JP2024055150A - 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】金属含有レジストの被膜の感度の低下を抑制しながら、金属含有レジストのパターンのラフネスを向上させる。【解決手段】金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を含む、基板処理方法である。【選択図】図６

Description

本開示は、基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ記憶媒体に関する。

特許文献１には、金属含有レジストによる被膜が形成され、当該被膜に露光処理が施された基板について、熱板において支持して加熱することで熱処理する方法が開示されている。

特開２０２１－１９１７８号公報

本開示にかかる技術は、金属含有レジストの被膜の感度の低下を抑制しながら、金属含有レジストのパターンのラフネスを向上させる。

本開示の一態様は、金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を含む、基板処理方法である。

本開示によれば、金属含有レジストの被膜の感度の低下を抑制しながら、金属含有レジストのパターンのラフネスを向上させることができる。

本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像処理装置の内部構成の概略を示す説明図である。 塗布現像処理装置の正面側の内部構成の概略を示す図である。 塗布現像処理装置の背面側の内部構成の概略を示す図である。 第１の加熱処理に用いられる熱処理ユニットの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 第２の加熱処理に用いられる熱処理ユニットの構成の概略を模式的に示す横断面図である。 図１の塗布現像処理装置を用いたウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。 前駆体化工程及び縮合工程中のウェハの温度履歴を示す図である。 金属含有レジスト膜の感度と、金属含有レジストによるパターンのラフネスとの関係を示す図である。 金属含有レジスト膜の感度と、金属含有レジストによるパターンのラフネスとの関係を示す図である。 単に加熱処理の時間を長くすると、金属含有レジストによるパターンのラフネスが悪化してしまう理由を説明するための図である。 前駆体化処理の他の例を説明するための図である。 前駆体化処理の他の例を説明するための図である。 第１の加熱処理が施される加熱領域の他の例を模式的に示す縦断面図である。 ＰＥＢ加熱処理が施される加熱領域の例を模式的に示す縦断面図である。

半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジストパターンを形成するため所定の処理が行われる。上記所定の処理とは、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理や、レジスト膜を露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応が促進するよう加熱するＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等である。

近年では、レジストとして、化学増幅型レジストに代えて、金属含有レジストが用いられる場合がある。ただし、金属含有レジストを用いる場合、ミクロ領域の寸法均一性が良好なレジストパターンすなわちラフネスの小さいレジストパターンを形成できないことがある。また、ＰＥＢ処理時のウェハを低温にすることで、高温にした場合に比べて、ラフネスを小さくすることができるが、金属含有レジストの被膜の露光量感度（以下、感度という。）が低下してしまう。

そこで、本開示にかかる技術は、金属含有レジストの被膜の感度の低下を抑制しながら、金属含有レジストによるレジストパターンのラフネスを向上させる。

以下、本実施形態にかかる基板処理方法及び基板処理装置を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜塗布現像処理装置＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布現像処理装置の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３はそれぞれ、塗布現像処理装置１の正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。

塗布現像処理装置１は、金属を含有するレジストである金属含有レジストとして、ネガ型のものを用いて、基板としてのウェハＷにレジストパターンを形成する。塗布現像処理装置１が用いる金属含有レジストは、より具体的には酸素も含有するものである。なお、金属含有レジストに含まれる金属は任意であるが、例えばスズである。

塗布現像処理装置１は、図１～図３に示すように、ウェハＷを複数収容可能な容器であるカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、レジスト塗布処理等の所定の処理を施す各種処理ユニットを複数備えた処理ステーション３と、を有する。また、塗布現像処理装置１は、当該塗布現像処理装置１に隣接する露光装置４と処理ステーション３との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５を有する。そして、塗布現像処理装置１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と、インターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１に分かれている。例えばカセット搬入出部１０は、塗布現像処理装置１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、複数、例えば４つの載置板１３が設けられている。載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１３には、塗布現像処理装置１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。

ウェハ搬送部１１には、ウェハＷを搬送する搬送ユニット２０が設けられている。搬送ユニット２０は、Ｘ方向に延びる搬送路２１を移動自在に構成されている。搬送ユニット２０は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡しユニットとの間でウェハＷを搬送できる。

処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数、例えば第１～第４の４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えば現像部としての現像処理ユニット３０、レジスト塗布部としてのレジスト塗布ユニット３２が下からこの順に配置されている。現像処理ユニット３０は、ウェハＷに現像処理を施す。下部反射防止膜形成ユニット３１は、ウェハＷの金属含有レジスト膜の下層に反射防止膜（以下、「下部反射防止膜」という。）を形成する。レジスト塗布ユニット３２は、ウェハＷに金属含有レジストを塗布して金属含有レジストの被膜すなわち金属含有レジスト膜を形成する。

例えば現像処理ユニット３０、下部反射防止膜形成ユニット３１、レジスト塗布ユニット３２は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理ユニット３０、下部反射防止膜形成ユニット３１、レジスト塗布ユニット３２の数や配置は、任意に選択できる。

現像処理ユニット３０、下部反射防止膜形成ユニット３１、レジスト塗布ユニット３２では、例えばスピン塗布法でウェハＷ上に所定の処理液を塗布する。スピン塗布法では、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。
第１のブロックＧ１には、ウェハＷの金属含有レジスト膜の上層に反射防止膜を形成する上部反射防止膜形成ユニットがさらに配置されていてもよい。

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すように、加熱部及び冷却部としての熱処理ユニット４０、疎水化処理ユニット４１及び周辺露光ユニット４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット４０は、加熱処理や冷却処理といった熱処理をウェハＷに施す。疎水化処理ユニット４１は、金属含有レジストとウェハＷとの定着性を高めるために疎水化処理をウェハＷに施す。周辺露光ユニット４２は、ウェハＷ上のレジスト膜の周縁部を露光する。これら熱処理ユニット４０、疎水化処理ユニット４１、周辺露光ユニット４２の数や配置についても、任意に選択できる。なお、熱処理ユニット４０では、レジスト塗布処理後のウェハＷに対する加熱処理であるプリベーキング処理（以下、「ＰＡＢ処理」という。）、後述の第１の加熱処理、後述の第２の加熱処理としてのＰＥＢ処理、現像処理後のウェハＷに対する加熱処理であるポストベーキング処理（以下、「ＰＯＳＴ処理」という。）等を行う。

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０、６１、６２が下から順に設けられている。

図１に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハＷを搬送する基板搬送ユニットとしての搬送ユニット７０が配置されている。

搬送ユニット７０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。搬送ユニット７０は、ウェハＷを保持した搬送アーム７０ａをウェハ搬送領域Ｄ内で移動させ、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置に、ウェハＷを搬送できる。搬送ユニット７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。

また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送ユニット８０が設けられている。

シャトル搬送ユニット８０は、支持したウェハＷをＹ方向に直線的に移動させ、同程度の高さの第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５１と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０との間でウェハＷを搬送できる。

図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、搬送ユニット９０が設けられている。搬送ユニット９０は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム９０ａを有している。搬送ユニット９０は、ウェハＷを保持した搬送アーム９０ａを上下に移動させ、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットに、ウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション５には、搬送ユニット１００と受け渡しユニット１０１が設けられている。搬送ユニット１００は、例えばθ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。搬送ユニット１００は、搬送アーム１００ａにウェハＷを保持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡しユニット、受け渡しユニット１０１及び露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。

以上の塗布現像処理装置１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プロセッサにより実行される指令を含むプログラムを格納するプログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや各種搬送ユニット等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理を行うための指令を含むプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｍに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｍから制御部２００にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｍは、一時的な記憶媒体であっても、非一時的な記憶媒体であってもよい。

＜熱処理ユニット＞
次に、熱処理ユニット４０のうち、後述の第１の加熱処理に用いられる熱処理ユニット４０について説明する。図４及び図５はそれぞれ、第１の加熱処理に用いられる熱処理ユニット４０の構成の概略を模式的に示す縦断面図及び横断面図である。

図４及び図５の熱処理ユニット４０は、ウェハＷに加熱処理を施す加熱部とウェハＷに冷却処理を施す冷却部とが一体化すなわち連結されたものであり、内部を閉鎖可能な筐体３００を有している。筐体３００のウェハ搬送領域Ｄ側すなわち後述の冷却領域３１１側の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

筐体３００の内部には、ウェハＷに加熱処理が施される加熱領域３１０と、ウェハＷに冷却処理が施される冷却領域３１１が設けられている。加熱領域３１０と冷却領域３１１はＹ方向に並べて配置されている。

加熱領域３１０には、後述の熱板３４０上の処理空間Ｓを覆い熱処理時にウェハＷを収容するチャンバ３２０が設けられている。チャンバ３２０は、上側に位置して昇降自在な上部チャンバ（蓋体ともいう。）３２１と、下側に位置して上部チャンバ３２１と一体となって処理空間Ｓを形成する下部チャンバ３２２と、を有している。

上部チャンバ３２１は、下面が開口した略円筒形状を有している。上部チャンバ３２１の上面中央部には、排気口３３０が設けられている。処理空間Ｓ内の雰囲気は、排気口３３０から排気される。

下部チャンバ３２２は、上面が開口した略円筒形状を有している。下部チャンバ３２２の上面開口部には、ウェハＷを支持して加熱する熱板３４０と、当該熱板３４０を収容して熱板３４０の外周部を保持する環状の保持部材３４１と、が設けられている。熱板３４０は、厚みのある略円盤形状を有する。また、熱板３４０には、例えばヒータ３４２が内蔵されている。熱板３４０の温度は、例えば、制御部２００により所定の設定温度になるように制御される。

下部チャンバ３２２の内部であって熱板３４０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させる昇降ピン３５０が例えば３本設けられている。昇降ピン３５０は、モータ等の駆動源を有する昇降駆動部３５１により昇降自在である。熱板３４０の中央部付近には、当該熱板３４０を厚み方向に貫通する貫通孔３４３が例えば３箇所に形成されている。そして、昇降ピン３５０は貫通孔３４３を通過し、熱板３４０の上面から突出可能になっている。

冷却領域３１１には、ウェハＷを支持して冷却する冷却板３６０が設けられている。冷却板３６０は、略方形の平板形状を有し、熱板３４０側の端面が円弧状に湾曲している。冷却板３６０には、Ｙ方向に沿った２本のスリット３６１が形成されている。スリット３６１は、冷却板３６０の熱板３４０側の端面から冷却板３６０の中央部付近まで形成されている。このスリット３６１により、冷却板３６０が、加熱領域３１０の昇降ピン３５０及び冷却領域３１１の後述する昇降ピン３７０と干渉するのを防止できる。また、冷却板３６０には、例えば冷却水の流路やペルチェ素子等の温度調節部材（図示せず）が内蔵されている。冷却板３６０の温度は、例えば、制御部２００により所定の設定温度になるように制御される。

冷却板３６０は、支持アーム３６２に支持されている。支持アーム３６２には、モータ等の駆動源を有する駆動部３６３が取り付けられている。駆動部３６３は、Ｙ方向に延伸するレール３６４に取り付けられている。レール３６４は、冷却領域３１１から加熱領域３１０まで延伸している。上述の駆動部３６３により、冷却板３６０は、レール３６４に沿って冷却領域３１１内の初期位置と加熱領域３１０内の受け渡し位置との間を移動可能になっている。冷却板３６０、支持アーム３６２及びレール３６４は、ウェハＷを搬送する搬送機構を構成する。つまり、本実施形態では、冷却板３６０は上記搬送機構を構成する。

冷却板３６０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させる昇降ピン３７０が例えば３本設けられている。昇降ピン３７０は、モータ等の駆動源を有する昇降駆動部３７１により昇降自在である。そして、昇降ピン３７０はスリット３６１を通過し、冷却板３６０の上面から突出可能になっている。

なお、第１の加熱処理に用いられる熱処理ユニット４０の構成と、ＰＡＢ処理やＰＥＢ処理、ＰＯＳＴ処理に用いられる熱処理ユニット４０の構成とは、同様であってもよい。

＜ウェハ処理＞
次に、塗布現像処理装置１を用いたウェハ処理の一例について説明する。図６は、塗布現像処理装置１を用いたウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。図７は、後述のステップＳ５及びステップＳ６中のウェハＷの温度履歴を示す図である。なお、以下の処理は制御部２００の制御の下、行われる。

まず、塗布現像処理装置１内にウェハＷが搬入される（ステップＳ１）。
具体的には、例えば、まず、塗布現像処理装置１のカセットステーション２に搬入され載置板１３に載置されたカセットＣから、搬送ユニット２０により、ウェハＷが取り出され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に搬送される。

次に、ウェハＷに金属含有レジスト膜が形成される（ステップＳ２）。

具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送ユニット７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され温度調節処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット３１に搬送され、搬送ユニット７０によってウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、加熱処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に戻される。

次に、ウェハＷは、搬送ユニット９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５４に搬送される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって第２のブロックＧ２の疎水化処理ユニット４１に搬送され、疎水化処理が行われる。
そして、ウェハＷは、搬送ユニット７０によってレジスト塗布ユニット３２に搬送され、ウェハＷ上に金属含有レジスト膜が形成される。

続いて、ウェハＷにＰＡＢ処理が施される（ステップＳ３）。
具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送ユニット７０によってＰＡＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送されて、ＰＡＢ処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５５に搬送される。
次いで、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって周辺露光ユニット４２に搬送され、周辺露光処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５６に搬送される。

次に、ウェハＷは、搬送ユニット９０によって受け渡しユニット５２に搬送され、シャトル搬送ユニット８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２に搬送される。

次いで、ウェハＷに露光処理が施される（ステップＳ４）
具体的には、例えば、ウェハＷが、インターフェイスステーション５の搬送ユニット１００によって露光装置４に搬送され、ＥＵＶ光を用いた所定のパターンで露光される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット１００によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０に搬送される。

続いて、ウェハＷに、露光された金属含有レジストを熱により前駆体化させる前駆体化処理が施される。すなわち、ウェハＷに、第１の加熱処理が施され、金属含有レジスト膜の露光領域において、金属含有レジストが前駆体化される（ステップＳ５）。

ところで、金属含有レジストは、露光処理におけるＥＵＶによって、当該レジスト中の金属とリガンド（有機金属錯体）との結合が切断されアクティブな状態となる。このアクティブな状態の金属含有レジストは、周囲の雰囲気中等の酸素含有成分（例えば水分）と反応することにより、金属含有レジスト中の金属におけるリガンドとの結合が切断された部分に、酸素含有基（例えば水酸基）が結合し、前駆体となる。そして、前駆体化された金属含有レジスト同士が縮合（酸素含有基が水酸基の場合は脱水縮合）することにより、金属含有レジストは現像液に対して不溶となる。

本ステップＳ５では、金属含有レジスト膜の露光領域において、金属含有レジストの前駆体化と縮合とのうち、前駆体化のみが進められ縮合が進められず、または、前駆体が主として進められ縮合は若干進められる。これにより、金属含有レジスト膜の露光領域において、上記縮合を生じさせずに、または、ほとんど生じさせずに、金属含有レジストの前駆体化を十分に進める。このようにする理由については後述する。

本ステップＳ５では、具体的には、ウェハＷが、例えば、まず、搬送ユニット７０によって、第１の加熱処理用の熱処理ユニット４０に搬入され、昇降ピン３７０を介して、初期位置の冷却板３６０に載置される。その後、図７に示すように、ウェハＷに第１の加熱処理（ｐｒｅ ＰＥＢ処理とも言う。）と冷却処理がこの順で交互に施される。

第１の加熱処理の際は、例えば、まず、駆動部３６３により冷却板３６０がレール３６４に沿って熱板３４０の上方の受け渡し位置まで移動される。続いて、昇降ピン３５０が上昇され、ウェハＷが昇降ピン３５０に受け渡される。その後、冷却板３６０が初期位置まで戻される。次いで、上部チャンバ３２１が下降され下部チャンバ３２２に当接され、チャンバ３２０の内部が密閉される。その後、昇降ピン３５０が下降され、ウェハＷが熱板３４０に載置される。そして、ウェハＷに第１の加熱処理が施され、すなわち、ウェハＷが熱板３４０により所定時間加熱される。なお、熱板３４０によるウェハＷの加熱中、排気口３３０を介して処理空間Ｓ内は排気され、加熱中に生じる金属含有昇華物を含んだガスは回収される。

この第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度（すなわち熱板３４０の設定温度）Ｔ１は、例えば、前駆体化が進みやすい８０℃以上、且つ、縮合が進むＰＥＢ処理におけるウェハＷの目標到達温度Ｔ２以下、好ましくは、８０℃以上１４０℃以下で、一定である。
第１の加熱処理の処理時間は、例えば、ウェハＷの温度を８０℃～１４０℃の温度域に到達させるために２０秒以上とされ、また、ＰＥＢ処理の処理時間以下である。

第１の加熱処理後に冷却処理が施される際は、例えば、まず、排気口３３０を介した排気が継続されたまま、昇降ピン３５０が上昇され、ウェハＷが、昇降ピン３５０に受け渡され、待機位置まで移動され、また、上部チャンバ３２１が上昇される。次いで、冷却板３６０が駆動部３６３によりレール３６４に沿って熱板３４０の上方の受け渡し位置まで移動される。続いて、昇降ピン３５０が下降され、ウェハＷが冷却板３６０に受け渡され支持される。その後、冷却板３６０が初期位置まで戻される。そして、ウェハＷに冷却処理が施され、すなわち、ウェハＷが冷却板３６０により所定時間冷却される。このように、本実施形態では、冷却処理は、ウェハＷを搬送する機構を構成する冷却板３６０にウェハＷが支持された状態で施される。

この冷却処理では、ウェハＷが例えば５０℃以下まで冷却される。これにより、第１の加熱処理で生じてしまった金属含有レジストの縮合を一旦停止させることができる。

第１の加熱処理用の熱処理ユニット４０内での処理が完了すると、ウェハＷが、昇降ピン３７０を介して、搬送ユニット７０に受け渡され、当該搬送ユニット７０によって搬出される。

次いで、図６に示すように、ウェハＷに、第２の加熱処理としてのＰＥＢ処理が施され、金属含有レジストの露光領域において、前駆体化された金属含有レジストが縮合される（ステップＳ６）。
具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送ユニット７０によってＰＥＢ処理用の熱処理ユニット４０に搬送されて、熱板３４０を用いてＰＥＢ処理が施される。これにより、ステップＳ５で前駆体化が十分進められた金属含有レジスト膜の露光領域において、上記前駆体化を進めさせずに、または、ほとんど進めさせずに、縮合を生じさせる。
このＰＥＢ処理におけるウェハＷの目標到達温度（すなわち熱板３４０の設定温度）Ｔ２は、例えば、縮合が生じやすい１４０℃以上２５０℃以下で、一定である。なお、２５０℃以下とする理由は、温度が高過ぎると金属含有レジスト膜の分解が始まるため、である。また、ＰＥＢ処理の処理時間は、例えば３０秒以上１８０秒以下である。

続いて、ウェハＷに現像処理が施される（ステップＳ７）。
具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送ユニット７０によって現像処理ユニット３０に搬送され、現像処理が施され、金属含有レジストによるパターンがウェハＷ上に形成される。

その後、ウェハＷにＰＯＳＴ処理が施される（ステップＳ８）
具体的には、例えば、ウェハＷが、搬送ユニット７０によってＰＯＳＴ処理用の熱処理ユニット４０に搬送され、ＰＯＳＴ処理が施される。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５１に搬送される。

そして、ウェハＷが塗布現像処理装置１から搬出される（ステップＳ１３）。
具体的には、ウェハＷが、ステップＳ１とは逆の手順でカセットＣに戻される。
これで、一連のウェハ処理が完了する。

＜本実施形態の主な作用効果＞
本実施形態の主な作用効果について図８～図１０を用いて説明する。図８及び図９は、金属含有レジスト膜の感度と、金属含有レジストによるパターンのラフネスとの関係を示す図である。図１０は、単に加熱処理の時間を長くすると、金属含有レジストによるパターンのラフネスが悪化してしまう理由を説明するための図である。

本実施形態と異なり、ウェハＷに第１の加熱処理が施されずに第２の加熱処理すなわちＰＥＢ処理のみが施される形態（比較の形態）では、以下の課題が存在する。すなわち、図８に示すように、金属含有レジストによるパターンのラフネス（具体的にはＬＣＤＵ（Local Critical Dimension Uniformity））を小さくするために、ＰＥＢ処理におけるウェハＷの目標到達温度Ｔ２を低くすると、金属含有レジストの感度が低下（すなわち所望の寸法を得るためのドーズ量が増加）してしまう。同様に、金属含有レジストによるパターンのラフネスを小さくするために、ＰＥＢ処理の時間を短くすると、金属含有レジストの感度が低下してしまう。なお、以下では、「ラフネス」とは金属含有レジストによるパターンのラフネスを意味し、「感度」は金属含有レジストの感度を意味する

この点に関し、本発明者らは、ウェハＷに以下の条件Ｐ１～Ｐ７で加熱処理を施す実験を行った。なお、目標到達温度すなわち熱板３４０の設定温度は一定とした。

条件Ｐ１：目標到達温度１６０℃、処理時間６０秒の加熱処理を１回。
条件Ｐ２：目標到達温度１６０℃、処理時間３０秒の加熱処理を１回。その後、目標到達温度１６０℃、処理時間６０秒の加熱処理を１回。
条件Ｐ３：目標到達温度１６０℃、処理時間６０秒の加熱処理を２回。
条件Ｐ４：目標到達温度１２０℃、処理時間６０秒の加熱処理を１回。
条件Ｐ５：目標到達温度１２０℃、処理時間６０秒の加熱処理を２回。
条件Ｐ６：目標到達温度１２０℃、処理時間６０秒の加熱処理を３回。
条件Ｐ７：目標到達温度１２０℃、処理時間６０秒の加熱処理を４回。

また、条件Ｐ２、Ｐ３、Ｐ５～Ｐ７それぞれにおいて、加熱処理と加熱処理との間に、ウェハＷに冷却処理を施しウェハＷを室温まで冷却した。
この実験において、図９に示すように、条件Ｐ１と処理時間と処理回数が同じであり目標到達温度が条件Ｐ１より低い条件Ｐ４では、条件Ｐ１よりラフネスが小さくなっていたが、感度が低下していた。ただし、条件Ｐ４と同じ加熱処理を繰り返し施していくと、条件Ｐ４～Ｐ７の結果から明らかなように、条件Ｐ４のラフネスを維持したまま、処理回数に応じて感度が向上していた。同様に、ウェハＷに加わる総熱量が大きくなるよう、条件Ｐ１と目標到達温度が同じ加熱処理を繰り返し施すと、条件Ｐ１～Ｐ３の結果から明らかなように、条件Ｐ１のラフネスを維持したまま、ウェハＷの総熱量に応じて感度が向上していた。

この実験結果から、加熱処理全体を通じてウェハＷに加わる総熱量は感度に影響を与えるが、ラフネスに大きな影響を与えるのは、上記総熱量ではなく、加熱処理全体における初期の目標到達温度であることが、分かる。なお、初期の目標到達温度すなわち初期の熱板３４０の設定温度が初期のウェハＷの加熱速度に対応することを鑑みると、上述の実験結果から分かる点は、上記総熱量は感度に影響を与えるが、ラフネスに大きな影響を与えるのは、加熱処理全体における初期のウェハＷの加熱速度である、ということができる。すなわち、この実験結果に基づけば、十分な総熱量を加えながら上記加熱速度を考慮することで、感度の悪化を抑制しながらラフネスを改善することができる。

加熱処理における初期のウェハＷの目標到達温度及びウェハＷの加熱速度がラフネスに大きな影響を与える理由としては以下が推測される（なお、ここでは露光後のウェハＷに施される加熱処理の回数は１回であるものとする）。
すなわち、金属含有レジスト膜の露光領域において、金属含有レジストは、前述のように、前駆体化された後、縮合される。また、加熱処理の開始前に、金属含有レジスト膜の露光領域において、金属含有レジストが全て前駆体化されていれば、加熱処理で生じる反応は、縮合のみである。しかし、加熱処理の開始前に、金属含有レジスト膜の露光領域において、金属含有レジストが全て前駆体化されていることはなく、一部のみ前駆体化されている。

そのため、加熱処理が開始されると、金属含有レジスト膜の露光領域において、金属含有レジストの前駆体化が生じる。ただし、加熱処理における初期のウェハＷの目標到達温度が高くウェハＷの加熱速度が大きいと、加熱処理において、金属含有レジストの縮合が生じる温度にウェハＷの温度を維持するときまでに、金属含有レジストの前駆体化が十分生じず、その結果、以下の反応パス（Ａ）、（Ｂ）の両方の反応が生じ得る。

（Ａ）前駆体化された金属含有レジストの縮合
（Ｂ）金属含有レジストの前駆体化→その後、前駆体化された金属含有レジストの縮合
加熱処理

したがって、（Ｂ）の反応パスは反応の速度が遅いため（すなわち反応が完了するのに要する時間が長いため）、（Ｂ）の反応パスで反応が進む部分は、縮合が不十分となり、現像処置が施されたときに、除去されてしまい、凹所を形成してしまう。
また、（Ｂ）の反応パスで反応が進む部分の縮合を十分とするために、加熱処理の時間を長くすると、以下のようにして、ラフネスが悪化してしまう。すなわち、（Ａ）の反応パスで反応が進む部分は、クラスター（すなわち粒子）を形成し、また、反応が継続すると、クラスター径が大きくなり続ける。そして、（Ｂ）の反応パスで反応が進む部分の縮合を十分とするために加熱処理の時間を長くし（Ａ）の反応パスでの反応すなわち縮合を継続すると、図１０に示すように、大径のクラスターＣＬの一部が、金属含有レジストによるパターンの表面Ｈから大きく突出する凸部Ｈ１を形成し、その結果、ラフネスが悪化してしまう。

以上が、加熱処理における初期のウェハＷの目標到達温度及びウェハＷの加熱速度がラフネスに大きな影響を与える理由である。

上記を踏まえ、本実施形態では、前述のように、ステップＳ５において、金属含有レジスト膜が形成され露光処理が施されたウェハＷに第１の加熱処理を施し、金属含有レジスト膜の露光領域において、金属含有レジストを前駆体化させる。これにより、金属含有レジスト膜の露光領域において、上記縮合を生じさせずに、または、ほとんど生じさせずに、金属含有レジストの前駆体化を十分に進める。そして、続くステップＳ６において、ウェハＷに加熱処理を施し、金属含有レジスト膜の露光領域において、前駆体化された金属含有レジストを縮合させる。これにより、ステップＳ５で前駆体化が十分進められた金属含有レジスト膜の露光領域において、前駆体化を進めさせずに、またはほとんど進めさせずに、縮合を生じさせる。

すなわち、本実施形態では、金属含有レジスト膜の露光領域において、前駆体化された金属含有レジストを縮合させる段階の前に、前駆体化が十分進められるため、上記縮合させる段階で上記（Ｂ）の反応パスでの反応が進む部分は殆どない。また、そのため、（Ｂ）の反応パスで反応が進む部分の縮合を十分とするために、加熱処理の時間を長くする必要がない。したがって、本実施形態によれば、金属含有レジストによるパターンのラフネスを改善することができる。また、本実施形態によれば、第１の加熱処理を施す時間または第２の加熱処理を施す時間の少なくとも一方を調整して、露光後且つ現像前の加熱処理によりウェハＷに対し十分な熱量を加えることで、金属含有レジストの感度を確保することができる。すなわち、本実施形態によれば、金属含有レジストの被膜の感度の低下を抑制しながら、金属含有レジストのパターン表面のラフネスを向上させることができる

さらに、本実施形態では、金属含有レジスト膜の露光領域において金属含有レジストを前駆体化させるステップＳ５において、ウェハＷに第１の加熱処理と冷却処理を交互に繰り返し施していた。そのため、第１の加熱処理で縮合が生じていた場合でも、冷却処理によって縮合が一旦停止するため、図１０を用いて説明したような、縮合を継続することによるクラスターの肥大化を抑制することができる。したがって、金属含有レジストのパターンのラフネスをさらに向上させることができる。

＜前駆体化処理の他の例＞
以上の例では、ステップＳ５において、金属含有レジスト膜の露光領域において金属含有レジストを前駆体化させる際、ウェハＷに第１の加熱処理と冷却処理が交互に繰り返し施され、また、第１の加熱処理を施す熱処理ユニット４０によって最後の冷却処理が施されていた。この最後の冷却処理は、第２の加熱処理としてのＰＥＢ処理を施す熱処理ユニット４０によって施されてもよい。

また、ステップＳ５において前駆体化させる際、ウェハＷに第１の加熱処理と冷却処理が交互に繰り返し施されることに代えて、ウェハＷに第１の加熱処理と冷却処理とを１回ずつこの順番で施されるようにしてもよい。

さらに、第１の加熱処理が複数回施される場合も１回のみ施される場合も、冷却処理が省略されてもよい。

また、図１１に示すように、ステップＳ５において前駆体化させる際、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度を連続的に上昇させてもよい。本例の場合、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度は、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標温度を第２の加熱処理としてのＰＥＢ処理におけるウェハＷの目標到達温度と等しくしたときの処理開始時より、ウェハＷの昇温速度が低くなるよう、設定される。具体的には、本例の場合、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度の平均上昇速度は６℃／ｓ以下とされる。また、本例の場合、第１の加熱処理におけるウェハＷの最終目標到達温度は、ＰＥＢ処理におけるウェハＷの目標到達温度以下である。

さらに、図１２に示すように、ステップＳ５において前駆体化させる際、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度を段階的に上昇させてもよい。本例の場合も、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度は、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標温度を第２の加熱処理としてのＰＥＢ処理におけるウェハＷの目標温度と等しくして一定としたときの処理開始時より、ウェハＷの平均昇温速度が低くなるよう、設定される。具体的には、本例の場合も第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度の平均上昇速度は６℃／ｓ以下とされる。また、本例の場合も、第１の加熱処理におけるウェハＷの最終目標到達温度は、ＰＥＢ処理におけるウェハＷの目標到達温度以下である。

また、ステップＳ５において前駆体化させる際、第１の加熱処理におけるウェハＷの目標到達温度を連続的に上昇させる場合、及び、段階的に上昇させる場合、第１の加熱処理が施される回数は１回とし、冷却処理を省略し、第１の加熱処理に続いてＰＥＢ処理が施されてもよい。

以上の例では、第１の加熱処理とＰＥＢ処理が、別々の熱処理ユニット４０で施されていたが、共通の熱処理ユニット４０及び共通の熱板３４０を用いて施されてもよい。特に、第１の加熱処理とＰＥＢ処理とで、ウェハＷの目標到達温度すなわち熱板３４０の設定温度が等しく且つ一定である場合や冷却処理を省略し第１の加熱処理に続いてＰＥＢ処理が施される場合等においては、第１の加熱処理と第２の加熱処理とで同じ熱処理ユニット４０が用いられてもよい。

＜熱処理ユニットの他の例＞

また、以上の例では、第１の加熱処理を施す加熱部と冷却処理を施す冷却部とが一体化されていたが、これらは別体であってもよい。
さらに、以上の例では、第１の加熱処理を施す加熱部と冷却処理を施す冷却部とが一体化されているのに対し、ＰＥＢ処理を施す加熱部は別体であった。これに代えて、第１の加熱処理を施す加熱部と冷却処理を施す冷却部とＰＥＢ処理を施す加熱部との３つが一体化されていてもよい。具体的には、第１の加熱処理用の熱板と、ＰＥＢ処理用の熱板と、冷却処理用の冷却板が、熱処理ユニットにおける共通の筐体内に設けられていてもよい。

この場合、冷却部を施す冷却部、第１の加熱処理を施す加熱部及びＰＥＢ処理を施す加熱部が、ウェハ搬送領域Ｄが延びるＸ方向に沿って、この順で並んでいてもよい。また、冷却部を施す冷却部、第１の加熱処理を施す加熱部及びＰＥＢ処理を施す加熱部が、水平面内で上記Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って、ウェハ搬送領域Ｄ側から順に並んでいてもよい。

さらに、この場合、冷却処理用の冷却板が搬送機構を構成し、冷却板を介して、第１の加熱処理用の熱板及びＰＥＢ処理用の熱板に対するウェハＷの搬送が行われてもよい。また、冷却処理用の冷却板とは別に、搬送機構を筐体内に設け、当該搬送機構により、第１の加熱処理用の熱板、ＰＥＢ処理用の熱板及び冷却処理用の冷却板に対するウェハＷの搬送が行われてもよい。

＜第１の加熱処理が施される加熱領域の他の例＞
図１３は、第１の加熱処理が施される加熱領域の他の例を模式的に示す縦断面図である。
図１３の加熱領域３１０Ａでは、上部チャンバ３２１Ａの内部であって、熱板３４０に対向する位置には、前駆体化を促進させるガス（以下、前駆体化ガス）を処理空間Ｓに吐出する、ガス吐出部としてのシャワーヘッド４００が設けられている。前駆体化ガスは、具体的には、金属及び酸素を含有する前駆体への変化を促進させるガスであり、より具体的には、水分を含むガスすなわち水分含有ガス、酸素ガス、二酸化炭素ガスまたはこれらの２以上の組み合わせである。水分含有ガスが用いられる場合、水分濃度が例えば２０％～８０％のものが用いられる。

シャワーヘッド４００は、具体的には、熱板３４０に支持されたウェハＷに設けて前駆体化ガスを吐出する。また、シャワーヘッド４００は、上部チャンバ３２１Ａと同期して昇降自在に構成されている。

シャワーヘッド４００の下面には、複数のガス供給孔４０１が形成されている。複数のガス供給孔４０１は、シャワーヘッド４００の下面において、後述する中央排気路４１０以外の部分に均一に配置されている。シャワーヘッド４００には、ガス供給管４０２が接続されている。さらにガス供給管４０２には、シャワーヘッド４００に前駆体ガスを供給するガス供給源４０３が接続されている。また、ガス供給管４０２には、前駆体化ガスの流通を制御するバルブや流量調節弁等を含む供給機器群４０４と、前駆体化ガスの温度を所定の範囲（例えば２０℃～５０℃）に調整する温度調整機構４０５が設けられている。

さらに、シャワーヘッド４００には、処理空間Ｓを排気する排気部として中央排気路４１０が設けられている。中央排気路４１０は、シャワーヘッド４００の下面中央部から上面中央部に延伸するように形成されている。中央排気路４１０には、上部チャンバ３２１Ａの上面中央部に設けられた中央排気管４１１が接続されている。さらに中央排気管４１１には、例えば真空ポンプ等の排気装置４１２が接続されている。また、中央排気管４１１には、排気されたガスの流通を制御するバルブ等を有する排気機器群４１３が設けられている。中央排気路４１０は、処理空間Ｓを、熱板３４０に支持されたウェハＷの中央の上方から、排気することができる。

図１３の加熱領域３１０Ａを採用する場合、ガス供給孔４０１から吐出される前駆体化ガスの雰囲気中で、ウェハＷに第１の加熱処理が施されてもよい。これにより、第１の加熱処理で、前駆体化をさらに促進させることができる。

また、同様に、ステップＳ５の前駆体化における冷却処理が施される冷却領域３１１に、ガス供給孔を設け、ガス供給孔から吐出される前駆体化ガスの雰囲気中で、ウェハＷに上記冷却処理が施されてもよい。

＜ＰＥＢ処理を施す加熱部の例＞
図１４は、ＰＥＢ加熱処理が施される加熱領域の例を模式的に示す縦断面図である。
図１４の加熱領域３１０Ｂでは、上部チャンバ３２１Ｂの内部であって、熱板３４０に対向する位置には、前駆体化を抑制しつつ縮合を促進させるガス（以下、縮合促進ガス）を処理空間Ｓに吐出する、他のガス吐出部としてのシャワーヘッド５００が設けられている。縮合促進ガスは、具体的には、水分を含まない、または、殆ど含まないガスであり、より具体的には、ドライエア、不活性ガス（例えば窒素ガス）またはこれらの混合ガスである。

シャワーヘッド５００は、具体的には、熱板３４０に支持されたウェハＷに設けて縮合促進ガスを吐出する。また、シャワーヘッド５００は、上部チャンバ３２１Ｂと同期して昇降自在に構成されている。

シャワーヘッド５００の下面には、複数のガス供給孔５０１が形成されている。複数のガス供給孔５０１は、シャワーヘッド５００の下面において、中央排気路４１０以外の部分に均一に配置されている。シャワーヘッド５００には、ガス供給管５０２が接続されている。さらにガス供給管５０２には、シャワーヘッド５００に縮合促進ガスを供給するガス供給源５０３が接続されている。また、ガス供給管５０２には、縮合促進ガスの流通を制御するバルブや流量調節弁等を含む供給機器群５０４と、縮合促進ガスの温度を所定の範囲に調整する温度調整機構５０５が設けられている。

図１４の加熱領域３１０Ｂを採用する場合、ガス供給孔５０１から吐出される縮合促進ガスの雰囲気中で、ウェハＷにＰＥＢ処理が施されてもよい。これにより、ＰＥＢ処理で、前駆体化を抑制しながら縮合をさらに促進させることができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、
その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、
その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を含む、基板処理方法。
（２）前記第１の加熱処理における前記基板の最終目標到達温度は、８０℃以上である、前記（１）に記載の基板処理方法。
（３）前記前駆体化させる工程において、前記基板に、前記第１の加熱処理を施した後、冷却処理を施す、前記（１）または（２）に記載の基板処理方法。
（４）前記前駆体化させる工程において、前記基板に、前記第１の加熱処理と前記冷却処理を交互に繰り返し施す、前記（３）に記載の基板処理方法。
（５）前記前駆体化させる工程において、前記基板に対する前記冷却処理を、当該基板を搬送する搬送機構に当該基板を支持した状態で施す、前記（３）または（４）に記載の基板処理方法。
（６）前記第１の加熱処理における前記基板の目標到達温度を連続的に上昇させる、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（７）前記第１の加熱処理における前記基板の目標到達温度を段階的に上昇させる、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（８）前記第１の加熱処理における前記基板の目標到達温度の平均上昇速度は６℃／ｓ以下である、前記（６）または（７）に記載の基板処理方法。
（９）前記前駆体化させる工程において、前駆体化を促進させるガスの雰囲気中で、前記基板に処理を施す、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（１０）前記縮合させる工程において、前駆体化を抑制しつつ縮合を促進させるガスの雰囲気で、前記基板に処理を施す、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理方法。
（１１）基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板に加熱処理を施す加熱部と、
前記基板に現像処理を施す現像部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された前記基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、
その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、
その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を当該基板処理装置が実行するよう制御を行う、基板処理装置。
（１２）基板を処理する基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、
その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、
その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を含む、コンピュータ記憶媒体。

１ 塗布現像処理装置
３０ 現像処理ユニット
４０ 熱処理ユニット
２００ 制御部
Ｍ 記憶媒体
Ｗ ウェハ

Claims (12)

1. 金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、
   その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、
   その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を含む、基板処理方法。
2. 前記第１の加熱処理における前記基板の最終目標到達温度は、８０℃以上である、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記前駆体化させる工程において、前記基板に、前記第１の加熱処理を施した後、冷却処理を施す、請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記前駆体化させる工程において、前記基板に、前記第１の加熱処理と前記冷却処理を交互に繰り返し施す、請求項３に記載の基板処理方法。
5. 前記前駆体化させる工程において、前記基板に対する前記冷却処理を、当該基板を搬送する搬送機構に当該基板を支持した状態で施す、請求項３に記載の基板処理方法。
6. 前記第１の加熱処理における前記基板の目標到達温度を連続的に上昇させる、請求項１または２に記載の基板処理方法。
7. 前記第１の加熱処理における前記基板の目標到達温度を段階的に上昇させる、請求項１または２に記載の基板処理方法。
8. 前記第１の加熱処理における前記基板の目標到達温度の平均上昇速度は６℃／ｓ以下である、請求項６に記載の基板処理方法。
9. 前記前駆体化させる工程において、前駆体化を促進させるガスの雰囲気中で、前記基板に処理を施す、請求項１または２に記載の基板処理方法。
10. 前記縮合させる工程において、前駆体化を抑制しつつ縮合を促進させるガスの雰囲気中で、前記基板に処理を施す、請求項１または２に記載の基板処理方法。
11. 基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板に加熱処理を施す加熱部と、
    前記基板に現像処理を施す現像部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された前記基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、
    その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、
    その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を当該基板処理装置が実行するよう制御を行う、基板処理装置。
12. 基板を処理する基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記基板処理方法は、
    金属含有レジストの被膜が形成され露光処理が施された基板に第１の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前記金属含有レジストを前駆体化させる工程と、
    その後、前記基板に第２の加熱処理を施し、前記被膜の露光領域において、前駆体化された前記金属含有レジストを縮合させる工程と、
    その後、前記基板に現像処理を施す工程と、を含む、コンピュータ記憶媒体。

Images