JP2013140833A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジストパターンが形成されたウエハWを処理容器11内へ導入し、溶剤雰囲気内でウエハWを加熱プレート21上で加熱した後、昇降ピン24によりウエハWを加熱プレート21から上昇させて冷却しレジストパターン表面91を溶剤で膨潤させる。昇降ピン24によりウエハWを加熱プレート21上に降下して加熱し、溶剤を揮発させて、レジストパターン表面91を乾燥させる。これらの冷却と加熱を、処理容器11の排気を行わず溶剤雰囲気を形成したまま、複数回繰り返す。
【選択図】図1
Description
レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、
処理容器内に基板を搬入する工程と、
前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を前記溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返す工程と、
その後、前記基板を処理容器の外へ搬出する工程と、を含むことを特徴とする。
レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、
前記溶剤の蒸気雰囲気を形成するための処理容器と、
この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置部と、
この載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記溶剤の蒸気を含むガスを、前記処理容器内に供給する溶剤供給部と、
前記処理容器内の溶剤蒸気を排気するための排気部と、
前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返すように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする。
続いて、第2の実施形態に係る装置について図11〜図14を用いて説明する。なお、図11〜図14中、第1の実施形態に相当する部位には同じ符号を付し、説明を省略する。また、図12〜図14では、昇降ピンの昇降機構23、ウエハ搬送アーム31、シャッタ61、溶剤供給源71、排気機構73、制御部100などについては記載を省略している。
続いて、第3の実施形態に係る装置について図15を用いて説明する。図15中、第1、第2の実施形態の構成と同じ構成の部位には同様の符号を付し、説明を省略する。また、溶剤供給源71、N2ガス供給源72、制御部100などについては記載を省略している。
11 処理室
12 処理室
13 プロセスガス供給口
21 加熱プレート
22 ヒータ
24 昇降ピン
31 ウエハ搬入プレート
41 冷却室
51 冷却アーム
71 溶剤供給源
72 N2ガス供給源
73 排気機構
81 LEDモジュール
91 レジストパターン表面
100 制御部
Claims (10)
- レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、
(a)処理容器内に基板を搬入する工程と、
(b)前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を前記溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返す工程と、
(c)その後、前記基板を処理容器の外へ搬出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記(a)の工程と(b)の工程との間に、前記レジストパターンの表面に溶剤が膨潤しない温度まで前記基板が加熱されている状態が存在することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記レジストパターンの表面を膨潤させるステップは、レジストパターンの表面に前記溶剤が膨潤しない温度まで加熱された基板を、溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態を維持しながら、前記第1の温度まで前記基板を冷却するステップであることを特徴とする請求項2記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱するステップは、溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態を維持しながら、前記第2の温度まで基板を加熱するステップであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 処理容器内には加熱プレートと加熱プレートに対して相対的に昇降する昇降部材が設けられており、
基板の加熱は、加熱プレートの上に基板を載置することにより行われ、基板の冷却は前記昇降部材により加熱プレートの上方位置に保持することにより行われることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 移動自在な冷却用の保持部材が設けられた冷却室を、前記処理容器に仕切り部材を介して接続し、
前記処理容器にてレジストパターンの表面を溶剤により膨潤させる一連の工程を終了した後、前記冷却用の保持部材を前記処理容器内に搬入させて前記基板を当該保持部材に移載し、その後当該保持部材を冷却室に移動させて基板を冷却することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - レジストパターンが形成された基板に対して、溶剤を用いて前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、
前記溶剤の蒸気雰囲気を形成するための処理容器と、
この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置部と、
この載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記溶剤の蒸気を含むガスを、前記処理容器内に供給する溶剤供給部と、
前記処理容器内の溶剤蒸気を排気するための排気部と、
前記処理容器内に前記溶剤の蒸気雰囲気が形成されている状態で、前記基板を第1の温度の状態としてレジストパターンの表面を溶剤により膨潤させるステップと、次に前記基板を、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで加熱するステップと、を繰り返すように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理容器内に、加熱部に対して相対的に昇降する昇降部を更に備えたことを特徴とする、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記処理容器に雰囲気の仕切り部材を介して接続されると共に移動自在な冷却用の保持素材が設けられた冷却室を更に備えたことを特徴とする、請求項7または8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- レジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンの表面の荒れを改善するために処理を行う基板処理に用いられるコンピュータプログラムが記録された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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