TWI790339B - 基板處理裝置、基板處理方法及電腦記錄媒體 - Google Patents

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TWI790339B
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小玉輝彥
松永浩一
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明的目的係在光刻程序之中，使曝光處理在適當位置進行。本發明係一種晶圓處理方法，於步驟S10將光阻液塗至晶圓的表面，並於步驟S17將晶圓的表面上之已曝光之光阻膜加以顯影，其中包含：降低摩擦膜形成程序(步驟S5)，於步驟S14之曝光處理前，在晶圓的背面形成將該晶圓的背面與曝光處理時固持晶圓的背面之固持面之間的摩擦加以降低之降低摩擦膜。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及電腦記錄媒體
本發明關於將塗佈液塗佈至基板的表面、並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影之基板處理裝置、基板處理方法及電腦記錄媒體。
例如多層配線構造的半導體元件的製造程序之中，例如複數次進行將光阻圖案形成在半導體晶圓(以下稱作「晶圓」)上之光刻程序。光刻程序，進行將光阻液塗佈至晶圓上而形成光阻膜之光阻塗佈處理、將預定圖案曝光在光阻膜之曝光處理、將已曝光之光阻膜加以顯影之顯影處理等，而在晶圓上形成預定光阻圖案。
各光刻程序間之中，以在晶圓的相同區域進行投射之方式加以曝光處理。而且，由於與近年之半導體元件的進一步高積體化相伴之光阻圖案的微細化，吾人追求提昇前一個光刻程序中進行投射之區域與後一個光刻程序中進行投射之區域之對準的精度亦即疊合(overlay)的精度。
於是，例如專利文獻1提案有一種方法，使用散射計而偵測有關疊合之誤差， 並藉此而控制用以進行曝光之掃描器的動作。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-171732號公報
[發明所欲解決之問題]
順道一提，曝光處理之中，已搬運至曝光裝置之晶圓，例如暫時傳遞給三支昇降銷後而載置在基台。而且，使晶圓吸附固持在基台，並於基台中之晶圓的位置已固定之狀態下進行投射。
然而，已傳遞給昇降銷之晶圓，由於其本身重量而使外周部相較於中心部而言往下方撓曲，因此係從外周部朝中心部而依序載置在基台。如此一來，晶圓的外周部先吸附固持在基台，因此其中心部會於承受有應力之狀態而受吸附固持。又，搬運至曝光裝置之晶圓本來有就不平坦並產生翹曲之情形，於此情形下，晶圓仍於承受有應力之狀態受吸附固持。如上所述，當晶圓於施加有應力之狀態下吸附固持在基台時，則有晶圓變形、投射進行在自期望區域偏離之區域之情形。
關於此點，上述專利文獻1未著眼於有關如同上述將晶圓載置在基台之際的問題，而依然有投射不進行在適當位置之情形。因此，就提昇曝光處理之疊合的精度而言，有改善的餘地。
本發明鑒於上述情事而成，目的係於光刻程序之中使曝光處理進行在適當位置。 [解決問題之方式]
解決上述問題之本發明係一種基板處理裝置，將塗佈液塗佈在基板的表面， 並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影，其特徵為具備：膜形成部，於曝光處理前，在前述基板的背面形成降低摩擦膜，前述降低摩擦膜降低該基板的背面與曝光處理時固持前述基板的背面之固持面之間的摩擦。
依據本發明，則於曝光處理前，在基板的背面形成降低摩擦膜，藉以於曝光處理將基板載置在基台之際，使基板的背面上形成之降低摩擦膜接觸於基台。 如此一來，則例如於因昇降銷而使基板的外周部相較於中心部而言往下方撓曲之情形、或搬運至曝光裝置之基板係不平坦之情形下，亦能藉由降低摩擦膜而使基板以在基台上滑動的方式載置，降低如以往施加在基板之應力。因此，因為可將基板吸附固持在基台上的適當位置，所以就基板曝光之位置而言，可抑制自正常位置偏離。其結果，可改善曝光處理之疊合。
前述膜形成部，亦可於係塗佈液往前述基板的表面之塗佈處理結束後、且係曝光處理前，將前述降低摩擦膜形成前述基板的背面。
前述降低摩擦膜亦可係氟樹脂膜。
前述膜形成部，亦可使降低摩擦膜用材料蒸鍍在前述基板的背面。
前述膜形成部，亦可將降低摩擦膜用材料塗佈在前述基板的背面。
前述膜形成部，亦可具備將前述基板的背面的一部分加以支持之支持部。
亦可將前述支持部設置複數個，並使該複數個支持部分別支持前述基板的背面之不同部分，且前述膜形成部更具備使前述複數個支持部個別移動之移動機構。
前述基板處理裝置亦可更具備：膜剝離部，針對前述降低摩擦膜形成在背面後已進行曝光處理之前述基板，剝離前述降低摩擦膜。
前述膜剝離部亦可於係針對前述基板進行曝光後烘烤處理後、並係針對前述基板進行顯影處理前，剝離前述降低摩擦膜。
前述膜剝離部亦可將紫外線照射至前述基板的背面，而剝離前述降低摩擦膜。
前述基板處理裝置亦可更具備：前處理部，於前述膜形成部將前述降低摩擦膜形成在前述基板的背面前，將紫外線照射在前述基板的背面。
其它觀點所成之本發明係一種基板處理方法，將塗佈液塗佈在基板的表面， 並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影，其特徵為包含：膜形成程序，於曝光處理前，將降低摩擦膜形成在前述基板的背面，前述降低摩擦膜降低該基板的背面與曝光處理時固持前述基板的背面之固持面之間的摩擦。
前述膜形成程序亦可進行於係往前述基板的表面之塗佈液的塗佈處理結束後、並係曝光處理前。
前述降低摩擦膜亦可係氟樹脂膜。
前述膜形成程序，亦可使降低摩擦膜用材料蒸鍍在前述基板的背面。
前述膜形成程序，亦可將降低摩擦膜用材料塗佈在前述基板的背面。
前述膜形成程序，亦可支持前述基板的背面的一部分，而將前述降低摩擦膜形成在該基板的背面。
前述膜形成程序，亦可變更將前述基板的背面加以支持之部分，而將前述降低摩擦膜形成在該基板的背面。
前述基板處理方法，亦可更包含：膜剝離程序，針對利用前述膜形成程序而將前述降低摩擦膜形成在背面後已進行曝光處理之前述基板，剝離前述降低摩擦膜。
前述膜形成程序，亦可進行於係前述基板進行曝光後烘烤處理後、且係前述基板進行顯影處理前。
前述膜剝離程序，亦可將紫外線照射在前述基板的背面，而剝離前述降低摩擦膜。
前述基板處理方法，亦可更包含：前處理程序，於前述膜形成程序前，將紫外線照射在前述基板的背面。
依據另外觀點所成之本發明，則提供一種可讀取之電腦記錄媒體，儲存有在將基板處理裝置加以控制之控制部之電腦上動作之程式，用以藉由該基板處理裝置而執行前述基板處理方法。 [發明之效果]
依據本發明，則可於光刻程序使曝光處理進行在適當位置。
[實施發明之較佳形態]
以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態。此外，本說明書及圖式之中，針對實質上具有同一功能構成之元件標註同一符號，藉以省略重複說明。
＜第一實施形態＞ 首先，說明本發明第一實施形態之基板處理系統(本發明中之基板處理裝置)的構成。圖1係將本實施形態之基板處理系統1的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。
(基板處理系統) 基板處理系統1具有針對作為基板之晶圓W進行預定處理之二個處理系統10、20。又，基板處理系統1設有控制部30。控制部30例如係電腦，且具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部儲存有將基板處理系統1中之晶圓W的處理加以控制之程式。前述程式例如係記錄在電腦可讀取硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可在電腦讀取之記錄媒體，且亦可自該記錄媒體安裝在控制部30。本實施形態中之基板處理系統1的構成係用以執行本發明的晶圓處理方法之一例，不限定於此。
(第一處理系統) 說明第一處理系統10的構成。圖2係將第一處理系統10的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。圖3及圖4分別係將第一處理系統10的內部構成的概略加以示意性顯示之前視圖與後視圖。
第一處理系統10如圖2所示具有將下者一體連接之構成：匣盒站100，在其中將收容有複數片晶圓W之匣盒C加以搬入搬出；以及處理站101，具備將預定處理施行於晶圓W之複數之處理裝置。
匣盒站100設有匣盒載置台110。匣盒載置台110設置有：複數個匣盒載置板111，於對著基板處理系統1的外部而將匣盒C加以搬入搬出之際，載置匣盒C。
匣盒站100設有：晶圓搬運裝置113，在沿X方向延伸之搬運道112上自由移動。晶圓搬運裝置113，在上下方向及繞鉛直軸(θ方向)亦自由移動，且可在各匣盒載置板111上的匣盒C與後述處理站101的第三區塊G3的傳遞裝置140、141之間搬運晶圓W。
處理站101設有具備各種裝置之複數例如三個區塊亦即第一區塊G1~第三區塊G3。例如處理站101的正面側(圖2之X方向負方向側)設有第一區塊G1，且處理站101的背面側(圖2之X方向正方向側、圖式的上側)設有第二區塊G2。又，處理站101的匣盒站100側(圖2之Y方向負方向側)設有第三區塊G3。
第一區塊G1如圖3所示，設有：背面清洗裝置120、121，清洗晶圓W的背面；下層膜形成裝置122，將下層膜用材料塗佈在晶圓W的表面而形成下層膜例如SOC(Spin On Carbon；旋塗碳)膜；以及觸媒處理裝置123，將預定觸媒供給至形成在晶圓W的背面之後述降低摩擦膜，而進行處理。自下起依此順序配置背面清洗裝置120、121，並自下起依此順配置下層膜形成裝置122與觸媒處理裝置123，更自匣盒站100側起依此順序排列配置背面清洗裝置120、121與下層膜形成裝置122及觸媒處理裝置123。此外，此等背面清洗裝置120、121、下層膜形成裝置122、觸媒處理裝置123的數量或配置可任意選擇。又，觸媒處理裝置123中之觸媒處理，視所使用之觸媒的種類而亦可在後述降低摩擦膜形成裝置133之中進行，此情形下可省略觸媒處理裝置123。
第二區塊G2如圖4所示，設有：熱處理裝置130~132，進行晶圓W之加熱或冷卻之類的熱處理；降低摩擦膜形成裝置133，將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面；以及紫外線處理裝置134、135，將紫外線照射至晶圓W的背面。自下起依此順配置熱處理裝置130~132，並自下起依此順配置降低摩擦膜形成裝置133與紫外線處理裝置134、135，更自匣盒站100側起依此順排列配置熱處理裝置130~ 132與降低摩擦膜形成裝置133及紫外線處理裝置134、135。此外，本實施形態之中，降低摩擦膜形成裝置133構成本發明的膜形成部，紫外線處理裝置134、135分別構成本發明的前處理部、膜剝離部。又，此等熱處理裝置130~132、降低摩擦膜形成裝置133、紫外線處理裝置134、135的數量或配置可任意選擇。
第三區塊G3自下起依此順配置有傳遞裝置140、141。
如圖2所示，由第一區塊G1~第三區塊G3所圍繞之區域形成有晶圓搬運區域D1。晶圓搬運區域D1配置有：複數之晶圓搬運裝置150：例如具有沿Y方向、X方向、θ方向及上下方向自由移動之搬運臂150a。晶圓搬運裝置150移動在晶圓搬運區域D1內，且可將晶圓W搬運至周圍之第一區塊G1、第二區塊G2及第三區塊G3內的預定裝置。
(第二處理系統) 說明第二處理系統20的構成。圖5係將第二處理系統20的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。圖6及圖7分別係將第二處理系統20的內部構成的概略加以示意性顯示之前視圖與後視圖。
第二處理系統20如圖5所示，具有將下者一體連接之構成：匣盒站200，在其中將收容有複數片晶圓W之匣盒C加以搬入搬出；處理站201，具備將預定處理施行至晶圓W之複數之處理裝置；以及中介站203，在處理站201與相鄰於處理站201之曝光裝置202之間進行晶圓W之傳遞。
匣盒站200設有匣盒載置台210。匣盒載置台210設有：複數之匣盒載置板211，於對著基板處理系統1的外部而將匣盒C加以搬入搬出之際，載置匣盒C。
匣盒站200設有：晶圓搬運裝置213，在沿X方向延伸之搬運道212上自由移動。晶圓搬運裝置213，在上下方向及繞鉛直軸(θ方向)亦自由移動，且可在各匣盒載置板211上的匣盒C與後述處理站201的第六區塊G6的傳遞裝置240~246之間搬運晶圓W。
處理站201設有具備各種裝置之複數例如四個區塊亦即第四區塊G4~第七區塊G7。例如處理站201的正面側(圖5之X方向負方向側)設有第四區塊G4，處理站201的背面側(圖5之X方向正方向側、圖式的上側)設有第五區塊G5。又，處理站201的匣盒站200側(圖5之Y方向負方向側)設有已述第六區塊G6，處理站201的中介站203側(圖5之Y方向正方向側)設有第七區塊G7。
第四區塊G4如圖6所示，自下起依此順配置有：顯影處理裝置220，將晶圓W加以顯影處理；中間層膜形成裝置221，將中間層膜用材料塗佈在晶圓W的表面而形成中間層膜，例如有機BARC(Bottom Anti Reflecting Coating；底部抗反射塗層)或含矽ARC(Anti Reflecting Coating；抗反射塗層)；光阻塗佈裝置222，將光阻液塗佈在晶圓W的表面而形成光阻膜；表面清洗裝置223，清洗晶圓W的表面；以及背面清洗裝置224，清洗晶圓W的背面。例如將顯影處理裝置220、中間層膜形成裝置221、光阻塗佈裝置222、表面清洗裝置223、背面清洗裝置224分別沿水平方向排列三個來配置。此外，此等顯影處理裝置220、中間層膜形成裝置221、光阻塗佈裝置222、表面清洗裝置223、背面清洗裝置224的數量或配置，可任意選擇。
第五區塊G5如圖7所示，沿上下方向與水平方向排列配置有：熱處理裝置230，進行晶圓W之加熱或冷卻之類的熱處理；疏水化處理裝置231，用以進行將光阻液與晶圓W之固著性加以提昇之疏水化處理；以及周邊曝光裝置232，將晶圓W的外周部加以曝光。此外，此等熱處理裝置230、疏水化處理裝置231、周邊曝光裝置232的數量或配置，可任意選擇。
第六區塊G6自下起依序設有複數之傳遞裝置240、241、242、243、244、245、246。又，第七區塊G7自下起依序設有複數之傳遞裝置250、251、252。
如圖5所示，由第四區塊G4~第七區塊G7所圍繞之區域形成有晶圓搬運區域D2。晶圓搬運區域D2配置有：複數之晶圓搬運裝置260，具有例如沿Y方向、X方向、θ方向及上下方向自由移動之搬運臂260a。晶圓搬運裝置260移動在晶圓搬運區域D2內，且可將晶圓W搬運至周圍之第四區塊G4、第五區塊G5、第六區塊G6及第七區塊G7內的預定裝置。
又，晶圓搬運區域D2如圖7所示，設有：梭動搬運裝置270，在第六區塊G6與第七區塊G7之間，直線性搬運晶圓W。梭動搬運裝置270例如沿圖7之Y方向直線性自由移動。梭動搬運裝置270，可於支持有晶圓W之狀態下沿Y方向移動，並在第六區塊G6的傳遞裝置242與第七區塊G7的傳遞裝置252之間搬運晶圓W。
如圖5所示，第六區塊G6之X方向正方向側的旁鄰設有晶圓搬運裝置280。晶圓搬運裝置280具有例如沿X方向、θ方向及上下方向自由移動之搬運臂280a。晶圓搬運裝置280，可於支持有晶圓W之狀態下往上下移動，而將晶圓W搬運至第六區塊G6內的各傳遞裝置。
中介站203設有晶圓搬運裝置290與傳遞裝置291。晶圓搬運裝置290具有例如沿Y方向、θ方向及上下方向自由移動之搬運臂290a。晶圓搬運裝置290例如可將晶圓W支持在搬運臂290a，而在第七區塊G7內之各傳遞裝置、傳遞裝置291及曝光裝置202之間搬運晶圓W。
(降低摩擦膜形成裝置) 其次，說明降低摩擦膜形成裝置133。降低摩擦膜形成裝置133，使降低摩擦用材料之氣體(以下稱作「原料氣體」)蒸鍍在晶圓W的背面，而將降低摩擦膜形成在該背面。曝光裝置202中，於如同上述因昇降銷而使晶圓W的外周部相較於中心部而言往下方撓曲之情形、或晶圓W本身不平坦之情形下，晶圓W會於承受有應力之狀態下吸附固持在基台，且在基台上變形。於是，本實施形態之中，於曝光處理前，降低摩擦膜形成裝置133在晶圓W的背面形成：降低摩擦膜，對於曝光裝置202的基台的固持面具有高的接觸角，降低晶圓W的背面與基台的固持面之間的摩擦(摩擦係數)。如此一來，曝光裝置202之中，藉由降低摩擦膜而將使晶圓W滑順載置在基台上，可降低上述應力。此外，降低摩擦膜的膜種類，只要降低摩擦則不特別限定，例如使用氟樹脂膜。
又，降低摩擦膜形成裝置133，因為將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面，所以亦有保護該背面之效果。例如可於將形成有降低摩擦膜之晶圓W加以搬運之際，抑制晶圓W的背面損傷。又，例如亦可於塗佈處理將清洗晶圓W的背面之所謂後背淋洗加以省略。
說明此降低摩擦膜形成裝置133的構成。圖8係將降低摩擦膜形成裝置133的構成的概略加以示意性顯示之縱剖視圖。
降低摩擦膜形成裝置133具有：腔室300，在內部收容晶圓W。腔室300具有上部腔室301與下部腔室302。下部腔室302構成為藉由昇降機構303而沿鉛直方向自由昇降。當使下部腔室302上昇而密接於上部腔室301時，則腔室300的內部形成已密閉之處理空間K。另一方面，當使下部腔室302下降時，則腔室300的內部向大氣環境開放。
上部腔室301設有用以加熱晶圓W之加熱器310。
下部腔室302設有將晶圓W加以支持之二個支持部320、321。支持部320、321分別例如係三個昇降銷，且支持晶圓W的背面之不同部分。支持部320、321構成為藉由作為移動機構之昇降機構322而個別沿鉛直方向自由昇降。下部腔室302形成有沿厚度方向形成之貫穿孔302a，且使支持部320、321插穿於貫穿孔302a。
下部腔室302的內部底面的中央部設有：氣體供給部330，將原料氣體供給至由第一支持部320或第二支持部321所支持之晶圓W的背面。氣體供給部330構成為可將原料氣體噴射至晶圓W的背面整面。
氣體供給部330連接有原料氣體所流通之氣體供給管331。氣體供給管331連通至使液體狀的原料液汽化成原料氣體之汽化器332。汽化器332連接有原料液所流通之液供給管333、及氮氣所流通之氣體供給管334。液供給管333連通至積放原料液之原料槽335，且液供給管333設有：泵336，用以從原料槽335將原料液送液至汽化器332。氣體供給管334連通至將氮氣供給到汽化器332之氮氣供給源337。
汽化器332的內部設有加熱器(未圖示)，將自原料槽335流入之原料液加熱而使其汽化。原料氣體係氟樹脂例如鐵氟龍(註冊商標)樹脂之情形下，則汽化器332中之加熱溫度例如係180℃。而且，如上所述，而將已在汽化器332汽化之原料氣體藉由自氮氣供給源337供給之氮氣加以壓送，供給至氣體供給部330。
下部腔室302的側壁的內部，設有將腔室300(處理空間K)的內部加以排氣之排氣道340。排氣道340係形成在以下位置：於將由第一支持部320或第二支持部321所支持之晶圓W配置在預定處理位置之際，低於該處理位置之位置。排氣道340連接有排氣管(未圖示)，且排氣管連通至例如真空泵等排氣裝置。
其次，說明利用降低摩擦膜形成裝置133進行之降低摩擦膜之形成方法。圖9係將降低摩擦膜形成裝置133之中降低摩擦膜形成在晶圓W的背面之樣子加以顯示之說明圖。
首先，如圖9(a)所示，於使下部腔室302下降之狀態下，將晶圓W搬運至腔室300的內部。晶圓W由第一支持部320所支持。
其後，如圖9(b)所示，藉由昇降機構303而使下部腔室302上昇並密接於上部腔室301，形成已密閉之處理空間K。又，藉由昇降機構322而使第一支持部320上昇，將晶圓W配置在預定處理位置。
其後，一邊藉由加熱器310而將晶圓W加熱至預定溫度例如120℃，並一邊自氣體供給部330將原料氣體供給至該晶圓W的背面。如此一來，在晶圓W的背面，將原料氣體蒸鍍在利用第一支持部320支持之部分以外，形成降低摩擦膜。
此外，加熱器310所行之晶圓W之加熱係為了促進背面與原料氣體之反應而進行。因此，晶圓W的加熱溫度不限定於120℃，但若係低溫則促進反應之效果小。又，降低摩擦膜係氟樹脂膜之情形下，該降低摩擦膜係例如於200℃分解，因此宜未滿200℃。
其後，如圖9(c)所示，藉由昇降機構322而使第二支持部321上昇來支持晶圓W的背面，並且使第一支持部320下降。而且，自氣體供給部330將原料氣體供給至晶圓W的背面，藉以使原料氣體亦蒸鍍在圖9(b)之中利用第一支持部320支持之部分，亦即未形成降低摩擦膜之部分。如上所述，將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面整面。
此外，如圖9(b)、(c)所示，於自氣體供給部330供給原料氣體之際，自排氣道340將處理空間K的內部加以排氣。而且，排氣道340形成在係晶圓W的側方且係下方，因此可抑制原料氣體繞進晶圓W的表面。
又，本實施形態之中，因為係將晶圓W的背面整面吸附固持在曝光裝置202的基台，所以將降低摩擦膜形成在該背面整面。但是，例如於基台不吸附固持背面整面之情形下，僅在晶圓W的背面中受吸附固持之部分形成降低摩擦膜即可。
此外，本實施形態中之降低摩擦膜形成裝置133的構成，係用以執行本發明中之降低摩擦膜之形成的一例，但不限定於此。
(紫外線處理裝置) 其次，說明紫外線處理裝置134、135。紫外線處理裝置134相當於本發明中之前處理部，於降低摩擦膜形成裝置133將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面之前，將紫外線照射至該背面。可藉由此紫外線照射而使晶圓W的背面活性化，適當地形成降低摩擦膜，並使相對於曝光裝置202的基台之接觸角變大。又，紫外線處理裝置135相當於本發明之膜剝離部，將紫外線照射至曝光處理後之晶圓W的背面，剝離該背面上形成之降低摩擦膜。
說明此等紫外線處理裝置134、135的構成。紫外線處理裝置134、135的構成係同一，因此在此說明紫外線處理裝置134。圖10係將紫外線處理裝置134的構成的概略加以示意性顯示之側面圖。
紫外線處理裝置134具有將晶圓W的背面加以吸附固持之旋轉夾盤400與襯墊401。旋轉夾盤400吸附固持晶圓W的背面中心部，且襯墊401吸附固持旋轉夾盤400的外方之晶圓W的背面。亦即，旋轉夾盤400與襯墊401固持晶圓W的背面之不同部分。
旋轉夾盤400設有移動機構402。旋轉夾盤400構成為藉由移動機構402而可旋轉成預定速度並且沿鉛直方向自由昇降。
襯墊401設有移動機構403。襯墊401構成為藉由移動機構403而可沿鉛直方向昇降並且沿水平方向自由移動。
紫外線處理裝置134更具有：UV(紫外線)燈410、411，將紫外線照射至晶圓W的背面。如圖10(a)所示，將第一UV燈410設在由旋轉夾盤400所固持之晶圓W的外周部，並將紫外線照射至該晶圓W的背面。如圖10(b)所示，將第二UV燈411設在由襯墊401所固持之晶圓W的中心部，並將紫外線照射至該晶圓W的背面。
其次，說明利用紫外線處理裝置134進行之紫外線處理方法。圖11及圖12係將紫外線處理裝置134之中紫外線照射至晶圓W的背面之樣子加以顯示之說明圖。
首先，如圖11所示，利用旋轉夾盤400吸附固持晶圓W。其後，一邊藉由旋轉夾盤400使晶圓W旋轉、並一邊自第一UV燈410將紫外線照射至晶圓W的背面。 如此一來，將紫外線照射至晶圓W的背面之中心部以外的部分。再者，於此際，停止來自第二UV燈411之紫外線照射。
其後，藉由移動機構403而使襯墊401上昇並吸附固持晶圓W的背面，並且藉由移動機構402而使旋轉夾盤400下降。而且，如圖12(a)~(c)所示，一邊藉由移動機構403而使由襯墊401所固持之晶圓W沿水平方向之一方向移動，一邊自第二UV燈411將紫外線照射至晶圓W的背面。如此一來，將紫外線照射至圖11之中未照射紫外線之晶圓W的中心部。再者，於此際，停止來自第一UV燈410之紫外線照射。
如上所述，將紫外線照射至晶圓W的背面整面。而且，紫外線處理裝置134，藉由此紫外線處理而將降低摩擦膜形成前之晶圓W的背面加以活性化。又，紫外線處理裝置135，藉由此紫外線處理來剝離曝光處理後之晶圓W的背面的降低摩擦膜。
此外，本實施形態中之紫外線處理裝置134、135的構成，係用以執行本發明中之紫外線處理的一例，但不限定於此。
(晶圓處理方法) 其次，說明利用如同以上構成之基板處理系統1而進行之晶圓處理。圖13係將該晶圓處理的主要程序的例加以顯示之流程圖。
首先，將收納有複數之晶圓W之匣盒C搬入至第一處理系統10的匣盒站100， 並載置在匣盒載置板111。其後，藉由晶圓搬運裝置113而依序取出匣盒C內的各晶圓W，並搬運至處理站101的傳遞裝置140。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至背面清洗裝置120，並且清洗晶圓W的背面(步驟S1)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至下層膜形成裝置122，並且在晶圓W的表面形成下層膜(步驟S2)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至熱處理裝置130，並進行加熱處理(步驟S3)。此外，步驟S3中之加熱處理多係利用高溫進行，例如多係後述步驟S5形成之降低摩擦膜的分解溫度以上之高溫。因此，步驟S3中之加熱處理係於步驟S5形成降低摩擦膜之前進行。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至紫外線處理裝置134，並且將紫外線照射至晶圓W的背面整面而進行前處理(步驟S4)。此前處理方法如圖11及圖12所示。又，此前處理，將紫外線照射至晶圓W的背面，藉以將OH基(羥基)形成在背面的末端，來將該背面活性化。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至降低摩擦膜形成裝置133，並將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面整面(步驟S5)。此降低摩擦膜之形成方法如圖9所示，其中，使原料氣體蒸鍍至晶圓W的背面。而且，步驟S4之中，晶圓W的背面活性化並形成有OH基，因此於使原料氣體蒸鍍之際，促進原料氣體對於背面之反應。其結果，可使降低摩擦膜對於曝光裝置202的基台之接觸角變大。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至觸媒處理裝置123，並且將觸媒供給至晶圓W的背面而進行觸媒處理(步驟S6)。可藉由進行此觸媒處理，而進一步促進晶圓W的背面與原料氣體之反應，並可縮短處理時間。此外，於上述步驟S5之中反應充分發生之情形下，亦可省略此步驟S6之觸媒處理。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至傳遞裝置141，並且更藉由晶圓搬運裝置113而搬運至預定匣盒載置板111的匣盒C。其後，將收容有已結束第一處理系統10中之處理之晶圓W之匣盒C，搬運至第二處理系統20。
第二處理系統20之中，將匣盒C搬入至匣盒站200，並載置在匣盒載置板211。 其後，藉由晶圓搬運裝置213而依序取出匣盒C內的各晶圓W，並搬運至處理站201的傳遞裝置242。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至中間層膜形成裝置221，並在晶圓W的表面形成中間層膜(步驟S7)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至熱處理裝置230，進行加熱處理(步驟S8)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而返回至傳遞裝置242。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置280而搬運至傳遞裝置243。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至疏水化處理裝置231，進行疏水化處理(步驟S9)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至光阻塗佈裝置222，且在晶圓W上形成光阻膜(步驟S10)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至熱處理裝置230，而進行預烘烤處理(步驟S11)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而返回至傳遞裝置243。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置280而搬運至傳遞裝置245。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至周邊曝光裝置232，進行周邊曝光處理(步驟S 12)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至背面清洗裝置224，而清洗晶圓W的背面(步驟S13)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而返回至傳遞裝置245。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置280而搬運至傳遞裝置242，並藉由梭動搬運裝置270而搬運至傳遞裝置252。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置290而搬運至曝光裝置202，利用預定圖案進行曝光處理(步驟S14)。曝光裝置202，將晶圓W藉由昇降銷而載置在基台。此際，由昇降銷所支持之晶圓W因為其本身重量而使外周部相較於中心部而言往下方撓曲，所以在基台係從外周部往中心部而依序受到載置。而且，晶圓W的背面形成有降低摩擦膜，因此可將晶圓W滑順載置在基台上，降低如同以往施加在晶圓W之應力。因此，因為將晶圓W吸附固持在基台上的適當位置，所以就晶圓W曝光之位置而言，可抑制自正常位置偏離。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置290而搬運至傳遞裝置252。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至表面清洗裝置223，清洗晶圓W的表面(步驟S15)。步驟S14的曝光處理係浸液曝光之情形，清洗晶圓W的表面會去除曝光處理中使用之處理液。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至熱處理裝置230，進行曝光後烘烤處理(步驟S16)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至顯影處理裝置220，進行顯影處理(步驟S17)。其後，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至熱處理裝置230，進行後烘烤處理(步驟S18)。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置260而搬運至傳遞裝置240，更藉由晶圓搬運裝置213而搬運至預定匣盒載置板211的匣盒C。其後，將收容有已結束第二處理系統20中之處理之晶圓W之匣盒C，搬運至第一處理系統10。
第一處理系統10，將匣盒C搬入至匣盒站100，並載置在匣盒載置板111。其後，藉由晶圓搬運裝置113而依序取出匣盒C內的各晶圓W，並搬運至處理站101的傳遞裝置140。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至紫外線處理裝置135，並將紫外線照射在晶圓W的背面整面，而剝離該背面的降低摩擦膜(步驟S19)。具體而言，藉由紫外線照射而切斷晶圓W的背面的OH基與降低摩擦膜之鍵結，剝離降低摩擦膜。此降低摩擦膜的剝離方法如圖11及圖12所示。如上所述，可利用自晶圓W的背面剝離降低摩擦膜，而抑制對於後續程序之影響例如不易清洗晶圓W的背面等。
其次，將晶圓W搬運至背面清洗裝置121，清洗晶圓W的背面(步驟S20)。具體而言，將清洗液例如IPA(異丙醇)供給至晶圓W的背面，藉以清洗晶圓W的背面。上述步驟S19，視降低摩擦膜的種類而有產生微粒之可能性，於步驟S20去除此微粒。因此，若係步驟S20之前將晶圓W的背面維持清潔之製程之情形下，則可省略此步驟S20的清洗處理。
其次，將晶圓W藉由晶圓搬運裝置150而搬運至傳遞裝置141，且更藉由晶圓搬運裝置113而搬運至預定匣盒載置板111的匣盒C。如上所述，結束基板處理系統1中之一連串的晶圓處理。
依據以上實施形態，則利用步驟S5之中將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面， 而於其後步驟S14的曝光處理之中將晶圓W載置在基台之際，使晶圓W的背面上形成之降低摩擦膜接觸於基台。如此一來，即使於例如因曝光裝置202的昇降銷而使晶圓W的外周部相較於中心部而言往下方撓曲之情形、或搬運至曝光裝置202之晶圓W本身不平坦之情形下，亦可藉由降低摩擦膜而將晶圓W滑順載置在基台上，降低如以往施加至晶圓W之應力。因此，因為可將晶圓吸附固持在基台上的適當位置，所以就步驟S14中晶圓W曝光之位置而言，可抑制自正常位置偏離。其結果，可改善曝光處理之疊合。
本案發明者，對於本發明的效果進行驗證。本驗證之中，就降低摩擦膜而言使用氟樹脂膜。首先，驗證降低摩擦膜本身的效果。實際上，將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面，並測量摩擦係數時，相較於未處理晶圓W的背面之情形(裸晶)而言，摩擦係數約降低70%。
其次，就曝光處理之疊合改善的效果而言，驗證晶圓W的扭曲(鉛直方向的翹曲)之改善效果。本驗證，針對在晶圓W的背面已形成降低摩擦膜之情形與未形成之情形，測量將晶圓W吸附固持在曝光裝置202的基台之際之扭曲。針對晶圓W賦予300μm之彎曲，亦即賦予以下彎曲：使晶圓的頂部上表面與底部下表面之距離成為300μm。又，就曝光裝置202側而言，以下述四個模式進行驗證：未進行任何修正之情形；進行10參數之修正之情形；進行33參數之修正之情形；以及進行CPE(Correction Per Exposure；每次曝光修正)之修正。
測量晶圓面內之扭曲的3σ時，在晶圓W的背面已形成降低摩擦膜之情形，相較於未形成降低摩擦膜之情形而言，扭曲的3σ獲得改善。具體而言，於曝光裝置202側未進行任何修正之情形及進行10參數之修正之情形下，扭曲的3σ改善約20%。又，進行33參數之修正之情形下改善約10%，再者，進行CPE之修正之情形亦改善約1%。因此，吾人知悉當將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面時，則改善曝光處理之疊合。
又，進行十次此條件下之曝光處理而測量扭曲，並計算此十次的測量結果的3σ。本來，當針對相同晶圓W進行十次曝光處理時，則各次中之扭曲的測量結果應相同。然而實際上，例如當搬運至曝光裝置202之晶圓W彎曲時，則於利用昇降銷將晶圓W載置在基台之際，由於晶圓W對基台接觸的方式，例如晶圓W自右側接觸或自左側接觸，而使測量結果改變。於是，計算十次的測量結果的3σ。 其結果，曝光裝置202之修正在任一情形下，在晶圓W的背面之形成有降低摩擦膜情形相較於未形成降低摩擦膜之情形而言，十次的測量結果的3σ皆改善。因此，吾人知悉當將降低摩擦膜形成在晶圓W的背面時，則亦提昇曝光處理之疊合改善的再現性。
＜第二實施形態＞ 其次，說明本發明第二實施形態之基板處理系統(本發明中之基板處理裝置)的構成。圖14及圖15分別係將基板處理系統500的內部構成的概略加以示意性顯示之前視圖與後視圖。
第二實施形態的基板處理系統500，係使第一實施形態的第一處理系統10與第二處理系統20合體成一個系統。亦即，基板處理系統500將第二處理系統20作為基礎，並在該第二處理系統20搭載第一處理系統10的各裝置。
如圖14所示，背面清洗裝置120、121、下層膜形成裝置122、觸媒處理裝置123，分別配置在第四區塊G4。此外，此等背面清洗裝置120、121、下層膜形成裝置122、觸媒處理裝置123的數量或配置，可任意選擇。
如圖15所示，熱處理裝置130~132、降低摩擦膜形成裝置133、紫外線處理裝置134、135，分別配置在第五區塊G5。此外，此等熱處理裝置130~132、降低摩擦膜形成裝置133、紫外線處理裝置134、135的數量或配置，可任意選擇。
其次，說明利用如同以上構成之基板處理系統500而進行之晶圓處理。圖16係將該晶圓處理的主要程序的例加以顯示之流程圖。
第二實施形態中之步驟T1~T20的各處理內容，係與第一實施形態中之步驟S1~S20的各處理內容同樣。但是，第二實施形態使用一個基板處理系統500，因此各步驟的順序係與第一實施形態相異。
第二實施形態之中，首先，依序進行晶圓W的背面清洗(步驟T1)、下層膜形成(步驟T2)、加熱處理(步驟T3)。此等步驟T1~T3，分別係與第一實施形態的步驟S1~S3相同程序。
其次，依序進行中間層膜形成(步驟T4)、加熱處理(步驟T5)、疏水化處理(步驟T6)、光阻膜形成(步驟T7)、預烘烤處理(步驟T8)、周邊曝光處理(步驟T9)、晶圓W的背面清洗(步驟T10)。此等步驟T4~T10，分別係與第一實施形態的步驟S7~ S13相同程序。
其次，依序進行紫外線照射所行之前處理(步驟T11)、降低摩擦膜形成(步驟T12)、觸媒處理(步驟T13)。此等步驟T11~T13，分別係與第一實施形態的步驟S4~S6相同程序。
其次，依序進行曝光處理(步驟T14)、晶圓W的表面清洗(步驟T15)、曝光後烘烤處理(步驟T16)。此等步驟T14~T16，分別係與第一實施形態的步驟S14~S16相同程序。
其次，依序進行降低摩擦膜剝離(步驟T17)、晶圓W的表面清洗(步驟T18)。此等步驟T17~T18，分別係與第一實施形態的步驟S19~S20相同程序。
其次，依序進行顯影處理(步驟T19)、後烘烤處理(步驟T20)。此等步驟T19~T 20，分別係與第一實施形態的步驟S17~S18相同程序。如上所述，結束基板處理系統500中之一連串的晶圓處理。
如同上述，第二實施形態的晶圓處理，相較於第一實施形態而言，進行前處理(步驟T11)、降低摩擦膜形成(步驟T12)、觸媒處理(步驟T13)之順序相異。此等步驟T11~T13，若於步驟T14的曝光處理之前進行，則可享有與第一實施形態同樣的效果，並可改善曝光處理之疊合。再者，本實施形態之中，步驟T11~T13係於即將進行步驟T14的曝光處理之前進行，因此可抑制晶圓W的背面上形成之降低摩擦膜對於其它程序之影響。
此外，本實施形態之中，於步驟T6的疏水化處理之後進行步驟T11的前處理。 在此，疏水化處理會有將處理氣體供給至晶圓W的表面但此處理氣體繞進晶圓W的背面之情形。此情形下，則晶圓W的背面之中已進行疏水化處理之部分，接觸角會局部變高，於步驟T14的曝光處理出現疊合。此點，如本實施形態，當於疏水化處理後進行紫外線照射所行之前處理時，則可去除晶圓W的背面之疏水部分，因此可改善曝光處理之疊合。
又，第二實施形態的晶圓處理，相較於第一實施形態而言，進行降低摩擦膜剝離(步驟T17)、晶圓W的表面清洗(步驟T18)之順序相異。此等步驟T17~T18，若鑒於降低摩擦膜之對於其它程序之影響，則宜於步驟T14的曝光處理後立刻進行。但是，自步驟T14的曝光處理結束起，至進行步驟T15之晶圓W的表面清洗、步驟T16之曝光後烘烤處理為止的時間已有規定，因此本實施形態之中，於曝光後烘烤處理後，進行降低摩擦膜之剝離。
＜其它實施形態＞ 以上實施形態之降低摩擦膜形成裝置133，係使原料氣體蒸鍍在晶圓W，但亦可將降低摩擦用材料塗佈在晶圓W的背面。此情形下，例如可於將晶圓W的端部加以固持之狀態下，將填充有降低摩擦用材料之海棉壓抵在晶圓W的背面，直接塗抹該降低摩擦用材料。又，亦可例如使用旋塗法而一邊使晶圓W旋轉，並一邊將降低摩擦用材料供給至該晶圓W的背面中心部，進行塗佈。但是，任一情形下，皆宜於塗佈降低摩擦用材料後，將晶圓W進行加熱處理。
又，以上實施形態之中，在紫外線處理裝置135將紫外線照射在晶圓W的背面而剝離降低摩擦膜，但此降低摩擦膜之剝離方法不限定於此。例如亦可將清洗液供給至晶圓W的背面，去除降低摩擦膜。
以上，已說明本發明實施形態，但本發明不限定於上述例。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，明顯可於申請專利範圍所記載之技術思想的範疇內想到各種變更例或修正例，此等亦當然屬於本發明的技術範圍。 [產業利用性]
本發明於將塗佈液塗佈在基板的表面、並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影之際有用。
1‧‧‧基板處理系統 10‧‧‧第一處理系統 11‧‧‧匣盒載置台 20‧‧‧第二處理系統 30‧‧‧控制部 100‧‧‧匣盒站 101‧‧‧處理站 110‧‧‧匣盒載置台 111‧‧‧匣盒載置板 112‧‧‧搬運道 113‧‧‧晶圓搬運裝置 120、121‧‧‧背面清洗裝置 122‧‧‧下層膜形成裝置 123‧‧‧觸媒處理裝置 130~132‧‧‧熱處理裝置 133‧‧‧降低摩擦膜形成裝置 134、135‧‧‧紫外線處理裝置 140、141‧‧‧傳遞裝置 150‧‧‧晶圓搬運裝置 150a‧‧‧搬運臂 200‧‧‧匣盒站 201‧‧‧處理站 202‧‧‧曝光裝置 203‧‧‧中介站 210‧‧‧匣盒載置台 211‧‧‧匣盒載置板 212‧‧‧搬運道 213‧‧‧晶圓搬運裝置 220‧‧‧顯影處理裝置 221‧‧‧中間層膜形成裝置 222‧‧‧光阻塗佈裝置 223‧‧‧表面清洗裝置 224‧‧‧背面清洗裝置 230‧‧‧熱處理裝置 231‧‧‧疏水化處理裝置 232‧‧‧周邊曝光裝置 240~246‧‧‧傳遞裝置 250~252‧‧‧傳遞裝置 260‧‧‧晶圓搬運裝置 260a‧‧‧搬運臂 270‧‧‧梭動搬運裝置 280‧‧‧晶圓搬運裝置 280a‧‧‧搬運臂 290‧‧‧晶圓搬運裝置 290a‧‧‧搬運臂 291‧‧‧傳遞裝置 300‧‧‧腔室 301‧‧‧上部腔室 302‧‧‧下部腔室 302a‧‧‧貫穿孔 303‧‧‧昇降機構 310‧‧‧加熱器 320、321‧‧‧支持部 322‧‧‧昇降機構 330‧‧‧氣體供給部 331‧‧‧氣體供給管 332‧‧‧汽化器 333‧‧‧液供給管 334‧‧‧氣體供給管 335‧‧‧原料槽 336‧‧‧泵 337‧‧‧氮氣供給源 340‧‧‧排氣道 400‧‧‧旋轉夾盤 401‧‧‧襯墊 402、403‧‧‧移動機構 410、411‧‧‧UV燈 500‧‧‧基板處理系統 C‧‧‧匣盒 D1、D2‧‧‧晶圓搬運區域 K‧‧‧處理空間 G1~G7‧‧‧第一~第七區塊 S1~S20、T1~T20‧‧‧步驟 W‧‧‧晶圓
【圖1】係將第一實施形態之基板處理系統的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。 【圖2】係將第一實施形態之第一處理系統的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。 【圖3】係將第一實施形態之第一處理系統的內部構成的概略加以示意性顯示之前視圖。 【圖4】係將第一實施形態之第一處理系統的內部構成的概略加以示意性顯示之後視圖。 【圖5】係將第一實施形態之第二處理系統的構成的概略加以示意性顯示之俯視圖。 【圖6】係將第一實施形態之第二處理系統的內部構成的概略加以示意性顯示之前視圖。 【圖7】係將第一實施形態之第二處理系統的內部構成的概略加以示意性顯示之後視圖。 【圖8】係將降低摩擦膜形成裝置的構成的概略加以示意性顯示之縱剖視圖。 【圖9】(a)~(c)係將降低摩擦膜形成裝置之中在晶圓的背面形成降低摩擦膜之樣子加以顯示之說明圖。 【圖10】(a)、(b)係將紫外線處理裝置的構成的概略加以示意性顯示之側面圖。 【圖11】係將紫外線處理裝置之中紫外線照射在晶圓的背面之樣子加以顯示之說明圖。 【圖12】(a)~(c)係將紫外線處理裝置之中紫外線照射在晶圓的背面之樣子加以顯示之說明圖。 【圖13】係將第一實施形態之晶圓處理的主要程序加以顯示之流程圖。 【圖14】係將第二實施形態之基板處理系統的內部構成的概略加以示意性顯示之前視圖。 【圖15】係將第二實施形態之基板處理系統的內部構成的概略加以示意性顯示之後視圖。 【圖16】係將第二實施形態之晶圓處理的主要程序加以顯示之流程圖。
10‧‧‧第一處理系統
20‧‧‧第二處理系統
S1~S20‧‧‧步驟

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，用以將塗佈液塗佈在基板的表面，並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影，其特徵為具備：膜形成部，於曝光處理前，在該基板的背面形成降低摩擦膜，該降低摩擦膜使該基板的背面與曝光處理時將該基板的背面加以固持之固持面之間的摩擦降低；該膜形成部，將降低摩擦膜用材料蒸鍍在該基板的背面。
  2. 一種基板處理裝置，用以將塗佈液塗佈在基板的表面，並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影，其特徵為具備：膜形成部，於曝光處理前，在該基板的背面形成降低摩擦膜，該降低摩擦膜使該基板的背面與曝光處理時將該基板的背面加以固持之固持面之間的摩擦降低；該膜形成部，將降低摩擦膜用材料塗佈在該基板的背面。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該膜形成部，於對該基板之表面的塗佈液之塗佈處理結束後、且在曝光處理前，在該基板的背面形成該降低摩擦膜。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該膜形成部，具備將該基板的背面的一部分加以支持之支持部。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中， 該支持部設有複數個，且該複數之支持部分別支持該基板的背面之不同部分，該膜形成部更具備使該複數之支持部個別移動之移動機構。
  6. 一種基板處理裝置，用以將塗佈液塗佈在基板的表面，並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影，其特徵為具備：膜形成部，於曝光處理前，在該基板的背面形成降低摩擦膜，該降低摩擦膜使該基板的背面與曝光處理時將該基板的背面加以固持之固持面之間的摩擦降低；該基板處理裝置更具備：膜剝離部，針對在背面形成了該降低摩擦膜之後已進行過曝光處理之該基板，剝離該降低摩擦膜。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，該膜剝離部，於針對該基板進行曝光後烘烤處理後、並針對該基板進行顯影處理之前，剝離該降低摩擦膜。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之基板處理裝置，其中，該膜剝離部，將紫外線照射在該基板的背面，而剝離該降低摩擦膜。
  9. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，更具備：背面清洗裝置；該膜剝離部，針對進行了該曝光處理及曝光後烘烤處理後之該基板，剝離該降低摩擦膜；該背面清洗裝置，清洗進行前述剝離後之該基板的背面。
  10. 如申請專利範圍第1、2、6、7、9項中任一項之基板處理裝置，其中，更具備：前處理部，於該膜形成部在該基板的背面形成該降低摩擦膜之前，將紫外線照射在該基板的背面。
  11. 一種基板處理方法，在基板的表面塗佈塗佈液，並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影，其特徵為包含：膜形成程序，於曝光處理前，在該基板的背面形成降低摩擦膜，該降低摩擦膜降低該基板的背面與曝光處理時將該基板的背面加以固持之固持面之間的摩擦；於該膜形成程序，將降低摩擦膜用材料蒸鍍在該基板的背面，或是，於該膜形成程序，將降低摩擦膜用材料塗佈在該基板的背面。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中，該膜形成程序，係在對該基板的表面塗佈塗佈液之塗佈處理結束後、且在曝光處理前所進行的。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理方法，其中，於該膜形成程序，支持該基板的背面的一部分，並在該基板的背面形成該降低摩擦膜。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，於該膜形成程序，變更將該基板的背面加以支持之部分，並在該基板的背面形成該降低摩擦膜。
  15. 一種基板處理方法，在基板的表面塗佈塗佈液，並將基板的表面上之已曝光之塗佈膜加以顯影，其特徵為包含：膜形成程序，於曝光處理前，在該基板的背面形成降低摩擦膜，該降低摩擦膜降低該基板的背面與曝光處理時將該基板的背面加以固持之固持面之間的摩擦；該基板處理方法更包含：膜剝離程序，針對藉由該膜形成程序在背面形成該降低摩擦膜後已進行過曝光處理之該基板，剝離該降低摩擦膜。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，該膜剝離程序，係於對該基板進行過曝光後烘烤處理後、且於對該基板進行顯影處理之前所進行的。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之基板處理方法，其中，於該膜剝離程序，將紫外線照射在該基板的背面，而剝離該降低摩擦膜。
  18. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，該膜剝離程序，係在該曝光處理及曝光後烘烤處理後進行；在該膜剝離程序後，更包含將該基板之背面加以清洗的背面清洗程序。
  19. 如申請專利範圍第11、12、15、16、18項中任一項之基板處理方法，其中，更包含：前處理程序，於該膜形成程序之前，將紫外線照射在該基板的背面。
  20. 一種可讀取之電腦記錄媒體，儲存有一程式，該程式係在用來控制一基板處理裝置之控制部的電腦上動作，俾藉由該基板處理裝置執行如申請專利範圍第11~19項中任一項之基板處理方法。
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CN (1) CN110021546B (zh)
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7407001B2 (ja) 2020-01-24 2023-12-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN116941015A (zh) * 2021-03-15 2023-10-24 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
TW202343164A (zh) 2021-12-20 2023-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09186224A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Applied Materials Inc ウエハ支持部材
CN102064105A (zh) * 2006-03-22 2011-05-18 东京毅力科创株式会社 基板处理方法及存储介质
JP2013191601A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板保持装置及び基板保持方法
JP2017069271A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0673760U (ja) * 1993-03-30 1994-10-18 ホーヤ株式会社 フォトマスク基板保持用プレートチャック
JP3584933B2 (ja) * 2002-10-08 2004-11-04 セイコーエプソン株式会社 微細構造物の製造方法、光学素子、集積回路および電子機器
JP3935426B2 (ja) * 2002-12-20 2007-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP2005116691A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc Ｃｖｄ装置および有機絶縁膜の成膜方法
JP4404666B2 (ja) * 2004-03-26 2010-01-27 株式会社日立国際電気 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4414909B2 (ja) * 2005-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
KR100777467B1 (ko) * 2006-09-16 2007-11-21 주식회사 뉴파워 프라즈마 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한 플라즈마식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치
JP4932602B2 (ja) * 2006-11-14 2012-05-16 三菱電機株式会社 多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法
JP4937772B2 (ja) * 2007-01-22 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
JP2009016672A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置及び記憶媒体。
US20090277871A1 (en) * 2008-03-05 2009-11-12 Axcelis Technologies, Inc. Plasma mediated ashing processes that include formation of a protective layer before and/or during the plasma mediated ashing process
KR101524104B1 (ko) * 2008-05-13 2015-05-29 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클의 박리 방법 및 이 방법에 사용하는 박리 장치
JP2010024494A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Canon Inc 真空処理装置
JP2010141162A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
KR101534357B1 (ko) * 2009-03-31 2015-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법
JP5565792B2 (ja) * 2009-11-02 2014-08-06 ボンドテック株式会社 アライメント装置
EP2392970A3 (en) * 2010-02-19 2017-08-23 ASML Netherlands BV Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus
JP2012038874A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Hitachi High-Technologies Corp 液晶露光装置
GB2494168B (en) * 2011-09-01 2014-04-09 Memsstar Ltd Improved deposition technique for micro electro-mechanical structures (MEMS)
JP2013252627A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Sony Corp 印刷方法および印刷装置
CN103715117B (zh) * 2012-09-28 2016-11-16 株式会社东芝 半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法
TW201503283A (zh) * 2013-05-20 2015-01-16 Success Yk 半導體晶圓保持用治具、半導體晶圓硏磨裝置、及工件保持用治具
US9865494B2 (en) * 2013-05-23 2018-01-09 Nikon Corporation Substrate holding method, substrate holding apparatus, exposure apparatus and exposure method
US9281251B2 (en) * 2013-08-09 2016-03-08 Tokyo Electron Limited Substrate backside texturing
KR102563669B1 (ko) * 2015-08-22 2023-08-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배면 텍스처링
US10784100B2 (en) * 2016-07-21 2020-09-22 Tokyo Electron Limited Back-side friction reduction of a substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09186224A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Applied Materials Inc ウエハ支持部材
CN102064105A (zh) * 2006-03-22 2011-05-18 东京毅力科创株式会社 基板处理方法及存储介质
JP2013191601A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd 基板保持装置及び基板保持方法
JP2017069271A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

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