JP2007242702A - 基板処理装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】処理モジュールに対して基板搬送手段により基板の受け渡しを行なう基板処理装置において、基板へのパーティクルの付着を抑えること。
【解決手段】メインアームＡ３の最上段の保持アーム５１の上に第１の吸引孔６２が形成された整流板６１を設けると共に、この整流板６１の上に第１の通気空間６３を介して案内板６４を設け、前記第１の通気空間６３において、保持アーム５１の先端側のガスノズル７から、保持アーム５１の基端側の第１の吸引口６６に気体を通流させることにより、エジェクタ効果で整流板６１の下方側から第１の吸引孔６２及び第１の通気空間６３を介して前記第１の吸引口６６に吸引される気流を形成する。保持アーム５１に保持されたウエハＷの表面では上方側に流れる気流が発生し、搬送領域Ｒ１内のパーティクルが第１の通気空間６３内に引き込まれ、このため搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着が防止される。
【選択図】図５

Description

本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等の基板処理を行う基板処理装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。

このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。この装置の一例として、特許文献１に示すように、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに各々搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を低減して、搬送効率を高め、これによりレジストパターン形成装置のスループットを高める構成が提案されている。

この装置は、例えば図１６に示すように、塗布処理部１０と現像処理部１１とを上下に配置し、夫々の処理部では、横方向に伸びる搬送通路１２Ａ，１２Ｂの両側に、夫々所定のモジュール１３，１４が配列され、搬送通路１２Ａ，１２Ｂ内では搬送手段１５，１６が横方向に動いて、各モジュール１３，１４に対して基板の受け渡しが行われるようなっている。図中１７は、基板のロード／アンロードが行われるポートであり、１８は、図示しない露光システムとの間で基板の受け渡しを行なうためのインターフェイス部である。

ところで一般的に、レジストパターン形成装置では、基板の搬送エリアにおいて、当該エリアの上方側に清浄な気体を供給するためのフィルタユニットを設けると共に、下方側に排気路を設け、前記エリアに清浄な気体のダウンフローを形成し、この気流と共にパーティクルを装置外部へ排出することによって、搬送中の基板へのパーティクルの付着を抑えている。

しかしながら上述の図１６に示すタイプの装置では、搬送手段１５，１６は搬送通路１２Ａ，１２Ｂに沿って横方向に移動しなければならず、移動距離が長いため、スループットの向上を図るためには前記搬送手段１５，１６の高速化が要求されている。このため搬送手段１５，１６の移動に伴ってパーティクルが発生し、これが巻き上がる場合がある。また装置内では、搬送通路１２Ａ，１２Ｂがクリーンルームよりも陽圧になるように圧力制御が行われているが、この制御が乱れたり、装置内に僅かな隙間が生じる場合があり、このようなときには乱流が発生し、パーティクルが巻き上がりやすくなる。ここで上述の装置では、塗布処理部１０と現像処理部１１とが多段化されており、各処理部の高さが低く設定され、搬送エリアが狭いことから、当該搬送エリアと床面が接近しており、一旦パーティクルが巻き上がると搬送中の基板に付着しやすい。

ここで基板へのパーティクルの付着を抑えながら基板を搬送する手法として、特許文献２の構成が提案されている。これは、搬送路に沿って移動可能な搬送方向移動体に、回転軸を介して収容ボックスを設け、この収容ボックスの内部に基板を収容した状態で、当該基板の搬送を行うという技術である。しかしながら、前記収容ボックスは、基板の受け渡しを行う基板受け渡し部材を囲むように設けられていることから、ある程度の大きさが必要であり、基板搬送装置が大型化してしまう。このため処理部の多段化が進み、さらに搬送エリアが縮小された場合には、適用が難しくなってしまう。また前記収容ボックスは、基板の受け渡し用の開口部を塞ぐ蓋体を備えているが、処理モジュールとの間で基板の受け渡しを行なう度に、前記蓋体の開閉を行う構成では、この開閉作業という余分の工程が必要となり、搬送効率の面から好ましくない。

特許第３３３７６７７号公報（段落００１６ 図３） 特開２００２−８３８５４号公報（段落００４６〜００４９ 図２、図５）

本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、基板搬送手段により処理モジュールに対して基板の受け渡しが行われる基板処理装置において、基板へのパーティクルの付着を抑える技術を提供することにある。

このため本発明の基板処理装置は、基台に各々進退自在に設けられ、基板を保持するための複数枚の保持アームを備えた基板搬送手段により、基板に対して処理を行う処理モジュールに対して基板の受け渡しを行う基板処理装置において、
前記基板搬送手段の最上段の保持アームの上に、当該保持アームと対向するように設けられ、多数の第１の吸引孔が形成された整流板と、
前記基板搬送手段の基台に、前記整流板の上に、この整流板と対向するように第１の通気空間を介して設けられた案内板と、
前記第１の通気空間における保持アームの先端側から基端側へ気体を通流させるための第１の気体吹き出し口と、
前記通気空間における保持アームの基端側に開口する第１の吸引口と、
この第１の吸引口に接続される吸引路と、を備え、
前記第１の通気空間において第１の気体吹き出し口から第１の吸引口に気体を通流させることにより、エジェクタ効果によって整流板の下方側から第１の吸引孔及び第１の通気空間を介して前記第１の吸引口に吸引される気流を形成することを特徴とする。

ここで前記処理モジュールは、複数個が横方向に配列されると共に、配列された処理モジュール群が複数個積層され、また処理モジュール群の下方側には、処理モジュール群の配列に対応して横方向に伸びる基板の搬送領域に開口し、負圧に接続される排気室が設けられ、基板搬送手段は前記基板の搬送領域に沿って移動自在にかつ昇降自在に構成された基台を備え、前記吸引路は前記排気室に開口しているか、または排気室に臨む位置に開口しているように構成してもよい。

また前記基板処理装置は、前記搬送領域の床面に形成された多数の第２の吸引孔と、前記搬送領域の床面の下方側に第２の通気空間を介して配置された案内プレートと、前記第２の通気空間の一端側から他端側へ気体を通流させるための第２の気体吹き出し口及び第２の吸引口と、この第２の吸引口に接続される吸引路と、を備え、第２の気体吹き出し口から第２の吸引口に気体を通流させることにより、エジェクタ効果によって第２の吸引孔及び第２の通気空間を介して第２の吸引口に吸引される気流を形成するものであってもよい。

ここで前記基板搬送手段の保持アームに保持される基板を囲む領域の上方側に設けられ、気体を下方側に吹き出すことにより、前記基板の周囲に気体カーテンを形成するための気体供給手段をさらに設けるようにしてもよいし、この気体供給手段は、イオナイザーが組み合わせて設けられているものであってもよい。また前記整流板に形成される第１の吸引孔は、前記保持アームの進退方向に沿った直径近傍領域においては、前記保持アームの基端側が上側になるように傾斜して形成するようにしてもよいし、さらに前記保持アームの進退方向に沿った直径近傍領域の外側領域においては、前記直径近傍領域に向けて上側に傾斜するように形成するようにしてもよい。

また本発明の基板搬送方法は、基台に各々進退自在に設けられ、基板を保持するための複数枚の保持アームを備えた基板搬送手段により、基板に対して処理を行う処理モジュールに対して基板の受け渡しを行う基板搬送方法において、
前記基板搬送手段の最上段の保持アームの上に、多数の第１の吸引孔が形成された整流板を設けると共に、この整流板の上に、この整流板と対向するように第１の通気空間を介して案内板を設け、
前記第１の通気空間において、保持アームの先端側から基端側へ気体を通流させることにより、エジェクタ効果によって整流板の下方側から第１の吸引孔及び第１の通気空間を介して前記第１の吸引口に吸引される気流を形成しながら、
前記保持アームに基板を保持させて、前記処理モジュールの間で基板の搬送を行うことを特徴とする。

さらに本発明の基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体は、前記コンピュータプログラムが、前記基板搬送方法を実施するためのステップ群を備えていることを特徴とする。

基板搬送手段の最上段の保持アームの上に多数の第１の吸引孔が形成された整流板を設けると共に、この整流板の上に第１の通気空間を介して案内板を設け、前記第１の通気空間において第１の気体吹き出し口から第１の吸引口に気体を通流させることにより、エジェクタ効果によって整流板の下方側から第１の吸引孔及び第１の通気空間を介して前記第１の吸引口に吸引される気流を形成しているので、保持アームに保持された基板の表面では、基板から上方側に向かう気流が発生する。これにより前記搬送領域内のパーティクルが基板の表面から第１の通気空間内に引き込まれるので、基板搬送手段により搬送中の基板へのパーティクルの付着が防止される。

先ず本発明の基板処理装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。

前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１の受け渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、現像処理を行うための第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第４の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４として割り当てられており、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は夫々区画されている。

これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、夫々同様に構成され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための加熱モジュールや冷却モジュール等の各種の処理モジュールと、前記液処理モジュールと各種の処理モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ４と、を備えていて、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の間で、前記液処理モジュールと、加熱・冷却系のモジュールと、メインアームＡ１〜Ａ４との配置レイアウトが同じになるように構成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理モジュールにおけるウエハＷを載置する中心が同じという意味である。

また、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣと各メインアームＡ１〜Ａ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられている。この棚ユニットＵ２には、例えば単位ブロック毎に受け渡しステージ、つまり例えばＤＥＶ層Ｂ１，ＢＣＴ層Ｂ２，ＣＯＴ層Ｂ３，ＴＣＴ層Ｂ４の各々に、受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ３，ＴＲＳ４が夫々設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡しアームＤにより、棚ユニットＵ２に設けられた各受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ４に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。さらにまた、ＤＥＶ層Ｂ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、図３に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ３が設けられており、この棚ユニットＵ３は受け渡しステージＴＲＳ１１を備えている。

一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、前記ＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１１と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＢが設けられている。

このようなこのレジストパターン形成装置において、第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合のウエハＷの流れについて簡単に説明すると、外部からキャリアブロック２１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣによりＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１、受け渡しアームＤを介してＢＣＴ層Ｂ２に受け渡され、ここで所定のモジュールに順次搬送されて第１の反射防止膜が形成される。

続いてウエハＷは、ＢＣＴ層Ｂ２から棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ２、受け渡しアームＤ、受け渡しステージＴＲＳ３を介してＣＯＴ層Ｂ３に受け渡され、ここで所定のモジュールに順次搬送されて第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。次いでウエハＷは、ＣＯＴ層Ｂ３から棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ３、受け渡しアームＤ、受け渡しステージＴＲＳ４を介してＴＣＴ層Ｂ４に受け渡され、ここで所定のモジュールに順次搬送されてレジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。

この後、ウエハＷは、ＴＣＴ層Ｂ４から棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ４、受け渡しアームＤ、受け渡しステージＴＲＳ１を介してＤＥＶ層Ｂ１に搬送され、さらに棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１１、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢを介して露光装置Ｓ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、逆の経路でＤＥＶ層Ｂ１に搬送され、所定のモジュールに順次搬送されて現像処理が行われる。こうして、現像処理が行われたウエハＷは、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１を介して、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。

続いて前記単位ブロックＢ１〜Ｂ４の構成について、ＣＯＴ層Ｂ３を例にして説明する。このＣＯＴ層Ｂ３のほぼ中央には、図１に示すように、ＣＯＴ層Ｂ３の長さ方向（図１中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理モジュールとして、レジスト液の塗布を行うための複数個の塗布処理部を備えた塗布ユニット３１が設けられている。

この塗布ユニット３１は、この例では３個の塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃが共通の処理容器３０の内部に、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ方向に配列した状態で収納されている。各塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃは、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液であるレジスト液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることによりレジストをウエハＷの全面に供給することにより、ウエハＷの表面にレジスト液を塗布するように構成されている。前記処理容器３０は、各塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃに対応する位置にウエハＷの搬送口３３Ａ〜３３Ｃ（図４参照）を備えており、ウエハＷは各々の搬送口３３Ａ〜３３Ｃを介して対応する塗布処理部３２Ａ〜３２ＣとメインアームＡ３との間で搬送される。

また、この塗布ユニット３１の搬送領域Ｒ１の向い側には、処理モジュールを例えば２段×４列に設けた棚ユニットＵ１が設けられており、この図では塗布ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理モジュールが設けられている。上述の各種処理モジュールの中には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱処理する加熱モジュール（ＣＨＰ）やウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュール（ＣＯＬ）、疎水化処理モジュール（ＡＤＨ）等を備えている。

前記加熱モジュール（ＣＨＰ）としては、例えば図１に示すように、加熱プレート３４と、搬送アームを兼用する冷却プレート３５とを備え、メインアームＡ１〜Ａ４と加熱プレート３４との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート３５により行なう、つまり加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられる。また冷却モジュール（ＣＯＬ）としては、例えば水冷方式にて冷却される冷却プレートを備える装置が用いられる。これら加熱モジュール（ＣＨＰ）や冷却モジュール（ＣＯＬ）等の各モジュールは、例えば図４に示すように、夫々処理容器３６内に収納されており、各処理容器３６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３７が形成されている。

ここで塗布ユニット３１の各塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃは夫々処理モジュールとして機能するので、塗布ユニット３１は複数個の処理モジュールが横方向に配列された処理モジュール群に相当すると共に、前記棚ユニットＵ１も複数個の処理モジュールが横方向に配列された処理モジュール群に相当する。従って前記塗布ユニット３１と棚ユニットＵ１との間に伸びる搬送領域Ｒ１は、これらの処理モジュールの配列に対応して横方向に伸びる搬送領域に相当する。

前記棚ユニットＵ１は既述のように横方向に配列された処理モジュール群が複数段この例では２段積層されており、図５及び図６に示すように排気ユニット４の上部に設けられている。この排気ユニット４は筐体４０を備えており、筐体４０には排気用の開口部である吸引口４１が搬送領域Ｒ１に面して設けられている。また筐体４０の内部には前記搬送領域Ｒ１に沿って排気室４２が形成され、当該排気室４２の内部には後述の昇降ガイドレールを移動させるための駆動部が設けられている。当該駆動部は、図７に示すように排気室４２内の長手方向（Ｙ方向）の両端部に夫々設けられた、水平軸周りに回転する駆動プーリ４３と従動プーリ４４と、両プーリの間に掛けられた駆動ベルト４５と、を備え、モータを含む駆動機構４６により駆動プーリ４３が回転され、この動きに合わせて駆動ベルト４５が循環するように構成されている。

このような排気室４２の奥側は例えば電装ユニット（図示せず）の収納室４Ｂとなっており、当該収納室４Ｂと排気室４２との間は隔壁４７により仕切られている。隔壁４７には例えば搬送領域Ｒ１に沿って間隔をおいて複数の排気口４８が開口し、当該排気口４８は夫々吸引排気路として設けられた排気管４９と連通している。排気管４９は例えば電装ユニットの間を通って、筐体４０の外部へと伸長している。夫々の排気管４９には、ファン４ＣとバルブＶが、上流側からこの順序で介設され、その端部は例えば工場の排気路に接続されている。

前記ファン４Ｃは前記排気室４２内を負圧に維持するものであって、例えば後述の制御部１００により回転数が制御されることで吸引排気量を調節できるように構成されており、例えば工場排気側の排気能力が小さく、設定どおりの排気量が確保できない場合には、ファン４Ｃを設けて強制排気を行うことは有効である。この場合ファン４Ｃは搬送領域Ｒ１がクリーンルームよりも陽圧雰囲気となるように排気量がコントロールされる。またファン４Ｃの回転数を一定にしておいて前記バルブＶの開度を調節することで吸引排気量が調節されるように構成してもよいし、あるいは当該バルブＶの代わりにダンパーを設けて当該ダンパーにより吸引排気量を調節してもよい。更にまた工場の排気能力が大きく、強制排気手段を設けなくても設計通り以上の排気量を確保できる場合には強制排気手段を設けずに、バルブやダンパーの開度を調節し、搬送領域Ｒ１がクリーンルームよりも陽圧になるようにコントロールしてもよい。

続いて前記搬送領域Ｒ１に設けられた基板搬送手段であるメインアームＡ３について説明する。このメインアームＡ３は、当該ＣＯＴ層Ｂ３内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１の各モジュール、塗布ユニット３１、棚ユニットＵ２との各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。

このメインアームＡ３は、図５〜図８に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム５１，５２を備えており、これら保持アーム５１，５２は基台５３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台５３は、搬送基体５５上に回転機構５４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。メインアームＡ３は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるガイド部材であるガイドレール５６を備え、このガイドレール５６には長さ方向に沿って横長の孔部５６ａが設けられている。当該ガイドレール５６は前記排気ユニット４の前面の吸引口４１に臨む位置に、前記孔部５６ａと吸引口４１とが重なり、この吸引口４１を介して搬送領域Ｒ１内の雰囲気を排気室４２内に吸引できるように設けられている。

図中５７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体５５は、この昇降用ガイドレール５７に沿って昇降自在に構成されている。この例では、当該昇降用ガイドレール５７、保持アーム５１，５２、基台５３、及び搬送基体５５により移動部が構成される。前記メインアームＡ３の昇降用ガイドレール５７の下端部はガイドレール５６の下方を潜って前記排気ユニット４の排気室４２内にて上方へ向けて屈曲され、前記駆動ベルト４５に係止されている。従って前記移動部によって昇降用ガイドレール５７が横方向ガイドレール５６に沿って移動することで、搬送基体５５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。

また前記昇降用ガイドレール５７の前面には、図６及び図８に示すように上下方向に沿って孔部５７ａが設けられていると共に、昇降用ガイドレール５７の内部には前記孔部５７ａに連通するように排気路５７ｂが形成され、この排気路５７ｂは吸引口４１を介して排気室４２に接続されている。こうして排気室４２内を負圧にすると、搬送領域Ｒ１内には、搬送領域Ｒ１から前記ガイドレール５６の孔部５６ａと昇降用ガイドレール５７の孔部５７ａを介して吸引口４１に流入する気流が形成される。

前記メインアームＡ３の最上段の保持アーム５１の上には、搬送位置にある当該保持アーム５１と対向するように整流板６１が設けられている。前記搬送位置とは、図５及び図６に示す位置であって、保持アーム５１が基台５３の上方側にある位置である。この整流板６１は例えば保持アーム５１を覆う大きさの円板からなり、多数の第１の吸引孔６２が形成されている。なお図８では図示の便宜上第１の吸引孔６２の一部を示している。

前記整流板６１の上には、この整流板６１と対向するように、第１の通気空間６３を介して、例えば整流板６１とほぼ同じ大きさの円板よりなる案内板６４が設けられており、整流板６１と案内板６４との間は側壁部６０により覆われている。つまり第１の通気空間６３の周囲は、側壁部６０により囲まれている。

前記側壁部６０の保持アーム５１，５２の基端側には、支持部材６５が接続されており、この支持部材６５は途中で屈曲して、基台５３の、保持アーム５１，５２の取り付け位置よりも保持アーム５１，５２の進退方向の後側に取り付けられている。こうして前記整流板６１と案内板６４は支持部材６５を介して基台５３に設けられることになる。また前記支持部材６５の内部には、吸引路６５ａが形成されており、支持部材６５の前記側壁部６０との接続部位は第１の吸引口６６として開口していて、これにより第１の通気空間６３における保持アームの基端側に第１の吸引口６６が形成されることになる。

前記支持部材６５に形成された吸引路６５ａは、図６に示すように、例えば基台５３、回転機構５４、搬送基体５５の内部に夫々形成された吸引路５３ａ，５４ａ，５５ａに接続され、前記搬送基体５５の吸引路５５ａの他端側は昇降用ガイドレール５７に形成された孔部５７ａに臨む位置に開口するように形成されている。前記臨む位置とは、搬送基体５５が昇降用ガイドレール５７に沿って昇降したときに、前記吸引路５５ａが前記昇降用ガイドレール５７の孔部５７ａ、排気路５７ｂを介して排気室４２により吸引される位置をいう。このため前記支持部材６５に形成された吸引路６５ａは、基台５３、回転機構５４、搬送基体５５の内部に夫々形成された吸引路５３ａ，５４ａ，５５ａを介して、昇降用ガイドレール５７の排気路５７ｂに接続され、こうして排気室４２により吸引される。

このように前記支持部材６５に形成された吸引路６５ａ、基台５３、回転機構５４、搬送基体５５の夫々の吸引路５３ａ，５４ａ，５５ａ、昇降用ガイドレール５７の排気路５７ｂが第１の吸引口６６に接続される吸引路に相当する。この例では昇降用ガイドレール５７の排気路５７ｂは排気室４２に臨む位置に開口しているが、昇降用ガイドレール５７の排気路５７ｂを排気室４２内に伸びるように設け、前記排気路５７ｂの端部を排気室４２内に開口させるようにしてもよい。

前記整流板６１に形成された第１の吸引孔６２は、例えば図６，図８に示すように、前記整流板６１の保持アーム５１，５２の進退方向に沿って形成され、保持アーム５１，５２の基端側が上側になるように傾斜して形成されている。この第１の吸引孔６２は、例えば四角い孔部６２ａに整流板６１の裏面側からカバー体６２ｂを取り付けて構成され、この例では、カバー体６２ｂは、保持アーム５１，５２の進退方向の前側から見たときに、下側が円弧状のほぼ半円状の開口部６２ｃを形成し、保持アーム５１，５２の基端側が上側になるように傾斜しながら孔部６２ａを塞ぐように設けられており、これにより、第１の吸引孔６２は、保持アーム５１，５２の基端側が上側になるように傾斜して形成されていることになる。ここで前記孔部６２ｂの形状は四角形に限らず、また前記開口部６２ｃのほぼ半円状とは、円の直径で切断した場合の他、直径からずれた位置で切断した場合も含む。

また案内板６４の前記保持アーム５１，５２の進退方向の前側には、前記第１の通気空間６３における保持アーム５１，５２の先端側から基端側へ気体を通流させるための第１の気体吹き出し口をなすガスノズル７が設けられている。このガスノズル７は、不活性ガス例えば窒素ガスを前記第１の通気空間６３に、前記保持アーム５１，５２の進退方向の前側から供給すると共に、一部が整流板６１から下側に突出し、整流板６１の下方側に向けてスプレー状に供給するように構成されている。

前記ガスノズル７から吹き出すガスは、イオナイザーを通過させたガスであることが好ましい。この理由は、搬送領域Ｒ１内にてウエハＷの搬送中に静電気が発生してウエハＷ表面が帯電し、数キロボルト以上の電位になる場合があり、そしてこのような静電気によりウエハＷ表面にパーティクルが吸着されることを防止するためである。前記イオナイザーは、除電器と呼ばれ、基本的にプラスのガスイオンとマイナスのガスイオンとを等量発生するものであり、このガスが帯電物に当たると同極性のイオンとは反発し、反対極性のイオンを吸引する結果帯電物が除電されることになる。

図９は、イオナイザーをガスノズル７に設けた例を示している。７１はノズル本体、７２はガス供給路であり、このガス供給路７２の他端側は、図５に示すように、例えば後述するガス供給部９５に接続されている。前記ノズル本体７１には、イオナイザーを構成する電極７３が設けられており、この電極７３は、給電路をなすケーブル７４を介して直流電源７５に接続されている。電極７３の形状としては、ノズル本体７１内を通るガスに効率よく接触するように、複数の棒状電極をガス通路と交差するように配列したものを用いることができ、高電圧が印加された電極７３の周囲に形成される不平等電界にガスが接触することでイオン化される。なおイオナイザーはガスを通る部位に設ければよく、例えばガスノズル７とガス供給部９５との間のガス供給路７２に設けてもよい。

さらに単位ブロックＢ１〜Ｂ４の床面（各単位ブロックＢ１〜Ｂ４を区画するベースプレート）は２重構造となっている。具体的に図５及び図６を参照しながら、ＣＯＴ層Ｂ３を例にして説明すると、このＣＯＴ層Ｂ３の床面８１の下には、第２の通気空間８２を介して案内プレート８３が配置されている。この案内プレート８３は、ＢＣＴ層Ｂ３の天井壁を構成するものである。

前記搬送領域Ｒ１の床面８１の、排気ユニット４の排気室４２に対応する位置には、第２の通気空間８２の雰囲気を前記排気室４２側に排気するための第２の吸引口８４が形成されている。これにより前記第２の通気空間８２内の雰囲気は、前記搬送領域Ｒ１の他端側、この例では棚ユニットＵ１側から第２の吸引口８４を介して前記排気室４２へ排気されることになり、この例では排気室４２に接続するための吸引口８４が、第２の吸引口８４に接続される吸引路に相当する。

前記搬送領域Ｒ１の床面８１には、多数の第２の吸引孔８５が、例えば前記他端側が下側になるように傾斜して形成されている。この例では、前記第２の吸引孔８５は、図５及び図６に示すように、例えば四角い孔部８５ａの上に、前記他端側に向けて斜め下方側に傾斜するカバー体８５ｂを取り付けて構成されている。この例では、カバー体８５ｂは、塗布ユニット３１側から見たときに、上が円弧状のほぼ半円状の開口部８５ｃを形成し、前記他端側（棚ユニットＵ１側）が下方側になるように傾斜しながら孔部８５ａを塞ぐように形成され、これにより前記第２の吸引孔８５は、前記他端側が下側になるように傾斜して形成されていることになる。

また前記第２の通気空間８２内の、塗布ユニット３１側に寄った位置、つまり前記第２の吸引孔８５の傾斜の上側を一端側（塗布ユニット側）とすると、一端側の第２の吸引孔８５の外側の位置には、前記第２の通気空間８２の一端側から他端側へ例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給するための第２の気体吹き出し口９を備えている。

当該第２の気体吹き出し口９は、例えば図１０に示すように、角型の筐体９１を備え、例えば第２の通気空間８２の長さ方向（図１に示すＹ方向）に沿って当該第２の通気空間８２全域をカバーするように、かつ当該第２の通気空間８２の下方側の単位ブロック（図５の例では、ＢＣＴ層Ｂ３）に向けて気体を供給するように設けられている。筐体９１における第２の通気空間８２に向かう面及び、当該第２の通気空間８２の下方側の単位ブロックに向かう面は、例えばパンチングメタル構造となっており、筐体９１内の空間と連通する多数の孔９２を備えている。また筐体９１内には、側部に気体吐出口９３を備えた送気管９４が配設されており、当該送気管９４は、当該管９４内に清浄気体を供給する気体供給部９５に接続されている。この気体供給部９５は、気体例えば窒素ガス等の不活性ガスの供給源９６と、この供給源９６から供給された気体の温度及び湿度を調整する温湿度調整部９７と、を備えている。なおこの気体供給部９５は既述のガスノズル７のガス供給路７２にも接続されている。

さらに筐体９１内において送気管９４の側部を囲むようにパーティクル除去用のウルパ（ＵＬＰＡ）フィルタ９８が設けられており、気体供給部９５から、温湿度が調整された清浄気体が送気管９４内に供給されると、当該清浄気体は前記気体吐出口９３から吐出され、ウルパフィルタ９８を通過して孔９２を介して第２の通気空間８２内及び、当該第２の通気空間８２の下方側の単位ブロックへと供給されるように構成されている。

なお他の単位ブロックについて簡単に説明すると、前記塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４はいずれも同様に構成されており、ＢＣＴ層Ｂ２は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱モジュールと、ウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュール等を備えている。またＴＣＴ層Ｂ４は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１に、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱モジュールと、前記冷却モジュールと、周縁露光装置等を備えている。

またＤＥＶ層Ｂ１は、棚ユニットＵ１が３段×４列に構成され、棚ユニットＵ３を備えている以外は、上述のＣＯＴ層Ｂ３とほぼ同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して現像処理を行うための現像ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１には、露光後のウエハＷの加熱や、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱するための加熱モジュールと、ウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュール等が含まれている。前記第１及び第２の反射防止膜形成ユニットや現像ユニットは、塗布ユニット３１とほぼ同様に構成されている。

ここで例えば最上段の単位ブロックであるＴＣＴ層Ｂ４には、当該ＴＣＴ層Ｂ４の内部の搬送領域Ｒ１の上方側の液処理モジュール寄りの位置に第２の気体吹き出し口９が設けられており、最下段の単位ブロックであるＤＥＶ層Ｂ１には、当該ＤＥＶ層Ｂ１の第２の通気空間８２内に設けた第２の気体吹き出し口９からは当該第２の通気空間８２内のみにガスが供給されるようになっている。

そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ４、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、インターフェイスアームＢの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。この制御部１００は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりレジストパターン形成装置におけるウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、ウエハＷの搬送や、各処理モジュールにおける処理、排気ユニット４の排気や、ガスノズル７や第２の気体吹き出し口９への気体の供給や停止等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして、これらプログラムが制御部１００に読み出されることにより制御部１００は、レジストパターン形成装置全体の作用を制御する。なお、このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

このような装置では、ＣＯＴ層Ｂ３内には、上段の単位ブロックであるＴＣＴ層４の第２の気体吹き出し口９から窒素ガスが供給されるので、当該ＣＯＴ層Ｂ３の搬送領域Ｒ１には、上方側の塗布ユニット３１寄りの位置から、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に亘って窒素ガスが供給される。一方、棚ユニットＵ１の下方側に設けられた排気ユニット４からは、排気室４２をファン４Ｃにより負圧にすると、搬送領域Ｒ１の雰囲気が、前記搬送領域Ｒ１の長さ方向に沿って形成された吸引口４１と、昇降用ガイドレール５７の孔部５７ａとから吸引され、排気路５７ｂ、排気室４２を介して排気ユニット４の外部へ排気されていく。

こうしてＣＯＴ層Ｂ３では、搬送領域Ｒ１を挟んで、前記一端側の塗布ユニット３１の上方側から気体が供給されると共に、前記他端側の棚ユニットＵ１の下方側から排気されるので、図１中Ｘ方向に、塗布ユニット３１側から棚ユニットＵ１側に一方向に向けて流れるダウンフローが形成される。このため、搬送領域Ｒ１内に発生したパーティクルは前記ダウンフロー気流に乗って排気ユニット４に向かい、吸引口４１を介して排気室４２へ入り込み、ここから外部へ排出される。

またメインアームＡ３では、閉鎖空間である第１の通気空間６３の保持アーム５１，５２の基端側に開口するように第１の吸引口６６が形成され、この吸引口６６を排気ユニット４により、昇降用ガイドレール５７、搬送基体５５、回転機構５４、基台５３、支持部材６５の内部に形成された吸引路を介して吸引すると共に、ガスノズル７により第１の通気空間６３における保持アーム５１，５２の先端側から基端側へ気体を通流させているので、この通気空間６３にはガスノズル７から第１の吸引口６６に向かって一方向に流れる強い気流が発生する。

そして整流板６１には、多数の第１の吸引孔６２が形成されているため、前記通気空間６３内に強い気流が発生すると、この気流のエジェクタ効果により、前記吸引孔６２には強い吸引力が発生する。これにより前記吸引孔６２を介して、整流板６１の下方側の雰囲気が第１の通気空間６３内に吸引される。このため仮に搬送領域Ｒ１内にパーティクルが発生したとしても、前記搬送位置にある保持アーム５１に保持されたウエハＷの近傍の雰囲気は、ウエハ表面から上方へ向かって吸引されていくので、前記パーティクルは保持アーム５１，５２上のウエハＷへ付着せずに、第１の吸引孔６２を介して第１の通気空間６３へ引き込まれ、第１の吸引口６６を抜け、排気ユニット４を介して外部へ排出される。こうしてメインアームＡ３により搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着が抑えられる。

この際、前記整流板６１に、前記保持アーム５１，５２の基端側が上側を向くように傾斜する第１の吸引孔６２を形成することにより、前記通気空間６３内に前記一方向流の気流を発生させることによって、この吸引孔６２に沿って前記整流板６１の下方側の雰囲気が前記通気空間６３内により引き込まれやすくなる。従って保持アーム５１にて保持されたウエハＷの上方側のパーティクルが、当該領域の前記雰囲気と共に第１の通気空間６３内により吸引されやすくなり、搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着をより抑えることができる。

またＣＯＴ層Ｂ３の床面８１の下に形成された第２の通気空間８２では、既述のように排気ユニット４により前記搬送領域Ｒ１の他端側から排気されていると共に、第２の気体吹き出し口９により、前記第２の通気空間８２内に、搬送領域Ｒ１の一端側から窒素ガスを供給することにより、前記第２の通気空間８２内には前記一端側から他端側へ向かう一方向流の強い気流が発生する。

そして前記床面８１には、多数の第２の吸引孔８５が形成されているので、前記第２の通気空間８２内の気体の通流によるエジェクタ効果によって、この吸引孔８５を介して、床面８１の上方側の雰囲気が第２の通気空間８２内に吸引されて行く。この際、前記床面８１に、前記他端側が下側を向くように傾斜する第２の吸引孔８５を形成することにより、前記通気空間８２内に前記一方向流の気流を発生させることによって、前記床面８１の上方側の雰囲気が前記通気空間８２内により引き込まれやすくなる。従ってこの第２の吸引孔８５を介して搬送領域Ｒ１の床面近傍のパーティクルが前記雰囲気と共に第２の通気空間８２内に確実に吸引されていき、引き込まれたパーティクルは第２の吸引口８４を介して排気室４２に入り込み、ここから外部へ排出される。

以上において上述の装置では、メインアームＡ３の保持アーム５１，５２の上方側に整流板６１と案内板６４とを設け、この間の通気空間６３に気体を通流させ、このエジェクタ効果によって、ウエハＷ上のパーティクルを前記通気空間６３に吸引するという簡易な構成を採用しているので、メインアームＡ３の大型化を避けながら、搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着を確実に抑えることができる。このため狭い搬送領域に設けられるメインアームにも本発明を適用できるので、複数の単位ブロックが積層され、各単位ブロックの高さが小さく、搬送領域が狭い上述のレジストパターン形成装置への適用は有効である。

さらにガスノズル７から、前記第１の通気空間６３及び、搬送位置にある保持アーム５１，５２上のウエハＷの、保持アーム５１，５２の進退方向の前側に前記清浄気体をスプレー状に供給することにより、これがウエハＷの前記前側においてエアカーテンとして作用し、当該ウエハＷの前側からのパーティクルの進入を抑えることができる。さらにまたガスノズル７にイオナイザーを設けることにより、ウエハＷに発生した帯電物が除電され、これにより静電気の発生が抑えられるので、静電気によるウエハＷのパーティクルの吸着を抑えることができる。

さらにまた前記整流板６１と案内板６４とは、共に支持部材８５を介して、メインアームＡ３の基台５３に取り付けられているので、保持アーム５１，５２と共に、昇降自在、横方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成される。これにより前記整流板６１と案内板６４とは、常に搬送位置にある保持アーム５１，５２上のウエハＷの上方側に位置しているので、搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着を確実に抑えることができる。

さらに単位ブロックの床面８１を２重構造とし、エジェクタ効果によって強い吸引力を発生させ、これによって床面８１の上方側の雰囲気を第２の通気空間８２に引き込んでいる。このため搬送領域Ｒ１では床面８１近傍にパーティクルが存在しやすいが、このパーティクルが確実に第２の通気空間８２へ引き込まれるので、前記搬送領域Ｒ１では床面８１近傍のパーティクルが巻き上がるといった現象が起こりにくく、より確実に保持アーム５１，５２に保持されたウエハＷへのパーティクルの付着が防止できる。

さらにまた第１の通気空間６３と第２の通気空間８２とは共に、これらが設けられた単位ブロックの排気ユニット４の排気室４２に接続され、この排気室４２を介して吸引されている。このように単位ブロックの排気と、第１の通気空間６３と第２の通気空間８２との吸引排気を、共通の排気系により行っているので、夫々に別個の排気系を用意する場合に比べて、排気系の構成が簡素化し、制御も容易となる。また排気系の設置スペースが小さくて済むので、装置の小型化の要請に沿う。

以上において本発明では、図１１に示すように、搬送位置にある保持アーム５１，５２にて保持されるウエハＷを囲む領域の上方側に、気体を下方側に吹き出す気体供給手段７６を設けるようにしてもよい。この例では、前記気体供給手段７６は、案内板６４の周囲にリング状に気体例えば窒素ガスを供給するノズル部７６ａを備えるように構成され、これにより搬送位置にある保持アーム５１に保持されたウエハＷに対して、ウエハＷの周縁方向から前記気体がスプレー状に供給されるようになっている。この気体供給手段７６は例えば保持アーム５１，５２の基端側に対応する側に設けられた保持部材７７により基台５３に接続されると共に、例えば既述の気体供給部９５に接続される。

こうして前記搬送位置にある保持アーム５１，５２に保持されたウエハＷには、上方側からウエハＷを囲むように気体がスプレー状に供給されるので、これによりウエハＷの周囲に気体カーテンが形成されることになり、搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着をより確実に抑えることができる。なおこの気体供給手段７６にイオナイザーを組み込むようにしてもよい。

さらに本発明では、図１２に示すように、上段側の保持アーム５１と下段側の保持アーム５２との間に、保持アーム５２と対向し、かつ保持アーム５２を覆うように天板５０を設けるようにしてもよい。この例では前記天板５０は、保持アーム５２とほぼ同じ大きさか、それよりも大きい円板状に形成され、支持部材６５に取り付けられている。このような構成では、下側の保持アーム５２上のウエハＷへの上方側からのパーティクルの付着が抑えられる。またこの天板５０に、案内板６４と同様に、保持アーム５１，５２の進退方向の前側にガスノズル７を設けて、保持アーム５２上のウエハＷに向けて気体をスプレー状に供給するようにしてもよい。

さらにまた図１３に示すように、保持アーム５１，５２と、基台５３とを囲む筐体７８を設け、案内板と整流板６１とを筐体７８の内部に組み込むように構成成してもよい。この例では、例えば筐体７８は平面形状が四角形状に構成され、保持アーム５１，５２の先端側に対応する側に当該アーム５１，５２の進退用の開口部７８ａが形成されている。またその天井壁７８ｂは案内板として作用すると共に、天井領域が整流板６１により区画されて２重構造となっていて、天井壁（案内板）７８ｂと整流板６１との間に第１の通気空間７８ｃが形成されている。そして筐体７８の、前記第１の通気空間７８ｃの保持アーム５１，５２の基端側には吸引管７９が接続されると共に、吸引管７９の他端側は基台５３に形成された吸引路５３ａに接続されている。そして第１の通気空間７８ｃの吸引管７９の接続部位が第１の吸引口７９ａとして形成されている。その他の構成は図６に示すメインアームＡ３と同様である。

このような構成では筐体７８にて保持アーム５１，５２の周囲が区画されているので、筐体７８内にパーティクルが入り込みにくい。また前記開口部７８ａ近傍には、ガスノズル７から気体が供給されているので、これが気体カーテンとして作用し、さらに筐体７８内へのパーティクルの侵入を防ぐことができる。また仮に筐体７８内にパーティクルが入り込んだとしても、第１の通気空間７８ｃのエジェクタ効果によって、パーティクルは第１の吸引孔６２を介して第１の通気空間７８ｃ内へ吸引されていくので、搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着をより確実に抑えることができる。

また本発明では、例えば図１４に示すように、前記整流板６１に形成された第１の吸引孔６２は、前記整流板６１の保持アーム５１，５２の進退方向に沿った直径近傍領域においては、保持アーム５１，５２の基端側が上側になるように傾斜するように形成し、前記整流板６１の前記直径近傍領域の外側領域では、前記直径近傍領域に向けて上方側に傾斜するように形成してもよい。図１４は、整流板６１の裏面側から見た平面図であり、各吸引孔６２の孔部６２ａには、整流板６１の裏面側に、カバー体６２ｂが、円弧部分が下側になるように夫々設けられている。

前記直径近傍領域では、既述の図８に示すように、各吸引孔６２が形成され、前記直径近傍領域の外側領域では、前記カバー体６２ｂは、前記直径近傍領域から離れた側を向いて、前記下側が円弧状に形成された半円状の開口部６２ｃを形成するように設けられ、これにより、この領域の第１の吸引孔６２は、前記直径近傍領域に向けて上方側に傾斜するように形成されていることになる。

このようなパターンで第１の吸引孔６２を形成すると、整流板６１の前記直径近傍領域の下方側の雰囲気は、第１の吸引孔６２を前記保持アーム５１，５２の基端側が上側になるように形成しているので、傾斜した吸引孔６２に沿って、前記保持アーム５１，５２の基端側に向かうように第１の通気空間６３に引き込まれる。一方整流板６１の前記直径近傍領域の外側の下方側の雰囲気は、第１の吸引孔６２を前記直径近傍領域に向かって上側に傾斜するように形成しているので、傾斜した吸引孔６２に沿って第１の通気空間６３の前記直径近傍領域に向かうように引き込まれる。このため前記直径近傍領域外部から当該前記直径近傍領域に集められたパーティクルが、前記直径近傍領域において第１の吸引口６６に向かって流れやすく、当該第１の通気空間６３内に引き込まれたパーティクルをより確実に当該通気空間６３の外部へ排出することができる。

さらに第１の吸引孔６２や第２の吸引孔８５は、前記エジェクタ効果より第１の通気空間６３や第２の通気空間８２に雰囲気を引き込む形状であればよいので、傾斜して形成されることは必ずしも必要はない。また例えば図１５に第２の通気孔９９を例にして示すように、床面８１に前記搬送領域Ｒ１の他端側が下を向くように傾斜して形成してもよい。

さらにまた、なお図６、図１２、図１３に示す例では、ガスノズル７から第１の通気空間６３の内部と整流板６１の下方側に気体を供給するようになっているが、ガスノズル７から第１の通気空間６３のみに気体を供給し、整流板６１の下方側へは別のガス供給手段により気体を供給するようにしてもよい。また第２の気体吹き出し口９においても、第２の通気空間８２のみに気体を供給し、下方側の単位ブロックに対しては別のガス供給手段により気体を供給するようにしてもよい。さらに第２の気体吹き出し口９にイオナイザーを組み合わせて設けるようにしてもよい。さらにまた第２の通気空間８２の排気を、排気ユニット４を介して行うのではなく、第２の通気空間８２を閉鎖空間として形成し、第２の通気空間８２の他端側に排気手段を接続するようにしてもよい。

また本発明は、必ずしも単位ブロックの床面の下方側への吸引排気は必要ではなく、メインアームのみに第１の吸引孔を備えた整流板と案内板とを設けることによって、搬送中のウエハＷへのパーティクルの付着を抑えるようにしてもよい。また整流板６１と案内板６４は平面形状が多角形状であってもよいし、受け渡しアームＤに第１の吸引孔を備えた整流板と案内板とを設けるようにしてもよい。

さらに本発明は、上述の装置以外にも適用でき、基板搬送手段が横方向に移動しないタイプの装置にも適用できる。さらにまた本発明は、半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する基板処理装置にも適用できる。

本発明に係るレジストパターン形成装置の一実施の形態を示す平面図である。 前記レジストパターン形成装置を示す斜視図である。 前記レジストパターン形成装置を示す側部断面図である。 前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットとメインアームと液処理モジュールとを示す斜視図である。 前記レジストパターン形成装置に設けられるＣＯＴ層の一部を示す断面図である。 前記レジストパターン形成装置に設けられるＣＯＴ層の一部を示す断面図である。 前記ＣＯＴ層に設けられる排気ユニットとメインアームとを示す断面図である。 前記ＣＯＴ層に設けられるメインアームを示す斜視図である。 前記メインアームに設けられるガスノズルを示す斜視図である。 前記ＣＯＴ層に設けられる第２の気体吹き出し口を示す断面図である。 本発明の他の例のメインアームを示す平面図と断面図である。 本発明のさらに他の例のメインアームを示す断面図である。 本発明のさらに他の例のメインアームを示す平面図と断面図である。 本発明のメインアームの整流板に設けられる第１の吸引孔を示す背面図である。 本発明の第２の吸引孔の他の例を示す断面図である。 従来のレジストパターン形成装置を示す斜視図である。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ａ１〜Ａ４ メインアーム
Ｂ インターフェイスアーム
Ｃ トランファーアーム
Ｄ 受け渡しアーム
ＣＨＰ 加熱モジュール
ＣＯＬ 冷却モジュール
Ｕ１ 棚ユニット
３１ 塗布ユニット
４ 排気ユニット
４１ 吸引口
４２ 排気室
４Ｃ ファン
５１，５２ 保持アーム
５３ 基台
６１ 整流板
６２ 第１の通気孔
６３ 第２の通気空間
６４ 案内板
６６ 第１の吸引口
７ ガスノズル
８１ 床面
８２ 第２の通気空間
８３ 案内プレート
８４ 第２の吸引口
８５ 第２の吸引孔
９ 第２の気体吹き出し口
１００ 制御部

Claims (9)

1. 基台に各々進退自在に設けられ、基板を保持するための複数枚の保持アームを備えた基板搬送手段により、基板に対して処理を行う処理モジュールに対して基板の受け渡しを行う基板処理装置において、
   前記基板搬送手段の最上段の保持アームの上に、当該保持アームと対向するように設けられ、多数の第１の吸引孔が形成された整流板と、
   前記基板搬送手段の基台に、前記整流板の上に、この整流板と対向するように第１の通気空間を介して設けられた案内板と、
   前記第１の通気空間における保持アームの先端側から基端側へ気体を通流させるための第１の気体吹き出し口と、
   前記通気空間における保持アームの基端側に開口する第１の吸引口と、
   この第１の吸引口に接続される吸引路と、を備え、
   前記第１の通気空間において第１の気体吹き出し口から第１の吸引口に気体を通流させることにより、エジェクタ効果によって整流板の下方側から第１の吸引孔及び第１の通気空間を介して前記第１の吸引口に吸引される気流を形成することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理モジュールは、複数個が横方向に配列されると共に、配列された処理モジュール群が複数個積層され、また処理モジュール群の下方側には、処理モジュール群の配列に対応して横方向に伸びる基板の搬送領域に開口し、負圧に接続される排気室が設けられ、
   前記基板搬送手段は前記基板の搬送領域に沿って移動自在にかつ昇降自在に構成された基台を備え、
   前記吸引路は前記排気室に開口しているか、または排気室に臨む位置に開口していることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記搬送領域の床面に形成された多数の第２の吸引孔と、
   前記搬送領域の床面の下方側に第２の通気空間を介して配置された案内プレートと、
   前記第２の通気空間の一端側から他端側へ気体を通流させるための第２の気体吹き出し口及び第２の吸引口と、
   この第２の吸引口に接続される吸引路と、を備え、
   第２の気体吹き出し口から第２の吸引口に気体を通流させることにより、エジェクタ効果によって第２の吸引孔及び第２の通気空間を介して第２の吸引口に吸引される気流を形成することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記基板搬送手段の保持アームに保持される基板を囲む領域の上方側に設けられ、気体を下方側に吹き出すことにより、前記基板の周囲に気体カーテンを形成するための気体供給手段を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の基板処理装置。
5. 前記気体供給手段は、イオナイザーが組み合わせて設けられていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記整流板に形成される第１の吸引孔は、前記保持アームの進退方向に沿った直径近傍領域においては、前記保持アームの基端側が上側になるように傾斜して形成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の基板処理装置。
7. 前記整流板に形成される第１の吸引孔は、前記保持アームの進退方向に沿った直径近傍領域の外側領域においては、前記直径近傍領域に向けて上側に傾斜するように形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の基板処理装置。
8. 基台に各々進退自在に設けられ、基板を保持するための複数枚の保持アームを備えた基板搬送手段により、基板に対して処理を行う処理モジュールに対して基板の受け渡しを行う基板搬送方法において、
   前記基板搬送手段の最上段の保持アームの上に、多数の第１の吸引孔が形成された整流板を設けると共に、この整流板の上に、この整流板と対向するように第１の通気空間を介して案内板を設け、
   前記第１の通気空間において、保持アームの先端側から基端側へ気体を通流させることにより、エジェクタ効果によって整流板の下方側から第１の吸引孔及び第１の通気空間を介して前記第１の吸引口に吸引される気流を形成しながら、前記保持アームに基板を保持させて、前記処理モジュールの間で基板の搬送を行うことを特徴とする基板搬送方法。
9. 基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
   前記コンピュータプログラムは、請求項８に記載された基板搬送方法を実施するためのステップ群を備えていることを特徴とする記憶媒体。
   

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