JPH1074820A

JPH1074820A - 被処理基板の搬送方法及び処理システム

Info

Publication number: JPH1074820A
Application number: JP24726196A
Authority: JP
Inventors: Junichi Kitano; 淳一北野; Hidetami Yaegashi; 英民八重樫; Takanori Kawakami; 恭徳川上; Fumihiko Kono; 史彦河野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1996-08-29
Filing date: 1996-08-29
Publication date: 1998-03-17
Anticipated expiration: 2016-08-29
Also published as: JP3774277B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ウエハを収納したキャリアの処理システム内
への投入時や、ウエハを処理システム内のプロセス部に
搬送する際に、プロセス部内へのパーティクルの侵入を
防止する。【解決手段】ケーシング２内を仕切板５によってキャ
リアステーション部Ａとプロセス部Ｂに仕切る。キャリ
アのシステム内への投入は搬入出口４を通じて行い、キ
ャリアステーション部Ａからプロセス部ＢへのウエハＷ
の搬送は、仕切板５の搬送口８を通じて行う。搬入出口
４と搬送口８には開閉自在なシャッタＳ１、Ｓ２を設け
る。搬送口を通じてウエハＷを搬送する際、プロセス部
Ｂ内の圧力をキャリアステーション部Ａ内の圧力よりも
高く設定した状態で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
て所定の処理を施す処理装置をケーシング内に備えた処
理システムにおいて、被処理基板を搬送する方法、並び
に当該搬送方法を実施するのに適した処理システムに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるいわ
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄し
たり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理
しているが、このような一連の処理を行うにあたって
は、従来からレジスト塗布・現像処理システムが用いら
れている。

【０００３】このレジスト塗布・現像処理システムは、
通常ユニットとしての処理装置、例えば被処理基板を洗
浄する洗浄処理、レジストの定着性を向上させるための
疎水化処理（アドヒージョン処理）、レジスト液の塗布
を行う塗布処理、レジスト液塗布後の被処理基板を所定
の温度雰囲気に置いてレジスト膜を硬化させるための熱
処理、露光後の被処理基板を所定の温度雰囲気に置くた
めの熱処理、露光後の被処理基板に現像液を供給して現
像する現像処理などの各処理を個別に行う処理装置を複
数備えており、搬送アームなどの搬送手段によって被処
理基板であるウエハを前記各処理装置に対して搬入出す
るようになっている。

【０００４】前記各処理装置や搬送手段は、通常ケーシ
ング内に設置されており、さらにこのケーシングには、
複数の被処理基板を収納したキャリアなどの収納体をシ
ステム内に投入するための搬入出口が設けられ、投入さ
れたキャリアは例えばキャリアステーションと呼ばれる
載置部に載置される。そして収納体内の被処理基板は、
例えば副搬送手段によって取り出されて前記搬送アーム
に移載され、以後この搬送アームが各処理装置に対し
て、所定のレシピに従って、順次搬送、搬入出するよう
になっている。

【０００５】ところでこの種のレジスト塗布・現像処理
システムは、当然のことながらクリーンルーム内に設置
されるが、その場合、１つのクリーンルーム内にシステ
ムを設置するのではなく、いわゆるスルー・ザ・ウォー
ル方式のように、２つのクリーンルームにまたがって設
置されることがある。これは、図１２に示したように、
１つのレジスト塗布・現像処理システム１０１が、壁１
０２を介して隔てられている第１のクリーンルームＣＲ
１と、第２のクリーンルームＣＲ２に跨って設置されて
いる方式である。この場合、一般的に第１のクリーンル
ームＣＲ１はワーキングゾーンと称され、このワーキン
グゾーンでは作業員や搬送ロボットなどがキャリアを持
ってシステム内に投入したり、コントローラを操作した
りしている。他方、第２のクリーンルームＣＲ２はユー
ティリィティゾーンと称され、基本的に各種処理装置の
ユーティリティーや、より低い清浄雰囲気の下で稼働す
る処理装置などが設置されている。

【０００６】そして被処理基板であるウエハを収納した
キャリアＣのシステム内への搬入出口１０３は、第１の
クリーンルームＣＲ１に面している。キャリアＣが、こ
の搬入出口１０３からシステム内の載置部１０４に載置
されると、副搬送機構１０５によってウエハが取り出さ
れ、次いでメインアーム１０６に移載され、その液処理
系の処理装置１０７や熱処理系の処理装置１０８などに
順次搬送されて処理される。またこの種のレジスト塗布
・現像処理システム１０１においては、ファンとフィル
タとをいわば一体化したファン・フィルタ・ユニット
（ＦＦＵ）などの清浄化空気供給装置１０９が上部に設
けられている。そして対応する第１、第２のクリーンル
ームＣＲ１、ＣＲ２内の給気を吸い込んでケーシング１
１０内に清浄化された空気のダウンフローが形成され、
副搬送機構１０５やメインアーム１０６などから発生す
るパーティクルがなるべくウエハに付着しないように配
慮されている。

【０００７】なお前記壁１０２は、図１２に示したよう
に、システム内の載置部１０と副搬送機構１０５が存在
しているいわゆるキャリアステーションと、液処理系の
処理装置１０７や熱処理系の処理装置１０８が設置され
ているプロセスステーションとの間に位置している場合
に限らず、その他図１２中の一点鎖線で示したように、
システムの端面、即ちキャリアステーション前面となる
搬入出口１０３と同一垂直面に位置していたり、あるい
は図１２中の破線で示したように、液処理系の処理装置
１０７と熱処理系の処理装置１０８との間の位置に設定
されている場合がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記したス
ルーザウォール方式でシステムが設置されている場合、
ワーキングゾーンの第１のクリーンルームＣＲ１内の圧
力は、ユーティリィティゾーンの第２のクリーンルーム
ＣＲ２内の圧力よりも高く、約１．５mmＡｑ（１．５mm
Ｈ₂Ｏ）ほど高くなっている。

【０００９】そのため、清浄化空気供給装置１０９でダ
ウンフローを形成していても、搬入出口１０３からケー
シング１１０内へと気流が形成され、第１クリーンルー
ムＣＲ１内のパーティクルがシステム内の処理装置１０
７、１０８の方へと流入し、ウエハを汚染するおそれが
ある。これを防止するため、例えば搬入出口１０３に適
宜の開閉自在な扉を設け、キャリアＣの搬入出時以外
は、閉鎖することが提案されているが、その場合でも、
キャリアＣの搬入出時には、第１のクリーンルームＣＲ
１内の圧力が第２のクリーンルームＣＲ２内の圧力より
も高いため、搬入出口１０３からケーシング１１０内へ
の気流によってパーティクル等が処理装置のある空間、
領域へと侵入してしまう。パーティクルはキャリアＣの
載置部１０４への載置時や副搬送機構１０５によるウエ
ハの取り出し、収納時に発生しやすく、何らかの対策が
望まれていた。

【００１０】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、そのようなスルーザウォール方式で設置されてい
るシステムであっても、クリーンルームとシステム内と
の間での収納体の搬入出や、収納体がある空間と処理装
置がある空間との間での被処理基板の搬入出の際に、処
理装置がある空間内に、パーティクル等が侵入すること
のない、被処理基板の搬送方法、及び当該搬送方法を実
施するのに適した処理システムを提供して、前記問題の
解決を図ることを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１によれば、被処理基板に対して所定の処理
を行う処理装置と、前記処理装置に対して被処理基板を
搬入出するための搬送手段と、被処理基板を収納する収
納体が載置される載置部とがケーシング内に設けられた
処理システムにおいて、前記収納体と搬送手段との間で
被処理基板を搬送するにあたり、前記載置部が存在する
第１の空間と、処理装置及び搬送手段が存在する第２の
空間とをこのケーシング内において仕切板によって仕切
ると共に、前記第１の空間と、第２の空間との間で被処
理基板を搬送するための搬送口を前記仕切板に設け、第
２の空間内の圧力の方を第１の空間内の圧力よりも高く
設定した状態で、被処理基板を前記搬送口を通じて行う
ことを特徴とする、被処理基板の搬送方法が提供され
る。

【００１２】このように載置部が存在する第１の空間
と、処理装置が存在する第２の空間とをこのケーシング
内において仕切板によって仕切ると共に、前記第１の空
間と、第２の空間との間で被処理基板を搬送するための
搬送口を前記仕切板に設け、第２の空間内の圧力の方を
第１の空間内の圧力よりも高く設定した状態で被処理基
板を前記搬送口を通じて行うようにしたので、第１の空
間側から第２の空間側へと向かう気流は形成されず、第
１の空間内に浮遊しているパーティクルが、処理装置の
ある第２の空間内へと侵入することはない。

【００１３】また請求項２によれば、被処理基板に対し
て所定の処理を行う処理装置と、前記処理装置に対して
被処理基板を搬入出するための搬送手段と、被処理基板
を収納する収納体を載置する載置部とをケーシング内に
有したシステムであって、さらに前記収納体をシステム
内に対して搬入出するための搬入出口が前記ケーシング
に設けられた処理システムにおいて、前記載置部が存在
する第１の空間と、処理装置及び搬送手段が存在する第
２の空間とが仕切板によって仕切られ、前記第１の空間
と、第２の空間との間で被処理基板を搬送するための搬
送口が前記仕切板に設けられ、前記搬入出口には、この
搬入出口を開閉自在な第１のシャッタが設けられ、前記
搬送口には、この搬送口を開閉自在な第２のシャッタが
設けられたことを特徴とする、処理システムが提供され
る。

【００１４】かかる構成の処理システムにおいては、例
えば収納体を載置部に搬入する際は、第１のシャッタを
開放すると共に第２のシャッタを閉鎖し、収納体から被
処理体を第２の空間内に搬送する際は、逆に第１のシャ
ッタを閉鎖すると共に第２のシャッタを開放することに
より、ケーシング外、即ちシステム外から直接第２の空
間内へと向かう気流は形成されず、処理装置のある第２
の空間内へのパーティクルの侵入は抑えられる。またよ
り好ましくは、第１のシャッタを閉鎖し、第２のシャッ
タを開放しているときに、第２の空間内の圧力を第１の
空間内の圧力を高く設定すれば、処理装置のある第２の
空間内へのパーティクルの侵入が完全に防止される。

【００１５】また請求項３によれば、被処理基板に対し
て所定の処理を行う処理装置と、前記処理装置に対して
被処理基板を搬入出するための搬送手段と、被処理基板
を収納する収納体を載置する載置部と、載置された収納
体と前記第１の搬送手段との間で、直接又は間接的に被
処理基板を搬送する副搬送手段とをケーシング内に有し
たシステムであって、さらに前記収納体をシステム内に
対して搬入出するための搬入出口が前記ケーシングに設
けられた処理システムにおいて、前記載置部及び副搬送
手段が存在する第１の空間と、処理装置及び搬送手段が
存在する第２の空間とが仕切板によって仕切られ、前記
第１の空間と、第２の空間との間で被処理基板を搬送す
るための搬送口が前記仕切板に設けられ、前記搬入出口
には、この搬入出口を開閉自在な第１のシャッタが設け
られ、前記搬送口には、この搬送口を開閉自在な第２の
シャッタが設けられたことを特徴とする、処理システム
が提供される。

【００１６】かかる構成の処理システムにおいても、そ
の動作等は基本的に前記請求項２の場合と同様である
が、この請求項３の処理システムにおいては、第１の空
間内にも搬送機構である副搬送手段が配置されている。
従って、この副搬送手段の動作によって発生するパーテ
ィクルの第２の空間内への侵入も抑えられる。

【００１７】前記請求項３、４においては、開閉自在な
シャッタを搬入出口や搬送口に設けていたが、請求項４
や請求項５に記載したように、いずれか一方をシャッタ
に代えてエア・カーテンを用いたり、あるいは搬入出
口、搬送口共、エア・カーテンを用いても、同様な効果
が得られる。なおその場合のエア・カーテンの構成につ
いては、エア・カーテンを構成する層状の下降気流を形
成するだけでなく、積極的に該下降気流を吸引する手段
を搬入出口や搬送口に設ければ、なお好ましい。さらに
仕切板自体を設けずに、エア・カーテンで代用してもよ
い。この場合も、エア・カーテンを構成する層状の下降
気流を積極的に吸引する手段を仕切板の位置に設ければ
なお好ましい。

【００１８】以上のように構成された各処理システムに
おいて、請求項６に記載したように、少なくとも前記第
１の空間内又は第２の空間内に、対応する空間内の雰囲
気を排気するための排気口を設けると共に、当該排気口
からの排気量を調整自在とすれば、第１の空間と第２の
空間との差圧調整が容易であり、請求項１の方法を好適
に実施することができる。かかる場合、請求項７に記載
したように、排気口は、その排気開口部の面積が可変と
なるように構成すれば、そのような差圧調整が容易であ
る。

【００１９】なお前記したような、被処理基板に対して
所定の処理を行う処理装置と、前記処理装置に対して被
処理基板を搬入出するための搬送手段と、被処理基板を
収納する収納体を載置する載置部とをケーシング内に有
したシステムであって、さらに前記収納体をシステム内
に対して搬入出するための搬入出口が前記ケーシングに
設けられた処理システムにおいて、前記載置部が存在す
る第１の空間と、処理装置及び搬送手段が存在する第２
の空間とを仕切板によって仕切り、さらに前記第１の空
間と、第２の空間との間で被処理基板を搬送するための
搬送口を前記仕切板に設けたシステム構成の場合、第１
の空間内の圧力と第２の空間内の圧力とを、同一に設定
すると共に、これら第１の空間内の圧力と第２の空間内
の圧力とを、各々設置されるクリームルーム内の圧力よ
りも高く設定すれば、第１の空間内と第２の空間内との
双方への気流の進入はなく、またクリームルームからこ
れら第１の空間、第２の空間内へのパーティクルの進入
もない。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると、本実施の形態においては、ウエハ
に対して洗浄処理、レジストの定着性を高めるアドヒー
ジョン処理、レジスト液の塗布処理、これらの処理後に
実施される適宜の熱処理、及び露光後の現像処理や熱処
理などの処理を個別に行う各種処理装置をシステムとし
て１つのシステムとしてまとめた、レジスト・現像処理
を行うシステムとして構成されており、図１はかかるレ
ジスト・現像処理を行う処理システム１の外観、図２は
その内部の概観、図３は同内部の断面を示している。

【００２１】この処理システム１は、図１、図２に示し
たように、前記各処理装置をケーシング２内に収容配置
した構成を有しており、ウエハＷを複数枚収納したキャ
リアＣ単位でシステム内に搬入して載置部３に載置した
り、該載置部３からキャリアＣを搬出するための搬入出
口４が、ケーシング２の前側板２ａに形成されている。
そしてこの処理システム１自体は、壁Ｚによって仕切ら
れている２つのクリーンルームＣＲ１、ＣＲ２にまたが
って設置されており、搬入出口４はクリーンルームＣＲ
１内雰囲気に面している。

【００２２】ケーシング２内は、図３に示したように、
仕切板５によって第１の空間となるキャリアステーショ
ン部Ａと、第２の空間となるプロセス部Ｂとに仕切られ
ている。各キャリアステーション部Ａとプロセス部Ｂの
上部には、各々ＦＦＵ６が設けられており、清浄なダウ
ンフローが形成されている。

【００２３】載置部３に載置されたキャリアＣ内のウエ
ハＷは、副搬送手段としてのサブ搬送アーム１１によっ
て取り出され、プロセス部Ｂにあるメイン搬送アーム１
２へと搬送される。そしてプロセス部Ｂ内にはウエハＷ
に対して所定の処理を行う各種の処理装置が、搬送手段
としての２つのメイン搬送アーム１２、１３の搬送路を
挟んだ両側に配置されている。即ち、ウエハＷに対して
ブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１４、ウエハＷに対して
高圧ジェット洗浄する水洗洗浄装置１５、ウエハＷの表
面を疎水化処理してレジストの定着性を向上させるアド
ヒージョン処理装置１６、ウエハＷを所定温度に冷却す
る冷却処理装置１７、ウエハＷの表面にレジスト液を塗
布するレジスト塗布装置１８、レジスト液塗布後のウエ
ハＷを加熱したり、露光後のウエハＷを加熱する加熱処
理装置１９、露光後のウエハＷに現像液を供給して現像
処理する現像処理装置２０が配置され、集合化させるこ
とで処理効率の向上が図られている。これら各処理装置
に対するウエハＷの搬入出は、メイン搬送アーム１２、
１３によって行われる。

【００２４】ケーシング２の前側板２ａに形成されてい
る搬入出口４には、この搬入出口４を気密に開閉自在な
上下動自在のシャッタＳ１が設けられている。また前記
仕切板５には搬送口８が形成されており、さらにこの搬
送口８には、この搬送口８を気密に開閉自在な上下動自
在のシャッタＳ２が設けられている。これらのシャッタ
Ｓ１、Ｓ２の開閉制御は、コントローラ（図示せず）に
よって自動的になされる。なおシャッタＳ１を閉鎖した
ときのシステムの気密性は、完全気密ではなくフレーム
部分からの多少のリークを許容しているので、ケーシン
グ２内の圧力は、クリーンルームＣＲ１、ＣＲ２内の圧
力よりも高く設定されている。

【００２５】ケーシング２の底部は、図４にも示したよ
うに、排気空間Ｅを介して底板２ｂ、２ｃが上下に配置
されたいわゆる二重床構造になっており、上側の底板２
ｂには、排気空間Ｅに通ずる排気口３１が適宜数形成さ
れている。前記各処理装置は、図５にも示したように、
底板２ｂの上に設置されているキャビネット３２の上に
装備されているが、このキャビネット３２における前出
メイン搬送アーム１２、１３の搬送路に面した側面に
も、排気空間Ｅに通ずる適宜の排気口３３を形成しても
よい。そして排気空間Ｅ内の雰囲気は、図３に示したよ
うに、排気管３４を介して、例えばグレーチングの下方
へ排気するようになっている。この場合、工場などに施
工されている集中排気系に排気するようにしてもよい。

【００２６】前記排気口３１、３３は基本的には、同種
の構造にすることができ、例えば排気口３１について説
明すると、図６に示したように、この排気口３１は、グ
リル３１ａに複数の排気開口部３１ｂが形成され、さら
に図７に示したように、各排気開口部３１ｂを開閉自在
な排気シャッタ３１ｃを備えた構造を有している。従っ
て、この排気シャッタ３１ｃの開度調整、即ち排気開口
部３１ｂの開口面積を調整することで、単位時間の排気
量の調整が行えるようになっている。なおキャリアステ
ーション部Ａの床面に設けられている排気口３５にも、
そのような排気量調整のための機構が備えられている。

【００２７】本実施の形態にかかる処理システム１は、
以上のように構成されており、例えば搬送ロボット（図
示せず）や作業員などによって被処理基板であるウエハ
を収納したキャリアＣを処理システム１内に搬入する場
合には、図８に示したように、搬入出口４のシャッタＳ
１を開放し、仕切板５の搬送口８のシャッタＳ１は閉鎖
しておく。この状態でキャリアＣを搬入出口４から載置
部３へと搬入し、システム内に投入する。

【００２８】投入が終わると、直ちにシャッタＳ１を閉
鎖する。そしてサブ搬送アーム１１がキャリアＣ内のウ
エハＷを取りにいく間は、シャッタＳ２はまだ閉鎖状態
にする。これによって、仮にキャリアＣの投入時にクリ
ーンルームＣＲ１内のパーティクルや、キャリアＣの載
置時並びにサブ搬送アーム１１の移動の際に発生したキ
ャリアステーション部Ａ内のパーティクルは、ＦＦＵ６
のダウンフローによって下方へと搬送され、排気口３５
から排気される。従って、この状態で図９に示したよう
に、シャッタＳ２を開放して、搬送口８を通じてメイン
搬送アーム１２がサブ搬送アーム１１上のウエハＷを取
りにいっても、プロセス部Ｂ内にパーティクルが侵入す
ることは殆どない。

【００２９】ところが本実施の形態においては、既述し
たように、プロセス部Ｂ内の排気口３１、３３の排気面
積を調整して、プロセス部Ｂ内からの排気量が調整でき
るので、次のようなウエハＷの搬送方法を実施すること
ができる。

【００３０】即ち、前記シャッタＳ２が閉鎖している間
に、プロセス部Ｂ内の排気口３１、３３を、図７に示し
たように、排気シャッタ３３ｃをスライドさせて排気面
積が図６の状態よりも狭くなるように制御することで、
相対的に、プロセス部Ｂ内の圧力をキャリアステーショ
ン部Ａ内の圧力よりも高くする。

【００３１】この状態で図９に示したように、シャッタ
Ｓ２を開放すれば、プロセス部Ｂ内の圧力がキャリアス
テーション部Ａ内の圧力よりも高くなっているから、キ
ャリアステーション部Ａ内の雰囲気がプロセス部Ｂ内に
流入することはない。従って、仮にキャリアステーショ
ン部Ａ内にパーティクルが残存していても、プロセス部
Ｂ内に侵入することはないものである。

【００３２】メイン搬送アーム１２がウエハＷを受け取
ると、以後メイン搬送アーム１２は所定のレシピに従っ
て、プロセス部Ｂ内に配置されている各種処理装置にウ
エハＷを搬送し、所定の処理が順次実施されていく。そ
のようにして所定の処理が終了すると、ウエハＷはメイ
ン搬送アーム１２によって再びキャリアステーション部
Ａ内へと搬送されるが、その場合でも、前記した場合と
同様、図９に示したようにシャッタＳ１を閉鎖した状態
で、キャリアステーション部Ａ内へと搬送することで、
クリーンルームＣＲ１内の雰囲気がプロセス部Ｂ内に侵
入することはない。また前記した場合と同様、プロセス
部Ｂ内の圧力をキャリアステーション部Ａ内の圧力より
も高く差圧調整することにより、キャリアステーション
部Ａ内の雰囲気がプロセス部Ｂ内に流入することはな
い。従って、プロセス部Ｂ内にある各種処理装置は、常
に清浄な雰囲気の下でウエハＷに対して所定の処理を実
施することができる。

【００３３】なお前記処理システム１における排気口３
１、３３の排気口面積の可変構成は、例えば既述の如く
シャッタ３１ｃの開閉に拠っていたが、これに代えて図
１０に示したように、いわゆるプッシュダンパ構成に拠
ってもよい。即ち図１０に示した排気口４１は、排気開
口４１ａに対して接近離隔自在な蓋体４１ｂを、排気空
間に通ずる開口４１ｃを有するチャンバ４１ｄに設けた
構成を有している。従って、蓋体４１ｂの排気開口４１
ａに対する接近度合いによって排気量を調整することが
できる。

【００３４】もちろん以上のような排気口自体に排気量
調整機能を付与した構成に代えて、適宜ダクトを施工
し、このダクト中に可変ダンパを設けて、排気量の調整
を行ってもよい。

【００３５】また前記処理システム１においては、プロ
セス部Ｂ内の排気量を調整して、キャリアステーション
部Ａとの差圧を実現したが、逆にキャリアステーション
部Ａ内の排気量を調整して、プロセス部Ｂ内の圧力を高
くするように構成してもよい。また前記処理システム１
は、スルーザウォール方式に設置されていたが、もちろ
ん本発明は、通常のように単一のクリーンルーム内にシ
ステム全てが設置される場合であっても、叙上のような
所期の効果を得ることができる。

【００３６】さらに前記実施形態にかかる処理システム
１では、ケーシング２の搬入出口４、仕切板５の搬送口
を開閉するのに、上下動自在のシャッタＳ１、Ｓ２を用
いたが、これに代えて、下降層流によって雰囲気を遮断
するエア・カーテンを用いてもよい。その場合、図１１
に示したように、例えば仕切板５の搬送口８にエア・カ
ーテン６１を設定する場合、仕切板５内を中空構造と
し、搬送口８の上辺８ａにエアの吹出部６２を設け、搬
送口８の下辺８ｂに吸込部６３を設ければ、下降気流が
周囲に飛散せずに好ましい。さらにその場合、吸込部６
３を排気空間Ｅに通ずるようにしたり、あるいは別途吸
引系と接続するようにすれば、なお好ましい。なおこの
ようなエア・カーテンを採用した場合、ウエハＷが搬送
口８を通過する時には、吹出部６２からのエアの吹出を
停止させるようにすれば、エアが周囲に拡散して気流を
乱すことはない。

【００３７】なお前記実施形態における処理システム１
においては、ケーシング２の底部を二重床構造とし、排
気空間Ｅを介して排気するようにしたが、もちろん適宜
ダクトやチューブを介して排気するようにしてもよい。

【００３８】なお前記した各実施の形態に係る処理シス
テムは、ウエハＷに対してレジスト塗布・現像処理を行
うシステムとして構成されていたが、本発明はこれに限
らず、ウエハに対して所定の熱雰囲気の下で成膜処理を
行う装置や、洗浄のみを行う装置を備えたシステムな
ど、１つの処理のみを実施するように構成された処理シ
ステムに対しても適用できる。もちろん被処理基板自体
もウエハに限らず、例えばＬＣＤ用ガラス基板であって
もよい。

【００３９】

【発明の効果】請求項１の被処理基板の搬送方法によれ
ば、システムがスルーザウォール方式で設置されていて
も、第１の空間側から第２の空間側へと向かう気流は形
成されず、第１の空間内に浮遊しているパーティクル
が、処理装置のある第２の空間内へと侵入することはな
い。従って、処理装置は常に清浄な雰囲気下で所定の処
理を実施することができる。

【００４０】請求項２〜請求項７の処理システムによれ
ば、シャッタの開閉やエア・カーテンを適宜制御するこ
とにより、ケーシング外、即ちシステム外から直接第２
の空間内へと向かう気流は形成されず、処理装置のある
第２の空間内へのパーティクルの侵入は抑えられる。ま
た例えば被処理基板を第２の空間内に搬送する際に第２
の空間内の圧力を第１の空間内の圧力を高く設定するこ
とも容易であり、かかる場合には、処理装置のある第２
の空間内へのパーティクルの侵入を完全に防止すること
ができる。そして請求項６、７の処理システムにおいて
は、第１の空間と第２の空間との差圧調整が容易であ
り、請求項１の方法をそのまま好適に実施することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる処理システムの外
観を示す斜視図である。

【図２】図１の処理システムの内部の様子を示す斜視図
である。

【図３】図１の処理システムの内部の様子を示す側面の
縦断面の説明図である。

【図４】図１の処理システムの内部の様子を示す正面の
縦断面の説明図である。

【図５】図１の処理システムのプロセス部の排気口の様
子を示す説明図である。

【図６】図１の処理システムにおける排気口の正面図で
ある。

【図７】図７の排気口において排気シャッタがスライド
して排気面積が減少した状態をを示す正面図である。

【図８】キャリアを図１の処理システムに投入した状態
を示す説明図である。

【図９】図１の処理システムにおいてウエハをキャリア
ステーション部からプロセス部に搬送するときの状態を
示す説明図である。

【図１０】排気口の他の例を示す説明図である。

【図１１】図１の処理システムにおいてシャッタに代え
て適用できるエア・カーテンの構成を示す説明図であ
る。

【図１２】従来の処理システムの縦断面の説明図であ
る。

【符号の説明】

１処理システム２ケーシング３載置部４搬入出口５仕切板６ＦＦＵ８搬送口１１サブ搬送アーム１２、１３メイン搬送アーム１４ブラシ洗浄装置１５水洗洗浄装置１６アドヒージョン処理装置１７冷却処理装置１８レジスト塗布装置１９加熱処理装置２０現像処理装置３１、３３排気口Ａキャリアステーション部Ｂプロセス部ＣキャリアＣＲ１、ＣＲ２クリーンルームＥ排気空間Ｓ１、Ｓ２シャッタＷウエハＺ壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川上恭徳熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地東京エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者河野史彦東京都府中市住吉町２丁目30番地の７東京エレクトロンエフイー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板に対して所定の処理を行う処
理装置と、前記処理装置に対して被処理基板を搬入出す
るための搬送手段と、被処理基板を収納する収納体が載
置される載置部とがケーシング内に設けられた処理シス
テムにおいて、前記収納体と搬送手段との間で被処理基
板を搬送するにあたり、前記載置部及び搬送装置が存在
する第１の空間と、処理装置が存在する第２の空間とを
このケーシング内において仕切板によって仕切ると共
に、前記第１の空間と、第２の空間との間で被処理基板
を搬送するための搬送口を前記仕切板に設け、第２の空
間内の圧力の方を第１の空間内の圧力よりも高く設定し
た状態で、被処理基板を前記搬送口を通じて行うことを
特徴とする、被処理基板の搬送方法。
【請求項２】被処理基板に対して所定の処理を行う処
理装置と、前記処理装置に対して被処理基板を搬入出す
るための搬送手段と、被処理基板を収納する収納体を載
置する載置部とをケーシング内に有したシステムであっ
て、さらに前記収納体をシステム内に対して搬入出する
ための搬入出口が前記ケーシングに設けられた処理シス
テムにおいて、前記載置部が存在する第１の空間と、処
理装置及び搬送手段が存在する第２の空間とが仕切板に
よって仕切られ、前記第１の空間と、第２の空間との間
で被処理基板を搬送するための搬送口が前記仕切板に設
けられ、前記搬入出口には、この搬入出口を開閉自在な
第１のシャッタが設けられ、前記搬送口には、この搬送
口を開閉自在な第２のシャッタが設けられたことを特徴
とする、処理システム。
【請求項３】被処理基板に対して所定の処理を行う処
理装置と、前記処理装置に対して被処理基板を搬入出す
るための搬送手段と、被処理基板を収納する収納体を載
置する載置部と、載置された収納体と前記第１の搬送手
段との間で、直接又は間接的に被処理基板を搬送する副
搬送手段とをケーシング内に有したシステムであって、
さらに前記収納体をシステム内に対して搬入出するため
の搬入出口が前記ケーシングに設けられた処理システム
において、前記載置部及び副搬送手段が存在する第１の
空間と、処理装置及び搬送手段が存在する第２の空間と
が仕切板によって仕切られ、前記第１の空間と、第２の
空間との間で被処理基板を搬送するための搬送口が前記
仕切板に設けられ、前記搬入出口には、この搬入出口を
開閉自在な第１のシャッタが設けられ、前記搬送口に
は、この搬送口を開閉自在な第２のシャッタが設けられ
たことを特徴とする、処理システム。
【請求項４】前記搬入出口には、シャッタに代えてエ
ア・カーテンが設けられたことを特徴とする、請求項２
又は３に記載の処理システム。
【請求項５】前記搬送口には、シャッタに代えてエア
・カーテンが設けられたことを特徴とする、請求項２、
３又は４のいずれかに記載の処理システム。
【請求項６】少なくとも前記第１の空間内又は第２の
空間内には、当該空間内の雰囲気を排気するための排気
口が設けられ、当該排気口からの排気量が調整自在であ
ることを特徴とする、請求項２、３、４又は５のいずれ
かに記載の処理システム。
【請求項７】少なくとも前記第１の空間内又は第２の
空間内には、当該空間内の雰囲気を排気するための排気
口が設けられ、この排気口は、その排気開口部の面積が
可変となるように構成されたことを特徴とする、請求項
２、３、４又は５のいずれかに記載の処理システム。