KR20230151956A - 이에프이엠 시스템 - Google Patents

이에프이엠 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20230151956A
KR20230151956A KR1020230140902A KR20230140902A KR20230151956A KR 20230151956 A KR20230151956 A KR 20230151956A KR 1020230140902 A KR1020230140902 A KR 1020230140902A KR 20230140902 A KR20230140902 A KR 20230140902A KR 20230151956 A KR20230151956 A KR 20230151956A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
wafer
wafer transfer
efem
chamber
Prior art date
Application number
KR1020230140902A
Other languages
English (en)
Inventor
도시히로 가와이
구니히코 사토
야스시 다니야마
미키오 세가와
미츠오 나츠메
아츠시 스즈키
Original Assignee
신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2013257817A external-priority patent/JP2015115517A/ja
Priority claimed from JP2013270967A external-priority patent/JP6299210B2/ja
Priority claimed from JP2014017821A external-priority patent/JP6349750B2/ja
Priority claimed from JP2014017820A external-priority patent/JP6599599B2/ja
Application filed by 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤 filed Critical 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤
Publication of KR20230151956A publication Critical patent/KR20230151956A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0027—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with additional separating or treating functions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0039—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with flow guiding by feed or discharge devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/26—Drying gases or vapours
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Prostheses (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

표면 성상의 변화나 파티클의 부착을 발생시키는 분위기에 노출시키는 일 없이, 웨이퍼의 반송을 행하는 것이 가능한 EFEM 시스템을 제공한다.
내부에서 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송실(11)을 각각 구비한 복수의 EFEM과(10~10), EFEM의 외부에 마련되고, 가스의 청정화를 행하기 위한 더스트 필터(21)를 구비하는 가스 청정 장치(20)와, 가스 청정 장치(20)에 의해 청정화된 가스를 분배하고, 각 웨이퍼 반송실(11)에 공급하는 가스 공급로(30)와, 각 웨이퍼 반송실(11)로부터 배출되는 가스를 상기 가스 청정 장치(20)에 귀환시키는 가스 귀환로(40)를 구비하고, 웨이퍼 반송실(11)과 가스 청정 장치(20)와의 사이에서 가스를 귀환시키도록 구성하였다.

Description

이에프이엠 시스템{EFEM SYSTEM}
본 발명은, 표면 성상의 변화나 파티클의 부착을 생기게 하는 분위기에 노출시키지 않고, 웨이퍼의 반송을 행하는 것이 가능한 EFEM(Equipment Front End Module) 시스템에 관한 것이다.
종래부터 기판으로서의 웨이퍼에 대해 다양한 처리 공정이 실시됨으로써 반도체의 제조가 이루어져 오고 있다. 최근에는 소자의 고집적화나 회로의 미세화가 점점 진행되고 있어, 웨이퍼 표면에의 파티클이나 수분의 부착이 발생하지 않도록, 웨이퍼 주변을 높은 클린도로 유지하는 것이 요구되고 있다. 또한, 웨이퍼 표면이 산화되는 등 표면의 성상이 변화되는 일이 없도록, 웨이퍼 주변을 불활성 가스인 질소 분위기로 하거나, 진공 상태로 하는 것도 행해지고 있다.
이러한 웨이퍼 주변의 분위기를 적절하게 유지하기 위해, 웨이퍼는, FOUP(Front-Opening Unified Pod)라고 불리는 밀폐식의 저장 포드의 내부에 넣어 관리되고, 이 내부에는 질소가 충전된다. 또한, 웨이퍼에 처리를 행하는 처리 장치와, FOUP 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하기 위해, 하기 특허문헌 1에 개시된 바와 같은 EFEM이 이용되고 있다. EFEM은, 하우징의 내부에서 대략 폐쇄된 웨이퍼 반송실을 구성함과 함께, 그 대향 벽면의 한쪽에 FOUP와의 사이에서의 인터페이스부로서 기능하는 로드 포트(Load Port)를 구비함과 함께, 다른 쪽에 처리 장치의 일부인 로드 로크실이 접속된다. 웨이퍼 반송실 내에는, 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송 장치가 설치되어 있고, 이 웨이퍼 반송 장치를 사용하여, 로드 포트에 접속되는 FOUP와 로드 로크실 사이에서 웨이퍼의 출입이 행해진다.
즉, 웨이퍼는 한쪽의 전달 위치로 되는 FOUP(로드 포트)로부터, 웨이퍼 반송 장치를 사용하여 취출되고, 다른 한쪽의 전달 위치로 되는 로드 로크실로 반송된다. 그리고, 처리 장치에서는, 로드 로크실을 통하여 반송되는 웨이퍼에 대해 프로세스 챔버라고 칭해지는 처리 유닛 내에서 처리를 실시하고, 처리의 완료 후에, 다시 로드 로크실을 통해 웨이퍼가 취출되어 FOUP 내로 복귀된다.
처리 장치 내는, 웨이퍼에 대한 처리를 빠르게 행할 수 있도록, 처리에 따른 진공 등의 특수한 분위기로 된다. 또한, EFEM에 있어서의 웨이퍼 반송실의 내부는, 화학 필터 등을 통하여 청정화된 에어를 도입함으로써, 높은 클린도의 클린 에어 분위기로 되어 있어, 반송 중의 웨이퍼의 표면에 파티클 등의 부착에 의한 오염이 없도록 되어 있다.
일본 특허 공개 제2012-49382호 공보
그러나, 최근, 가일층의 클린화가 진행되는 중에, EFEM의 웨이퍼 반송실 내는 클린도가 비교적 높지만, FOUP 내나 처리 장치 내는 상이한 공기 분위기인 것에 의한 영향이 우려되고 있다.
즉, 공기 분위기에 노출됨으로써 기판 표면에 수분이나 산소가 부착되기 쉬워, 부식이나 산화가 발생할 가능성이 있다. 또한, 처리 장치에 있어서 사용된 부식성 가스 등이 웨이퍼의 표면에 잔류하고 있는 경우에는, 웨이퍼 표면의 배선 재료가 부식되어 수율의 악화가 발생할 가능성도 있다. 또한, 부식 원소는 수분의 존재에 의해 부식 반응을 가속시키기 때문에, 부식성 가스와 수분의 양쪽 모두가 존재함으로써, 보다 빠르게 부식이 진행될 가능성도 있다.
또한, 웨이퍼의 전달을 행할 때에, 로드 포트에 설치된 퍼지부로부터 FOUP로 불활성 가스인 질소 등을 주입함으로써 FOUP 내를 가압하여, FOUP 내에 웨이퍼 반송실 내의 공기 분위기가 침입하는 것을 방지하도록 구성한 경우에는, 웨이퍼의 전달이 완료될 때까지의 동안에 FOUP 내에 질소를 계속해서 주입해야만 하고, 주입한 질소는 웨이퍼 반송실로 유출되어 버리기 때문에, 질소의 사용량이 방대한 것으로 되어, 비용이 증대한다고 하는 문제가 발생한다.
이것을 피하기 위해서는, 웨이퍼 반송실의 내부를 FOUP와 마찬가지로 질소 분위기로 하는 것이 생각되지만, 단순히 웨이퍼 반송의 개시 시에 질소 분위기로 하는 것만으로는, 시간의 경과와 함께 웨이퍼 반송실 내의 클린도가 저하되어, 이 내부에서의 반송 중에 웨이퍼 표면에 파티클이 부착될 가능성이 발생함과 함께, 처리 장치에 있어서 사용된 부식성 가스 등의 영향도 증가한다. 또한, 웨이퍼 반송실 내에 항상 질소를 계속해서 공급한 경우에는, 질소의 사용량이 더욱 방대한 것으로 되어, 비용 증대에 대한 해결책으로 되지는 않는다.
또한, 웨이퍼 반송실 내에 있어서의 상기한 문제는, 처리나 보관 장소와는 상이한 분위기하에 반송을 행하는 한, 웨이퍼 이외의 기판을 반송하는 경우에 있어서도 마찬가지로 발생하는 것이라고 할 수 있다.
본 발명은 이와 같은 과제를 유효하게 해결하는 것을 목적으로 하고 있고, 구체적으로는, 비용의 증대를 피하면서, 반송 중의 웨이퍼를, 표면 성상의 변화나 파티클의 부착을 발생시키는 분위기에 노출시키는 일 없이, 웨이퍼에의 파티클의 부착의 억제나, 웨이퍼 표면의 성상의 관리를 적절하게 행할 수 있는 EFEM을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 수단을 강구한 것이다.
즉, 본 발명의 EFEM 시스템은, 내부에서 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송실을 각각 구비한 복수의 EFEM과, 당해 EFEM의 외부에 마련되고, 가스의 청정화를 행하기 위한 더스트 필터를 구비하는 가스 청정 장치와, 당해 가스 청정 장치에 의해 청정화된 가스를 분배하고, 각 웨이퍼 반송실에 공급하는 가스 공급로와, 각 웨이퍼 반송실로부터 배출되는 가스를 상기 가스 청정 장치에 귀환시키는 가스 귀환로를 구비하고, 상기 웨이퍼 반송실과 상기 가스 청정 장치와의 사이에서 가스를 순환시키는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성하면, 가스 청정 장치에 구비된 더스트 필터가 웨이퍼 반송실로부터 배출되는 가스에 포함되는 파티클을 제거함으로써 청정화되고, 청정화된 가스를 웨이퍼 반송실에 공급함으로써, 웨이퍼 반송실 내를 청정한 가스 분위기 하에 유지할 수 있다. 또한, 복수의 EFEM이 가스 청정 장치를 공유함으로써, 가스 청정 장치를 EFEM마다 마련할 필요가 없게 되기 때문에, 각 EFEM의 구조를 단순화하는 것이 가능해지고, 설치 면적의 절감이나 코스트 다운을 도모하는 것이 가능해진다.
가스 청정 장치와 각 웨이퍼 반송실과의 사이의 가스 귀환을 유효하게 행하기 위해서는, 상기 가스 청정 장치는, 상기 가스 귀환로로부터 상기 가스 공급로로 향하는 방향으로 가스를 송출하는 송풍 수단을 구비하도록 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 웨이퍼 반송실과 접속되는 처리 장치로부터 유입한 분자상 오염 물질이 귀환하는 것을 방지하고, 웨이퍼 반송실을 적절한 가스 분위기 하에 유지하기 위해서는, 상기 가스 청정 장치는, 귀환된 가스 중에 존재하는 분자상 오염 물질을 제거하는 케미컬 필터를 구비하도록 구성하는 것이 바람직하다.
나아가, 웨이퍼 반송실 내의 수분에 의해 웨이퍼의 품질 저하를 일으키는 것을 유효하게 방지하기 위해서는, 상기 가스 청정 장치는, 가스 중의 수분을 제거하는 건조기를 구비하도록 구성하는 것이 바람직하다.
순환로 중의 가스를 적절한 가스 분위기로 치환하고, 웨이퍼 반송실 내에 있어서 산소나 처리에 의한 잔류 가스가 웨이퍼 표면에 부착하여 웨이퍼의 표면 성상을 변화시키는 것을 억제하고, 수율이 저하하는 것을 방지함과 동시에, 웨이퍼 반송실 내의 가스의 일부가 외부에 유출된 경우에, 유출분의 가스를 공급하여 웨이퍼 반송실 내의 상태를 일정하게 유지하기 위해서는, 상기 가스 공급로의 도중 위치에 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 가스 귀환로의 도중 위치로부터 가스를 흡인하기 위한 가스 흡인 수단을 더 구비하도록 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 웨이퍼 상부에 부착한 파티클을 제거함과 동시에, 웨이퍼 반송실 내에 파티클이 부유하는 것을 방지하기 위해서는, 상기 EFEM은, 상기 웨이퍼 반송실의 상부에 마련되고, 상기 가스 공급로와 접속되는 가스 공급로와, 상기 웨이퍼 반송실의 하부에 마련되고, 상기 가스 귀환로와 접속되는 가스 배출구를 포함하여 구성되어 있고, 상기 웨이퍼 반송실 내에 상기 가스 공급구로부터 상기 가스 배출구로 흐르는 하강 기류를 생기게 하고 있는 것이 바람직하다.
나아가, 웨이퍼 반송실 내에 하강 기류를 유효하게 발생시키고, 파티클이 웨이퍼에 부착하는 것을 보다 한층 방지하는 것을 가능하게 하기 위해서는, 상기 가스 공급로에는, 상기 가스 공급로로부터 공급되는 가스를 상기 웨이퍼 반송실 내에 보내는 송풍 수단과, 상기 가스 공급로로부터 공급되는 가스를 청정화하는 더스트 필터가 접속되어 있는 것이 바람직하다.
그리고, 산소나 습기 등에 의한 웨이퍼 표면의 성상의 변화를 억제하여, 수율이 저하되는 것을 방지하기 위해서는, 상기 가스로서 불활성 가스를 사용하도록 구성하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 본 발명에 따르면, 복수의 EFEM을 운용하는 경우에, 반송 중의 웨이퍼를, 표면 성상의 변화나 파티클의 부착을 발생시키는 분위기에 노출시키는 일 없이, 웨이퍼에의 파티클의 부착의 억제나, 웨이퍼의 표면 성상의 관리를 적절하게 행하는 것을, 단순한 구조에 의해 실현하고, 설치 면적의 절감이나 코스트다운을 도모할 수 있는 EFEM 시스템을 제공하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 EFEM과 처리 장치의 관계를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 2는 동 EFEM의 측면벽을 제거한 상태를 도시하는 측면도.
도 3은 동 EFEM의 일부를 파단하여 도시하는 사시도.
도 4는 동 EFEM의 순환로에 있어서의 가스의 흐름을 도시하는 모식도.
도 5는 동 EFEM을 처리 장치측에서 본 상태를 도시하는 배면도.
도 6은 동 EFEM의 가스 귀환로의 구성 부재를 나타내는 주요부 확대 사시도.
도 7은 도 6의 A-A 위치 및 B-B 위치에 있어서의 가스 귀환로의 단면을 도시하는 사시도.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 관한 EFEM 시스템을 모식적으로 도시하는 설명도.
도 9는 동 EFEM 시스템을 구성하는 EFEM과 처리 장치의 관계를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 10은 동 EFEM의 측면벽을 제거한 상태를 도시하는 측면도.
도 11은 본 발명에 관한 EFEM 시스템의 변형예를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 12는 본 발명에 관한 EFEM 시스템의 다른 변형예를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 13은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM과 처리 장치의 관계를 모식적으로 도시하는 설명도.
도 14는 도 13의 상태로부터 동 기판 반송 장치의 이동실을 이동시킨 상태를 도시하는 평면도.
도 15는 동 기판 반송 장치의 주요부를 확대하여 도시하는 평면도.
도 16은 동 기판 반송 장치를 가이드 레일의 연장 방향에서 본 상태를 모식적으로 도시하는 정면도.
도 17은 도 14의 상태로부터 피크를 FOUP 내로 진입시킨 상태를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 18은 도 17의 상태로부터 피크를 이동실 내로 복귀시킨 상태를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 19는 도 18의 상태로부터 피크를 로드 로크실 내로 진입시킨 상태를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 20은 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM을 모식적으로 도시하는 설명도.
도 21은 본 발명의 제5 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM의 구조 및 동작을 설명하기 위한 설명도.
도 22는 도 21에 이어서 동 기판 반송 장치를 구비한 EFEM의 구조 및 동작을 설명하기 위한 설명도.
도 23은 본 발명의 제6 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM을 모식적으로 도시하는 설명도.
도 24는 본 발명의 제7 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM을 모식적으로 도시하는 설명도.
도 25는 동 기판 반송 장치를 가이드 레일에 직교하는 방향에서 본 상태를 모식적으로 도시하는 측단면도.
도 26은 본 발명의 제8 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM을 모식적으로 도시하는 설명도.
도 27은 본 발명의 제9 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM을 모식적으로 도시하는 설명도.
도 28은 본 발명의 제8 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 변형한 변형예를 도시하는 도면.
도 29는 본 발명의 제10 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM과 처리 장치의 관계를 도시하는 설명도.
도 30은 동 기판 반송 장치의 주요부를 평면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
도 31은 동 기판 반송 장치의 주요부를 정면 또는 측면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
도 32는 도 29의 상태로부터 동 기판 반송 장치의 가동대를 이동시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 33은 도 32의 상태로부터 피크를 FOUP 내로 진입시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 34는 도 33의 상태로부터 피크를 가동대 상으로 복귀시킨 상태를 도시하는 평면도.
도 35는 도 34의 상태로부터 피크를 로드 로크실의 앞으로 이동시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 36은 도 35의 상태로부터 피크를 로드 로크실 내로 진입시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 37은 동 기판 반송 장치가 구비하는 가열기의 구성을 모식적으로 도시하는 설명도.
도 38은 본 발명의 제11 실시 형태에 관한 기판 반송 장치를 구비한 EFEM과 처리 장치의 관계를 도시하는 설명도.
도 39는 동 기판 반송 장치의 주요부를 평면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
도 40은 동 기판 반송 장치의 주요부를 정면 또는 측면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
도 41은 본 발명의 제12 실시 형태에 관한 기판 반송 장치의 주요부를 평면 또는 정면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
도 42는 도 41의 상태로부터 피크를 FOUP 내로 진입시킨 상태를 도시하는 설명도.
도 43은 본 발명의 제13 실시 형태에 관한 기판 반송 장치의 주요부를 정면 또는 측면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
도 44는 본 발명의 제14 실시 형태에 관한 기판 반송 장치의 주요부를 평면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
도 45는 동 기판 반송 장치의 주요부를 정면 또는 측면에서 본 상태를 도시하는 설명도.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하여 설명한다.
<제1 실시 형태>
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 EFEM(1)과, 이것과 접속하는 처리 장치(6)의 천장판 등을 제거함으로써 내부가 보이도록 하여, 이들 EFEM(1)과 처리 장치(6)의 관계를 모식적으로 도시한 평면도이다. 또한, 도 2는 EFEM(1)의 측면의 벽을 제거함으로써 내부가 보이도록 한 측면도이다. 이들 도 1 및 2에 도시한 바와 같이, EFEM(1)은, 소정의 전달 위치 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 웨이퍼 반송 장치(2)와, 이 웨이퍼 반송 장치(2)를 둘러싸도록 설치된 상자형의 하우징(3)과, 하우징(3)의 전방면측의 벽[전면벽(31)]의 외측에 접속되는 복수(도면 중에서는 3개)의 로드 포트(4∼4)와, 컨트롤러(5)로 구성되어 있다.
여기서, 본원에 있어서는 하우징(3)에서 볼 때 로드 포트(4∼4)가 접속되는 측의 방향을 전방, 전면벽(31)과 대향하는 배면벽(32)측의 방향을 후방이라고 정의하고, 또한, 전후 방향 및 수직 방향에 직교하는 방향을 측방이라고 정의한다. 즉, 3개의 로드 포트(4∼4)는 측방에 나란히 배치되어 있다.
또한, EFEM(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 배면벽(32)의 외측에 인접하여, 처리 장치(6)의 일부를 구성하는 로드 로크실(61)을 접속할 수 있도록 되어 있고, EFEM(1)과 로드 로크실(61) 사이에 설치된 도어(1a)를 개방함으로써, EFEM(1) 내와 로드 로크실(61)을 연통한 상태로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 처리 장치(6)로서는 다양한 것을 사용할 수 있지만, 일반적으로는, 로드 로크실(61)과 인접하여 반송실(62)이 설치되고, 또한 반송실(62)과 인접하여, 웨이퍼(W)에 처리를 행하는 복수(도면 중에서는 3개)의 처리 유닛(63∼63)이 설치되는 구성으로 되어 있다. 반송실(62)과, 로드 로크실(61)이나 처리 유닛(63∼63) 사이에는, 각각 도어(62a, 63a∼63a)가 설치되어 있고, 이것을 개방함으로써 각각의 사이를 연통시킬 수 있고, 반송실(62) 내에 설치된 반송 로봇(64)을 사용하여 로드 로크실(61) 및 처리 유닛(63∼63)의 사이에서 웨이퍼(W)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(2)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 적재하여 반송하는 피크를 구비한 아암부(2a)와 이 아암부(2a)를 하방으로부터 지지하고, 아암부를 동작시키기 위한 구동 기구 및 승강 기구를 갖는 베이스부(2b)로 구성되어 있고, 베이스부(2b)는 하우징(3)의 전면벽(31)에 지지부(21) 및 가이드 레일(22)을 통해 지지되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송 장치(2)는 하우징(3) 내의 폭 방향으로 연장되는 가이드 레일(22)을 따라 이동할 수 있도록 되어 있고, 컨트롤러(5)가 웨이퍼 반송 장치(2)의 동작을 제어함으로써 측방에 배열된 각 로드 포트(4∼4)에 적재된 FOUP(7)에 수용되어 있는 웨이퍼(W)를 로드 로크실(61)로 반송하는 것 및 각 처리 유닛(63∼63)에서 처리가 행해진 후의 웨이퍼(W)를 FOUP(7) 내로 다시 반송하는 것이 가능하게 되어 있다.
하우징(3)은 웨이퍼 반송 장치(2)의 사방을 둘러싸는 전면벽(31), 배면벽(32), 측면벽(33, 34)과, 천장벽(35), 바닥벽(36), 또한 상기한 하우징 벽(31∼35)을 지지하는 지주(37a∼37d)를 포함하여 구성되고, 전면벽(31)에 형성된 개구(31a)에 로드 포트(4∼4)가, 배면벽(32)에 형성된 직사각 형상의 개구(32a)에 로드 로크실(61)이 접속됨으로써, 내부에서 대략 폐쇄 공간(CS)이 형성되어 있다. 또한, 상술한 각 부재는, 부재간에 내부의 가스가 유출되는 간극이 발생하지 않도록 정밀하게 설치되어 있지만, 부재간에 시일 부재를 설치하여, 하우징(3) 내의 기밀성을 더욱 높이도록 구성해도 된다. 또한, 배면벽(32)에 형성된 개구(32a)는 구동 기구(1b)를 갖고, 상하로 구동하는 일반적으로 게이트 밸브라고 칭해지는 도어(1a)(도 3 참조)에 의해 폐쇄하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 도시 및 설명을 생략하지만, 측면벽(33, 34)에도 개구가 형성되어 있고, 한쪽은 웨이퍼(W)의 위치 조정에 이용되는 얼라이너가 접속되는 것으로 되어 있고, 다른 쪽은 통상 시는 폐쇄된 메인터넌스용의 개구로 되어 있다.
로드 포트(4)는 도어(4a)를 구비하고 있고, 이 도어(4a)가 FOUP(7)에 설치된 덮개부(7a)와 연결되어 함께 이동함으로써, FOUP(7)가 대략 폐쇄 공간(CS)에 대해 개방되도록 되어 있다. FOUP(7) 내에는 적재부가 상하 방향으로 다수 설치되어 있고, 이에 의해 다수의 웨이퍼(W)를 저장할 수 있다. 또한, FOUP(7) 내에는 통상 질소가 충전됨과 함께, 컨트롤러(5)의 제어에 의해 로드 포트(4)를 통해 FOUP(7) 내의 분위기를 질소 치환하는 것도 가능하게 되어 있다.
컨트롤러(5)는 하우징(3)의 천장벽(35)보다 상방의, 천장판(38)과의 사이에 위치하는 상부 공간(US)에 설치된 컨트롤러 유닛으로서 구성되고, 웨이퍼 반송 장치(2)의 구동 제어, 로드 포트(4∼4)에 의한 FOUP(7)의 질소 치환 제어, 도어(1a, 4a∼4a)의 개폐 제어 및 하우징(3) 내에 있어서의 질소 순환 제어 등을 행하고 있다. 컨트롤러(5)는 CPU, 메모리 및 인터페이스를 구비한 통상의 마이크로프로세서 등에 의해 구성되는 것으로, 메모리에는 미리 처리에 필요한 프로그램이 저장되어 있고, CPU는 순차적으로 필요한 프로그램을 취출하여 실행하고, 주변 하드 리소스와 협동하여 소기의 기능을 실현하는 것으로 되어 있다. 또한, 질소 순환 제어에 대해서는 후술한다.
대략 폐쇄 공간(CS)은, 도 4에 도시한 바와 같이 구획 부재(8)에 의해 웨이퍼 반송 장치(2)가 구동하는 공간인 웨이퍼 반송실(9)과, 가스 귀환로(10)로 구획되어 있다. 그리고, 웨이퍼 반송실(9)과 가스 귀환로(10)는, 웨이퍼 반송실(9)의 상부에 폭 방향으로 연장되어 형성된 가스 송출구(11)와 웨이퍼 반송실(9)의 하부에 폭 방향으로 연장되어 형성된 가스 흡인구(12)에 있어서만 연통하고 있고, 가스 송출구(11)와 가스 흡인구(12)가 웨이퍼 반송실(9) 내에 하강 기류를 발생시키고, 가스 귀환로(10) 내에 상승 기류를 발생시킴으로써, 대략 폐쇄 공간(CS) 내에 도 4에 화살표로 나타내는 순환로(Ci)를 형성하고, 가스가 순환하도록 되어 있다. 이때, 웨이퍼 반송실(9)은 전면벽(31), 배면벽(32)[도어(1a)를 포함함, 도 3 참조], 로드 포트(4)[도어(4a)를 포함함], 측면벽(33, 34), 바닥벽(36) 및 구획 부재(8)에 의해 폐쇄된 공간으로 된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 이 대략 폐쇄 공간(CS)에 불활성 가스인 질소를 순환시키는 것으로 하지만, 순환시키는 가스는 이것으로 한정되는 것은 아니고, 다른 가스를 사용할 수도 있다.
이어서, 가스 귀환로(10)의 구성을 상세하게 설명한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 가스 귀환로(10)는 바닥벽(36), 배면벽(32), 천장벽(35) 및 구획 부재(8)에 의해 폐쇄된 공간이며, 웨이퍼 반송실(9)의 하부에 있어서 가스 흡인구(12)로부터 흡인된 가스를, 웨이퍼 반송실(9) 상부의 가스 송출구(11)로 귀환시키기 위해 설치된다.
귀환로(10)의 배면측 상부에는 대략 폐쇄 공간(CS) 내에 질소를 도입하는 가스 공급 수단(16)이 접속되어 있고, 컨트롤러(5)(도 2 참조)로부터의 명령에 기초하여 질소의 공급과 공급의 정지를 제어하는 것이 가능하게 되어 있다. 그로 인해, 질소의 일부가 대략 폐쇄 공간(CS)의 외부로 유출된 경우에는, 가스 공급 수단(16)이 유출분의 질소를 공급함으로써, 대략 폐쇄 공간(CS) 중의 질소 분위기를 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 배면측 하부에는 대략 폐쇄 공간(CS) 중의 가스를 배출하는 가스 배출 수단(17)이 접속되어 있고, 컨트롤러(5)로부터의 명령에 기초하여 동작하여, 도시하지 않은 셔터를 개방함으로써 대략 폐쇄 공간(CS)의 내부와 외부에 설치된 가스 배출처를 연통시키는 것이 가능하게 되어 있다. 그리고, 상술한 가스 공급 수단(16)에 의한 질소의 공급과 병용함으로써, 대략 폐쇄 공간(CS)을 질소 분위기로 치환하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 순환로(Ci)를 순환시키는 가스를 질소로 하기 때문에, 가스 공급 수단(16)은 질소를 공급하지만, 다른 가스를 순환시키는 경우에는, 가스 공급 수단(16)은 그 순환시키는 가스를 공급한다.
또한, 가스 송출구(11)에는 제1 송풍 수단으로서의 팬(13a)과 필터(13b)로 구성되는 팬 필터 유닛(13)[FFU(13)]이 설치되어 있고, 대략 폐쇄 공간(CS) 내를 순환하는 가스 내에 포함되는 파티클을 제거함과 함께, 웨이퍼 반송실(9) 내로 하방을 향해 송풍함으로써 웨이퍼 반송실(9) 내에 하강 기류를 발생시키고 있다. 또한, FFU(13)는, 구획 부재(8)에 연결되어 수평 방향으로 연장되는 지지 부재(18)에 의해 지지되어 있다.
한편, 가스 흡인구(12)에는 케미컬 필터(14)가 접속되어 있고, 웨이퍼 반송실(9) 내의 가스는 케미컬 필터(14)를 통해 가스 귀환로(10)에 유입되도록 되어 있다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼 반송 장치(2)(도 2 참조)를 하우징(3)의 전면벽(31)에 지지부(21) 및 가이드 레일(22)을 통해 지지되도록 하고 있기 때문에, 가스 흡인구(12)는 웨이퍼 반송 장치(2)와 간섭하는 일 없이, 크게 상방을 향하여 개방된 것으로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 가스 흡인구(12)는 폭 방향으로 연장되어 형성되어 있기 때문에, 마찬가지로 폭 방향으로 연장되어 설치된 가이드 레일(22)로부터 웨이퍼 반송 장치(2)의 구동 시에 파티클이 발생하였다고 해도, 이 파티클을 효과적으로 흡인시키는 것이 가능하게 되어 있다. 그리고, 가스 흡인구(12)에 케미컬 필터(14)를 설치함으로써, 처리 장치(6)(도 1 참조)에 있어서의 처리 등에 의해 발생하여 웨이퍼 반송실(9) 내에 유입된 분자상 오염 물질을 제거하는 것을 가능하게 하고 있다. 또한, 가스 귀환로(10) 내의 케미컬 필터(14)보다도 배면측에는, 제2 송풍 수단으로서의 팬(15)이 폭 방향에 걸쳐 설치되어 있고(도 5 참조), 상기 팬(15)이 가스 귀환로(10)의 하류측, 즉 도 4의 상방을 향해 송풍을 행함으로써, 가스 흡인구(12)에 있어서의 가스의 흡인력을 발생시킴과 함께, 케미컬 필터(14)를 통과한 가스를 상방으로 송출하여, 가스 귀환로(10) 내에 상승 기류를 발생시키고 있다.
그리고, 상술한 FFU(13)의 팬(13a) 및 팬(15)에 의해, 대략 폐쇄 공간(CS) 내의 가스는 웨이퍼 반송실(9) 내를 하강하고, 가스 귀환로(10) 내를 상승함으로써 순환하도록 되어 있다. 가스 송출구(11)는 하방을 향하여 개방되어 있는 점에서, FFU(13)에 의해 가스가 하방을 향하여 송출됨과 함께, 가스 흡인구(12)는 상방을 향하여 개방되어 있는 점에서, FFU(13)에 의해 발생시킨 하강 기류를 흐트러뜨리는 일 없이 그대로 하방을 향하여 가스를 흡인시킬 수 있고, 이들에 의해 원활한 가스의 흐름을 만들어 낼 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송실(9) 내에 하강 기류가 발생하고 있음으로써, 웨이퍼(W) 상부에 부착된 파티클을 제거함과 함께, 웨이퍼 반송실(9) 내에 파티클이 부유하는 것을 방지하고 있다.
여기서, 가스 귀환로(10)의 가스의 유로를, 도 6 및 도 7을 이용하여 상세하게 설명한다. 도 6은 가스 귀환로(10)를 확대한 사시도이며, 도 7은 도 6에 도시하는 A-A 위치 및 B-B 위치에 있어서의 단면을 도시하는 사시도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 구획 부재(8)는 상측 구획 부재(81), 하측 구획 부재(82), 중간 부재(83)의 3개의 부재로 구성되어 있다. 구체적으로는, 상측 구획 부재(81)는 배면벽(32)을 따르도록 그 내측에 설치되는, 중앙에 배면벽(32)의 개구(32a)보다 큰 직사각형의 개구(81a)를 갖는 평판 형상의 부재이며, 그 측방 단부는 지주(37c 및 37d)에 접하고 있고, 상단부는 상술한 지지 부재(18)와 연결되어 있다(도 4 참조).
하측 구획 부재(82)는 후방을 향하여 하단(82a), 중단(82b), 상단(82c)의 3단을 갖는 계단 형상의 부재이며, 바닥벽(36) 상에서 지주(37c 및 37d)에 전방으로부터 접촉하도록 폭 방향에 걸쳐 형성됨과 함께, 폭 방향 양단부에 측판(82d)을 구비함으로써 내부에 폐쇄 공간을 형성하고 있다. 그리고, 하단(82a)의 상방에는 케미컬 필터(14)가 접속됨과 함께 가스 흡인구(12)가 형성되고, 상단(82c)은 상측 구획 부재(81)의 하단부와 접하고 있다(도 4 참조).
중간 부재(83)는 지주(37c 및 37d)와 전후 방향으로 동일한 두께를 갖는 형상으로 되어 있고, 배면벽(32)의 개구(32a)의 하방에 배치되어 정면에서 볼 때 상방을 향할수록 폭이 증가하는 구간을 갖는 분류부(83a)와, 배면벽(32)의 개구(32a)를 피하도록 개구(32a)의 좌우와 상방에 배치됨으로써 H자형으로 구성된 H자부(83b)가 접속됨으로써, 상측 구획 부재(81)의 개구(81a)와 거의 동일한 크기의 개구(83c)를 형성하고 있다. 분류부(83a)의 내부는 공동으로 되어 있고, 이 내부에는, 도어(1a)(도 3 참조)를 상면에 형성된 개구(83a1)를 통하여 상하로 움직이게 함으로써 개구(32a)를 개폐하는 구동 기구(1b)가 설치되어 있다. 또한, 분류부(83a)의 상면과 하측 구획 부재(82)의 상단(82c)은 동일한 높이로 되어 있고, H자부(83b)의 상단부는 천장벽(35)과 접촉하고 있다.
이와 같이 구성된 구획 부재(8)에 의해, 하측 구획 부재(82)의 내부에 설치된 팬(15)(도 4 참조)에 의해 상방을 향하는 가스는, 하측 구획 부재(82)의 상단(82c)보다 하측에서는, 도 7의 단면 S1이 나타내는 바와 같이, 하측 구획 부재(82), 배면벽(32), 중간 부재(83)의 분류부(83a) 및 지주(37c, 37d)에 의해 둘러싸인 유로를 흐른다. 그리고, 하측 구획 부재(82)의 상단(82c)(도 6 참조)보다 상측에서는, 도 7의 단면 S2가 나타내는 바와 같이, 상측 구획 부재(81), 배면벽(32), 중간 부재(83)의 H자부(83b) 및 지주(37c)에 의해 둘러싸이는 유로(도 7의 좌측의 유로)와, 상측 구획 부재(81), 배면벽(32), 중간 부재(83)의 H자부(83b) 및 지주(37c)에 의해 둘러싸이는 유로(도 7의 우측의 유로)로 분기되어 흐르도록 구성되어 있다. 즉, 도 5에 도시한 바와 같이, 구간 H1에 있어서, 가스는 폭 방향에 걸쳐 흐르는 것이 가능하게 되어 있는 한편, 구간 H2에 있어서는, 가스는 중간 부재(83)의 양측에서만 흐르는 것이 가능하게 되어 있다.
이와 같은 구성을 하고 있음으로써, 가스 귀환로(10)를 큰 유로 면적을 확보하면서 하우징(3)의 내측의 웨이퍼 반송 장치(2)의 구동 영역 외의 데드 스페이스에 설치하는 것이 가능하게 되기 때문에, 외관을 변경할 필요가 없이, 가스 귀환로(10)를 구성하는 각 부재가 로드 포트(4)나 로드 로크실(61) 등 EFEM(1) 외부의 장치와 간섭하는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다. 구체적으로는, 도 2에 도시한 바와 같이, 하측 구획 부재(82)의 상단(82a)보다 하방, 즉 도 4 및 도 5의 구간 H1은 웨이퍼 반송 장치(2)의 아암부(2a)가 이동하는 영역보다도 하측에 위치하고 있기 때문에, 웨이퍼 반송 장치(2)가 하우징(3)의 전면벽(31)에 지지부(21) 및 가이드 레일(22)을 통해 지지되어 있는 것과 더불어, 하측 구획 부재(82)가 베이스부(2b)의 형상을 따라 계단 형상으로 전방으로 돌출되는 것을 허용하고, 가스 흡인구(12)를 크게 상방을 향하여 개방된 것으로 함과 함께, 가스 귀환로(10)의 유로 면적을 확보하는 것이 가능하게 되어 있다. 한편, 도 4 및 도 5의 구간 H2는, 웨이퍼 반송 장치(2)의 아암부(2a)가 이동하는 높이 영역을 포함하고는 있지만, 아암부(2a)가 웨이퍼(W)의 반송에 필요로 하는 개구(32a) 주변의 공간을 피하여, 구체적으로는 개구(32a)의 좌우의 공간을 이용하여 가스 귀환로(10)의 유로가 설정되어 있음으로써, 아암부(2a)의 이동 공간을 확보함과 함께, 웨이퍼(W)의 반송 경로에 간섭하지 않도록 되어 있다. 또한, 이 개구(32a)의 좌우에 설치한 유로는, 개구(32a)를 폐쇄하기 위한 도어(1a)(도 3 참조) 및 이 도어(1a)를 개폐하는 구동 기구(1b)도 피하면서, 지주(37c, 37d)를 이용하여 이 지주(37c, 37d)의 전후 방향의 두께의 범위로 설치하도록 구성하고 있다(도 7 참조). 그리고, 하우징(3)의 일부인 배면벽(32) 및 지주(37c, 37d)를 사용하여 가스 귀환로(10)를 형성하고 있는 점에서, 가스 귀환로(10)를 구성하는 구조체에 강도를 갖게 함과 함께, 부품 개수를 많게 하는 일 없이, 제조 비용의 상승을 억제하는 것이 가능하게 되어 있다.
이어서, 상기한 바와 같이 구성한 EFEM(1) 내에 있어서, 질소를 순환시키는 질소 순환 제어의 동작을, 도 4를 이용하여 설명한다.
먼저, 초기 단계로서, 컨트롤러(5)가 가스 배출 수단(17)에 가스를 배출시키면서, 가스 공급 수단(16)에 대략 폐쇄 공간(CS) 내에 질소를 공급시킴으로써 대기 분위기에 있는 EFEM(1)의 대략 폐쇄 공간(CS)을 질소 분위기로 퍼지한다. 이 단계 이후, 컨트롤러(5)는 순환로(Ci) 내의 질소가 외부로 누출된 경우, 그 누출량에 따라 가스 공급 수단(16)에 질소의 공급을 행하게 한다.
그리고, 이와 같이 하여 질소 분위기가 된 대략 폐쇄 공간(CS)에 있어서, 컨트롤러(5)가 FFU(13)의 팬(13a) 및 팬(15)을 구동시킴으로써 순환로(Ci) 내에 가스의 순환을 발생시킨다. 이때, FFU(13)의 필터(13b) 및 케미컬 필터(14)가 순환하는 가스 중의 파티클 및 분자상 오염 물질을 제거하기 때문에, 웨이퍼 반송실(9) 내는 항상 청정한 질소의 하강 기류가 발생하고 있는 상태로 된다.
이와 같은 상태로 된 EFEM(1)에 있어서는, 로드 포트(4)에 적재되어 질소 분위기로 퍼지된 FOUP(7)와 웨이퍼 반송실(9)을 연통시키고, 웨이퍼(W)의 출입을 행할 때에는, 웨이퍼 반송실(9)과 FOUP(7)는 모두 동일한 질소 분위기이며, 웨이퍼 반송실(9) 내의 질소도 청정하게 유지되어 있기 때문에, FOUP(7) 내에 파티클이나 분자상 오염 물질이 들어가지 않도록 FOUP(7) 내를 웨이퍼 반송실(9) 내에 대해 정압으로 할 필요가 없어, FOUP(7) 내에 퍼지하는 질소의 소비량을 억제할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송실(9)과 로드 로크실(61)(도 1 참조) 사이에 설치된 도어(1a)를 개방함으로써 이들 웨이퍼 반송실(9)과 로드 로크실(61)을 연통시키고, 로드 로크실(61)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 출입을 행할 때에는, 처리 장치(6)에 있어서의 처리에 의해 웨이퍼(W)에 부착된, 또는 로드 로크실(61) 내에 존재하는 파티클 및 분자상 오염 물질이 웨이퍼 반송실(9) 내로 유입될 가능성이 있지만, 이들 파티클 및 분자상 오염 물질은 웨이퍼 반송실(9) 내의 하강 기류에 의해 하방으로 흐르고, 케미컬 필터(14) 및 FFU(13)의 필터(13b)에 의해 가스 귀환로(10)를 통과하는 동안에 정화되어, 다시 웨이퍼 반송실(9) 내에 파티클 및 분자상 오염 물질이 흐르는 일이 없기 때문에, 반송 중의 웨이퍼(W)에의 악영향을 유효하게 경감시키는 것이 가능하게 되어 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서의 EFEM(1)은, 벽면인 전면벽(31)에 형성된 개구(31a)에 로드 포트(4∼4)가 접속됨과 함께, 벽면인 배면벽(32)에 형성된 개구(32a)에 처리 장치(6)가 접속됨으로써 대략 폐쇄된 웨이퍼 반송실(9)을 내부에 구성하는 하우징(3)과, 웨이퍼 반송실(9) 내에 배치되고, 로드 포트(4∼4)에 적재된 FOUP(7∼7)와 처리 장치(6) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 웨이퍼 반송 장치(2)와, 웨이퍼 반송실(9)의 상부에 형성되고, 웨이퍼 반송실(9) 내에 가스를 송출하는 가스 송출구(11)와, 웨이퍼 반송실(9)의 하부에 형성되고, 웨이퍼 반송실(9) 내의 가스를 흡인하는 가스 흡인구(12)와, 가스 흡인구(12)로부터 흡인된 가스를 가스 송출구(11)로 귀환시키는 가스 귀환로(10)와, 가스 송출구(11)에 설치되고, 송출하는 가스에 포함되는 파티클을 제거하는 필터(13b)를 구비한 FFU(13)를 구비하고, 웨이퍼 반송실(9)에 하강 기류를 발생시킴과 함께 가스 귀환로(10)를 통해 가스를 귀환시킴으로써 웨이퍼 반송실(9) 내의 가스를 순환시키도록 구성한 것이다.
이와 같이 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼 반송실(9)에 하강 기류를 발생시킴과 함께 가스 귀환로(10)를 통하여 가스를 순환시킴으로써, 웨이퍼 반송실(9)이 대략 폐쇄된 공간으로 되어 있는 것과 더불어, 웨이퍼 반송실(9) 내를 질소 분위기하에 유지할 수 있다. 그로 인해, 웨이퍼(W)의 반송을 외기에 노출시키는 일 없이 행할 수 있어, 파티클의 부착을 억제하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 가스 송출구(11)에 필터(13b)를 구비한 FFU(13)가 설치되어 있음으로써, 질소를 순환시키는 동안에 파티클을 제거하는 것이 가능하게 된다. 또한, 웨이퍼 반송실(9)에 하강 기류가 발생하고 있음으로써, 웨이퍼(W) 상부에 부착된 파티클을 제거함과 함께, 웨이퍼 반송실(9) 내에 파티클이 부유하는 것을 방지하는 것이 가능하다. 또한, 질소를 순환시킴으로써 질소의 소비를 억제하여, 비용을 삭감하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 하우징(3)의 배면벽(32)과 배면벽(32)의 내측에 설치한 구획 부재(8) 사이의 공간을 가스 귀환로(9)의 일부로 함과 함께, 웨이퍼 반송실(9)과 가스 귀환로(10)가 구획 부재(8)에 의해 분리되도록 구성하고 있기 때문에, 외관을 변경하는 일 없이 큰 유로 면적을 확보하고, 로드 로크실(61) 등 EFEM(1) 외부의 장치와 간섭하는 것을 방지함과 함께, 부품 개수의 증가를 억제하여 제조 비용의 상승을 억제하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 로드 포트(4∼4)를 접속하는 개구(31a)와 처리 장치(6)를 접속하는 개구(32a)가 하우징(3)이 대향하는 위치에 형성되어 있고, 가스 귀환로(10)가 가스 흡인구(12)로부터 처리 장치(6)를 접속하는 개구(32a)의 양측을 경유하여 가스 송출구(11)에 연속하도록 구성되어 있기 때문에, 웨이퍼 반송 장치(2)의 구동 영역 외의 데드 스페이스를 유효하게 이용하여, 웨이퍼(W)의 반송을 방해하는 것을 방지하면서 가스의 유량을 확보하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 가스 송출구(11)에 제1 송풍 수단인 팬(13b)을 구비한 FFU(13)가 접속됨과 함께, 가스 흡인구(12)에 제2 송풍 수단인 팬(15)이 접속되어 있고, FFU(13)에 의해 가스 송출구(11)로부터 웨이퍼 반송실(9) 내로 가스를 송출시키고, 팬(15)으로 가스 흡인구(12)로부터 웨이퍼 반송실(9) 내의 가스를 흡인하도록 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼 반송실(9)과 가스 귀환로를 흐르는 가스의 순환을 원활하게 행하는 것이 가능하다.
또한, 웨이퍼 반송실(9) 내에 질소를 공급하는 가스 공급 수단(16)과, 웨이퍼 반송실(9) 내로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배출 수단(17)을 더 구비하도록 구성하고 있는 점에서, 웨이퍼 반송실(9) 내를 적절한 가스 분위기로 치환할 수 있고, 산소 가스나 수분 등이 웨이퍼(W) 표면에 부착되어 웨이퍼(W)의 처리를 저해하여, 수율이 저하되는 것을 방지함과 함께, 웨이퍼 반송실(9) 내의 질소의 일부가 외부로 유출된 경우에는, 유출분의 질소를 공급함으로써, 웨이퍼 반송실(9) 내의 상태를 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 가스 흡인구(12)에 케미컬 필터(14)가 설치되고, 웨이퍼 반송실(9) 내의 가스는 케미컬 필터(14)를 통해 가스 귀환로(10)에 유입되도록 구성하고 있기 때문에, 처리 장치(6)에 있어서의 처리 등에 의해 발생하여 웨이퍼 반송실(9) 내로 유입된 분자상 오염 물질을 제거하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 웨이퍼 반송 장치(2)가 하우징(3)의 전면벽(31)에 지지되도록 구성되어 있기 때문에, 웨이퍼 반송 장치(2)와 케미컬 필터(14)가 설치된 가스 흡인구(12)를 서로 간섭하는 일 없이 배치함과 함께, 웨이퍼 반송실(9) 내의 하강 기류를 방해하지 않아, 기류의 흐트러짐에 의해 파티클이 부유하는 것을 방지하는 것이 가능하게 되어 있다.
그리고, 웨이퍼 반송실(9) 내를 순환하는 가스가 불활성 가스인 질소이기 때문에, 산소나 습기 등에 의한 웨이퍼(W) 표면의 성상의 변화를 억제하여, 수율의 저하를 방지하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 각 부의 구체적인 구성은, 상술한 실시 형태만으로 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 로드 포트(4∼4) 상에 설치한 FOUP(7∼7)와 로드 로크실(61) 사이에서, 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 것으로 하고 있었지만, FOUP(7∼7) 사이에서의 전달을 행하게 하는 경우 등에도 사용할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 장치(2)의 반송 대상으로서는 웨이퍼(W)를 사용하는 것을 전제로 하고 있었지만, 본 발명은 글래스 기판 등 다양한 정밀 가공품을 대상으로 하는 EFEM(1)에 사용할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 소정의 궤도를 구성하는 가이드 레일(22)은 하우징(3)의 전면벽(31)에 지지되어 있었지만, 가스 흡인구(12)와 간섭하지 않은 것이라면, 하우징(3)의 어느 것에 지지되어 있어도 되고, 예를 들어, 가이드 레일(22)을 바닥벽(36)에 설치하고, 웨이퍼 반송 장치(2)가 바닥벽(36)에 지지되도록 구성하는 것도 가능하다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(2)의 이동 방향의 규제가 가능하면, 가이드 레일(22)로 한정되지 않고, 가이드 롤러나 와이어 등의 다른 수단에 의해 궤도를 구성할 수도 있다.
또한, 웨이퍼 반송 장치(2)로서는, 링크식 아암 로봇이나, SCARA형 다관절 로봇으로 한정되는 일 없이 다양한 것을 사용할 수도 있다.
또한, 상술한 실시 형태에 있어서는, 가스 공급 수단(16)이 가스 귀환로(10)의 배면측 상부에 설치되고, 가스 배출 수단(17)이 가스 귀환로(10)의 배면측 하부에 설치되어 있었지만, 이들 가스 공급 수단(16)과 가스 배출 수단(17)의 설치 위치는 한정되는 것은 아니고, 순환로(Ci) 중의 임의의 장소에 설치할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는 가스 배출 수단(17)에 의한 가스의 배출과 가스 공급 수단(16)에 의한 질소의 공급을 동시에 행하였지만, 먼저 흡인 기구를 구비한 가스 배출 수단(17)이 가스를 배출시킴으로써 대략 폐쇄 공간(CS) 내를 부압으로 하고, 그 후 가스 공급 수단(16)에 대략 폐쇄 공간(CS) 내에 질소를 공급시킴으로써, 대기 분위기에 있는 대략 폐쇄 공간(CS)을 질소 분위기로 하도록 해도 된다. 이렇게 함으로써, 보다 효율적으로 질소의 퍼지를 행할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는 EFEM(1)은 1개의 로드 로크실(61)과 접속되어 있었지만, 2개 이상의 로드 로크실(61)과 접속하는 구성도 생각된다. 이 경우, 배면벽(32)에는 접속하는 로드 로크실(61)의 수에 따라 개구(32a)를 2개 이상 형성하는 것으로 되기 때문에, 가스 귀환로(10)는 그들 개구(32a)를 피하도록 3개 이상으로 분기되어 형성하면 된다.
또한, 상술한 실시 형태에 있어서는, 가스 귀환로(10)는 EFEM(1)의 하우징(3)의 내부에 설치되어 있었지만, 하우징(3)의 외부에 덕트를 설치함으로써 가스 귀환로(10)를 구성해도 된다. 이 경우에 있어서도, 덕트가 로드 로크실(61)과 간섭하는 것을 방지하면서 넓은 유로를 확보하기 위해, 덕트는 로드 로크실(61)과 접속하는 개구(32a)의 좌우로 분기하여 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 가스 귀환로(10)의 형상에 대해서는, 이 이외에도 주위의 장치 형상에 따라 다양한 형상을 취할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 치환하기 위한 가스로서 질소를 사용하고 있었지만, 처리에 따라 건조 공기나 아르곤 등 다양한 가스를 사용할 수 있다.
또한, 상술한 실시 형태에 있어서의 EFEM(1)에, 대략 폐쇄 공간(CS) 내의 습도를 저하시키는 드라이어, 온도를 저하시키는 쿨러, 웨이퍼(W)의 제전을 행하는 이오나이저 등을 설치하고, 웨이퍼 반송실(9) 내의 환경을 더욱 향상시키는 것도 가능하다.
그 외의 구성도, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형이 가능하다.
<제2 실시 형태>
EFEM은 통상 클린 룸 내에 복수대 설치되기 때문에, EFEM마다 질소를 공급하면 질소의 사용량은 더욱 방대한 것으로 된다. 또한, 개개의 EFEM에 부수되어 질소를 공급하기 위한 설비를 각각 설치한 경우에는, 설비 전체의 설치 면적이 증대함과 함께, 설비의 설치 및 관리에 필요로 하는 비용이 증대하게 된다.
따라서, 이 제2 실시 형태에서는, 복수의 EFEM을 운용하는 경우에, 반송 중의 웨이퍼를, 표면 성상의 변화나 파티클의 부착을 발생시키는 분위기에 노출시키는 일 없이, 웨이퍼에의 파티클의 부착의 억제나, 웨이퍼 표면의 성상의 관리를 적절하게 행하는 것을 단순한 구조에 의해 실현하여, 설치 면적의 삭감이나 비용 절감을 도모할 수 있는 EFEM 시스템을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
제2 실시 형태에 관한 EFEM 시스템은, 도 8에 도시한 바와 같이, 클린 룸 내에 설치되고, 동일한 내용적을 갖고, 웨이퍼(W)에 대해 동일한 처리를 행할 때에 사용되는 2대 이상의 EFEM(1010∼1010)과, 이들 EFEM(1010∼1010)의 외부에 설치되는 1개의 가스 청정 장치(1020)와, 가스 청정 장치(1020)에 의해 청정화된 청정 가스(Gc)를 분배하고, 복수의 EFEM(1010∼1010)이 각각 내부에 갖는 웨이퍼 반송실(1011∼1011)(도 9 및 도 10 참조)에 공급하는 가스 공급로(1030)와, 웨이퍼 반송실(1011∼1011)로부터 배출되는 배출 가스(Gd)를 가스 청정 장치(1020)로 귀환시키는 가스 귀환로(1040)와, 컨트롤러(1050)와, 질소 가스를 가스 공급로(1030)로 도입하는 가스 도입 수단(1060)과, 가스 귀환로(1040) 중의 가스를 흡인하는 가스 흡인 수단(1070)으로 구성된다. 그리고, 가스 청정 장치(1020), 가스 공급로(1030), 복수의 웨이퍼 반송실(1011∼1011), 가스 귀환로(1040)는 연통되어 있어 질소 분위기로 되어 있고, 이들 사이에서 순환로(Ci)를 구성함으로써 질소의 순환이 행해지고 있다. 즉, 복수의 EFEM(1010∼1010)이 가스 청정 장치(1020)를 공유하는 구성으로 되어 있다. 또한, 순환로(Ci)를 구성하는 가스 청정 장치(1020), 가스 공급로(1030), 복수의 웨이퍼 반송실(1011∼1011), 가스 귀환로(1040)는 각각 접속 부분을 제외하여 밀폐되어 있어, 이들을 접속한 상태에서 질소가 순환로(Ci)의 외부로 유출되지 않도록 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 이 순환로(Ci)에 불활성 가스인 질소를 순환시키는 것으로 하지만, 순환시키는 가스는 이것으로 한정되는 것은 아니고, 다른 가스를 사용할 수도 있다.
각 EFEM(1010)은, 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 소정의 전달 위치 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 웨이퍼 반송 장치(1012)와, 이 웨이퍼 반송 장치(1012)를 둘러싸도록 설치된 상자형의 웨이퍼 반송실(1011)과, 웨이퍼 반송실(1011)의 대향하는 벽면의 한쪽에 접속되는 복수(도면 중에서는 3개)의 로드 포트(1013∼1013)를 구비하고 있다. 로드 포트(1013) 상에는 FOUP(1014)가 적재되고, 로드 포트(1013)가 구비하는 도어(1013a)와 FOUP(1014)에 설치된 덮개부(1014a)가 연결되어 함께 이동함으로써, FOUP(1014)와 웨이퍼 반송실(1011)이 연통하도록 되어 있다. FOUP(1014) 내에는 적재부가 상하 방향으로 다수 설치되어 있고, 이에 의해 다수의 웨이퍼(W)를 저장할 수 있다. 또한, FOUP(1014) 내에는 통상 질소가 충전됨과 함께, 로드 포트(1013)를 통해 FOUP(1014) 내의 분위기를 질소 치환하는 것도 가능하게 되어 있다.
또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 각 EFEM(1010)은, 로드 포트(1013)가 접속되는 벽면과 대향하는 벽면의 외측에 인접하여, 웨이퍼(W)에 처리를 행하는 처리 장치(1001)를 접속할 수 있도록 되어 있고, EFEM(1010)과 처리 장치(1001) 사이에 설치된 일반적으로 게이트 밸브라고 칭해지는 도어(1010a)를 개방함으로써, EFEM(1010)의 웨이퍼 반송실(1011)과 처리 장치(1001)의 로드 로크실(1002)을 연통한 상태로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 처리 장치(1001)로서는 다양한 것을 사용할 수 있지만, 일반적으로는, 로드 로크실(1002)과 인접하여 반송실(1003)이 설치되고, 또한 반송실(1003)과 인접하여 복수(도면 중에서는 3개)의 처리 유닛(1004∼1004)이 설치되는 구성으로 되어 있다. 반송실(1003)과, 로드 로크실(1002)이나 처리 유닛(1004∼1004) 사이에는, 각각 도어(1002a, 1003a∼1003a)가 설치되어 있고, 이것을 개방함으로써 각각의 사이를 연통시킬 수 있어, 반송실(1003) 내에 설치된 반송 로봇(1005)을 사용하여 로드 로크실(1002) 및 처리 유닛(1004∼1004)의 사이에서 웨이퍼(W)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 각 EFEM(1010)과 접속되는 처리 장치(1001)는 동일한 종류의 처리를 행하는 것으로 한다.
웨이퍼 반송실(1011)은 웨이퍼 반송 장치(1012)가 구동하는 공간이며, 순환하는 질소의 유출을 억제하기 위해 고기밀로 만들어져 있다. 또한, 도 10에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 반송실(1011)의 상부에는 가스 공급로(1030)(도 8 참조)와 접속하는 가스 공급구(1015)와, 송풍 수단인 팬(1016a)과 더스트 필터(1016b)로 구성되는 팬 필터 유닛(FFU)(1016)이 설치되어 있고, 더스트 필터(1016b)가 가스 공급구(1015)로부터 공급된 가스 중의 파티클을 제거함과 함께, 팬(1016a)이 웨이퍼 반송실(1011)을 향해 송풍함으로써, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 하강 기류를 발생시키고 있다. 또한, 웨이퍼 반송실(1011)의 하부에는 가스 귀환로(1040)(도 8 참조)와 접속하는 가스 배출구(1018)가 형성되어 있고, 웨이퍼 반송실 내(1011)를 하강 기류로서 통과한 가스는 가스 귀환로(1040)를 통하여 가스 청정 장치(1020)로 귀환되고, 재이용된다. 또한, 상술한 바와 같이 웨이퍼 반송실(1011) 내에 하강 기류를 발생시킴으로써, 웨이퍼(W) 상부에 부착된 파티클을 제거함과 함께, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 파티클이나 처리 장치(1001)에서 발생한 불순물이나 잔류 가스가 부유하는 것을 방지하는 것이 가능하게 되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(1012)는 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 반송실(1011)의 바닥부에 가이드 레일(1012a)을 통해 지지되고, 웨이퍼 반송실(1011) 바닥면의 폭 방향으로 연장되는 가이드 레일(1012a)을 따라 이동할 수 있도록 되어 있고, 측방에 배열된 3개의 로드 포트(1013∼1013)에 적재된 FOUP(1014)에 수용되어 있는 웨이퍼(W)를 로드 로크실(1002)로 반송하는 것 및 처리 유닛(1004∼1004)에 있어서 처리가 행해진 후의 웨이퍼(W)를 FOUP(1014) 내로 다시 반송하는 것이 가능하게 되어 있다.
가스 청정 장치(1020)는 도 8에 도시한 바와 같이, 각 EFEM(1010)의 웨이퍼 반송실(도 9 참조)(1011)을 흐름으로써 파티클이나 분자상 오염 물질을 포함하고, 가스 귀환로(1040)로부터 귀환한 배출 가스(Gd)를 재이용하기 위해 청정화하고, 청정화된 청정 가스(Gc)를 가스 공급로(1030)로 송출하고, 웨이퍼 반송실(1011∼1011)로 청정 가스(Gc)를 공급하여 순환시키는 장치이며, 구체적으로는, 더스트 필터(1021)와, 건조기(1022)와, 케미컬 필터(1023)와, 송풍 수단인 블로어(1024)를 구비하여 구성되어 있다. 또한, 이들 가스 청정 장치(1020)의 요소는, 도 8에 있어서는 순환로(Ci)의 하류측으로부터 상류측으로 블로어(1024), 케미컬 필터(1023), 건조기(1022), 더스트 필터(1021)의 순서로 배치되어 있지만, 반드시 이 순서로 설치할 필요가 있는 것은 아니고, 배치하는 순서는 적절히 변경이 가능하다. 가스 청정 장치(1020)는 EFEM(1010∼1010)이 설치되는 클린 룸 내에 설치해도 되고, 클린 룸의 벽면에 가스 공급로(1030) 및 가스 귀환로(1040)의 덕트를 통과시킴으로써, 클린 룸 외부에 설치하는 것도 가능하고, 클린 룸 내의 장치의 배치 등에 따라 적당한 위치에 설치할 수 있다.
더스트 필터(1021)는 배출 가스(Gd) 중의 파티클을 제거하는 것이며, 각 EFEM(1010) 및 이들과 접속되는 처리 장치(1001)의 상황이나 배출 가스(Gd)에 포함되는 파티클의 상황, 또한, 순환로(Ci) 중의 가스의 순환 압력 등에 따라 HEPA 필터, ULPA 필터 등이 구분된다. 또한, 상술한 바와 같이 더스트 필터(1021) 이외에도, 각 EFEM(1010)의 내부에 더스트 필터(1016b)가 설치되어 있지만(도 10 참조), 가스 청정 장치(1020)의 더스트 필터(1021)와 협동하여 작용함으로써, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 보다 정화된 가스를 공급하는 것이 가능하게 된다. 또한, EFEM(1010)에 설치된 더스트 필터(1016b)에 의해서만 파티클의 제거를 행하는 경우와 비교하여, 더스트 필터(1016b)의 교환 횟수를 저감시킬 수 있어, EFEM(1010)마다 더스트 필터(1016b)를 교환하는 교환 비용을 저감시키는 것이 가능하게 되어 있다.
건조기(1022)는 EFEM(1010)과 접속되는 처리 장치(1001) 내에서 발생한 배출 가스(Gd) 중의 수분을 제거하기 위해 사용되는 것이며, 일반적으로 제습기 또는 탈습기라고 칭해지는 기기로 구성되어 있다. 배출 가스(Gd) 중의 수분을 제거함으로써, 웨이퍼 반송실(1011) 내의 수분에 의해 웨이퍼(W)의 품질 저하가 일어나는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이 건조기(1022)는 접속하는 처리 장치(1001)에 있어서 수분이 발생하지 않아, 웨이퍼 반송실(1011) 내의 습도가 상승하지 않는 경우에는, 컨트롤러(1050)의 제어에 의해 가동을 정지하는 것도 가능하다.
케미컬 필터(1023)는 처리 장치(1001)(도 9 참조)에 있어서의 처리 등에서 사용한, 또는 처리에 의해 발생한 가스가 웨이퍼(W)에 부수되어 웨이퍼 반송실(1011) 내에 유입된 잔류 가스 등의 분자상 오염 물질을 제거하는 것이며, 분자상 오염 물질의 종류에 따라, 이온 교환 반응에 의해 오염 물질을 제거하는 양이온 필터, 음이온 필터나, 물리적으로 오염 물질을 흡착하는 활성탄 필터 등이 사용된다.
그리고, 블로어(1024)는 순환로(Ci)의 가스의 순환을 촉진하기 위해, 가스 귀환로(1040)로부터 가스 공급로(1030)를 향해 송풍을 행하는 것이며, 가스 귀환로(1040) 내의 가스의 흡인 작용과 가스 공급로(1030)로의 가스의 송출 작용을 갖고 있다. 또한, 컨트롤러(1050)는 블로어(1024)의 송풍량을 조절하는 것이 가능하고, 순환로(Ci) 중에 도시하지 않은 압력 센서 또는 유량계를 설치하고, 이 압력 센서 또는 유량계의 수치를 기초로 컨트롤러(1050)가 블로어(1024)의 송풍량을 조절함으로써, 순환로(Ci) 중의 가스의 흐름을 균일화할 수 있다.
가스 공급로(1030)는 가스 청정 장치(1020)에 의해 청정화된 청정 가스(Gc)를 EFEM(1010∼1010)의 웨이퍼 반송실(1011∼1011)(도 10 참조)로 송출하는 덕트이며, 가스 청정 장치(1020)와 접속되고, 복수의 EFEM(1010∼1010)을 향하는 가스가 흐르는 주된 유로인 제1 공급로(1031)와, 제1 공급로(1031)로부터 분기되어 단독의 EFEM(1010)을 향하고, 각각의 웨이퍼 반송실(1011)의 가스 공급구(1015)(도 10 참조)와 접속되는 복수의 제2 공급로(1032∼1032)로 구성되어 있다.
가스 귀환로(1040)는 EFEM(1010∼1010)의 웨이퍼 반송실(1011∼1011)(도 10 참조)로부터 배출된 배출 가스(Gd)를 가스 청정 장치(1020)로 귀환시키는 덕트이며, 각 웨이퍼 반송실(1011)의 가스 배출구(1018)(도 10 참조)와 접속되는 복수의 제2 귀환로(1042∼1042)와, 이들 제2 귀환로(1042∼1042)와 접속되고, 웨이퍼 반송실(1011∼1011)로부터의 배출 가스(Gd)를 합류시킴과 함께, 가스 청정 장치(1020)와 접속하고, 합류된 배출 가스(Gd)를 가스 청정 장치(1020)로 귀환시키는 주된 유로로 되는 제1 귀환로(1041)로 구성된다.
또한, 가스 공급로(1030) 및 가스 귀환로(1040)는 EFEM 시스템이 도입되는 클린 룸의 환경에 의해 각진 덕트나 둥근 덕트 등 다양한 형상의 것이 사용되고, 그 재질로서는, 일반적인 아연 도금 철판의 외에, 방청성이 있는 스테인리스 강판이나 내가스성이 우수한 염화비닐 피복 강판 등, 순환하는 가스에 포함되는 성분에 따라 적합한 재질이 사용된다. 또한, 가스 공급로(1030)를 흐르는 청정 가스(Gc)와 가스 귀환로(1040)를 흐르는 배출 가스(Gd)는 가스의 청정도가 상이하기 때문에, 가스 공급로(1030)와 가스 귀환로(1040)에서 사용하는 재질을 변경하면, 재료 비용을 억제하는 것이 가능하게 된다.
컨트롤러(1050)는 상술한 가스 청정 장치(1020)를 동작시키고, 순환로(Ci) 내의 질소를 청정화하면서 순환시키는 질소 순환 제어를 행하는 것이며, CPU, 메모리 및 인터페이스를 구비한 통상의 마이크로프로세서 등에 의해 구성되고, 메모리에는 미리 처리에 필요한 프로그램이 저장되어 있고, CPU는 순차적으로 필요한 프로그램을 취출하여 실행하고, 주변 하드 리소스와 협동하여 소기의 기능을 실현하는 것으로 되어 있다. 또한, 질소 순환 제어에 대해서는 후술한다.
가스 도입 수단(1060)은 제1 공급로(1031)와 밸브(1061)를 통해 접속되고, 제1 공급로(1031) 내에 질소를 송출하는 것이며, 컨트롤러(1050)가 밸브(1061)의 개폐를 제어함으로써, 가스 공급로(1030)에의 질소의 공급과 공급의 정지를 제어함과 함께, 공급 시에 있어서는 단위 시간당 공급량을 제어하는 것이 가능하게 되어 있다.
가스 흡인 수단(1070)은 제1 귀환로(1041)와 밸브(1071)를 통해 접속되고, 컨트롤러(1050)로부터의 명령에 기초하여 동작하여, 밸브(1061)의 개폐에 의해 제1 귀환로(1041) 내부와 외부에 설치된 가스 배출처를 연통시키는 것이 가능하게 되어 있다. 그리고, 상술한 가스 도입 수단(1060)에 의한 질소의 공급과 병용함으로써, 순환로(Ci) 내를 질소 분위기로 치환하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 순환로(Ci)를 순환시키는 가스를 질소로 하기 때문에, 가스 도입 수단(1060)은 질소를 공급하는 것으로 하고 있지만, 다른 가스를 순환시키는 경우에는, 가스 도입 수단(1060)은 그 순환시키는 가스를 공급하는 것으로 하면 된다.
이어서, 상기한 바와 같이 구성한 EFEM 시스템에 있어서 질소를 순환시키는, 질소 순환 제어에 있어서의 동작을, 도 8을 이용하여 설명한다.
먼저, 초기 단계로서, 컨트롤러(1050)가 밸브(1071) 및 밸브(1061)를 개방하고, 가스 흡인 수단(1070)에 의해 가스 귀환로(1040) 중의 가스를 흡인하여 배출시키면서, 가스 도입 수단(1060)에 의해 가스 공급로(1030) 내로 질소를 공급시킴으로써 이들 가스 귀환로(1040) 및 가스 공급로(1030)를 포함하는 대기 분위기에 있는 순환로(Ci)를 퍼지하여 질소 분위기로 한다. 그리고, 퍼지가 완료된 단계에서 밸브(1071) 및 밸브(1061)를 폐쇄함으로써, 폐쇄된 순환로(Ci)를 구성한다. 이 단계 이후, 컨트롤러(1050)는 순환로(Ci) 내의 질소가 외부로 누출된 경우 밸브(1071)를 개방하고, 그 누출량에 따라 가스 도입 수단(1060)에 질소의 공급을 행하게 한다. 이것을 자동으로 행하게 하기 위해서는, 각 EFEM(1010∼1010) 내에 산소 농도계를 설치해 두고, 산소 농도계에 의해 검출된 산소 농도가 미리 정한 소정값 이상으로 높아진 경우에, 순환로(Ci) 내에 새롭게 질소를 공급하기 위해, 밸브(1061, 1071)의 제어를 행하게 하도록 구성하는 것도 적합하다.
이어서, 이와 같이 하여 질소 분위기가 된 순환로(Ci)에 있어서, 컨트롤러(1050)가 제어 장치(1020)의 블로어(1024)를 구동시킴으로써 질소의 순환을 발생시킨다. 또한, 이때, 각 EFEM(1010)의 FFU(1016)를 구성하는 팬(1016a)(도 10 참조)도 구동시키고 있어, 각 웨이퍼 반송실(1011) 내에 하강 기류를 발생시킴과 함께, 순환로(Ci) 내의 질소의 순환을 촉진시키고 있다. 이와 같은 구성으로 되어 있기 때문에, 가스 귀환로(1040) 중의 배출 가스(Gd)가 역류하여 EFEM(1010) 내로 유입되는 것을 유효하게 방지하고 있다.
그리고, 질소가 순환로(Ci)를 순환하고 있을 때에는, 가스 청정 장치(1020)에 설치된 더스트 필터(1021) 및 케미컬 필터(1023)와, 각 EFEM(1010)에 설치된 FFU(1016)를 구성하는 더스트 필터(1016b)(도 10 참조)가 순환하는 가스 중의 파티클 및 분자상 오염 물질을 제거하기 때문에, 순환로(Ci) 내, 특히 웨이퍼 반송실(1011) 내는 항상 청정한 질소의 흐름이 발생하고 있는 상태로 된다.
이와 같은 상태로 된 EFEM(1010)에 있어서는, 도 9에 도시하는 로드 포트(1013)에 적재되고 질소 분위기로 퍼지된 FOUP(1014)와 웨이퍼 반송실(1011)을 연통시키고, 웨이퍼(W)의 출입을 행할 때에는, 웨이퍼 반송실(1011)과 FOUP(1014)는 모두 동일한 질소 분위기이며, 웨이퍼 반송실(1011) 내의 질소도 청정하게 유지되어 있기 때문에, FOUP(1014) 내에 파티클이나 분자상 오염 물질이 들어가지 않도록 FOUP(1014) 내를 웨이퍼 반송실(1011) 내에 대해 정압으로 할 필요가 없어, FOUP(1014) 내에 퍼지하는 질소의 소비량을 억제할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송실(1011)과 로드 로크실(1002) 사이에 설치된 도어(1010a)를 개방함으로써 이들 웨이퍼 반송실(1011)과 로드 로크실(1002)을 연통시키고, 로드 로크실(1002)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 출입을 행할 때에는, 처리 장치(1001)에 있어서의 처리에 의해 웨이퍼(W)에 부착된, 또는 로드 로크실(1002) 내에 존재하는 파티클 및 분자상 오염 물질이 웨이퍼 반송실(1011) 내로 유입될 가능성이 있지만, 이들 파티클 및 분자상 오염 물질은 웨이퍼 반송실(1011) 내의 하강 기류에 의해 하방으로 흐르고, 배출 가스(Gd)로 되어 가스 귀환로(1040)를 통하여 가스 청정 장치(1020)로 귀환하고, 더스트 필터(1021) 및 케미컬 필터(1023)에 의해 청정화된다. 청정화된 가스는 청정 가스(Gc)로서 가스 공급로(1030)를 통하여 다시 웨이퍼 반송실(1011) 내로 송출되지만, EFEM(1010) 내에 있어서도 FFU(1016)의 더스트 필터(1016b)에 의해 파티클이 더욱 제거되기 때문에, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 파티클 및 분자상 오염 물질이 흐르는 일이 거의 없어, 웨이퍼 반송실(1011) 내를 반송 중의 웨이퍼(W)에의 악영향을 유효하게 경감시키는 것이 가능하게 되어 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서의 EFEM 시스템은, 내부에서 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 웨이퍼 반송실(1011)을 각각 구비한 복수의 EFEM(1010∼1010)과, EFEM(1010∼1010)의 외부에 설치되고, 가스의 청정화를 행하기 위한 더스트 필터(1021)를 구비하는 가스 청정 장치(1020)와, 가스 청정 장치(1020)에 의해 청정화된 가스인 청정 가스(Gc)를 분배하고, 각 웨이퍼 반송실(1011)로 공급하는 가스 공급로(1030)와, 각 웨이퍼 반송실(1011)로부터 배출되는 가스인 배출 가스(Gd)를 가스 청정 장치(1020)로 귀환시키는 가스 귀환로(1040)를 구비하고, 웨이퍼 반송실(1011)과 가스 청정 장치(1020) 사이에서 가스를 순환시키도록 구성한 것이다.
이와 같이 구성하고 있기 때문에, 가스 청정 장치(1020)에 구비된 더스트 필터(1021)가 웨이퍼 반송실(1011)로부터 배출되는 배출 가스(Gd)에 포함되는 파티클을 제거함으로써 청정화하고, 청정화된 청정 가스(Gc)를 웨이퍼 반송실(1011)에 공급함으로써, 웨이퍼 반송실(1011) 내를 청정한 가스 분위기하에 유지할 수 있다. 또한, 복수의 EFEM(1010∼1010)이 가스 청정 장치(1020)를 공유하게 되어, 가스 청정 장치(1020)를 EFEM(1010)마다 설치할 필요가 없어지기 때문에, 각 EFEM(1010)의 구조를 단순화하는 것이 가능하게 되어, 설치 면적의 삭감이나 비용 절감을 도모하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 가스 청정 장치(1020)는 가스 귀환로(1040)로부터 가스 공급로(1030)를 향하는 방향으로 가스를 송출하는 송풍 수단인 블로어(1024)를 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 가스 청정 장치(1020)와 각 웨이퍼 반송실(1011) 사이의 가스의 순환을 유효하게 행하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 가스 청정 장치(1020)는 귀환된 가스 중에 존재하는 분자상 오염 물질을 제거하는 케미컬 필터(1023)를 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼 반송실(1011)과 접속되는 처리 장치(1001)로부터 유입된 분자상 오염 물질이 순환하는 것을 방지하여, 웨이퍼 반송실(1011)을 적절한 가스 분위기하에 유지하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 가스 청정 장치(1020)는 가스 중의 수분을 제거하는 건조기(1022)를 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼 반송실(1011) 내의 수분에 의해 웨이퍼(W)의 품질 저하가 일어나는 것을 유효하게 방지하는 것이 가능하다.
또한, 가스 공급로(1030)의 도중 위치에 질소를 도입하는 가스 도입 수단(1060)과, 가스 귀환로(1040)의 도중 위치로부터 가스를 흡인하기 위한 가스 흡인 수단(1070)을 더 구비하여 구성하고 있기 때문에, 순환로(Ci) 중의 가스를 질소 분위기로 치환함으로써, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 있어서 산소나 처리에 의한 잔류 가스 등이 웨이퍼 표면에 부착되어 웨이퍼(W)의 표면 성상을 변화시키는 것을 억제하여, 수율이 저하되는 것을 방지함과 함께, 웨이퍼 반송실(1011) 내의 가스의 일부가 외부에 유출된 경우에, 유출분의 가스를 공급하여 웨이퍼 반송실(1011) 내의 상태를 일정하게 유지하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, EFEM(1010)은, 웨이퍼 반송실(1011)의 상부에 형성되고, 가스 공급로(1030)와 접속되는 가스 공급구(1015)와, 웨이퍼 반송실(1011)의 하부에 형성되고, 가스 귀환로(1040)와 접속되는 가스 배출구(1018)를 포함하여 구성되어 있고, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 가스 공급구(1015)로부터 가스 배출구(1018)로 흐르는 하강 기류를 발생시키도록 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼(W) 상부에 부착된 파티클을 제거함과 함께, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 파티클이 부유하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 가스 공급구(1015)에는, 가스 공급로(1030)로부터 공급되는 질소를 웨이퍼 반송실(1011) 내로 보내는 송풍 수단으로서의 팬(1016a)과, 가스 공급로(1030)로부터 공급되는 질소를 청정화하는 더스트 필터(1016b)를 구비하는 팬 필터 유닛(1016)이 접속되도록 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼 반송실(1011) 내에 하강 기류를 유효하게 발생시킴과 함께, 파티클이 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 한층 더 방지하는 것이 가능하게 되어 있다.
그리고, 순환로(Ci) 내를 순환하는 가스가 불활성 가스인 질소인 점에서, 산소나 습기 등에 의한 웨이퍼(W) 표면의 성상의 변화를 억제하여, 수율의 저하를 방지하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 각 부의 구체적인 구성은, 상술한 제2 실시 형태만으로 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상술한 제2 실시 형태에 있어서는, 각 EFEM(1010)은 동일한 내용적을 갖고 있고, 또한, 각 EFEM(1010)과 접속되는 처리 장치(1001)는 동일한 종류의 공정을 행하는 것이었지만, EFEM 시스템 내의 각 EFEM(1010) 및 처리 장치(1001)는 상이한 구성의 것이어도 되고, 웨이퍼(W)에 대해 상이한 처리 공정을 행하는 것이어도 된다.
또한, 상술한 구성을 기초로 하여, 도 11에 도시한 바와 같은 구성으로 변형될 수도 있다. 이 도면에서는, 상술한 제2 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고 있고, 이들 부분에 대해서는 설명을 생략한다. 이 변형예에서는, 제1 공급로(1031)와 함께 가스 공급로(1130)를 구성하고, 제1 공급로(1031)와 각 EFEM(1010)을 접속하는 제2 공급로(1132∼1132)의 도중에 밸브(1133∼1133)를 각각 설치함과 함께, 제1 귀환로(1041)와 함께 가스 귀환로(1140)를 구성하고, 제1 귀환로(1041)와 각 EFEM(1010)을 접속하는 제2 귀환로(1142∼1142)의 도중에 밸브(1143∼1143)를 각각 설치하고 있는 점에서, 상술한 실시 형태와 상이하다. 이 경우, 컨트롤러(1150)는 상기한 실시 형태에 있어서의 제어 외에, 밸브(1133∼1133) 및 밸브(1143∼1143)의 개폐 제어도 행하는 것으로 된다.
이와 같이 구성하면, 컨트롤러(1150)의 제어에 의해, 가동 정지 중의 EFEM(1010)에 접속하는 제2 공급로(132)에 설치된 밸브(1133)와, 동일한 EFEM(1010)에 접속하는 제2 귀환로(142)에 설치된 밸브(1143)를 폐쇄함으로써, 가동 정지 중의 EFEM(1010)에 정화 가스(Gc)를 유입시키지 않도록 할 수 있어, 가스 도입 수단(1060)에 의한 질소의 도입량을 저감시킬 수 있음과 함께, 순환로(Ci2)의 순환 유역이 감소하기 때문에, 블로어(1024)의 송풍량을 저감시키는 것도 가능하게 되어, 비용의 삭감을 도모하는 것이 가능하게 된다. 특히, EFEM(1010)의 메인터넌스를 행할 때 등, 웨이퍼 반송실(1011) 내를 비기밀 상태로 하는 경우에는, 이것에 접속하는 밸브(1133) 및 밸브(1143)가 없으면 질소가 대량으로 유출되어 버리게 되지만, 밸브(1133) 및 밸브(1143)를 갖고 있기 때문에, 다른 EFEM(1010∼1010)을 가동시킨 상태에서 특정의 EFEM(1010)의 메인터넌스를 행하는 것을 가능하게 하고 있다. 또한, 컨트롤러(1150)가 밸브(1133∼1133) 및 밸브(1143∼1143)를 흐르는 가스의 유량을 조절하는 제어를 행하도록 구성하는 것도 생각된다. 이와 같이 구성함으로써, 특히 EFEM 시스템 내의 각 EFEM(1010)이 각각 상이한 구성인 경우나, 각 EFEM(1010)이 웨이퍼(W)에 대해 상이한 처리 공정을 행하는 처리 장치(1001)에 접속하는 경우에, 각 EFEM(1010)의 웨이퍼 반송실(1011) 내의 환경에 따라 가스의 유량을 조절함으로써, 가스의 사용량을 삭감하는 것이 가능하게 된다.
또한, 다른 변형예로서, 도 12에 도시한 바와 같은 구성으로 할 수도 있다. 이 도면에 있어서도, 상술한 제2 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다. 이 변형예에서는, 가스 청정 장치(1220)와 각 EFEM(1010)이 각각 개별의 가스 공급로(1230) 및 가스 귀환로(1240)와 접속되어 있고, 컨트롤러(1250)가 복수의 순환로(Ci3∼Ci3)의 순환을 제어하는 구성으로 되어 있다. 이 경우, 가스 도입 수단(1260)과 가스 흡인 수단(1270)은 밸브(1261) 및 밸브(1271)를 통해 가스 청정 장치(1220)에 직접 접속되는 것이 바람직하다. 그리고, 이와 같이 구성한 경우에는, 각각의 EFEM(1010∼1010)의 사이에서 가스가 연통되어 있지 않기 때문에, 예를 들어 어느 EFEM(1010) 내에 있어서 파티클이나 분자상 오염 물질이 대량으로 발생한 경우에도, 이 파티클이나 분자상 오염 물질을 포함하는 가스가 가스 청정 장치(1220)를 통하지 않고 다른 EFEM(1010∼1010)에 유입되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 상술한 제2 실시 형태에서는, 로드 포트(1013∼1013) 상에 설치한 FOUP(1014∼1014)와 로드 로크실(1002) 사이에서, 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 것으로 하고 있었지만, FOUP(1014∼1014) 사이에서의 전달을 행하게 하는 경우 등에도 사용할 수 있다.
또한, 상술한 제2 실시 형태에 있어서는, 웨이퍼 반송 장치(1012)의 반송 대상으로서는 웨이퍼(W)를 사용하는 것을 전제로 하고 있었지만, 본 발명은 글래스 기판 등 다양한 정밀 가공품을 대상으로 하는 EFEM(1010)에 적용하는 EFEM 시스템에 사용할 수 있다.
또한, 상술한 제2 실시 형태에 있어서는, 가스 도입 수단(1060)이 제1 공급로(1031)에 설치되고, 가스 흡인 수단(1070)이 제1 귀환로(1041)에 설치되어 있었지만, 이들 가스 도입 수단(1060)과 가스 흡인 수단(1070)의 설치 위치는 한정되는 것은 아니고, 순환로(Ci) 중의 임의의 장소에 설치할 수 있다. 또한, 각 EFEM(1010)이 구비하는 로드 포트(1013)에 FOUP(1014) 내로 질소 퍼지를 행하는 질소 공급 수단이 구비되어 있는 경우에는, FOUP(1014)와 웨이퍼 반송실(1011)을 연통시킨 상태에서 질소 공급 수단이 질소의 공급을 행함으로써, 순환로(Ci)에 질소를 도입하는 것도 가능하다. 이 경우, 가스 도입 수단(1060)을 설치하지 않아도, 종래와 동일한 설비를 사용하여 순환로(Ci) 내의 질소 퍼지를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 제2 실시 형태에서는 질소 순환 제어의 초기 단계로서 가스 흡인 수단(1070)에 의한 가스의 배출과 가스 도입 수단(1060)에 의한 질소의 공급을 동시에 행하였지만, 먼저 가스 흡인 수단(1070)이 가스를 배출시킴으로써 순환로(Ci) 내를 부압으로 하고, 그 후 가스 도입 수단(1060)에 순환로(Ci) 내에 질소를 공급시킴으로써 대기 분위기에 있는 순환로(Ci)를 질소 분위기로 하도록 해도 된다. 이렇게 함으로써, 보다 효율적으로 질소 퍼지를 행할 수 있다.
또한, 상술한 제2 실시 형태에서는, 순환로(Ci) 내의 분위기를 치환하기 위한 가스로서 질소를 사용하고 있었지만, 처리에 따라 건조 공기나 아르곤 등 다양한 가스를 사용할 수 있다.
또한, 상술한 제2 실시 형태에 있어서의 가스 청정 장치(1020)에, 순환로(Ci) 내의 습도를 저하시키는 드라이어, 온도를 저하시키는 쿨러, 웨이퍼(W)의 제전을 행하는 이오나이저 등을 설치하고, 순환하는 가스의 환경, 즉 웨이퍼 반송실(1011) 내의 환경을 보다 웨이퍼(W)의 처리에 적합한 것으로 더욱 향상시키는 것도 가능하다.
또한, 상술한 제2 실시 형태에 있어서의 가스 공급로(1030) 및 가스 귀환로(1040)의 적당한 장소에 팬을 설치하여, 가스의 순환이 보다 촉진되도록 구성해도 된다.
그 외의 구성도, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형이 가능하다.
<제3 실시 형태>
상술한 제1 및 제2 실시 형태에서는, 웨이퍼 반송실(9, 1011)의 용적을 크게 하면, 그만큼 충전하는 가스에 의한 비용이 증대함과 함께, 가스 치환에 장시간을 필요로 하게 된다. 따라서, 이 제3 실시 형태 내지 제9 실시 형태에서는, EFEM에 적용하는 기판 반송 장치에 착안하여, 반송 중의 기판을, 표면 성상의 변화나 파티클의 부착을 발생시키는 분위기에 노출시키는 일 없이, 기판에의 파티클의 부착의 억제나, 기판 표면의 성상의 관리를 적절하게 행할 수 있는 기판 반송 장치 및 이 기판 반송 장치를 구비한 EFEM을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
제3 실시 형태의 EFEM에 적용되는 기판 반송 장치는 기판으로서의 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 장치(2002)로서 구성되어 있고, 도 13에서 도시하는 EFEM(2001)의 구성 요소의 하나로 되어 있다. EFEM(2001)은, 기계 장치 부분인 본체(2011)와 이 동작을 제어하기 위한 컨트롤러(2009)로 구성되어 있고, 본체(2011)는 내부에 웨이퍼 반송 장치(2002)를 구비하고, 이것을 사용하여 소정의 전달 위치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(2002)를 둘러싸도록 하우징(2051)이 설치되어 있고, 이 하우징(2051)은 웨이퍼 반송 장치(2002)의 사방을 둘러싸는 하우징 벽(2051a∼2051d)과 천장벽(2051e)(도 16 참조)을 구비함으로써, 내부에서 대략 폐쇄 공간이 형성된 웨이퍼 반송실(2005)을 구성하고 있다. 또한, 1개의 하우징 벽(2051a)의 외측에 인접하여 복수(도면 중에서는 3개)의 로드 포트(2061∼2061)가 설치되어 있고, 이들과 상기 웨이퍼 반송실(2005) 및 그 내부에 설치된 웨이퍼 반송 장치(2002)에 의해 EFEM(2001)의 본체(2011)를 구성하고 있다.
또한, 도면 중에서는 로드 포트(2061) 상에 FOUP(2062)가 적재된 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 각 로드 포트(2061)는 도어(2061a)를 구비하고 있고, 이 도어(2061a)가 FOUP(2062)에 설치된 덮개부(2062a)와 연결되어 함께 이동함으로써, FOUP(2062)가 웨이퍼 반송실(2005)에 대해 개방되도록 되어 있다. FOUP(2062) 내에는, 쌍을 이루어 1매의 웨이퍼(W)를 지지하는 적재부(2062b, 2062b)가 상하 방향으로 다수 설치되어 있고, 이들을 사용함으로써 다수의 웨이퍼(W)를 저장할 수 있다. 또한, FOUP(2062) 내에는 통상 질소 가스가 충전됨과 함께, 로드 포트(2061)를 통해 FOUP(2062) 내의 분위기를 질소 치환하는 것도 가능하게 되어 있다.
또한, 로드 포트(2061)와 대향하는 하우징 벽(2051c)의 외측에 인접하여 처리 장치(2008)의 일부를 구성하는 로드 로크실(2081)을 접속할 수 있도록 되어 있고, 로드 로크실(2081)의 도어(2081a)를 개방함으로써, 웨이퍼 반송실(2005)과 로드 로크실(2081)을 연통한 상태로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 처리 장치(2008)로서는 다양한 것을 사용할 수 있지만, 일반적으로는, 로드 로크실(2081)과 인접하여 반송실(2082)이 설치되고, 또한 반송실(2082)과 인접하여 복수(도면 중에서는 3개)의 처리 유닛(2083)이 설치되는 구성으로 되어 있다. 반송실(2082)과, 로드 로크실(2081)이나 처리 유닛(2083∼2083) 사이에는, 각각 도어(2082a, 2083a∼2083a)가 설치되어 있고, 이들을 개방함으로써 각각의 사이를 연통시킬 수 있어, 반송실(2082) 내에 설치된 반송 로봇(2082b)을 사용하여 로드 로크실(2081) 및 처리 유닛(2083∼2083)의 사이에서 웨이퍼(W)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(2002)는 대략, 소정의 궤도를 구성하는 가이드 레일(2026)과, 이 가이드 레일(2026)을 따라 도 14에 도시한 바와 같이 이동 가능하게 된 이동실(2003)과, 그 내부에 설치된 반송 아암(2024)으로 구성되어 있다.
도 15는, 이 웨이퍼 반송 장치(2002)의 이동실(2003)의 근방을 확대하여 모식적으로 도시한 평면도이며, 도 16은, 이것을 가이드 레일(2026)의 연장 방향에서 본 경우를 모식적으로 도시한 정면도이다. 이하, 이들 도 15 및 도 16을 이용하여 웨이퍼 반송 장치(2002)의 상세한 구조에 대해 설명을 행한다.
먼저, 하우징(2051) 내에 있어서, 로드 포트(2061)측의 하우징 벽(2051a)으로부터 로드 로크실(2081)측의 하우징 벽(2051c)의 사이에 걸쳐 바닥면(F) 상에 고정대(2021)가 설치되고, 이 고정대(2021) 상에서 가이드 레일(2026) 및 롤러(2027)를 통해 직사각형 판 형상으로 형성된 가동대(2022)가 지지되어 있다. 고정대(2021)는 가동대(2022)의 높이를 높이기 위해 사용되고, 필요에 따라 높이를 조정하는 것이 가능하다. 가이드 레일(2026)은 하우징 벽(2051a, 2051c)(도 13 참조)과 평행해지도록 직선 형상으로 배치됨으로써 직선 형상의 궤도를 구성하고 있고, 가동대(2022)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해, 가이드 레일(2026)을 따라 이동 가능하게 되어 있다.
가동대(2022)의 중앙에는, 대략 원기둥 형상으로 구성된 베이스(2023)가 설치되고, 이 베이스(2023)의 상부에는 반송 아암(2024)이 지지되어 있다. 반송 아암(2024)은 일반적으로 알려져 있는 다양한 구조로 할 수 있고, 예를 들어, SCARA형의 수평 다관절 로봇이나, 링크식의 아암 로봇 등을 적절하게 사용할 수 있다. 이 실시 형태에서는, 반송 아암(2024)을 주로 하여 복수의 아암 요소(2024a∼2024c)로 구성하고, 이들을 상대 이동시킴으로써, 아암 요소(2022) 전체를 신장시킬 수 있도록 구성하고 있다. 말단의 아암 요소(2024c)의 선단에는 U자형으로 형성된 판 형상의 피크(2025)가 설치되어 있고, 그 상면에 웨이퍼(W)를 적재하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 반송 아암(2024)은 베이스(2023)에 대해 수평 선회하는 것이 가능하게 되어 있고, 피크(2025)를 하우징 벽(2051a, 2051c)의 어느 방향을 향하게 하는 것도 가능하게 되어 있다.
상기한 바와 같이 구성함으로써, 웨이퍼 반송 장치(2002)는 반송 아암(2024)을 구성하는 피크(2025) 상에 적재한 웨이퍼(W)를, 하우징 벽(2051a, 2051c)에 평행한 방향과, 직교하는 방향의 2축으로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 베이스(2023)는 승강 동작도 가능하게 되어 있어, 이 동작을 조합함으로써, 피크(2025)에 의해 웨이퍼(W)를 들어올리는 것도, 피크(2025) 상의 웨이퍼(W)를 소정의 전달 위치에 이동 탑재시키는 것도 가능하게 되어 있다. 본 실시 형태에 있어서의 EFEM(2001)에 있어서는, 복수의 로드 포트(2061)에 설치되는 FOUP(2062) 및 이것에 대향하는 로드 로크실(2081)(도 13 참조)이 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 위치로서 설정되어 있고, 이 사이에서 웨이퍼 반송 장치(2002)를 사용하여 웨이퍼(W)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 가동대(2022) 상에는, 반송 아암(2024)의 사방을 둘러싸도록 벽부(2031∼2034)가 배치됨과 함께, 천장벽(2035)이 이들에 접속하도록 설치됨으로써, 이들 벽부(2031∼2034)와 천장벽(2035)과 가동대(2022)에 의해 직육면체 형상의 이동실(2003)을 구성하고 있다. 이동실(2003)은 내부가 대략 폐쇄된 대략 폐쇄 공간으로 되고, 내부에 상술한 반송 아암(2024) 및 베이스(2023)를 수용하고 있음과 함께, 이들과 함께 가이드 레일(2026)을 따라 이동 가능하게 되어 있다. 이동실(2003) 내의 공간은, 높이 방향의 치수를 반송 아암(2024)의 승강에 필요한 정도의 크기로 하고, 가이드 레일(2026)이 연장되는 방향의 치수를 반송 아암(2024)이 피크(2025) 상에서 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 회전하기 위해 필요한 정도의 크기로 함으로써, 필요 이상으로 큰 용적으로 되지 않도록 하고 있다.
이동실(2003)을 구성하는 벽부(2031∼2034) 중, 로드 포트(2061)측의 벽부(2031)와, 로드 로크실(2081)측의 벽부(2033)에는, 반송 아암(2024) 선단의 피크(2025)를 웨이퍼(W)를 적재시킨 상태에서 출입시킬 수 있는 개구(2031a, 2033a)가 각각 형성되어 있다. 이들 개구(2031a, 2033a)는, 반송 아암(2024)의 출입에 필요한 정도의 크기로 되어, 불필요하게 크게 되어 있지 않은 점에서, 이동실(2003) 내를 거의 밀폐된 대략 폐쇄 공간으로 하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 개구(2031a, 2033a)가 형성된 벽부(2031, 2033)는, 로드 포트(2061)가 인접하여 설치된 하우징 벽(2051a)과, 로드 로크실(2081)이 인접하여 설치된 하우징 벽(2051c)의 내측에 각각 근접하여 설치되어 있고, 가이드 레일(2026)을 따라 이동하는 동안에도 하우징 벽(2051a) 또는 하우징 벽(2051c)에 근접한 상태를 유지하는 것이 가능하게 되어 있는 점에서, 이동실(2003)의 위치나 동작에 관계없이, 이동실(2003)의 외측으로부터 내측을 향한 가스 및 파티클의 침입을 억제할 수 있도록 되어 있다. 즉, 이동실(2003)은 하우징 벽(2051a) 및 하우징 벽(2051c)과 협동하여 보다 밀폐도가 높은 대략 밀폐 공간을 형성하고 있다.
또한, 이동실(2003)을 구성하는 천장벽(2035)의 상부에는, 중앙과, 4코너의 5개소에, 가스 공급구(2041a∼2041a)가 형성됨과 함께, 이 가스 공급구(2041a∼2041a)는 도시하지 않은 가스 공급원과의 사이에서 배관인 플렉시블 튜브(2041b∼2041b)에 의해 접속되어 있다. 플렉시블 튜브(2041b∼2041b)는, 적어도 일부를 코일 형상으로 권취한 형상으로 되어 있고, 이동실(2003)의 이동에 수반하여 신축하는 것이 가능하게 되어 있다. 이들 가스 공급원, 가스 공급구(2041a) 및 플렉시블 튜브(2041b)는 가스 공급 수단(2041)을 구성하고 있고, 컨트롤러(2009)(도 13 참조)로부터의 명령에 기초하여 가스의 공급과 공급의 정지 및 가스의 유량을 제어하는 것이 가능하게 되어 있다. 가스를 공급함으로써, 이동실(2003)의 내부에서는, 가스 공급구(2041a∼2041a)로부터 하방을 향해 각각 가스가 분출되고, 그때까지 내부에 머물러 있었던 가스를 압출하면서, 새롭게 공급한 가스의 농도를 높이는 것이 가능하다. 본 실시 형태에 있어서는 가스 공급 수단(2041)을 사용하여 공급하는 가스를 질소 가스로 하고 있지만, 이것으로 한정되는 일 없이 다른 가스를 사용할 수도 있다.
또한, 이동실(2003)을 구성하는 벽부(2034)에는, 가스를 배출하기 위한 가스 배출 수단으로서의 배기 댐퍼(2042)가 설치되어 있다. 이 배기 댐퍼(2042)는 도시하지 않은 셔터를 구비하고 있고, 컨트롤러(2009)로부터의 명령에 기초하여 동작하여, 셔터를 개방함으로써 이동실(2003)의 내부와 외부를 연통시키는 것이 가능하게 되어 있다. 이 경우, 상술한 가스 공급 수단(2041)에 의한 가스의 공급과 병용함으로써, 배기 댐퍼(2042)로부터 오로지 가스의 배출을 행하게 하여, 효율적으로 이동실(2003) 내의 가스 퍼지를 행하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 도 13에 도시한 바와 같이, 이동실(2003)을 가이드 레일(2026)의 한쪽의 단부측에 설정한 대기 위치로 이동시킨 경우, 배기 댐퍼(2042)를 하우징(2051)의 하우징 벽(2051d)에 설치된 배기 덕트(2043)에 접속하는 것이 가능하게 되어 있다. 이 상태에 있어서, 배기 덕트(2043)에 설치된 개폐 밸브(2043a)를 개방함으로써, 이동실(2003)의 내부를 웨이퍼 반송실(2005)의 외부와 연통시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 가스 퍼지에 의해 이동실(2003) 내의 가스를 직접 EFEM(2001)의 외부로 방출할 수 있어, 이동실(2003)의 내부의 클린도가 낮은 초기 상태 등에 있어서, 웨이퍼 반송실(2005)의 내부 공간을 오염시키는 일 없이 외부에 가스를 방출하는 경우에 이용할 수 있다. 물론, 이동실(2003) 내의 클린도가 웨이퍼 반송실(2005)의 내부의 클린도보다도 양호한 경우에는, 이동실(2003)의 배기 덕트(2043)로부터 웨이퍼 반송실(2005)의 내부를 향해 가스를 배출하도록 해도 된다.
또한, 상술한 웨이퍼 반송 장치(2002)를 포함하는 EFEM(2001)의 본체부(2011)를 제어하기 위해, 이 EFEM(2001)은 도 13에 도시한 바와 같은 컨트롤러(2009)를 구비하고 있다. 컨트롤러(2009)는 CPU, 메모리 및 인터페이스를 구비한 통상의 마이크로프로세서 등에 의해 구성되는 것으로, 메모리에는 미리 처리에 필요한 프로그램이 저장되어 있고, CPU는 순차적으로 필요한 프로그램을 취출하여 실행하고, 주변 하드 리소스와 협동하여 소기의 기능을 실현하는 것으로 되어 있다.
컨트롤러(2009)는 이동실 위치 제어부(2091), 아암 위치 제어부(2092), 승강 위치 제어부(2093), 가스 공급 제어부(2094), 가스 배출 제어부(2095) 및 타이밍 제어부(2096)를 포함하도록 구성되어 있다.
이동실 위치 제어부(2091)는 도시하지 않은 구동 수단에 구동 지령을 부여함으로써 이동실(2003)을 가이드 레일(2026)을 따라 이동시키고, 임의의 위치에서 정지시키는 것이 가능하게 되어 있다. 아암 위치 제어부(2092)는 베이스(2023) 내에 구비된 액추에이터(도시하지 않음)에 구동 지령을 부여함으로써, 반송 아암(2024)의 방향의 변경이나, 임의의 길이로의 신장이나 단축의 동작을 행하게 하도록 되어 있다. 승강 위치 제어부(2093)는 베이스(2023)에 내장된 승강용의 액추에이터(도시하지 않음)에 구동 지령을 부여함으로써 승강 동작을 행하게 하여, 반송 아암(2024)을 임의의 높이 위치로 할 수 있다. 가스 공급 제어부(2094)는 가스 공급 수단(2041)에 명령을 부여함으로써 가스의 공급을 제어하는 것이며, 가스 공급의 개시와 정지 외에, 가스의 유량을 변경하는 것이 가능하게 되어 있다. 가스 배출 제어부(2095)는 구동 지령을 출력함으로써, 이동실(2003)에 설치된 배기 댐퍼(2042)의 셔터 개폐 및 하우징(2051)에 설치된 배기 덕트(2043)의 개폐 밸브(2043a)의 개폐를 행하는 것이 가능하게 되어 있다. 타이밍 제어부(2096)는 내부에 기억된 타이밍 데이터에 기초한 소정의 타이밍에서 가스의 공급 및 배출을 행하게 하기 위해, 가스 공급 제어부(2094)나 가스 배출 제어부(2095)에 동작 명령을 부여한다. 가스 공급 제어부(2094)나 가스 배출 제어부(2095)는 각각 부여된 동작 명령에 따라서, 제어의 개시 또는 정지, 또는 제어 내용의 변경을 행하도록 하고 있고, 연동한 제어를 행할 수 있도록 되어 있다.
상기한 바와 같이 구성한 웨이퍼 반송 장치(2002)를 컨트롤러(2009)에 의한 제어에 의해 동작시킴으로써, 이하와 같이 하여 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 것이 가능하게 된다.
여기서는, 일례로서, 한쪽의 전달 위치인 로드 포트(2061)에 접속된 FOUP(2062)로부터, 로드 로크실(2081)로 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에 대해 설명을 행한다.
먼저, 도 13에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 반송 장치(2002)는 이동실 위치 제어부(2091)로부터의 구동 지령에 기초하여, 이동실(2003)을 가이드 레일(2026)의 한쪽의 단부 근방(도면 중의 상측)의 대기 위치까지 이동시킨다. 그리고, 가스 공급 제어부(2094)로부터의 동작 명령에 기초하여 가스 공급 수단(2041)으로부터 질소 가스를 공급시킨다. 또한, 타이밍 제어부(2096)로부터의 명령에 따라 가스 배출 제어부(2095)로부터 구동 지령이 출력됨으로써, 이동실(2003)에 설치된 배기 댐퍼(2042)의 셔터와, 하우징(2051)에 설치된 배기 덕트(2043)의 개폐 밸브(2043a)를 개방한다. 이렇게 함으로써, 이동실(2003)의 내부에 질소 가스가 공급됨과 함께, 그때까지 이동실(2003)의 내부에 머물러 있었던 가스가 배기 댐퍼(2042)를 통해 하우징(2051)의 외부로 배출됨으로써, 이동실(2003) 내의 가스 퍼지가 행해진다.
소정 시간이 경과하여, 질소 가스의 농도가 일정 이상으로 높아진 시점에서, 가스 배출 제어부(2095)로부터의 구동 지령에 기초하여, 배기 댐퍼(2042)의 셔터와 배기 덕트(2043)를 폐쇄시킨다. 또한, 상술한 바와 같이, 이동실(2003) 내의 용적은 충분히 작은 것인 점에서, 가스 퍼지에 필요로 하는 질소 가스의 양은, 웨이퍼 반송실(2005) 내의 전체를 가스 퍼지하는 경우에 비해 훨씬 소량이어도 되며, 가스에 필요로 하는 비용 및 가스 퍼지를 위한 시간을 절약하는 것이 가능하게 되어 있다.
배기 댐퍼(2042)의 셔터와 배기 덕트(2043)를 폐쇄한 경우, 이동실(2003) 내는 대략 밀폐 공간인 점에서, 질소 가스의 공급을 계속해서 행함으로써 이동실(2003)의 내부의 압력을 외부보다도 높인 정압으로 할 수 있다. 이렇게 함으로써, 개구(2031a, 2033a)를 통하여 이동실(2003) 내로, 수분을 포함한 공기나 파티클의 침입을 억제할 수 있도록 되어 있다. 또한, 가스 공급 수단(2041)으로부터의 질소 가스의 공급은 계속해서 행하게 하지만, 가스 공급 제어부(2094)로부터의 동작 명령에 기초하여, 이동실(2003)의 내부를 정압으로 유지할 수 있는 정도로 유량을 저감시킨다. 이렇게 함으로써, 질소 가스의 사용량을 더욱 삭감하는 것이 가능하다. 상술한 바와 같은 가스 공급 제어부(2094) 및 가스 배출 제어부(2095)에 의한 제어의 타이밍은 타이밍 제어부(2096)에 의해 결정되지만, 이것으로 한정되지 않고, 타이머 등을 사용하여 구성할 수도 있다.
상기한 바와 같이 이동실(2003) 내의 질소 가스 농도를 높인 후, 이동실 위치 제어부(2091)로부터의 구동 지령에 기초하여 이동실(2003)을 이동시키고, 도 14와 같이, 반송 대상인 웨이퍼(W)가 수용된 FOUP(2062)가 적재된 로드 포트(2061)에 상대시킨다.
이어서, 컨트롤러(2009)(도 13 참조)로부터의 명령에 의해, 로드 포트(2061)의 도어(2061a)와, FOUP(2062)의 덮개부(2062a)를 개방시키고, 승강 위치 제어부(2093)(도 13 참조)에 의해, 반송 아암(2024) 선단의 피크(2025)를 반송 대상인 웨이퍼(W)보다도 약간 하방에 위치시킨다. 그리고, 도 17에 도시한 바와 같이, 아암 위치 제어부(2092)(도 13 참조)에 의해 반송 아암(2024)을 신장시킴으로써, 반송 아암(2024)의 선단을 개구(2031a)로부터 진출시키고, FOUP(2062) 내로 진입시킨다. 이때, 피크(2025)는 웨이퍼(W)의 바로 아래에 약간의 간극을 가지면서 진입하게 된다. 또한, 승강 위치 제어부(2093)(도 13 참조)에 의해, 반송 아암(2024)을 상승시킴으로써, 웨이퍼(W)를 들어올려 피크(2025) 상에서 지지시킨다.
이 상태로부터, 아암 위치 제어부(2092)(도 13 참조)에 의해 반송 아암(2024)을 단축시킴으로써, 도 18에 도시한 바와 같이, 피크(2025)와 그 상부에 적재된 웨이퍼(W)가 개구(2031a)를 통하여 이동실(2003)의 내부로 들어가, 수용될 수 있다. 웨이퍼(W)는, FOUP(2062)를 나와 즉시 이동실(2003) 내에 수용됨으로써, 거의 하우징(2051) 내의 공기 분위기에 노출되는 일이 없다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에의 파티클의 부착을 억제함과 함께, 공기 분위기에 의한 산화나 수분의 부착도 억제할 수 있다. 웨이퍼(W)를 이동실(2003) 내에 수용한 후에는, 로드 포트(2061)의 도어(2061a)와 FOUP(2062)의 덮개부(2062a)를 폐쇄하여, FOUP(2062) 내를 가능한 한 청정하게 유지하도록 하고 있다. 또한, FOUP(2062) 내부로부터 유출된 질소를 보충하기 위해, 덮개부(2062a)를 폐쇄한 후에 로드 포트(2061)로부터 새로운 질소 가스를 공급시키는 것도 바람직하다.
이어서, 이동실 위치 제어부(2091)(도 13 참조)로부터의 구동 지령에 기초하여, 이동실(2003)을 가이드 레일(2026)을 따라 이동시켜 로드 로크실(2081)에 상대시킨 상태로 하여, 로드 로크실(2081)의 도어(2081a)를 개방시킨다. 또한, 도 19에 도시한 바와 같이, 아암 위치 제어부(2092)(도 13 참조)로부터의 구동 지령에 기초하여, 반송 아암(2024)을 로드 로크실(2081)측으로 회전시켜 신장시킨다. 그리고, 반송 아암(2024) 선단의 피크(2025)와 웨이퍼(W)를 개구(2033a)로부터 진출시키고, 로드 로크실(2081) 내로 진입시킨다. 또한, 승강 위치 제어부(2093)(도 13 참조)로부터의 명령에 의해, 반송 아암(2024)을 하강시킴으로써 피크(2025) 상으로부터 웨이퍼(W)를 로드 로크실(2081) 내의 도시하지 않은 적재대 상에 이동 탑재한다.
상술한 바와 같이, 이 웨이퍼 반송 장치(2002)를 사용함으로써 웨이퍼(W)를 FOUP(2062)로부터 로드 로크실(2081)로 반송할 때에, 웨이퍼 반송실(2005)의 내부 전체의 분위기를 치환하지 않아도, 반송 아암(2024)을 덮도록 구성된 이동실(2003) 내의 국소적인 분위기를 치환함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상태를 적절하게 유지하는 것이 가능하게 된다.
또한, 웨이퍼(W)를 로드 로크실(2081)로부터 FOUP(2062)로 반송하는 경우에도, 상술한 동작을 반대로 행하게 함으로써 마찬가지로 웨이퍼(W)의 주변의 국소적인 분위기를 치환시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2002)는 복수의 전달 위치인 로드 포트(2061∼2061) 및 로드 로크실(2081)의 사이에서 기판으로서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 것이며, 주위를 벽부(2031∼2034)에 의해 덮음으로써 내부가 대략 폐쇄 공간으로 되어 있고, 소정의 궤도를 구성하는 가이드 레일(2026)을 따라 이동하여 로드 포트(2061∼2061) 및 로드 로크실(2081)에 상대 가능하게 된 이동실(2003)과, 선단부의 피크(2025)에 있어서 웨이퍼(W)를 보유 지지할 수 있는 반송 아암(2024)을 구비하고, 피크(2025)를 웨이퍼(W)와 함께 이동실(2003) 내에 수용 가능하게 하고 있고, 벽부(2031, 2033)에 형성된 개구(2031a, 2033a)를 통해 피크(2025)를 출입시킴으로써, 이동실(2003)을 상대시킨 로드 포트(2061∼2061) 및 로드 로크실(2081) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 가능하도록 구성한 것이다.
이와 같이 구성하고 있기 때문에, 로드 포트(2061∼2061) 및 로드 로크실(2081)의 하나에 이동실(2003)을 상대시킨 상태로 하여 개구(2031a, 2033a)를 통하여 반송 아암(2024) 선단의 피크(2025)에 의해 웨이퍼(W)를 수취하고, 피크(2025)를 웨이퍼(W)와 함께 이동실(2003)의 내부에 수용하고, 다른 로드 포트(2061∼2061) 또는 로드 로크실(2081)에 상대하도록 이동실(2003)을 이동시키고, 개구(2031a, 2033a)를 통하여 반송 아암(2024)으로부터 웨이퍼(W)를 전달하는 것이 가능하다. 이동실(2003) 내는 대략 폐쇄 공간으로 되어 있는 점에서, 웨이퍼(W)를 거의 외기에 노출시키는 일 없이 전달을 행할 수 있기 때문에, 외기에 포함되는 파티클의 부착을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 이동실(2003) 내를 질소 가스에 의해 퍼지하고 있는 점에서, 표면의 특성 변화의 제어나, 전달 후에 행하는 웨이퍼(W)에의 처리의 준비 공정으로서 이용하는 것이 가능하게 된다. 또한, 반송 시의 웨이퍼(W) 주변을 질소 분위기로 변경하므로, 대략 폐쇄 공간으로 된 이동실(2003) 내만의 가스 퍼지를 행하는 것으로 충분하기 때문에, 공급하는 가스의 양을 적게 하여 비용의 저감 및 시간의 단축을 도모하는 것이 가능하다.
또한, 이동실(2003) 내에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단(2041)과, 이동실(2003) 내로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배출 수단으로서의 배기 댐퍼(2042)를 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 배기 댐퍼(2042)를 사용하여 이동실(2003) 내의 가스를 배출함과 함께, 가스 공급 수단(2041)을 사용하여 질소 가스를 이동실(2003) 내에 공급함으로써, 이동실(2003) 내의 가스 퍼지를 행하여 질소 가스의 농도를 높인 질소 가스 분위기로 할 수 있어, 반송 중의 웨이퍼(W)의 표면의 성상의 변화를 한층 더 억제하는 것이 가능하게 된다.
그리고, 이동실(2003) 내의 기압을 이동실(2003)의 외부의 기압보다도 높게 설정하도록 구성하고 있는 점에서, 가스 공급 수단(2041) 이외로부터의 이동실(2003) 내로의 가스의 유입을 억제하여, 외부로부터 이동실(2003) 내로 파티클이 침입하여, 웨이퍼(W) 표면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본원 실시 형태에 있어서의 EFEM(2001)은, 상기한 웨이퍼 반송 장치(2002)와, 이 웨이퍼 반송 장치(2002)의 주위를 덮는 하우징(2051)을 구비하고, 하우징(2051)을 구성하는 하우징 벽(2051a, 2051c)의 외측에 인접하여 전달 위치인 로드 포트(2061∼2061) 및 로드 로크실(2081)이 설정되어 있고, 웨이퍼 반송 장치(2002)의 이동실(2003)은 개구(2031a, 2033a)를 구비하는 벽부(2031, 2033)가 하우징(2051)을 구성하는 하우징 벽(2051a, 2051c)의 내측에 근접한 상태를 유지하면서, 가이드 레일(2026)을 따라 이동 가능하게 되도록 구성하고 있는 점에서, 웨이퍼 반송 장치(2002)를 구성하는 이동실(2003)이 개구(2031a, 2033a)가 형성된 벽부(2031, 2033)를 하우징 벽(2051a, 2051c)의 내측에 근접시킨 상태에서 이동하기 때문에, 개구(2031a, 2033a)를 통한 이동실(2003) 내로의 가스나 파티클의 침입을 억제함과 함께, 이동실(2003) 내에 공급한 질소 가스의 유출을 억제하여 가스 공급량의 절약을 도모하는 것도 가능하게 되어 있다.
<제4 실시 형태>
도 20은, 제4 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2102) 및 이것을 구비하는 EFEM(2101)을 도시하는 모식도이다. 이 도면에 있어서, 제3 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(2101)은, 본체(2111)와 이것을 제어하는 컨트롤러(2109)로 구성되어 있고, 본체(2111)는 이동실(2103)을 포함하는 웨이퍼 반송 장치(2102)를 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(2102)는 이동실(2103)을 구성하는 로드 포트(2061)측의 벽부(2031)에, 개구(2031a)를 개폐 가능하게 하는 개폐 도어(2136A, 2136B)를 설치함과 함께, 로드 로크실(2081)측의 벽부(2033)에, 개구(2033a)를 개폐 가능하게 하는 개폐 도어(2137)를 설치하고 있는 점에 특징이 있다.
개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)는, 도시하지 않은 액추에이터에 의해, 각각 가이드 레일(2026)이 연장되는 방향으로 독립하여 슬라이드 이동하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)는, 개구(2031a, 2033a)의 개폐가 가능한 한, 다른 방향으로 슬라이드 이동하도록 구성해도 되고, 슬라이드 대신에 회전을 행하게 하는 것이나, 링크 기구 등을 사용하여 보다 복잡한 동작을 행하게 하는 것도 허용된다.
그리고, 컨트롤러(2109)는 개폐 도어 제어부(2197)를 구비하고 있고, 이 개폐 도어 제어부(2197)로부터 상기 액추에이터에 대해 구동 지령을 출력함으로써, 개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)를 슬라이드 이동시켜, 개구(2031a, 2033a)를 개방 또는 폐쇄시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 컨트롤러(2109)가 구비하는 타이밍 제어부(2196)는 제3 실시 형태에 있어서 설명한 가스 공급 제어부(2094) 및 가스 배출 제어부(2095)에 의한 제어 타이밍을 관리하는 것 외에, 개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)의 개폐 동작의 타이밍도 관리하도록 하고 있다.
개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)를 사용하여 개구(2031a, 2033a)를 폐쇄함으로써, 보다 이동실(2103) 내의 밀폐도를 높일 수 있기 때문에, 반송 아암(2024)을 개구(2031a, 2033a)로부터 돌출시킬 필요가 없는 경우에는, 개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)를 폐쇄함으로써, 이동실(2103)의 내부의 질소 가스의 농도를 높이거나, 사용량을 삭감하는 것도 가능하다.
이상과 같이 구성한 경우에 있어서도, 상술한 제3 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2102)는 개구(2031a, 2033a)를 개폐하기 위한 개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)를 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 개구(2031a, 2033a)로부터 반송 아암(2024)의 선단을 진출시킬 필요가 없는 경우에는, 개폐 도어(2136A, 2136B, 2137)에 의해 개구(2031a, 2033a)를 폐쇄함으로써, 보다 이동실(2103) 내의 밀폐도를 높여, 외부로부터의 가스나 파티클의 침입을 억제할 수 있음과 함께, 이동실(2103) 내에 공급하는 질소 가스의 사용량의 삭감이나 농도를 높이는 것이 가능하게 되어 있다.
<제5 실시 형태>
도 21 및 도 22는, 제5 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2202) 및 이것을 구비하는 EFEM(2201)을 도시하는 모식도이다. 이 도면에 있어서, 상술한 제3 및 제4 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(2201)은, 본체(2211)와 이것을 제어하는 컨트롤러(2009)(도 13 참조)로 구성되어 있고, 본체(2211)는 이동실(2203)을 포함하는 웨이퍼 반송 장치(2202)를 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(2202)는 이동실(2203)을 구성하는 로드 포트(2261)측의 벽부(2231)에, 개구(2231a)를 개폐 가능하게 하는 개폐 도어(2236)를 구비하고 있는 점에 특징이 있다.
또한, 도 21의 (a)에 도시한 바와 같이, 로드 포트(2261)는 FOUP(2062)의 덮개부(2062a)와 연결할 수 있는 도어(2261a)를 구비하고 있다. 도어(2261a)의 하방에는, 수평 방향으로 연장되는 지지 기부(2261b)가 일체적으로 설치되어 있고, 그 단부에는 롤러(2261c)가 설치되어 있다. 그리고, 이 롤러(2261c)가 T자 형상으로 형성된 레일(2261d)에 결합됨으로써, 레일(2261d)을 따라 위치 규제되면서 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 지지 기부(2261b)에는 도시하지 않은 액추에이터가 접속되어 있고, 컨트롤러(2009)(도 13 참조)로부터의 명령에 따라, 지지 기부(2261b)와 함께 덮개부(2261a)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 도어(2261a)에는 적당한 연결 수단이 설치되어 있어, 한쪽의 면에서 FOUP(2062)의 덮개부(2062a)와 연결하고, 다른 쪽의 면에서 개폐 도어(2236)와 연결하는 것이 가능하게 되어 있다.
도어(2261a)는 이하와 같이 동작함으로써, FOUP(2062)의 덮개부(2062a)와, 개폐 도어(2236)를 개방하는 것이 가능하게 되어 있다. 먼저, 도 21의 (a)와 같이, 로드 포트(2261) 상에 FOUP(2062)를 적재시킴으로써, 도어(2261a)의 한쪽의 면에 FOUP(2062)의 덮개부(2062a)가 접촉하여 서로 연결된다. 그리고, 도 21의 (b)와 같이 도어(2261a)가 FOUP(2062)로부터 이격되는 방향(도면 중의 우측 방향)으로 이동하여, FOUP(2062)의 본체로부터 덮개부(2062a)를 이격시킴과 함께, 도어(2261a)의 다른 쪽의 면을 개폐 도어(2236)에 접촉시켜 양자를 연결시킨다. 그리고 도 22의 (a)와 같이, 약간 이동실(2203)의 벽부(2231)로부터 이격시켜, 개폐 도어(2236)를 개구(2231a)로부터 이격시킨 상태로 한다. 그리고, 도 22의 (b)와 같이, 웨이퍼 반송실(2005)의 하우징 벽(2051a)과 이동실(2203)의 벽부(2231) 사이에서, 덮개부(2062a)와 개폐 도어(2236)를 연결시킨 상태에서 도어(2261a)를 하강시킨다. 이렇게 함으로써 개구(2231a)와 FOUP(2062)의 내부가 서로 개방된 상태로 할 수 있다.
또한, 이 구조를 채용하는 경우에는, 도어(2261a)가 하방으로 들어가는 공간을 확보하기 위해, 설계에 따라서는, 웨이퍼 반송실(2005)의 하우징 벽(2051a)과 이동실(2203)의 벽부(2231) 사이의 거리가 커지는 경우도 있다. 그 경우에는, 이동실(2203)과 하우징 벽(2051a)의 어느 한쪽, 또는 양쪽으로부터 판 형상의 커버 부재를 돌출시켜, 시일부(X)를 구성하면 된다.
이와 같이 구성한 경우에도, 상술한 제3 및 제4 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하고, 또한, 개폐 도어(2236)의 개폐를 간단한 구조로 실현할 수 있어 비용 삭감을 도모하는 것이 가능해지는 것과 함께, 개폐 도어(2236)의 개방을 FOUP(2062)의 덮개부(2062a)의 개방과 연동시켜 행하게 함으로써 외부로부터의 가스나 파티클의 침입을 한층 더 억제하는 것이 가능하게 된다.
<제6 실시 형태>
도 23은, 제6 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2302) 및 이것을 구비하는 EFEM(2301)을 도시하는 모식도이다. 이 도면에 있어서, 상술한 제3∼제5 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(2301)은, 본체(2311)와 이것을 제어하는 컨트롤러(2009)로 구성되어 있고, 본체(2311)는 이동실(2303)을 포함하는 웨이퍼 반송 장치(2302)를 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(2302)는 상술한 제3 실시 형태에 있어서의 구성을 기초로 하여, 이동실(2303)의 천장벽(2035)의 바로 아래에 필터 부재(2344)를 배치하고 있는 점에 특징이 있다.
필터 부재(2344)는 천장벽(2035)과 거의 동일한 크기로 형성되어 있고, 가스 공급 수단(2041)을 구성하는 가스 공급구(2041a∼2041a)로부터 공급되는 가스가, 필터 부재(2344)를 통해, 이동실(2303)의 내부에 공급되도록 하고 있다.
이와 같이 구성한 경우에도, 상술한 제3 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하고, 또한, 가스 공급 수단(2041)에 의해 공급되는 가스에 파티클이 포함되는 경우에도, 이것을 제거한 보다 청정한 가스를 이동실(2303)의 내부에 도입하여, 웨이퍼(W)의 오염을 한층 더 억제하는 것이 가능하게 된다.
<제7 실시 형태>
도 24 및 도 25는, 제7 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2402) 및 이것을 구비하는 EFEM(2401)을 도시하는 모식도이다. 이 도면에 있어서, 상술한 제3∼제6 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(2401)은, 본체(2411)와 이것을 제어하는 컨트롤러(2409)로 구성되어 있고, 본체(2411)는 이동실(2403)을 포함하는 웨이퍼 반송 장치(2402)를 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(2402)는 상술한 제6 실시 형태에 있어서의 구성을 기초로 하여, 이동실(2403)의 하방으로부터 가스를 도입하여 이동실(2403)의 상부로부터 다시 도입시키는 가스 순환 수단(2445)을 구비하고 있는 점에 특징이 있다.
가스 순환 수단(2445)은 이동실(2403)의 외주를 따라 설치된 순환 덕트(2445a)와, 팬(2445b)으로 구성되어 있고, 팬(2445b)을 작동시킴으로써, 벽부(2034)의 하방에 형성된 개구를 통하여 이동실(2403) 내로부터 가스를 취출하고, 천장벽(2035)에 형성된 개구로부터 가스를 다시 도입시키도록 되어 있다. 천장벽(2035)으로부터 도입된 가스는, 필터(2344)를 통하여 이동실(2403)의 내부에 도입되기 때문에, 보다 청정한 것으로 할 수 있다. 또한, 팬(2445b)에 의해 취출된 가스의 전부를 이동실(2403) 내로 복귀시키는 것은 필수는 아니고, 필요에 따라 취출한 가스의 일부를 이동실(2403) 내로 복귀시키고, 나머지를 외부로 배출시키도록 해도 된다.
이와 같은 가스 순환 수단(2445)을 동작시키기 위해, 컨트롤러(2409)는 가스 순환 제어부(2498)를 구비하고 있고, 가스 순환 제어부(2498)로부터의 구동 지령에 따라 팬(2445b)이 작동함으로써 가스의 순환의 개시와 정지, 또한 순환을 행하게 할 때의 가스의 유량을 변경하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 컨트롤러(2409)가 구비하는 타이밍 제어부(2496)는 가스 공급 제어부(2094)와 가스 배출 제어부(2095)에 의한 제어 타이밍 외에, 가스 순환 제어부(2498)에 의한 제어 타이밍도 관리하도록 하고 있다.
이상과 같이 구성한 경우에 있어서도, 상술한 제6 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2402)는 이동실(2403) 내의 가스를 취출하고, 취출한 가스의 적어도 일부를, 필터(2344)를 통과시킨 후에 이동실(2403) 내에 다시 도입시키는 가스 순환 수단(2445)을 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 이동실(2403) 내의 분위기를 보다 청정하게 하여, 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착을 한층 더 억제하는 것이 가능하게 된다.
<제8 실시 형태>
도 26은, 제8 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2502) 및 이것을 구비하는 EFEM(2501)을 도시하는 모식도이다. 이 도면에 있어서, 상술한 제3∼제7 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(2501)은, 본체(2511)와 이것을 제어하는 컨트롤러(2009)(도 13 참조)로 구성되어 있고, 본체(2511)는 이동실(2503)을 포함하는 웨이퍼 반송 장치(2502)를 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(2502)는 제3 실시 형태에 있어서의 구성을 기초로 하여, 이동실(2503)의 형상 및 이것을 지지하기 위한 지지 구조를 변경한 것으로 되어 있다.
구체적으로는, 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(2502)는 하우징(2051)의 하면을 구성하는 바닥벽부(2521)를 바닥면(F) 상에 설치하고, 바닥벽부(2521)의 상부에 가이드 레일(2026) 및 롤러(2027, 2027)를 통해 가동대(2022)를 설치하고 있다. 즉, 이 실시 형태에서는, 제3 실시 형태에 있어서의 고정대(2021)(도 16 참조)에 의한 높이기 구조를 구비하고 있지 않다. 그리고, 가동대(2022) 상에 베이스(2023)를 설치하고 있고, 그 베이스(2023)의 상부에는, 이동실(2503)이 설치되어 있다. 이동실(2503)은 바닥벽(2536)과 천장벽(2535) 외에, 반송 아암(2024)의 사방을 둘러싸는 벽부(2531, 2533) 등에 의해 구성되어 있고, 그 내부에서 대략 폐쇄 공간이 형성되어 있다. 바닥벽(2536)에 형성된 개구를 통하여, 베이스(2023)의 상부로부터 지주(2526)가 상방을 향하여 직립하고 있고, 이 지주(2526)의 상부에서 반송 아암(2024)은 지지되어 있다. 그리고, 지주(2526) 내에 내장된 적절한 전달 기구에 의해, 베이스(2023)로부터 반송 아암(2024)으로 구동력이 전달되어, 반송 아암(2024)의 신축을 행하는 것이 가능하게 되어 있다.
일반적으로, 반송 아암(2024)과, 이것을 구동하기 위한 기구를 구비하는 베이스(2023)로 구성되는 부분을 가리켜, 반송 로봇이라고 칭하는 경우가 많은 점에서 볼 때, 본 실시 형태에 있어서의 구성은, 반송 로봇의 일부를 이루는 반송 아암(2024)을 이동실(2503) 내에 수용하고, 다른 부분을 이루는 베이스(2023)를 이동실 외에 구비하는 구성으로 한 것이라고 환언할 수 있다.
이와 같이 베이스(2023)를 이동실(2503)의 외부에 배치하는 구조로 하는 것도 가능하고, 이러한 경우에도, 상술한 제3 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하다.
<제9 실시 형태>
도 27은, 제9 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2602) 및 이것을 구비하는 EFEM(2601)을 도시하는 모식도이다. 이 도면에 있어서, 상술한 제3∼제8 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(2601)은, 본체(2611)와 이것을 제어하는 컨트롤러(2609)로 구성되어 있고, 본체(2611)는 이동실(2603)을 포함하는 웨이퍼 반송 장치(2602)를 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(2602)는 제3 실시 형태에 있어서의 구성을 기초로 하여, 이동실(2603)의 내부에 가열 수단으로서의 가열 램프(2646)를 설치하고 있는 점에 특징이 있다.
가열 램프(2646)는 베이스(2023)의 측방으로부터 직립한 지지 아암(2646a)에 의해 지지되어 있고, 베이스(2023) 상에 웨이퍼(W)를 위치시켰을 때에, 그 웨이퍼(W)의 표면에 상대할 수 있는 위치에 설치되어 있다. 또한, 지지 아암(2646a)을 베이스(2023)로부터 이격시켜, 가동대(2022) 상으로부터 직접 직립하는 구성으로 해도 된다.
컨트롤러(2609)는 가열 램프 제어부(2699)를 구비하고 있고, 가열 램프 제어부(2699)를 통하여 가열 램프(2646)에 전류가 부여됨으로써, 가열 램프(2646)로부터 발해지는 복사열에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 가열되도록 되어 있다. 또한, 가열 수단으로서, 가열 램프(2646) 이외에도, 일반적으로 잘 알려져 있는 전열선 히터 등 다양한 것을 사용하는 것이 가능하다.
가열 램프(2646)에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 가열함으로써, 부착되어 있었던 수분을 증발시켜 제거시킬 수 있는 동시에 처리 장치(2008)(도 13 참조)에 이동 탑재한 후의 처리를 위한 예비 가열로서 이용하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 컨트롤러(2609)가 구비하는 타이밍 제어부(2696)는 가스 공급 제어부(2094)와 가스 배출 제어부(2095)에 의한 제어 타이밍 외에, 가열 램프 제어부(2699)에 의한 제어 타이밍도 관리하도록 하고 있다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(W)가 이동실(2602)로 들어갔을 때에, 웨이퍼(W) 표면의 가열과, 웨이퍼(W) 표면에의 가스의 공급 등을 적당한 타이밍에 행하는 것이 가능하게 되어, 후속 공정에 대비한 예비 공정으로서 적절하게 작용시키는 것이 가능하게 되어 있다.
이상과 같이 구성한 경우에 있어서도, 상술한 제3 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(2602)는 이동실(2603) 내에 있어서, 반송 아암(2024) 상의 웨이퍼(W)와 상대할 수 있는 위치에, 웨이퍼(W)의 표면을 가열하기 위한 가열 수단으로서의 가열 램프(2646)를 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 반송 과정에 있어서 반송 아암(2024) 상의 웨이퍼(W)의 표면을 가열 램프(2646)에 의해 가열할 수 있으므로, 수분을 제거하여 수분에 의한 웨이퍼(W) 표면의 특성 변화를 억제하는 것이나, 전달 후에 행하는 처리 공정을 위해 예비 가열을 행하는 것도 가능하다.
또한, 가스 공급 수단(2041), 가스 배출 수단으로서의 배기 덕트(2042)(도 13 참조) 및 가열 램프(2646)의 제어를 행하기 위한 컨트롤러(2609)를 구비하고, 이 컨트롤러(2609)가 가스 공급 수단(2041), 배기 덕트(2042) 및 가열 램프(2646)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어부(2696)를 더 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼(W) 및 다른 처리 공정에 적합한 동작 타이밍에서 웨이퍼(W)의 가열과 이동실(2603) 내의 가스 퍼지를 행하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 각 부의 구체적인 구성은, 상술한 제3∼제9 실시 형태만으로 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상술한 제3∼제9 실시 형태에서는, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 치환하기 위한 가스로서 질소 가스를 사용하고 있었지만, 처리에 따라 공기나 오존 등 다양한 가스를 사용할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송실(2005) 내보다도, 클린도가 높은 청정 에어를 사용하는 것도, 가열 수단에 의해 고온으로 된 가열 에어라도 사용할 수 있다.
또한, 상술한 제3∼제9 실시 형태에서는, 로드 포트(2061) 상에 설치한 FOUP(2062)와 로드 로크실(2081) 사이에서, 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 것으로 하고 있었지만, FOUP(2062, 2062) 사이에서의 전달을 행하게 하는 경우 등에도 사용할 수 있다. FOUP(2062, 2062) 사이에서의 이동 탑재만을 행하게 하는 경우에는, 이동실(2003)의 한쪽의 벽부(2031)에만 개구(2031a)를 형성하는 구성으로 하는 것으로도 충분하다.
또한, 상술한 제3∼제9 실시 형태에서는, 소정의 궤도를 구성하는 가이드 레일(2026)을 직선 형상으로 형성하고, 이것을 따라 이동실(2003)도 직선 형상으로 이동하도록 하고 있었지만, 가이드 레일(2026)의 형상은 이것으로 한정되지 않고, 복수의 직선이나 곡선을 조합한 것으로 하여, 이동실(2003)을 타방향으로 이동시키도록 할 수도 있다. 또한, 가이드 레일(2026)을 상하 방향으로 연장되도록 배치하면, 이동실(2003)을 상하 방향으로 이동시킬 수도 있다. 이동실(2003)의 이동 방향의 규제가 가능하면, 가이드 레일(2026)로 한정되지 않고, 가이드 롤러나 와이어 등의 다른 수단에 의해 궤도를 구성할 수도 있다.
또한, 상술한 제3∼제9 실시 형태에서는, 피크(2025)가 이동실(2003) 내로 들어갔을 때에, 반송 아암(2024) 전체가 이동실(2003) 내에 수용되도록 구성하고 있었지만, 반송 중의 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 적절하게 유지하기 위해서는, 적어도 반송 아암(2024) 선단의 피크(2025)를 웨이퍼(W)와 함께 이동실(2003) 내에 수용 가능하게 하는 것으로 충분하다. 구체적으로는, 상술한 제8 실시 형태에 관한 구성을 기초로, 도 28에 도시한 바와 같이 변형한 기판 반송 장치(2702)로서 구성할 수도 있다. 이 변형예에 있어서는, 이동실(2703)은 반송 아암(2024) 선단 부근만을 수용 가능하도록 구성됨과 함께, 반송 아암(2024)과 함께 지주(2526)를 축으로서 회전 가능하게 되어 있다. 이 구성에 의하면, 반송 아암(2024)에 의한 웨이퍼(W)의 반송에 맞추어 이동실(2703)이 방향을 변경함으로써, FOUP(2062)와 로드 로크실(2081) 사이에서 웨이퍼(W)를 거의 외기에 노출시키는 일 없이 반송할 수 있다. 마찬가지로, 반송 아암(2024)의 이동에 따라 이동실(2703)이 이동하도록 구성해도 된다. 이러한 경우에는, 상술한 실시 형태에 비해 이동실(2703)을 더욱 소형화할 수 있어, 가스의 사용량을 한층 더 삭감하는 것도 가능하게 된다.
그리고, 제4 실시 형태 또는 제5 실시 형태로서 기재한 개구(2031a, 2033a, 2231a, 2233a)를 폐쇄하기 위한 개폐 도어(2136A, 2136B, 2137, 2236)를 구비하는 구성을 전제로 하여, 이동실(2003)의 벽부(2031, 2033)를 로드 포트(2061)에 직접적으로 접속할 수 있는 구성으로 한 경우, 또는, 양자의 간극을 덮는 시일 부재를 구비하는 구성으로 한 경우에는, 외기에 노출시키는 일 없이 이동실(2003)의 내부와 FOUP(2062)의 내부를 연통시키는 것이 가능하게 된다. 이와 같은 구성으로 한 경우에는, 하우징(2051)을 불필요로 하여, 제조 비용을 더욱 저감시키는 것도 가능하게 된다.
또한, 상술한 제3∼제9 실시 형태에서는 기판으로서 웨이퍼(W)를 사용하는 것을 전제로 하고 있었지만, 본 발명은 글래스 기판 등 다양한 정밀 가공품을 대상으로 하는 기판 반송 장치에 사용할 수 있다.
또한, 반송 아암(2024)으로서는, 상술한 링크식 아암 로봇이나, SCARA형 다관절 로봇으로 한정되는 일 없이 다양한 것을 사용할 수도 있다.
그 외의 구성도, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형이 가능하다.
<제10 실시 형태>
이 제10 실시 형태로부터 제14 실시 형태에서는, 제1∼제9 실시 형태와는 상이한 수단을 사용하여, 반송 중의 기판에의 수분의 부착을 억제하여, 기판의 표면 성상을 적정화할 수 있는 기판 반송 장치 및 이 기판 반송 장치를 구비한 EFEM을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
제10 실시 형태의 EFEM에 적용되는 기판 반송 장치는 기판으로서의 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 장치(3002)로서 구성되어 있고, 도 29에서 도시하는 EFEM(3001)의 구성 요소의 하나로 되어 있다. EFEM(3001)은, 기계 장치 부분인 본체(3011)와 이 동작을 제어하기 위한 컨트롤러(3009)로 구성되어 있고, 본체(3011)는 내부에 상술한 웨이퍼 반송 장치(3002)를 구비하고, 이것을 사용하여 소정의 전달 위치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 장치(3002)를 둘러싸도록 하우징(3051)이 설치되어 있고, 이 하우징(3051)은 웨이퍼 반송 장치(3002)의 사방을 둘러싸는 벽면을 구성하는 하우징 벽(3051a∼3051d)과 도시하지 않은 천장벽을 구비함으로써, 내부에서 대략 폐쇄 공간이 형성된 웨이퍼 반송실(3005)을 구성하고 있다. 또한, 1개의 하우징 벽(3051a)의 외측에 인접하여 복수(도면 중에서는 3개)의 로드 포트(3061∼3061)가 설치되어 있고, 이들과 상기 웨이퍼 반송실(3005) 및 그 내부에 설치된 웨이퍼 반송 장치(3002)에 의해 EFEM(3001)의 본체(3011)를 구성하고 있다.
또한, 도면 중에서는 로드 포트(3061) 상에 FOUP(3062)가 적재된 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 각 로드 포트(3061)는 도어(3061a)를 구비하고 있고, 이 도어(3061a)가 FOUP(3062)에 설치된 덮개부(3062a)와 연결되어 함께 이동함으로써, FOUP(3062)가 웨이퍼 반송실(3005)에 대해 개방되도록 되어 있다. FOUP(3062) 내에는, 쌍을 이루어 1매의 웨이퍼(W)를 지지하는 적재부(3062b, 3062b)가 상하 방향으로 다수 설치되어 있고, 이들을 사용함으로써 다수의 웨이퍼(W)를 저장할 수 있다. 또한, FOUP(3062) 내에는 통상 질소 가스가 충전됨과 함께, 로드 포트(3061)를 통해 FOUP(3062) 내의 분위기를 질소 치환하는 것도 가능하게 되어 있다.
또한, 로드 포트(3061)와 대향하는 하우징 벽(3051c)의 외측에 인접하여 처리 장치(3008)의 일부를 구성하는 로드 로크실(3081)을 접속할 수 있도록 되어 있고, 로드 로크실(3081)의 도어(3081a)를 개방함으로써, 웨이퍼 반송실(3005)과 로드 로크실(3081)을 연통한 상태로 하는 것이 가능하게 되어 있다. 처리 장치(3008)로서는 다양한 것을 사용할 수 있지만, 일반적으로는, 로드 로크실(3081)과 인접하여 반송실(3082)이 설치되고, 또한 반송실(3082)과 인접하여 복수(도면 중에서는 3개)의 처리 유닛(3083)이 설치되는 구성으로 되어 있다. 반송실(3082)과, 로드 로크실(3081)이나 처리 유닛(3083∼3083) 사이에는, 각각 도어(3082a, 3083a∼3083a)가 설치되어 있고, 이들을 개방함으로써 각각의 사이를 연통시킬 수 있어, 반송실(3082) 내에 설치된 반송 로봇(3082b)을 사용하여 로드 로크실(3081) 및 처리 유닛(3083∼3083)의 사이에서 웨이퍼(W)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(3002)는 대략, 소정의 궤도를 구성하는 가이드 레일(3021)과, 이 가이드 레일(3021)을 따라 이동 가능하게 된 베이스로서의 가동대(3022)와, 그 가동대(3022) 상에 설치된 반송 아암(3024)과, 본 발명의 특징적 부분을 이루는 가열 수단(3003)으로 구성되어 있다.
도 30은, 이 웨이퍼 반송 장치(3002)의 반송 아암(3024) 근방을 확대하여 모식적으로 도시한 평면도이며, 도 30의 (a)는 반송 아암(3024)을 신장시킨 상태를, 도 30의 (b)는 반송 아암(3024)을 단축시킨 상태를 각각 도시하고 있다. 또한, 도 31의 (a)는 이것을 가이드 레일(3021)의 연장 방향에서 본 경우를 모식적으로 도시한 정면도이며, 도 31의 (b)는 이것을 가이드 레일(3021)과 직교하는 방향에서 본 경우를 모식적으로 도시한 측면도이다. 이하, 이들 도 30 및 도 31을 이용하여 웨이퍼 반송 장치(3002)의 상세한 구조에 대해 설명을 행한다.
먼저, 하우징(3051)(도 29 참조) 내의 바닥면(F) 상에 가이드 레일(3021)이 배치되고, 이 가이드 레일(3021) 상에서 직사각형 판 형상으로 형성된 베이스로서의 가동대(3022)가 지지되어 있다. 가이드 레일(3021)은 하우징 벽(3051a, 3051c)(도 29 참조)과 평행해지도록 직선 형상으로 배치됨으로써 직선 형상의 궤도를 구성하고 있고, 가동대(3022)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 가이드 레일(3021)을 따라 이동 가능하게 되어 있다.
가동대(3022)의 상면에는 대략 원기둥 형상으로 구성된 베이스(3023)가 설치되고, 이 베이스(3023)의 상부에서 반송 아암(3024)이 지지되어 있다. 반송 아암(3024)은 일반적으로 알려져 있는 다양한 구조로 할 수 있고, 예를 들어, SCARA형의 수평 다관절 로봇이나, 다단 슬라이드식의 아암 로봇이나, 링크식의 아암 로봇 등을 적절하게 사용할 수 있다. 이 실시 형태에서는, 반송 아암(3024)을, 링크를 구성하는 복수의 아암 요소(3024a∼3024d)와, 피크(3025)를 포함하는 링크식의 아암 로봇으로서 구성하고 있다.
구체적으로는 아암 요소(3024a, 3024b)의 기단부를 베이스(3023) 상에서 각각 회전 가능하게 지지시킴과 함께, 각 아암 요소(3024a, 3024b)의 선단에서 각각 아암 요소(3024c, 3024d)의 기단부를 회전 가능하게 지지시키고 있다. 그리고, 아암 요소(3024c, 3024d)의 선단이 모두 피크(3025)의 기단부에 접속되어 있다. 각 아암 요소(3024a∼3024d)는 각각 수평면 내에서 회전 가능하게 되어 있고, 서로 연결됨으로써 협동하여 피크(3025)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 이와 같이 구성함으로써, 베이스(3023)에 내장된 도시하지 않은 액추에이터에 의해 아암 요소(3024a, 3024b)를 회전시킴으로써, 피크(3025)를 직선 형상으로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다[도 30의 (b) 참조].
상술한 피크(3025)는 평면에서 보아 선단이 U자형을 이루는 판 형상 부재로서 형성되어 있고, 그 상면에 웨이퍼(W)를 적재하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 반송 아암(3024)은 가동대(3022) 상에서 수평 선회 가능하도록 구성되어 있고, 피크(3025)를 하우징 벽(3051a, 3051c)(도 29 참조)의 어느 방향을 향하게 하는 것도 가능하게 되어 있다.
상기한 바와 같이 구성함으로써, 웨이퍼 반송 장치(3002)는 반송 아암(3024)을 구성하는 피크(3025) 상에 적재한 웨이퍼(W)를, 하우징 벽(3051a, 3051c)(도 29 참조)에 평행한 수평 방향과, 직교하는 방향의 2축으로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 베이스(3023)는 승강 동작도 가능하게 되어 있어, 이 동작을 조합함으로써, 피크(3025)에 의해 웨이퍼(W)를 들어올리는 것도, 피크(3025) 상의 웨이퍼(W)를 소정의 전달 위치에 이동 탑재시키는 것도 가능하게 되어 있다. 본 실시 형태에 있어서의 EFEM(3001)에 있어서는, FOUP(3062)가 설치되는 복수의 로드 포트(3061) 및 이것에 대향하는 로드 로크실(3081)(도 29 참조)이 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 위치로서 설정되어 있고, 이 사이에서 웨이퍼 반송 장치(3002)를 사용하여 웨이퍼(W)를 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 가동대(3022) 상에는, 반송 아암(3024)의 측방에는 가열 수단(3003)이 설치되어 있다. 가열 수단(3003)은 가동대(3022) 상에 있어서 베이스(3023)의 배면측에 설치되는 직사각 형상을 이루는 지지대(3031)와, 이 지지대(3031)로부터 상방으로 상승된 지지 아암(3032)과, 지지 아암(3032)의 상단부에 설치된 가열기(3033)로 구성되어 있다.
지지 아암(3032)은 반송 아암(3024)의 동작에 지장이 없는 범위에서, 반송 아암(3024)에 근접하여 배치됨과 함께, 지지 아암(3032)의 상부가 반송 아암(3024)의 상방을 향하여 대략 V자형으로 굴곡한 형상을 이룸으로써, 가열기(3033)를 반송 아암(3024) 및 이것에 지지되는 웨이퍼(W)와 거의 상대할 수 있도록 되어 있다. 가열기(3033)는 도 31의 (a)에 도시한 바와 같은 방향으로 배치되어 있고, 반송 아암(3024)이 신장함으로써 피크(3025)가 이동하는 방향, 즉 가이드 레일(3021)과 직교하는 방향을 따라 연장되는 형상으로 되어 있고, 반송 아암(3024)을 단축시켜, 피크(3025)를 베이스(3023) 상에 위치시킨 상태로 한 경우에, 반송 아암(3024)의 거의 전체를 가열하는 것이 가능하게 되어 있다. 이 지지 아암(3032)의 굴곡 각도를 변경 가능하게 하는 것도, 가열량의 조정을 용이하게 하는 점에서 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서의 가열기(3033)로서는, 구체적으로는 도 37의 (a)에 도시하는 가열기(3033A)를 채용하고 있다. 이것은, 직육면체 형상을 이루는 가열기 본체(3033a)의 내부에, 대략 원기둥 형상을 이루는 1개의 가열 램프(3033b)를 가열기 본체(3033a)의 연장 방향을 따라 설치한 것으로 되어 있고, 후술하는 가열 제어부(3094)를 통하여 전류를 부여함으로써 발열하고, 주로 복사열에 의해 웨이퍼(W)를 가열하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 도 37의 (b)에 도시하는 가열기(3033B)나, 도 37의 (c)에 도시하는 가열기(3033C)를 사용할 수도 있다. 가열기(3033B)는, 가열기 본체(3033a)의 내부에, 그 연장 방향을 따라 전구형을 이루는 소형의 가열 램프(3033c)를 복수 배열한 것으로 되어 있다. 또한, 가열기(3033C)는, 가열기 본체(3033a)의 내부에, 그 연장 방향을 따라 코일 형상을 이루는 전열선(3033d)을 배치한 것으로 되어 있다. 이들 구조를 이루는 가열기(3033B, 3033C)를 사용해도, 상술한 가열기(3033A)와 마찬가지로, 전류를 흘림으로써 발열시켜, 웨이퍼(W)의 가열을 행할 수 있다. 또한, 가열기 본체(3033a)의 내부에 반사판을 설치하는 등에 의해, 열의 확산을 방지하면서 특정한 방향에 있는 대상물만을 가열하도록 하여, 효율화를 도모하는 것도 바람직하다.
상술한 웨이퍼 반송 장치(3002)를 포함하는 EFEM(3001)의 본체부(3011)를 제어하기 위해, 이 EFEM(3001)은 도 29에 도시한 바와 같은 컨트롤러(3009)를 구비하고 있다. 컨트롤러(3009)는 CPU, 메모리 및 인터페이스를 구비한 통상의 마이크로프로세서 등에 의해 구성되는 것으로, 메모리에는 미리 처리에 필요한 프로그램이 저장되어 있고, CPU는 순차적으로 필요한 프로그램을 취출하여 실행하고, 주변 하드 리소스와 협동하여 소기의 기능을 실현하는 것으로 되어 있다.
컨트롤러(3009)는 가동대 위치 제어부(3091), 아암 위치 제어부(3092), 승강 위치 제어부(3093), 가열 제어부(3094)를 포함하도록 구성되어 있다.
가동대 위치 제어부(3091)는 도시하지 않은 구동 수단에 구동 지령을 부여함으로써 이동실(3003)을 가이드 레일(3021)을 따라 이동시키고, 임의의 위치에서 정지시키는 것이 가능하게 되어 있다. 아암 위치 제어부(3092)는 베이스(3023) 내에 구비된 액추에이터(도시하지 않음)에 구동 지령을 부여함으로써, 반송 아암(3024)에 방향의 변경이나, 임의의 길이로의 신장이나 단축의 동작을 행하게 할 수 있도록 되어 있다. 승강 위치 제어부(3093)는 베이스(3023)에 내장된 승강용의 액추에이터(도시하지 않음)에 구동 지령을 부여함으로써 승강 동작을 행하게 하여, 반송 아암(3024)을 임의의 높이 위치로 할 수 있다. 가열 제어부(3094)는 가열 수단(3003)을 구성하는 가열기(3033)에 통전을 행함과 함께, 그 전류 또는 전압을 제어하는 것이며, 가열기(3033)에 의한 가열 및 가열의 정지 외에 단위 시간당 가열량을 변경하는 것이 가능하게 되어 있다.
상기한 바와 같이 구성한 웨이퍼 반송 장치(3002)를 컨트롤러(3009)에 의한 제어에 의해 동작시킴으로써, 이하와 같이 하여 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있다. 여기서는, 일례로서, 한쪽의 전달 위치인 로드 포트(3061)에 접속된 FOUP(3062)로부터, 로드 로크실(3081)로 웨이퍼(W)를 반송하는 경우에 대해 설명을 행한다.
먼저, 도 32에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 반송 장치(3002)는 가동대 위치 제어부(3091)로부터의 구동 지령에 기초하여 가동대(3022)를 이동시키고, 반송 대상인 웨이퍼(W)를 수용하는 FOUP(3062)가 적재된 로드 포트(3061)에 반송 아암(3024)을 상대시킨다.
이어서, 컨트롤러(3009)로부터의 명령에 의해, 로드 포트(3061)의 도어(3061a)와, FOUP(3062)의 덮개부(3062a)를 개방시키고, 승강 위치 제어부(3093)에 의해, 반송 아암(3024) 선단의 피크(3025)를 반송 대상인 웨이퍼(W)보다도 약간 하방에 위치시킨다. 그리고, 도 33에 도시한 바와 같이, 아암 위치 제어부(3092)에 의해 반송 아암(3024)을 신장시킴으로써, 반송 아암(3024)의 선단을 FOUP(3062) 내로 진입시킨다. 이때, 피크(3025)는 웨이퍼(W)의 바로 아래에 약간의 간극을 가지면서 진입하게 된다. 또한, 승강 위치 제어부(3093)에 의해 반송 아암(3024)을 상승시킴으로써, 웨이퍼(W)를 들어올려 피크(3025) 상에서 지지시킨다.
이 상태로부터, 아암 위치 제어부(3092)에 의해 반송 아암(3024)을 단축시킴으로써, 도 34에 도시한 바와 같이, 피크(3025)와 그 상부에 적재된 웨이퍼(W)를 가열기(3033)와 상대하는 베이스(3023) 상의 위치로 이동시키도록 되어 있다. 가열기(3033)는 반송 아암(3024)에 의해 웨이퍼(W)가 이동하는 방향으로 연장되도록 구성되어 있는 점에서, 웨이퍼(W)를 FOUP(3062)로부터 인출하여 베이스(3023) 상의 위치에 이를 때까지의 동안에, 가열 제어부(3094)에 의해 가열기(3033)에 대해 통전을 행함으로써, 가열기(3033)의 하방을 이동시키고 있는 동안에도 웨이퍼(W)의 가열을 행할 수 있어, 한층 더 가열 시간을 확보할 수 있다. 또한, 가열기(3033)의 승온에 시간을 필요로 하는 경우에는, 승온 시간을 예측하여 적절히 가열기(3033)에의 통전 개시를 빠르게 하도록 설정하면 된다.
웨이퍼(W)를 FOUP(3062) 내로부터 취출한 후에는, 로드 포트(3061)의 도어(3061a)와 FOUP(3062)의 덮개부(3062a)를 폐쇄하여, FOUP(3062) 내를 가능한 한 청정하게 유지하도록 하고 있다. 또한, FOUP(3062) 내부로부터 유출된 질소를 보충하기 위해, 덮개부(3062a)를 폐쇄한 후에 로드 포트(3061)로부터 FOUP(3062) 내로 새로운 질소 가스를 공급시키는 것도 바람직하다.
그리고, 가열기(3033)에 의한 가열을 계속한 상태로, 도 35에 도시한 바와 같이, 가동대 위치 제어부(3091)로부터의 구동 지령에 기초하여 가동대(3022)를 이동시킴과 함께, 아암 위치 제어부(3092)에 의해 반송 아암(3024)의 방향을 바꾸어, 반송 아암(3024)을 로드 로크실(3081)에 상대시킨다. 또한, 가동대(3022)의 이동과 반송 아암(3024)의 방향의 변경을 동시에 행하도록 해도 된다. 이와 같은 가동대(3022)의 이동과 반송 아암(3024)의 방향의 변경을 행하는 동안에, 가열기(3033)에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 가열함으로써, 웨이퍼(W)의 온도를 충분히 높여 표면에 부착된 수분을 제거할 수 있다. 이동의 도중에 충분히 가열이 이루어지는 경우에는, 가열기(3033)에 의한 웨이퍼(W)의 가열을 도중에 정지하거나, 전류값을 내려 단위 시간당 가열량을 감소시켜도 된다. 물론, 보다 웨이퍼(W)의 온도를 높이는 것을 필요로 하는 경우나, 가열 시간을 확보하고자 하는 경우에는, 가열기(3033)의 하방으로 웨이퍼(W)를 이동시킨 상태에서 소정량의 가열이 이루어질 때까지, 다음 동작으로 이행하지 않도록 해도 된다. 웨이퍼(W)의 온도 관리를 엄밀하게 행하기 위해서는, 웨이퍼(W)와 상대하는 위치에 비접촉식의 온도 검출기를 설치하거나, 피크(3025) 내에 접촉식의 온도 검출기를 설치하는 등을 하여, 이들로부터 검출한 온도 데이터를 기초로 컨트롤러(3009)가 제어를 행하도록 구성해도 된다.
상기한 상태로부터, 도 36에 도시한 바와 같이, 로드 로크실(3081)의 도어(3081a)(도 35 참조)를 개방시키고, 아암 위치 제어부(3092)로부터의 구동 지령에 기초하여 반송 아암(3024)을 로드 로크실(3081)측으로 신장시켜, 피크(3025)와 웨이퍼(W)를 로드 로크실(3081) 내로 진입시킨다. 또한, 승강 위치 제어부(3093)로부터의 명령에 의해 반송 아암(3024)을 하강시킴으로써, 피크(3025) 상으로부터 웨이퍼(W)를 로드 로크실(3081) 내의 도시하지 않은 적재대 상에 이동 탑재한다.
상술한 바와 같이, 이 웨이퍼 반송 장치(3002)를 사용함으로써 웨이퍼(W)를 FOUP(3062)로부터 로드 로크실(3081)로 반송하는 동안에 가열기(3033)에 의해 웨이퍼(W)를 가열할 수 있어, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 수분을 제거하여 수분에 기인하는 웨이퍼(W)의 부식이나 산화를 억제하여, 표면 성상을 적정하게 유지하는 것이 가능하게 된다.
또한, 웨이퍼(W)를 로드 로크실(3081)로부터 FOUP(3062)로 반송하는 경우에도, 상술한 동작을 반대로 행하게 함으로써, 마찬가지로, 웨이퍼(W)를 반송하는 동안에 가열을 행할 수 있다. 이렇게 함으로써, 수분의 제거나 새로운 수분의 부착을 억제하여, 웨이퍼(W)의 표면 성상을 적정화할 수 있다.
또한, 처리 장치(3008)에 있어서 웨이퍼(W)에 실시하는 처리에 의해서는, 전처리 또는 후처리로서 행하는 가열 처리를 위해 가열기(3033)를 사용함으로써 웨이퍼(W)의 표면 성상을 적정화할 수 있다. 구체적으로는, 처리 장치(3008)에 있어서의 프로세스 처리 온도가 높은 경우에는, 미리 웨이퍼(W)를 가열해 둠으로써, 처리 유닛(3083) 내에서의 처리 시간을 삭감하고, 처리 속도를 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 처리 장치(3008)에 의한 처리에 의해, 웨이퍼(W) 표면에 부식성 가스나 오염 물질 등이 부착되는 경우에는, 웨이퍼(W)를 가열함으로써 표면으로부터 증발 또는 제거할 수도 있다. 또한, 후처리로서 가열을 행함으로써, 표면 상태의 안정화를 도모하는 경우도 있다. 이와 같이 이용함으로써, 처리 장치(3008)에 있어서의 처리 시간의 단축이나, 처리 장치를 포함한 설비 전체의 설치 스페이스의 저감을 도모하는 것도 가능하다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3002)는 소정의 궤도를 구성하는 가이드 레일(3021)을 따라 이동 가능하게 된 베이스인 가동대(3022)와, 이 가동대(3022)에 의해 간접적으로 지지되고, 기판으로서의 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 반송하는 반송 아암(3024)과, 가동대(3022)에 의해 지지되고, 반송 아암(3024)에 상대할 수 있는 위치에 배치된 가열기(3033)를 구비하고, 반송 아암(3024)에 의해 웨이퍼(W)를 반송시킬 때에, 가열기(3033)에 의해 웨이퍼(W) 표면을 가열할 수 있도록 구성한 것이다.
이와 같이 구성하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 반송하는 동안에, 반송 아암(3024)에 의해 보유 지지한 웨이퍼(W)를 가열기(3033)에 의해 가열할 수 있어, 웨이퍼(W) 표면에 부착된 수분을 제거하여, 웨이퍼(W)의 표면 성상의 변화를 억제할 수 있다. 또한, 반송처의 처리 장치(3008)에 있어서 웨이퍼(W)에 실시하는 처리의 전후에 행하는 가열 처리로서 이용할 수 있고, 웨이퍼(W)의 처리 시간의 단축이나 처리 장치(3008)의 설치 스페이스의 저감을 도모하는 것도 가능하다.
또한, 가열기(3033)가 반송 아암(3024)에 의한 웨이퍼(W)의 이동 방향을 따라 연장되도록 구성되어 있는 점에서, 웨이퍼(W)의 반송 시에 효율적으로 웨이퍼(W)를 가열하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 상기한 웨이퍼 반송 장치(3002)와, 이것을 덮는 하우징(3051)을 구비하고, 하우징(3051)의 벽면(3051a, 3051b)에 인접하여 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 위치로서의 로드 포트(3061)와, 로드 로크실(3081)을 설정하도록 구성함으로써, EFEM(3001)으로서 유효하게 구성되어 있다. 이 EFEM(3001)에 의하면, 하우징(3051) 내에 설치된 웨이퍼 반송 장치(3002)를 사용하여, 반송 중의 웨이퍼(W)의 표면을 가열함으로써, 수분의 제거에 의한 표면 성상의 안정화나, 웨이퍼(W)에 실시하는 처리의 전후에 가열 처리가 필요한 경우에는, 특별한 설비를 추가하는 일 없이 이것을 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다.
<제11 실시 형태>
도 38은, 제11 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3202) 및 이것을 구비하는 EFEM(3201)을 도시하는 모식도이다. 이 도면에 있어서, 제10 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(3201)은, 본체(3211)와 이것을 제어하는 컨트롤러(3009)로 구성되어 있고, 본체(3211)를 구성하는 웨이퍼 반송 장치(3202)는 반송 아암(3024) 및 가열 수단(3203)을 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(3202)는 제10 실시 형태와 비교하여, 베이스로서의 가동대(3222)에 대한 가열 수단(3203)의 설치 구조가 상이한 것으로 되어 있다.
그 구체적인 구조를, 도 39 및 도 40에 도시한다. 도 39는 주요부를 확대하여 도시하는 평면도이며, 도 40의 (a)는 정면도, 도 40의 (b)는 측면도로 되어 있다. 이들에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 제10 실시 형태의 것보다도 가동대(3222)를 소형화하고, 평면에서 볼 때 대략 정사각 형상으로 구성하고 있다. 그리고, 그 중앙부에 베이스(3023)를 설치하고 있다. 또한, 베이스(3023)의 배면측으로부터 직접, 지지대(3231)를 수평 방향으로 돌출시키도록 하여 설치하고, 지지대(3231) 상으로부터 지지 아암(3232)을 직립시킨 것으로 되어 있다. 지지 아암(3232)은 상부가 반송 아암(3024)의 상방을 향하여 대략 V자형으로 굴곡한 형상을 이루어, 상단부에서 가열기(3033)를 반송 아암(3024) 상에서 보유 지지하는 웨이퍼(W)와 상대할 수 있도록 하고 있다. 이와 같이 구성함으로써, 가열기(3033)는 지지 아암(3232)을 통해 베이스(3023)에 의해 지지되고, 이 베이스(3023)를 통해 간접적으로 가동대(3222)에 지지된다.
이와 같이 구성한 경우에도, 상술한 제10 실시 형태와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하다. 또한, 베이스(3023)의 승강 동작에 수반하여 지지 아암(3232)도 승강함으로써, 베이스(3023)를 승강시켜도 웨이퍼(W)와 가열기(3033)의 상대 위치가 변화되지 않아, 동일한 조건으로 가열을 행하는 것이 가능하게 되기 때문에, 가열 조건의 설정을 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다.
<제12 실시 형태>
도 41 및 도 42는, 제12 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3302)를 모식적으로 도시한 것이며, 이것을 중심으로 하여 제10 실시 형태나 제11 실시 형태와 마찬가지로, EFEM(3301)을 구성할 수 있다. 또한, 도 41의 (a), 도 42의 (a)는 주요부를 확대하여 도시하는 평면도이며, 도 41의 (b), 도 42의 (b)는 이들을 정면에서 보는 것과 함께, 컨트롤러(3309)와의 관계를 도시하는 도면으로 되어 있다. 이들 도면에 있어서, 제10 실시 형태 및 제11 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(3301)은, 본체(3311)와 이것을 제어하는 컨트롤러(3309)로 구성되어 있고, 본체(3311)를 구성하는 웨이퍼 반송 장치(3302)는 반송 아암(3324) 및 가열 수단(3303)을 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 반송 아암(3324)은 복수의 아암 요소(3324a∼3324a)를 순차 접속하여, 선단에 피크(3025)를 설치한 다단 슬라이드식의 아암 로봇으로서 구성되어 있다. 각 아암 요소(3324a∼3324a)는 서로 슬라이드 이동 가능하게 구성되어 있고, 이들을 구동하기 위한 도시하지 않은 액추에이터에 아암 위치 제어부(3092)로부터의 구동 지령을 부여함으로써, 반송 아암(3324) 전체가 신장 또는 단축 가능하게 되어 있다. 물론, 이 반송 아암(3324) 대신에, 제10 실시 형태에서 사용한 반송 아암(3025)(도 30 참조)을 사용해도 지장은 없다.
본 실시 형태는, 제10 실시 형태나 제11 실시 형태와 비교하여, 가열 수단(3303)을 구성하는 가열기(3333)의 형상을 상이하게 한 점에 주된 특징이 있다. 또한, 가열기(3333)를 지지하기 위한 지지 아암(3232) 등을 포함하는 지지 구조는, 제11 실시 형태와 마찬가지로 구성하고 있다.
가열기(3333)는 반송 아암(3324)이 신장함으로써 피크(3025)가 이동하는 방향, 즉 가이드 레일(3021)과 직교하는 방향을 따라 연장되는 형상으로 되어 있고, 평면에서 볼 때 가동대(3222)보다도 크게 돌출되어, 일단부가 로드 포트(3061)측의 하우징 벽(3051a)에 근접하도록 하고 있다. 또한, 도면 중에서는 생략되어 있지만, 가열기(3333)의 타단부는 로드 로크실(3081)측의 하우징 벽(3051c)(도 29 참조)에 근접하는 위치에까지 연장되도록 하고 있다.
그로 인해, 가열기(3333)를 구성하는 본체(3333a)는 대향하는 하우징 벽(3051a, 3051c)(도 29 참조) 사이의 거리보다도 약간 짧은 전체 길이로 설정되어 있고, 그 내부에는 3개의 발열부로서의 가열 램프(3233b)를 연장 방향으로 나란히 배치하고 있다. 각 가열 램프(3333b)는 컨트롤러(3309)를 구성하는 가열 제어부(3394)로부터 전류가 부여됨으로써 발열하도록 되어 있다. 또한, 컨트롤러(3309)는 가열 제어부(3394)로부터의 전류를 부여하는 가열 램프(3333b)를 전환하기 위한 발열부 전환부(3395)를 구비하고 있다.
상기한 바와 같이 구성함으로써, 도 42에 도시한 바와 같이 피크(3025)가 FOUP(3062) 내로 진입하고, FOUP(3062)로부터 웨이퍼(W)를 취출한 직후부터 가열기(3333)에 의한 가열을 행할 수 있다. 그리고, 반송 아암(3324)의 단축에 수반하여 웨이퍼(W)를 이동시키고 있는 동안에도 계속해서 가열할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)에 수분이 부착되는 시간을 저감시켜 효율적으로 가열을 행하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 가열기(3333)가 로드 로크실(3081)(도 29 참조)측으로도 연장되어 있는 점에서, 로드 로크실(3081)에 웨이퍼(W)를 넣기 직전까지 가열을 계속할 수 있다. 이들의 점은, 로드 로크실(3081)측으로부터 웨이퍼를 취출하여, FOUP(3062) 내에 수용하는 경우에도 마찬가지이다. 이와 같이, FOUP(3062)와 로드 로크실(3081) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 시간의 대부분에 있어서 웨이퍼(W)의 가열을 행할 수 있기 때문에, 가열 시간을 충분히 확보할 필요가 있는 경우에는, 낭비되는 시간을 생략하여 시간의 단축을 도모하는 것이 가능하게 된다.
또한, FOUP(3062)와 로드 로크실(3081) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행할 때에, 반송 아암(3324)의 동작에 따라, 발열 전환부(3395)가 전류를 부여하는 가열 램프(3333b∼3333b)를 전환하도록 하고 있는 점에서, 적절하게 웨이퍼(W)의 가열을 행하면서, 에너지의 소비량을 삭감하는 것도 가능하게 된다.
이상과 같이 구성한 경우에 있어서도, 상술한 제10 실시 형태 및 제11 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻는 것이 가능하다.
특히, 가열기(3333)가 반송 아암(3324)에 의한 웨이퍼(W)의 이동 방향을 따라, 보다 길게 연장되도록 구성되어 있는 점에서, 웨이퍼(W)의 반송 시에, 한층 더 효율적으로 웨이퍼(W)를 가열하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3302)는 가열기(3333)가 통전에 의해 발열하는 복수의 발열부로서의 가열 램프(3333b∼3333b)에 의해 구성되어 있고, 반송 아암(3324)에 의한 웨이퍼(W)의 이동에 따라 통전을 행하는 가열 램프(3333b)를 전환 가능하게 구성하고 있기 때문에, 에너지의 절약을 행하면서도, 웨이퍼(W)를 효율적으로 가열하는 것이 가능하게 되어 있다.
<제13 실시 형태>
도 43은, 제13 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3402)를 모식적으로 도시한 것이며, 이것을 중심으로 하여 제10∼제12 실시 형태와 마찬가지로, EFEM(3401)을 구성할 수 있다. 또한, 도 43의 (a)는 정면에서 본 상태를 도시함과 함께, 컨트롤러(3409)와의 관계를 도시하는 도면으로 되어 있고, 도 43의 (b)는 측면도로 되어 있다. 이들 도면에 있어서, 제10∼제12 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(3401)은, 본체(3411)와 이것을 제어하는 컨트롤러(3409)로 구성되어 있고, 본체(3411)를 구성하는 웨이퍼 반송 장치(3402)는 반송 아암(3024) 및 가열 수단(3403)을 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(3402)는 제10 실시 형태와 비교하여, 가동대(3022)에 대한 가열 수단(3403)의 설치 구조가 상이한 것으로 되어 있다.
구체적으로는, 가동대(3022) 상에 지지대(3031)를 설치하고, 이 지지대(3031)로부터 지주(3432)를 직립시키고, 그 상부에 회전 기구(3434)가 소정의 각도로 기울여져 설치되어 있다. 회전 기구(3434)로부터는 지지 아암(3435)이 돌출되도록 설치되어 있고, 지지 아암(3435)을 그 중심축 둘레로 회전 가능하게 되어 있다. 또한, 지지 아암(3435)의 선단에서 가열기(3033)가 지지되도록 되어 있다. 지주(3432), 회전 기구(3434) 및 지지 아암(3435)은 측면에서 볼 때 대략 V자형으로 굴곡하고 있어, 가열기(3033)를 반송 아암(3024) 선단의 피크(3025)에 의해 보유 지지되는 웨이퍼(W)와 상대할 수 있도록 구성되어 있다.
회전 기구(3434)는 도시하지 않은 액추에이터를 내장하고 있고, 컨트롤러(3409)를 구성하는 가열기 회전 제어부(3496)로부터의 구동 지령에 따라 지지 아암(3435)의 회전 각도를 변경할 수 있고, 이렇게 함으로써 도면 중의 화살표로 나타낸 바와 같이 가열기(3033)의 방향을 변경하는 것이 가능하게 되어 있다.
그로 인해, 반송 아암(3024)에 의한 웨이퍼(W)의 이동에 연동하여 가열기(3033)의 방향을 변경하여, 가열기(3033)가 웨이퍼(W)의 방향을 향하도록 함으로써, 소형의 가열기(3033)를 사용한 경우이어도 웨이퍼(W)의 가열 시간을 확보하는 것이 가능하다.
이상과 같이 구성한 경우에 있어서도, 상술한 제10 실시 형태 및 제11 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3402)는 가열기(3033)가 반송 아암(3024)에 의한 웨이퍼(W)의 이동에 따라 방향을 변경 가능하도록 구성하고 있는 점에서, 웨이퍼(W)의 반송 시에, 한층 더 효율적으로 웨이퍼(W)를 가열하는 것이 가능하게 되어 있다.
<제14 실시 형태>
도 44 및 도 45는, 제14 실시 형태의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3502)를 모식적으로 도시한 것이며, 이것을 중심으로 하여 제10∼제13 실시 형태와 마찬가지로, EFEM(3501)을 구성할 수 있다. 또한, 도 44는 평면에서 본 상태를 도시함과 함께, 컨트롤러(3509)와의 관계를 도시하는 도면으로 되어 있고, 도 45의 (a)는 정면도, 도 45의 (b)는 측면도로 되어 있다. 이들 도면에 있어서, 제10∼제13 실시 형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
EFEM(3501)은, 본체(3511)와 이것을 제어하는 컨트롤러(3509)로 구성되어 있고, 본체(3511)를 구성하는 웨이퍼 반송 장치(3502)는 반송 아암(3024) 및 가열 수단(3503)을 구비하는 것으로 되어 있다. 이 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(3502)는 제10 실시 형태와 비교하여 가열 수단(3503)의 구성이 상이한 것으로 되어 있다.
구체적으로는, 가동대(3022) 상에 지지대(3531)를 설치하고, 이 지지대(3531)로부터 지지 아암(3532)을 직립시키고, 그 상부에 가열기(3033)가 지지되도록 되어 있다. 지지 아암(3532)은 측면에서 볼 때 대략 V자형으로 굴곡하고 있어, 가열기(3033)를 반송 아암(3024) 선단의 피크(3025)에 의해 보유 지지되는 웨이퍼(W)와 상대할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 지지대(3531) 상에는, 지지 아암(3536)이 설치되고, 이 지지 아암(3536)의 선단에, 송풍 수단으로서의 송풍 팬(3537)이 설치되어 있다. 송풍 팬(3537)은 가열기(3033)와 거의 동일한 전체 길이를 구비하는 타원형을 이루고, 길이 방향이 가열기(3033)의 연장 방향에 합치하는 방향으로 됨과 함께, 가열기(3033)를 사이에 두어 반송 아암(3024)과 상대할 수 있도록 배치되어 있다. 이렇게 함으로써, 가열기(3033)의 배후로부터, 반송 아암(3024)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 향하여 송풍하는 것이 가능하게 되어 있다.
가열기(3033)에 의한 가열 외에, 송풍 팬(3537)에 의해 웨이퍼(W)를 향하여 송풍함으로써, 웨이퍼(W)로부터의 수분 제거 효과를 증대시킴과 함께, 웨이퍼(W)의 주변의 분위기를 균일화함으로써, 웨이퍼(W)의 가열을 효율화함과 함께, 웨이퍼(W) 표면의 온도를 균일하게 할 수도 있다.
또한, 송풍 팬(3537)은 외부에 설치한 가스 공급원과 접속됨으로써, 웨이퍼(W)를 향하여 가스를 공급할 수 있다. 이 가스로서 건조한 질소 가스를 사용함으로써 수분 제거 효과를 높임과 함께, 처리 장치(3008)에 의한 잔류 가스를 배제하여, 웨이퍼(W)의 표면 성상을 보다 적정하게 유지할 수 있다. 물론, 처리 프로세스에 따라 공급하는 가스를 변경해도 된다.
송풍 팬(3537)은 컨트롤러(3509)를 구성하는 송풍 제어부(3597)로부터의 동작 지령에 기초하여 제어되고, 송풍 제어부(3597)에 의해, 운전 개시와 정지 외에, 풍량의 제어나, 외부로부터의 가스 공급의 온/오프 제어를 행하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 컨트롤러(3509)는 가열 제어부(3094)에 의한 가열기(3033)의 동작 타이밍과, 송풍 제어부(3597)에 의한 송풍 팬(3537)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어부(3598)를 구비하고 있다. 타이밍 제어부(3598)는 내부에 기억된 타이밍 데이터에 기초한 소정의 타이밍에 웨이퍼(W)의 가열이나, 웨이퍼(W)를 향한 송풍, 가스의 공급을 행하게 하기 위해 가열 제어부(3094)나 송풍 제어부(3597)에 동작 명령을 부여한다. 가열 제어부(3094)나 송풍 제어부(3597)는 각각 부여된 동작 명령에 따라서, 제어의 개시 또는 정지, 또는 제어 내용의 변경을 행하도록 하고 있고, 이렇게 함으로써 연동한 제어를 행할 수 있도록 되어 있다.
이와 같이 연동한 제어를 행함으로써, 웨이퍼(W)나, 처리 장치(3008)(도 29 참조)에 있어서의 처리 내용에 적합한 타이밍에서, 웨이퍼(W)에 대한 가열과 송풍, 가스의 공급을 실행할 수 있어, 웨이퍼(W)의 표면 성상을 보다 적정하게 유지할 수 있다. 또한, 처리 프로세스에 따라 전처리 또는 후처리로서 이용할 수도 있기 때문에, 처리의 효율화를 도모할 수도 있다.
이상과 같이 구성한 경우에 있어서도, 상술한 제10 실시 형태 및 제11 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 기판 반송 장치로서의 웨이퍼 반송 장치(3502)는 가열기(3033)를 사이에 두고, 반송 아암(3024)과 상대할 수 있는 위치에 송풍 수단으로서의 송풍 팬(3537)을 설치하도록 구성하고 있는 점에서, 웨이퍼(W)의 가열의 효율화를 도모함과 함께, 웨이퍼(W) 주변의 분위기를 균일화하여 온도의 균일화를 도모하는 것도 가능하게 되어 있다.
또한, 송풍 팬(3537)이 가스 공급원으로부터 얻어지는 가스를 반송 아암(3024)을 향해 공급 가능하게 구성되어 있는 점에서, 웨이퍼(W) 표면에 적합한 가스를 공급함으로써, 가열기(3033)에 의한 가열과 더불어 한층 더 웨이퍼(W)의 표면 성상을 적정화할 수 있다.
그리고, 가열기(3033)와, 송풍 팬(3537)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어부(3598)를 구비하도록 구성하고 있기 때문에, 가열기(3033)에 의한 가열과, 송풍 팬(3537)에 의한 가스의 공급을 적절한 타이밍에서 행함으로써, 에너지를 절약하면서, 한층 더 웨이퍼(W)의 표면 성상의 적정화를 도모할 수 있다.
또한, 각 부의 구체적인 구성은, 상술한 실시 형태만으로 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상술한 제10∼제14 실시 형태에서는, 로드 포트(3061) 상에 설치한 FOUP(3062)와 로드 로크실(3081) 사이에서, 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 것으로 하고 있었지만, FOUP(3062, 3062) 사이에서의 전달을 행하게 하는 경우 등에도 사용할 수 있다.
또한, 상술한 제10∼제14 실시 형태에서는, 소정의 궤도를 구성하는 가이드 레일(3021)을 직선 형상으로 형성하고, 이것을 따라 가동대(3022)도 직선 형상으로 이동하도록 하고 있었지만, 가이드 레일(3021)의 형상은 이것으로 한정되지 않고, 복수의 직선이나 곡선을 조합한 것으로 하여, 가동대(3022)를 타방향으로 이동시키도록 할 수도 있다. 또한, 가이드 레일(3021)을 상하 방향으로 연장되도록 배치하면, 가동대(3022)를 상하 방향으로 이동시킬 수도 있다. 가동대(3022)의 이동 방향의 규제가 가능하면, 가이드 레일(3021)로 한정되지 않고, 가이드 롤러나 와이어 등의 다른 수단에 의해 궤도를 구성할 수도 있다.
그리고, 제13 실시 형태에 있어서의 웨이퍼 반송 장치(3402)를 기초로 하여, 웨이퍼(W)의 이동에 수반하여 가열기(3033)의 방향을 변경하는 대신에, 웨이퍼(W)와 상대한 상태를 유지하면서 가열기(3033)가 이동하도록 구성해도 된다. 또한, 가열기(3033)의 방향의 변경과, 이동을 모두 실현할 수 있도록 구성하여 상기한 바와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 제14 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)에 공급하는 가스로서 질소 가스를 사용하고 있었지만, 처리에 따라 공기나 오존 등 다양한 가스를 사용할 수 있다. 또한, 웨이퍼 반송실(3005) 내보다도, 클린도가 높은 청정 에어를 사용할 수도 있다.
또한, 상술한 제10∼제14 실시 형태에서는, 가열기(3033, 3333)를 가열 램프나 전열선을 이용하여 대상물을 가열하는 것으로서 구성하고 있었지만, 세라믹 히터나 발열 소자, 또는, 외부로부터 도입하는 열풍 등, 상기 이외의 다양한 열원을 이용하는 것으로 해도 되고, 그 경우에 있어서도 상기에 준한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 제10∼제14 실시 형태에서는 기판으로서 웨이퍼(W)를 사용하는 것을 전제로 하고 있었지만, 본 발명은 글래스 기판 등 다양한 정밀 가공품을 대상으로 하는 기판 반송 장치에 사용할 수 있다.
그 외의 구성도, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형이 가능하다.
1 : EFEM
2 : 웨이퍼 반송 장치
3 : 하우징
4∼4 : 로드 포트
6 : 처리 장치
7 : FOUP
8 : 구획 부재
9 : 웨이퍼 반송실
10 : 가스 귀환로
11 : 가스 송출구
12 : 가스 흡인구
13 : FFU
13a : 팬(제1 송풍 수단)
13b : 필터
14 : 케미컬 필터
15 : 팬(제2 송풍 수단)
16 : 가스 공급 수단
17 : 가스 배출 수단
31 : 전면벽
32 : 배면벽
31a, 32a : 개구
W : 웨이퍼

Claims (8)

  1. 내부에서 웨이퍼를 반송하기 위한 웨이퍼 반송실을 각각 구비한 복수의 EFEM과,
    당해 EFEM의 외부에 마련되고, 가스의 청정화를 행하기 위한 더스트 필터를 구비하는 가스 청정 장치와,
    당해 가스 청정 장치에 의해 청정화된 가스를 분배하고, 각 웨이퍼 반송실에 공급하는 가스 공급로와,
    각 웨이퍼 반송실로부터 배출되는 가스를 상기 가스 청정 장치에 귀환시키는 가스 귀환로를 구비하고,
    상기 웨이퍼 반송실과 상기 가스 청정 장치와의 사이에서 가스를 순환시키는 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 청정 장치는, 상기 가스 귀환로로부터 상기 가스 공급로로 향하는 방향으로 가스를 송출하는 송풍 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스 청정 장치는, 귀환된 가스 중에 존재하는 분자상 오염 물질을 제거하는 케미컬 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 청정 장치는, 가스 중의 수분을 제거하는 건조기를 구비하는 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급로의 도중 위치에 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 가스 귀환로의 도중 위치로부터 가스를 흡인하기 위한 가스 흡인 수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 EFEM은,
    상기 웨이퍼 반송실의 상부에 마련되고, 상기 가스 공급로와 접속되는 가스 공급로와,
    상기 웨이퍼 반송실의 하부에 마련되고, 상기 가스 귀환로와 접속되는 가스 배출구를 포함하여 구성되어 있고,
    상기 웨이퍼 반송실 내에 상기 가스 공급구로부터 상기 가스 배출구로 흐르는 하강 기류를 생기게 하고 있는 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가스 공급로에는, 상기 가스 공급로로부터 공급되는 가스를 상기 웨이퍼 반송실 내로 보내는 송풍 수단과, 상기 가스 공급로로부터 공급되는 가스를 청정화하는 더스트 필터가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스가 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 EFEM 시스템.
KR1020230140902A 2013-12-13 2023-10-20 이에프이엠 시스템 KR20230151956A (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-257817 2013-12-13
JP2013257817A JP2015115517A (ja) 2013-12-13 2013-12-13 基板搬送装置及びｅｆｅｍ
JP2013270967A JP6299210B2 (ja) 2013-12-27 2013-12-27 基板搬送装置及びｅｆｅｍ
JPJP-P-2013-270967 2013-12-27
JPJP-P-2014-017820 2014-01-31
JP2014017821A JP6349750B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 Ｅｆｅｍ
JPJP-P-2014-017821 2014-01-31
JP2014017820A JP6599599B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 Ｅｆｅｍシステム
KR1020210102328A KR102593779B1 (ko) 2013-12-13 2021-08-04 이에프이엠

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210102328A Division KR102593779B1 (ko) 2013-12-13 2021-08-04 이에프이엠

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230151956A true KR20230151956A (ko) 2023-11-02

Family

ID=53369380

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140175857A KR20150069526A (ko) 2013-12-13 2014-12-09 이에프이엠
KR1020210102328A KR102593779B1 (ko) 2013-12-13 2021-08-04 이에프이엠
KR1020230140902A KR20230151956A (ko) 2013-12-13 2023-10-20 이에프이엠 시스템

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140175857A KR20150069526A (ko) 2013-12-13 2014-12-09 이에프이엠
KR1020210102328A KR102593779B1 (ko) 2013-12-13 2021-08-04 이에프이엠

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9704727B2 (ko)
KR (3) KR20150069526A (ko)
TW (6) TWI635552B (ko)

Families Citing this family (306)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6024938B1 (ja) * 2014-12-16 2016-11-16 株式会社東京精密 半導体ウェーハの検査装置及び半導体ウェーハの検査方法
JP6500498B2 (ja) * 2015-02-27 2019-04-17 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室及び搬送室のケミカルフィルタの湿度管理方法
JP6511858B2 (ja) 2015-02-27 2019-05-15 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
TWI739745B (zh) * 2015-06-17 2021-09-21 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 用於一設備前端模組之流動修改配件
JP6450653B2 (ja) * 2015-06-24 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 格納ユニット、搬送装置、及び、基板処理システム
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
JP6564642B2 (ja) * 2015-07-23 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送室、基板処理システム、及び基板搬送室内のガス置換方法
TWI788061B (zh) * 2015-08-04 2022-12-21 日商昕芙旎雅股份有限公司 門開閉系統及具備門開閉系統之載入埠
CN105161469A (zh) * 2015-09-17 2015-12-16 沈阳拓荆科技有限公司 一种8寸与12寸基板通用的平台结构
US9564350B1 (en) * 2015-09-18 2017-02-07 Globalfoundries Inc. Method and apparatus for storing and transporting semiconductor wafers in a vacuum pod
US10515834B2 (en) 2015-10-12 2019-12-24 Lam Research Corporation Multi-station tool with wafer transfer microclimate systems
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
KR102413271B1 (ko) * 2015-11-02 2022-06-28 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
JP6555091B2 (ja) 2015-11-10 2019-08-07 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロボット搬送装置
JP6613864B2 (ja) * 2015-12-14 2019-12-04 Ｔｄｋ株式会社 ミニエンバイロメント装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6632403B2 (ja) 2016-02-02 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板収納容器の連結機構および連結方法
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6817757B2 (ja) * 2016-09-16 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板移送方法
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
KR102618491B1 (ko) 2016-10-31 2023-12-28 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10453727B2 (en) * 2016-11-10 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180074276A (ko) 2016-12-23 2018-07-03 피코앤테라(주) 이에프이엠
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6890029B2 (ja) * 2017-03-31 2021-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
DE102017109820B4 (de) * 2017-04-26 2024-03-28 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumkammeranordnung und deren Verwendung
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11133208B2 (en) * 2017-05-31 2021-09-28 Tdk Corporation EFEM and method of introducing dry air thereinto
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10566216B2 (en) 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
US10388547B2 (en) * 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
WO2018236544A1 (en) 2017-06-23 2018-12-27 Applied Materials, Inc. DETACHABLE SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, HEATED SIDE STORAGE NACELLE APPARATUS, SYSTEMS AND METHODS
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102109671B1 (ko) * 2017-09-20 2020-05-18 주식회사 대한 반도체 제조 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
TWI756475B (zh) * 2017-10-06 2022-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 抑制粒子產生之方法及真空裝置
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) * 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7037379B2 (ja) * 2018-02-06 2022-03-16 ローツェ株式会社 薄板状基板保持装置、及び保持装置を備える搬送ロボット
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US10763134B2 (en) 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
JP7037049B2 (ja) 2018-03-15 2022-03-16 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
JP7048885B2 (ja) * 2018-03-15 2022-04-06 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
JP6963179B2 (ja) 2018-03-15 2021-11-05 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
JP7137047B2 (ja) * 2018-03-15 2022-09-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ、及び、ｅｆｅｍにおけるガス置換方法
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102139249B1 (ko) * 2018-04-03 2020-07-29 우범제 이에프이엠
JP7183567B2 (ja) 2018-05-02 2022-12-06 Tdk株式会社 循環式ｅｆｅｍ
CN110444488B (zh) * 2018-05-03 2021-12-07 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司 一种高精度快速取片、装片装置及采用它的装片机
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
JP7234527B2 (ja) * 2018-07-30 2023-03-08 Tdk株式会社 センサー内蔵フィルタ構造体及びウエハ収容容器
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11194259B2 (en) * 2018-08-30 2021-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Equipment module with enhanced protection from airborne contaminants, and method of operation
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR102080016B1 (ko) 2018-09-17 2020-02-21 주식회사 에이케이테크 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조 및 상기 이에프이엠용 웨이퍼향 질소가스 분사 구조를 포함하는 이에프이엠
JP7209503B2 (ja) * 2018-09-21 2023-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
JP7158238B2 (ja) * 2018-10-10 2022-10-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11373891B2 (en) 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
US11508593B2 (en) * 2018-10-26 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11610797B2 (en) * 2018-11-28 2023-03-21 Sinfonia Technology Co., Ltd. Wafer stocker
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
JP7085467B2 (ja) * 2018-12-11 2022-06-16 平田機工株式会社 ロードロックチャンバ
JP7261573B2 (ja) * 2018-12-13 2023-04-20 株式会社ジェイテクトサーモシステム 熱処理装置
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN111354665B (zh) * 2018-12-20 2023-05-02 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆存储装置及半导体加工设备
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
JP7221110B2 (ja) 2019-03-28 2023-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
JP7306683B2 (ja) * 2019-05-29 2023-07-11 株式会社西部技研 ガス置換用ドライルーム
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR102110244B1 (ko) * 2019-08-07 2020-05-28 주식회사 싸이맥스 질소공급을 위한 웨이퍼 이송 자동화모듈 개조 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
KR102218827B1 (ko) * 2019-10-17 2021-02-24 주식회사 쏠락 자동 풍속 유지 기능을 갖는 풍속계
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR102325772B1 (ko) * 2019-10-28 2021-11-12 세메스 주식회사 기판처리장치
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11443966B2 (en) * 2020-01-17 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processing flow field control apparatus and method
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
CN111607783B (zh) * 2020-05-12 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI742826B (zh) * 2020-08-28 2021-10-11 樂華科技股份有限公司 晶圓載具真空移動裝置及其方法
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11854851B2 (en) * 2021-03-05 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interface tool
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102553017B1 (ko) 2021-10-14 2023-07-07 주식회사 저스템 불활성 기체의 공급장치
KR20240044625A (ko) 2022-09-29 2024-04-05 주식회사 저스템 불활성 기체의 안정화 공급장치
KR20240088332A (ko) 2022-12-13 2024-06-20 주식회사 저스템 다채널 불활성 기체의 공급장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049382A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Sinfonia Technology Co Ltd ロードポート、ｅｆｅｍ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0756879B2 (ja) * 1988-03-31 1995-06-14 日鉄セミコンダクター株式会社 半導体の無塵化製造装置
EP0497281B1 (en) * 1991-01-29 1998-12-30 Shinko Electric Co. Ltd. Wafer airtight keeping unit
JP3839555B2 (ja) * 1997-06-05 2006-11-01 高砂熱学工業株式会社 局所密閉型清浄装置
JP3425592B2 (ja) * 1997-08-12 2003-07-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH11251402A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Super Silicon Kenkyusho:Kk 半導体ウエハ搬送装置
JP3375294B2 (ja) 1998-12-17 2003-02-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置、処理システムおよび該装置における清浄エアの供給方法
US6364762B1 (en) * 1999-09-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment
JP2003092244A (ja) 2001-09-17 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4354675B2 (ja) * 2002-06-04 2009-10-28 ローツェ株式会社 薄板状電子部品クリーン移載装置および薄板状電子製品製造システム
KR100486690B1 (ko) 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
KR100505061B1 (ko) * 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
KR100583730B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
JP2007003069A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Hitachi Plant Technologies Ltd ミニエンバイロメント装置及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法
KR20080032963A (ko) * 2006-10-12 2008-04-16 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US9105673B2 (en) * 2007-05-09 2015-08-11 Brooks Automation, Inc. Side opening unified pod
KR20090002933A (ko) * 2007-07-05 2009-01-09 세메스 주식회사 공조 시스템을 갖는 기판 처리 장치
US8186927B2 (en) * 2008-05-27 2012-05-29 Tdk Corporation Contained object transfer system
JP2013143425A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板位置矯正方法
JP5885528B2 (ja) * 2012-02-14 2016-03-15 株式会社安川電機 搬送装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049382A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Sinfonia Technology Co Ltd ロードポート、ｅｆｅｍ

Also Published As

Publication number Publication date
TW201836039A (zh) 2018-10-01
US9704727B2 (en) 2017-07-11
TW202013563A (zh) 2020-04-01
TWI678751B (zh) 2019-12-01
KR20210100055A (ko) 2021-08-13
TWI784799B (zh) 2022-11-21
KR102593779B1 (ko) 2023-10-25
TWI814621B (zh) 2023-09-01
KR20150069526A (ko) 2015-06-23
TW202349607A (zh) 2023-12-16
TWI635552B (zh) 2018-09-11
TW202215623A (zh) 2022-04-16
TW201530680A (zh) 2015-08-01
TWI749397B (zh) 2021-12-11
TW202310251A (zh) 2023-03-01
US20150170945A1 (en) 2015-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102593779B1 (ko) 이에프이엠
JP6349750B2 (ja) Ｅｆｅｍ
KR102459133B1 (ko) 반송실
TWI423915B (zh) 可移動傳送室及包含此可移動傳送室之基板處理裝置
KR102668038B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6599599B2 (ja) Ｅｆｅｍシステム
JP2015115517A (ja) 基板搬送装置及びｅｆｅｍ
KR102663054B1 (ko) 이에프이엠
JP5144207B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JPH09205047A (ja) 処理装置
JP2007095879A (ja) 基板処理装置
JP6583482B2 (ja) Ｅｆｅｍ
JP6853489B2 (ja) Ｅｆｅｍ
JP6299210B2 (ja) 基板搬送装置及びｅｆｅｍ
KR20180072572A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2010153480A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20240094953A (ko) 습도 제어 efem
KR20240093282A (ko) 습도 제어 기능을 포함하는 efem
JP2014067979A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
KR20240108769A (ko) 배기장치를 포함하는 제습 efem

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent