TWI835357B - 加熱處理裝置及加熱處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題係藉在基板之加熱處理中，於基板溫度達到交聯溫度前，不進行處理空間內之排氣，而抑制加熱處理空間之氣流的產生，而使膜厚之面內均一性更提高。 加熱處理裝置40包含載置晶圓W之載置部200、設成包圍載置部200之外周且上下移動自如之環狀體210、藉覆蓋載置部200且其底面與環狀體210抵接而形成加熱處理空間S的蓋體220、配置於蓋體220之中央部而將加熱處理空間S內排氣之中央排氣部221、進行晶圓W之加熱處理的控制之控制部100。藉由控制部100，於形成加熱處理空間S後，在載置於載置部200之晶圓W的溫度達到塗佈膜之交聯溫度前，不將加熱處理空間S內排氣，於達到交聯溫度後，進行中央排氣部221之排氣。

Description

加熱處理裝置及加熱處理方法

本發明係有關於加熱處理裝置及加熱處理方法。

在半導體元件之製造製程中，為對形成有例如抗蝕膜等塗佈膜之基板、例如半導體晶圓(在以下之說明中，有僅稱為晶圓之情形)，使該塗佈膜乾燥，而對該半導體晶圓進行加熱處理。

此種加熱處理以往使用加熱處理裝置來進行，在加熱時，由於影響膜厚之均一性，故需留意加熱處理容器內之氣流控制、排氣控制。例如僅從設於晶圓之中央部上方的排氣口進行加熱處理容器內之排氣處理時，因形成於處理容器內之排氣流的影響，塗佈於晶圓上之塗佈膜的膜厚係中心部比外周部厚。

是故，在記載於專利文獻1之加熱處理裝置中，除了設於與載置在載置部之晶圓的中心一致之上方位置的中央排氣口外，還具有在比晶圓之外緣外側的上方位置於圓周方向等間隔形成之外周排氣口。

在專利文獻1中，藉由將晶圓加熱使其進行交聯反應時，從中央排氣口以少量之排氣流量排氣，從外周排氣口以大流量進行排氣。藉此，可控制加熱處理容器內、特別是晶圓之中心部的排氣流，而抑制晶圓之中心的膜之隆起，形成於晶圓上之塗佈膜的膜厚可確保良好之面內均一性。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本專利公開公報2016-115919號

［發明欲解決之問題］

然而，在記載於上述專利文獻1之加熱處理裝置中，雖可使全體膜厚之面內均一性提高，但因在加熱處理當中從中心排氣口及外周排氣口兩者皆排放處理容器氣體，而於處理容器內產生往兩排氣口之排氣流，結果，有塗佈膜之中心部及周緣部的膜厚比其他部分之膜厚厚的情形。即，晶圓上之膜厚的面內均一性有進一步改善之餘地。

本發明鑑於此點而作成，其目的在於將基板進行加熱處理之際使基板上之塗佈膜的膜厚之面內均一性更提高。 ［解決問題之手段］

為達成上述目的，本發明係將形成於基板之塗佈膜進行加熱處理的加熱處理裝置，其包含載置部、加熱部、環狀體、蓋體、中央排氣部、及控制部：該載置部載置基板；該加熱部用以將載置於該載置部之基板加熱；該環狀體設成包圍該載置部之外周；該蓋體藉覆蓋該載置部，且其底面與該環狀體抵接或靠近而形成加熱處理空間；該中央排氣部配置於該蓋體之中央部，可將該加熱處理空間內排氣；該控制部進行載置於該載置部之基板的加熱處理之控制；該控制部控制成進行第1加熱處理製程及第2加熱處理製程，該第1加熱處理製程係在形成該加熱處理空間且該加熱處理空間內置入有該基板之狀態下，於不將該加熱處理空間內排氣之情況下進行該基板之加熱，該第2加熱處理製程係一面使該中央排氣部作動而將該加熱處理空間內排氣一面進行該基板之加熱。

根據本發明，藉蓋體與環狀體抵接或靠近而形成之加熱處理空間內的排氣在第1加熱處理製程不進行。接著在之後的第2加熱處理製程，進行一面使該中央排氣部作動而將該加熱處理空間內排氣一面進行該基板之加熱的第2加熱處理製程。因而，可減輕排氣流對膜厚之影響，而使塗佈膜之面內均一性提高。 此外，在此靠近係指例如間隙之尺寸為超過0mm至1mm以下之尺寸的間隙存在於蓋體與環狀體之間的狀態。

形成該加熱處理空間之蓋體亦可於該環狀體與蓋體之抵接或靠近部分的外側具有外周排氣部。

該外周排氣部亦可於該蓋體之底面側具有環繞全周開口之環狀形狀。

該外周排氣部亦可在該第2加熱處理製程作動。

該環狀體亦可上下移動自如，於該外周排氣部作動時，該環狀體下降，而於該環狀體、該蓋體之底面與該環狀體的頂面之間形成大於該靠近時之間隙的間隙。

亦可更包含設於該環狀體之外周外側而用以排放漏洩至該加熱處理空間外的氣體之外側排氣部。

該外側排氣部亦可不論載置於該載置部之基板的溫度為何，至少在加熱該基板之期間作動。

另一觀點之本發明係將形成於基板之塗佈膜進行加熱處理之加熱處理方法，其在基板載置於具有加熱功能之載置部的狀態下，形成收容該載置部及基板之加熱處理空間，並包含第1加熱處理製程及第2加熱處理製程，該第1加熱處理製程在形成該加熱處理空間且該加熱處理空間內置入有該基板之狀態下，於不將該加熱處理空間內排氣之情況下進行該基板之加熱；該第2加熱處理製程至少從該加熱處理空間之中央部的上方將該加熱處理空間內排氣，並且進行該基板之加熱。

亦可在該第2加熱處理製程中，也從該加熱處理空間內之周緣部將該加熱處理空間內排氣而使排氣量增加。 ［發明之效果］

根據本發明，加熱基板之際，可使基板上之塗佈膜的膜厚之面內均一性較以往提高。

［用以實施發明之形態］

以下，就本發明之實施形態，一面參照圖式，一面說明。此外，在本說明書及圖式中，藉在實質上具有同一功能結構之要件附上同一符號而省略重複說明。

＜基板處理系統＞ 首先，就包含本實施形態之加熱處理裝置的基板處理系統之結構作說明。圖1係示意顯示基板處理系統1之結構的概略之平面圖。圖2及圖3分別係示意顯示基板處理系統1之內部結構的正面圖及背面圖。在基板處理系統1，對作為被處理基板之晶圓W進行預定處理。

如圖1所示，基板處理系統1具有下述結構，前述結構係搬入搬出收容有複數片晶圓W之晶匣C的晶匣站10、具有對晶圓W施行預定處理之複數的各處理裝置之處理站11、對處理站11在與相鄰的曝光裝置12之間進行晶圓W的交接之介面站13連接成一體。

於晶匣站10設有晶匣載置台20。於晶匣載置台20設有複數個對基板處理系統之外部搬入搬出晶匣C之際載置晶匣C的晶匣載置板21。

如圖1所示，於晶匣站10設有在於X方向延伸之搬送路徑22上移動自如的晶圓搬送裝置23。晶圓搬送裝置23亦於上下方向及繞鉛直軸(θ方向)移動自如，而可在各晶匣載置板21上之晶匣C與後述處理站11之第3區塊G3的交接裝置之間搬送晶圓W。

於處理站11設有具有各種裝置之複數個、例如四個區塊、即第1區塊G1~第4區塊G4。於例如處理站11之背面側(圖1之X方向正方向側、圖式之上側)設有第2區塊G2。又，於處理站11之晶匣站10側(圖1之Y方向負方向側)設有前述第3區塊G3，於處理站11之介面站13側(圖1之Y方向正方向側)設有第4區塊G4。

如圖2所示，在例如第1區塊G1，複數之液處理裝置、例如將晶圓W進行顯像處理之顯像處理裝置30、於晶圓W之處理膜的下層形成反射防止膜(以下稱為「下部反射防止膜」)之下部反射防止膜形成裝置31、作為將抗蝕液塗佈至晶圓W而形成處理膜之處理液塗佈裝置的抗蝕液塗佈裝置32、於晶圓W之處理膜的上層形成反射防止膜(以下稱為「上部反射防止膜」)之上部反射防止膜形成裝置33從下方依序配置。

例如顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、抗蝕液塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33分別於水平方向排列配置各3個。此外，該等顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、抗蝕液塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33之數量及配置可任意選擇。

在該等顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、抗蝕液塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33，進行例如將預定處理液塗佈至晶圓W上之旋轉塗佈。在旋轉塗佈，從例如塗佈噴嘴將處理液噴吐至晶圓W上，並且使晶圓W旋轉，而使處理液擴散至晶圓W之表面。

如圖3所示，在例如第2區塊G2，進行晶圓W之加熱處理的實施形態之加熱處理裝置40、進行疏水化處理以提高抗蝕液與晶圓W之定著性的疏水化處理裝置41、使晶圓W之外周部曝光的周邊曝光裝置42於上下方向與水平方向排列設置。該等加熱處理裝置40、疏水化處理裝置41、周邊曝光裝置42之數量及配置亦可任意選擇。

於例如第3區塊G3從下方依序設有複數之交接裝置50、51、52、53、54、55、56。又，於第4區塊G4從下方依序設有複數之交接裝置60、61、62。

如圖1所示，於被第1區塊G1~第4區塊G4包圍之區域形成有晶圓搬送區域E。於晶圓搬送區域E配置有複數個具有於例如Y方向、X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬送臂70a的晶圓搬送裝置70。晶圓搬送裝置70可在晶圓搬送區域E內移動，而將晶圓W搬送至周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之預定裝置。

又，如圖3所示，於晶圓搬送區域E設有在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線搬送晶圓W之梭動搬送裝置80。

梭動搬送裝置80於例如圖3之Y方向直線移動自如。梭動搬送裝置80在支撐晶圓W之狀態下於Y方向移動，而可在第3區塊G3之交接裝置52與第4區塊G4的交接裝置62之間搬送晶圓W。

如圖1所示，於第3區塊G3之X方向正方向側的旁邊設有晶圓搬送裝置81。晶圓搬送裝置81具有於例如X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬送臂81a。晶圓搬送裝置81在以搬送臂81a支撐晶圓W之狀態下上下移動，而可將晶圓W搬送至第3區塊G3內之各交接裝置。

於介面站13設有晶圓搬送裝置90、交接裝置91、92。晶圓搬送裝置90具有於例如Y方向、θ方向及上下方向移動自如之搬送臂90a。晶圓搬送裝置90將晶圓W支撐於例如搬送臂90a，而可在與第4區塊G4內之各交接裝置、交接裝置91、92及曝光裝置12之間搬送晶圓W。

如圖1所示，於以上之基板處理系統1設有控制部100。控制部100係例如電腦，具有程式儲存部(圖中未示)。於程式儲存部儲存有控制基板處理系統1之晶圓W的處理之程式。此外，該程式可記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取之記錄媒體，亦可從該記錄媒體安裝於控制部100。

＜基板處理系統之動作＞ 接著，就使用如以上構成之基板處理系統1來進行之晶圓處理作說明。

首先，將收納有複數之晶圓W的晶匣C搬入至基板處理系統1之晶匣站10，將之載置於晶匣載置板21。其次，以晶圓搬送裝置23依序取出晶匣C內之各晶圓W，將之搬送至處理站11之第3區塊G3的交接裝置53。

將搬送至交接裝置53之晶圓W以晶圓搬送裝置70搬送至第2區塊G2之加熱處理裝置40，進行溫度調節處理。接著，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至例如第1區塊G1之下部反射防止膜形成裝置31，於晶圓W上形成下部反射防止膜。之後，將晶圓W搬送至第2區塊G2之加熱處理裝置40，進行加熱處理後，送回至第3區塊G3之交接裝置53。

將送回至交接裝置53之晶圓W以晶圓搬送裝置81搬送至相同之第3區塊G3的交接裝置54。接著，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至第2區塊G2之疎水化處理裝置41，進行疏水化處理。

以晶圓搬送裝置70將進行了疏水化處理之晶圓W搬送至抗蝕液塗佈裝置32，於晶圓W上形成抗蝕膜。之後，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至加熱處理裝置40，進行預焙處理後，搬送至第3區塊G3之交接裝置55。

將搬送至第3區塊G3之交接裝置55的晶圓W以晶圓搬送裝置70搬送至上部反射防止膜形成裝置33，於晶圓W上形成上部反射防止膜。之後，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至加熱處理裝置40加熱，之後，調節溫度。調節溫度後，將晶圓W搬送至周邊曝光裝置42，進行周邊曝光處理。

接著，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至第3區塊G3之交接裝置56。

將搬送至第3區塊G3之交接裝置56的晶圓W以晶圓搬送裝置81搬送至交接裝置52，以梭動搬送裝置80搬送至第4區塊G4之交接裝置62。以介面站13之晶圓搬送裝置90將搬送至交接裝置62之晶圓W搬送至曝光裝置12，以預定圖形進行曝光處理。

以晶圓搬送裝置90將已進行曝光處理之晶圓W搬送至第4區塊G4之交接裝置60。之後，以晶圓搬送裝置70搬送至加熱處理裝置40，進行曝光後烘烤處理。

接著，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至顯像處理裝置30而顯像。顯像結束後，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至加熱處理裝置40，進行後焙處理。

之後，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至第3區塊G3之交接裝置50，以晶匣站10之晶圓搬送裝置23搬送至預定晶匣載置板21之晶匣C。如此進行，一連串之光刻製程結束。

＜加熱處理裝置之結構＞ 接著，就本發明實施形態之加熱處理裝置40的結構，參照圖4來說明。

圖4係示意顯示加熱處理裝置40之結構的概略之側面截面圖。如圖4所示，於加熱處理裝置40設有載置晶圓W之載置部200、設成包圍載置部200之外周的環狀體210、及與載置部200對向而設且藉與該環狀體210抵接並覆蓋該載置部200而形成加熱處理空間S之蓋體220。

載置部200具有直接載置晶圓W之熱板201，熱板201以熱板支撐部202支撐。熱板支撐部202藉由複數之支撐柱203支撐於構成加熱處理裝置40之底部的基台204。於熱板201之內部設有作為加熱部之加熱器205。

於基台204設支撐銷升降機構206，而可使支撐銷207上下移動。藉此，支撐銷207從熱板201往上方突出自如，而可在與前述晶圓搬送裝置70的搬送臂70a之間收送晶圓W。

該環狀體210藉環狀體升降機構211上下移動自如。而且配置成在環狀體210被舉起至最上方之狀態下，環狀體210之頂面210a與該熱板201之頂面的高度一致。

蓋體220具有與熱板201對向而形成加熱處理空間S之頂面的頂板220a、形成加熱處理空間S之側壁的垂下部220b。蓋體220構造成藉蓋體升降機構(圖中未示)升降自如，藉以該蓋體升降機構使蓋體220降下，而使垂下部220b之底面220c與該環狀體210之頂面210a抵接，藉此，形成加熱處理空間S。

又，於形成加熱處理空間S之際，藉以環狀體升降機構211使環狀體210下降，如圖6所示，可於蓋體220之垂下部220b的底面220c與環狀體210的頂面210a之間形成間隙D。

於頂板220a之中央、即載置於熱板201之晶圓W的中央部上方設有用以將加熱處理空間S內排氣之中央排氣部221。此中央排氣部221通至設於例如加熱處理裝置40外之排氣裝置222，而可排放加熱處理空間S內之氣體。

於蓋體220之外周外側設有環狀外側延伸部225。外側延伸部225以延伸部225a、垂下部225b構成，於垂下部225b與蓋體220之垂下部220b的外側之間形成有底面側開口之環狀開口部225c。此開口部225c通至排氣部(圖中未示)，而構成本發明之外周排氣部230。

外側延伸部225之垂下部225b的下端面225d之高度位置設定成高於蓋體220之垂下部220b的底面220c。因而，藉蓋體220與環狀體210抵接而形成加熱處理空間S之際，外側延伸部225之垂下部225b的下端面225d不與環狀體210之頂面210a及後述外側排氣部240之頂面抵接，而如圖5及圖6所示，形成間隙D2。

於環狀體210之外周外側設有用以排放漏洩至該加熱處理空間S之外側的氣體之外側排氣部240。外側排氣部240通至設於例如加熱處理裝置40外之排氣裝置241。

＜加熱處理裝置之動作＞ 實施形態之加熱處理裝置40具有以上之結構，接著，就使用加熱處理裝置40之加熱處理方法作說明。圖7、圖8係示意顯示一連串加熱處理製程之加熱處理裝置40的動作之說明圖，圖9顯示加熱處理裝置40之加熱處理當中的基板溫度之隨時間變化與各種排氣、環狀體210之動作的隨時間變化圖。此外，在圖9中，令開始後述第1加熱處理製程的時間點為橫軸之0。

首先，藉使排氣裝置222、排氣裝置241、外側排氣部作動，進行中央排氣部221、外周排氣部230、外側排氣部240之排氣，而使加熱處理裝置40內之氣體穩定。當如此進行而氣體穩定後，如圖7(a)所示，使蓋體220上升。在此狀態下，以基板處理系統1之晶圓搬送裝置70的搬送臂70a，將加熱對象之晶圓W搬送至載置部200之熱板201上，載置於支撐銷207上。之後，搬送臂70a退避至加熱處理裝置40外，接著支撐銷207下降，晶圓W載置於熱板201上。將晶圓W載置於熱板201上後，藉以蓋體升降機構(圖中未示)使蓋體220降下，而使環狀體210之頂面210a與蓋體220之垂下部220b的底面220c抵接，而形成加熱處理空間S(準備製程)。此時，即使未完全抵接，亦可形成不從環狀體210之頂面210a與蓋體220之垂下部220b的底面220c之間實質地進行排氣之一些間隙、例如超過0mm、1mm以下、例如0.5mm之間隙。

接著，如圖7(b)及圖9所示，停止排氣裝置222之作動，而使中央排氣部221之排氣中止，並且對載置於載置部200之熱板201的晶圓W開始加熱器205所行之第1加熱處理(第1加熱處理製程)。在第1加熱處理製程中，並未進行中央排氣部221之排氣。即，在晶圓W之溫度達到塗佈於晶圓W上之塗佈膜的交聯溫度前，不進行中央排氣部221之排氣。

接著，晶圓溫度到達交聯溫度後，即，塗佈膜之反應穩定，對塗佈膜之氣流影響減弱後，再次開始排氣裝置222之作動，實施中央排氣部221之排氣(第2加熱處理製程)。

如此，由於第1加熱處理製程、即在晶圓W之溫度達到塗佈膜之交聯溫度為止的期間不進行在加熱處理空間S內之中央排氣部221的排氣，故不致於加熱處理空間S內形成排氣流。因而，可防止因於加熱處理空間S內產生之排氣流的影響，塗佈膜之膜厚受到該影響，而面內不均一。藉此，可使晶圓W上之膜厚的面內均一性較以往提高。

此外，如圖9所示，在第1加熱處理製程，外周排氣部230、外側排氣部240之排氣當然亦可從準備製程一直持續至第2加熱處理製程。根據本實施形態，由於外周排氣部230及外側排氣部240形成於加熱處理空間S之外部，故不於該處理空間內形成氣流而不致對晶圓W上之膜厚造成影響。

接著，藉於加熱處理當中以外周排氣部230在加熱處理空間S之外側持續進行排氣，可易經由間隙D2導入蓋體220之外面的氣體，而於蓋體220之垂下部220b的外周形成作為空氣幕之排氣流。藉此，可遮斷外部對加熱處理空間S之影響、例如熱之影響，而可使加熱處理空間S內之反應穩定化，更提高塗佈膜之面內均一性。而且在實施形態中，由於外側延伸部225之垂下部225b的下端面225d之高度位置設定成高於蓋體220之垂下部220b的底面220c，故可以外周排氣部230有效地引導來自外部之空氣，藉此，可適當地形成空氣幕。 此外，在前述例中，於蓋體220之外周形成外側延伸部225，於與蓋體220之間形成外周排氣部230，取而代之地，於蓋體220之該左側另外設其他蓋體，並於一體地上下移動的兩蓋體之間形成外周排氣部230亦可。

載置於熱板201上之晶圓W的溫度到達塗佈膜之交聯溫度後，即，在第2加熱處理製程，再開始中央排氣部221之排氣。藉此，即使例如於晶圓W之加熱處理當中產生昇華物等雜質時，亦可排放此雜質。又，如前述，由於在晶圓W之溫度達到交聯溫度後開始排氣，故往中央排氣部221之排氣流不致對塗佈膜之膜厚造成影響。

又，如圖7(c)、圖9所示，亦可於開始中央排氣部221所行之加熱處理空間S的氣體排放之際，即開始第2加熱處理製程之際，以環狀體升降機構211使環狀體210降下，而於環狀體210之頂面210a與蓋體220之垂下部220b的底面220c之間形成間隙D。藉此，間隙D具有從加熱處理空間S之下方周邊排氣的流路之功能，加熱處理空間S內之排氣處理並非僅從中央排氣部221進行，亦可以外周排氣部230及外側排氣部240從加熱處理空間S的周緣部同時進行，故可提高雜質回收效率。

此外，在本實施形態中，由於除了中央排氣部221及外周排氣部230外，亦從配置於環狀體210之外周外側的外側排氣部240同時進行氣體之排放，故縱使從加熱處理空間S漏出之雜質量多而無法完全以外周排氣部230回收時，亦可適當地有助於該等雜質等之回收。

當晶圓W之加熱處理結束時，如圖8(a)所示，環狀體210上升，而繼續以蓋體升降機構舉起蓋體220，於支撐銷207使晶圓W上升後，以晶圓搬送裝置70之搬送臂70a將加熱處理結束之晶圓W搬出至加熱處理裝置40之外部。

當晶圓W之搬出完畢時，如圖8(b)所示，藉再使蓋體220降下，而使其與環狀體210抵接，在此狀態下使中央排氣部221、外周排氣部230、外側排氣部240之排氣繼續，回收加熱處理裝置40內之殘留雜質等，進行加熱處理裝置40內之穩定化以接收下個晶圓W。如此進行，一連串之加熱處理製程結束。

此外，在以上說明之例中，中央排氣部221之排氣的再開始時間點、即第2加熱處理製程開始之時間點根據晶圓溫度控制，第2加熱處理製程開始之時間點亦可不根據溫度判斷。舉例而言，亦可構造成可以照相機等監視加熱處理空間S內，根據塗佈膜之完成狀況控制，亦可使塗佈膜之材料及其他條件預先記錄於控制部100，根據設定之條件計算膜之反應速度，根據藉此計算所算出之時間控制。

又，在上述實施形態中，使環狀體210在第2加熱處理製程降下，而開始外周排氣部230及外側排氣部240所行之加熱處理空間S的氣體之排放。然而，為了在第1加熱處理製程不使加熱處理空間S內過度充滿昇華物等雜質，亦可也在第1加熱處理製程中使環狀體210降下，適宜控制成形成間隙D。惟此時，需控制成不於加熱處理空間S內產生氣流之程度的間隙D之寬度。如此，藉在第1加熱處理製程中形成間隙D，可防止加熱處理空間S內充滿過度之雜質，且可防止雜質再附著於晶圓W上。

又，在上述實施形態中，外周排氣部230及外側排氣部240之排氣在整個加熱處理當中一直作動，亦可控制成與中央排氣部221同樣地於基板溫度到達塗佈膜之交聯溫度後，即，進入第2加熱處理製程後作動。藉如此控制，在例如環狀體210之頂面210a與蓋體220之垂下部210b的底面210c之抵接部產生餘隙時，可防止加熱處理空間S內之氣體因外部之排氣而從該餘隙漏出，形成加熱處理空間S內排氣流，對塗佈膜之均一性造成影響。

以上，就本發明之實施形態作了說明，本發明不限此例。只要為該業者，在記載於申請專利範圍之技術性思想的範疇內，可想到各種變更例或修正例是顯而易見的，可了解該等當然也屬於本發明之技術性範圍。 ［產業上之可利用性］

本發明於加熱基板之際有用。

1:基板處理系統 10:晶匣站 11:處理站 12:曝光裝置 13:介面站 20:晶匣載置台 21:晶匣載置板 22:搬送路徑 23:晶圓搬送裝置 30:顯像處理裝置 31:下部反射防止膜形成裝置 32:抗蝕液塗佈裝置 33:上部反射防止膜形成裝置 40:加熱處理裝置 41:疏水化處理裝置 42:周邊曝光裝置 50:交接裝置 51:交接裝置 52:交接裝置 53:交接裝置 54:交接裝置 55:交接裝置 56:交接裝置 60:交接裝置 61:交接裝置 62:交接裝置 70:晶圓搬送裝置 70a:搬送臂 80:梭動搬送裝置 81:晶圓搬送裝置 81a:搬送臂 90:晶圓搬送裝置 90a:搬送臂 91:交接裝置 92:交接裝置 100:控制部 200:載置部 201:熱板 202:熱板支撐部 203:支撐柱 204:基台 205:加熱器 206:支撐銷升降機構 207:支撐銷 210:環狀體 210a:頂面 211:環狀體升降機構 220:蓋體 220a:頂板 220b:垂下部 220c:底面 221:中央排氣部 222:排氣裝置 225:外側延伸部 225a:延伸部 225b:垂下部 225c:開口部 225d:下端面 230:外周排氣部 240:外側排氣部 241:排氣裝置 C:晶匣 D:間隙 D2:間隙 E:晶圓搬送區域 G1:第1區塊 G2:第2區塊 G3:第3區塊 G4:第4區塊 S:加熱處理空間 W:晶圓 X:方向 Y:方向 θ:方向

［圖1］係顯示包含本實施形態之加熱處理裝置的基板處理系統之概略的平面圖。 ［圖2］係圖1之基板處理系統的正面圖。 ［圖3］係圖1之基板處理系統的背面圖。 ［圖4］係示意顯示了顯示本實施形態之加熱處理裝置的結構之概略的側面截面之說明圖。 ［圖5］係示意顯示圖4之加熱處理裝置形成加熱處理空間時之說明圖。 ［圖6］係示意顯示在圖5之加熱處理裝置中環狀體降下的狀態之說明圖。 ［圖7］(a)～(c)係顯示本實施形態之加熱處理裝置的一連串動作之流程的說明圖。 ［圖8］(a)、(b)係顯示本實施形態之加熱處理裝置的一連串動作之流程的說明圖。 ［圖9］係顯示在本實施形態之加熱處理裝置中將在晶圓加熱當中之一連串動作的流程、及基板溫度分別以隨時間變化方式顯示之曲線圖。

40:加熱處理裝置

200:載置部

201:熱板

202:熱板支撐部

203:支撐柱

204:基台

205:加熱器

206:支撐銷升降機構

207:支撐銷

210:環狀體

210a:頂面

211:環狀體升降機構

220:蓋體

220a:頂板

220b:垂下部

220c:底面

221:中央排氣部

222:排氣裝置

225:外側延伸部

225a:延伸部

225b:垂下部

225c:開口部

230:外周排氣部

240:外側排氣部

241:排氣裝置

W:晶圓

Claims (4)

1. 一種加熱處理裝置，用以對形成於基板之塗佈膜進行加熱處理，包含：載置部，載置基板；加熱部，用以將載置於該載置部之基板加熱；環狀體，包圍於該載置部之外周而設置；蓋體，覆蓋著該載置部，且其底面與該環狀體靠近而形成加熱處理空間；中央排氣部，配置於該蓋體之中央部，可將該加熱處理空間內排氣；及控制部，進行對載置於該載置部之基板的加熱處理之控制；該蓋體具有外周排氣部，其設於該環狀體與該蓋體之靠近部分的外側，並可導入該蓋體之外部的氣體；該控制部進行控制以施行第1加熱處理製程及第2加熱處理製程，該第1加熱處理製程，係在形成該加熱處理空間且該加熱處理空間內置入有該基板，並且該靠近部分中該環狀體與該蓋體之間設有間隙之狀態下，一面以該外周排氣部進行排氣，一面進行該基板之加熱；該第2加熱處理製程，係一面使該中央排氣部作動而將該加熱處理空間內排氣，一面進行該基板之加熱。
2. 如請求項1所述之加熱處理裝置，其中，該環狀體係上下移動自如，於該外周排氣部作動時，該環狀體下降，在該環狀體、該蓋體之底面與該環狀體的頂面之間形成大於該靠近時之間隙的間隙。
3. 如請求項1或2所述之加熱處理裝置，更包含： 外側排氣部，設於該環狀體之外周外側，用以將漏洩至該加熱處理空間外的氣體予以排放。
4. 一種加熱處理方法，用以對形成於基板之塗佈膜進行加熱處理，其在基板載置於具有加熱功能之載置部的狀態下，藉由使覆蓋著該載置部之蓋體之底面與包圍於該載置部之外周而設置之環狀體靠近，而形成收容該載置部及基板之加熱處理空間，並包含下列製程：第1加熱處理製程，在形成該加熱處理空間且該加熱處理空間內置入有該基板，並且設有從該加熱處理空間連結至其外部的間隙之狀態下，一面以設於該外部之外周排氣部進行排氣，一面進行該基板之加熱；及第2加熱處理製程，一面至少從該加熱處理空間之中央部的上方將該加熱處理空間內排氣，一面進行該基板之加熱。

Images