JP7365387B2 - 加熱処理装置及び加熱処理方法 - Google Patents
加熱処理装置及び加熱処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7365387B2 JP7365387B2 JP2021195297A JP2021195297A JP7365387B2 JP 7365387 B2 JP7365387 B2 JP 7365387B2 JP 2021195297 A JP2021195297 A JP 2021195297A JP 2021195297 A JP2021195297 A JP 2021195297A JP 7365387 B2 JP7365387 B2 JP 7365387B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- substrate
- treatment space
- wafer
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
Description
本願は、2018年3月23日に日本国に出願された特願2018-56754号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
(1)かかる加熱処理装置において、前記加熱処理空間を形成する蓋体は、前記リング体と蓋体との当接または近接部分の外側に外周排気部を有するように構成してもよい。
(2)上記(1)の場合、前記外周排気部は、前記蓋体の下面側に全周に亘って開口した環状の形状を有する。
(3)上記(1)の場合、前記外周排気部は、前記第2の加熱処理工程において作動するようにしてもよい。
(4)上記(3)の場合、前記リング体は上下動自在であって、前記外周排気部が作動するときには、前記リング体が下降して、前記リング体と前記蓋体の下面と前記リング体の上面との間に前記近接時の隙間よりも広い隙間が形成されるように構成してもよい。
(5)既述した本発明の一態様の、基板に形成された塗布膜を加熱処理する加熱処理装置においては、前記リング体の外周外側に設けられ、前記加熱処理空間の外に漏洩した雰囲気を排気するための外側排気部を有するように構成してもよい。
(6)上記(5)の場合、前記外側排気部は、前記載置部に載置された基板の温度に関わらず、少なくとも前記基板を加熱している間は作動しているように構成してもよい。
なおここで近接とは、例えば隙間の大きさが、0mmを超えて1mm以下までの大きさの隙間が蓋体とリング体との間に存在している状態をいう。
前記隙間は、前記外周排気部によって前記加熱処理空間に対し実質的に排気が行われない大きさである。
かかる場合、前記第2の加熱処理工程において、前記加熱処理空間内の周縁部からも前記加熱処理空間内を排気して排気量を増加させるようにしてもよい。
まず、本実施の形態にかかる加熱処理装置を備えた基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。図2及び図3は、各々基板処理システム1の内部構成を模式的に示す正面図と背面図である。基板処理システム1では、被処理基板としてのウェハWに所定の処理を行う。
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
次に、本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置40の構成について図4を参照して説明する。
実施の形態にかかる加熱処理装置40は以上の構成を有しており、次に加熱処理装置40を用いた加熱処理方法について説明する。図7、図8は一連の加熱処理工程による加熱処理装置40の動作を模式的に表した説明図、図9は加熱処理装置40による加熱処理中における基板温度の経時変化と、各種排気、リング体210の動作のタイミングチャートを示している。なお、図9においては、後述の第1の加熱処理工程を開始した時点を横軸の0としている。
なお前記した例では、蓋体220の外周に外側延出部225を形成して、蓋体220との間に外周排気部230を形成したが、これに代えて蓋体220の該左側に別途他の蓋体を設け、一体的に上下動する双方の蓋体の間に外周排気部230を形成するようにしてもよい。
40 加熱処理装置
100 制御部
200 載置部
201 熱板
202 熱板支持部
210 リング体
211 リング体昇降機構
220 蓋体
220a 天板
220b 垂下部
220c 下面
221 中央排気部
230 外周排気部
240 外側排気部
222、241 排気装置
W ウェハ
Claims (6)
- 基板に形成された塗布膜を加熱処理する加熱処理装置であって、
基板を載置する載置部と、
前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記載置部の外周を囲うように設けられたリング体と、
前記載置部を覆い、かつその下面が前記リング体と近接することで加熱処理空間を形成する蓋体と、
前記蓋体の中央部に配置され、前記加熱処理空間内を排気する中央排気部と、
前記載置部に載置された基板の加熱処理の制御を行う制御部と、を有し、
前記蓋体は、前記リング体と蓋体との近接部分の外側に設けられ、前記蓋体の外方の雰囲気を取り込み可能な外周排気部を有し、
前記制御部は、
前記加熱処理空間が形成されてかつ前記加熱処理空間内に前記基板が在り、かつ前記近接部分における前記リング体と前記蓋体との間に隙間を形成した状態で前記外周排気部にて排気を行いながら前記基板の加熱を行なう第1の加熱処理工程と、前記中央排気部を作動させて前記加熱処理空間内を排気しつつ前記基板の加熱を行なう第2の加熱処理工程を行なうように制御し、
前記第1の加熱処理工程は、前記中央排気部による排気を行わないことを含み、
前記隙間は、前記外周排気部によって前記加熱処理空間に対し実質的に排気が行われない大きさである。 - 前記リング体は上下動自在であって、前記外周排気部が作動するときには、前記リング体が下降して、前記加熱処理空間を形成する際に生じた、前記リング体と前記蓋体の下面と前記リング体の上面との間に前記近接時の0mmを超えて1mm以下までの大きさの隙間よりも広い隙間が形成される、請求項1に記載の加熱処理装置。
- 前記リング体の外周外側に設けられ、前記加熱処理空間の外に漏洩した雰囲気を排気するための外側排気部を有する、請求項1または2のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
- 前記第2の加熱処理工程は、前記基板の温度が前記塗布膜の架橋温度に到達したあとに行われる、請求項1~3のいずれか一項に記載の加熱処理装置。
- 基板に形成された塗布膜を加熱処理する加熱処理方法であって、
加熱機能を有する載置部に基板を載置した状態で、当該載置部及び基板を収容する加熱処理空間を形成し、
前記加熱処理空間が形成されてかつ前記加熱処理空間内に前記基板が在り、かつ前記加熱処理空間から当該加熱処理空間の外部に通ずる隙間が形成された状態で、前記外部に設けられた外周排気部で排気を行いながら前記基板の加熱を行なう第1の加熱処理工程と、
少なくとも前記加熱処理空間の中央部の上方から、前記加熱処理空間内を排気しつつ前記基板の加熱を行なう第2の加熱処理工程と、
を有し、
前記第1の加熱処理工程は、前記加熱処理空間の中央部の上方から、前記加熱処理空間内を排気しないことを含み、
前記隙間は、前記外周排気部によって前記加熱処理空間に対し実質的に排気が行われない大きさである。 - 前記第2の加熱処理工程は、前記基板の温度が前記塗布膜の架橋温度に到達したあとに行われる、請求項5に記載の加熱処理方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018056754 | 2018-03-23 | ||
JP2018056754 | 2018-03-23 | ||
PCT/JP2019/009664 WO2019181605A1 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-11 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
JP2020508224A JP6987968B2 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-11 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020508224A Division JP6987968B2 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-11 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022019880A JP2022019880A (ja) | 2022-01-27 |
JP7365387B2 true JP7365387B2 (ja) | 2023-10-19 |
Family
ID=67987815
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020508224A Active JP6987968B2 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-11 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
JP2021195297A Active JP7365387B2 (ja) | 2018-03-23 | 2021-12-01 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020508224A Active JP6987968B2 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-11 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6987968B2 (ja) |
KR (1) | KR20200133763A (ja) |
CN (1) | CN111954923A (ja) |
TW (1) | TWI784143B (ja) |
WO (1) | WO2019181605A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201037A (ja) | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP2013004804A (ja) | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記録媒体。 |
JP2016035956A (ja) | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP2016115919A (ja) | 2014-12-10 | 2016-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体 |
JP2016127063A (ja) | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体及び加熱装置 |
JP2016161928A (ja) | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP2017034230A (ja) | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3484035B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2004-01-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の熱処理方法および装置 |
JP3670837B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2005-07-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4180304B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2008-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP2005353978A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | シリル化処理装置およびシリル化処理方法 |
JP5109376B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
JP4985183B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体 |
JP5347294B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP4952610B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法並びに記憶媒体 |
WO2012063901A1 (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
-
2019
- 2019-03-11 WO PCT/JP2019/009664 patent/WO2019181605A1/ja active Application Filing
- 2019-03-11 CN CN201980019855.XA patent/CN111954923A/zh active Pending
- 2019-03-11 JP JP2020508224A patent/JP6987968B2/ja active Active
- 2019-03-11 KR KR1020207029618A patent/KR20200133763A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-03-19 TW TW108109206A patent/TWI784143B/zh active
-
2021
- 2021-12-01 JP JP2021195297A patent/JP7365387B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201037A (ja) | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP2013004804A (ja) | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記録媒体。 |
JP2016035956A (ja) | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP2016115919A (ja) | 2014-12-10 | 2016-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体 |
JP2016127063A (ja) | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体及び加熱装置 |
JP2016161928A (ja) | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP2017034230A (ja) | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022019880A (ja) | 2022-01-27 |
TWI784143B (zh) | 2022-11-21 |
JPWO2019181605A1 (ja) | 2021-03-11 |
KR20200133763A (ko) | 2020-11-30 |
JP6987968B2 (ja) | 2022-01-05 |
TW202307988A (zh) | 2023-02-16 |
CN111954923A (zh) | 2020-11-17 |
WO2019181605A1 (ja) | 2019-09-26 |
TW201941324A (zh) | 2019-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102640367B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 열처리 장치 | |
JP7129527B2 (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
KR101176238B1 (ko) | 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 | |
JP5575706B2 (ja) | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記録媒体。 | |
KR20010051729A (ko) | 실리레이션처리장치 및 방법 | |
JP2004336076A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP7365387B2 (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
JP4618912B2 (ja) | 被処理体の加熱処理装置及びその排気方法 | |
JP7275087B2 (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
TWI835357B (zh) | 加熱處理裝置及加熱處理方法 | |
JP7158549B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP7308671B2 (ja) | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び記憶媒体 | |
KR102387934B1 (ko) | 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법 | |
WO2023276723A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP7025964B2 (ja) | 熱処理装置 | |
KR102386210B1 (ko) | 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법 | |
US20220359243A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium | |
JP2024055150A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2001210584A (ja) | シリル化処理装置及びシリル化処理方法 | |
JP2014033042A (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2010034574A (ja) | 被処理体の加熱処理装置及びその排気方法 | |
JP2010028133A (ja) | 被処理体の加熱処理装置及びその排気方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220920 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7365387 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |