JP3233055B2 - バッチ式熱処理炉 - Google Patents

バッチ式熱処理炉

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JP3233055B2
JP3233055B2 JP04167997A JP4167997A JP3233055B2 JP 3233055 B2 JP3233055 B2 JP 3233055B2 JP 04167997 A JP04167997 A JP 04167997A JP 4167997 A JP4167997 A JP 4167997A JP 3233055 B2 JP3233055 B2 JP 3233055B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミックコンデン
サ等のセラミック製品を熱処理(脱脂や本焼成など)す
るのに適したバッチ式熱処理炉に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、バッチ式熱処理炉は、箱型や円筒
形の炉体の内部に棒状やU字形などのヒータを配置する
ことにより、加熱室を形成し、この加熱室の底部に昇降
可能なテーブルを配置している。このテーブル上にセラ
ミック製品を収納した匣を載置し、テーブルを上昇させ
て匣を加熱室内に収容する。この状態で熱処理を行い、
処理が終了すれば、テーブルを下降させ、匣を熱処理炉
から取り出すことができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なバッチ式熱処理炉を用いてセラミック製品の脱脂,本
焼成を連続して行う場合、脱脂時に発生する有機バイン
ダーの処理が問題となる。特に、バインダー分解ガスは
空気より重たいので、加熱室内の下部へ流れる。テーブ
ルの外周部と炉体との間には狭い隙間が存在するが、こ
の隙間の温度は本焼成時でも100℃以下となるので、
隙間に一度流れ込んだバインダー分解ガスは液状化また
は固化してタール状に蓄積し、これが悪臭の発生源とな
っていた。また、炉壁やテーブルはフェルト状の断熱材
で形成されているが、この断熱材の中にバインダー分解
ガスが浸透し、浸透したバインダー成分が熱分解等によ
り炭化し、断熱性能の低下、漏電などの不具合が発生す
る恐れがあった。
【0004】そこで、本発明の目的は、テーブルと炉体
との隙間等にバインダー成分が蓄積するのを防止できる
バッチ式熱処理炉を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、底部に開口部を有する炉体の内部にヒー
タを配置しこの炉体の底部開口部に昇降可能なテーブ
ルを配置し、このテーブル上に被処理物であるセラミッ
ク製品を載置してセラミック製品の脱脂を含む熱処理を
行うバッチ式熱処理炉において、上記テーブルの外周部
と炉体の底部開口部との環状の隙間に、炉内雰囲気ガス
と同種のガスを炉体内部に導入するためのガス導入通路
を接続し、上記ガス導入通路から導入されたガスが上記
環状の隙間を通って炉体内部へ吹き込まれるように構成
したものである。
【0006】脱脂工程において、セラミック製品から
生したバインダー分解ガスは下方に流れ、テーブルの外
周部と炉体の底部開口部との隙間に流れ込もうとする。
しかし、テーブルの外周部と炉体の底部開口部との隙間
から炉体内部に向かって炉内雰囲気ガスと同種のガス
導入されるので、このガスによって隙間へのバインダー
分解ガスの流入が阻止され、隙間にバインダー成分が蓄
積するのを防止できる。また、炉体の内側壁付近のバイ
ンダー分解ガスが流入ガスの流れによって攪拌され
とから、バインダー成分が炉体やテーブルの断熱材に付
着,浸透するのを抑制できる。
【0007】導入されるガスは炉内雰囲気ガスと同種の
ガスであるから、炉内雰囲気を乱す恐れがない。なお、
脱脂工程と本焼成工程を連続的に行うバッチ式熱処理炉
の場合、上記ガスの導入は脱脂工程のみであり、本焼成
工程ではガスの導入を停止すればよい。
【0008】上記熱処理炉において、テーブルの外周部
に段差部を形成し、雰囲気ガスと同種のガスを段差部の
水平面に沿って外側から内側に向かって導入した後、段
差部の垂直面に沿って上方に流し、加熱室内に導入する
のが望ましい。この場合には、ガス導入通路が屈折する
ので、加熱室内の熱の逃げを少なくできるとともに、こ
の通路を通る間にガスが余熱され、炉内温度を低下させ
ることが少ない。
【0009】炉体の外周部に、内周に複数の吹き出し口
を設けた環状のガス導入室を形成し、このガス導入室に
流入したガスを、上記吹き出し口から上記段差部の水平
面にそって内側へ向かってほぼ均等に吹き出すようにす
るのが望ましい。この場合には、吹き出し口から吹き出
されたガスが段差部の水平面にそって均等に流れた後、
テーブルの外周部と炉体との隙間からガスがエアーカー
テンのように吹き出すので、バインダー成分が偏って蓄
積するのを解消できる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1〜図3は本発明にかかるバッ
チ式熱処理炉の一例を示す。この熱処理炉は、底部が開
口した円筒形の炉体1を備えており、この炉体1はセラ
ミック系レンガやフェルト等からなる断熱材2で構成さ
れている。炉体1の内部には加熱室3が形成され、この
加熱室3内に複数本のスパイラルヒータ4が同心円状に
配列されている。スパイラルヒータ4は、炉体1の天井
部を貫通し、加熱室3内に上方より挿入されている。ス
パイラルヒータ4の外周は、その端子部4aを除いて耐
熱性絶縁チューブ5で覆われている。このチューブ5の
材質としては、バインダー成分などの浸透のない、緻密
なアルミナ系やシリカ系セラミックがよい。チューブ5
の下端開口部は炉体1の底部で閉じられているため、そ
の内部に加熱室3内で発生したバインダー分解ガスなど
が流入することがない。
【0011】加熱室3内にはスパイラルヒータ4と同心
状にガス供給管6が配列され、この供給管6も炉体1の
天井部を貫通し、加熱室3内に挿入されている。この供
給管6には、図示しないガス供給源より脱脂工程および
本焼成工程に適した雰囲気ガスが供給され、吹き出し口
6aから加熱室3の中心方向に向かって雰囲気ガスが吹
き出される。炉体1の頂部には、加熱室3内のガスを排
気するための排気管7が取り付けられており、この排気
管7は図示しない排ガス処理装置に接続されている。
【0012】加熱室3の底部には、外周に段差部11を
有するテーブル10が配置されている。テーブル10は
炉体1と同様の断熱材で構成されている。テーブル10
の上部には、セラミック成形体などの被処理物を収容し
た匣19を支持するためのセラミック製プレート12
が、支柱13によってテーブル10の上面より浮かせた
状態で水平に支持されている。テーブル10の下面中央
にはモータ14の回転軸15が連結されており、モータ
14の取付板16は油圧シリンダなどの昇降装置17に
よって昇降駆動される。したがって、テーブル10は、
モータ14によって回転駆動されるとともに、昇降装置
17によって上下に昇降駆動される。なお、テーブル1
0を回転させるのは、周囲に配置したヒータ4によって
被処理物を均等に加熱するとともに、被処理物が雰囲気
ガスと均等に触れるようにするためである。
【0013】上記テーブル10の外周部に設けられた段
差部11は水平面11aと垂直面11bとを有してお
り、これら面11a,11bは炉体1と近接し、段差部
11と炉体1との間にガス導入通路18(図3参照)が
形成されている。そして、垂直面11bと炉体1との間
に、ガスが加熱室3へ吹き込むための隙間Cが形成され
る。
【0014】炉体1の外周面は、金属製の内側フレーム
20で覆われており、この内側フレーム20の外周は一
定間隔(例えば20〜30cm)をあけて外側フレーム
21で覆われている。そのため、両フレーム20,21
の間に筒状の空気室22が形成される。空気室22の上
部には炉体1の上方へ開口した排出口22aが形成さ
れ、下部には環状の空気供給部23が設けられている。
この供給部23には図示しない空気供給源から流入口2
3aを介して空気が供給され、供給部23の上壁に等ピ
ッチ間隔で形成した複数の吹き出し口23bから空気室
22へ空気が供給される。したがって、空気室22に入
った空気は下方から上方へ向かって流れ、排出口22a
から排出される。
【0015】上記空気供給部23の下部には、環状のガ
ス導入室24が形成されており、これら空気供給部23
とガス導入室24とは、炉体1の底面を支える支持板を
兼ねる仕切板25によって仕切られている。ガス導入室
24には流入口24aから上記ガス供給管6に供給され
る雰囲気ガスと同じガスが供給され、内壁に等間隔で形
成された複数の吹き出し口24bから内側中心方向へ向
かって吹き出される。このガスは、上記ガス導入通路1
8を通って加熱室3内に導入される。即ち、図3に示す
ように、ガスはテーブル10の段差部11の水平面11
aに沿って外側から内側に向かって導入された後、段差
部11の垂直面11bに沿って上方に流れ、加熱室3内
に上方に向かって円筒状にかつ均等に吹き出す。吹き出
し口24bの穴径や数は炉内容積とガス投入量により変
わるが、ガス導入通路18を流れるガス流速が50cm
〜1m/秒程度になるよう選択すれば十分である。
【0016】次に、上記構成からなる熱処理炉の動作を
説明する。まず、テーブル10を昇降装置17によって
降下させ、テーブル10上に匣19を複数個積み重ねて
載置した後、テーブル10を上昇させて匣19を加熱室
3内に収容する。
【0017】次に、モータ14によってテーブル10を
一定方向に回転させ、ヒータ4に通電して加熱室3を所
定温度に加熱するとともに、ガス供給管6から雰囲気ガ
スを加熱室3に供給し、脱脂処理を行う。この脱脂工程
において、被処理物であるセラミック成形体から有機バ
インダーの分解ガスが発生し、このガスは雰囲気ガスよ
り重いので、加熱室3の底部へ溜まろうとする。この
時、ガス導入室24からガス導入通路18を通って加熱
室3内に雰囲気ガスと同じガスを導入することにより、
テーブル10と炉体1との隙間Cからガスが均等に吹き
出し、隙間Cにバインダー分解ガスが流れ込むのを阻止
できる。しかも、このガスは、加熱室3の内壁付近やテ
ーブル10の周囲に気流を発生させるので、炉体1やテ
ーブル10の断熱材の中にバインダー分解ガスが浸透す
るのを抑制できる。加熱室3内で発生した排ガスは、頂
部の排気管7から排出される。
【0018】脱脂処理が終了した後、続いて本焼成処理
を行う。即ち、ガス供給管6およびガス導入通路18か
らの雰囲気ガスの供給を停止し、ヒータ4の温度を上げ
て被測定物を本焼成する。この時、加熱室3内に残留し
たバインダー成分は完全に熱分解されるが、テーブル1
0と炉体1との隙間Cや炉体1の内壁などに付着するバ
インダー成分の付着量が少ないので、断熱材の劣化を防
止できるとともに、炉体1の汚れを抑制できる。
【0019】ところで、炉体1の外周部には空気室22
が形成されている。昇温過程では、空気室22への空気
の供給を停止することにより、空気室22を一種の断熱
層として利用する。これにより、断熱材2の厚みを薄く
でき、炉体1を小型化できる。また、冷却過程では、空
気供給部23の吹き出し口23bから空気室22へ空気
を供給し、排出口22aから排出することにより、空気
室22の持っていた蓄熱を一気に取り除くことができ、
炉体1の冷却時間を短縮できる。
【0020】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、本発明の炉体形状は円筒形に限らない。
本発明で使用されるテーブルは、回転するターンテーブ
ルに限らず、昇降のみを行う台であってもよい。したが
って、テーブルの形状は円盤形状に限らない。また、テ
ーブルの外周部に段差を有する場合に限らず、円筒形テ
ーブルでもかまわない。この場合には、ガス供給通路が
下方から上方に向かって直線的に延びる通路となる。
【0021】上記実施例では、雰囲気ガスの供給管とガ
ス導入通路とを別に設けたが、上記供給管を省略し、ガ
ス導入通路で代用することも可能である。但し、ガス導
入通路はテーブル上にガス流れを発生させるものである
ため、匣の中に雰囲気ガスを投入するにはガス供給管を
設ける必要がある。ガス導入通路でガス供給管を代用す
る場合には、被処理物として匣のないものを用いるのが
望ましい。さらに、排ガスを排出する排気管を加熱室の
頂部に設けたが、側部に設けることも可能である。
【0022】ヒータの配置は、炉体に対し同心状にかつ
縦方向に配置したが、炉体が四角形の場合には、横方向
に配列してもよい。ヒータは、スパイラルヒータに限ら
ず、棒状ヒータやU字形ヒータであってもよいが、棒状
ヒータの場合には端子部が両端にくること、U字形ヒー
タでは耐熱性絶縁チューブで覆う場合に、断面を楕円に
する必要があるなどの理由により、スパイラルヒータの
方が端子部が片方にありかつ棒状であるため、円筒形チ
ューブを使用できるので、配置が簡単で低コストであ
る。耐熱性絶縁チューブとしては、バインダー成分の浸
透のない、緻密で導電性のない、アルミナ系やシリカ系
のセラミックチューブを用いるのが望ましい。
【0023】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、テーブルの外周部と炉体の底部開口部との環状
の隙間に、炉内雰囲気ガスと同種のガスを炉体内部に導
入するためのガス導入通路を接続し、上記ガス導入通路
から導入されたガスが上記環状の隙間を通って炉体内部
へ吹き込まれるように構成したので、テーブルと炉体と
の隙間へのバインダー分解ガスの流入が阻止され、隙間
にバインダー成分が蓄積するのを防止できる。また、
の内側壁付近のバインダー分解ガスが流入ガスの流れ
によって攪拌されるので、バインダー成分がテーブルや
炉体の断熱材に付着,浸透するのを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるバッチ式熱処理炉の断面図であ
る。
【図2】図1のA−A線断面図である。
【図3】図1のB部拡大図である。
【符号の説明】
1 炉体 3 加熱室 4 ヒータ 10 テーブル 11 段差部 14 モータ 17 昇降装置 18 ガス導入通路 19 匣 24 ガス導入室 24b 吹き出し口 C 隙間

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】底部に開口部を有する炉体の内部にヒータ
    を配置しこの炉体の底部開口部に昇降可能なテーブル
    を配置し、このテーブル上に被処理物であるセラミック
    製品を載置してセラミック製品の脱脂を含む熱処理を行
    バッチ式熱処理炉において、 上記テーブルの外周部と炉体の底部開口部との環状の隙
    間に、炉内雰囲気ガスと同種のガスを炉体内部に導入す
    るためのガス導入通路を接続し、上記ガス導入通路から
    導入されたガスが上記環状の隙間を通って炉体内部へ吹
    き込まれるように構成したことを特徴とするバッチ式熱
    処理炉。
  2. 【請求項2】請求項1に記載のバッチ式熱処理炉におい
    て、 上記テーブルの外周部には段差部が形成され、炉体は上
    記段差部の水平面および垂直面と近接しており、上記ガ
    ス導入通路はテーブルの段差部と炉体の底部との間の空
    間で構成されており、上記ガスは上記段差部の水平面に
    沿って外側から内側に向かって導入された後、段差部の
    垂直面に沿って上方に流れ、炉体内部に導入されること
    を特徴とするバッチ式熱処理炉。
  3. 【請求項3】請求項2に記載のバッチ式熱処理炉におい
    て、 上記炉体の外周部には、内周に複数の吹き出し口を設け
    た環状のガス導入室が形成され、このガス導入室に流入
    したガスは、上記吹き出し口から上記段差部の水平面に
    そって内側へ向かってほぼ均等に吹き出されることを特
    徴とするバッチ式熱処理炉。
JP04167997A 1996-02-19 1997-02-10 バッチ式熱処理炉 Expired - Lifetime JP3233055B2 (ja)

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JPH09286668A JPH09286668A (ja) 1997-11-04
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JP2010504903A (ja) * 2006-09-26 2010-02-18 アトラノーヴァ・リミテッド 水素還元による半化学量論的酸化チタンの製造方法
JP6285232B2 (ja) * 2014-03-24 2018-02-28 高砂工業株式会社 熱処理炉
JP7246446B2 (ja) * 2021-02-03 2023-03-27 芝浦メカトロニクス株式会社 加熱処理装置および加熱処理方法

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