KR 920003452A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reflection plate
heat treatment
air
treatment apparatus
heat reflection
Prior art date
Application number
KR1019910012909A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0147808B1 (ko
Inventor
겐니찌 야마가
가츠로시 이시이
나오타카 오기노
Original Assignee
카자마 젠쥬
도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP20044090A external-priority patent/JP2853892B2/ja
Priority claimed from JP20043990A external-priority patent/JP2912687B2/ja
Application filed by 카자마 젠쥬, 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 filed Critical 카자마 젠쥬
Publication of KR920003452A publication Critical patent/KR920003452A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0147808B1 publication Critical patent/KR0147808B1/ko

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C30B31/103—Mechanisms for moving either the charge or heater
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14—Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

종형 열처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 1실시예에 관한 종형 열처리회로(爐)의 일부단면된 측면도.

Claims (18)

  1. 케이싱체(6)와, 상기 케이싱체내에 형성된 종형 열처리로(10)와, 상기 케이싱체 내에 형성되고, 상기 종형 열처리로 내에서 처리하기 위하여 처리기판(28)을 수용하는 기판 수용 수단(16)과, 상기 기판을 지지하는 지지수단(17)을 가지고, 상기 종형 열처리로내에 상기 기판을 출입하기 위한 로우딩/언로우딩 수단(14)과, 상기 기판 수용수단과 상기기판 지지수단과의 사이에 기판을 이송하기 위한 이송수단(15)과, 상기 로우딩/언로우딩 수단이 적어도 로우딩/언로우딩 위치일때에, 상기 기판 지지수단으로 지지된 기판에 횡방향으로 부터 크랜 에어를 공급하기 위한 크린 에어 공급 수단(40)와, 이수단은 상기 기판 지지수단에 대항하는 에어필터(44)를 구비하고 있고, 상기 케이싱체의 압력으로부터 플러스압에 설정된 크린롬(60)내의 에어를 상기 크린에어 공급 수단에 도입되는 덕트(62)로 구성되는 종형열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 덕트는, 상기 케이싱체의 저부에 형성되어 있는 종형 열처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 케이싱체에 대하여 개폐가 자유롭도록 불임고정된 아암(41)를 더 구비하여 구성되고, 상기 크린 에어 공급수단은, 상기 도어내에서 설치되어 있는 종형 열처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 크린에어 공급 수단은, 상기 에어 필터의 흡출하는 쪽에 형성된 열반사판(5)을 가지고, 이 열반사판은 통기구멍(52a)을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 열반사판의 통기 구멍으로부터 분출하는 에어가 층류 상태에서 상기 기판 지지수단에 얹어 놓게 된 기판에 붙여 부착되도록, 상기 열반사판과 상기 기판 지지수단과의 사이의 거리가 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열반사판과 상기 기판 지지수단과의 사이의 거리는 100내지 200mm로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 정형 열처리 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 열반사판의 통기구멍으로부터 분출하는 에어가 층류 상태에서 상기 기판 지지수단에 얹어 놓게된 기판에 붙어 부착되도록, 상기 열반사판의 통기 구멍을 통과하는 에어의 유속이 설정되어 있는것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 열반사판의 통기구멍을 통과하는 에어의 유속은 0.2 내지 0.4m/sec로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 크린 에어 공급 수단은, 상기 에어 필터의 흡출된 쪽에 형성된 2매의 열반사판(54), (56)을 가지고, 이들의 열반사판은 간격을 두어서 평행하게 배치되고, 각 열반사판은 상하 방향으로 위치를 벗겨놓고 형성된 통기구멍(54a), (56a)를 가지고 있는것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 열반사판에서 상기 기판 지지수단에 대항하는 표면에 형성된, 상기 통기구멍을 둘러싸는 후드(54b)를 더 포함하여 구성되는 종형 열처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 크린에어 공급 수단은, 상기 에어 필터의 흡출왼쪽에 형성된 열반사판(5)을 가지고, 이 열반사판은 에어 필터를 통과하는 에어의 흐르는 방향에 대하여 경사진 통기구멍(58a)를 가지는 종형 열처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 열반사판의 상기 기판 지지수단에 대항하는 표면에 형성되고, 상기 통기구멍을 둘러싸는 후드(58b)를 더 포함하여 구성되는 종형 열처리 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 크린툼에서 상기 케이싱체내에 도입된 에어를 케이싱본체내에 통한후 케이싱체 바깥의 상기 크린룸보다 저압으로 설정된 유틸리티존(3)에 배기하기 위한 배기수단(13)을 더 포함하여 구성되는 종형 열처리 장치.
  14. 먼지를 흡착하여 크린 에어를 송출하는 필터(44)와, 이 필터의 에어 흡출된쪽에 배열 설치된 열반사판(50), 이 열반사판은 다수의 공기 구멍이 있는 필터 장치를 가지는 종형 열처리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 열반사판은 2매의 열반사판 엘리먼트(54), (56)을 가지고, 이들의 열반사판 엘리먼트는 간격을 두고 배열 설치된, 각 엘리먼트는 상하 방향에 위치를 벗겨 놓고 형성된 통기구멍(54a), (56a)을 가지고 있는 종형 열처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 열반사판 엘리먼트중에 외부로 노출된 표면에 형성되고, 상기 통기 구멍을 둘러싸는 후드(54b)를 더 포함하여 구성되는 종형 열처리 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 열반사판은, 상기 필터를 통과하는 에어의 흐르는 방향에 대하여 경사진 통기구멍(58a)을 가지는 종형 열처리 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 열반사판의 외부에 노출된 표면에 형성되고, 상기 통기구멍을 둘러싸는 후드(58b)를 더 포함하여 구성되는 종형 열처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910012909A 1990-07-27 1991-07-26 종형 열처리 장치 KR0147808B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20044090A JP2853892B2 (ja) 1990-07-27 1990-07-27 縦型熱処理装置
JP20043990A JP2912687B2 (ja) 1990-07-27 1990-07-27 フィルタ装置及び縦型熱処理装置
JP200440 1990-07-28
JP200439 1990-07-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920003452A true KR920003452A (ko) 1992-02-29
KR0147808B1 KR0147808B1 (ko) 1998-11-02

Family

ID=26512190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910012909A KR0147808B1 (ko) 1990-07-27 1991-07-26 종형 열처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5221201A (ko)
KR (1) KR0147808B1 (ko)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3204699B2 (ja) * 1990-11-30 2001-09-04 株式会社東芝 熱処理装置
US5271732A (en) * 1991-04-03 1993-12-21 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat-treating apparatus
US5249960A (en) * 1991-06-14 1993-10-05 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus
US5662469A (en) * 1991-12-13 1997-09-02 Tokyo Electron Tohoku Kabushiki Kaisha Heat treatment method
US5429498A (en) * 1991-12-13 1995-07-04 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment method and apparatus thereof
US5378145A (en) * 1992-07-15 1995-01-03 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Treatment system and treatment apparatus
JPH0689837A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Fujitsu Ltd 基板処理装置
JP3258748B2 (ja) * 1993-02-08 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3120395B2 (ja) * 1993-03-10 2000-12-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3218488B2 (ja) * 1993-03-16 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2913439B2 (ja) * 1993-03-18 1999-06-28 東京エレクトロン株式会社 移載装置及び移載方法
US5642978A (en) * 1993-03-29 1997-07-01 Jenoptik Gmbh Device for handling disk-shaped objects in a handling plane of a local clean room
KR100221983B1 (ko) * 1993-04-13 1999-09-15 히가시 데쓰로 처리장치
TW273574B (ko) * 1993-12-10 1996-04-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3239977B2 (ja) * 1994-05-12 2001-12-17 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
US6227848B1 (en) 1994-06-07 2001-05-08 Imai Seisakusho Co., Ltd. Vertical continuous oven
JP3005030U (ja) * 1994-06-07 1994-12-06 株式会社今井製作所 連続炉
JP2762352B2 (ja) * 1995-09-06 1998-06-04 株式会社今井製作所 焼成炉
US6168426B1 (en) 1996-02-19 2001-01-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Batch-type kiln
JP3109433B2 (ja) * 1996-03-22 2000-11-13 株式会社村田製作所 セラミック成形体の焼成方法および焼成装置
KR100219406B1 (ko) * 1996-04-04 1999-09-01 윤종용 화학기상증착설비의 웨이퍼로딩실 공기흐름 안내장치
US5829969A (en) * 1996-04-19 1998-11-03 Tokyo Electron Ltd. Vertical heat treating apparatus
JP3225431B2 (ja) * 1996-12-25 2001-11-05 住友イートンノバ株式会社 イオン注入装置におけるウエハ搬送装置
JP3406488B2 (ja) * 1997-09-05 2003-05-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US6207006B1 (en) 1997-09-18 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US6801800B2 (en) * 1999-11-29 2004-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba MR imaging using ECG-prep scan
US6442867B2 (en) * 2000-01-04 2002-09-03 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for cleaning a vertical furnace pedestal and cap
KR20020019414A (ko) * 2000-09-05 2002-03-12 엔도 마코토 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법
KR100510111B1 (ko) * 2002-11-01 2005-08-26 (주) 윈테크 종형 열처리 장치의 청정기체 공급 장치
US6830449B1 (en) * 2004-02-02 2004-12-14 Sis Microelectronics Corporation Injector robot for replacing a gas injector in a furnace
DE202006007937U1 (de) * 2006-05-18 2007-09-20 Strämke, Siegfried, Dr.-Ing. Plasmabehandlungsanlage
JP4807579B2 (ja) * 2006-09-13 2011-11-02 株式会社ダイフク 基板収納設備及び基板処理設備
JP4756372B2 (ja) * 2006-09-13 2011-08-24 株式会社ダイフク 基板処理方法
JP5050761B2 (ja) * 2007-10-03 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理システム及び被処理体の熱処理方法
CA2767007C (en) * 2009-07-01 2017-11-21 Fresenius Medical Care Holdings, Inc. Drug delivery devices and related systems and methods
JP2012238629A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Hitachi High-Technologies Corp 熱処理装置
JP5770042B2 (ja) * 2011-08-04 2015-08-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6082283B2 (ja) * 2012-05-30 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 筐体及びこれを含む基板処理装置
KR101376739B1 (ko) * 2012-06-22 2014-03-26 (주) 예스티 청정도가 향상된 가압 열처리장치
CN103745920B (zh) * 2014-01-29 2016-06-01 北京七星华创电子股份有限公司 一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法
JP6980719B2 (ja) 2019-06-28 2021-12-15 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4610628A (en) * 1983-12-28 1986-09-09 Denkoh Co., Ltd. Vertical furnace for heat-treating semiconductor
JPS6111524A (ja) * 1984-06-13 1986-01-18 Shigeru Fukumoto ガス安全装置
JPS628633A (ja) * 1985-07-05 1987-01-16 Meidensha Electric Mfg Co Ltd 遠方監視制御装置
JPH0797563B2 (ja) * 1985-08-12 1995-10-18 株式会社日立製作所 熱処理装置
JPS62104049A (ja) * 1985-10-30 1987-05-14 Mitsubishi Electric Corp ベ−キング炉装置
JPS62146265A (ja) * 1985-12-19 1987-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相化学蒸着装置
US4722683A (en) * 1986-03-14 1988-02-02 Vulcan-Hart Corporation Rethermalization oven
KR960001161B1 (ko) * 1987-09-29 1996-01-19 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 열처리장치
US5000682A (en) * 1990-01-22 1991-03-19 Semitherm Vertical thermal processor for semiconductor wafers
US5102331A (en) * 1991-08-02 1992-04-07 Saturn Corporation Radiant wall oven with temperature control

Also Published As

Publication number Publication date
US5221201A (en) 1993-06-22
KR0147808B1 (ko) 1998-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920003452A (ko) 종형 열처리 장치
KR950021004A (ko) 열처리장치
JP3788296B2 (ja) クリーンルーム用の物品保管設備
KR950031560A (ko) 표면처리장치 및 표면처리방법
KR920017201A (ko) 종형 열처리장치
KR940003590A (ko) 환경제어장치
KR920010780A (ko) 세정장치
JP2008296069A (ja) 薄板状物製造装置における、微粒子、または微粒子並びに有害ガスの除去を目的とする空気清浄装置
KR960702088A (ko) 환기된 공간에 공기를 공급하는 방법과 그 장치(method and device for supplying air to a ventilated space)
KR920017200A (ko) 종형 열처리장치
JP2004269214A (ja) 浄化空気通風式の保管設備
JP2001263944A (ja) シート状物乾燥用コンベヤ炉
JP2005029359A5 (ko)
ATE178984T1 (de) System für saubere luft
KR890015373A (ko) 도포설비(coating equipment)
KR920007120A (ko) 종형 열처리장치
FR2821370B1 (fr) Table a repasser active
FR2667649B1 (fr) Dispositif d'insufflation d'air dans le circuit d'echappement.
JP4743379B2 (ja) クリーンルーム
JP3503770B2 (ja) クリーンユニット及びクリーンルーム
JPH0822973A (ja) 加熱処理装置の筐体構造
JP2659514B2 (ja) 軽量容器搬送システム
KR970047395A (ko) 공기조화기용 토출구의 상하이송장치
JPH07270743A (ja) フローティング処理装置
TW200518173A (en) Apparatus for removing dusts from substrates

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100512

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee