JP2002313709A - 基板の処理装置及び搬送アーム - Google Patents

基板の処理装置及び搬送アーム

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャンバ内を排気して減圧する際に，チャン
バ内のウェハ表面上に，ウェハ面内において均一な気流
を形成する。 【解決手段】 略円盤状の載置台６１と上下動可能な蓋
体６２によって，ウェハＷを収容し気密に閉鎖可能なチ
ャンバ６０を形成する。蓋体６２の上部には，排気管６
７を設け，チャンバ６０内を減圧可能とする。蓋体６２
の内側には，略円盤状の整流板７２を設ける。整流板７
２の下面を平坦に形成し，整流板７２の下面に支持部材
７３を取り付けて，整流板７２を載置台６１上に支持部
材７３を介して平行に載置可能とする。整流板７２の外
径を蓋体６２の内径より僅かに大きくなるように形成
し，整流板７２の外縁部に複数の通気孔７４を設ける。
通気孔７４は，同一円周上に均等に設けられる。減圧に
よってウェハＷ表面上にウェハＷ中心部から外縁部に向
かう均一な気流が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の処理装置及
び搬送アームに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後の
ウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ，ウェハ
に所定の回路パターンを形成する。
【０００３】現在，前記レジスト塗布処理においては，
回転されたウェハの中心にレジスト液を吐出して，ウェ
ハ表面にレジスト液を拡散させるスピンコーティング法
が主流をなしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，スピン
コーティング法は，ウェハを高速で回転させるため，ウ
ェハの外縁部から大量のレジスト液が飛散し，無駄にな
るレジスト液が多い。また，レジスト液の飛散により当
該装置が汚染されるため，頻繁に洗浄しなければならな
い等の弊害が生じていた。
【０００５】そこで，ウェハを回転させるスピンコーテ
ィング法に代えて，ウェハとレジスト液吐出部を相対的
に移動させて，レジスト液吐出部からレジスト液を，例
えばウェハ上に満遍なく格子状に塗布する，いわゆる一
筆書きの塗布方法が考えられる。かかる一筆書きの塗布
方法の場合には，レジスト液がウェハ表面に拡散し易い
ように粘性の低いレジスト液を使用することが考えられ
る。
【０００６】しかしながら，粘性の低いレジスト液を使
用してレジスト塗布を行っても，なおレジスト膜の表面
がレジスト液の塗布経路に沿って盛り上がることが予想
され，塗布後にレジスト膜を平坦化する処理が必要であ
る。そこで，レジスト液が塗布されたウェハを，チャン
バ内に収容し，チャンバ内を排気しながら減圧して，そ
の際に形成された気流によってレジスト液を平坦化する
ことが提案できる。そして，かかる提案のように気流に
よってレジスト膜を平坦化するには，当該気流がレジス
ト膜の表面上に沿って流れるように整流板を取り付ける
ことが好ましい。また，ウェハ表面全面に渡って均一な
気流が形成されないと，レジスト液がウェハ面内におい
て均一に平坦化されず，レジスト膜の膜厚が不均一にな
る。したがって，整流板を用いる際には，ウェハ上にウ
ェハ面内において均一な気流を形成することが重要であ
る。さらに，かかるチャンバを有する処理装置にウェハ
を搬送するには，当該処理装置の構成に適合した搬送ア
ームが必要になる。
【０００７】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，減圧によって生じる気流がウェハ等の基板表面
において均一に形成される基板の処理装置及び当該処理
装置に基板を搬送するのに適した搬送アームを提供する
ことをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板を処理する処理装置であって，基板を収容し，
気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，前記処
理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該
処理室を減圧させるための排気部と，前記減圧する際に
前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有
し，前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載
置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となっ
て処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体と
を有し，前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持
する支持部材を有することを特徴とする基板の処理装置
が提供される。
【０００９】このように，整流板を載置台に対して平行
に支持する支持部材を設けることによって，整流板が載
置台上に載置される基板に対して平行に維持される。こ
れによって，整流板と基板間に流れる気流の速度が基板
面内において均一になるので，当該気流によって，例え
ば上述したいわゆる一筆書きの要領で塗布された塗布膜
が基板面内で均一に平坦化される。したがって，基板上
に均一な膜厚を有する塗布膜を形成することができる。
【００１０】前記整流板の下面には，３以上の前記支持
部材が取り付けられており，前記整流板は，前記支持部
材を介して前記載置台上に載置されるようにしてもよ
い。このように整流板の下面に上記支持部材を取り付
け，支持部材と一体となった整流板を載置台上に載置す
ることによって，整流板と載置台との平行が確保され，
減圧時に基板表面上に均一な気流が形成される。
【００１１】整流板は，前記蓋体の内径とほぼ同一径を
有する円盤形状を有し，前記整流板には，複数の通気孔
が同一円周上に設けられており，当該通気孔は，平面か
ら見て前記載置台上の基板の外方に設けるようにしても
よい。このように，整流板を蓋体の内径とほぼ同一径を
有する円盤状に形成し，当該整流板に複数の通気孔を同
一円周上に設けることによって，減圧時に基板と整流板
との間の雰囲気が同一円周上の各通気孔に流入し，基板
上に平面からみて放射状に流れる均一な気流が形成され
る。また，当該通気孔は，平面から見て載置台上に載置
される基板の外方に設けられているので，基板の中心か
ら基板の外方まで流れる気流が形成され，基板表面上の
気流の均一性が確保される。
【００１２】前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，当
該蓋体の内側部には，内側に突出する凸部が設けられて
おり，前記整流板の外縁部は，前記凸部上に支持可能で
あってもよい。このように蓋体の内側部に凸部を設け，
整流板の外縁部を当該凸部に支持可能にすることによっ
て，蓋体が上昇した時に，整流板の外縁部が蓋体の凸部
によって支持され，整流板が蓋体と共に上昇される。ま
た，蓋体が下降した時に，整流板も下降され，整流板が
載置台上に載置される。これによって，基板を処理装置
内に搬入させる際に，整流板と基板とを干渉させること
なく，基板の搬送を好適に行うことができる。
【００１３】また，前記蓋体を昇降させる昇降機構を有
し，前記整流板の上面には，前記蓋体が前記整流板を吊
り下げるための吊り下げ支持部材が取り付けられてお
り，前記吊り下げ支持部材には，係止部が設けられてお
り，前記蓋体には，前記係止部を係止する被係止部が設
けられるようにしてもよい。このように，整流板の吊り
下げ支持部材に係止部を設け，蓋体に被係止部を設ける
ことによって，整流板を蓋体の昇降に連動させることが
できるので，基板の搬入出時に整流板が昇降され，基板
の搬入を好適に行うことができる。
【００１４】整流板の吊り下げ支持部材の係止部は，水
平に突出した凸形状を有し，蓋体には，当該係止部が上
下に移動可能な穴が設けられており，蓋体の被係止部
は，当該穴内に水平に突出する凸形状を有し，更に，前
記吊り下げ支持部材は，前記蓋体が下降し前記処理室が
形成された際に，前記係止部と前記被係止部との係止が
解除された状態になるように形成されていてもよい。こ
のように，吊り下げ支持部材に凸形状を有する前記係止
部にを設け，蓋体の穴内に，凸形状の被係止部を設ける
ことによって，蓋体が上昇した時に，係止部が被係止部
によって係止され，整流板が蓋体によって上昇される。
これによって，基板の処理装置内への搬入出を，整流板
と干渉することなく好適に行うことができる。また，蓋
体が下降して処理室が形成された際に，係止部と被係止
部との係止が解除されているようにしたので，処理室形
成時に蓋体から整流板にかかる荷重が無くなり，整流板
が蓋体の水平度合に左右されず，整流板が水平に維持さ
れる。これによって，基板と整流板との間の隙間が基板
面内において均一になるため，減圧時に当該隙間を流れ
る気流が基板面内において均一に形成される。
【００１５】前記蓋体の穴に，当該穴内の雰囲気を排気
するための排気管を設けるようにしてもよい。これによ
って，吊り下げ支持部材の係止部と蓋体の被係止部との
接触によって発生する塵埃等を除去することができるの
で，当該不純物によって基板が汚染されることが防止さ
れる。
【００１６】前記載置台に，上述の支持部材の下部を受
容する凹部を設けるようにしてもよい。これによって，
支持部材が気流等の影響によって載置台上でスライドす
ることが抑制され，当該スライドによって塵埃等のパー
ティクルが発生することが抑制される。
【００１７】さらに前記載置台に設けられた凹部に，当
該凹部内の雰囲気を排気するための排気管を設けるよう
にしてもよい。これによって，当該凹部内に不純物が発
生したとしても，当該不純物が排気管によって排気さ
れ，当該不純物によって基板が汚染されることが抑制さ
れる。
【００１８】前記支持部材を前記整流板から取り外し自
在にしてもよい。このように，支持部材を整流板から取
り外し自在にすることによって，例えば支持部材を高さ
の異なる支持部材に取り替えて，基板と整流板との距離
を変更することができる。これによって，基板表面上に
形成される気流の強さを自由に変更し，基板の大きさや
基板処理のレシピに適合した最適な気流を形成すること
ができる。
【００１９】また，前記整流板は，前記支持部材を挿入
自在な有底孔を有し，前記有底孔は，当該有底孔の内周
面から有底孔内に付勢されたストッパを有し，前記スト
ッパは，少なくとも一部に球形部を有し，前記支持部材
の外周には，前記ストッパの球形部が入り込む，環状で
略Ｖ字形状の溝が設けられていてもよい。これによっ
て，支持部材を整流板の有底孔内に挿入すると，ストッ
パの球形部が，前記支持部材の溝に入り込み，ストッパ
によって支持部材が係止される。したがって，当該支持
部材を整流板に取り付けることができる。また，支持部
材を有底孔内から引き抜くことによってストッパと溝と
の係止が解除され，支持部材を整流板から取り外すこと
ができる。したがって，支持部材が整流板から取り外し
自在となり，支持部材を好適に交換することができる。
【００２０】蓋体には，上述したストッパの設けられた
整流板を上方から下方に向けて押圧する弾性部材を設け
るようにしてもよい。球形状のストッパをＶ字形状の溝
に入り込ませて前記支持部材を係止すると，小さな外力
によってもストッパと支持部材とがずれるので，整流板
の位置が不安定になる。蓋体に整流板を上方から下方に
向けて押圧する弾性部材を設けることによって，整流板
が下方に押しつけられ，整流板の位置が安定する。これ
によって，整流板と基板との隙間が変動せずに安定し，
当該隙間に形成される気流が安定される。また，弾性部
材で押圧するので，例え蓋体が傾いたとしても，整流板
への影響が最小限に抑えられ，整流板の水平が維持され
る。
【００２１】載置台には，基板を昇降させる昇降ピンが
上下に移動するための孔が設けられており，前記孔は，
前記載置台上の基板の外縁部に対応する位置に設けられ
ていてもよい。基板の温度は，近接した載置台の温度の
影響を受ける。また，載置台における昇降ピンのための
孔が設けられている部分は，他の部分の温度と異なって
くる。本発明によれば，昇降ピンを昇降させるための孔
を，製品として使用されない基板の外縁部に対向する位
置に設けることによって，製品として使用される部分の
基板面内の温度を均一に維持することができる。
【００２２】整流板の材質は，高密度ポリエチレン又は
石英であってもよい。高密度ポリエチレンや石英は，温
度伝導率の極めて低い材質であり，整流板が基板に近づ
いた時に，整流板からの熱によって基板温度が変動され
ることを抑制できる。
【００２３】整流板の材質には，多孔性を有するものが
用いられてもよい。チャンバ内を減圧した時には，整流
板と基板との隙間に基板の中心部から基板の外縁部に向
かう気流が形成される。そして，整流板の外縁部まで進
んだ気流は，蓋体上部の排気管の方向に上昇する。当該
気流が上昇する際に，例えば基板上の塗布液の溶剤が最
も蒸発される。したがって，当該整流板の外縁部に近い
基板の外縁部では，前記溶剤の蒸発が激しく行われる。
また，気流によって塗布液が基板外縁部に追いやられる
ため，蒸発して乾燥した塗布液上に次々と新しい塗布液
が流れ込む。これによって，基板の外縁部では，塗布液
の乾燥と流入が繰り返され，塗布液の盛り上がりが形成
される。当該盛り上がった部分は，製品として使用でき
ないため，当該盛り上がりは，小さい方が好ましい。そ
こで，整流板の材質を多孔性とすることによって，整流
板の外縁部以外の部分からも気流が整流板内部を通っ
て，蓋体上部に流れ込むようになり，基板外縁部での溶
剤の蒸発が軽減されるため，当該盛り上がりを抑制する
ことができる。
【００２４】請求項１６の発明によれば，請求項１３の
基板の処理装置に基板を搬送する搬送アームであって，
基板の外縁部を支持するアーム部を有し，前記アーム部
には，前記昇降ピンに干渉しないように切り欠きが設け
られていることを特徴とする搬送アームが提供される。
請求項１３で記載した基板の処理装置は，昇降ピンのた
めの孔を，載置台において基板の外方に対向する位置に
設けたものである。したがって，昇降ピンは，基板の外
縁部を支持して昇降させることになる。このように昇降
ピンが基板の外縁部を支持するようにすると，同じく基
板の外縁部を支持する基板の搬送アームとの干渉が懸念
される。請求項１６のように，搬送アームのアーム部に
切り欠きを設けることによって，搬送アームと昇降ピン
との干渉を回避することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本発明にかかる基板の処
理装置を搭載した塗布現像処理システム１の構成の概略
を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１
の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背
面図である。
【００２６】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
【００２７】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００２８】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。
【００２９】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択できる。
【００３０】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗
布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処理する現像処
理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理
装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現
像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられてい
る。
【００３１】レジスト塗布装置１７及び１９は，レジス
ト液を吐出するための図示しないレジスト吐出ノズル
と，当該レジスト吐出ノズルとウェハＷを相対的に移動
させるための図示しない移動機構とを有している。そし
て，当該レジスト塗布装置１７及び１９では，レジスト
吐出ノズルとウェハＷを相対的に移動させながら，レジ
スト吐出ノズルからウェハＷ上にレジスト液を吐出し，
ウェハＷ表面にレジスト液を塗布する，いわゆる一筆書
きの要領でレジスト液の塗布が行われる。
【００３２】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，本実施の形態にかかる基板の処理装
置としての減圧乾燥装置３３，３４及びレジスト膜中に
残存している溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３
５，３６が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００３３】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，現
像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置４６，
４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３４】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷ
を搬送できるように構成されている。
【００３５】次に，上述した減圧乾燥装置３３の構成に
ついて説明する。減圧乾燥装置３３は，図４に示すよう
に，ウェハＷを収容して気密に閉鎖可能なチャンバ６０
を有している。チャンバ６０は，ウェハＷを載置し，厚
みのある略円盤状の載置台６１と，載置台６１の上方に
位置し，下面が開口した略円筒状の蓋体６２とで構成さ
れている。
【００３６】蓋体６２には，蓋体６２を上下動させる昇
降機構６３が設けられている。昇降機構６３は，例えば
モータによって蓋体６２を昇降させる駆動部６４と，当
該駆動部６４を制御する制御部６５とを有している。こ
れによって，蓋体６２が上下方向に移動可能となり，蓋
体６２を下降させて，載置台６１と一体となって処理室
Ｓを形成することができる。
【００３７】蓋体６２の内側部には，内側に凸状に突出
した凸部６６が環状に設けられている。これによって，
後述する整流板７２の外縁部を支持し，持ち上げること
ができる。
【００３８】蓋体６２の上面の中央部には，処理室Ｓ内
の雰囲気を排気する排気部としての排気管６７が設けら
れている。排気管６７は，処理室Ｓ内の雰囲気を所定の
圧力で吸引する吸引ポンプ６８に連通されており，当該
吸引ポンプ６８は，ポンプ制御部６９によってその吸引
力が制御されている。かかる構成によって，吸引ポンプ
６８が作動され，排気管６７からチャンバ６０内の雰囲
気を排気し吸引して，チャンバ６０内を減圧するととも
に，チャンバ６０内に気流を発生させることができる。
また，蓋体６２の下端面には，処理室Ｓの気密性を確保
するためのＯリング７０が設けられている。
【００３９】排気管６７には，当該排気管６７を介して
処理室Ｓに気体，例えば窒素ガスを供給する供給部７１
が接続されている。これによって，減圧乾燥処理後に処
理室Ｓに気体を供給し，減圧状態を回復させたり，処理
室Ｓの雰囲気をパージしたりすることができる。
【００４０】チャンバ６０内には，排気管６７の排気に
よって生じた処理室Ｓ内の気流を制御する整流板７２が
設けられている。整流板７２は，例えば薄い円盤状の形
状を有し，下面が平坦に形成されている。整流板７２の
下面は，表面加工が施されており，表面粗さが，例えば
２００μｍ以下に加工されている。整流板７２には，温
度伝導率の低い材質，例えば低密度ポリエチレン，石
英，ポーラス材等が使用される。
【００４１】整流板７２の下面には，図５に示すように
円柱状で長さの同じ３つの支持部材７３が取り付けられ
ている。これによって，整流板７２が支持部材７３を介
して載置台６１に平行に載置されるようになっている。
【００４２】整流板７２は，図６に示すように蓋体６２
の内径よりも僅かに小さい径を有している。整流板７２
と蓋体６２との間には，整流板７２が蓋体６２に対して
可動となる程度，例えば１ｍｍ程度のわずかな隙間ｄが
設けられている。
【００４３】整流板７２の外縁部には，同一径，例えば
２ｍｍ程度の複数の通気孔７４が同一円周上に等間隔で
設けられている。通気孔７４は，載置台６１上のウェハ
Ｗの外方の位置に対応する位置に配置されている。これ
によって，排気管６７からの排気時に，ウェハＷ表面上
の雰囲気が各通気孔７４から蓋体６２の上部に吸引さ
れ，ウェハＷ表面上にウェハＷ中心部から外縁部に向か
う放射状の気流が形成される。
【００４４】整流板７２の外縁部は，上述した凸部６６
上に支持自在に構成されている。したがって，蓋体６２
が上昇されると，整流板７２が凸部６６上に支持され，
整流板７２も上昇される。また，蓋体６２が下降され，
処理室Ｓが形成された際には，整流板７２の凸部６６に
よる支持が解除され，整流板７２は，凸部６６とは非接
触の状態で支持部材７３を介して載置台６１上に載置さ
れる。
【００４５】載置台６１には，載置台６１を所定の温度
に調節する温度調節部材，例えばペルチェ素子７５が設
けられている。ペルチェ素子７５は，ペルチェ素子７５
の電源を制御する温度制御部７６によってその温度が制
御されている。これによって，載置台６１を所定の温度
に調節し，載置台６１上のウェハＷを所定の温度に維持
することができる。
【００４６】載置台６１上には，載置台６１上のウェハ
Ｗの外縁部に対応する位置にプロキシミティピン７７が
設けられており，ウェハＷは，このプロキシミティピン
７７上に載置される。これによって，載置台６１との間
の熱交換が輻射熱によって行われるため，ウェハＷ面内
温度の均一性を確保することができる。
【００４７】載置台６１の下方には，ウェハＷの下面を
支持し，昇降させるための手段である昇降ピン７８が複
数設けられている。当該昇降ピン７８は，フランジ７９
上に直立されて設けられている。また，昇降ピン７８
は，載置台６１の中央付近に設けられた貫通孔８０内を
移動自在である。昇降ピン７８には，フランジ７９を上
下方向に移動させるシリンダ等を備えた昇降駆動部８１
が設けられている。これによって，昇降ピン７８は，貫
通孔８０内を上下方向に移動して，載置台６１上に突出
できる。
【００４８】フランジ７９と貫通孔８０との間の昇降ピ
ン７８は，伸縮自在なベローズ８２によって覆われてい
る。これによって，外部の雰囲気が貫通孔８０を通じて
処理室Ｓに流入することが防止され，処理室Ｓの気密性
が確保される。
【００４９】次に，以上のように構成されている減圧乾
燥装置３３の作用について，塗布現像処理装置１で行わ
れるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明す
る。
【００５０】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウ
ェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置
３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向
上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，
クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却され
る。そして，所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送
装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送
される。
【００５１】レジスト塗布装置１７に搬送されたウェハ
Ｗは，いわゆる一筆書きの要領でレジスト液が塗布され
る。そして，レジスト液の塗布されたウェハＷは，主搬
送装置１３によって減圧乾燥装置３３に搬送される。
【００５２】減圧乾燥装置３３で後述する処理が施され
たウェハＷは，プリベーキング装置３５に搬送されて，
加熱処理され，次にエクステンション・クーリング装置
４１に搬送されて，冷却される。次いでウェハＷはエク
ステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５
０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経
て露光装置（図示せず）に搬送され，ウェハＷ上に所定
のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷ
は，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２
に搬送され，その後，主搬送装置１３によってポストエ
クスポージャーベーキング装置４４に搬送され，加熱処
理が行われた後，クーリング装置４３に搬送され，冷却
処理される。
【００５３】当該冷却処理が終了したウェハＷは，主搬
送装置１３によって現像処理装置１８に搬送され，現像
処理が行われ，その後ポストベーキング装置４６，クー
リング装置３０と順次搬送され，各装置において所定の
処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンショ
ン装置３２を介してカセットＣに戻され，一連の塗布現
像処理が終了する。
【００５４】次いで，上述の減圧乾燥装置３３の作用に
ついて詳しく説明する。先ず，ウェハＷが減圧乾燥装置
３３に搬送される前に，載置台６１は，温度制御部７６
及びペルチェ素子７５によって所定の温度，例えば常
温，例えば２３℃に維持される。
【００５５】そして，前工程のレジスト塗布処理が終了
すると，ウェハＷは主搬送装置１３によって減圧乾燥装
置３３内に搬送され，載置台６１上方まで移動される。
このとき，蓋体６２は，図７に示すように昇降機構６３
によって上昇し，また，整流板７２も蓋体６２の凸部６
６に支持され，上昇している。
【００５６】載置台６１上方まで移動されたウェハＷ
は，載置台６１上で予め上昇して待機していた昇降ピン
７８に受け渡される。次いで，昇降ピン７８が昇降駆動
部８１によって下降され，ウェハＷが載置台６１上のプ
ロキシミティピン７７上に載置される。
【００５７】次いで，蓋体６２が下降され，蓋体６２の
下端部が載置台６１に密着して，気密な処理室Ｓが形成
される。このとき蓋体６２の下降に伴って整流板７２が
下降され，蓋体６２の下降の途中で，整流板７２が支持
部材７３を介して載置台６１上に載置される。これによ
って，整流板７２の凸部６６による支持が解除され，整
流板７２と蓋体６２とが非接触状態になる。また，整流
板７２は，支持部材７３によって載置台６１に対して平
行になる。
【００５８】次に，吸引ポンプ６８が作動され，処理室
Ｓの雰囲気が排気管６７を介して所定の圧力，例えば
０．０１３ＫＰａで吸引され始める。これに伴い処理室
Ｓに気流が形成される。当該気流は，図４に示すように
整流板７２に沿ってウェハＷ表面をウェハＷ中心部から
外縁部に流れ，その後通気孔７４から蓋体６２上部に流
通し，排気管６７に流れる。これによって，ウェハＷ表
面のレジスト膜の表層が均され，平坦化されるととも
に，減圧によってレジスト膜内の溶剤が蒸発し，ウェハ
Ｗ上のレジスト膜が乾燥される。
【００５９】その後，所定時間当該減圧乾燥処理が行わ
れる。そして，所定時間経過後に吸引ポンプ６８が停止
され，処理室Ｓの減圧が停止される。次いで，供給部７
１から排気管６７を介して，窒素ガスが処理室Ｓに供給
され，処理室Ｓの圧力が回復される。そして，処理室Ｓ
が大気圧にまで回復されると，窒素ガスの供給が停止さ
れる。
【００６０】次いで蓋体６２が昇降機構６３によって上
昇され，処理室Ｓが開放される。このとき，凸部６６が
整流板７２の外縁部を支持し，整流板７２も上昇され
る。そして，搬入時と同様にして，ウェハＷが昇降ピン
７８によって上昇され，主搬送装置１３に受け渡され
る。主搬送装置１３に受け渡されたウェハＷは，減圧乾
燥装置３３から搬出され，次工程の行われるプリベーキ
ング装置３５に搬送される。
【００６１】以上の実施の形態では，整流板７２に支持
部材７３を取り付け，整流板７２を支持部材７３を介し
て載置台６１に載置できるようにしたので，載置台６１
を基準にして整流板７２とウェハＷとを平行に維持する
ことができる。従って，整流板７２とウェハＷ間の隙間
がウェハＷ面内において均一になり，当該隙間を流れる
気流が均一に形成される。これによって，ウェハＷの減
圧乾燥処理がウェハＷ面内において均一に行われ，ウェ
ハＷ上に膜厚の均一なレジスト膜が形成される。
【００６２】整流板７２の形状を蓋体６２の内径に適合
するように形成し，整流板７２の外縁部の同一半径上
に，複数の通気孔７４を等間隔で設けるようにしたの
で，ウェハＷ中心部から外縁部に向かって流速の同じ均
一な気流が形成される。
【００６３】蓋体６２に凸部６６を設けたので，整流板
７２を蓋体６２に連動させて上下動させることができ
る。これによってウェハＷを減圧乾燥装置３３に搬送す
る際に，ウェハＷと整流板７２とが干渉することを回避
できる。また，処理室Ｓが形成される際には，整流板７
２の凸部６６による支持が解除され，整流板７２と蓋体
６２とが非接触の状態になるので，蓋体６２によって整
流板７２の平行性が害されることが防止される。
【００６４】整流板７２の下面に表面加工を施したの
で，気流が整流板７２の下面に沿ってスムーズに流れ，
安定した気流が形成される。これによって，気流によっ
て左右されるウェハＷの減圧乾燥が適切に行われる。ま
た，整流板７２の材質に温度伝導率の低い高密度ポリエ
チレン又は石英を使用したので，整流板７２からの熱の
輻射が低減され，ウェハＷを適切な温度に維持すること
ができる。なお，整流板７２の材質は，高密度ポリエチ
レンや石英に限らず，温度伝導率が１×１０−８〜１×
１０−４ｍ２／ｓｅｃ以下の他の材質であってよい。
【００６５】以上の実施の形態では，整流板７２の下面
に支持部材７３を取り付けたが，支持部材７３を載置台
６１側に取り付けるようにしてもよい。
【００６６】また，図８に示すように載置台６１に支持
部材７３の下部を受容する凹部９０を設けるようにして
もよい。このように凹部９０を設けることによって，支
持部材７３を適切な位置にアライメントすることができ
る。また，凹部９０を支持部材７３に適合する形状に設
けることによって，支持部材７３の位置がずれることが
防止できる。これによって，整流板７２の位置が安定
し，ウェハＷと整流板７２との間に安定した適切な気流
が形成される。
【００６７】また，図９に示すように凹部９０に，当該
凹部９０内の雰囲気を排気する排気管９１を設けるよう
にしてもよい。これによって，支持部材７３と凹部９０
との接触によって発生する塵埃等を排気し，当該塵埃に
よってウェハＷが汚染されることが防止される。
【００６８】前記実施の形態で記載した蓋体６２の凸部
６６は，環状に設けられていたが，図１０に示すように
蓋体６２の内側に突出した凸部９５を所定箇所に複数設
けるようにしてもよい。これによって，蓋体６２と整流
板７２との接触面積が減少され，当該接触によって発生
する不純物が低減できる。
【００６９】また，前記実施の形態で記載した整流板６
２の通気孔７４の形状は，円形であったが，他の形状，
例えばスリット形状や円弧形状であってもよい。
【００７０】上述の実施の形態では，整流板７２を支持
部材７３によって支持していたが，整流板７２の上面
に，蓋体が整流板７２を吊り下げるための吊り下げ支持
部材を設け，当該吊り下げ支持部材に係止部を設け，さ
らに蓋体に当該係止部を係止する被係止部を設けるよう
にしてもよい。以下，かかる構成を採用した例を第２の
実施の形態として説明する。
【００７１】図１１に示すように，整流板７２の上面
に，整流板７２を吊り下げるための吊り下げ支持部材１
００を取り付ける。当該吊り下げ支持部材１００の上端
部に，外方に凸状に突出した係止部１０１を設ける。ま
た，蓋体１０２の当該係止部１０１に対向する位置に，
係止部１０１が上下方向に移動可能な大きさの穴１０３
を設ける。穴１０３の開口部に，内側に凸状に突出した
被係止部１０４を設ける。当該被係止部１０４は，穴１
０３内の係止部１０１を係止することができる。吊り下
げ支持部材１００の長さは，蓋体１０２が下降し，処理
室Ｓが形成された際に，係止部１０１と被係止部１０４
との係止が解除された状態になるようにする。なお，他
の構成は，上述の第１の実施の形態と同様である。
【００７２】そして，ウェハＷが減圧乾燥装置３３に搬
送される際に，蓋体１０２が上昇された時には，図１２
に示すように吊り下げ支持部材１００の係止部１０１が
被係止部１０４に係止され，吊り下げ支持部材１００に
よって整流板７２が上昇される。そして，ウェハＷが載
置台６１上に載置されると，蓋体１０２が下降され，整
流板７２も下降される。蓋体１０２が下降して処理室Ｓ
が形成された時には，整流板７２が支持部材７３を介し
て載置台６１上に載置され，吊り下げ支持部材１００の
係止部１０１と被係止部１０４との係止が解除される。
【００７３】かかる第２の実施の形態によれば，ウェハ
Ｗが減圧乾燥装置３３に搬入出される際に，整流板７２
が上方に退避できるので，ウェハＷと整流板７２との接
触を回避することができる。また，整流板７２が支持部
材７３を介して載置台６１上に載置された際には，係止
部１０１と被係止部１０４との係止が解除されるため，
整流板７２の平行が蓋体１０２によって妨げられない。
【００７４】第２の実施の形態において，前記蓋体１０
２に設けられた穴１０３に，当該穴１０３内の雰囲気を
排気する排気管を設けるようにしてもよい。これによっ
て，係止部１０１と被係止部１０４との接触によって発
生するパーティクル等を排気し，当該不純物によってウ
ェハＷが汚染されることを防止できる。
【００７５】以上の実施の形態で記載した支持部材７３
を取り外し自在にしてもよい。かかる場合，例えば図１
３に示すように整流板１１５の下面側には，支持部材１
１６が挿入自在な有底孔１１７が設けられる。有底孔１
１７の内周面には，当該有底孔１１７内の中心方向に付
勢されたストッパ１１８が設けられている。ストッパ１
１８は，先端部に球形部１１８ａを有し，例えばバネ１
１９によって付勢されている。また，支持部材１１６の
外周は，有底孔１１７に適合した外形を有し，支持部材
１１６の外周の一部には，ストッパ１１８の球形部１１
８ａが入り込むことのできる環状で略Ｖ字形状の溝１２
０が設けられる。
【００７６】そして，支持部材１１６を取り付ける際に
は，支持部材１１６を有底孔１１７内に挿入し，ストッ
パ１１８の球形部１１８ａを溝１２０に入り込ませる。
これによって，支持部材１１６がストッパ１１８によっ
て係止される。一方，支持部材１１６を取り外す際に
は，支持部材１１６を有底孔１１７内から引き出すこと
によって，ストッパ１１８の球形部１１８ａがバネ１１
９側に押され，ストッパ１１８による係止が解除され
る。かかる構成によって，支持部材１１６が整流板１１
５に取り外し自在となり，長さの異なる支持部材１１６
に交換することによって，整流板１１５とウェハＷとの
距離を変更し，気流の流速を変更することができる。し
たがって，ウェハＷのレシピにあった気流を形成するこ
とができ，ウェハＷ上に適切なレジスト膜が形成され
る。
【００７７】また，このようにストッパ１１８の球形部
１１８ａをＶ字形状の溝１２０に入り込ませて支持部材
１１６を係止する場合には，ストッパ１１８が溝１２０
に完全に固定されないため，ストッパ１１８と溝１２０
との間に若干の遊びが生じ，小さな外力によっても整流
板１１５が動く恐れがある。そこで，図１４に示すよう
に，蓋体６２の上面に，整流板１１５を上方から下方に
向けて押圧する弾性部材，例えばスプリング１２５を設
けるようにしてもよい。スプリング１２５は複数設けら
れ，整流板１１５の平行を保つように蓋体６２の上面に
おいて均等に配置される。この場合，蓋体６２がスプリ
ング１２５の反力によって浮き上がらないようなスプリ
ング１２５を用いる。すなわち，スプリング１２５の反
力に等しいスプリング１２５の整流板１１５を押しつけ
る力よりも，昇降機構６３によって蓋体６２を下降させ
る力の方が大きくなるようなバネ定数，数，長さ等を有
するスプリング１２５を用いる。
【００７８】かかる構成によって，蓋体６２が下降した
際に，スプリング１２５によって整流板１１５が下方に
押しつけられ，整流板１１５の微動が防止される。ま
た，スプリング１２５によって整流板１１５を押しつけ
るため，万一蓋体６２が傾いた場合でも，スプリング１
２５によって傾きが緩和され，整流板１１５の平行が確
保される。なお，スプリング１２５の数量は単数でもよ
く，その場合には，スプリング１２５は蓋体６２の中央
部に設けられる。
【００７９】以上の実施の形態では，昇降ピン７８が移
動するための貫通孔８０を載置台６１の中央部に設けて
いたが，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対応する位
置に設けるようにしてもよい。このような場合，例えば
図１５に示すように孔としての貫通孔１３０をプロキシ
ミティピン７７と干渉しない位置で，ウェハＷの外縁部
に対応する位置に配置する。これによって，載置台６１
上で温度の異なる貫通孔１３０が，製品として使用され
ないウェハＷの外縁部の位置に設けられるため，製品と
して使用される部分におけるウェハＷ面内温度の均一性
が向上される。
【００８０】また，貫通孔１３０を載置台６１上のウェ
ハＷの外縁部に対向する位置に設けた場合に，搬送アー
ムとしての主搬送装置１３と昇降ピン７８とが干渉しな
いように，貫通孔を配置し，主搬送装置１３のアーム部
に切り欠き部を設けるようにしてよい。
【００８１】このような場合，例えば図１６に示すよう
に，３つの貫通孔１３５，１３６及び１３７のうちの貫
通孔１３５を，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向
する位置であって，主搬送装置１３に最も近い位置に設
ける。そして，貫通孔１３６と貫通孔１３７を，載置台
６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置であって，主
搬送装置１３の反対側の位置に設ける。
【００８２】一方，主搬送装置１３のアーム部１３ａ
は，先端が略Ｃ型形状に形成されており，ウェハＷの外
縁部を支持してウェハＷを搬送できるようになってい
る。当該アーム部１３ａには，貫通孔１３５から突出す
る昇降ピン７８と干渉しないように切り欠き部１３ｂを
設ける。切り欠き部１３ｂは，アーム部１３ａが載置台
６１上に位置した時に貫通孔１３５に対向する位置に設
けられる。アーム部１３ａの先端部には，前記貫通孔１
３６及び１３７から突出する昇降ピン７８に干渉しない
ように空隙部Ｋが設けられる。これによって，主搬送装
置１３が載置台６１上に進入した際に，貫通孔１３５か
ら突出する昇降ピン７８は，切り欠き部１３ｂ内に位置
し，他の昇降ピン７８は，アーム部１３ａの空隙部Ｋ内
に位置する。したがって，貫通孔１３５，１３６及び１
３７を載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置
に設けた場合においても，主搬送装置１３が昇降ピン７
８と干渉することなく，ウェハＷの搬送を好適に行うこ
とができる。
【００８３】前記の実施の形態における整流板７２の材
質に，多孔性を有するもの，例えばポーラス材を用いて
もよい。このように，整流板７２の材質を多孔性を有す
るものにすることによって，図１７に示すように整流板
７２とウェハＷとの間に形成される気流の一部が整流板
７２内を通過するようになる。これによって，ウェハＷ
外縁部で集中して行われていたレジスト液の溶剤の蒸発
がウェハＷ面内全面で行われるようになる。このため，
ウェハＷ上のレジスト液がウェハＷ外縁部に流れては蒸
発されることが抑制されるため，ウェハＷ外縁部に形成
されるレジスト膜の盛り上がりが抑制される。
【００８４】また，以上で説明した実施の形態は，半導
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハの減圧乾燥装置について適用したも
のであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えば
ＬＣＤ基板，フォトマスク用のガラス基板の減圧乾燥装
置においても適用できる。
【００８５】
【発明の効果】本発明によれば，基板上に均一な気流が
形成されるため，当該気流によって基板上の塗布膜が均
一な厚みに平坦化される。したがって，基板上に所定膜
厚の塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】 【符号の説明】
【図１】実施の形態にかかる減圧乾燥装置を搭載した塗
布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】減圧乾燥装置の構成を示す縦断面の説明図であ
る。
【図５】整流板の斜視図である。
【図６】蓋体と蓋体内の整流板を示す蓋体の横断面の説
明図である。
【図７】蓋体が上昇した時の減圧乾燥装置の縦断面の説
明図である。
【図８】支持部材の凹部を設けた場合の減圧乾燥装置の
縦断面の説明図である。
【図９】図８の凹部に排気管を設けた場合の載置台の縦
断面の説明図である。
【図１０】蓋体の他の構成例を示す蓋体の横断面の説明
図である。
【図１１】整流板を吊り下げ支持部材で支持する場合の
減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１２】図１１の減圧乾燥装置であって蓋体を上昇さ
せた時の縦断面の説明図である。
【図１３】支持部材が取り外し可能な場合の整流板の縦
断面の説明図である。
【図１４】蓋体にスプリングを設けた場合の減圧乾燥装
置の概略を示す縦断面の説明図である。
【図１５】貫通孔をウェハの外縁部に対向する位置に設
けた場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１６】搬送アームと貫通孔との位置関係を示す載置
台の平面図である。
【図１７】整流板に多孔性を有する材質を使用した場合
の気流の流れを示す減圧乾燥装置の縦断面の説明図であ
る。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム ３３ 減圧乾燥装置 ６０ チャンバ ６１ 載置台 ６２ 蓋体 ６６ 凸部 ６７ 排気管 ６８ 吸引ポンプ ７２ 整流板 ７３ 支持部材 ７４ 通気孔 ７８ 昇降ピン Ｓ 処理室 Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 真二 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 平川 尚也 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 福冨 亮 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 石坂 信和 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 4F042 AA07 BA19 BA25 BA27 DB21 DB39 DD37 DE01 DE09 DF07 DF15 DF25 DF29 DF32 DF34 5F031 CA02 CA05 CA07 GA02 GA43 HA33 MA02 MA26 MA27 NA02 NA16 PA26 5F046 KA04 KA07 KA10

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を処理する処理装置であって，基板
    を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバ
    と，前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気
    して，当該処理室を減圧させるための排気部と，前記減
    圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整
    流板とを有し，前記チャンバは，基板を載置する載置台
    と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と
    一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒
    状の蓋体とを有し，前記整流板の下面は，平坦に形成さ
    れており，前記整流板を前記載置台に対して平行になる
    ように支持する支持部材を有することを特徴とする，基
    板の処理装置。
  2. 【請求項２】 前記整流板の下面には，３以上の支持部
    材が取り付けられており，前記整流板は，前記支持部材
    を介して前記載置台上に載置されることを特徴とする，
    請求項２に記載の基板の処理装置。
  3. 【請求項３】 前記整流板は，前記蓋体の内径とほぼ同
    一径を有する円盤形状を有し，前記整流板には，複数の
    通気孔が同一円周上に設けられており，前記通気孔は，
    平面から見て前記載置台上の基板の外方に設けられてい
    ることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載
    の基板の処理装置。
  4. 【請求項４】 前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，
    前記蓋体の内側部には，内側に突出する凸部が設けられ
    ており，前記整流板の外縁部は，前記凸部上に支持可能
    に構成されていることを特徴とする，請求項１，２又は
    ３のいずれかに記載の基板の処理装置。
  5. 【請求項５】 前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，
    前記整流板の上面には，前記蓋体が前記整流板を吊り下
    げるための吊り下げ支持部材が取り付けられており，前
    記吊り下げ支持部材には，係止部が設けられており，前
    記蓋体には，前記係止部を係止する被係止部が設けられ
    ていることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれ
    かに記載の基板の処理装置。
  6. 【請求項６】 前記係止部は，水平方向に突出する凸形
    状を有し，前記蓋体には，前記係止部が上下に移動可能
    な穴が設けられており，前記被係止部は，前記穴内に水
    平に突出する凸形状を有し，更に，前記吊り下げ支持部
    材は，前記蓋体が下降し前記処理室が形成された際に，
    前記係止部と前記被係止部との係止が解除された状態に
    なるように形成されていることを特徴とする，請求項５
    に記載の基板の処理装置。
  7. 【請求項７】 前記穴内の雰囲気を排気するための排気
    管を有することを特徴とする。請求項６に記載の基板の
    処理装置。
  8. 【請求項８】 前記載置台には，前記支持部材の下部を
    受容する凹部が設けられていることを特徴とする，請求
    項１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の基
    板の処理装置。
  9. 【請求項９】 前記凹部内の雰囲気を排気するための排
    気管を有することを特徴とする，請求項８に記載の基板
    の処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記支持部材は，前記整流板から取り
    外し自在に構成されていることを特徴とする，請求項
    １，２，３，４，５，６，７，８又は９のいずれかに記
    載の基板の処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記整流板は，前記支持部材を挿入自
    在な有底孔を有し，前記有底孔は，当該有底孔の内周面
    から有底孔内に付勢されたストッパを有し，前記ストッ
    パは，少なくとも一部に球形部を有し，前記支持部材の
    外周には，前記ストッパの球形部が入り込む，環状で略
    Ｖ字形状の溝が設けられていることを特徴とする，請求
    項１０に記載の基板の処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記蓋体には，前記整流板を上方から
    下方に向けて押圧する弾性部材が設けられていることを
    特徴とする，請求項１１に記載の基板の処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記載置台には，基板を昇降させる昇
    降ピンが上下に移動するための孔が設けられており，前
    記孔は，前記載置台上の基板の外縁部に対応する位置に
    設けられていることを特徴とする，請求項１，２，３，
    ４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２のいずれ
    かに記載の基板の処理装置。
  14. 【請求項１４】 前記整流板の材質は，高密度ポリエチ
    レン又は石英であることを特徴とする，請求項１，２，
    ３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２又は１
    ３のいずれかに記載の基板の処理装置。
  15. 【請求項１５】 整流板の材質には，多孔性を有するも
    のが用いられていることを特徴とする，請求項１，２，
    ３，４，５，６，７，８，９，１０，１２，１３又は１
    ４のいずれかに記載の基板の処理装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１３の基板の処理装置に基板を
    搬送する搬送アームであって，基板の外縁部を支持する
    アーム部を有し，前記アーム部には，前記昇降ピンに干
    渉しないように切り欠きが設けられていることを特徴と
    する，搬送アーム。
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