JP2003190894A - パーティクル汚染防止方法及びパーティクル汚染防止構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ等の基板の保管時や搬送時等に
おけるパーティクル汚染を防止するための方法及び構造
を提供すること。 【解決手段】 本発明は、所定の清浄度の環境３８に水
平に配置された半導体ウェハＷの表面に沿って清浄空気
を、当該半導体ウェハの表面に対して所定の相対速度に
て流すことにより、当該半導体ウェハの表面上の全域に
わたり層流境界層ないしは乱流境界層を形成することと
したを特徴としている。半導体ウェハの表面に形成され
た層流境界層ないしは乱流境界層における流体は微細な
パーティクルに対して粘性流体とみなせる。従って、半
導体ウェハが配置されている環境にパーティクルが浮遊
しており、ウェハに向かって降下したとしても、粘性流
体の層によってその粒子の降下は阻止され、パーティク
ル汚染は防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハやガ
ラス基板等の基板に対するパーティクル（微細粒子）に
よる汚染を防止する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の半導体デバイスや液晶パネル等の
マイクロデバイスの微細化、高集積化に伴い、基板表面
のパーティクル汚染が重大な問題となっている。かかる
問題に対しては、従来においては、極めて清浄な空間を
作り、その空間内にて基板を搬送や保管等を行うことと
している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現状で
は、空間の清浄度を上げるには限界があり、完全にパー
ティクルが除去された空間を形成することは実質的に不
可能である。

【０００４】このため、例えば清浄な基板保管空間内で
基板を水平に支持し保管していると、その空間内に浮遊
しているパーティクルは、極めて微量であっても、やが
て基板の表面に沈着してしまうことがある。

【０００５】また、基板の枚葉式搬送はクリーントンネ
ルを通して行うことが従来から提案されているが、搬送
装置の機械的部分の摩擦により発生するパーティクルが
クリーントンネル内に侵入することもあり、基板のパー
ティクル汚染の可能性が高くなっている。

【０００６】そこで、本発明の目的は、基板の保管時や
搬送時等におけるパーティクル汚染を防止するための方
法及び構造を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、所定の清浄度の環境に水平に配置された
基板の表面に沿って清浄ガスを、当該基板の表面に対し
て所定の相対速度にて流すことにより、当該基板の表面
上の全域にわたり層流境界層ないしは乱流境界層を形成
することとしたパーティクル汚染防止方法を特徴として
いる。

【０００８】この方法によれば、基板の表面に形成され
た層流境界層ないしは乱流境界層における流体は、微細
なパーティクルに対して粘性流体とみなせる。従って、
基板が配置されている環境にパーティクルが浮遊してお
り、基板に向かって降下したとしても、粘性流体の層に
よってその粒子の降下は阻止され、当該層が保護膜とな
って基板のパーティクル汚染は防止される。なお、清浄
ガスは、典型的には、所定の清浄度に調整された空気が
用いられることとなろう。

【０００９】また、本発明は、前記方法を実施するため
のパーティクル汚染防止構造にも係るものである。本発
明によるパーティクル汚染防止構造は、内部が所定の清
浄度に保たれるハウジングと、このハウジング内にて基
板を水平に支持するための支持手段と、支持手段により
支持された基板の表面に沿って清浄ガスを、当該基板の
表面に対して所定の相対速度にて流すための送風手段と
を備え、当該基板の表面上の全域にわたり層流境界層な
いしは乱流境界層を形成することを特徴としている。

【００１０】この構成は基板搬送設備に適用することが
できる。すなわち、ハウジング内を基板搬送経路とし、
そこに支持手段が移動可能に配設されることで、支持手
段により支持された基板を搬送することが可能となる。
この際、支持手段が移動するが、清浄ガスの流速は、支
持手段と共に移動する基板に対する相対速度が層流境界
層ないしは乱流境界層を形成する値となるよう、調整さ
れる。

【００１１】勿論、支持手段がハウジング内で移動不可
能とされている場合は、当該構造は基板保管用とされる
ことになる。

【００１２】また、送風手段としては、空気をハウジン
グ内で循環させるファンと、このファンによる空気の循
環経路中に配置されたフィルタとを備えたものが考えら
れる。空気を循環させることで清浄な環境を作ること
が、効率的にも、コスト的にも有効である。

【００１３】なお、清浄ガスとしての空気は乾燥状態で
使用されるため、空気流の摩擦によりパーティクルや基
板が静電気を帯びる可能性がある。そこで、このような
静電気を中和するためのイオンをハウジング内に供給す
るイオン供給手段を設けることが好ましい。これによ
り、静電力によるパーティクルの基板への吸着が防止さ
れる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。

【００１５】図１及び図２は本発明によるパーティクル
汚染防止構造を基板搬送設備に適用した実施形態を示す
ものである。図示の基板搬送設備１０は、基板である半
導体ウェハＷを一方向（図１及び図２の左側から右側へ
の方向）に搬送するためのものであり、基板搬送ロボッ
ト１２を主構成要素として備えている。

【００１６】基板搬送ロボット１２は、基本的には周知
のアーム型ロボットであり、回転可能な円板状のベース
１４と、このベース１４に偏心して回転可能に取り付け
られたアームアセンブリ１６とから構成されている。ア
ームアセンブリ１６は、ベース１４側のアーム１８と、
アーム１８の先端部に屈曲可能に接続されたアーム、い
わゆるエンドエフェクタ２０とを有している。エンドエ
フェクタ２０の先端部には半導体ウェハＷを支持する支
持手段が設けられている。支持手段としては種々の型式
のものが考えられるが、本実施形態における支持手段
は、図３から理解される通り、半導体ウェハＷが嵌合さ
れるようエンドエフェクタ２０の表面に形成された凹部
２２となっている。この凹部は、半導体ウェハＷの厚さ
と同一の深さを有し、その内壁面は半導体ウェハＷの水
平方向の位置ずれが防止されるよう半導体ウェハの外形
と同一形状となっている。また、エンドエフェクタ２０
の先端部２３は二叉状となっており、更にその上面は流
線形となっている。かかる形状は、半導体ウェハＷの表
面（上面）に沿って空気を可能な限り円滑に流すためで
ある。

【００１７】ベース１４、アーム１８及びエンドエフェ
クタ２０の内部にはリンク機構ないしは駆動機構（図示
しない）が設けられており、図２の矢印Ａに示すように
ベース１４を回転させることにより、エンドエフェクタ
２０の凹部２２にて支持された半導体ウェハＷを矢印Ｂ
に沿って直進させることが可能となっている。このよう
な基板搬送ロボット１２を複数台、直線的に並設するこ
とで、半導体ウェハＷを間欠的に移送することが可能と
なる。

【００１８】また、上記の基板搬送ロボット１２では、
半導体ウェハＷを直接受け渡すことができないので、本
実施形態の基板搬送設備１０は、隣り合う１対の基板搬
送ロボット１２間に基板受渡し装置２４が配置されてい
る。基板受渡し装置２４は、駆動機構（図示しない）に
より上下動可能となっている複数本、好ましく４本のリ
フトピン（支持手段）２６から構成されている。半導体
ウェハＷはその裏面がリフトピン２６によって支持さ
れ、リフトピン２６を上下させることによって、リフト
ピン２６間に挿入、配置される基板搬送ロボット１２の
エンドエフェクタ２０との間で半導体ウェハＷを受け渡
すことが可能となる。リフトピン２６は、本実施形態で
はエンドエフェクタ２０と同様な理由から、半導体ウェ
ハＷの裏面のみに接する構成となっている。

【００１９】１台の基板搬送ロボット１２と、これに隣
接する１台の基板受渡し装置２４とは対をなし、各対の
基板搬送ロボット１２及び基板受渡し装置２４は管状な
いしはトンネル状のハウジング２８内に収容されてい
る。ハウジング２８は、半導体ウェハＷの搬送方向と同
一方向に延び、その両端は開口されている。基板搬送ロ
ボット１２は一方の開口端部（搬送方向下流側の端部）
の近傍に配置され、基板受渡し装置２４は他方の開口端
部の近傍に配置される。基板搬送ロボット１２のベース
１４はハウジング２８の下部部分に設けられた穴３０に
配置され、その上面がハウジング２８の底面と同一面と
されている。これも、ハウジング２８内での障害物を減
らして、半導体ウェハＷの表面を流れる空気流に渦や乱
れを生じさせない工夫となっている。また、基板受渡し
装置２４のリフトピン２６は、ハウジング２８の下部部
分に形成された小孔３２に通されている。

【００２０】なお、基板搬送ロボット１２のベース１４
とハウジング２８の穴３０との間、及び、リフトピン２
６と小孔３２との間には間隙が形成されており、機械的
接触による摩耗を防止している。また、図１の点線の矢
印で示すように、これらの間隙を通してハウジング２８
内の空気が緩やかに吸引されるようになっており、基板
搬送ロボット１２や基板受渡し装置２４自体の機械的摩
耗によるパーティクルがハウジング２８内に侵入するの
を防止ないしは抑制している。

【００２１】ハウジング２８の内部空間は、ハウジング
２８内に水平に配置された仕切り板３４により上部空間
３６と下部空間３８に分割されている。搬送方向下流側
となる仕切り板３４の端部には開口が設けられ、そこに
ハウジング２８の下部空間３８から空気を吸引し上部空
間３６に流すファン４０が取り付けられている。また、
仕切り板３４の他方の端部にも開口が設けられており、
そこにはＨＥＰＡ(High Efficiency Particulate Air)
フィルタやＵＬＰＡ(Ultra Low Penetration Air)フィ
ルタ等のフィルタ４２が配置されている。従って、ファ
ン４０を駆動すると、図１の実線の矢印で示すように空
気が循環し、フィルタ４２を通過した空気は清浄空気
（清浄ガス）としてハウジング２８の下部空間３８内を
一方の開口端部から他方の開口端部へと流れる。また、
これによって、ハウジング２８の下部空間３８は所定の
清浄度の環境に維持される。なお、符号４４は整流板で
あり、下部空間３８内での清浄空気の流れを水平に整流
するためのものである。

【００２２】更に、ハウジング２８内の仕切り板３４に
は、フィルタ４２の下流側近傍に、イオン供給ノズル
（イオン供給手段）４６が配置されている。このイオン
供給ノズル４６は、空気が流れることにより下部空間３
８内の浮遊パーティクルが帯電して半導体ウェハＷに静
電力により付着する事態を防止すべく、パーティクルの
静電気を中和するために設けられている。

【００２３】かかるハウジング２８を複数、直線状に並
べ、隣り合う開口端部を接続することにより、基板搬送
経路として１本のクリームトンネルが形成される。そし
て、各ハウジング２８に設けられた基板搬送ロボット１
２及び基板受渡し装置２４をそれぞれ制御することで、
クリーントンネル内に沿って半導体ウェハＷを搬送する
ことができる。

【００２４】次に、このような構成の基板搬送設備１０
において本発明のパーティクル汚染防止方法を実施した
場合を説明する。

【００２５】まず、ファン４０を駆動して各ハウジング
２８内で空気を循環させると、各ハウジング２８の下部
空間３８内で基板搬送方向と同方向に、清浄空気が略水
平に流れる。また、複数のハウジング２８が接続され、
その内部が互いに連通しているため、全ハウジング２８
を通して清浄空気が水平に流れることになる。この清浄
空気の流速は１００〜３００ｍｍ／ｓｅｃ程度とするこ
とが好適である。

【００２６】かかる微流速の空気流が発生している状態
において、３００ｍｍ径の半導体ウェハＷがリフトピン
２６上にて支持されているとすると（図１の右側のハウ
ジング２８内での状態）、２０℃の環境で空気の動粘性
係数が０．１５ｃｍ²／ｓｅｃとなることから、半導体
ウェハＷの前縁部（空気流に向かう側の縁部）での空気
流のレイノルズ数は数十というレベルとなる。また、半
導体ウェハＷの後縁部（前縁部から３００ｍｍ下流側の
地点）での空気流のレイノルズ数は３００ｍｍ／ｓｅｃ
の流速でも６０００程度である。この数値範囲の下で
は、図４に示すように、半導体ウェハＷの表面には前縁
部から後縁部にかけて順に、約２０ｍｍ〜約３０ｍｍ程
度の層流境界層（図４の一点鎖線）、遷移層及び乱流境
界層（図３の二点鎖線）が形成され、これらの層は微細
なパーティクルＰに対して粘性流体である。また、現状
の半導体ウェハＷは、その外周縁の断面形状が略円形と
なっており且つ空気流も微流速であるため、空気流が半
導体ウェハＷの前縁に接した場合にも渦流が生ずること
もない。また、エンドエフェクタ２０の先端部２３が存
在する箇所（図３参照）も、そこが流線形となっている
ので、渦流等の乱れの発生は抑制される。

【００２７】従って、半導体ウェハＷの上方に微細なパ
ーティクルＰが浮遊しており、そのパーティクルＰが空
気流に流されつつ降下しても、パーティクルＰに対して
は粘性流体である層流境界層、遷移層及び乱流境界層が
形成されてそれ以上の降下速度が与えられることなく、
空気流の主流（層流境界層、遷移層及び乱流境界層より
も上方の空気流）に随伴して半導体ウェハＷよりも下流
へと流される。この浮遊パーティクルＰは、空気と共に
ファン４０により吸引され、ハウジング２８の上部空間
３６を流れるが、空気が再度フィルタ４２を通する際
に、フィルタ４２により除去される。

【００２８】ここで、日本における清浄度のＪＩＳ規格
（ＪＩＳ Ｂ９９２０）の基準パーティクル（径０．１
μｍ）よりも大きな１．０μｍの石英パーティクルがハ
ウジングが浮遊していると仮定し、考察してみると、こ
のパーティクルの重量は１．３ｐｇ程度と極めて軽いた
め、粘性流体である層流境界層ないしは乱流境界層によ
って確実に遮られ、半導体ウェハＷの表面に到達して汚
染することはない。勿論、本実施形態においては、ハウ
ジング２８の下部空間３８内を流れる空気はＨＥＰＡフ
ィルタないしはＵＬＰＡフィルタ４２によってパーティ
クルが除去された極めて清浄なものであり、且つ、ハウ
ジング２８の下部部分の穴３０及び小孔３２からは空気
が吸引され基板搬送ロボット１２や基板受渡し装置２４
自体からのパーティクルがハウジング２８内に侵入する
ことはないので、１μｍもの大径のパーティクルが存在
することは極めて希である。

【００２９】基板搬送ロボット１２により半導体ウェハ
Ｗを搬送する場合、リフトピン２６上の半導体ウェハＷ
を基板搬送ロボット１２のエンドエフェクタ２０上に移
載する必要がある。すなわち、基板受渡し装置２４と基
板搬送ロボット１２を制御して、リフトピン２６を上昇
させ、リフトピン２６上の半導体ウェハＷの下側に基板
搬送ロボット１２のエンドエフェクタ２０の凹部２２を
配置した後、リフトピン２６を下降させることで、半導
体ウェハＷを基板搬送ロボット１２のエンドエフェクタ
２０の凹部２２内に移載するのである。

【００３０】次いで、基板搬送ロボット１２を制御し
て、ベース１４を回転させると共にアームアセンブリ１
６を屈曲させ、支持パッド２２、従って半導体ウェハＷ
を水平に直進させる（図２参照）。この際、半導体ウェ
ハＷの移動速度の最高値が１００ｍｍ／ｓｅｃ〜２００
ｍｍ／ｓｅｃとなるようにすることが好適である。な
お、この最高移動速度は、半導体ウェハＷに対する空気
流の相対速度が、１００ｍｍ／ｓｅｃ〜２００ｍｍ／ｓ
ｅｃの範囲内となるように設定される。

【００３１】半導体ウェハＷが移動し、半導体ウェハＷ
に対する空気流の相対速度が１００ｍｍ／ｓｅｃ〜２０
０ｍｍ／ｓｅｃの範囲内にある場合、半導体ウェハＷの
表面での清浄空気の挙動は、半導体ウェハＷが静止状態
にあるときと同様であり、半導体ウェハＷの表面上には
空気の層流境界層、遷移層そして乱流境界層が形成さ
れ、パーティクルの付着が防止される。

【００３２】なお、空気が流れることにより生ずる静電
気もイオン供給ノズル４６からのイオンによって中和さ
れるため、静電力による半導体ウェハＷへのパーティク
ルの吸着も防止される。

【００３３】半導体製造プロセスにおいては、インライ
ン型枚葉式搬送は従来から提案されてきたが、実際に
は、半導体ウェハＷの受渡しや移送のための機構からの
発塵による汚染が原因で未だ実現されていなかった。し
かしながら、上記実施形態の如く基板搬送設備１０を構
成することで、半導体ウェハＷ上へのパーティクルの付
着が防止ないしは大幅に抑制されることから、インライ
ン型枚葉式搬送が可能となる。特に、枚葉式搬送が可能
となることにより、半導体ウェハＷの大径化に伴うバッ
チ式搬送の困難性を解決することができ、生産性の向上
に大いに寄与することになる。

【００３４】なお、半導体ウェハＷを基板搬送ロボット
１２により搬送することとしているが、半導体ウェハＷ
の搬送手段はロボットに限定されないことは勿論であ
る。

【００３５】また、半導体ウェハＷの表面に層流境界層
ないしは乱流境界層が形成されるならば、半導体ウェハ
Ｗの支持手段の形状や支持位置は上記のものに限られな
い。

【００３６】更に、上記実施形態では、半導体ウェハＷ
上では層流境界層、遷移層及び乱流境界層が形成されて
いるが、空気流の速度や半導体ウェハの直径等によって
は層流境界層のみ又は層流境界層及び遷移層のみが半導
体ウェハＷ上に形成される場合もある。或いはまた、半
導体ウェハＷ上では遷移層と乱流境界層、又は、乱流境
界層のみが形成されることもあり得る。本明細書中にお
ける「層流境界層ないしは乱流境界層」なる表現はかか
る状態を含むものである。

【００３７】更にまた、空気流の流速については、層流
境界層ないしは乱流境界層が形成されれば如何なる速度
であってもよく、ハウジングの内部構造や支持手段の移
動速度、或いは清浄ガスのガス種や環境温度等に応じて
適宜変更され得るものである。

【００３８】図５は、本発明を適用したＦＯＵＰ（Fron
t Opening Unified Pod）システムの実施形態を示して
いる。次世代半導体製造プロセスにおける半導体ウェハ
の搬送システムでは、ＦＯＵＰ（Front Opening Unifie
d Pod）が採用される傾向にある。ＦＯＵＰは前面開放
型のウェハカセットであり、内部が小さな密閉空間とな
るハウジングに収容され、必要に応じてハウジングの前
面を開放して半導体ウェハの出し入れが行われる。ＦＯ
ＵＰは、高清浄度を達成できる小空間に配置されること
から、パーティクル汚染に耐え得るものと考えられてい
る。しかしながら、小空間であっても、パーティクルを
完全に除去することは困難である。

【００３９】図５に示す実施形態に係るＦＯＵＰシステ
ム１００は、半導体ウェハＷの支持手段たるＦＯＵＰ１
０２を収容するハウジング１０４を備えている。このハ
ウジング１０４内にはサブハウジング１０６が配置さ
れ、内部が２重の空間に仕切られている。ＦＯＵＰ１０
２はサブハウジング１０６内に収容される。また、サブ
ハウジング１０６の一方の側壁１０８には、サブハウジ
ング１０６の内部空間から空気を吸引するファン１１０
が取り付けられ、他方の側壁１１２にＨＥＰＡフィルタ
又はＵＬＰＡフィルタ等のフィルタ１１４が取り付けら
れている。従って、ファン１１０を駆動すると、図５の
矢印で示すように空気が循環し、サブハウジング１０６
の内部にはフィルタ１１４を通過した清浄空気が水平方
向に流通し、所定の清浄度の空間が形成される。更に、
本実施形態のＦＯＵＰ１０２は、その両側壁１１６に貫
通孔１１８が形成され、清浄空気がＦＯＵＰ１０２内を
通過できるよう構成されている。ＦＯＵＰ１０２の側壁
１１６に形成される貫通孔１１８は、ＦＯＵＰ１０２内
を通過する清浄空気がＦＯＵＰ１０２の支持棚１２０で
支持されている半導体ウェハＷの表面に沿って水平に流
れ、且つ、層流境界層ないしは乱流境界層を形成するよ
う、位置や数、形状が定められている。これによって、
清浄空気を１００ｍｍ／ｓｅｃ〜３００ｍｍ／ｓｅｃで
流通させることにより、各半導体ウェハＷの上方の空気
流は図４と同様な挙動を示し、パーティクルの付着が防
止されることになる。

【００４０】なお、図５において符号１２２は、静電気
を中和するためのイオン供給ノズルである。

【００４１】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限られないこ
とはいうまでもない。

【００４２】例えば、対象となる基板は半導体ウェハＷ
に限られず、液晶パネルを製造するためのガラス基板等
であってもよい。

【００４３】また、搬送系のみならず、基板の長期保管
箇所や処理チャンバに対する基板待機箇所等にも本発明
のパーティクル汚染防止方法ないしは設備を適用するこ
とが可能である。

【００４４】更に、清浄空気ないしは清浄ガスを作る送
風手段も、上述したようなファン４０，１１０及びフィ
ルタ４２，１１４からなる循環型に限られない。

【００４５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板の表面にそって層流境界層ないしは乱流境界層を形成
することで、基板の上方から落下してくるパーティクル
が基板の表面に沈着することを防止することができる。
従って、本発明は、基板に対するパーティクル汚染が防
止され、或いは大幅に低減されるので、基板の最終製品
である半導体デバイスや液晶パネルの性能、歩留まり等
の向上に寄与することになる。

【００４６】また、本発明の技術思想は、上述したよう
に、基板の搬送設備や保管設備に適用可能であり、更に
処理装置等にも適宜応用することも可能である。すなわ
ち、本発明は、極めて応用範囲が広いという特徴があ
り、今後のマイクロデバイスの微細化や高集積化にも大
いに寄与することとなろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるパーティクル汚染防止構造が適用
された基板搬送設備を概略的に示す縦断面図である。

【図２】図１のII−II線に沿っての断面図である。

【図３】図１及び図２における基板搬送ロボットのエン
ドエフェクタの先端部を示す断面部分図である。

【図４】本発明によるパーティクル汚染防止方法を説明
するために、半導体ウェハに対する空気流の挙動を示す
概略説明図である。

【図５】本発明によるパーティクル汚染防止構造が適用
されたＦＯＵＰシステムを概略的に示す縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１０…基板搬送設備、１２…基板搬送ロボット、２０…
エンドエフェクタ、２２…凹部、２４…基板受渡し装
置、２６…リフトピン、２８…ハウジング、３４…仕切
り板、３６…上部空間、３８…下部空間、４０…ファ
ン、４２…フィルタ、４６…イオン供給ノズル、４８…
ブレード、１００…ＦＯＵＰシステム、１０２…ＦＯＵ
Ｐ、１０４…ハウジング、１０６…サブハウジング、１
１０…ファン、１１４…フィルタ、１２２…イオン供給
ノズル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ Ｆターム(参考） 3B116 AA01 AB02 AB43 BB22 BB88 BB89 3B117 AA08 BA43 5F031 CA02 FA01 FA07 FA15 GA05 GA45 GA48 HA12 HA33 NA02 NA03 NA08 NA15 PA02 PA18 PA21

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の清浄度の環境において水平に配置
   された基板の表面に沿って清浄ガスを、当該基板の表面
   に対して所定の相対速度にて流すことにより、当該基板
   の表面上の全域にわたり層流境界層ないしは乱流境界層
   を形成したことを特徴とするパーティクル汚染防止方
   法。
2. 【請求項２】 内部が所定の清浄度に保たれるハウジン
   グと、 前記ハウジング内にて基板を水平に支持するための支持
   手段と、 前記支持手段により支持された基板の表面に沿って清浄
   ガスを、当該基板の表面に対して所定の相対速度にて流
   すための送風手段とを備え、当該基板の表面上の全域に
   わたり層流境界層ないしは乱流境界層を形成することを
   特徴とするパーティクル汚染防止構造。
3. 【請求項３】 前記支持手段が前記ハウジング内を移動
   可能となっていることを特徴とする請求項２に記載のパ
   ーティクル汚染防止構造。
4. 【請求項４】 前記送風手段は、空気を前記ハウジング
   で循環させるファンと、前記ファンによる空気の循環経
   路中に配置され、空気を所定の清浄度の清浄ガスとする
   フィルタとを備えることを特徴とする請求項２又は３に
   記載のパーティクル汚染防止構造。
5. 【請求項５】 前記清浄ガス中のパーティクルに生じる
   静電気を中和するためのイオンを前記ハウジング内に供
   給するイオン供給手段を更に備えることを特徴とする請
   求項２〜４のいずれか１項に記載のパーティクル汚染防
   止構造。