JP2007003069A - ミニエンバイロメント装置及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法 - Google Patents
ミニエンバイロメント装置及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007003069A JP2007003069A JP2005182175A JP2005182175A JP2007003069A JP 2007003069 A JP2007003069 A JP 2007003069A JP 2005182175 A JP2005182175 A JP 2005182175A JP 2005182175 A JP2005182175 A JP 2005182175A JP 2007003069 A JP2007003069 A JP 2007003069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intermediate chamber
- cleanliness
- gas
- mini
- circulating flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Ventilation (AREA)
Abstract
【課題】
循環流を効果的に活用し、フィルタ等の負荷を低減しつつ、装置内の清浄度を高清浄に保つことができるミニエンバイロメント装置を提供する。
【解決手段】
上記課題を達成するためのミニエンバイロメント装置は、中間室24内の清浄度をセンシングするセンサ手段20と、循環経路36を介して再度清浄化する気体の量を調整する遮蔽板34と、外部気体を清浄化して中間室24内に取り込んだ際に予測される清浄度を閾値として定め、この閾値と前記センサ手段20によるセンシング値とを比較し、センシング値が前記閾値を越えた場合に循環流の流量を低下させるように前記遮蔽板34を制御する制御手段38と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図2
循環流を効果的に活用し、フィルタ等の負荷を低減しつつ、装置内の清浄度を高清浄に保つことができるミニエンバイロメント装置を提供する。
【解決手段】
上記課題を達成するためのミニエンバイロメント装置は、中間室24内の清浄度をセンシングするセンサ手段20と、循環経路36を介して再度清浄化する気体の量を調整する遮蔽板34と、外部気体を清浄化して中間室24内に取り込んだ際に予測される清浄度を閾値として定め、この閾値と前記センサ手段20によるセンシング値とを比較し、センシング値が前記閾値を越えた場合に循環流の流量を低下させるように前記遮蔽板34を制御する制御手段38と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は、ミニエンバイロメント装置、及び前記ミニエンバイロメント装置における循環流の制御方法に関する。
半導体ウェハ等の精密部品を製造する場合、大気中に浮遊する微細塵埃や有機物がその表面に付着するだけで回路のショートや絶縁不良といった加工不良の発生原因となる。このような加工不良を防止するため、半導体ウェハ等の精密部品の製造はクリーンルーム内で行われることが一般的である。従来の生産工程では、このクリーンルーム全体を高清浄な領域として保つようにクリーンルームの空調を制御して精密部品の製造を行っていた。
ところが、生産現場全体を高清浄な領域として保つようなクリーンルームは、その建設コストやランニングコストが非常に高く、結果として精密部品の製造コストが向上してしまうという実状があった。このような実状を鑑み、精密部品の製造工程における一部の領域を局所的に高清浄に保つという発案が成され、ミニエンバイロメント装置(以下、ME装置ともいう)が開発されている。ME装置を用いた精密部品の製造工程では、従来開放型で行われていた部品の搬送を密閉型の容器を介して行われる。つまり、ME装置は、部品の加工装置と前記密閉容器との中継を行う領域を確保するために用いられる装置であり、当該領域を局所的に高清浄に保つものである。
ME装置について提案している文献として特許文献1を挙げることができる。特許文献1に開示されているME装置は、装置内に導入する気体を清浄化する清浄化手段と、装置内に導入した気体を再度清浄化して循環する循環経路を備えたものである。また、特許文献1に開示されているME装置は、装置内部の清浄度をセンシングするセンサ手段を有しており、前記清浄化手段は装置内に不活性ガス等の清浄なガスを供給する手段を有している。このような構成のME装置では、センサ手段によってセンシングされた値が予め定められた閾値よりも悪化した場合に、不活性ガスの供給量を増やして装置内部の清浄化を図る。
特開2004−200669号公報
特許文献1に開示されているME装置によれば確かに装置内部の空間の清浄度を良好に保つことができると考えられる。しかし、上記のような装置では、装置内部の清浄度を保つために不活性ガス等を導入するという手段を採っており、循環流の利用等が効果的に行われていないため、ランニングコストがかさむこととなる。また、装置内部の清浄度が悪化した状態で単純に循環運転をしている場合には、清浄化手段の負荷が増し、清浄化手段の寿命が短くなってしまい、設備コストの増加につながる。
そこで、本発明では、循環流を効果的に活用し、フィルタ等の清浄化手段の負荷を低減することができ、長期的な運転を低コストで実現することを可能とすると共に、装置内部の清浄度を高清浄に保つことができるミニエンバイロメント装置及びその循環流制御方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するためには、循環流の制御が必要であり、ミニエンバイロメント装置内を高清浄に保つために効果的な循環流の制御方法を実現することができるミニエンバイロメント装置であれば良いと考えられる。そこで、本発明に係るミニエンバイロメント装置は、加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置であって、前記中間室内の清浄度をセンシングするセンサ手段と、前記循環経路を介して再度清浄化する気体の量を調整する循環流調整手段と、外部気体を清浄化して中間室内に取り込んだ際に予測される清浄度を閾値として求め、この閾値と前記センサ手段によるセンシング値とを比較し、センシング値が前記閾値を越えた場合に循環流の流量を低下させるように前記循環流調整手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とした。このような構成のミニエンバイロメント装置によれば、通常運転では循環流の割合を大きくし、中間室内の清浄度が低下した場合には循環流の割合を小さくすることが可能となりフィルタに対する負荷が小さくなり、長寿命化を図ることができる。また、閾値として外部気体を中間室内に取り込んだ際に予測される清浄度の値を用いているため、中間室内の清浄度がいわゆるワンパス型のミニエンバイロメント装置より悪くなる場合が無くなる。
また、本発明に係るミニエンバイロメント装置は、加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置であって、前記中間室内の清浄度をセンシングする第1のセンサ手段と、前記外部領域の清浄度をセンシングする第2のセンサ手段と、前記循環経路を介して再度清浄化する気体の量を調整する循環流調整手段と、前記第1のセンサ手段と前記第2のセンサ手段とによるセンシング値を取得して比較し、当該センシング値の比較結果に基づいて前記循環流調整手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするものであっても良い。このような構成とすることにより、外部領域の清浄度と内部領域の清浄度とを考慮して、ワンパス型と循環型の運転のどちらが効率的に高清浄な環境を維持できるかを選択して運転することが可能となる。このため、与えられた環境下において最も高い清浄度を保つための運転を実現することが可能となる。また、効率的な運転をすることにより、フィルタに対する負荷が小さくなり、長寿命化を図ることができる。
また、上記構成のミニエンバイロメント装置において、前記制御手段は、前記第2のセンサ手段によってセンシングされた清浄度を有する気体が前記中間室内部に導入された際の清浄度を算出し、当該算出された清浄度と前記第1のセンサ手段によって取得された清浄度とを比較し、当該清浄度の比較結果に基づいて前記循環流調整手段を制御するものであると良い。このような演算処理を行う制御手段を備えることにより、中間室内の高清浄化を図る上での精度が向上する。
さらに、上記構成のミニエンバイロメント装置は、前記加工装置との間に設けられた開口部を閉塞する遮蔽部、又は前記外部領域との間に設けられた開口部を閉塞する遮蔽部、あるいはその両方の開閉を検知する第3のセンサ手段を備え、前記制御手段は前記第3のセンサ手段による検知結果に基づいて前記循環流調整手段を制御するようにしても良い。このような構成とすることにより、中間室内が汚染される確率が高い加工装置あるいは外部領域との空間的な繋がりを即座に検知することができるようになる。このため、中間室内の汚染を予測して運転方法を切り換えることが可能となる。
本発明に係るミニエンバイロメント装置の循環流制御方法は、加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置における循環流の流量を制御する方法であって、前記中間室内の清浄度と前記外部気体を中間室内に取り込んだ際に予測される清浄度とを比較し、中間室内の清浄度が前記予測される清浄度を越えた場合に循環流の流量を低減することを特徴とする。このような特徴を有する循環流制御方法によれば、通常運転では循環流の割合を大きくし、中間室内の清浄度が低下した場合には循環流の割合を小さくすることが可能となりフィルタに対する負荷が小さくなり、長寿命化を図ることができる。また、閾値として外部気体を中間室内に取り込んだ際に予測される清浄度の値を用いているため、中間室内の清浄度が、循環運転を行わない、いわゆるワンパス型の運転より悪くなる場合が無くなる。
また、本発明に係るミニエンバイロメント装置の循環流制御方法は、加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置における循環流の流量を制御する方法であって、前記中間室内の清浄度と前記外部領域の清浄度とを比較し、前記比較結果に基づいて循環流の流量を制御することを特徴とするものであっても良い。このような特徴を有する循環流制御方法によれば、外部領域の清浄度と内部領域の清浄度とを考慮して、ワンパス型と循環型の運転のどちらが効率的に高清浄な環境を維持できるかを選択して運転することが可能となる。このため、与えられた環境下において最も高い清浄度を保つための運転を実現することが可能となる。また、効率的な運転をすることにより、フィルタに対する負荷が小さくなり、長寿命化を図ることができる。
上記構成のミニエンバイロメント装置、及び循環流制御方法によれば、循環流を効果的に活用し、フィルタ等の清浄化手段の負荷を低減することができ、長期的な運転を低コストで実現することが可能となる。さらに、上記構成のミニエンバイロメント装置、及び循環流制御方法によれば、前記効果に加え、装置内部の中間室内の清浄度を高清浄に保つことが可能となる。
以下、本発明のミニエンバイロメント装置、及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法に係る実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明に係る一部の実施形態であって、本発明の実施形態を拘束するものでは無い。
まず、図1、2を参照して、本発明のミニエンバイロメント装置(ME装置)に係る第1の実施形態について説明する。本発明のME装置10は、図1に示すように、規定の清浄度を保つように設計されたクリーンルーム100内に備えられた半導体ウェハ等の精密部品加工装置50に隣接して設けられる。そしてME装置10は、前記加工装置50と精密部品を搬送するための密閉容器52との間の中継領域の清浄化を図る。この中継領域では精密部品が外部領域(クリーンルーム100内の領域)に晒されることとなるからである。
図1に示すクリーンルーム100は、グレーチング112等で仕切られた高床式構造の部屋であり、室内に導入する気体に含まれる塵埃等を一定の割合で除去するためのファンフィルタユニット(以下、FFUという)110を介して室内に導入された気体を、床下114に通過させる構造とされている。また、床下114に排出された気体の一部は、室外に設けられた循環経路116を通過して再びFFU110へ導入される。
ME装置10の構成の概略は、図2に示すようなものである。なお、図2において図2(A)はME装置の側断面図、図2(B)はME装置の正面図をそれぞれ示す。本実施形態のME装置は、図2に示すように、加工装置50と搬送用密閉容器52との間の中継領域を遮蔽するために形成された隔壁によって覆われる中間室24と、前記中間室24の上部に配置された清浄化手段18と、前記中間室24に導入された気体を循環させるための循環経路36とを備えることを基本構成としている。
前記中間室24は、その上部に前記清浄化手段18を通過した気体を導入するための気体導入部を備え、下部領域には導入気体を排出するための気体排出部30と、導入気体を前記循環経路36へ導くための循環経路導入口32とを備える。また、前記中間室24には、前記加工装置50と連通する開口部26と、搬送用密閉容器52が接続される外部領域と連通する開口部28とが設けられており、その中間には両者間における精密部品の移載を中継する中継手段22が備えられている。なお、双方の開口部26,28にはそれぞれ開閉可能に構成された蓋(オープナ:不図示)が備えられている。さらに、本実施形態の中間室24には、当該中間室24内の環境をセンシングするためのセンサ手段20が備えられている。センサ手段24は、例えば、中間室24内の気体に混入する有機物を検出するセンサ等であれば良く、中間室24内の有機物濃度等を検出することで、当該中間室24内の清浄度を監視する役割を担う。
前記清浄化手段18は種々形態を選択することができるが、本実施形態に示す清浄化手段18は、導入する気体に含有される有機物等の汚染物質を除去するためのケミカルフィルタ12と、中間室24内に気体を送るためのファン14、及び導入する気体に含有する微細な塵埃を除去するための除塵フィルタ16とを有するFFUである。このような構成から成るFFU(清浄化手段)18は、上述したクリーンルーム100に備えられるFFU110よりも気体を清浄化する能力が高いため、前記中間室24内に導入される気体は高清浄なものとなる。
前記循環経路36は、前記中間室24に備えられた循環経路導入口32から導入された気体を、前記FFU18の前段へ導く経路であり、循環経路36へ導入する気体の量、すなわち循環率を調整するための循環流調整手段である遮蔽板34を備えている。遮蔽板34には図示しないモータ等の駆動手段が備えられており、この駆動手段を駆動させて前記遮蔽板34の開度を調整することにより循環率が調整される。なお、循環経路36へ導く気体の量を調整する手段としては、前記遮蔽板34の代わりに、送気のためのファン等を備えるものとしても良い。
また、本実施形態におけるME装置10は、コンピュータ等の制御手段38を備え、前記循環経路導入口32に備えられた遮蔽板34の開閉を制御可能な構成としている。前記制御手段38は、一定の有機物濃度を閾値として記録する記憶手段(不図示)、あるいは一定の有機物濃度を定められた条件に従って算出する演算手段が備えられており、前記センサ手段20によってセンシングされた有機物濃度の値と前記閾値とを比較することにより前記遮蔽板34の開度を制御する。前記閾値は、例えば外部領域、すなわちクリーンルーム内の有機物濃度として予想される値や、いわゆるワンパス型ME装置における中間室内の有機物濃度として予測される値等であれば良い。クリーンルーム内の有機物濃度やワンパス型ME装置における中間室内の有機物濃度等は、経験測から概略値を求めることが可能だからである。
そして、遮蔽板34の開閉制御は次のように行うようにすれば良い。センサ手段20によってセンシングされた中間室24内の有機物濃度が前記閾値よりも低いと判定された場合には、前記遮蔽板34の開度を上げて循環流の量、すなわち循環率を向上させる。一方、中間室24内の有機物濃度が前記閾値よりも高いと判定された場合には、前記遮蔽板34の開度を下げて循環率を低下させる。
閾値は、クリーンルーム内の有機物濃度として予測される値やワンパス型ME装置における中間室内の有機物濃度として予測される値等であるため、中間室24内の有機物濃度が閾値以上となった場合には、中間室24内部の清浄度が外部領域(クリーンルーム100内)の清浄度よりも低くなったことを意味することとなる。このため、上記のような循環流制御を行うことにより、中間室24内の気体の清浄化を効率的に行うことが可能となるのである。また、清浄度の高い方(有機物濃度の低い方)の気体をより多く取り込むこととなるため、気体を清浄化するFFU(有機物を対象とした場合には、特にケミカルフィルタ12)18の負担が低減されることとなる。このため、FFU18のフィルタを長期的に継続して使用することが可能となり、設備コストを低減することが可能となる。
中間室24内部の有機物濃度を向上させる原因は、大きく分けて2つある。中間室24内部に導入する気体が汚染されている場合と、中間室24内部で汚染が発生する場合である。中間室24内部で汚染が発生する場合の例としては、加工装置50と中間室24との間の開口部26に設けられたオープナが開いた際に、加工装置50内で発生した有機物が中間室24内に流れ込むことを挙げることができる。図3は、有機物等の汚染物質の捕集効率が80%とされるケミカルフィルタ12を用いた場合における循環型ME装置とワンパス型ME装置とにおける中間室内部の有機物濃度を比較した結果である。加工装置内部の有機物濃度は外部領域(クリーンルーム内)の有機物濃度の20倍を想定し、循環率は80%として試算した結果を示すグラフである。図3によれば、循環型ME装置の中間室における有機物濃度は、周期的にワンパス型ME装置の中間室内の有機物濃度を大きく超える部位がある。この有機物濃度が上昇する部位では、加工装置側の開口部に設けられたオープナが開放されているのである。そして、循環型ME装置では、有機物濃度が高まった気体を循環させることとなるため、清浄化の効率が悪く、一時的にワンパス型ME装置における中間室内の有機物濃度を超えることとなるのである。このような循環型ME装置では、中間室内の清浄度が不安定になることに加え、加工装置側のオープナが開放されるたびにFFUの負荷が増加し、ケミカルフィルタ、除塵フィルタは共に寿命が短縮されることとなる。
一方、図4は本実施形態のME装置10を使用して、閾値をワンパス型のME装置における中間室内の有機物濃度の値として循環流制御を行った場合における中間室内の有機物質濃度の変化を示すグラフである。図4に示すように、本実施形態の循環流制御方法によれば、一時的に有機物濃度が向上する場合はあっても、中間室24内の有機物濃度がワンパス型のME装置における中間室内部の有機物濃度である10ng/Lを超えることは無い。これは、中間室24内の有機物濃度が閾値に達した場合には、循環率を低減してワンパス型に近づけるような制御を行うことによる。すなわち、中間室内の状況に応じて、中間室24内の有機物濃度を最も低く保つことができるように循環流を制御するのである。このような循環流制御を可能とする循環型ME装置10は、中間室24内の清浄度が比較的安定であると共に、FFU18の負担が少ない。このため、ケミカルフィルタ12、及び除塵フィルタ16の長寿命化を図ることができ、設備コストの削減を図ることができる。
次に、上述したME装置の制御方法について、図5を参照して詳細に説明する。まず、センサ手段20により中間室24内の有機物濃度をセンシングする(S100)。次に、前記センサ手段20によりセンシングした値と、予め定められた閾値とを比較する(S110)。このとき、センシングした値が閾値よりも大きいと判定された場合には、循環率が0%になっているか判定する(S120)。そして、循環率が0%であると判定された場合には、S100に戻り、再び中間室24内の有機物濃度をセンシングする。
また、S120にて、循環率が0%でないと判定された場合は、一定の割合で循環率を低下させ、あるいは循環率を0%まで低下させ、その後にS100に戻り、再び中間室24内の有機物濃度をセンシングする(S130)。
一方、S110にて、センシングした値が閾値よりも小さいと判定された場合には、循環率が最大となっているかを判定する(S140)。循環率が最大であると判定された場合には、S100に戻り、再び中間室24内の有機物濃度をセンシングする。
また、S140において、循環率が最大でないと判定された場合には、循環率を一定の割合で向上させ、あるいは循環率を最大まで向上させ、その後にS100に戻り、再び中間室24内の有機物濃度をセンシングする(S100)。
また、S140において、循環率が最大でないと判定された場合には、循環率を一定の割合で向上させ、あるいは循環率を最大まで向上させ、その後にS100に戻り、再び中間室24内の有機物濃度をセンシングする(S100)。
上記のような構成のME装置10を用いて上記のような循環流制御を行うことにより、循環流を効果的に活用し、フィルタ等の清浄化手段の負荷を低減することができ、長期的な運転を低コストで実現することを可能なる。
次に、図6を参照して本発明のME装置に係る第2の実施形態について説明する。なお、図6(A)はME装置の側面図を、図6(B)はME装置の正面図をそれぞれ示す概略図である。
本実施形態におけるME装置の基本構成は、上述した第1の実施形態におけるME装置と同様である。したがって、その機能を同様とする箇所は、図面に同一符号を附して詳細な説明は省略する。本実施形態に示すME装置10は、加工装置50と中間室24とを繋ぐ開口部26に設けたオープナに、その開閉を検知するセンサ手段40を設けたことが第1の実施形態に示すME装置と異なる。上述したように、中間室24内で汚染物質が発生する例としては、加工装置50が開閉する際に加工装置50内部で発生した有機物等の汚染物質が流入するという確率が最も高い。このため、前記オープナの開閉をセンサ手段40によって検知し、制御手段38によって遮蔽板34の開度を制御して、循環流の流量を制御する構成としたのである。このような構成とすることにより、清浄化された気体を効率良く中間室24内に取り込むことが可能となることはもちろん、中間室24内部を迅速に清浄な領域とすることが可能となる。
本実施形態におけるME装置の基本構成は、上述した第1の実施形態におけるME装置と同様である。したがって、その機能を同様とする箇所は、図面に同一符号を附して詳細な説明は省略する。本実施形態に示すME装置10は、加工装置50と中間室24とを繋ぐ開口部26に設けたオープナに、その開閉を検知するセンサ手段40を設けたことが第1の実施形態に示すME装置と異なる。上述したように、中間室24内で汚染物質が発生する例としては、加工装置50が開閉する際に加工装置50内部で発生した有機物等の汚染物質が流入するという確率が最も高い。このため、前記オープナの開閉をセンサ手段40によって検知し、制御手段38によって遮蔽板34の開度を制御して、循環流の流量を制御する構成としたのである。このような構成とすることにより、清浄化された気体を効率良く中間室24内に取り込むことが可能となることはもちろん、中間室24内部を迅速に清浄な領域とすることが可能となる。
具体的な制御方法としては、加工装置50側の開口部26に設けられたオープナが開放された場合に前記遮蔽板34を閉じて循環流を停止し、ワンパス型のME装置として作動させるのである。こうすることにより、オープナが開放されてからセンサ手段20が有機物を検知するまでのタイムラグが無くなることとなる。このため、中間室24内の有機物濃度を低い状態に保つための処理が迅速化される。なお当然に、他の要因により中間室24内部の有機物濃度が向上した場合には、センサ手段20がそれをセンシングして循環流の循環率を制御することとなる。
次に、図7を参照して本発明のME装置に係る第3の実施形態について説明する。なお、図7(A)はME装置の側面図を、図7(B)はME装置の正面図をそれぞれ示す概略図である。
本実施形態におけるME装置の基本構成は、上述した第1の実施形態におけるME装置と同様である。したがって、その機能を同様とする箇所は、図面に同一符号を附して詳細な説明は省略する。本実施形態は、気体の清浄度をセンシングするためのセンサ手段42をME装置10の外部、例えばクリーンルーム100内にも備えたことが第1の実施形態に示すME装置と相違する。このような構成とすることにより、周囲の状況に対応して、効率良く循環流制御を行うことが可能となる。
本実施形態におけるME装置の基本構成は、上述した第1の実施形態におけるME装置と同様である。したがって、その機能を同様とする箇所は、図面に同一符号を附して詳細な説明は省略する。本実施形態は、気体の清浄度をセンシングするためのセンサ手段42をME装置10の外部、例えばクリーンルーム100内にも備えたことが第1の実施形態に示すME装置と相違する。このような構成とすることにより、周囲の状況に対応して、効率良く循環流制御を行うことが可能となる。
つまり、第1の実施形態では、センサ手段20によってセンシングされた値と、予め定められた閾値とを比較して循環流制御を行っていた。これに対し本実施形態のME装置10における循環流制御は、ME装置10の外部に備えたセンサ手段42によってセンシングした有機物濃度に基づいて、制御手段38内部の図示しない演算部がME装置10のFFU18通過後における有機物濃度を算出する。そして、演算部によって算出されたFFU18通過後の有機物濃度を閾値として、中間室24内部に備えたセンサ手段20がセンシングした有機物濃度と比較するのである。その他の制御は第1の実施形態に示すME装置10の場合と同様である。
このような循環流制御を行うことにより、時々刻々と変化するME装置10内外の清浄度を考慮して循環流制御を行うことが可能となる。
このような循環流制御を行うことにより、時々刻々と変化するME装置10内外の清浄度を考慮して循環流制御を行うことが可能となる。
以下、図8を参照して、本実施形態のME装置における循環流制御について説明する。まず、2つのセンサ手段20,42にてME装置外部(クリーンルーム100内)の有機物濃度と、中間室24内部の有機物濃度とをセンシングする(S200)。次に、ケミカルフィルタ12による有機物除去率と、前記センサ手段42によってセンシングされたME装置10外部の有機物濃度とに基づいて、FFU18通過後に予測される有機物濃度を算出する(S210)。次に、S210にて算出した有機物濃度と、センサ手段20によってセンシングした中間室24内部の有機物濃度とを比較する(S220)。このとき、中間室24内部の有機物濃度がS210にて算出した有機物濃度よりも高いと判定された場合には、循環流の循環率が0%になっているか判定する(S230)。そして、循環率が0%であると判定された場合には、S200に戻り、再びME装置10の内外における有機物濃度をセンシングする。
また、S230にて、循環率が0%でないと判定された場合は、循環率を一定の割合で低下させ、あるいは循環率を0%まで低下させ、その後にS200に戻り、再びME装置10の内外における有機物濃度をセンシングする(S240)。
一方、S220にて、中間室24内の有機物濃度がS210にて算出した有機物濃度よりも低いと判定された場合には、循環流の循環率が最大となっているかを判定する(S250)。循環率が最大であると判定された場合には、S200に戻り、再びME装置10の内外における有機物濃度をセンシングする。
また、S250において、循環率が最大でないと判定された場合には、循環率を一定の割合で向上させ、あるいは循環率を最大まで向上させ、その後にS200に戻り、再びME装置10の内外における有機物濃度をセンシングする(S260)。
また、S250において、循環率が最大でないと判定された場合には、循環率を一定の割合で向上させ、あるいは循環率を最大まで向上させ、その後にS200に戻り、再びME装置10の内外における有機物濃度をセンシングする(S260)。
上記のような構成のME装置10を用いて上記のような循環流制御を行うことにより、循環流を効果的に活用し、フィルタ等の清浄化手段の負荷を低減することができ、長期的な運転を低コストで実現することを可能なる。また、本実施形態に示したME装置10及び循環流制御方法によれば、第1の実施形態に示したME装置及び循環流制御方法よりも高精度な運転が可能となり、変化するME装置10の内外の状況に応じて有機物濃度を最も低くすることが可能な運転を実現することが可能となる。
次に、図9を参照して本発明のME装置に係る第4の実施形態について説明する。なお、図9(A)はME装置の側面図を、図9(B)はME装置の正面図をそれぞれ示す概略図である。
本実施形態におけるME装置の基本構成は、上述した第3の実施形態におけるME装置と同様である。したがって、その機能を同様とする箇所は、図面に同一符号を附して詳細な説明は省略する。本実施形態に示すME装置10は、加工装置50と中間室24とを繋ぐ開口部26に設けたオープナ(不図示)に、その開閉を検知するセンサ手段40を設けたことが第3の実施形態に示すME装置と相違する。上述したように、中間室24内部で汚染物質が発生する例としては、加工装置50側に設けられた開口部26のオープナが開閉する際に加工装置50内部で発生した有機物等の汚染物質が流入するという確率が最も高い。このため、開口部26のオープナの開閉をセンサ手段40によって検知し、制御手段38によって遮蔽板34の開度を制御して、循環流の流量を制御する構成としたのである。このような構成とすることにより、清浄化された気体を効率良く中間室24内に取り込むことが可能となることはもちろん、中間室24内部を迅速に清浄な領域とすることが可能となる。
本実施形態におけるME装置の基本構成は、上述した第3の実施形態におけるME装置と同様である。したがって、その機能を同様とする箇所は、図面に同一符号を附して詳細な説明は省略する。本実施形態に示すME装置10は、加工装置50と中間室24とを繋ぐ開口部26に設けたオープナ(不図示)に、その開閉を検知するセンサ手段40を設けたことが第3の実施形態に示すME装置と相違する。上述したように、中間室24内部で汚染物質が発生する例としては、加工装置50側に設けられた開口部26のオープナが開閉する際に加工装置50内部で発生した有機物等の汚染物質が流入するという確率が最も高い。このため、開口部26のオープナの開閉をセンサ手段40によって検知し、制御手段38によって遮蔽板34の開度を制御して、循環流の流量を制御する構成としたのである。このような構成とすることにより、清浄化された気体を効率良く中間室24内に取り込むことが可能となることはもちろん、中間室24内部を迅速に清浄な領域とすることが可能となる。
具体的な制御方法としては、加工装置50側の開口部26に設けられたオープナが開放された場合に前記遮蔽板34を閉じて循環流を停止し、ワンパス型のME装置として作動させるのである。こうすることにより、オープナが開放されてからセンサ手段20が有機物を検知するまでのタイムラグが無くなることとなる。このため、中間室24内の有機物濃度を低い状態に保つための処理が迅速化される。なお当然に、他の要因により中間室24内部の有機物濃度が向上した場合には、センサ手段20がそれをセンシングして循環流の循環率を制御することとなる。
上記実施形態では、オープナの開閉を検知するセンサ手段は加工装置50と中間室24とを繋ぐ開口部26に設けられたオープナのみに備える旨記載した。しかしながら、外部領域と中間室24とを繋ぐ開口部28にもうけられたオープナにもセンサ手段を備えるようにしても良い。このような構成とすることにより、中間室24内の清浄度をより高い確率で高清浄に保つことが可能となる。
また、上記第3の実施形態では、センサ手段42でセンシングした値に基づいて、FFU18通過後の有機物濃度を算出し、算出された値と中間室24内の有機物濃度の値とを比較する旨記載した。しかしながら、センサ手段20,42のセンシング値を直接比較するようにしても良い。
なお、上記実施形態においては、清浄度を表すパラメータとして有機物濃度を挙げているが、他のパラメータを用いた場合であっても、本発明を実施する際に影響を及ぼすものでは無い。この場合、センサ手段20,42は、センシング対象に合わせて切り換えるようにすれば良い。
10………ミニエンバイロメント装置、12………ケミカルフィルタ、14………ファン、16………除塵フィルタ、18………ファンフィルタユニット(FFU:清浄化手段)、20………センサ手段、22………中継手段、24………中間室、26………開口部、28………開口部、30………気体排出部、32………循環経路導入口、34………遮蔽板、36………循環経路、38………制御手段、40………センサ手段、42………センサ手段、50………加工装置、52………密閉容器、100………クリーンルーム。
Claims (6)
- 加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置であって、
前記中間室内の清浄度をセンシングするセンサ手段と、
前記循環経路を介して再度清浄化する気体の量を調整する循環流調整手段と、
外部気体を清浄化して中間室内に取り込んだ際に予測される清浄度を閾値として求め、この閾値と前記センサ手段によるセンシング値とを比較し、センシング値が前記閾値を越えた場合に循環流の流量を低下させるように前記循環流調整手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするミニエンバイロメント装置。 - 加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置であって、
前記中間室内の清浄度をセンシングする第1のセンサ手段と、
前記外部領域の清浄度をセンシングする第2のセンサ手段と、
前記循環経路を介して再度清浄化する気体の量を調整する循環流調整手段と、
前記第1のセンサ手段と前記第2のセンサ手段とによるセンシング値を取得して比較し、当該センシング値の比較結果に基づいて前記循環流調整手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするミニエンバイロメント装置。 - 前記制御手段は、前記第2のセンサ手段によってセンシングされた清浄度を有する気体が前記中間室内部に導入された際の清浄度を算出し、当該算出された清浄度と前記第1のセンサ手段によって取得された清浄度とを比較し、当該清浄度の比較結果に基づいて前記循環流調整手段を制御することを特徴とする請求項2に記載のミニエンバイロメント装置。
- 前記加工装置との間に設けられた開口部を閉塞する遮蔽部、又は前記外部領域との間に設けられた開口部を閉塞する遮蔽部、あるいはその両方の開閉を検知する第3のセンサ手段を備え、
前記制御手段は前記第3のセンサ手段による検知結果に基づいて前記循環流調整手段を制御することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1に記載のミニエンバイロメント装置。 - 加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置における循環流の流量を制御する方法であって、
前記中間室内の清浄度と前記外部気体を中間室内に取り込んだ際に予測される清浄度とを比較し、
中間室内の清浄度が前記予測される清浄度を越えた場合に循環流の流量を低減することを特徴とするミニエンバイロメント装置の循環流制御方法。 - 加工装置と外部領域との間に配置される中間室と、外部気体を清浄化して前記中間室に供給する清浄化手段と、前記中間室内の気体の一部を前記清浄化手段の前段に導く循環経路を有するミニエンバイロメント装置における循環流の流量を制御する方法であって、
前記中間室内の清浄度と前記外部領域の清浄度とを比較し、
前記比較結果に基づいて循環流の流量を制御することを特徴とするミニエンバイロメント装置の循環流制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005182175A JP2007003069A (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | ミニエンバイロメント装置及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005182175A JP2007003069A (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | ミニエンバイロメント装置及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007003069A true JP2007003069A (ja) | 2007-01-11 |
Family
ID=37688873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005182175A Pending JP2007003069A (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | ミニエンバイロメント装置及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007003069A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008282939A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Shimizu Corp | 汚染物質除去システム |
KR20170003447A (ko) * | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 |
WO2017082086A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロボット搬送装置 |
JP2020017742A (ja) * | 2019-09-04 | 2020-01-30 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem |
JP2021007172A (ja) * | 2020-10-07 | 2021-01-21 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem装置 |
TWI749397B (zh) * | 2013-12-13 | 2021-12-11 | 日商昕芙旎雅股份有限公司 | 設備前端模組(efem)及半導體製造裝置 |
-
2005
- 2005-06-22 JP JP2005182175A patent/JP2007003069A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008282939A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Shimizu Corp | 汚染物質除去システム |
TWI749397B (zh) * | 2013-12-13 | 2021-12-11 | 日商昕芙旎雅股份有限公司 | 設備前端模組(efem)及半導體製造裝置 |
KR20170003447A (ko) * | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 |
KR102471280B1 (ko) * | 2015-06-30 | 2022-11-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치 및 기판 반송 방법 |
WO2017082086A1 (ja) * | 2015-11-10 | 2017-05-18 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロボット搬送装置 |
US10636680B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-04-28 | Sinfonia Technology Co., Ltd. | Robot transport device |
JP2020017742A (ja) * | 2019-09-04 | 2020-01-30 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem |
JP2021007172A (ja) * | 2020-10-07 | 2021-01-21 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efem装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6996453B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of processing substrate while controlling for contamination in substrate transfer module | |
JP2007003069A (ja) | ミニエンバイロメント装置及びミニエンバイロメント装置の循環流制御方法 | |
WO2019227021A1 (en) | Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating | |
TWI784380B (zh) | 具有工廠界面環境控制之基板處理系統、設備與方法 | |
US5752985A (en) | Clean room having an air conditioning system | |
JP4493649B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエア | |
JP4999808B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11133208B2 (en) | EFEM and method of introducing dry air thereinto | |
KR101462241B1 (ko) | 웨이퍼용 개구통합형 포드의 퍼지장치 | |
TWI309063B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20090078372A1 (en) | Vacuum processing apparauts | |
KR20200023220A (ko) | 기판 반송 모듈 및 기판 반송 방법 | |
US20200035530A1 (en) | Load port apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and method of controlling atmosphere in pod | |
WO2019177046A1 (ja) | Efem | |
JP2007220773A (ja) | ミニエンバイロメント装置及びそれを用いたクリーンルーム設備 | |
JP4221539B2 (ja) | クリーンルーム設備 | |
JP2018206874A (ja) | Efem及びefemへの乾燥空気の導入方法 | |
KR100801660B1 (ko) | 반도체 제조 설비의 압력 밸런스를 조절하기 위한 압력 제어 시스템 및 그 방법 | |
JP4679720B2 (ja) | 処理装置 | |
JP6546425B2 (ja) | 流量制御方法及び基板処理装置 | |
US20190341273A1 (en) | Circulating efem | |
KR20190119540A (ko) | 기판 이송 시스템, 저장 매체 및 기판 이송 방법 | |
KR20190139565A (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
JP2018160544A (ja) | Efem及びefemのガス置換方法 | |
JP3341978B2 (ja) | 洗浄システム |