JP6890029B2 - 基板搬送装置及び基板搬送方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の処理装置に対して当該基板を搬送するための搬送装置及び搬送方法に関する。
従来、半導体デバイスの製造プロセスでは、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）に対してレジスト塗布処理、露光処理、現像処理などの一連のフォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムや、ウェハに対してエッチング処理を行うエッチング処理システム、ウェハ上に塗布膜を形成する成膜処理システムなど、各種の基板処理システムが用いられている。
一般に、このような基板処理システムは、例えば複数のウェハを収容可能なカセット（ＦＯＵＰ；Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）が搬出入されるカセットステーションと、ウェハに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーションなどを有している。また、カセットステーションには、カセットからウェハを取り出して処理ステーションに搬入し、さらに所定の処理が終了したウェハを処理ステーションから搬出してカセットに戻すウェハ搬送装置が設けられている。
ウェハ搬送装置では、例えば筐体の内部において、ウェハ搬送機構によりウェハを保持して搬送している。この際、筐体の内部や処理後のウェハから、有機物を含むガス（以下、有機ガス）が発生する場合がある。この有機物は、例えば筐体内のガス中の水分と反応し、筐体内のウェハ搬送機構などの各種機構を腐食してしまう。さらに、このような有機物は筐体外の環境にも悪影響を及ぼすため、当該有機物を含むガスをそのまま筐体の外部に排出することはできない。そこで従来、筐体内に耐腐食性のあるコーティングを施して各種機構を保護するとともに、例えば特許文献１に開示されたようなケミカルフィルタを用いて、筐体内のガス中の有機物を除去した後、当該ガスを外部に排出していた。
一方、特許文献２には、ウェハ搬送装置の内部を窒素ガス雰囲気にすることが開示されている。具体的には、ウェハ搬送装置の筐体上部に設けられたファンフィルタユニット（ＦＦＵ；Ｆａｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ）から、水分を含まない清浄度の高い窒素ガスが供給される。かかる場合、筐体の内部や処理後のウェハからは依然として有機ガスが発生するものの、装置内が窒素ガスで充満されているため、有機物が水分と反応せず、各種機構を腐食するなどの悪影響が抑制される。
特開平１０−２３０１１７号公報 特開２０１７−２８１１０号公報
しかしながら、上述したようにウェハ搬送装置の筐体内をコーティングする場合、この耐腐食性のあるコーティングは高価であるため、装置コストがかかり、またメンテナンスコストも高額になる。
また、上述した特許文献２に開示されたようにウェハ搬送装置の筐体内を窒素ガス雰囲気に維持する場合であっても、筐体の内部から有機ガスが発生し、また連続して搬送される処理後のウェハからも有機ガスが発生するため、窒素ガス雰囲気中において有機ガスの濃度が増加する。そうすると、例えばウェハ搬送装置のメンテナンス時に内部を清浄空気に置換したり大気開放すると、やはり有機物と水分が反応して、筐体内に悪影響を及ぼしてしまう。
さらに、特許文献２に開示されたように筐体内を窒素ガス雰囲気にした場合、有機ガスに含まれる有機物をケミカルフィルタで除去しようとしても、窒素ガスが水分を含まないため、当該有機物を適切に吸着除去することができない。
したがって、ウェハ搬送装置の内部において、有機物を除去して清浄度を保つには改善の余地がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、各種処理装置に対して基板を搬送する搬送装置において、筐体内の雰囲気の清浄度を維持することを目的とする。
上記課題を解決する本発明は、基板の処理装置に対して当該基板を搬送する装置であって、基板を保持して搬送する搬送機構と、前記搬送機構を収容する筐体と、前記筐体内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記筐体から排出されたガスを当該筐体内に戻すガス循環部と、前記筐体から排出されたガス中の異物を除去する異物除去部と、を有し、前記異物除去部は、前記筐体から排出されたガスに水分を付加する加湿部と、前記加湿部で加湿されたガス中に含まれる異物を、当該ガス中の水分を用いて吸着除去するフィルタと、前記フィルタで異物が除去されたガスから水分を除去する除湿部と、前記加湿部と前記除湿部の間に設けられ、内部に水を貯留する水貯留部と、を有し、前記加湿部は、前記水貯留部に貯留された水を利用し、前記除湿部は、当該除湿部で回収された水を前記水貯留部に貯留することを特徴としている。
本発明によれば、筐体内を不活性ガス雰囲気にできるので、異物が水分と反応せず、筐体内への悪影響が抑制され、従来のような高価なコーティングは不要となる。また、筐体内のガスを循環して使用するので、不活性ガスの使用量も削減することができる。
さらに、このように水分を含まない不活性ガスを用いた場合でも、筐体から排出されたガスに加湿部で水分を付加することで、フィルタによりガス中の水分を用いて異物を吸着除去することができる。さらに除湿部において、異物が除去されたガスから水分を除去するので、筐体の内部には、異物が除去され乾燥したガスが戻され、これにより新たに発生する異物と水分の反応を抑制できる。こうして筐体の内部を清浄に維持することがきる。
前記基板搬送装置において、前記ガス供給部は、前記筐体の上面から不活性ガスを供給し、前記異物除去部は、前記筐体の上面側に設けられていてもよい。
前記基板搬送装置において、前記ガス循環部は、前記筐体に接続して設けられ、当該筐体内のガスを循環させる循環配管をさらに有し、前記異物除去部は循環配管に設けられていてもよい。
前記基板搬送装置において、前記ガス循環部は、前記筐体に接続して設けられ、当該筐体内のガスを循環させる循環配管と、前記循環配管から分岐して接続されるバイパス配管と、をさらに有し、前記異物除去部はバイパス配管に設けられていてもよい。
別な観点による本発明は、基板の処理装置に対して当該基板を搬送する装置であって、基板を保持して搬送する搬送機構と、前記搬送機構を収容する筐体と、前記筐体内に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記筐体から排出されたガスを当該筐体内に戻すガス循環部と、前記筐体から排出されたガス中の異物を除去する異物除去部と、を有し、前記異物除去部は、前記筐体から排出されたガスに水分を付加する加湿部と、前記加湿部で加湿されたガス中に含まれる異物を、当該ガス中の水分を用いて吸着除去するフィルタと、前記フィルタで異物が除去されたガスから水分を除去する除湿部と、を有し、前記ガス循環部は、前記筐体に接続して設けられ、当該筐体内のガスを循環させる循環配管と、前記循環配管から分岐して接続されるバイパス配管と、をさらに有し、前記異物除去部はバイパス配管に設けられていることを特徴としている。
別な観点による本発明は、基板の処理装置に対し、筐体内に収容された搬送機構により基板を保持して搬送する方法であって、前記筐体内に不活性ガスを供給するガス供給工程と、前記筐体から排出されたガスを当該筐体内に戻すガス循環工程と、前記筐体から排出されたガス中の異物を除去する異物除去工程と、を有し、前記異物除去工程は、加湿部と除湿部の間に設けられた水貯留部に水を貯留する工程と、前記加湿部により、前記筐体から排出されたガスに水分を付加する加湿工程と、前記加湿工程で加湿されたガスをフィルタに通過させ、当該ガス中の水分を用いて異物を吸着除去する異物除去工程と、前記除湿部により、前記異物除去工程で異物が除去されたガスから水分を除去する除湿工程と、を有することを特徴としている。
各種処理装置に対して基板を搬送する搬送装置において、筐体内の雰囲気の清浄度を維持することができる。
本実施形態の大気圧搬送装置を備えた基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。 本実施形態の大気圧搬送装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態の異物除去部の構成の概略を模式的に示す説明図である。 他の実施形態の大気圧搬送装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施形態の大気圧搬送装置の構成の概略を示す縦断面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜基板処理システムの構成＞
先ず、本発明の基板搬送装置としての大気圧搬送装置を備えた基板処理システムの構成について説明する。図１は、基板処理システム１の構成の概略を示す平面図である。基板処理システム１では、基板としての半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷ）に対して、例えば成膜処理、拡散処理、エッチング処理などの所定の処理を施す。
基板処理システム１は、複数のウェハＷを収容可能なカセットＣが搬出入されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１とを一体に接続した構成を有している。カセットステーション１０と処理ステーション１１は、２つのロードロック装置１２、１３を介して連結されている。ロードロック装置１２、１３は、後述する大気圧搬送装置２０と真空搬送装置３０を連結するように設けられている。ロードロック装置１２、１３は、その内部を、大気圧状態と真空状態とに切り替えられるように構成されている。
カセットステーション１０は、大気圧搬送装置２０とカセット載置台２１を有している。なお、カセットステーション１０には、さらにウェハＷの向きを調節するオリエンタ（図示せず）が設けられていてもよい。
大気圧搬送装置２０は、ウェハ搬送機構１０１によってウェハＷを大気圧の状態で搬送する。なお、この大気圧搬送装置２０の構成は後述する。
カセット載置台２１は、大気圧搬送装置２０において、ロードロック装置１２、１３の反対側の側面に設けられている。図示の例では、カセット載置台２１には、カセットＣを複数、例えば３つ載置できるようになっている。
処理ステーション１１は、真空搬送装置３０と処理装置４０〜４３を有している。
真空搬送装置３０は、例えば平面視において略多角形状（図示の例では六角形状）をなすように形成された密閉可能な構造の筐体３１を有している。真空搬送装置３０は、筐体３１内を所定の減圧雰囲気（真空状態）に維持可能に構成されている。また、筐体３１内には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構３２が設けられている。ウェハ搬送機構３２は、ウェハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム３２ａ、３２ｂを有しており、これら搬送アーム３２ａ、３２ｂのいずれかによってウェハＷを保持しながら搬送する構成となっている。
筐体３１の外側には、処理装置４０〜４３、ロードロック装置１２、１３が、筐体３１の周囲を囲むように配置されている。ロードロック装置１２、処理装置４０〜４３、ロードロック装置１３は、例えばロードロック装置１２から平面視において時計回転方向にこの順に並ぶように、また、筐体３１の側面部に対してそれぞれ対向するようにして配置されている。
処理装置４０〜４３は、ウェハＷに対して、例えば成膜処理、拡散処理、エッチング処理などの所定の処理を施す。また、処理装置４０〜４３はそれぞれ、その内部を所定の減圧雰囲気（真空状態）に維持可能に構成されている。なお、処理装置４０〜４３には、ウェハ処理の目的に応じた処理を行う装置を、任意に選択することができる。
以上の基板処理システム１には、制御部５０が設けられている。制御部５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部５０にインストールされたものであってもよい。
＜基板処理システムにおけるウェハ処理＞
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いたウェハ処理について説明する。
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、カセット載置台２１に載置される。その後、ウェハ搬送機構１０１によって、カセットＣから１枚のウェハＷが取り出され、ロードロック装置１２内に搬入される。ロードロック装置１２内にウェハＷが搬入されると、ロードロック装置１２内が密閉され、減圧される。その後、ロードロック装置１２内と大気圧に対して減圧された状態（真空状態）の筐体３１内とが連通させられる。そして、ウェハ搬送機構３２によって、ウェハＷがロードロック装置１２から搬出され、筐体３１内に搬入される。
筐体３１に搬入されたウェハＷは、次に処理装置４０〜４３のいずれかに搬送され、所定の処理が施される。
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構３２によって再び筐体３１内に戻される。そして、ロードロック装置１３を介してウェハ搬送機構１０１に受け渡され、カセットＣに収納される。その後、ウェハＷを収納したカセットＣが基板処理システム１から搬出されて一連のウェハ処理が終了する。
＜大気圧搬送装置の構成＞
次に、上述した大気圧搬送装置２０の構成について説明する。図２は、大気圧搬送装置２０の構成の概略を示す縦断面図である。
大気圧搬送装置２０は、内部を密閉可能な構造の筐体１００を有している。筐体１００内には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構１０１が設けられている。ウェハ搬送機構１０１は、ウェハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム１０１ａ、１０１ｂを有している。搬送アーム１０１ａ、１０１ｂはそれぞれ、水平方向に伸縮及び旋回可能に構成されている。また、ウェハ搬送機構１０１は、搬送アーム１０１ａ、１０１ｂの下方に設けられた昇降部１０１ｃを有している。昇降部１０１ｃによって、搬送アーム１０１ａ、１０１ｂはそれぞれ鉛直方向に昇降自在に構成されている。そして、ウェハ搬送機構１０１は、搬送アーム１０１ａ、１０１ｂのいずれかによってウェハＷを保持しながら搬送する構成となっている。
筐体１００には、その内部に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給するガス供給部１１０と、筐体１００内にガスをダウンフローで供給するＦＦＵ（Ｆａｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ）１２０と、筐体１００内のガスを排出するガス排出部１３０と、筐体１００から排出されたガスを循環させるガス循環部１４０と、筐体１００から排出されたガス中の異物を除去する異物除去部１５０とが設けられている。なお、本実施形態では、不活性ガスとして窒素ガスを用いたが、アルゴンガスなどの他のガスを用いてもよい。
ガス供給部１１０には、内部に当該ガス供給部１１０に窒素ガスを供給する供給管１１１が接続されている。供給管１１１は、内部に窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源１１２に連通している。また、供給管１１１には、窒素ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１１３が設けられている。
ＦＦＵ１２０は、ファンユニット１２１とフィルタユニット１２２を有している。ファンユニット１２１とフィルタユニット１２２は、上方からこの順で配置されている。ファンユニット１２１には、下方へ向けてガスを送出するファン（図示せず）を備えている。フィルタユニット１２２は、例えばＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ）フィルタを備え、ファンユニット１２１を通過したガス中の塵埃を集塵する。そして、ＦＦＵ１２０は、ガス供給部１１０から供給された窒素ガスを筐体１００内に供給し、当該筐体１００内にガスのダウンフローを形成する。
ガス排出部１３０は、筐体１００の下部に接続される排気管１３１を有している。排気管１３１には、ガスの流量を調節しながらガスを筐体１００の外部に排出する流量可変バルブ１３２が設けられている。
ガス循環部１４０は、筐体１００の下部とＦＦＵ１２０を接続する循環配管１４１を有している。循環配管１４１におけるガス排出口１４１ａには、ファン１４２が設けられている。ファン１４２は、筐体１００内のガスを、循環配管１４１を介してＦＦＵ１２０のファンユニット１２１へ循環させる。このようにガス循環機構を設けることによって、筐体１００で使用する窒素ガスの使用量の削減を図っている。
異物除去部１５０は、筐体１００から排出されたガス中に含まれる、異物としての有機物を除去するため、加湿部１６０、ケミカルフィルタ１７０、及び除湿部１８０を有している。加湿部１６０、ケミカルフィルタ１７０、及び除湿部１８０は、ＦＦＵ１２０のファンユニット１２１の内部に設けられ、ガスの流れの上流側から下流側に向けてこの順で設けられている。
図３は、異物除去部１５０の構成の概略を模式的に示す説明図である。図３に示すように加湿部１６０と除湿部１８０の間には、内部に液体状の水を貯留する水貯留部１９０が設けられている。なお、図中において、網掛の太矢印は乾燥したガスの流れを示し、斜線の太矢印は湿ったガスの流れを示し、白抜きの太矢印は液体状の水の流れを示す。
加湿部１６０の構成は任意であるが、本実施形態では例えば気化式を用いた場合について説明する。かかる場合、加湿部１６０は、気化フィルタ１６１を有している。気化フィルタ１６１は、その一端部１６１ａが水貯留部１９０の水に浸漬している。そして、一端部１６１ａから他端部１６１ｂに向けて毛細管現象により水が吸い上げられ、さらに他端部１６１ｂ側の気化フィルタ１６１に乾燥したガスを通過させることで水が蒸発する。こうして、筐体１００から排出されて気化フィルタ１６１を通過したガスに水分が付加される。
ケミカルフィルタ１７０は、加湿部１６０で加湿されたガス中に含まれる有機物を、当該ガス中の水分を用いて吸着除去する。なお、本実施形態において、異物は例えば有機物であるが、これに限定されるものではない。どのような種類の異物であっても、適宜ケミカルフィルタ１７０の種類を変更することで当該異物を除去することができる。
除湿部１８０の構成は任意であるが、本実施形態では例えばデシカント式を用いた場合について説明する。かかる場合、除湿部１８０は、乾燥剤１８１、加熱機構１８２、及び熱交換器１８３を有している。乾燥剤１８１は略円板形状を有し、回転可能に構成され、さらにその上部１８１ａをガスが通過するように配置されている。乾燥剤１８１には、例えばゼオライトが用いられる。乾燥剤１８１の下部１８１ｂには、加熱機構１８２が近接して設けられている。加熱機構１８２には、例えばヒータが用いられる。
除湿部１８０では、ケミカルフィルタ１７０で有機物が除去されたガスを、回転中の乾燥剤１８１の上部１８１ａに通過させ、当該ガスから水分を除去する。このように水分が除去されたガスは、循環配管１４１を介して筐体１００内に戻される。一方、水分を含んだ乾燥剤１８１は下部１８１ｂに移動し、加熱機構１８２によって加熱される。そうすると、乾燥剤１８１に含まれていた水が蒸発し、水蒸気として飛ばされる。この水蒸気は、さらに熱交換器１８３において冷却され、液体状の水に戻され水貯留部１９０に貯留される。
水貯留部１９０は、例えば内部に水を貯留可能なタンクである。そして、上述したように除湿部１８０で除去された水が水貯留部１９０に貯留され、さらにこの水が加湿部１６０で再利用される。したがって、水を有効利用して、その使用量を削減することができる。
＜大気圧搬送装置におけるガス制御＞
次に、以上のように構成された大気圧搬送装置２０における、ガスの制御について説明する。
先ず、装置の立ち上げ時、すなわち通常操業を行う前に、筐体１００内の雰囲気を窒素ガスに置換する。具体的には、ガス供給部１１０からＦＦＵ１２０を介して筐体１００内に窒素ガスを供給するとともに、ガス排出部１３０から筐体１００内のガスを排出する。こうして、筐体１００内の雰囲気が窒素ガスに置換される。この際、ガス循環部１４０を用いたガス循環は行わない。
次に、通常操業では、筐体１００の内部や処理後のウェハから有機物を含む有機ガスが発生するが、筐体１００内が窒素ガス雰囲気に維持されているため、有機物と水分が反応せず、筐体１００内への悪影響が抑制される。一方で、このような有機物は、例えばメンテナンス時に筐体１００内が清浄空気に置換されたり大気開放されると、水分と反応してしまう。そこで、筐体１００内のガスをガス循環部１４０に循環させ、さらに異物除去部１５０において有機物を除去してガスを清浄化する。なおこの際、原則、ガス供給部１１０からの窒素ガスの供給を停止し、ガス排出部１３０からのガスの排出も停止する。これにより、窒素ガスの使用量を削減することができ、ランニングコストを下げることができる。
ガス循環部１４０では、ファン１４２によって筐体１００内のガスが循環配管１４１に流れる。そして、このガスはＦＦＵ１２０に流れ、異物除去部１５０において、先ず加湿部１６０によってガスに水分が付加される。その後、加湿されたガスはケミカルフィルタ１７０を通過し、当該ガス中の水分を用いて有機物が吸着除去される。その後、有機物が除去されたガスは、除湿部１８０において水分が除去される。そして、有機物が除去され乾燥したガスは、再び筐体１００内に戻される。このように筐体１００内に戻されるガスは水分が除去されているので、やはり有機物と水分の反応を抑制することができる。こうして、筐体１００の内部が清浄に維持される。
以上のように本実施形態によれば、窒素ガスを循環利用することでその使用量を削減しつつ、筐体１００の内部を適切な清浄度に維持することができる。
＜大気圧搬送装置２０の他の実施形態＞
次に、大気圧搬送装置２０の他の実施形態について説明する。
上記実施形態の大気圧搬送装置２０では、異物除去部１５０の加湿部１６０、ケミカルフィルタ１７０及び除湿部１８０は、ＦＦＵ１２０の内部に設けられていたが、これらの配置は上記実施形態に限定されない。
例えば図４に示すように、加湿部１６０、ケミカルフィルタ１７０及び除湿部１８０は、循環配管１４１に設けられていてもよい。かかる場合でも、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。また、異物除去部１５０は、筐体１００内に近い位置、すなわち循環配管１４１のより上流側に配置するのが好ましい。このように異物除去部１５０を循環配管１４１の上流側に配置することで、有機物濃度が高い雰囲気への循環配管１４１の暴露エリアを小さくすることができ、その結果、循環配管１４１において腐食されるエリアを小さくしてパーティクルの発生を抑制することができる。
また、例えば図５に示すように循環配管１４１から分岐して接続されるバイパス配管２００を設け、このバイパス配管２００に、加湿部１６０、ケミカルフィルタ１７０及び除湿部１８０を設けてもよい。かかる場合、バイパス配管２００において、加湿部１６０の上流側にはバルブ２０１が設けられ、除湿部１８０の下流側にもバルブ２０２が設けられる。また、バイパス配管２００において加湿部１６０の上流側には、ファン２０３が設けられる。
ガス循環部１４０を循環するガスの流量（以下、循環量）が、ケミカルフィルタ１７０で処理可能なガスの流量（以下、処理量）より大きい場合、図２に示したようにケミカルフィルタ１７０をＦＦＵ１２０の内部に配置すると、ガスを適切に循環させることはできない。同様に図４に示したようにケミカルフィルタ１７０をガス循環部１４０に配置することもできない。そこで、このような場合には、バイパス配管２００を設け、ケミカルフィルタ１７０で処理可能な流量のガスのみをバイパス配管２００に流す。
また、バイパス配管２００には加湿部１６０、ケミカルフィルタ１７０及び除湿部１８０を設けているので、循環配管１４１に比べてバイパス配管２００の方が圧力損失が大きい。そこで、バイパス配管２００に適切にガスを流すため、ファン２０３を用いる。
バルブ２０１、２０２は、例えばケミカルフィルタ１７０の交換時に、バイパス配管２００にガスが流れないようにするために設けられる。これらバルブ２０１、２０２によって、通常操業を停止せずに、ケミカルフィルタ１７０を交換することができるので、ウェハ処理のダウンタイムを削減することができる。
そして、本実施形態のガス循環部１４０では、ファン１４２によって筐体１００内のガスが循環配管１４１に流れ、さらにファン２０３によって循環配管１４１内のガスがバイパス配管２００に流れる。バイパス配管２００では、加湿部１６０によるガスの加湿、ケミカルフィルタ１７０による有機物の除去、除湿部１８０によるガスの除湿が順に行われ、有機物が除去され乾燥したガスは、再び循環配管１４１を介して筐体１００内に戻される。こうして、筐体１００の内部が清浄に維持される。
なお、循環配管１４１からバイパス配管２００にガスが流れる際、循環量から処理量を差し引いた量のガスが循環配管１４１にも流れる。このガスは有機物が除去されずに筐体１００内に戻されることになるが、繰り返し循環させることで、有機物は徐々に除去され、最終的には筐体１００の内部は清浄に維持される。
以上のように本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
上記実施形態では、基板処理システムが減圧雰囲気（真空状態）でウェハを処理する場合について説明したが、基板処理システムは、例えばレジスト塗布処理、露光処理、現像処理などの一連のフォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムでもよい。大気圧の雰囲気下で基板を搬送する装置であれば、本発明の基板搬送装置（大気圧搬送装置）を適用することができる。
また本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
本発明は、基板を大気圧状態で搬送する際に適用でき、特に半導体デバイスの製造プロセスで用いられる基板処理システムにおいて、基板を搬送する際に有用である。
１ 基板処理システム
２０ 大気圧搬送装置
１００ 筐体
１０１ ウェハ搬送機構
１１０ ガス供給部
１２０ ＦＦＵ
１３０ ガス排出部
１４０ ガス循環部
１４１ 循環配管
１５０ 異物除去部
１６０ 加湿部
１６１ 気化フィルタ
１７０ ケミカルフィルタ
１８０ 除湿部
１８１ 乾燥剤
１８２ 加熱機構
１８３ 熱交換器
１９０ 水貯留部
２００ バイパス配管
Ｗ ウェハ

Claims (6)

  1. 基板の処理装置に対して当該基板を搬送する装置であって、
    基板を保持して搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構を収容する筐体と、
    前記筐体内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
    前記筐体から排出されたガスを当該筐体内に戻すガス循環部と、
    前記筐体から排出されたガス中の異物を除去する異物除去部と、を有し、
    前記異物除去部は、
    前記筐体から排出されたガスに水分を付加する加湿部と、
    前記加湿部で加湿されたガス中に含まれる異物を、当該ガス中の水分を用いて吸着除去するフィルタと、
    前記フィルタで異物が除去されたガスから水分を除去する除湿部と、
    前記加湿部と前記除湿部の間に設けられ、内部に水を貯留する水貯留部と、を有し、
    前記加湿部は、前記水貯留部に貯留された水を利用し、
    前記除湿部は、当該除湿部で回収された水を前記水貯留部に貯留することを特徴とする、基板搬送装置。
  2. 前記ガス供給部は、前記筐体の上面から不活性ガスを供給し、
    前記異物除去部は、前記筐体の上面側に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板搬送装置。
  3. 前記ガス循環部は、前記筐体に接続して設けられ、当該筐体内のガスを循環させる循環配管をさらに有し、
    前記異物除去部は循環配管に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板搬送装置。
  4. 前記ガス循環部は、前記筐体に接続して設けられ、当該筐体内のガスを循環させる循環配管と、前記循環配管から分岐して接続されるバイパス配管と、をさらに有し、
    前記異物除去部はバイパス配管に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板搬送装置。
  5. 基板の処理装置に対して当該基板を搬送する装置であって、
    基板を保持して搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構を収容する筐体と、
    前記筐体内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
    前記筐体から排出されたガスを当該筐体内に戻すガス循環部と、
    前記筐体から排出されたガス中の異物を除去する異物除去部と、を有し、
    前記異物除去部は、
    前記筐体から排出されたガスに水分を付加する加湿部と、
    前記加湿部で加湿されたガス中に含まれる異物を、当該ガス中の水分を用いて吸着除去するフィルタと、
    前記フィルタで異物が除去されたガスから水分を除去する除湿部と、を有し、
    前記ガス循環部は、前記筐体に接続して設けられ、当該筐体内のガスを循環させる循環配管と、前記循環配管から分岐して接続されるバイパス配管と、をさらに有し、
    前記異物除去部はバイパス配管に設けられていることを特徴とする、基板搬送装置。
  6. 基板の処理装置に対し、筐体内に収容された搬送機構により基板を保持して搬送する方法であって、
    前記筐体内に不活性ガスを供給するガス供給工程と、
    前記筐体から排出されたガスを当該筐体内に戻すガス循環工程と、
    前記筐体から排出されたガス中の異物を除去する異物除去工程と、を有し、
    前記異物除去工程は、
    加湿部と除湿部の間に設けられた水貯留部に水を貯留する工程と、
    前記加湿部により、前記筐体から排出されたガスに水分を付加する加湿工程と、
    前記加湿工程で加湿されたガスをフィルタに通過させ、当該ガス中の水分を用いて異物を吸着除去する異物除去工程と、
    前記除湿部により、前記異物除去工程で異物が除去されたガスから水分を除去する除湿工程と、を有することを特徴とする、基板搬送方法。
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