JP3109433B2 - セラミック成形体の焼成方法および焼成装置 - Google Patents
セラミック成形体の焼成方法および焼成装置Info
- Publication number
- JP3109433B2 JP3109433B2 JP08066454A JP6645496A JP3109433B2 JP 3109433 B2 JP3109433 B2 JP 3109433B2 JP 08066454 A JP08066454 A JP 08066454A JP 6645496 A JP6645496 A JP 6645496A JP 3109433 B2 JP3109433 B2 JP 3109433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- firing
- ceramic molded
- molded body
- stage
- inner tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B5/16—Arrangements of air or gas supply devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D2003/0034—Means for moving, conveying, transporting the charge in the furnace or in the charging facilities
- F27D2003/0075—Charging or discharging vertically, e.g. through a bottom opening
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品などに
用いられるセラミック成形体を焼成するための方法およ
び焼成装置に関する。
用いられるセラミック成形体を焼成するための方法およ
び焼成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品などの量産に際して
は、通常、セラミック成形体を焼成する場合、図４に示
すバッチ式の焼成装置を用いて焼成することが案出され
ている。図４は、バッチ式の焼成装置１ａの縦断面図で
ある。焼成装置１ａは、内部にセラミック成形体を焼成
するための焼成空間３ａを有する炉体２ａを含んでい
る。この炉体２ａは、天井と側壁とからなる炉壁４ａ
と、炉床であるステージ１０ａと、炉体２ａ内の、炉壁
４ａの側壁側の周辺に設けられたヒータ５ａと、炉体２
ａの天井に設けられたガス給気管６ａおよびガス排気管
７ａとから構成されている。また、炉床であるステージ
１０ａの下側に、ステージ１０ａを上昇させたり、降下
させたりして移動することのできる昇降機９ａが取り付
けられている。符号１１ａは炉体２ａを支える炉脚であ
る。
は、通常、セラミック成形体を焼成する場合、図４に示
すバッチ式の焼成装置を用いて焼成することが案出され
ている。図４は、バッチ式の焼成装置１ａの縦断面図で
ある。焼成装置１ａは、内部にセラミック成形体を焼成
するための焼成空間３ａを有する炉体２ａを含んでい
る。この炉体２ａは、天井と側壁とからなる炉壁４ａ
と、炉床であるステージ１０ａと、炉体２ａ内の、炉壁
４ａの側壁側の周辺に設けられたヒータ５ａと、炉体２
ａの天井に設けられたガス給気管６ａおよびガス排気管
７ａとから構成されている。また、炉床であるステージ
１０ａの下側に、ステージ１０ａを上昇させたり、降下
させたりして移動することのできる昇降機９ａが取り付
けられている。符号１１ａは炉体２ａを支える炉脚であ
る。
【０００３】上記焼成装置１ａを用いてセラミック成形
体を焼成する際には、まず、例えば多数のセラミック成
形体を装填した匣８ａをステージ１０ａの上に載置して
炉体２ａ内の焼成空間３ａに配置する。次に、ヒータ５
ａで焼成空間３ａを昇温し、ガス給気管６ａ、ガス排気
管７ａにより所定のガスの給排気を行いセラミック成形
体の焼成を行う。その後、炉体２ａ内の温度を所定の温
度に低下させた後、ステージ１０を昇降機９で降下さ
せ、焼成されたセラミック成形体を取り出す。
体を焼成する際には、まず、例えば多数のセラミック成
形体を装填した匣８ａをステージ１０ａの上に載置して
炉体２ａ内の焼成空間３ａに配置する。次に、ヒータ５
ａで焼成空間３ａを昇温し、ガス給気管６ａ、ガス排気
管７ａにより所定のガスの給排気を行いセラミック成形
体の焼成を行う。その後、炉体２ａ内の温度を所定の温
度に低下させた後、ステージ１０を昇降機９で降下さ
せ、焼成されたセラミック成形体を取り出す。
【０００４】ところで、高温に焼成されたセラミック成
形体を室温に冷却するのには長時間要することから、そ
の冷却を短時間に行うために、焼成されたセラミック成
形体を、高温の状態のまま、ステージ１０を昇降機９で
降下させて外気に直接さらして冷却することが考えられ
ている。
形体を室温に冷却するのには長時間要することから、そ
の冷却を短時間に行うために、焼成されたセラミック成
形体を、高温の状態のまま、ステージ１０を昇降機９で
降下させて外気に直接さらして冷却することが考えられ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法で焼成されたセラミック成形体の冷却を急速
に行うと、その冷却時の雰囲気が不安定になり、焼成し
て得られた電子部品の電気特性が劣化し、電気特性にバ
ラツキが生じることがある。
ような方法で焼成されたセラミック成形体の冷却を急速
に行うと、その冷却時の雰囲気が不安定になり、焼成し
て得られた電子部品の電気特性が劣化し、電気特性にバ
ラツキが生じることがある。
【０００６】そこで、本発明は、上記の問題を解決すべ
くなされたものであって、焼成されたセラミック成形体
の冷却を急速に行っても、その雰囲気を安定化すること
のできるセラミック成形体の焼成方法および焼成装置を
提供することを目的とする。
くなされたものであって、焼成されたセラミック成形体
の冷却を急速に行っても、その雰囲気を安定化すること
のできるセラミック成形体の焼成方法および焼成装置を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するため手段】上記目的を達成するため、
本願請求項１に記載の発明は、炉体内に設けられた熱伝
導性の良い材料からなる焼成用内管内に、セラミック成
形体を装填した匣を実質的に封止して配置し、次いで、
前記セラミック成形体を焼成し、その後、焼成用内管の
外表面を外気に直接さらして焼成されたセラミック成形
体の冷却を行った後に、その焼成用内管内から前記匣を
取り出すことを特徴とする、セラミック成形体の焼成方
法である。また、請求項２に記載の発明のセラミック成
形体の焼成装置は、それぞれが独立して移動する第１ス
テージおよび第２ステージを含む炉床を有する炉体と、
その炉体内の側壁との間に一定の間隔の空間部を有して
配置され、上端部が炉体内の天井に固定して取り付けら
れ、下端部が、前記セラミック成形体を装填した匣を載
置した前記炉床の第１ステージの上に、前記匣を実質的
に封止するように載置されるとともに、内部にセラミッ
ク成形体を焼成するための焼成空間を有し、かつ、熱伝
導性の良い材料で形成された焼成用内管とを備えた、セ
ラミック成形体の焼成装置である。本発明の請求項に記
載の焼成方法および焼成装置によれば、熱伝導性の良い
材料からなる焼成用内管内に、セラミック成形体を内部
に装填した匣を実質的に封止して配置し、セラミック成
形体を焼成した後、焼成されたセラミック成形体を、焼
成用内管の外表面を外気に直接さらすことにより冷却が
行われる。よって、このような焼成されたセラミック成
形体の冷却方法は、焼成用内管内の焼成空間の雰囲気が
外気により不安定になることなく、安定にして急冷でき
ることになる。
本願請求項１に記載の発明は、炉体内に設けられた熱伝
導性の良い材料からなる焼成用内管内に、セラミック成
形体を装填した匣を実質的に封止して配置し、次いで、
前記セラミック成形体を焼成し、その後、焼成用内管の
外表面を外気に直接さらして焼成されたセラミック成形
体の冷却を行った後に、その焼成用内管内から前記匣を
取り出すことを特徴とする、セラミック成形体の焼成方
法である。また、請求項２に記載の発明のセラミック成
形体の焼成装置は、それぞれが独立して移動する第１ス
テージおよび第２ステージを含む炉床を有する炉体と、
その炉体内の側壁との間に一定の間隔の空間部を有して
配置され、上端部が炉体内の天井に固定して取り付けら
れ、下端部が、前記セラミック成形体を装填した匣を載
置した前記炉床の第１ステージの上に、前記匣を実質的
に封止するように載置されるとともに、内部にセラミッ
ク成形体を焼成するための焼成空間を有し、かつ、熱伝
導性の良い材料で形成された焼成用内管とを備えた、セ
ラミック成形体の焼成装置である。本発明の請求項に記
載の焼成方法および焼成装置によれば、熱伝導性の良い
材料からなる焼成用内管内に、セラミック成形体を内部
に装填した匣を実質的に封止して配置し、セラミック成
形体を焼成した後、焼成されたセラミック成形体を、焼
成用内管の外表面を外気に直接さらすことにより冷却が
行われる。よって、このような焼成されたセラミック成
形体の冷却方法は、焼成用内管内の焼成空間の雰囲気が
外気により不安定になることなく、安定にして急冷でき
ることになる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明を図面に示す実施例
により説明する。
により説明する。
【０００９】図１の（ａ）は、本発明の一実施例である
バッチ式の焼成装置１の縦断面図である。また、図１の
（ｂ）は、図１の（ａ）のＡ−Ａ線上における横断面図
である。この図１の（ｂ）には、図１の（ａ）のヒータ
５が図示されていない。焼成装置１は、炉体２と、その
炉体２内の天井に取り付けられた、セラミック成形体を
焼成するための焼成空間３を有する焼成用内管１４を含
んでいる。この炉体２は、天井および側壁とからなる炉
壁４と、それぞれが独立して移動する、中央部に位置す
る第１ステージ１０およびその第１ステージ１０の周囲
に隙間なく設けられたリング状の第２ステージ１２とか
らなる炉床と、炉体２内の、炉壁４の側壁側の周辺に設
けられたヒータ５と、前記焼成用内管１４の上端部の天
井に設けられたガス給気管６およびガス排気管７とから
構成されている。この焼成用内管１４は、炉体２内の、
炉壁４の側壁との間に、一定の間隔の空間部１３を有し
て配置されている。また、焼成用内管１４の一方の上端
部は、炉体２の天井に、例えば嵌合などにより、固定し
て取り付けられており、また、他方の下端部は、セラミ
ック成形体を焼成する際に、そのセラミック成形体を装
填した匣８を載置した第１ステージ１０の上に、隙間が
ないように設置して前記匣８を封止して配置されてい
る。この焼成用内管１４は、熱伝導性の良い材料で形成
されている。例えば、アルミナ、炭化ケイ素などから形
成されている。より好ましくは、熱伝導性や熱的機械強
度の優れた炭化ケイ素がよい。また、炉床を構成する第
１ステージ１０、第２ステージ１２のそれぞれの下側
に、それらのステージを上昇させたり、下降させたりし
てそれぞれが独立して移動することのできる昇降機９、
１５が取り付けられている。符号１１は、炉体２を支え
る炉脚である。
バッチ式の焼成装置１の縦断面図である。また、図１の
（ｂ）は、図１の（ａ）のＡ−Ａ線上における横断面図
である。この図１の（ｂ）には、図１の（ａ）のヒータ
５が図示されていない。焼成装置１は、炉体２と、その
炉体２内の天井に取り付けられた、セラミック成形体を
焼成するための焼成空間３を有する焼成用内管１４を含
んでいる。この炉体２は、天井および側壁とからなる炉
壁４と、それぞれが独立して移動する、中央部に位置す
る第１ステージ１０およびその第１ステージ１０の周囲
に隙間なく設けられたリング状の第２ステージ１２とか
らなる炉床と、炉体２内の、炉壁４の側壁側の周辺に設
けられたヒータ５と、前記焼成用内管１４の上端部の天
井に設けられたガス給気管６およびガス排気管７とから
構成されている。この焼成用内管１４は、炉体２内の、
炉壁４の側壁との間に、一定の間隔の空間部１３を有し
て配置されている。また、焼成用内管１４の一方の上端
部は、炉体２の天井に、例えば嵌合などにより、固定し
て取り付けられており、また、他方の下端部は、セラミ
ック成形体を焼成する際に、そのセラミック成形体を装
填した匣８を載置した第１ステージ１０の上に、隙間が
ないように設置して前記匣８を封止して配置されてい
る。この焼成用内管１４は、熱伝導性の良い材料で形成
されている。例えば、アルミナ、炭化ケイ素などから形
成されている。より好ましくは、熱伝導性や熱的機械強
度の優れた炭化ケイ素がよい。また、炉床を構成する第
１ステージ１０、第２ステージ１２のそれぞれの下側
に、それらのステージを上昇させたり、下降させたりし
てそれぞれが独立して移動することのできる昇降機９、
１５が取り付けられている。符号１１は、炉体２を支え
る炉脚である。
【００１０】次に、上記焼成装置１を用いたセラミック
成形体の焼成方法を図１、図２および図３を用いて説明
する。
成形体の焼成方法を図１、図２および図３を用いて説明
する。
【００１１】まず、図１に示すように、昇降機９を用い
て、第１ステージ１０の上に載置された、多数のセラミ
ック成形体を内部に装填した匣８を、炉体２内の焼成用
内管１４の焼成空間３に配置する。これにより、匣８が
焼成用内管１４内の焼成空間３に封止された状態にな
る。このとき、、第２ステージ１２も昇降機１５を用い
て、炉体２を封止する位置に配置されている。次に、ヒ
ータ５で焼成空間３を昇温し、ガス給気管６、ガス排気
孔７により所定のガスの給排気を行いセラミック成形体
の焼成を行う。
て、第１ステージ１０の上に載置された、多数のセラミ
ック成形体を内部に装填した匣８を、炉体２内の焼成用
内管１４の焼成空間３に配置する。これにより、匣８が
焼成用内管１４内の焼成空間３に封止された状態にな
る。このとき、、第２ステージ１２も昇降機１５を用い
て、炉体２を封止する位置に配置されている。次に、ヒ
ータ５で焼成空間３を昇温し、ガス給気管６、ガス排気
孔７により所定のガスの給排気を行いセラミック成形体
の焼成を行う。
【００１２】その後、図２に示すように、焼成用内管１
４を封止したまま、先に、第２ステージ１２を炉体２の
下側の矢印ｘ方向に昇降機１５で移動させる。これによ
り、第２ステージ１２がある炉床の部分に隙間を形成す
る。その隙間から外気を、炉体２内（炉壁４の側壁と焼
成用内管１４の間の空間部１３）に流入させて焼成用内
管１４の外側を外気に直接さらし、その焼成用内管１４
とともに、その内側にある焼成されたセラミック成形体
を冷却する。冷却に長時間要する場合には、ファンで冷
風を直接、焼成用内管１４の外側にあてたりしてもよ
い。そして、焼成されたセラミック成形体をほぼ室温ま
で下げる。
４を封止したまま、先に、第２ステージ１２を炉体２の
下側の矢印ｘ方向に昇降機１５で移動させる。これによ
り、第２ステージ１２がある炉床の部分に隙間を形成す
る。その隙間から外気を、炉体２内（炉壁４の側壁と焼
成用内管１４の間の空間部１３）に流入させて焼成用内
管１４の外側を外気に直接さらし、その焼成用内管１４
とともに、その内側にある焼成されたセラミック成形体
を冷却する。冷却に長時間要する場合には、ファンで冷
風を直接、焼成用内管１４の外側にあてたりしてもよ
い。そして、焼成されたセラミック成形体をほぼ室温ま
で下げる。
【００１３】その後、図３に示すように、第１ステージ
１０を炉体２の下側の矢印ｘ方向に昇降機９で移動さ
せ、第１ステージ１０の上に載置された匣８とともに、
その内部に装填されている、焼成されたセラミック成形
体を取り出す。
１０を炉体２の下側の矢印ｘ方向に昇降機９で移動さ
せ、第１ステージ１０の上に載置された匣８とともに、
その内部に装填されている、焼成されたセラミック成形
体を取り出す。
【００１４】このようなセラミック成形体の焼成方法に
よれば、焼成されたセラミック成形体を急冷するため
に、炉体２内に外気を流入させても、その冷却期間中の
雰囲気がほぼ均一に保たれているので、この焼成された
セラミック成形体から得られた電子部品の電気特性は劣
化しない。
よれば、焼成されたセラミック成形体を急冷するため
に、炉体２内に外気を流入させても、その冷却期間中の
雰囲気がほぼ均一に保たれているので、この焼成された
セラミック成形体から得られた電子部品の電気特性は劣
化しない。
【００１５】なお、上記焼成用内管１４内の焼成空間３
の封止状態は、焼成されたセラミック成形体の冷却の際
に、炉体２内に外気を流入させても、焼成空間３の雰囲
気が不安定にならない程度であればよい。
の封止状態は、焼成されたセラミック成形体の冷却の際
に、炉体２内に外気を流入させても、焼成空間３の雰囲
気が不安定にならない程度であればよい。
【００１６】次に、本発明の焼成方法を、Ｌ寸１．６ｍ
ｍ、Ｗ寸０．８ｍｍ、Ｔ寸０．８ｍｍのサイズの、１０
０ｎＦの容量の積層セラミックコンデンサの焼成に適用
した具体的な実験例を説明する。まず、炉体２内に、炭
化ケイ素で形成された焼成用内管１４を設けた上記実施
例の焼成装置１を用い、第１ステージ１０の上に、多数
のセラミック成形体を装填したアルミナ匣を載置する。
次に、セラミック成形体を焼成用内管１４内で最高温度
１３００℃で焼成した後、そのままの状態で炉体２内の
温度を下げる。その後、第２ステージを移動させて炉体
２内に外気を流入させ、焼成されたセラミック成形体
を、１０００℃の高温から、冷却速度を約１０℃／分と
して冷却し、ほぼ室温まで下げる。次に、第１ステージ
１０を下降させ、匣８から焼成されたセラミック成形体
を取り出し、積層セラミックコンデンサを得た。比較の
ために、図４に示す従来の焼成装置１ａを用い、上記と
同様にして焼成し、その後、１０００℃の高温からステ
ージ１０ａを移動させ、焼成されたセラミック成形体を
外気に直接さらし、その冷却速度を、上記と同様の１０
℃／分として冷却し、積層セラミックコンデンサを得
た。
ｍ、Ｗ寸０．８ｍｍ、Ｔ寸０．８ｍｍのサイズの、１０
０ｎＦの容量の積層セラミックコンデンサの焼成に適用
した具体的な実験例を説明する。まず、炉体２内に、炭
化ケイ素で形成された焼成用内管１４を設けた上記実施
例の焼成装置１を用い、第１ステージ１０の上に、多数
のセラミック成形体を装填したアルミナ匣を載置する。
次に、セラミック成形体を焼成用内管１４内で最高温度
１３００℃で焼成した後、そのままの状態で炉体２内の
温度を下げる。その後、第２ステージを移動させて炉体
２内に外気を流入させ、焼成されたセラミック成形体
を、１０００℃の高温から、冷却速度を約１０℃／分と
して冷却し、ほぼ室温まで下げる。次に、第１ステージ
１０を下降させ、匣８から焼成されたセラミック成形体
を取り出し、積層セラミックコンデンサを得た。比較の
ために、図４に示す従来の焼成装置１ａを用い、上記と
同様にして焼成し、その後、１０００℃の高温からステ
ージ１０ａを移動させ、焼成されたセラミック成形体を
外気に直接さらし、その冷却速度を、上記と同様の１０
℃／分として冷却し、積層セラミックコンデンサを得
た。
【００１７】上記のような本発明および従来の焼成方法
に従って得られた積層セラミックコンデンサのうち、各
１００個を取り出し、静電容量のバラツキを測定した。
その結果、従来の焼成方法で得られた積層セラミックコ
ンデンサは、静電容量の変動率（ＣＶ値）が１３．８％
であるのに対し、本発明の焼成方法で得られた積層セラ
ミックコンデンサは、静電容量の変動率（ＣＶ値）が
４．９％と小さいことがわかった。従って、本発明の焼
成方法によれば、焼成用内管１４内の焼成空間３の雰囲
気が外気により不安定になることなく、安定にして急冷
できることになる。
に従って得られた積層セラミックコンデンサのうち、各
１００個を取り出し、静電容量のバラツキを測定した。
その結果、従来の焼成方法で得られた積層セラミックコ
ンデンサは、静電容量の変動率（ＣＶ値）が１３．８％
であるのに対し、本発明の焼成方法で得られた積層セラ
ミックコンデンサは、静電容量の変動率（ＣＶ値）が
４．９％と小さいことがわかった。従って、本発明の焼
成方法によれば、焼成用内管１４内の焼成空間３の雰囲
気が外気により不安定になることなく、安定にして急冷
できることになる。
【００１８】なお、本発明の焼成装置１は、上記に記載
した内容に限ることなく、本発明の趣旨に逸脱しない範
囲の変更は任意に行える。例えば、上記実施例では、第
２ステージ１２の移動方向が上下のものについて例示し
たが、横方向でもよく、方向に限定されるものではな
い。
した内容に限ることなく、本発明の趣旨に逸脱しない範
囲の変更は任意に行える。例えば、上記実施例では、第
２ステージ１２の移動方向が上下のものについて例示し
たが、横方向でもよく、方向に限定されるものではな
い。
【００１９】また、図１に示すように、炉体２およびそ
の内部の焼成空間の形状は、円柱に限るものではなく、
角柱でもよく、形状に限定されることはない。また、炉
体２内に配置された焼成用内管１４の形状も同様、円筒
に限るものではなく、角筒でもよく、形状に限定される
ことはない。更に、第１ステージ１０や第２ステージ１
２の形状も同様、円形や円形リングに限定されることは
なく、四角形や四角形リングであってもよい。また、第
２ステージ１２はリング形状でなく、例えば、第１ステ
ージ１０の周辺部に位置するように設けられておれば、
その形状に限定されるものではない。また、上記実験例
の第１ステージ１０の上に載置される匣はアルミナ材か
らなるが、その材質に限るものではなく、例えば、ジル
コニア材などの他の材質であってもよい。また、本発明
の適用は積層セラミックコンデンサに限るものではな
く、セラミック成形体を焼成して形成される同様の他の
セラミック電子部品にも適用できる。
の内部の焼成空間の形状は、円柱に限るものではなく、
角柱でもよく、形状に限定されることはない。また、炉
体２内に配置された焼成用内管１４の形状も同様、円筒
に限るものではなく、角筒でもよく、形状に限定される
ことはない。更に、第１ステージ１０や第２ステージ１
２の形状も同様、円形や円形リングに限定されることは
なく、四角形や四角形リングであってもよい。また、第
２ステージ１２はリング形状でなく、例えば、第１ステ
ージ１０の周辺部に位置するように設けられておれば、
その形状に限定されるものではない。また、上記実験例
の第１ステージ１０の上に載置される匣はアルミナ材か
らなるが、その材質に限るものではなく、例えば、ジル
コニア材などの他の材質であってもよい。また、本発明
の適用は積層セラミックコンデンサに限るものではな
く、セラミック成形体を焼成して形成される同様の他の
セラミック電子部品にも適用できる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の焼成方法および
焼成装置によれば、炉体内に設けられた熱伝導性の良い
材料からなる焼成用内管内に、セラミック成形体を内部
に装填した匣を実質的に封止して配置し、セラミック成
形体を焼成した後、焼成されたセラミック成形体を、焼
成用内管の外表面を外気に直接さらすことにより冷却を
行なっても、焼成用内管内の焼成空間の雰囲気が外気に
より不安定になることなく、安定にして急冷できる。こ
のため、全てのセラミック成形体を良好に焼成でき、電
子部品にした場合の電気特性の劣化を防止できて電気特
性のバラツキを抑えられる。
焼成装置によれば、炉体内に設けられた熱伝導性の良い
材料からなる焼成用内管内に、セラミック成形体を内部
に装填した匣を実質的に封止して配置し、セラミック成
形体を焼成した後、焼成されたセラミック成形体を、焼
成用内管の外表面を外気に直接さらすことにより冷却を
行なっても、焼成用内管内の焼成空間の雰囲気が外気に
より不安定になることなく、安定にして急冷できる。こ
のため、全てのセラミック成形体を良好に焼成でき、電
子部品にした場合の電気特性の劣化を防止できて電気特
性のバラツキを抑えられる。
【図１】本発明の一実施例に係わるセラミック成形体の
焼成装置の縦断面図（ａ）およびそのＡ−Ａ線上におけ
る横断面図（ｂ）である。
焼成装置の縦断面図（ａ）およびそのＡ−Ａ線上におけ
る横断面図（ｂ）である。
【図２】図１の焼成装置の、焼成されたセラミック成形
体の冷却工程を説明するための縦断面図である。
体の冷却工程を説明するための縦断面図である。
【図３】図１の焼成装置の、焼成されたセラミック成形
体を取り出す工程を説明するための縦断面図である。
体を取り出す工程を説明するための縦断面図である。
【図４】従来のセラミック成形体の焼成装置の縦断面図
である。
である。
１・・・焼成炉 ２・・・炉体 ３・・・焼成空間 ４・・・炉壁 ５・・・ヒータ ６・・・ガス給気管 ７・・・ガス排気管 ８・・・匣 ９、１５・・・昇降機 １０・・・第１ステージ １２・・・第２ステージ １３・・・空間部 １４・・・焼成用内管
Claims (2)
- 【請求項１】 炉体内に設けられた熱伝導性の良い材料
からなる焼成用内管内に、セラミック成形体を装填した
匣を実質的に封止して配置し、次いで、セラミック成形
体を焼成し、その後、焼成用内管の外表面を外気に直接
さらして焼成されたセラミック成形体の冷却を行った後
に、その焼成用内管内から前記匣を取り出すことを特徴
とする、セラミック成形体の焼成方法。 - 【請求項２】 セラミック成形体を焼成するための焼成
装置であって、それぞれが独立して移動する第１ステー
ジおよび第２ステージを含む炉床を有する炉体と、その
炉体内の側壁との間に一定の間隔の空間部を有して配置
され、上端部が炉体内の天井に固定して取り付けられ、
下端部が、前記セラミック成形体を装填した匣を載置し
た前記炉床の第１ステージの上に、前記匣を実質的に封
止するように載置されるとともに、内部にセラミック成
形体を焼成するための焼成空間を有し、かつ、熱伝導性
の良い材料で形成された焼成用内管とを備えた、セラミ
ック成形体の焼成装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08066454A JP3109433B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | セラミック成形体の焼成方法および焼成装置 |
| US08/821,644 US5804132A (en) | 1996-03-22 | 1997-03-20 | Method for firing ceramic product |
| SG1997000881A SG71022A1 (en) | 1996-03-22 | 1997-03-21 | Method and apparatus for firing ceramic compact |
| US09/069,872 US6210158B1 (en) | 1996-03-22 | 1998-04-30 | Method and apparatus for firing ceramic compact |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08066454A JP3109433B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | セラミック成形体の焼成方法および焼成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09255438A JPH09255438A (ja) | 1997-09-30 |
| JP3109433B2 true JP3109433B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=13316244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08066454A Expired - Lifetime JP3109433B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | セラミック成形体の焼成方法および焼成装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5804132A (ja) |
| JP (1) | JP3109433B2 (ja) |
| SG (1) | SG71022A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600533A (en) * | 1994-06-23 | 1997-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent |
| JP4695379B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2011-06-08 | 黒崎播磨株式会社 | 昇降式焼成炉 |
| JP7356297B2 (ja) * | 2019-09-05 | 2023-10-04 | 株式会社トクヤマ | 窒化反応炉 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2948949A (en) * | 1957-09-26 | 1960-08-16 | Schuffler Julius | Method of firing ceramic tubes suspended in a shaft oven |
| DE2249194C3 (de) * | 1972-10-05 | 1975-07-24 | Jurid Werke Gmbh, 2056 Glinde | Vorrichtung zum Drucksintern plattenförmiger Teile |
| JPS5857481B2 (ja) * | 1981-10-24 | 1983-12-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱間静水圧成形方法および装置 |
| US5221201A (en) * | 1990-07-27 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus |
| JP2601069B2 (ja) * | 1991-08-08 | 1997-04-16 | 株式会社村田製作所 | セラミック成形体の焼成方法及び焼成装置 |
| US5352395A (en) * | 1992-07-17 | 1994-10-04 | Phillips Petroleum Company | Carbon and ceramic-containing layers for use in sintering of silicon nitride article |
| JP3474258B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2003-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP08066454A patent/JP3109433B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-20 US US08/821,644 patent/US5804132A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-21 SG SG1997000881A patent/SG71022A1/en unknown
-
1998
- 1998-04-30 US US09/069,872 patent/US6210158B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG71022A1 (en) | 2000-03-21 |
| JPH09255438A (ja) | 1997-09-30 |
| US5804132A (en) | 1998-09-08 |
| US6210158B1 (en) | 2001-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3951587A (en) | Silicon carbide diffusion furnace components | |
| US20130340483A1 (en) | Graphite heating furnace | |
| ATE556038T1 (de) | Kalzinierungsofen, herstellung von kalzinierten körpern und kalzinierter körper | |
| JP3109433B2 (ja) | セラミック成形体の焼成方法および焼成装置 | |
| JPH01249665A (ja) | セラミックスの焼成に用いるトンネル炉 | |
| KR20140110929A (ko) | 터널 킬른 및 이것을 사용한 소성체의 제조 방법 | |
| US6168426B1 (en) | Batch-type kiln | |
| JP2006046865A (ja) | 焼成炉及びセラミックの焼成方法 | |
| JPH10339581A (ja) | 材料の高温熱処理方法と高温炉用炉底構造 | |
| JP2002231713A (ja) | 半導体製造装置用治具 | |
| US6031207A (en) | Sintering kiln | |
| JP3233055B2 (ja) | バッチ式熱処理炉 | |
| JP4424899B2 (ja) | 長尺セラミック焼結体の製造方法および接合体の製造方法 | |
| JP2550848Y2 (ja) | セラミック焼成用の匣鉢 | |
| JP2005127628A (ja) | 熱処理炉 | |
| JPH035838Y2 (ja) | ||
| JPH04292782A (ja) | 焼成炉 | |
| JPS61282785A (ja) | バツチ式焼成炉 | |
| CN111089488A (zh) | 一种高温烧结炉 | |
| JP3130402U (ja) | ガスふん囲気炉構造 | |
| JPH11125489A (ja) | 熱処理炉 | |
| JP2005281094A (ja) | セラミックス成形体の乾燥方法 | |
| JPH08239272A (ja) | セラミック成形体の焼成方法および焼成装置 | |
| JP3663558B2 (ja) | 真空置換式雰囲気焼成炉 | |
| JP2610702B2 (ja) | セラミックス管の焼成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |