WO2022172827A1 - 基板処理システム及び搬送方法 - Google Patents

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紀彦 網倉
正知 北
暁之 眞壁
伸 松浦
信峰 佐々木
景民 朴
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing system and a transfer method.
  • An edge ring and a cover ring arranged around the wafer placed on the electrostatic chuck on the susceptor provided in the processing chamber where the plasma processing is performed are arranged as one system of lifter pins.
  • the present disclosure provides a technology capable of selectively replacing consumables with different replacement timings.
  • a substrate processing system includes a vacuum transfer module, a plasma processing module connected to the vacuum transfer module, and a controller, wherein the vacuum transfer module includes a vacuum transfer chamber and the vacuum transfer chamber.
  • the vacuum transfer module includes a vacuum transfer chamber and the vacuum transfer chamber.
  • a transfer robot disposed within a plasma processing chamber; a stage disposed within the plasma processing chamber and having a substrate support surface and a ring support surface; and the ring support surface of the stage.
  • first support pins arranged below the ring support surface; a plurality of second support pins arranged below the substrate support surface; and the plurality of first support pins arranged vertically with respect to the stage.
  • a first actuator configured to move and a second actuator configured to longitudinally move the plurality of second support pins relative to the stage
  • the controller directs the transfer robot to A simultaneous transport mode in which the first ring and the second ring are simultaneously transported, and a single transport mode in which the transport robot transports the second ring independently, wherein the simultaneous transport mode is configured to selectively execute the simultaneous transport mode.
  • the single transfer mode is the first ring and the second ring lifting the plurality of first support pins so that the are lifted together by the plurality of first support pins; elevating the plurality of second support pins such that they are supported by a ledge; and the first ring is supported on the plurality of first support pins while the second ring is supported by a carrier jig. a step of lowering the plurality of second support pins to a position lower than the height of the conveying jig in the above state; The transfer jig between the transfer robot and the transfer robot and delivering the tool and said second ring together.
  • consumable members with different replacement times can be selectively replaced.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a part of FIG.
  • Side sectional view showing an example of a storage module Schematic plan view showing an upper fork that does not hold an object to be conveyed
  • Schematic plan view showing the upper fork holding the second assembly Schematic plan view showing the upper fork holding only the transfer jig
  • a diagram showing an example of a positioning mechanism for the covering A diagram showing an example of a positioning mechanism for the covering
  • a diagram showing an example of a positioning mechanism for the covering showing an example of positioning mechanism for edge ring and cover ring Diagram showing an example of positioning mechanism for edge ring and cover ring Diagram showing an example of positioning mechanism for edge ring and cover
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a process module according to a first modified example of the embodiment; A diagram showing the state of the lifter in the simultaneous transport mode in the first modified example. A diagram showing the state of the lifter in the single transport mode in the first modified example.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a process module according to a first modified example of the embodiment; A diagram showing the state of the lifter in the simultaneous transport mode in the first modified example. A diagram showing the state of the lifter in the single transport mode in the first modified example.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a process module according to a second modified example of the embodiment; Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the second modified example Flowchart showing an example of a
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a process module according to a third modified example of the embodiment; Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a simultaneous transport mode in the third modified example Flowchart showing an example of a
  • the processing system PS is a system capable of performing various types of processing such as plasma processing on substrates.
  • the substrate may be, for example, a semiconductor wafer.
  • the processing system PS includes vacuum transfer modules TM1, TM2, process modules PM1 to PM12, load lock modules LL1, LL2, atmospheric transfer module LM, storage module SM, and the like.
  • the vacuum transfer modules TM1 and TM2 each have a substantially rectangular shape in plan view.
  • the vacuum transfer module TM1 has process modules PM1 to PM6 connected to two opposing sides thereof. Of the other two opposing sides of the vacuum transfer module TM1, one side is connected to the load lock modules LL1 and LL2, and the other side is a path (not shown) for connecting to the vacuum transfer module TM2. is connected.
  • the sides of the vacuum transfer module TM1 to which the loadlock modules LL1, LL2 are connected are angled according to the two loadlock modules LL1, LL2.
  • the vacuum transfer module TM2 has process modules PM7 to PM12 connected to two opposing sides thereof.
  • the vacuum transfer modules TM1 and TM2 have vacuum chambers (vacuum transfer chambers) in which transfer robots TR1 and TR2 are arranged, respectively.
  • the transport robots TR1 and TR2 are configured to be able to rotate, extend and retract, and ascend and descend.
  • the transport robot TR1 holds and transports the substrate and consumable members with an upper fork (first fork) FK11 and a lower fork (second fork) FK12 arranged at the tip.
  • the transport robot TR1 holds the substrate and consumables with the upper fork FK11 and the lower fork FK12, and holds the substrate between the load lock modules LL1 and LL2, the process modules PM1 to PM6 and the path (not shown). and transport consumables.
  • the transport robot TR2 holds and transports the substrate and consumable members with an upper fork FK21 and a lower fork FK22 arranged at the tip.
  • the transport robot TR2 holds the substrate and the consumable member with the upper fork FK21 and the lower fork FK22, and holds the substrate and the consumable member between the process modules PM7 to PM12, the storage module SM and the path (not shown). to convey.
  • a consumable member is a member that is replaceably attached in the process modules PM1 to PM12, and is a member that is consumed when various processes such as plasma processing are performed in the process modules PM1 to PM12.
  • Consumable members include, for example, an edge ring FR, a cover ring CR, and a top plate 121 of the upper electrode 12, which will be described later.
  • the process modules PM1 to PM12 each have a processing chamber (plasma processing chamber) and a stage (mounting table) arranged therein. After the substrate is placed on the stage, the process modules PM1 to PM12 depressurize the inside, introduce a processing gas, apply RF power to generate plasma, and perform plasma processing on the substrate with the plasma.
  • the vacuum transfer modules TM1, TM2 and the process modules PM1 to PM12 are partitioned by an openable/closable gate valve G1.
  • An edge ring FR, a covering CR, and the like are arranged on the stage.
  • An upper electrode 12 for applying RF power is arranged on the upper part facing the stage.
  • the load lock modules LL1 and LL2 are arranged between the vacuum transfer module TM1 and the atmospheric transfer module LM.
  • the load lock modules LL1 and LL2 have internal pressure variable chambers that can be switched between vacuum and atmospheric pressure.
  • the load lock modules LL1, LL2 have stages arranged therein.
  • the load lock modules LL1 and LL2 receive the substrate from the vacuum transfer module TM1 while keeping the inside vacuum, pressurize the inside to the atmospheric pressure, and transfer the substrate in the atmosphere.
  • a substrate is loaded into the module LM.
  • the load lock modules LL1 and LL2 and the vacuum transfer module TM1 are partitioned by an openable/closable gate valve G2.
  • the load-lock modules LL1, LL2 and the atmosphere transfer module LM are partitioned by an openable/closable gate valve G3.
  • the atmospheric transfer module LM is arranged to face the vacuum transfer module TM1.
  • the atmospheric transfer module LM may be, for example, an EFEM (Equipment Front End Module).
  • the atmospheric transfer module LM is an atmospheric transfer chamber having a rectangular parallelepiped shape, equipped with an FFU (Fan Filter Unit), and maintained in an atmospheric pressure atmosphere.
  • Two load lock modules LL1 and LL2 are connected to one side surface along the longitudinal direction of the atmospheric transfer module LM.
  • Load ports LP1 to LP5 are connected to other side surfaces along the longitudinal direction of the atmospheric transfer module LM.
  • a container (not shown) containing a plurality of substrates (for example, 25 substrates) is placed on the load ports LP1 to LP5.
  • the container may be, for example, a FOUP (Front-Opening Unified Pod).
  • a transport robot (not shown) that transports the substrate is arranged in the atmospheric transport module LM.
  • the transfer robot transfers substrates between the inside of the FOUP and the variable internal pressure chambers of the load lock modules LL1 and LL2.
  • the storage module SM is detachably connected to the vacuum transfer module TM2.
  • the storage module SM has a storage chamber and stores consumables.
  • the storage module SM is connected to the vacuum transfer module TM2, for example, when exchanging consumables in the process modules PM1 to PM12, and removed from the vacuum transfer module TM2 after the consumables have been exchanged. This makes it possible to effectively utilize the area around the processing system PS.
  • the storage module SM may always be connected to the vacuum transfer module TM2.
  • the storage module SM has a position detection sensor that detects the position of the consumable member stored in the storage chamber.
  • the consumables are transported between the process modules PM1-PM12 and the storage module SM by transport robots TR1 and TR2.
  • the vacuum transfer module TM2 and the storage module SM are partitioned by an openable/closable gate valve G4.
  • the processing system PS is provided with a control unit CU.
  • the control unit CU controls each part of the processing system, such as the transfer robots TR1 and TR2 provided in the vacuum transfer modules TM1 and TM2, the transfer robots provided in the atmospheric transfer module LM, and the gate valves G1 to G4.
  • the control unit CU selects a simultaneous transport mode in which the transport robots TR1 and TR2 simultaneously transport the edge ring FR and the covering CR, and a single transport mode in which the transport robots TR1 and TR2 transport only the edge ring FR. Configured.
  • the simultaneous transport mode and the single transport mode will be described later.
  • the control unit CU performs the single transport mode more frequently than the simultaneous transport mode.
  • the control unit CU may be, for example, a computer.
  • the control unit CU includes a CPU (Central Processing Unit), a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), an auxiliary storage device, and the like.
  • the CPU operates based on programs stored in the ROM or auxiliary storage device, and controls each part of the processing system PS.
  • FIG. 1 [Plasma processing equipment] An example of the plasma processing apparatus used as the process modules PM1 to PM12 included in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
  • FIG. 2 An example of the plasma processing apparatus used as the process modules PM1 to PM12 included in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
  • FIG. 2 An example of the plasma processing apparatus used as the process modules PM1 to PM12 included in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
  • the plasma processing apparatus 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply section 20, an RF power supply section 30, an exhaust system 40, a lifter 50 and a control section 90.
  • a plasma processing chamber 10 includes a substrate support 11 and an upper electrode 12 .
  • the substrate support part 11 is arranged in the lower region of the plasma processing space 10 s inside the plasma processing chamber 10 .
  • the upper electrode 12 is positioned above the substrate support 11 and may function as part of the ceiling of the plasma processing chamber 10 .
  • the substrate support part 11 supports the substrate W in the plasma processing space 10s.
  • Substrate support 11 includes lower electrode 111 , electrostatic chuck 112 , ring assembly 113 , insulator 115 and base 116 .
  • An electrostatic chuck 112 is arranged on the lower electrode 111 .
  • the electrostatic chuck 112 has an upper surface including a substrate support surface 112a and a ring support surface 112b.
  • the electrostatic chuck 112 supports the substrate W on a substrate support surface 112a.
  • the electrostatic chuck 112 supports the edge ring FR on the ring support surface 112b.
  • the electrostatic chuck 112 has an insulating material 112c, a first attraction electrode 112d and a second attraction electrode 112e.
  • the first attraction electrode 112d and the second attraction electrode 112e are embedded in the insulating material 112c.
  • the first attraction electrode 112d is positioned below the substrate support surface 112a.
  • the electrostatic chuck 112 attracts and holds the substrate W on the substrate support surface 112a by applying a voltage to the first attraction electrode 112d.
  • the second attraction electrode 112e is positioned below the ring support surface 112b.
  • the electrostatic chuck 112 attracts and holds the edge ring FR on the ring support surface 112b by applying a voltage to the second attraction electrode 112e.
  • the electrostatic chuck 112 includes a monopolar electrostatic chuck that attracts and holds the substrate W and a bipolar electrostatic chuck that attracts and holds the edge ring FR.
  • a bipolar electrostatic chuck may be used instead of the monopolar electrostatic chuck, and a monopolar electrostatic chuck may be used instead of the bipolar electrostatic chuck.
  • the ring assembly 113 includes an edge ring FR and a cover ring CR.
  • Edge ring FR is an example of a second ring.
  • the edge ring FR has an annular shape and is arranged around the substrate W on the upper surface of the peripheral portion of the lower electrode 111 .
  • the edge ring FR improves the uniformity of plasma processing on the substrate W.
  • the edge ring FR is made of a conductive material such as silicon (Si) or silicon carbide (SiC).
  • the covering CR is an example of the first ring.
  • the cover ring CR has an annular shape and is arranged on the outer peripheral portion of the edge ring FR.
  • the cover ring CR protects the upper surface of the insulator 115 from plasma, for example.
  • the cover ring CR is made of an insulating material such as quartz.
  • the inner peripheral portion of the cover ring CR is inside the outer peripheral portion of the edge ring FR
  • the outer peripheral portion of the edge ring FR is outside the inner peripheral portion of the cover ring CR
  • the edge ring FR and covering CR partially overlap.
  • the outer peripheral portion of the edge ring FR is placed on the inner peripheral portion of the cover ring CR.
  • An insulator 115 is arranged on the base 116 to surround the lower electrode 111 .
  • Base 116 is fixed to the bottom of plasma processing chamber 10 and supports lower electrode 111 and insulator 115 .
  • the upper electrode 12 constitutes the plasma processing chamber 10 together with the insulating member 13 .
  • the upper electrode 12 supplies one or more kinds of processing gases from the gas supply section 20 to the plasma processing space 10s.
  • Upper electrode 12 includes top plate 121 and support 122 .
  • a lower surface of the top plate 121 defines a plasma processing space 10s.
  • the top plate 121 is formed with a plurality of gas introduction ports 121a. Each of the plurality of gas introduction ports 121a penetrates the top plate 121 in the plate thickness direction (vertical direction).
  • the support 122 detachably supports the top plate 121 . Inside the support 122, a gas diffusion chamber 122a is provided inside the support 122.
  • a plurality of gas introduction ports 122b extend downward from the gas diffusion chamber 122a.
  • the multiple gas introduction ports 122b communicate with the multiple gas introduction ports 121a, respectively.
  • the support 122 is formed with a gas supply port 122c.
  • the upper electrode 12 supplies one or more processing gases from a gas supply port 122c to the plasma processing space 10s via a gas diffusion chamber 122a, a plurality of gas introduction ports 122b, and a plurality of gas introduction ports 121a.
  • a loading/unloading port 10p is formed on the side wall of the plasma processing chamber 10 .
  • the substrate W is transferred between the plasma processing space 10s and the outside of the plasma processing chamber 10 via the loading/unloading port 10p.
  • the loading/unloading port 10p is opened and closed by a gate valve G1.
  • the gas supply unit 20 includes one or more gas sources 21 and one or more flow controllers 22.
  • the gas supply unit 20 supplies one or more types of process gas from each gas source 21 through each flow controller 22 to the gas supply port 122c.
  • Flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller. Additionally, gas supply 20 may include one or more flow modulation devices that modulate or pulse the flow of one or more process gases.
  • the RF power supply unit 30 includes two RF power sources (first RF power source 31a, second RF power source 31b) and two matching devices (first matching device 32a, second matching device 32b).
  • a first RF power supply 31a supplies first RF power to the lower electrode 111 via a first matching box 32a.
  • the frequency of the first RF power may be, for example, between 13 MHz and 150 MHz.
  • a second RF power supply 31b supplies a second RF power to the lower electrode 111 via a second matching box 32b.
  • the frequency of the second RF power may be, for example, 400 kHz to 13.56 MHz.
  • a DC power supply may be used instead of the second RF power supply 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10, for example.
  • Exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump.
  • the pressure regulating valve regulates the pressure in the plasma processing space 10s.
  • Vacuum pumps may include turbomolecular pumps, dry pumps, or combinations thereof.
  • the lifter 50 raises and lowers the substrate W, edge ring FR and cover ring CR.
  • the lifter 50 includes a first lifter 51 and a second lifter 52 .
  • the first lifter 51 includes multiple support pins 511 and actuators 512 .
  • the plurality of support pins 511 are inserted through the through holes H ⁇ b>1 formed in the lower electrode 111 and the electrostatic chuck 112 , and can protrude from the upper surface of the electrostatic chuck 112 .
  • the plurality of support pins 511 protrude from the upper surface of the electrostatic chuck 112 , thereby supporting the substrate W by bringing the upper ends into contact with the lower surface of the substrate W.
  • the actuator 512 raises and lowers the multiple support pins 511 .
  • a piezoelectric actuator such as a motor such as a DC motor, a stepping motor, or a linear motor, or an air drive mechanism such as an air cylinder can be used.
  • the first lifter 51 raises and lowers the plurality of support pins 511 when transferring the substrate W between the transport robots TR1 and TR2 and the substrate support section 11, for example.
  • the second lifter 52 includes a plurality of support pins 521 and actuators 522.
  • the plurality of support pins 521 are inserted through the through holes H2 formed in the insulator 115 so as to protrude from the upper surface of the insulator 115 .
  • the plurality of support pins 521 protrude from the upper surface of the insulator 115, thereby supporting the cover ring CR with their upper ends in contact with the lower surface of the cover ring CR.
  • the actuator 522 raises and lowers the multiple support pins 521 .
  • the actuator 522 for example, the same actuator as the actuator 512 can be used.
  • the second lifter 52 raises and lowers the plurality of support pins 521 when transferring the edge ring FR and the cover ring CR between the transport robots TR1 and TR2 and the substrate support section 11, for example.
  • the outer peripheral portion of the edge ring FR is placed on the inner peripheral portion of the cover ring CR. Accordingly, when the actuator 522 raises and lowers the plurality of support pins 521, the cover ring CR and the edge ring FR are raised and lowered together.
  • the controller 90 controls each part of the plasma processing apparatus 1 .
  • the control unit 90 includes a computer 91, for example.
  • the computer 91 includes, for example, a CPU 911, a storage unit 912, a communication interface 913, and the like.
  • the CPU 911 can be configured to perform various control operations based on programs stored in the storage unit 912 .
  • the storage unit 912 includes at least one memory type selected from a group consisting of auxiliary storage devices such as RAM, ROM, HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), and the like.
  • the communication interface 913 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • the control unit 90 may be provided separately from the control unit CU, or may be included in the control unit CU.
  • Storage module An example of the storage module SM included in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 4 An example of the storage module SM included in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 4 An example of the storage module SM included in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • FIG. 4 An example of the storage module SM included in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • the storage module SM has a chamber 70 installed on the frame 60 and a machine room 81 above the chamber 70 .
  • the interior of the chamber 70 can be depressurized by an exhaust portion 72 connected to an exhaust port 71 provided at the bottom.
  • N 2 gas is supplied to the chamber 70 as a purge gas.
  • the machine room 81 is, for example, an atmosphere of atmospheric pressure.
  • a storage 75 having a stage 73 and a basket 74 provided below the stage 73 is installed in the chamber 70 .
  • the storage 75 can be raised and lowered by a ball screw 76 .
  • a line sensor 82 for detecting the position, orientation, etc. of the consumable member and a motor 77 for driving the ball screw 76 are installed in the machine room 81.
  • a window 84 made of quartz or the like is provided between the chamber 70 and the machine room 81 so that the line sensor 82 can receive light from a light emitting section 83, which will be described later.
  • a consumable member is placed on the stage 73 .
  • the stage 73 has a light emitting section 83 facing the line sensor 82 .
  • the stage 73 is rotatable in the .theta. direction, and rotates a mounted consumable member such as an edge ring FR in a predetermined direction. That is, the stage 73 aligns the edge ring FR.
  • the orientation flat (OF) of the edge ring FR is oriented in a predetermined direction. Further, in alignment, the center position of the edge ring FR may be aligned.
  • the line sensor 82 detects the amount of light emitted from the light emitting unit 83 and outputs the detected amount of light to the control unit CU.
  • the control unit CU detects the orientation flat of the edge ring FR by utilizing the fact that the detected amount of light changes depending on the presence or absence of the orientation flat of the edge ring FR.
  • the control unit CU detects the orientation of the edge ring FR based on the detected orientation flat.
  • the line sensor 82 is, for example, a CCD (Charge Coupled Device), CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) line sensor, or the like.
  • the basket 74 is provided below the stage 73 .
  • a cassette 78 is placed inside the basket 74 .
  • a cassette 78 is a storage container that can be taken out from the basket 74 .
  • the cassette 78 accommodates a plurality of expendable members at intervals in the vertical direction. In the example of FIG. 4, the cassette 78 accommodates a plurality of edge rings FR.
  • the cassette 78 is open on the front side of the storage module SM. Details of the cassette 78 will be described later.
  • the storage 75 has, in addition to the stage 73 and the cage 74, a guide 79 supported by the ball screw 76 on its side.
  • a ball screw 76 connects the upper surface and the lower surface of the chamber 70 , passes through the upper surface of the chamber 70 , and is connected to the motor 77 in the machine chamber 81 .
  • a penetration in the upper surface of chamber 70 is sealed so that ball screw 76 is rotatable.
  • the ball screw 76 is rotated by the motor 77 to move the storage 75 vertically (in the Z-axis direction).
  • the storage module SM is detachably connected to the vacuum transfer module TM2 via the gate valve G4.
  • An upper fork FK21 and a lower fork FK22 of the transfer robot TR2 of the vacuum transfer module TM2 can be inserted into the chamber 70 via the gate valve G4.
  • the upper fork FK21 and the lower fork FK22 are used, for example, to load the edge ring FR into the cassette 78, to carry out the edge ring FR placed in the cassette 78, to place the edge ring FR on the stage 73, and to place the edge ring FR on the stage 73. obtain the edge ring FR placed.
  • the door 80 is opened and closed, for example, when the cassette 78 is removed from the chamber 70 or when the cassette 78 is placed inside the chamber 70 .
  • the light emitting unit 85 and the number detection sensor 86 detect the edge ring FR placed on the cassette 78. Detect the number of sheets.
  • the light emitting unit 85 is, for example, an LED (Light Emitting Diode), a semiconductor laser, or the like.
  • the number detection sensor 86 detects the amount of light emitted from the light emitting unit 85 and outputs the detected amount of light to the control unit CU.
  • the control unit CU detects the number of edge rings FR by measuring the number of times the light emitted from the light emitting unit 85 is blocked by the edge rings FR based on the detected light amount.
  • the number detection sensor 86 is, for example, a photodiode, a phototransistor, or the like. Also, the number detection sensor 86 may be a line sensor such as a CCD or CMOS.
  • the control unit CU calculates the position information of the edge ring FR based on the amount of light detected by the line sensor 82 in the storage module SM has been described, but the present disclosure is not limited to this.
  • a position detection sensor including an inner circumference sensor that detects the position of the inner circumference of the edge ring FR and an outer circumference sensor that detects the position of the outer circumference of the edge ring FR may be used.
  • the control unit CU calculates the position information of the edge ring FR based on the position of the outer circumference of the edge ring FR detected by the inner circumference sensor and the position of the outer circumference of the edge ring FR detected by the outer circumference sensor.
  • another optical sensor or camera may be used. In this case, the control unit CU calculates the position information of the edge ring FR based on the image captured by the camera, for example, by using an image processing technique.
  • the upper fork FK21 of the transport robot TR2 will be described with reference to FIGS. 6 to 9.
  • FIG. The lower fork FK22 of the transport robot TR2 may also have the same configuration as the upper fork FK21.
  • the upper fork FK11 and the lower fork FK12 of the transport robot TR1 may have the same configuration as the upper fork FK21 of the transport robot TR2.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the upper fork FK21 that does not hold an object to be conveyed.
  • the upper fork FK21 has a substantially U shape in plan view.
  • the upper fork FK21 is configured to be able to hold, for example, the substrate W, the transfer jig CJ, the edge ring FR, the cover ring CR, the first assembly A1, and the second assembly A2.
  • the transport jig CJ is a jig that supports the edge ring FR from below, and can be used when only the edge ring FR is replaced.
  • the transport jig CJ is configured to support only the edge ring FR without supporting the cover ring CR.
  • the conveying jig CJ is a plate-like member having a portion longer than the inner diameter of the edge ring FR and shorter than the inner diameter of the cover ring CR.
  • the conveying jig CJ is a substantially rectangular plate member having a diagonal line longer than the inner diameter of the edge ring FR and shorter than the inner diameter of the cover ring in plan view.
  • the conveying jig CJ may be a disk-shaped member having a diameter longer than the inner diameter of the edge ring FR and shorter than the inner diameter of the cover ring CR.
  • the first assembly A1 is an assembly in which the edge ring FR and the cover ring CR are integrated by placing the edge ring FR on the cover ring CR.
  • the second assembly A2 is an assembly in which the conveying jig CJ and the edge ring FR are integrated by placing the edge ring FR on the conveying jig CJ.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing the upper fork FK21 holding the first assembly A1 (edge ring FR and cover ring CR). As shown in FIG. 7, the upper fork FK21 is configured to hold the first assembly A1. Thereby, the transport robot TR2 can transport the edge ring FR and the covering CR at the same time.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing the upper fork FK21 holding the second assembly A2 (conveying jig CJ and edge ring FR). As shown in FIG. 8, the upper fork FK21 is configured to hold the second assembly A2. Thereby, the transport robot TR2 can simultaneously transport the transport jig CJ and the edge ring FR.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing the upper fork FK21 holding only the conveying jig CJ.
  • the upper fork FK21 is configured to be able to hold the carrier jig CJ that does not support the edge ring FR.
  • the transport robot TR2 can independently transport the transport jig CJ.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view showing an example of the cassette 78 inside the storage module SM. Note that FIG. 10 shows the cassette 78 in a state in which the edge ring FR is not stored.
  • the cassette 78 accommodates the edge ring FR.
  • the cassette 78 has multiple base plates 781 and multiple guide pins 782 .
  • a plurality of base plates 781 are provided in multiple stages in the vertical direction.
  • a plurality of base plates 781 carry edge rings FR.
  • Each base plate 781 has a substantially rectangular plate shape.
  • Each base plate 781 is made of resin or metal, for example.
  • Each base plate 781 includes a mounting surface 781a, an outer frame portion 781b and a fork insertion groove 781c.
  • the mounting surface 781a mounts the edge ring FR.
  • the outer frame portion 781b protrudes upward from the mounting surface 781a at the outer periphery of three sides of the mounting surface 781a, excluding one side on the front side into which the upper fork FK21 and the lower fork FK22 are inserted. do.
  • Another base plate 781 is mounted on the outer frame portion 781b.
  • the fork insertion groove 781c is formed in the mounting surface 781a.
  • the fork insertion groove 781c is recessed with respect to the mounting surface 781a and has a substantially U shape when viewed from above.
  • An upper fork FK21 or a lower fork FK22 of the transport robot TR2 is inserted into the fork insertion groove 781c.
  • the edge ring FR positioned on the placement surface 781a is unloaded from the cassette 78, the upper fork FK21 or the lower fork FK22 of the transport robot TR2 is inserted into the fork insertion groove 781c.
  • a plurality of guide pins 782 are provided on the mounting surface 781a.
  • Each guide pin 782 may have a conical shape with a tapered tip.
  • the plurality of guide pins 782 come into contact with the outer peripheral portion of the edge ring FR so that the edge ring FR is mounted at a predetermined position on the mounting surface 781a. to guide you.
  • Each guide pin 782 may be made of resin, metal, or the like. If it is resin, it is possible to suppress generation of particles due to rubbing when contacting the outer peripheral portion of the edge ring FR.
  • FIG. 10 illustrates the cassette 78 containing the edge ring FR, the cassette 78 containing the conveying jig CJ, the cover ring CR, the first assembly A1, and the second assembly A2, for example, It may have a similar configuration except for the plurality of guide pins 782 .
  • a plurality of guide pins 782 are provided at positions that contact the inner peripheral portion of the cover ring CR. As a result, the cover ring CR is guided and placed at a predetermined position on the placement surface 781a.
  • a plurality of guide pins 782 are provided at positions that contact the outer peripheral portion of the edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR placed on the placement surface 781a. is provided. As a result, the edge ring FR and the cover ring CR are guided and mounted at predetermined positions on the mounting surface 781a.
  • FIGS. 11A to 11C are diagrams showing an example of a positioning mechanism for the edge ring FR.
  • FIG. 11A is a top view when the upper fork FK21 is inserted below the edge ring FR placed on the base plate 781.
  • FIG. 11B shows a cross section cut along the dashed line B1-B1 in FIG. 11A.
  • FIG. 11C is a cross-sectional view when the edge ring FR placed on the base plate 781 is lifted by the upper forks FK21.
  • the edge ring FR has a notch FRa on its outer circumference.
  • the notch FRa has, for example, a V shape in plan view.
  • the opening angle of the V-shape may be set appropriately, and may be 90°, for example.
  • the notch FRa may have a curved shape such as a U shape in plan view, for example.
  • the upper fork FK21 is advanced below the edge ring FR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS. 11A and 11B, the upper fork FK21 is advanced below the edge ring FR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS. 11A and 11B, the upper fork FK21 is advanced below the edge ring FR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS. 11A and 11B, the upper fork FK21 is advanced below the edge ring FR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS.
  • the upper fork FK21 is raised.
  • the upper fork FK21 holds the edge ring FR stored in the cassette 78 while being positioned on the base plate 781, and conveys it to the process modules PM1 to PM12.
  • the upper fork FK21 holds the edge ring FR stored in the cassette 78 while positioned on the base plate 781, and conveys it to the process modules PM1 to PM12. Therefore, the edge ring FR can be transported to the process modules PM1 to PM12 in a state of being accurately positioned without separately providing an aligner for positioning the edge ring FR.
  • the downtime caused by transporting the edge ring FR to the aligner can be reduced.
  • the equipment introduction cost can be reduced.
  • space efficiency is improved.
  • an aligner may be provided separately, and the edge ring FR may be transported after more precisely aligned with the aligner.
  • edge ring FR has one notch FRa on the outer circumference, but the number of notches FRa is not limited to this.
  • the edge ring FR may have a plurality of cutouts FRa on its outer periphery, which are spaced apart from each other in the circumferential direction. In this case, it is preferable to provide the guide pin 782 corresponding to each of the plurality of cutouts FRa. This makes it possible to reduce the angle error.
  • the upper fork FK21 is used, but the lower fork FK22 may be used.
  • FIGS. 12A to 12C are diagrams showing an example of a positioning mechanism for the covering CR.
  • FIG. 12A is a top view when the upper fork FK21 is inserted below the cover ring CR placed on the base plate 781.
  • FIG. 12B shows a cross section cut along the dashed line B2-B2 in FIG. 12A.
  • FIG. 12C is a cross-sectional view when the cover ring CR placed on the base plate 781 is lifted by the upper forks FK21.
  • the cover ring CR has a notch CRa on its inner periphery.
  • the notch CRa has, for example, a V shape in plan view.
  • the opening angle of the V-shape may be set appropriately, and may be 90°, for example.
  • the notch CRa may have a curved shape such as a U shape in plan view, for example.
  • the upper fork FK21 is advanced below the cover ring CR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS. 12A and 12B, the upper fork FK21 is advanced below the cover ring CR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS. 12A and 12B, the upper fork FK21 is advanced below the cover ring CR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS. 12A and 12B, the upper fork FK21 is advanced below the cover ring CR placed on the base plate 781. Then, as shown in FIGS.
  • the upper fork FK21 is raised.
  • the upper fork FK21 holds the cover ring CR housed in the cassette 78 while being positioned on the base plate 781, and conveys it to the process modules PM1 to PM12.
  • the upper fork FK21 holds the cover ring CR stored in the cassette 78 while positioned on the base plate 781, and conveys it to the process modules PM1 to PM12. Therefore, without separately providing an aligner for positioning the covering CR, the covering CR can be transported to the process modules PM1 to PM12 in a state of being precisely positioned. As a result, the downtime caused by transporting the covering CR to the aligner can be reduced. Moreover, the equipment introduction cost can be reduced. Also, space efficiency is improved. However, an aligner may be provided separately, and the cover ring CR may be transported after more precisely aligned with the aligner.
  • FIGS. 12A to 12C show the case where the cover ring CR has one cutout CRa on the inner periphery
  • the number of cutouts CRa is not limited to this.
  • the cover ring CR may have a plurality of cutouts CRa on the inner periphery, which are spaced apart from each other in the circumferential direction.
  • the upper fork FK21 is used, but the lower fork FK22 may be used.
  • FIGS. 13A to 13C are diagrams showing an example of a positioning mechanism for edge ring FR and cover ring CR.
  • 13A is a top view when the upper fork FK21 is inserted below the edge ring FR and the cover ring CR placed on the base plate 781.
  • FIG. 13B shows a cross section cut along the dashed line B3-B3 in FIG. 13A.
  • FIG. 13C is a sectional view when the edge ring FR and the cover ring CR placed on the base plate 781 are lifted by the upper fork FK21.
  • the inner circumference of the cover ring CR is smaller than the outer circumference of the edge ring FR
  • the inner circumference of the cover ring CR is the same as the outer circumference of the edge ring FR
  • the process module PM1 ⁇ PM12 can be used when it is a plasma processing apparatus shown in FIG. 29, which will be described later.
  • the edge ring FR has a notch FRa on its outer circumference
  • the cover ring CR has a notch CRa on its inner circumference.
  • the cutouts FRa and CRa have, for example, a V shape in plan view.
  • the opening angle of the V-shape may be, for example, 90°.
  • the cutouts FRa and CRa may have a curved shape such as a U shape in plan view, for example.
  • the upper fork FK21 is advanced below the edge ring FR and the cover ring CR placed on the base plate 781. As shown in FIGS. 13A and 13B, the upper fork FK21 is advanced below the edge ring FR and the cover ring CR placed on the base plate 781. As shown in FIGS. 13A and 13B, the upper fork FK21 is advanced below the edge ring FR and the cover ring CR placed on the base plate 781. As shown in FIGS.
  • the upper fork FK21 is raised.
  • the upper fork FK21 holds the edge ring FR and the cover ring CR which are accommodated in the cassette 78 while being positioned on the base plate 781, and conveys them to the process modules PM1 to PM12.
  • the upper fork FK21 holds the edge ring FR and the cover ring CR which are accommodated in the cassette 78 while being positioned on the base plate 781, and conveys them to the process modules PM1-PM12. Therefore, the edge ring FR and the cover ring CR can be conveyed to the process modules PM1 to PM12 in a state of being precisely positioned without separately providing an aligner for positioning the edge ring FR and the cover ring CR. As a result, the downtime caused by transporting the edge ring FR and covering CR to the aligner can be reduced. Moreover, the equipment introduction cost can be reduced. Also, space efficiency is improved. However, an aligner may be provided separately, and the edge ring FR and the cover ring CR may be aligned more precisely by the aligner and transported.
  • the edge ring FR has one notch FRa on the outer circumference and the cover ring CR has one notch CRa on the inner circumference.
  • the number of CRa is not limited to this.
  • the edge ring FR has a plurality of circumferentially spaced notches FRa on its outer periphery
  • the cover ring CR has a plurality of circumferentially spaced notches CRa on its inner periphery. good too.
  • the upper fork FK21 is used, but the lower fork FK22 may be used.
  • edge ring FR and the cover ring CR are positioned on the outer circumference or the inner circumference
  • present invention is not limited to this.
  • recesses (or protrusions) for positioning may be provided on the rear surfaces of the edge ring FR and the cover ring CR (surfaces on the side to be placed on the placement surface 781a) for positioning.
  • the edge ring FR may be positioned by holding the edge ring FR in a state of being positioned with respect to the cover ring CR, and positioning the cover ring CR by providing a positioning portion on the outer circumference of the cover ring CR, for example. good.
  • edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR overlap, recesses (or protrusions) for positioning are provided in the non-overlapping regions of the edge ring FR and the cover ring CR. part) may be provided.
  • the guide pin 782 may be provided at a position where it engages with the recess.
  • the edge ring FR and/or the cover ring CR are placed on the base plate 781 of the cassette 78 using the upper fork FK21 of the transfer robot TR2.
  • the operator opens the door 80 provided on the side of the storage module SM facing the gate valve G4 to remove the edge ring FR and/or the cover ring CR from the base plate 781 of the cassette 78. You can put it on top. Moreover, you may mount using another robot.
  • FIG. 14 is a schematic top view showing an example of the second assembly A2 housed in the cassette 78. As shown in FIG. 14
  • the upper fork FK21 is moved below the second assembly A2 placed on the base plate 781. Then, as shown in FIG. Subsequently, the upper fork FK21 is raised. Thereby, the upper fork FK21 holds the second assembly A2 stored in the cassette 78 and conveys it to the process modules PM1 to PM12.
  • the transport robot TR2 holds the second assembly A2 (transport jig CJ and edge ring FR) housed in the cassette 78 by the upper forks FK21, and transfers the transport jigs to the process modules PM1 to PM12. Simultaneously convey CJ and edge ring FR.
  • the second assembly A2 transport jig CJ and edge ring FR
  • the upper fork FK21 is used, but the lower fork FK22 may be used.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing an example of the transport jig CJ accommodated in the cassette 78. As shown in FIG.
  • the upper fork FK21 is advanced below the transfer jig CJ placed on the base plate 781. Then, as shown in FIG. Subsequently, the upper fork FK21 is raised. Thereby, the upper fork FK21 holds the transfer jig CJ stored in the cassette 78 and transfers it to the process modules PM1 to PM12.
  • the transport robot TR2 holds the transport jig CJ stored in the cassette 78 by the upper fork FK21, and transports the transport jig CJ alone to the process modules PM1 to PM12.
  • FIG. 15 illustrates the case where the upper fork FK21 is used, the lower fork FK22 may be used.
  • FIG. 16 is a schematic perspective view showing another example of the cassette 78 in the storage module SM, showing a cassette 78X that stores an edge ring FR that is an example of a consumable member.
  • the cassette 78X shown in FIG. 16 has an inclined block 782b having an inclined surface that abuts against the outer periphery of the edge ring FR and holds the edge ring FR at a predetermined position, instead of the plurality of guide pins 782. It differs from the cassette 78 shown in FIG. Other configurations may be the same as those of the cassette 78 shown in FIG.
  • the cassette 78 may have an inclined block (not shown) having an inclined surface that abuts against the inner peripheral portion of the cover ring CR and holds the cover ring CR at a predetermined position. good.
  • the cassette 78 is an inclined block having an inclined surface that contacts the outer peripheral portion of the edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR to hold the edge ring FR and the cover ring CR at predetermined positions. (not shown).
  • the tilt block may be configured to abut against the inner periphery of the edge ring FR to hold the edge ring FR in place.
  • the inclined block may be configured to hold the cover ring CR by coming into contact with the outer peripheral portion of the cover ring CR.
  • the control unit CU selects a simultaneous transport mode in which the transport robot TR2 transports the edge ring FR and the covering CR simultaneously.
  • the controller 90 is included in the controller CU, and the controller CU controls the transport robot TR2 and the lifter 50.
  • the control unit 90 may be provided separately from the control unit CU so that the control unit CU controls the transport robot TR2 and the control unit 90 controls the lifter 50 . It is assumed that the outer peripheral portion of the edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR overlap in plan view. Also, in the initial state, the edge ring FR and the cover ring CR are placed on the electrostatic chuck 112 as shown in FIGS. 17A and 17B.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 521 from the standby position to the support position.
  • the upper ends of the plurality of support pins 521 come into contact with the lower surface of the cover ring CR, the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 521 , and the cover ring CR is separated from the electrostatic chuck 112 .
  • the outer peripheral portion (outer annular portion) of the edge ring FR is placed on the inner peripheral portion of the cover ring CR. Therefore, when the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 521, the edge ring FR is also lifted together with the cover ring CR. That is, the edge ring FR and the cover ring CR are separated from the electrostatic chuck 112 together.
  • control unit CU does not hold the object to be conveyed between the edge ring FR and the cover ring CR supported by the plurality of support pins 521 and the electrostatic chuck 112. Lower fork FK22 is advanced.
  • the control unit CU lowers the plurality of support pins 521 from the support position to the standby position. Thereby, the edge ring FR and the cover ring CR supported by the plurality of support pins 521 are placed on the lower fork FK22.
  • control unit CU withdraws the lower fork FK22 holding the edge ring FR and the cover ring CR.
  • the control unit CU moves the upper fork FK21 holding the replacement edge ring FR and the replacement cover ring CR above the electrostatic chuck 112 .
  • the replacement edge ring FR may be a new (unused) one, or a used and not so worn one.
  • the replacement cover ring CR may be a new (unused) one or a used one that is not so worn.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 521 from the standby position to the support position.
  • the upper ends of the plurality of support pins 521 contact the lower surface of the cover ring CR held by the upper fork FK21, the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 521, and the cover ring CR is lifted from the upper fork FK21.
  • the outer peripheral portion of the edge ring FR is placed on the inner peripheral portion of the cover ring CR. Therefore, the support pins 521 lift the edge ring FR and the cover ring CR. That is, the edge ring FR and the cover ring CR are integrally separated from the upper fork FK21.
  • control unit CU retracts the upper fork FK21 that does not hold the object to be conveyed.
  • the control unit CU lowers the plurality of support pins 521 from the support position to the standby position. Thereby, the edge ring FR and the cover ring CR supported by the plurality of support pins 521 are placed on the electrostatic chuck 112 . As described above, as shown in FIGS. 17A and 17B, the edge ring FR and the cover ring CR are simultaneously carried into the plasma processing chamber 10 and placed on the electrostatic chuck 112 .
  • control unit CU carries in the edge ring FR and the cover ring CR described above. and perform the opposite action.
  • the edge ring FR and the covering CR can be transported simultaneously.
  • the control unit CU selects and executes a single transport mode in which the transport robot TR2 transports only the edge ring FR.
  • the controller 90 is included in the controller CU, and the controller CU controls the transport robot TR2 and the lifter 50.
  • the control unit 90 may be provided separately from the control unit CU so that the control unit CU controls the transport robot TR2 and the control unit 90 controls the lifter 50 . It is assumed that the outer peripheral portion of the edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR overlap in plan view. Also, in the initial state, the edge ring FR and the cover ring CR are placed on the electrostatic chuck 112 as shown in FIGS. 17A and 17B.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 521 from the standby position to the support position.
  • the upper ends of the plurality of support pins 521 come into contact with the lower surface of the cover ring CR, the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 521 , and the cover ring CR is separated from the electrostatic chuck 112 .
  • the outer peripheral portion of the edge ring FR is placed on the inner peripheral portion of the cover ring CR. Therefore, when the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 521, the edge ring FR is also lifted together with the cover ring CR. That is, the edge ring FR and the cover ring CR are separated from the electrostatic chuck 112 together.
  • control unit CU holds the conveying jig CJ between the edge ring FR and the cover ring CR supported by the plurality of support pins 521 and the electrostatic chuck 112. Enter the fork FK22.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 511 from the standby position to the support position.
  • the upper ends of the plurality of support pins 511 contact the lower surface of the carrier jig CJ, the carrier jig CJ is lifted by the plurality of support pins 511, and the carrier jig CJ is separated from the lower forks FK22.
  • control unit CU withdraws the lower fork FK22 that does not hold the object to be conveyed.
  • the control unit CU lowers the plurality of support pins 521 from the support position to the standby position.
  • the inner peripheral portion (inner annular portion) of the edge ring FR is supported by the conveying jig CJ, only the cover ring CR supported by the plurality of support pins 521 is placed on the electrostatic chuck 112. be.
  • control unit CU holds the object to be transported between the transport jig CJ and the edge ring FR supported by the plurality of support pins 511 and the electrostatic chuck 112.
  • the lower fork FK22 that is not in use is advanced.
  • the control unit CU lowers the plurality of support pins 511 from the support position to the standby position. Thereby, the conveying jig CJ and the edge ring FR supported by the plurality of support pins 511 are placed on the lower fork FK22.
  • control unit CU withdraws the lower fork FK22 holding the conveying jig CJ and the edge ring FR.
  • control unit CU causes the upper fork FK21 holding the transfer jig CJ holding the replacement edge ring FR to enter above the electrostatic chuck 112 .
  • the control unit CU controls the plurality of support pins 511 to move up from the standby position to the support position.
  • the upper ends of the plurality of support pins 511 come into contact with the lower surface of the conveying jig CJ held by the upper forks FK21, the conveying jig CJ is lifted by the plurality of supporting pins 511, and the conveying jig CJ rises. Separate from fork FK21.
  • the inner peripheral portion of the edge ring FR is placed on the conveying jig CJ.
  • the edge ring FR is also lifted together with the conveying jig CJ. That is, the conveying jig CJ and the edge ring FR are integrally separated from the upper fork FK21.
  • control unit CU withdraws the upper fork FK21 that does not hold the object to be conveyed.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 521 from the standby position to the support position.
  • the upper ends of the plurality of support pins 521 come into contact with the lower surface of the cover ring CR placed on the electrostatic chuck 112, the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 521, and the cover ring CR remains static. Separated from the electric chuck 112 . Further, the outer peripheral portion of the edge ring FR placed on the conveying jig CJ is placed on the inner peripheral portion of the cover ring CR.
  • control unit CU moves the upper fork FK21, which does not hold the object to be conveyed, between the conveying jig CJ, the edge ring FR, the cover ring CR, and the electrostatic chuck 112. let in.
  • the control unit CU lowers the plurality of support pins 511 from the support position to the standby position.
  • the outer peripheral portion of the edge ring FR is placed on the inner peripheral portion of the cover ring CR, only the conveying jig CJ supported by the plurality of support pins 511 is placed on the upper fork FK21.
  • control unit CU retracts the upper fork FK21 holding the conveying jig CJ.
  • the control unit CU lowers the plurality of support pins 521 from the support position to the standby position. Thereby, the edge ring FR and the cover ring CR supported by the plurality of support pins 521 are placed on the electrostatic chuck 112 .
  • only the edge ring FR can be transported independently without exchanging the covering CR.
  • only the edge ring FR is carried into the plasma processing chamber 10 and placed on the electrostatic chuck 112 on which the cover ring CR is placed.
  • control unit CU executes the reverse operation of importing FR.
  • FIG. 24 is a flow chart showing an example of a consumable member replacement method according to the embodiment.
  • the consumable member replacement method of the embodiment shown in FIG. 24 is performed by controlling each part of the processing system PS by the control unit CU.
  • the control unit CU determines whether or not the covering CR needs to be replaced. In this embodiment, the control unit CU determines whether or not the covering CR needs to be replaced, based on, for example, the integrated RF time, the integrated RF power, and the integrated value of the specific step of the recipe. The RF integration time, the RF integration power, and the integration value of the specific step of the recipe will be described later. Further, the control unit CU may determine whether or not the cover ring CR needs to be replaced by detecting the height position of the cover ring CR using, for example, optical means. In another example, the control unit CU may count the number of exchanges of the edge ring FR and exchange the covering CR when the number reaches a predetermined value.
  • the cover ring CR may be replaced once. At this time, the cover ring CR is also replaced at the timing of the third replacement of the edge ring FR.
  • the control unit CU may simultaneously replace the edge ring FR and the covering CR in the replacement period of the covering CR.
  • the flowchart of FIG. 24 is an example in which the edge ring FR and the covering CR are replaced at the same time during the replacement cycle of the covering CR.
  • step S10 If it is determined in step S10 that the covering CR needs to be replaced, the control unit CU advances the process to step S20. On the other hand, if it is determined in step S10 that the covering CR does not need to be replaced, the control unit CU advances the process to step S40.
  • the control unit CU determines whether or not the edge ring FR and the covering CR can be exchanged. For determining whether or not the edge ring FR and the covering CR can be exchanged, for example, the same determination method as that for determining whether or not the edge ring FR can be exchanged can be used. However, different determination methods may be used. If it is determined in step S20 that the edge ring FR and the covering CR can be exchanged, the control unit CU advances the process to step S30. On the other hand, if it is determined in step S20 that the edge ring FR and the covering CR cannot be exchanged, the control unit CU performs step S20 again.
  • step S30 the control unit CU selects the simultaneous transport mode and causes the transport robot TR2 to transport the edge ring FR and the covering CR at the same time. Details of step S30 will be described later.
  • the control unit CU determines whether or not the edge ring FR needs to be replaced. In this embodiment, the control unit CU determines whether or not the edge ring FR needs to be replaced based on, for example, the RF integrated time, the RF integrated power, and the integrated value of the specific step of the recipe.
  • the RF integrated time is the integrated value of the time during which the high frequency power is supplied in the process module PM12 during the predetermined plasma processing.
  • the RF integrated power is an integrated value of high-frequency power supplied in the process module PM12 during predetermined plasma processing.
  • the integrated value of the specific step of the recipe is the integrated value of the time during which the high-frequency power is supplied in the step of cutting the edge ring FR among the processing steps performed in the process module PM12, or the integrated value of the high-frequency power. Note that the integrated RF time, integrated RF power, and integrated value of a specific step of a recipe are values calculated starting from the point of time when the edge ring FR is replaced, such as when the device is installed or when maintenance is performed. be.
  • the control unit CU determines that the edge ring FR needs to be replaced when the RF integrated time reaches the threshold. . On the other hand, if the RF integrated time has not reached the threshold, the control unit CU determines that it is not necessary to replace the edge ring FR.
  • the threshold value is a value that is determined according to the type of the material of the edge ring FR, etc., through a preliminary experiment or the like.
  • the control unit CU determines that the edge ring FR needs to be replaced when the RF integrated power reaches the threshold. . On the other hand, if the RF integrated power has not reached the threshold, the control unit CU determines that the edge ring FR does not need to be replaced.
  • the threshold value is a value that is determined according to the type of the material of the edge ring FR, etc., through a preliminary experiment or the like.
  • the control unit CU determines if the integrated RF time or integrated RF power in a specific step reaches a threshold value. It is determined that the edge ring FR needs to be replaced. On the other hand, the control unit CU determines that it is not necessary to replace the edge ring FR when the RF integrated time or RF integrated power in the specific step has not reached the threshold.
  • the edge ring FR is replaced based on the step in which high-frequency power is applied and the edge ring FR is shaved.
  • Timing can be calculated. Therefore, the timing for replacing the edge ring FR can be calculated with particularly high accuracy.
  • the threshold value is a value that is determined according to the type of the material of the edge ring FR, etc., through a preliminary experiment or the like.
  • control unit CU may determine whether or not the edge ring FR needs to be replaced by detecting the height position of the edge ring FR using, for example, optical means.
  • step S40 If it is determined in step S40 that the edge ring FR needs to be replaced, the control unit CU advances the process to step S50. On the other hand, when determining that the edge ring FR does not need to be replaced, the control unit CU returns the process to step S10.
  • the control unit CU determines whether or not the edge ring FR can be replaced.
  • the control unit CU determines that the edge ring FR can be replaced when the substrate W is not processed in the process module PM12 that replaces the edge ring FR, for example.
  • the control unit CU determines that the edge ring FR cannot be replaced.
  • the control unit CU is capable of exchanging the edge ring FR when, for example, the processing of substrates W of the same lot as the substrate W being processed in the process module PM12 for exchanging the edge ring FR is completed. can be determined. In this case, the control unit CU determines that the edge ring FR cannot be replaced until the substrates W in the same lot as the substrates W being processed in the process module PM12 are completely processed.
  • step S50 If it is determined in step S50 that the edge ring FR can be replaced, the control unit CU advances the process to step S60. On the other hand, when determining that the edge ring FR cannot be replaced, the control unit CU performs step S50 again.
  • step S60 the control unit CU selects the single transport mode and causes the transport robot TR2 to transport only the edge ring FR. Details of step S60 will be described later.
  • Step S30 includes a first cleaning step S31, a carry-out step S32, a second cleaning step S33, a carry-in step S34, and a seasoning step S35. Each step will be described below.
  • the first cleaning step S31 is a step for cleaning the process module PM12.
  • the control unit CU performs cleaning processing of the process module PM12 by controlling the gas introduction system, the exhaust system, the power introduction system, and the like.
  • the cleaning process is a process of removing deposits generated in the process module PM12 by the plasma process using plasma of the processing gas or the like, and stabilizing the inside of the process module PM12 in a clean state.
  • processing gas examples include oxygen (O 2 ) gas, carbon fluoride (CF) gas, nitrogen (N 2 ) gas, argon (Ar) gas, helium (He) gas, or two or more of these gases. Mixed gases can be used.
  • oxygen (O 2 ) gas carbon fluoride (CF) gas
  • nitrogen (N 2 ) gas nitrogen (N 2 ) gas
  • argon (Ar) gas argon (Ar) gas
  • He helium
  • the first cleaning step S31 may not be performed when deposits do not roll up, such as when deposits do not exist in the process module PM12.
  • edge ring FR and the cover ring CR are attracted to the stage by the electrostatic chuck 112
  • static elimination processing is performed before the next unloading step S32.
  • the edge ring FR and the cover ring CR are lifted away from the electrostatic chuck 112 and the insulator 115 during the first cleaning step S31.
  • the state is changed between the state in which the edge ring FR and the cover ring CR are lifted (lifted up) and the state in which they are not lifted (not lifted up).
  • the cleaning process may be performed while the edge ring FR and the cover ring CR are lifted and/or not lifted.
  • the unloading step S32 is a step of unloading the edge ring FR and the covering CR from the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS to unload the edge ring FR and the covering CR from the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the gate valve G1 is opened, and the edge ring FR and the cover ring CR placed on the stage inside the process module PM12 are carried out from the process module PM12 by the transfer robot TR2.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS and unloads the edge ring FR and the covering CR placed on the stage inside the process module PM12.
  • the gate valve G4 is opened, and the edge ring FR and the cover ring CR unloaded from the process module PM12 are stored in the storage module SM by the transfer robot TR2.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS, carries out the edge ring FR and the covering ring CR from the process module PM2, and stores them in the storage module SM by the transport method shown in FIGS. 18A to 18D. .
  • the second cleaning step S33 is a step of cleaning the surface of the stage of the process module PM12 on which the edge ring FR and the cover ring CR are placed.
  • the control unit CU controls the gas introduction system, the exhaust system, the electric power introduction system, etc., to clean the surface on which the edge ring FR and the cover ring CR of the stage of the process module PM12 are placed. Carry out the cleaning process.
  • the cleaning process in the second cleaning step S33 can be performed, for example, by the same method as in the first cleaning step S31. That is, as the processing gas, for example, O 2 gas, CF-based gas, N 2 gas, Ar gas, He gas, or a mixed gas of two or more of these can be used.
  • the cleaning process is performed with a substrate W such as a dummy wafer placed on the upper surface of the electrostatic chuck 112.
  • the second cleaning step S33 may be omitted.
  • the loading step S34 is a step of loading the edge ring FR and the covering CR into the process module PM12 and placing them on the stage without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS so as to load the edge ring FR and the covering CR into the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the gate valve G4 is opened, and the replacement edge ring FR and the cover ring CR housed in the storage module SM are carried out by the transport robot TR2.
  • the gate valve G1 is opened, and the transfer robot TR2 carries the replacement edge ring FR and the cover ring CR into the process module PM12 and places them on the stage.
  • control unit CU controls each part of the processing system PS, and moves the edge ring FR and the cover ring CR stored in the storage module SM to the stage in the process module PM12 by the transport method shown in FIGS. 19A to 19D. Place.
  • the seasoning step S35 is a step of performing a seasoning process for the process module PM12.
  • the control unit CU performs seasoning processing of the process module PM12 by controlling the gas introduction system, the exhaust system, the power introduction system, and the like.
  • the seasoning process is a process for stabilizing the temperature and deposit state in the process module PM12 by performing a predetermined plasma process.
  • the quality control wafer may be loaded into the process module PM12 and subjected to a predetermined process. This makes it possible to confirm whether the state of the process module PM12 is normal. Note that the seasoning step S35 may be omitted.
  • the edge ring FR and the covering ring CR are carried out from the process module PM12 by the transport robot TR2 without opening the process module PM12 to the atmosphere. After that, the inside of the process module PM12 is cleaned, and then the edge ring FR and the covering CR are carried into the process module PM12 by the transport robot TR2.
  • the edge ring FR and the cover ring CR can be replaced at the same time without the operator manually replacing the edge ring FR and the cover ring CR. Therefore, the time required for exchanging the edge ring FR and the cover ring CR can be shortened, improving productivity.
  • edge ring FR and the cover ring CR and the edge ring FR and the cover ring CR are cleaned. It is possible to suppress the presence of deposits between the surface on which the is placed. As a result, good contact between the edge ring FR and the cover ring CR can be maintained in good temperature controllability.
  • the step S60 includes a first cleaning step S61, a carry-out step S62, a second cleaning step S63, a carry-in step S64, and a seasoning step S65. Each step will be described below.
  • the first cleaning step S61 is a step for cleaning the process module PM12.
  • the control unit CU performs cleaning processing of the process module PM12 by controlling the gas introduction system, the exhaust system, the power introduction system, and the like.
  • the cleaning process is a process of removing deposits generated in the process module PM12 by the plasma process using plasma of the processing gas or the like, and stabilizing the inside of the process module PM12 in a clean state.
  • the processing gas for example, O 2 gas, CF-based gas, N 2 gas, Ar gas, He gas, or a mixed gas of two or more of these can be used.
  • the cleaning process is performed with a substrate W such as a dummy wafer placed on the upper surface of the electrostatic chuck 112.
  • the first cleaning step S61 may not be performed when deposits do not roll up, such as when deposits do not exist in the process module PM12.
  • static elimination processing is performed before the next unloading step S62.
  • the edge ring FR and/or the cover ring CR are separated from the electrostatic chuck 112 and the insulator 115 during the first cleaning step S61. You can lift it up to do so. Further, during execution of the first cleaning step S61, the state may be changed between the state in which the edge ring FR and the cover ring CR are lifted up and the state in which they are not lifted up. As described above, in the first cleaning step S61, the cleaning process may be performed while the edge ring FR and the cover ring CR are lifted and/or not lifted.
  • the unloading step S62 is a step of unloading the edge ring FR from the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS so as to unload the edge ring FR from the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the gate valve G1 is opened, and the edge ring FR placed on the stage inside the process module PM12 is carried out from the process module PM12 by the transport robot TR2.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS and unloads the edge ring FR placed on the stage inside the process module PM12.
  • the gate valve G4 is opened, and the edge ring FR carried out from the process module PM12 is stored in the storage module SM by the transfer robot TR2.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS, carries out the edge ring FR from the process module PM2 and stores it in the storage module SM by the transport method shown in FIGS. 20A to 21D.
  • the second cleaning step S63 is a step of cleaning the surface of the stage of the process module PM12 on which the edge ring FR is placed.
  • the control unit CU controls the gas introduction system, the exhaust system, the electric power introduction system, etc., to clean the surface of the stage of the process module PM12 on which the edge ring FR is mounted.
  • the cleaning process in the second cleaning step S63 can be performed, for example, by the same method as in the first cleaning step S61. That is, as the processing gas, for example, O 2 gas, CF-based gas, N 2 gas, Ar gas, He gas, or a mixed gas of two or more of these can be used.
  • the cleaning process is performed with a substrate W such as a dummy wafer placed on the upper surface of the electrostatic chuck 112.
  • the second cleaning step S63 may be omitted.
  • the loading step S64 is a step of loading the edge ring FR into the process module PM12 and placing it on the stage without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS so as to load the edge ring FR into the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the gate valve G4 is opened, and the replacement edge ring FR stored in the storage module SM is carried out by the transport robot TR2.
  • the gate valve G1 is opened, and the transfer robot TR2 carries the replacement edge ring FR into the process module PM12 and places it on the stage.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS and places the edge ring FR stored in the storage module SM on the stage in the process module PM12 by the transfer method shown in FIGS. 22A to 23D.
  • the seasoning step S65 is a step of performing a seasoning process for the process module PM12.
  • the control unit CU performs seasoning processing of the process module PM12 by controlling the gas introduction system, the exhaust system, the power introduction system, and the like.
  • the seasoning process is a process for stabilizing the temperature and deposit state in the process module PM12 by performing a predetermined plasma process.
  • the quality control wafer may be loaded into the process module PM12 and subjected to a predetermined process. This makes it possible to confirm whether the state of the process module PM12 is normal. Note that the seasoning step S65 may be omitted.
  • the transport robot TR2 carries out the edge ring FR from the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere. After that, the inside of the process module PM12 is cleaned, and then the edge ring FR is carried into the process module PM12 by the transport robot TR2.
  • the edge ring FR alone can be replaced without the operator manually replacing the edge ring FR. Therefore, the time required for exchanging the edge ring FR can be shortened, and productivity is improved.
  • the presence of deposits between the edge ring FR and the surface on which the edge ring FR is mounted is detected by cleaning the surface on which the edge ring FR is mounted before the edge ring FR is carried. can be suppressed. As a result, good contact between the two can be achieved, and good temperature controllability of the edge ring FR can be maintained.
  • FIG. 27 is a flow chart showing another example of the consumable member replacement method according to the embodiment.
  • the consumable member replacement method of the embodiment shown in FIG. 27 is performed by controlling each part of the processing system PS by the control unit CU.
  • step S110 the control unit CU determines whether or not the covering CR needs to be replaced.
  • step S110 for example, the same determination method as in step S10 described above can be used.
  • step S110 If it is determined in step S110 that the covering CR needs to be replaced, the control unit CU advances the process to step S120. On the other hand, if it is determined in step S110 that the covering CR does not need to be replaced, the control unit CU advances the process to step S170.
  • the control unit CU determines whether or not the edge ring FR needs to be replaced. In this embodiment, the control unit CU determines whether or not the edge ring FR needs to be replaced based on, for example, the above-described RF integrated time, RF integrated power, and integrated value of a specific step of the recipe. Further, the control unit CU may determine whether or not the edge ring FR needs to be replaced by detecting the height position of the edge ring FR using, for example, optical means.
  • step S120 If it is determined in step S120 that the edge ring FR needs to be replaced, the control unit CU advances the process to step S130. On the other hand, if it is determined in step S120 that the edge ring FR does not need to be replaced, the control unit CU advances the process to step S150.
  • step S130 the control unit CU determines whether the edge ring FR and the covering CR can be exchanged.
  • step S130 for example, the same determination method as in step S20 can be used.
  • step S130 If it is determined in step S130 that the edge ring FR and the covering CR can be exchanged, the control unit CU advances the process to step S140. On the other hand, if it is determined in step S130 that the edge ring FR and the covering CR cannot be exchanged, the control unit CU performs step S130 again.
  • step S140 the control unit CU selects the simultaneous transport mode and causes the transport robot TR2 to transport the edge ring FR and the covering CR at the same time.
  • step S140 for example, the same transport method as in step S30 can be used.
  • the control unit CU determines whether or not the covering CR can be replaced. In this embodiment, the control unit CU determines that the covering CR can be replaced when the substrate W is not processed in the process module PM12 that replaces the covering CR, for example. On the other hand, if the substrate W is being processed in the process module PM12, the control unit CU determines that the cover ring CR cannot be replaced. Further, the control unit CU can replace the covering CR when, for example, the processing of substrates W of the same lot as the substrates W being processed in the process module PM12 for exchanging the covering CR is completed. can be determined. In this case, the control unit CU determines that the cover ring CR cannot be replaced until the substrates W in the same lot as the substrates W being processed in the process module PM12 are completely processed.
  • step S150 If it is determined in step S150 that the covering CR can be replaced, the control unit CU advances the process to step S160. On the other hand, if it is determined in step S150 that the covering CR cannot be replaced, the control unit CU performs step S150 again.
  • step S160 the control unit CU causes the transport robot TR2 to perform the operation of exchanging only the covering CR. Details of step S160 will be described later.
  • the control unit CU determines whether or not the edge ring FR needs to be replaced. In this embodiment, the control unit CU determines whether or not the edge ring FR needs to be replaced based on, for example, the above-described RF integrated time, RF integrated power, and integrated value of a specific step of the recipe. Further, the control unit CU may determine whether or not the edge ring FR needs to be replaced by detecting the height position of the edge ring FR using, for example, optical means.
  • step S170 If it is determined in step S170 that the edge ring FR needs to be replaced, the control unit CU advances the process to step S180. On the other hand, when determining that the edge ring FR does not need to be replaced, the control unit CU returns the process to step S110.
  • step S180 the control unit CU determines whether or not the edge ring FR can be replaced.
  • step S180 for example, the same determination method as in step S50 can be used.
  • step S180 If it is determined in step S180 that the edge ring FR can be replaced, the control unit CU advances the process to step S190. On the other hand, if it is determined in step S180 that the edge ring FR cannot be replaced, the control unit CU performs step S180 again.
  • step S190 the control unit CU selects the single transport mode and causes the transport robot TR2 to transport only the edge ring FR.
  • step S190 for example, the same transport method as in step S60 can be used.
  • Step S160 includes a first cleaning step S161, a carry-out step S162, a second cleaning step S163, a carry-in step S164, and a seasoning step S165. Each step will be described below.
  • the first cleaning step S161 is a step for cleaning the process module PM12.
  • the control unit CU performs cleaning processing of the process module PM12 by controlling the gas introduction system, the exhaust system, the power introduction system, and the like.
  • the cleaning process is a process of removing deposits generated in the process module PM12 by the plasma process using plasma of the processing gas or the like, and stabilizing the inside of the process module PM12 in a clean state.
  • the processing gas for example, O 2 gas, CF-based gas, N 2 gas, Ar gas, He gas, or a mixed gas of two or more of these can be used.
  • the cleaning process is performed with a substrate W such as a dummy wafer placed on the upper surface of the electrostatic chuck 112.
  • the first cleaning step S161 may not be performed when deposits do not roll up, such as when deposits do not exist in the process module PM12.
  • static elimination processing is performed before the next unloading step S162.
  • the edge ring FR and/or the cover ring CR are separated from the electrostatic chuck 112 and the insulator 115 during the first cleaning step S161. You can lift it up to do so. Further, during execution of the first cleaning step S161, the state may be changed between a state in which the edge ring FR and the covering ring CR are lifted up and a state in which they are not lifted up. As described above, in the first cleaning step S161, the cleaning process may be performed while the edge ring FR and the cover ring CR are lifted and/or not lifted.
  • the unloading step S162 is a step of unloading the edge ring FR and the covering CR from the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS to unload the edge ring FR and the covering CR from the process module PM12 without opening the process module PM12 to the atmosphere.
  • the gate valve G1 is opened, and the edge ring FR and the covering CR placed on the stage inside the process module PM12 are simultaneously carried out from the process module PM12 by the transfer robot TR2.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS to simultaneously unload the edge ring FR and the covering CR placed on the stage inside the process module PM12.
  • the gate valve G4 is opened, and the edge ring FR and the cover ring CR carried out from the process module PM12 are simultaneously stored in the storage module SM by the transfer robot TR2.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS, carries out the edge ring FR and the covering ring CR from the process module PM2, and stores them in the storage module SM by the transport method shown in FIGS. 18A to 18D. .
  • the edge ring FR and the covering CR may be carried out separately.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS, unloads the edge ring FR placed on the stage inside the process module PM12, and then carries out the covering ring FR placed on the stage inside the process module PM12.
  • CR may be carried out.
  • the second cleaning step S163 is a step of cleaning the surface of the stage of the process module PM12 on which the edge ring FR and the cover ring CR are placed.
  • the control unit CU controls the gas introduction system, the exhaust system, the electric power introduction system, etc., so that the surface on which the edge ring FR and the cover ring CR of the stage of the process module PM12 are mounted is cleaned. Carry out the cleaning process.
  • the cleaning process in the second cleaning step S163 can be performed, for example, by the same method as in the first cleaning step S161. That is, as the processing gas, for example, O 2 gas, CF-based gas, N 2 gas, Ar gas, He gas, or a mixed gas of two or more of these can be used.
  • the cleaning process is performed with a substrate W such as a dummy wafer placed on the upper surface of the electrostatic chuck 112.
  • the second cleaning step S163 may be omitted.
  • the loading step S164 is a step of loading the edge ring FR and the replacement cover ring CR carried out in the carrying out step S162 into the process module PM12 without exposing the process module PM12 to the atmosphere, and placing them on the stage.
  • the control unit CU causes the processing system PS to carry in the edge ring FR carried out in the carry-out step S162 and the replacement cover ring CR into the process module PM12 without exposing the process module PM12 to the atmosphere. Control each part.
  • the gate valve G4 is opened, and the used edge ring FR carried out from the process module PM12 and stored in the storage module SM in the carrying-out step S162 by the transport robot TR2 and the replacement edge ring FR stored in the storage module SM. of cover ring CR is carried out.
  • the gate valve G1 is opened, and the used edge ring FR and replacement cover ring CR are carried into the process module PM12 and placed on the stage by the transport robot TR2.
  • the control unit CU controls each part of the processing system PS to process the used edge ring FR and the replacement cover ring CR stored in the storage module SM by the transport method shown in FIGS. 19A to 19D. It is placed on the stage inside the module PM12.
  • the edge ring FR and the covering CR may be carried in separately.
  • the control unit CU may control each part of the processing system PS, place the covering ring CR on the stage inside the process module PM12, and then place the edge ring FR on the stage inside the process module PM12. good.
  • the seasoning step S165 is a step of performing a seasoning process for the process module PM12.
  • the control unit CU performs seasoning processing of the process module PM12 by controlling the gas introduction system, the exhaust system, the power introduction system, and the like.
  • the seasoning process is a process for stabilizing the temperature and deposit state in the process module PM12 by performing a predetermined plasma process.
  • the wafer for quality control may be loaded into the process module PM12, and the wafer for quality control may be subjected to a predetermined process. This makes it possible to confirm whether the state of the process module PM12 is normal. Note that the seasoning step S165 may be omitted.
  • FIG. 29 Another example of the plasma processing apparatus used as the process modules PM1 to PM12 provided in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 29 to 31.
  • FIG. 29 Another example of the plasma processing apparatus used as the process modules PM1 to PM12 provided in the processing system PS of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 29 to 31.
  • the plasma processing apparatus 1X includes a plasma processing chamber 10X and a lifter 50X instead of the plasma processing chamber 10 and the lifter 50 in the plasma processing apparatus 1.
  • Other configurations may be the same as those of the plasma processing apparatus 1 .
  • the plasma processing chamber 10X includes a substrate support 11X and an upper electrode 12.
  • the substrate support 11X is arranged in the lower region of the plasma processing space 10s inside the plasma processing chamber 10X.
  • the upper electrode 12 is arranged above the substrate support 11X and can function as part of the top plate of the plasma processing chamber 10X.
  • the substrate support part 11X supports the substrate W in the plasma processing space 10s.
  • the substrate support 11X includes a lower electrode 111, an electrostatic chuck 112, a ring assembly 113X, an insulator 115 and a base .
  • An electrostatic chuck 112 is arranged on the lower electrode 111 .
  • the electrostatic chuck 112 supports the substrate W on its upper surface.
  • Ring assembly 113X includes an edge ring FRX and a cover ring CRX.
  • the edge ring FRX has an annular shape and is arranged around the substrate W on the upper surface of the peripheral portion of the lower electrode 111 .
  • the edge ring FRX improves plasma processing uniformity, for example.
  • the cover ring CRX has an annular shape and is arranged on the outer peripheral portion of the edge ring FRX. Covering CRX protects the top surface of insulator 115 from plasma, for example.
  • the outer diameter of the edge ring FRX is the same as or smaller than the inner diameter of the cover ring CRX. That is, in plan view, the edge ring FRX and the cover ring CRX do not overlap. As a result, the edge ring FRX and the cover ring CRX move up and down independently.
  • An insulator 115 is arranged on the base 116 to surround the lower electrode 111 . Base 116 is fixed to the bottom of plasma processing chamber 10X and supports lower electrode 111 and insulator 115 .
  • the lifter 50X raises and lowers the substrate W, the edge ring FRX and the cover ring CRX.
  • the lifter 50X includes a first lifter 51, a third lifter 53 and a fourth lifter .
  • the first lifter 51 includes multiple support pins 511 and actuators 512 .
  • the plurality of support pins 511 are inserted through the through holes H ⁇ b>1 formed in the lower electrode 111 and the electrostatic chuck 112 , and can protrude from the upper surface of the electrostatic chuck 112 .
  • the plurality of support pins 511 protrude from the upper surface of the electrostatic chuck 112 , thereby supporting the substrate W by bringing the upper ends into contact with the lower surface of the substrate W.
  • the actuator 512 raises and lowers the multiple support pins 511 .
  • a motor such as a DC motor, stepping motor, or linear motor
  • an air drive mechanism such as an air cylinder, a piezo actuator, or the like
  • the first lifter 51 raises and lowers the plurality of support pins 511 when transferring the substrate W between the transport robots TR1 and TR2 and the substrate support section 11, for example.
  • the third lifter 53 includes multiple support pins 531 and actuators 532 .
  • the plurality of support pins 531 are inserted through the through holes H3 formed in the insulator 115 so as to protrude from the upper surface of the insulator 115 .
  • the plurality of support pins 531 protrude with respect to the upper surface of the insulator 115, thereby supporting the edge ring FRX by bringing the upper ends into contact with the lower surface of the edge ring FRX.
  • the actuator 532 raises and lowers the multiple support pins 531 .
  • the actuator 532 for example, the same actuator as the actuator 512 can be used.
  • the fourth lifter 54 includes multiple support pins 541 and actuators 542 .
  • the plurality of support pins 541 are inserted through the through holes H4 formed in the insulator 115 so as to protrude from the upper surface of the insulator 115 .
  • the plurality of support pins 541 protrude from the upper surface of the insulator 115, thereby supporting the cover ring CRX by bringing the upper ends into contact with the lower surface of the cover ring CRX.
  • the actuator 542 raises and lowers the multiple support pins 541 .
  • the actuator 542 for example, the same actuator as the actuator 512 can be used.
  • the plurality of support pins 531 and 541 are raised and lowered.
  • the plurality of support pins 531 and 541 are lifted as shown in FIG.
  • edge ring FRX is lifted by the plurality of support pins 531
  • the cover ring CRX is lifted by the plurality of support pins 541
  • the edge ring FRX and the cover ring CRX can be carried out simultaneously by the transport robots TR1 and TR2.
  • the plurality of support pins 531 when transferring only the edge ring FRX between the transport robots TR1 and TR2 and the substrate support section 11, the plurality of support pins 531 are raised and lowered. For example, when carrying out only the edge ring FRX placed on the electrostatic chuck 112 by the transport robots TR1 and TR2, the plurality of support pins 531 are lifted as shown in FIG. As a result, only the edge ring FRX is lifted by the plurality of support pins 531, and the edge ring FRX can be carried out independently by the transport robots TR1 and TR2.
  • the plasma processing apparatus includes a lifter 50Y.
  • the lifter 50Y includes a first lifter 51 and a fifth lifter 55. As shown in FIG.
  • the fifth lifter 55 includes a plurality of support pins 551 and an actuator (not shown).
  • the support pin 551 is a stepped support pin formed of a cylindrical (solid rod-like) member.
  • the support pin 551 has a lower rod portion 552 and an upper rod portion 553 in order from the bottom to the top.
  • the outer diameter of the lower rod portion 552 is larger than the outer diameter of the upper rod portion 553 .
  • a stepped portion is formed by the upper end surface 552a of the lower rod portion 552 .
  • the lower rod portion 552 and the upper rod portion 553 are integrally molded.
  • the support pin 551 is inserted through a through-hole H11 formed in the lower electrode 111, a through-hole H12 formed in the insulator 115, and a through-hole H13 formed in the cover ring CR. It is possible to plunge into the upper surface of the.
  • the inner diameters of the through holes H11 and H12 are slightly larger than the outer diameter of the lower rod portion 552 .
  • the inner diameter of the through hole H ⁇ b>13 is slightly larger than the outer diameter of the upper rod portion 553 and smaller than the outer diameter of the lower rod portion 552 .
  • the support pin 551 is displaceable between a standby position, a first support position, and a second support position.
  • the standby position is a position where the upper end surface 553a of the upper rod portion 553 is below the lower surface of the edge ring FR.
  • the first support position is a position above the standby position.
  • the first support position is a position where the upper end surface 553a of the upper rod portion 553 protrudes above the upper surface of the cover ring CR and the upper end surface 552a of the lower rod portion 552 is below the lower surface of the cover ring CR. .
  • the support pin 551 brings the upper end surface 553a of the upper rod portion 553 into contact with the recess FRr formed in the lower surface of the edge ring FR to support the edge ring FR.
  • the second support position is a position above the first support position.
  • the second support position is a position where the upper end surface 552 a of the lower rod portion 552 protrudes above the upper surface of the insulator 115 .
  • the upper end surface 553a of the upper rod portion 553 is brought into contact with the recess FRr to support the edge ring FR and cover the upper end surface 552a of the lower rod portion 552. It is brought into contact with the lower surface of the ring CR to support the cover ring CR.
  • the actuator raises and lowers the multiple support pins 551 .
  • Piezo actuators such as motors such as DC motors, stepping motors and linear motors, and air drive mechanisms such as air cylinders can be used as actuators.
  • the fifth lifter 55 moves the support pins 551 to the first support position, thereby lifting the edge ring FR. lift the Further, when transferring the edge ring FR and the cover ring CR between the transport robots TR1 and TR2 and the substrate support section 11, the fifth lifter 55 moves the plurality of support pins 551 to the second support position. lifts the cover ring CR and the edge ring FR.
  • the control unit CU activates a simultaneous transport mode in which the transport robot TR2 simultaneously transports the edge ring FR and the covering ring CR.
  • the case of selecting and executing will be explained. Specifically, the case where the edge ring FR and the covering ring CR are simultaneously unloaded from the plasma processing apparatus shown in FIG. 32 and then the replacement edge ring FR and the covering ring CR are simultaneously loaded into the plasma processing apparatus will be described.
  • control unit 90 is included in the control unit CU, and the control unit CU controls the transport robot TR2 and the lifter 50Y.
  • control unit 90 may be provided separately from the control unit CU so that the control unit CU controls the transport robot TR2 and the control unit 90 controls the lifter 50Y. It is assumed that the outer peripheral portion of the edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR overlap in plan view.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 551 from the standby position.
  • the upper end surface 553 a of the upper rod portion 553 contacts the lower surface of the edge ring FR, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 551 , and the edge ring FR is separated from the electrostatic chuck 112 .
  • the control unit CU further raises the plurality of support pins 551 to the second support position.
  • the upper end surface 552 a of the lower rod portion 552 contacts the lower surface of the cover ring CR, the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 551 , and the cover ring CR is separated from the insulator 115 .
  • the edge ring FR and the cover ring CR are lifted and supported by the plurality of support pins 551 while being separated from each other.
  • control unit CU does not hold the transport object between the edge ring FR and the cover ring CR supported by the plurality of support pins 551 and the electrostatic chuck 112. Lower fork FK22 is advanced.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 551 from the second support position. Thereby, the cover ring CR supported by the plurality of support pins 551 is placed on the lower fork FK22.
  • the control unit CU further lowers the plurality of support pins 551 to the standby position.
  • the edge ring FR supported by the plurality of support pins 551 is placed on the cover ring CR.
  • the edge ring FR and the cover ring CR are placed on the lower fork FK22.
  • control unit CU withdraws the lower fork FK22 holding the edge ring FR and the cover ring CR.
  • control unit CU moves the upper fork FK21 holding the replacement edge ring FR and the replacement cover ring CR above the electrostatic chuck 112 .
  • the control unit CU raises the multiple support pins 551 from the standby position.
  • the upper end surface 553a of the upper rod portion 553 comes into contact with the lower surface of the edge ring FR held by the upper fork FK21, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 551, and the edge ring FR moves toward the upper fork FK21. move away from
  • the control unit CU further raises the plurality of support pins 551 to the second support position.
  • the upper end surface 552a of the lower rod portion 552 comes into contact with the lower surface of the cover ring CR held by the upper fork FK21, the cover ring CR is lifted by the plurality of support pins 551, and the cover ring CR is attached to the upper fork. Move away from FK21.
  • control unit CU withdraws the upper fork FK21 that does not hold the object to be conveyed.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 551 from the second support position. Thereby, the cover ring CR supported by the plurality of support pins 551 is placed on the insulator 115 .
  • control unit CU further lowers the plurality of support pins 551 to the standby position. Thereby, the edge ring FR supported by the plurality of support pins 551 is placed on the electrostatic chuck 112 .
  • the replacement edge ring FR and the cover ring CR are installed in the plasma processing apparatus. can be brought in at the same time.
  • the control unit CU selects and executes a single transport mode in which the transport robot TR2 transports only the edge ring FR. I will explain when to do so. Specifically, a case will be described in which after the edge ring FR is carried out singly from the plasma processing apparatus shown in FIG. 32, the replacement edge ring FR is singly carried into the plasma processing apparatus.
  • control unit 90 is included in the control unit CU, and the control unit CU controls the transport robot TR2 and the lifter 50Y.
  • control unit 90 may be provided separately from the control unit CU so that the control unit CU controls the transport robot TR2 and the control unit 90 controls the lifter 50Y. It is assumed that the outer peripheral portion of the edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR overlap in plan view.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 551 from the standby position to the first support position.
  • the upper end surface 553 a of the upper rod portion 553 contacts the lower surface of the edge ring FR, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 551 , and the edge ring FR is separated from the electrostatic chuck 112 .
  • control unit CU moves the lower fork FK22, which does not hold the object to be conveyed, between the edge ring FR supported by the plurality of support pins 551 and the electrostatic chuck 112. let in.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 511 from the first support position to the standby position.
  • the edge ring FR supported by the plurality of support pins 511 is placed on the lower fork FK22.
  • control unit CU retracts the lower fork FK22 holding the edge ring FR.
  • control unit CU causes the upper fork FK21 holding the replacement edge ring FR to enter above the electrostatic chuck 112 .
  • the control unit CU controls the plurality of support pins 511 to move up from the standby position to the first support position.
  • the upper end surface 553a of the upper rod portion 553 comes into contact with the lower surface of the edge ring FR held by the upper fork FK21, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 511, and the edge ring FR moves toward the upper fork FK21. move away from
  • control unit CU withdraws the upper fork FK21 that does not hold the object to be conveyed.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 551 from the first support position to the standby position. Thereby, the edge ring FR supported by the plurality of support pins 551 is placed on the electrostatic chuck 112 .
  • the edge ring FR for replacement can be separately carried into the plasma processing apparatus after the edge ring FR is carried out alone from the plasma processing apparatus.
  • the plasma processing apparatus includes a ring assembly 113Z.
  • the ring assembly 113Z includes an edge ring FR, a cover ring CR and a carrier ring HR.
  • the edge ring FR has an annular shape and is arranged around the substrate W on the upper surface of the peripheral portion of the lower electrode 111 .
  • the edge ring FR improves the uniformity of plasma processing on the substrate W.
  • the edge ring FR is made of a conductive material such as Si or SiC.
  • a coolant channel 117 is formed inside the lower electrode 111 . Coolant such as cooling water or Galden is supplied to the coolant channel 117 from a chiller unit (not shown).
  • the cover ring CR has an annular shape and is arranged on the outer peripheral portion of the edge ring FR.
  • the cover ring CR protects the upper surface of the insulator 115 from plasma, for example.
  • the covering CR is made of a conductive material such as Si or SiC.
  • the carrier ring HR rests on the insulator 115 .
  • the inner peripheral portion of the carrier ring HR overlaps with the outer peripheral portion of the edge ring FR, and the outer peripheral portion of the carrier ring HR overlaps with the inner peripheral portion of the cover ring CR.
  • An edge ring FR is placed on the upper surface of the inner peripheral portion of the carrier ring HR.
  • a cover ring CR is mounted on the outer peripheral portion of the carrier ring HR.
  • the conveying ring HR is formed with a through hole H22 through which an upper rod portion 563 of a support pin 561, which will be described later, is inserted.
  • the carrier ring HR is made of silicon dioxide (SiO 2 ), for example.
  • the carrier ring HR may be made of a ceramic material such as alumina ( Al2O3 ).
  • the carrier ring HR is made of a conductive material such as Si or SiC having a higher electrical resistivity than the edge ring FR. , SiC, or other conductive material.
  • the plasma processing apparatus includes a lifter 50Z.
  • the lifter 50Z includes a first lifter 51 and a sixth lifter 56. As shown in FIG.
  • the sixth lifter 56 includes a plurality of support pins 561 and actuators (not shown).
  • the support pin 561 is a stepped support pin formed of a cylindrical (solid rod-like) member.
  • the support pin 561 has a lower rod portion 562 and an upper rod portion 563 in order from the bottom to the top.
  • the outer diameter of the lower rod portion 562 is larger than the outer diameter of the upper rod portion 563 .
  • the upper end surface 562a of the lower rod portion 562 forms a stepped portion.
  • the lower rod portion 562 and the upper rod portion 563 are integrally molded.
  • the support pin 561 is inserted through the through-holes H21 and H22 and can protrude from the upper surface of the insulator 115 and the upper surface of the carrier ring HR.
  • the inner diameter of the through hole H21 is slightly larger than the outer diameter of the lower rod portion 562.
  • the inner diameter of the through hole H22 is slightly larger than the outer diameter of the upper rod portion 563 and smaller than the outer diameter of the lower rod portion 562 .
  • the support pin 561 is displaceable between a standby position, a first support position, and a second support position.
  • the standby position is a position where the upper end surface 563a of the upper rod portion 563 is below the lower surface of the edge ring FR.
  • the first support position is a position above the standby position.
  • the first support position is a position where the upper end surface 563a of the upper rod portion 563 protrudes above the upper surface of the carrier ring HR and the upper end surface 562a of the lower rod portion 562 is below the lower surface of the carrier ring HR. .
  • the support pin 561 brings the upper end surface 563a of the upper rod portion 563 into contact with the lower surface of the edge ring FR to support the edge ring FR.
  • the second support position is a position above the first support position.
  • the second support position is a position where the upper end surface 562 a of the lower rod portion 562 protrudes above the upper surface of the insulator 115 .
  • the upper end surface 563a of the upper rod portion 563 contacts the lower surface of the edge ring FR to support the edge ring FR, and the upper end surface of the lower rod portion 562 is supported.
  • 562a is brought into contact with the lower surface of the carrier ring HR to support the carrier ring HR.
  • the inner peripheral portion of the cover ring CR is placed on the upper surface of the outer peripheral portion of the carrier ring HR. Therefore, when the carrier ring HR is lifted by the plurality of support pins 561, the cover ring CR is also lifted together with the carrier ring HR. That is, the carrier ring HR and the cover ring CR are separated from the insulator 115 together.
  • the actuator raises and lowers the multiple support pins 561 .
  • Piezo actuators such as motors such as DC motors, stepping motors and linear motors, and air drive mechanisms such as air cylinders can be used as actuators.
  • the sixth lifter 56 moves the plurality of support pins 561 to the first support position to lift the edge ring FR. lift the Further, when transferring the edge ring FR and the cover ring CR between the transport robots TR1 and TR2 and the substrate support section 11, the sixth lifter 56 moves the plurality of support pins 561 to the second support position. lifts the covering ring CR, the edge ring FR and the carrier ring HR.
  • the control unit CU causes the transport robot TR2 to simultaneously transport the edge ring FR, the cover ring CR and the transport ring HR.
  • a case of selecting and executing the simultaneous transport mode will be described. Specifically, after the edge ring FR, the cover ring CR and the carrier ring HR are carried out from the plasma processing apparatus shown in FIG. A case of carrying in at the same time will be described.
  • control unit 90 is included in the control unit CU, and the control unit CU controls the transport robot TR2 and the lifter 50Z.
  • control unit 90 may be provided separately from the control unit CU so that the control unit CU controls the transport robot TR2 and the control unit 90 controls the lifter 50Z.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 561 from the standby position.
  • the upper end surface 563 a of the upper rod portion 563 contacts the lower surface of the edge ring FR, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 561 , and the edge ring FR is separated from the electrostatic chuck 112 .
  • the control unit CU further raises the plurality of support pins 561 to the second support position.
  • the upper end surface 562 a of the lower rod portion 562 contacts the lower surface of the carrier ring HR
  • the carrier ring HR is lifted by the plurality of support pins 561
  • the carrier ring HR is separated from the insulator 115 .
  • the outer peripheral portion of the cover ring CR is placed on the outer peripheral portion of the carrier ring HR. Therefore, when the carrier ring HR is lifted by the plurality of support pins 561, the cover ring CR is also lifted together with the carrier ring HR.
  • the carrier ring HR and the cover ring CR are separated from the insulator 115 together.
  • the edge ring FR, the carrier ring HR, and the cover ring CR are lifted and supported by the plurality of support pins 561 while being separated from each other. be done.
  • control unit CU moves the lower fork FK22, which does not hold the object to be transported, between the transport ring HR supported by the plurality of support pins 561 and the electrostatic chuck 112. let in.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 561 from the second support position. Thereby, the cover ring CR and the carrier ring HR supported by the plurality of support pins 561 are placed on the lower fork FK22.
  • the control unit CU further lowers the plurality of support pins 561 to the standby position.
  • the edge ring FR supported by the plurality of support pins 561 is placed on the carrier ring HR.
  • the edge ring FR, cover ring CR and carrier ring HR are placed on the lower fork FK22.
  • control unit CU withdraws the lower fork FK22 holding the edge ring FR, the covering ring CR and the carrier ring HR.
  • the control unit CU moves the upper fork FK21 holding the replacement edge ring FR, the replacement cover ring CR, and the replacement carrier ring HR above the electrostatic chuck 112. let in.
  • the carrying ring HR that has been taken out may be used instead of the carrying ring HR for replacement.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 561 from the standby position.
  • the upper end surface 563a of the upper rod portion 563 comes into contact with the lower surface of the edge ring FR held by the upper fork FK21, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 561, and the edge ring FR moves toward the upper fork FK21. move away from
  • the control unit CU further raises the plurality of support pins 561 to the second support position.
  • the upper end surface 562a of the lower rod portion 562 contacts the lower surface of the carrier ring HR held by the upper fork FK21
  • the carrier ring HR is lifted by the plurality of support pins 561
  • the carrier ring HR is moved to the upper fork. Move away from FK21.
  • the outer peripheral portion of the cover ring CR is placed on the outer peripheral portion of the carrier ring HR. Therefore, when the carrier ring HR is lifted by the plurality of support pins 561, the cover ring CR is also lifted together with the carrier ring HR.
  • the carrier ring HR and the cover ring CR are integrally lifted by the plurality of support pins 561, and the carrier ring HR and the cover ring CR are separated from the upper fork FK21.
  • the edge ring FR, the carrier ring HR, and the cover ring CR are lifted and supported by the plurality of support pins 561 while being separated from each other. be done.
  • control unit CU withdraws the upper fork FK21 that does not hold the object to be conveyed.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 561 from the second support position. Thereby, the carrier ring HR and the cover ring CR supported by the plurality of support pins 561 are placed on the insulator 115 .
  • control unit CU further lowers the plurality of support pins 561 to the standby position. Thereby, the edge ring FR supported by the plurality of support pins 561 is placed on the electrostatic chuck 112 .
  • the replacement edge ring FR and the cover ring CR are installed in the plasma processing apparatus. can be brought in at the same time.
  • the control unit CU selects and executes a single transport mode in which the transport robot TR2 transports only the edge ring FR. I will explain when to do so. Specifically, a case will be described in which after the edge ring FR is carried out alone from the plasma processing apparatus shown in FIG. 39, the replacement edge ring FR is alone carried into the plasma processing apparatus.
  • control unit 90 is included in the control unit CU, and the control unit CU controls the transport robot TR2 and the lifter 50Z.
  • control unit 90 may be provided separately from the control unit CU so that the control unit CU controls the transport robot TR2 and the control unit 90 controls the lifter 50Z. It is assumed that the outer peripheral portion of the edge ring FR and the inner peripheral portion of the cover ring CR overlap in plan view.
  • the control unit CU raises the plurality of support pins 561 from the standby position to the first support position.
  • the upper end surface 563 a of the upper rod portion 563 contacts the lower surface of the edge ring FR, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 561 , and the edge ring FR is separated from the electrostatic chuck 112 .
  • control unit CU moves the lower fork FK22, which does not hold the object to be conveyed, between the edge ring FR supported by the plurality of support pins 561 and the electrostatic chuck 112. let in.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 511 from the first support position to the standby position.
  • the edge ring FR supported by the plurality of support pins 511 is placed on the lower fork FK22.
  • control unit CU retracts the lower fork FK22 holding the edge ring FR.
  • control unit CU causes the upper fork FK21 holding the replacement edge ring FR to enter above the electrostatic chuck 112 .
  • the control unit CU controls the plurality of support pins 511 to move up from the standby position to the first support position.
  • the upper end surface 563a of the upper rod portion 563 comes into contact with the lower surface of the edge ring FR held by the upper fork FK21, the edge ring FR is lifted by the plurality of support pins 511, and the edge ring FR is moved to the upper fork FK21. move away from
  • control unit CU withdraws the upper fork FK21 that does not hold the object to be conveyed.
  • control unit CU lowers the plurality of support pins 561 from the first support position to the standby position. Thereby, the edge ring FR supported by the plurality of support pins 561 is placed on the electrostatic chuck 112 .
  • the edge ring FR for replacement can be separately carried into the plasma processing apparatus after the edge ring FR is carried out alone from the plasma processing apparatus.
  • the edge rings FR, FRX and the cover rings CR, CRX are examples of annular members, the edge rings FR, FRX are examples of inner rings, and the cover rings CR, CRX are examples of outer rings.
  • the transport robots TR1 and TR2 are an example of a transport device.
  • the support pin 521 is an example of a first support pin
  • the support pin 511 is an example of a second support pin
  • the support pin 531 is an example of a third support pin
  • the support pin 541 is an example of a fourth support pin. An example.
  • the lifters 50, 50X to 50Z have been described as mechanisms for raising and lowering the edge ring FR and/or the cover ring CR, but the mechanism is not limited to this.
  • the mechanism is not limited to this.
  • the support pin having the second holding portion connected in the axial direction and having a protrusion projecting from the outer periphery of the first holding portion.
  • the edge ring FR can be lifted independently by passing the first holding portion through the through hole of the cover ring CR and bringing the tip of the first holding portion into contact with the rear surface of the cover ring CR.
  • the cover ring CR can be lifted independently by allowing the first holding portion to pass through the through hole of the cover ring CR and bringing the projecting portion of the second holding portion into contact with the lower surface of the cover ring CR. Details of this configuration are described in US Patent Application Publication No. 2020/0219753.
  • the present disclosure is not limited to this.
  • the present invention can be similarly applied to conveying other consumable members such as a cover ring, a top plate of the upper electrode, etc., which are attached inside the process module.
  • a processing system for plasma processing a substrate comprising: a chamber; a vacuum transfer module connected to the chamber; a transfer device provided inside the vacuum transfer module; a mounting table provided around the substrate inside the chamber for mounting an outer ring and an inner ring having different inner and outer diameters; a lifter for lifting and lowering the outer ring and the inner ring with respect to the mounting table; a controller; with The controller is configured to select between a simultaneous transport mode in which the transport device transports the inner ring and the outer ring simultaneously and a single transport mode in which the transport device transports the inner ring only. processing system.
  • the lifter is a plurality of first support pins that contact the lower surface of the outer ring and raise and lower the outer ring and the inner ring as a unit; a second support pin that abuts on the lower surface of a jig that supports the inner ring from below and raises and lowers the jig and the inner ring together; including, 2.
  • the simultaneous transport mode includes a step of passing the outer ring and the inner ring between the first support pin and the transport device while the first support pin is raised. 5.
  • the single transfer mode includes a step of transferring the jig and the inner ring between the second support pin and the transfer device while the second support pin is raised. 6.
  • the processing system according to any one of appendices 3-5.
  • Appendix 7 further comprising a storage module connected to the vacuum transfer module and housing the outer ring and the inner ring; 7.
  • the processing system according to any one of appendices 3-6.
  • the outer diameter of the inner ring is the same as the inner diameter of the outer ring or smaller than the inner diameter of the outer ring; 1.
  • the lifter is a third support pin that abuts on the lower surface of the inner ring to raise and lower the inner ring; a fourth support pin that abuts on the lower surface of the outer ring to raise and lower the outer ring; including, 11.
  • the single transport mode includes a step of passing the inner ring between the third support pin and the transport device while the third support pin is raised. 13.
  • the inner ring is an edge ring mounted on the upper surface of the mounting table so as to surround the substrate;
  • the outer ring is a cover ring placed to surround the edge ring, 14.
  • (Appendix 15) a chamber, a vacuum transfer module connected to the chamber, a transfer device provided inside the vacuum transfer module, an outer ring and an inner ring provided around the substrate inside the chamber and having different inner and outer diameters and a lifter for lifting and lowering the outer ring and the inner ring with respect to the mounting table, wherein a conveying method for conveying the outer ring and the inner ring, a simultaneous transport mode in which the transport device simultaneously transports the inner ring and the outer ring; a single transport mode in which the transport device transports only the inner ring; having Conveyance method.
  • the vacuum transfer module includes: a vacuum transfer chamber; a transfer robot positioned within the vacuum transfer chamber;
  • the plasma processing module comprises: a plasma processing chamber; a stage positioned within the plasma processing chamber and having a substrate support surface and a ring support surface; a first ring disposed on the ring support surface of the stage; a second ring disposed on the first ring so as to surround the substrate on the substrate support surface of the stage and having an inner diameter smaller than the inner diameter of the first ring; a plurality of first support pins positioned below the ring support surface; a plurality of second support pins arranged below the substrate support surface; a first actuator configured to vertically move the plurality of first support pins relative to the stage; a second actuator configured to vertically move the plurality of second support pins relative to the stage;
  • the controller selectively executes a simultaneous transport mode in which the transport robot simultaneously transports the first ring and the second
  • the simultaneous transport mode is elevating the plurality of first support pins such that the first ring and the second ring are lifted together by the plurality of first support pins; transferring the first ring and the second ring together between the plurality of first support pins and the transfer robot in a state in which the plurality of first support pins are raised;
  • the independent transport mode is elevating the plurality of first support pins such that the first ring and the second ring are lifted together by the plurality of first support pins; elevating the plurality of second support pins so that the conveying jig is supported by the plurality of second support pins at a height lower than the height of the second ring; While the second ring is supported by the conveying jig and the first ring is supported by the plurality of first support pins, the plurality of lowering the second support pin; transferring the carrier jig and the second ring together between the plurality of second support pins and the carrier robot in a state where the plurality of second support pins are raised; Subs
  • the first ring is made of an insulating material; wherein the second ring is formed of a conductive material; 17.
  • the first ring is made of quartz, wherein the second ring is made of Si or SiC; 17.
  • the second ring has an outer annular portion that can be supported by the first ring and an inner annular portion that can be supported by the transport jig, 19.
  • the substrate processing system according to any one of appendices 16 to 18.
  • the vacuum transfer module includes: a vacuum transfer chamber; a transfer robot positioned within the vacuum transfer chamber;
  • the plasma processing module comprises: a plasma processing chamber; a stage positioned within the plasma processing chamber and having a substrate support surface and a ring support surface; a first ring and a second ring arranged on the ring support surface of the stage so as to surround the substrate on the substrate support surface of the stage; a lifter configured to raise and lower the first ring and the second ring with respect to the stage;
  • the controller selectively executes a simultaneous transport mode in which the transport robot simultaneously transports the first ring and the second ring, and a single transport mode in which the transport robot transports the second ring alone. consists of Substrate processing system.
  • Appendix 21 At least a portion of the second ring rests on the first ring; 21.
  • the lifter is a plurality of first support pins positioned below the ring support surface; a plurality of second support pins arranged below the substrate support surface; including, 22.
  • Appendix 23 the plurality of second support pins configured to raise and lower the substrate on the substrate support surface; 23.
  • the simultaneous transport mode includes transferring the first ring and the second ring together between the plurality of first support pins and the transport robot while the plurality of first support pins are raised.
  • Supplementary note 22 is the substrate processing system according to 23 .
  • the independent transfer mode includes a step of transferring the transfer jig and the second ring together between the plurality of second support pins and the transfer robot while the plurality of second support pins are raised. , 25.
  • the substrate processing system according to any one of appendices 22-24.
  • Appendix 26 further comprising a storage module connected to the vacuum transfer module and housing the first ring and the second ring; 26.
  • the substrate processing system according to any one of Appendices 21 to 25.
  • Appendix 27 wherein the containment module is configured to contain a first assembly including the first ring and the second ring mounted on the first ring; 27.
  • Appendix 28 wherein the storage module is configured to house a second assembly including a carrier fixture and the second ring mounted on the carrier fixture; 28.
  • the substrate processing system according to appendix 26 or 27.
  • the outer diameter of the second ring is the same as the inner diameter of the first ring or smaller than the inner diameter of the first ring.
  • the lifter is a plurality of third support pins arranged below the second ring; a plurality of fourth support pins arranged below the first ring; including, 29.
  • Appendix 31 In the simultaneous transport mode, in a state in which the plurality of third support pins and the plurality of fourth support pins are raised, the transport robot and the plurality of third support pins and the plurality of fourth support pins are positioned between the transport robot and the transport robot. transferring said first ring and said second ring; 31.
  • the single transfer mode includes a step of transferring the second ring between the plurality of third support pins and the transfer robot while the plurality of third support pins are raised. 32.
  • the second ring is an edge ring made of a conductive material; wherein the first ring is a cover ring made of an insulating material; 33.
  • the substrate processing system according to any one of appendices 20-32.
  • (Appendix 34) a chamber, a vacuum transfer module connected to the chamber, a transfer device provided inside the vacuum transfer module, an outer ring and an inner ring provided around the substrate inside the chamber and having different inner and outer diameters and a lifter for lifting and lowering the outer ring and the inner ring with respect to the mounting table, wherein a conveying method for conveying the outer ring and the inner ring, a simultaneous transport mode in which the transport device simultaneously transports the inner ring and the outer ring; a single transport mode in which the transport device transports only the inner ring; having Conveyance method.
  • Reference Signs List 10 plasma processing chamber 11 substrate support 112 electrostatic chuck 113 ring assembly 50 lifter 78 cassette 781 base plate 782 guide pin CR cover ring CRa notch CU controller FR edge ring FRa notch PS processing system TM1, TM2 vacuum transfer module TR1, TR2 Transfer robot W Substrate

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Abstract

本開示の基板処理システムは、プラズマ処理モジュールを備え、前記プラズマ処理モジュールは、ステージのリング支持面上に配置される第１リングと、前記第１リング上に配置され、前記第１リングの内径よりも小さい内径を有する第２リングと、前記リング支持面の下方に配置される複数の第１支持ピンと、基板支持面の下方に配置される複数の第２支持ピンとを含む。　前記基板処理システムにおいて、コントローラは、前記第１リング及び前記第２リングを同時に搬送する同時搬送モードと、前記第２リングを単独で搬送する単独搬送モードとを選択的に実行する。　前記同時搬送モードでは、前記第１リング及び前記第２リングを前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げて搬送ロボットに受け渡しを行う。　前記単独搬送モードでは、前記第１リング及び前記第２リングを前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げ、次いで、前記複数の第２支持ピンにより搬送治具を前記第２リングの高さよりも低い高さで支持し、その後、前記複数の第１支持ピンを下降させ、前記複数の第２支持ピンにより前記搬送治具及び前記第２リングを支持し、一緒に搬送ロボットに受け渡す。

Description

基板処理システム及び搬送方法
　本開示は、基板処理システム及び搬送方法に関する。
　プラズマ処理が行われる処理容器内に設けられたサセプタ上の静電チャックの上であって、静電チャックの上に置かれたウエハの周囲に配置されるエッジリング及びカバーリングを１系統のリフタピンでそれぞれ昇降させ、１部材ずつ搬送する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０２０－１１３６０３号公報
　本開示は、交換時期が異なる消耗部材を選択的に交換できる技術を提供する。
　本開示の一態様による基板処理システムは、真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュールに接続されるプラズマ処理モジュールと、コントローラと、を備え、前記真空搬送モジュールは、真空搬送チャンバと、前記真空搬送チャンバ内に配置される搬送ロボットとを含み、前記プラズマ処理モジュールは、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有するステージと、前記ステージの前記リング支持面上に配置される第１リングと、前記ステージの前記基板支持面上の基板を囲むように前記第１リング上に配置され、前記第１リングの内径よりも小さい内径を有する第２リングと、前記リング支持面の下方に配置される複数の第１支持ピンと、前記基板支持面の下方に配置される複数の第２支持ピンと、前記ステージに対して前記複数の第１支持ピンを縦方向に移動させるように構成される第１アクチュエータと、前記ステージに対して前記複数の第２支持ピンを縦方向に移動させるように構成される第２アクチュエータとを含み、前記コントローラは、前記搬送ロボットに前記第１リング及び前記第２リングを同時に搬送させる同時搬送モードと、前記搬送ロボットに前記第２リングを単独で搬送させる単独搬送モードとを選択的に実行するように構成され、前記同時搬送モードは、前記第１リング及び前記第２リングが前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げられるように前記複数の第１支持ピンを上昇させるステップと、前記複数の第１支持ピンが上昇した状態で、前記複数の第１支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第１リング及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップとを含み、前記単独搬送モードは、前記第１リング及び前記第２リングが前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げられるように前記複数の第１支持ピンを上昇させるステップと、搬送治具が前記複数の第２支持ピンにより前記第２リングの高さよりも低い高さで支持されるように前記複数の第２支持ピンを上昇させるステップと、前記第２リングが搬送治具により支持される一方で前記第１リングが前記複数の第１支持ピンに支持された状態で前記搬送治具の高さよりも低い位置まで下降するように前記複数の第２支持ピンを下降させるステップと、前記複数の第２支持ピンが上昇した状態で、前記複数の第２支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記搬送治具及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップとを含む。
　本開示によれば、交換時期が異なる消耗部材を選択的に交換できる。
実施形態の処理システムの一例を示す図 プロセスモジュールを示す概略断面図 図２の一部を拡大して示す図 収納モジュールの一例を示す正面断面図 収納モジュールの一例を示す側面断面図 搬送対象物を保持していない上フォークを示す概略平面図 第１の組立体を保持した上フォークを示す概略平面図 第２の組立体を保持した上フォークを示す概略平面図 搬送治具のみを保持した上フォークを示す概略平面図 収納モジュール内のカセットの一例を示す概略斜視図 エッジリングの位置決め機構の一例を示す図 エッジリングの位置決め機構の一例を示す図 エッジリングの位置決め機構の一例を示す図 カバーリングの位置決め機構の一例を示す図 カバーリングの位置決め機構の一例を示す図 カバーリングの位置決め機構の一例を示す図 エッジリング及びカバーリングの位置決め機構の一例を示す図 エッジリング及びカバーリングの位置決め機構の一例を示す図 エッジリング及びカバーリングの位置決め機構の一例を示す図 カセットに収納される第２の組立体の一例を示す概略平面図 カセットに収納される搬送治具の一例を示す概略平面図 収納モジュール内のカセットの別の一例を示す概略斜視図 エッジリング及びカバーリングが載置された静電チャックを示す概略図 エッジリング及びカバーリングが載置された静電チャックを示す概略図 同時搬送モードの一例を示す図 同時搬送モードの一例を示す図 同時搬送モードの一例を示す図 同時搬送モードの一例を示す図 同時搬送モードの一例を示す図 同時搬送モードの一例を示す図 同時搬送モードの一例を示す図 同時搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 単独搬送モードの一例を示す図 実施形態の消耗部材の交換方法の一例を示すフローチャート 同時搬送モードの一例を示すフローチャート 単独搬送モードの一例を示すフローチャート 実施形態の消耗部材の交換方法の別の一例を示すフローチャート 単独搬送モードの別の一例を示すフローチャート 実施形態の第１変形例に係るプロセスモジュールを示す概略断面図 第１変形例における同時搬送モードにおけるリフタの状態を示す図 第１変形例における単独搬送モードにおけるリフタの状態を示す図 実施形態の第２変形例に係るプロセスモジュールを示す概略断面図 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第２変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 実施形態の第３変形例に係るプロセスモジュールを示す概略断面図 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における同時搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート 第３変形例における単独搬送モードの一例を示すフローチャート
　以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
　〔処理システム〕
　図１を参照し、実施形態の処理システムの一例について説明する。図１に示されるように、処理システムＰＳは、基板にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能なシステムである。基板は、例えば半導体ウエハであってよい。
　処理システムＰＳは、真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、大気搬送モジュールＬＭ、収納モジュールＳＭ等を備える。
　真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２は、それぞれ平面視において略四角形状を有する。真空搬送モジュールＴＭ１は、対向する２つの側面にプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１の他の対向する２つの側面のうち、一方の側面にはロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続され、他方の側面には真空搬送モジュールＴＭ２と接続するためのパス（図示せず）が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１のロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続される側面は、２つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２に応じて角度が付けられている。真空搬送モジュールＴＭ２は、対向する２つの側面にプロセスモジュールＰＭ７～ＰＭ１２が接続されている。真空搬送モジュールＴＭ２の他の対向する２つの側面のうち、一方の側面には真空搬送モジュールＴＭ１と接続するためのパス（図示せず）が接続され、他方の側面には収納モジュールＳＭが接続されている。真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２は、真空室（真空搬送チャンバ）を有し、内部にそれぞれ搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が配置されている。
　搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は、旋回、伸縮、昇降自在に構成されている。搬送ロボットＴＲ１は、先端に配置された上フォーク（第１のフォーク）ＦＫ１１及び下フォーク（第２のフォーク）ＦＫ１２で基板及び消耗部材を保持して搬送する。図１の例では、搬送ロボットＴＲ１は、上フォークＦＫ１１及び下フォークＦＫ１２で基板及び消耗部材を保持し、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６及びパス（図示せず）の間で基板及び消耗部材を搬送する。搬送ロボットＴＲ２は、先端に配置された上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２で基板及び消耗部材を保持して搬送する。図１の例では、搬送ロボットＴＲ２は、上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２で基板及び消耗部材を保持し、プロセスモジュールＰＭ７～ＰＭ１２、収納モジュールＳＭ及びパス（図示せず）の間で基板及び消耗部材を搬送する。消耗部材は、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内に交換可能に取り付けられる部材であり、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内でプラズマ処理等の各種の処理が行われることで消耗する部材である。消耗部材は、例えば後述するエッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ、上部電極１２の天板１２１を含む。
　プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２は、処理室（プラズマ処理チャンバ）を有し、内部に配置されたステージ（載置台）を有する。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２は、ステージに基板が載置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、ＲＦ電力を印加してプラズマを生成し、プラズマによって基板にプラズマ処理を施す。真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２とは、開閉自在なゲートバルブＧ１で仕切られている。ステージには、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ等が配置される。ステージと対向する上部には、ＲＦ電力を印加するための上部電極１２が配置される。
　ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、真空搬送モジュールＴＭ１と大気搬送モジュールＬＭとの間に配置されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室を有する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、内部に配置されたステージを有する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、基板を大気搬送モジュールＬＭから真空搬送モジュールＴＭ１へ搬入する際、内部を大気圧に維持して大気搬送モジュールＬＭから基板を受け取り、内部を減圧して真空搬送モジュールＴＭ１へ基板を搬入する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、基板を真空搬送モジュールＴＭ１から大気搬送モジュールＬＭへ搬出する際、内部を真空に維持して真空搬送モジュールＴＭ１から基板を受け取り、内部を大気圧まで昇圧して大気搬送モジュールＬＭへ基板を搬入する。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２と真空搬送モジュールＴＭ１とは、開閉自在なゲートバルブＧ２で仕切られている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２と大気搬送モジュールＬＭとは、開閉自在なゲートバルブＧ３で仕切られている。
　大気搬送モジュールＬＭは、真空搬送モジュールＴＭ１に対向して配置されている。大気搬送モジュールＬＭは、例えばＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）であってよい。大気搬送モジュールＬＭは、直方体状であり、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）を備え、大気圧雰囲気に保持された大気搬送室である。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った一の側面には、２つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２が接続されている。大気搬送モジュールＬＭの長手方向に沿った他の側面には、ロードポートＬＰ１～ＬＰ５が接続されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ５には、複数（例えば２５枚）の基板を収容する容器（図示せず）が載置される。容器は、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod)であってよい。大気搬送モジュールＬＭ内には、基板を搬送する搬送ロボット（図示せず）が配置されている。搬送ロボットは、ＦＯＵＰ内とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の内圧可変室内との間で基板を搬送する。
　収納モジュールＳＭは、真空搬送モジュールＴＭ２に対して着脱可能に接続されている。収納モジュールＳＭは、収納室を有し、消耗部材を収納する。収納モジュールＳＭは、例えばプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２内の消耗部材を交換する際に真空搬送モジュールＴＭ２に接続され、消耗部材の交換が完了した後に真空搬送モジュールＴＭ２から取り外される。これにより、処理システムＰＳの周囲の領域を有効活用できる。ただし、収納モジュールＳＭは、常に真空搬送モジュールＴＭ２に接続されていてもよい。収納モジュールＳＭは、収納室に収納された消耗部材の位置を検出する位置検出センサを有する。消耗部材は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２によって、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２と収納モジュールＳＭとの間で搬送される。真空搬送モジュールＴＭ２と収納モジュールＳＭとは、開閉自在なゲートバルブＧ４で仕切られている。
　処理システムＰＳには、制御部ＣＵが設けられている。制御部ＣＵは、処理システムの各部、例えば真空搬送モジュールＴＭ１，ＴＭ２に設けられた搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２、大気搬送モジュールＬＭに設けられた搬送ロボット、ゲートバルブＧ１～Ｇ４を制御する。例えば、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送させる同時搬送モードと、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる単独搬送モードとを選択するよう構成される。同時搬送モード及び単独搬送モードについては、後述する。一例では、制御部ＣＵは、同時搬送モードに比べ単独搬送モードを高い頻度で行う。
　制御部ＣＵは、例えばコンピュータであってよい。制御部ＣＵは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、処理システムＰＳの各部を制御する。
　〔プラズマ処理装置〕
　図２及び図３を参照し、図１の処理システムＰＳが備えるプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２として用いられるプラズマ処理装置の一例について説明する。
　プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、ＲＦ電力供給部３０、排気システム４０、リフタ５０及び制御部９０を含む。
　プラズマ処理チャンバ１０は、基板支持部１１及び上部電極１２を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマ処理空間１０ｓの下部領域に配置される。上部電極１２は、基板支持部１１の上方に配置され、プラズマ処理チャンバ１０の天板の一部として機能し得る。
　基板支持部１１は、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板Ｗを支持する。基板支持部１１は、下部電極１１１、静電チャック１１２、リングアセンブリ１１３、絶縁体１１５及びベース１１６を含む。静電チャック１１２は、下部電極１１１上に配置されている。
　静電チャック１１２は、基板支持面１１２ａ及びリング支持面１１２ｂを含む上面を有する。静電チャック１１２は、基板支持面１１２ａで基板Ｗを支持する。静電チャック１１２は、リング支持面１１２ｂでエッジリングＦＲを支持する。静電チャック１１２は、絶縁材１１２ｃ、第１吸着電極１１２ｄ及び第２吸着電極１１２ｅを有する。第１吸着電極１１２ｄ及び第２吸着電極１１２ｅは、絶縁材１１２ｃに埋め込まれている。第１吸着電極１１２ｄは、基板支持面１１２ａの下方に位置する。静電チャック１１２は、第１吸着電極１１２ｄに電圧を印加することにより、基板支持面１１２ａの上に基板Ｗを吸着保持する。第２吸着電極１１２ｅは、リング支持面１１２ｂの下方に位置する。静電チャック１１２は、第２吸着電極１１２ｅに電圧を印加することにより、リング支持面１１２ｂの上にエッジリングＦＲを吸着保持する。図２及び図３の例では、静電チャック１１２は、基板Ｗを吸着保持する単極型静電チャックと、エッジリングＦＲを吸着保持する双極型静電チャックとを含む。ただし、単極型静電チャックに代えて双極型静電チャックを用いてもよく、双極型静電チャックに代えて単極型静電チャックを用いてもよい。
　リングアセンブリ１１３は、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを含む。エッジリングＦＲは、第２リングの一例である。エッジリングＦＲは、環形状を有し、下部電極１１１の周縁部上面において基板Ｗの周囲に配置されている。エッジリングＦＲは、基板Ｗに対するプラズマ処理の均一性を向上させる。エッジリングＦＲは、例えば珪素（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）等の導電性材料により形成される。カバーリングＣＲは、第１リングの一例である。カバーリングＣＲは、環形状を有し、エッジリングＦＲの外周部に配置されている。カバーリングＣＲは、例えばプラズマから絶縁体１１５の上面を保護する。カバーリングＣＲは、例えば石英等の絶縁材料により形成される。図２の例では、カバーリングＣＲの内周部がエッジリングＦＲの外周部よりも内側にあり、エッジリングＦＲの外周部がカバーリングＣＲの内周部よりも外側にあって、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲが一部重複する。そして、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部が載置されている。これにより、後述する複数の支持ピン５２１が昇降すると、カバーリングＣＲとエッジリングＦＲとが一体として昇降する。絶縁体１１５は、ベース１１６上で下部電極１１１を囲むように配置される。ベース１１６は、プラズマ処理チャンバ１０の底部に固定され、下部電極１１１及び絶縁体１１５を支持する。
　上部電極１２は、絶縁部材１３と共にプラズマ処理チャンバ１０を構成する。上部電極１２は、ガス供給部２０からの１又はそれ以上の種類の処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給する。上部電極１２は、天板１２１及び支持体１２２を含む。天板１２１の下面は、プラズマ処理空間１０ｓを画成する。天板１２１には、複数のガス導入口１２１ａが形成されている。複数のガス導入口１２１ａの各々は、天板１２１の板厚方向（鉛直方向）に貫通する。支持体１２２は、天板１２１を着脱自在に支持する。支持体１２２の内部には、ガス拡散室１２２ａが設けられている。ガス拡散室１２２ａからは、複数のガス導入口１２２ｂが下方に延びている。複数のガス導入口１２２ｂは、複数のガス導入口１２１ａにそれぞれ連通する。支持体１２２には、ガス供給口１２２ｃが形成されている。上部電極１２は、１又はそれ以上の処理ガスをガス供給口１２２ｃからガス拡散室１２２ａ、複数のガス導入口１２２ｂ及び複数のガス導入口１２１ａを介してプラズマ処理空間１０ｓに供給する。
　プラズマ処理チャンバ１０の側壁には、搬入出口１０ｐが形成されている。基板Ｗは、搬入出口１０ｐを介して、プラズマ処理空間１０ｓとプラズマ処理チャンバ１０の外部との間で搬送される。搬入出口１０ｐは、ゲートバルブＧ１により開閉される。
　ガス供給部２０は、１又はそれ以上のガスソース２１と、１又はそれ以上の流量制御器２２と、を含む。ガス供給部２０は、１又はそれ以上の種類の処理ガスを、各々のガスソース２１から各々の流量制御器２２を介してガス供給口１２２ｃに供給する。流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。更に、ガス供給部２０は、１又はそれ以上の処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
　ＲＦ電力供給部３０は、２つのＲＦ電源（第１のＲＦ電源３１ａ、第２のＲＦ電源３１ｂ）及び２つの整合器（第１の整合器３２ａ、第２の整合器３２ｂ）を含む。第１のＲＦ電源３１ａは、第１のＲＦ電力を第１の整合器３２ａを介して下部電極１１１に供給する。第１のＲＦ電力の周波数は、例えば１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚであってよい。第２のＲＦ電源３１ｂは、第２のＲＦ電力を第２の整合器３２ｂを介して下部電極１１１に供給する。第２のＲＦ電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであってよい。なお、第２のＲＦ電源３１ｂに代えて、ＤＣ電源を用いてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排気口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　リフタ５０は、基板Ｗ、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを昇降させる。リフタ５０は、第１のリフタ５１及び第２のリフタ５２を含む。
　第１のリフタ５１は、複数の支持ピン５１１及びアクチュエータ５１２を含む。複数の支持ピン５１１は、下部電極１１１及び静電チャック１１２に形成された貫通孔Ｈ１に挿通されて静電チャック１１２の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５１１は、静電チャック１１２の上面に対して突出することにより、上端を基板Ｗの下面に当接させて基板Ｗを支持する。アクチュエータ５１２は、複数の支持ピン５１１を昇降させる。アクチュエータ５１２としては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構等、ピエゾアクチュエータを利用できる。係る第１のリフタ５１は、例えば搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間で基板Ｗの受け渡しをする際、複数の支持ピン５１１を昇降させる。
　第２のリフタ５２は、複数の支持ピン５２１及びアクチュエータ５２２を含む。複数の支持ピン５２１は、絶縁体１１５に形成された貫通孔Ｈ２に挿通されて絶縁体１１５の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５２１は、絶縁体１１５の上面に対して突出することにより、上端をカバーリングＣＲの下面に当接させてカバーリングＣＲを支持する。アクチュエータ５２２は、複数の支持ピン５２１を昇降させる。アクチュエータ５２２としては、例えばアクチュエータ５１２と同様のものを利用できる。係る第２のリフタ５２は、例えば搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの受け渡しをする際、複数の支持ピン５２１を昇降させる。図２の例では、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部が載置されている。これにより、アクチュエータ５２２が複数の支持ピン５２１を昇降させると、カバーリングＣＲとエッジリングＦＲとが一体として昇降する。
　制御部９０は、プラズマ処理装置１の各部を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータ９１を含む。コンピュータ９１は、例えば、ＣＰＵ９１１、記憶部９１２、通信インターフェース９１３等を含む。ＣＰＵ９１１は、記憶部９１２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部９１２は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）等のような補助記憶装置からなるグループから選択される少なくとも１つのメモリタイプを含む。通信インターフェース９１３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。制御部９０は、制御部ＣＵと別に設けられていてもよく、制御部ＣＵに含まれていてもよい。
　〔収納モジュール〕
　図４及び図５を参照し、図１の処理システムＰＳが備える収納モジュールＳＭの一例について説明する。
　収納モジュールＳＭは、フレーム６０の上にチャンバ７０が設置され、チャンバ７０の上部に機械室８１を有する。チャンバ７０は、底部に設けられた排気口７１に接続された排気部７２により、内部を減圧できる。また、チャンバ７０には、パージガスとして例えばＮ２ガスが供給される。これにより、チャンバ７０内を調圧できる。機械室８１は、例えば大気圧雰囲気である。
　チャンバ７０内には、ステージ７３と、ステージ７３の下部に設けられたカゴ７４とを有するストレージ７５が設置されている。ストレージ７５は、ボールねじ７６により昇降可能となっている。機械室８１内には、消耗部材の位置、向き等を検出するラインセンサ８２と、ボールねじ７６を駆動するモータ７７とが設置されている。チャンバ７０と機械室８１との間には、ラインセンサ８２が後述する発光部８３の光を受光できるように、石英等で構成される窓８４が設けられている。
　ステージ７３は、消耗部材を載置する。ステージ７３は、ラインセンサ８２に対向する発光部８３を有する。ステージ７３は、θ方向に回転可能であり、載置した消耗部材、例えばエッジリングＦＲを所定の向きに回転させる。すなわち、ステージ７３は、エッジリングＦＲのアライメント（位置合わせ）を行う。位置合わせでは、エッジリングＦＲのオリエンテーションフラット（ＯＦ）を所定の向きに合わせる。また、位置合わせでは、エッジリングＦＲの中心位置を合わせるようにしてもよい。
　ラインセンサ８２は、発光部８３から照射された光の光量を検出し、検出された光量を制御部ＣＵへ出力する。制御部ＣＵは、検出された光量がエッジリングＦＲのオリエンテーションフラットの有無によって変化することを利用して、エッジリングＦＲのオリエンテーションフラットを検出する。制御部ＣＵは、検出したオリエンテーションフラットに基づいて、エッジリングＦＲの向きを検出する。ラインセンサ８２は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のラインセンサである。
　カゴ７４は、ステージ７３の下部に設けられている。カゴ７４の内部には、カセット７８が載置される。カセット７８は、カゴ７４から取り出し可能な収納容器である。カセット７８は、上下方向に間隔を有して、複数の消耗部材を収納する。図４の例では、カセット７８には、複数のエッジリングＦＲが収納されている。カセット７８は、収納モジュールＳＭの正面の側が開放されている。なお、カセット７８の詳細について後述する。
　ストレージ７５は、ステージ７３及びカゴ７４に加えて、ボールねじ７６に支持されるガイド７９を側面に有する。ボールねじ７６は、チャンバ７０の上面と下面とを繋ぎ、チャンバ７０の上面を貫通して機械室８１内のモータ７７に接続されている。チャンバ７０の上面の貫通部は、ボールねじ７６が回転可能なように密封されている。ボールねじ７６は、モータ７７により回転することで、ストレージ７５を上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。
　収納モジュールＳＭは、ゲートバルブＧ４を介して真空搬送モジュールＴＭ２と着脱可能に接続される。チャンバ７０には、ゲートバルブＧ４を介して真空搬送モジュールＴＭ２の搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２が挿入可能となっている。上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２は、例えばカセット７８内へのエッジリングＦＲの搬入、カセット７８内に載置されたエッジリングＦＲの搬出、ステージ７３へのエッジリングＦＲの載置、ステージ７３に載置されたエッジリングＦＲの取得を行う。扉８０は、例えばチャンバ７０内からカセット７８を取り出す際、チャンバ内７０内へカセット７８を設置する際に開閉される。
　発光部８５及び枚数検知センサ８６は、ストレージ７５がチャンバ７０の底面側からカセット７８をゲートバルブＧ４に対向する位置等の上部まで移動する場合に、カセット７８に載置されているエッジリングＦＲの枚数を検知する。発光部８５は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）、半導体レーザ等である。枚数検知センサ８６は、発光部８５から照射された光の光量を検出し、検出された光量を制御部ＣＵへ出力する。制御部ＣＵは、検出された光量に基づいて、発光部８５から照射された光がエッジリングＦＲにより遮られた回数を計測することで、エッジリングＦＲの枚数を検知する。枚数検知センサ８６は、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ等である。また、枚数検知センサ８６は、例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のラインセンサであってもよい。
　なお、上記の例では、制御部ＣＵが収納モジュールＳＭ内のラインセンサ８２により検出された光量に基づいて、エッジリングＦＲの位置情報を算出する場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、エッジリングＦＲの内周の位置を検出する内周センサと、エッジリングＦＲの外周の位置を検出する外周センサと、を含む位置検出センサを用いてもよい。この場合、制御部ＣＵは、内周センサが検出したエッジリングＦＲの外周の位置及び外周センサが検出したエッジリングＦＲの外周の位置に基づいて、エッジリングＦＲの位置情報を算出する。また例えば、ラインセンサ８２に代えて、他の光学的センサ、またはカメラを用いてもよい。この場合、制御部ＣＵは、カメラが撮影した画像に基づいて、例えば画像処理技術を用いることにより、エッジリングＦＲの位置情報を算出する。
　〔搬送ロボット〕
　図６～図９を参照し、搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１について説明する。なお、搬送ロボットＴＲ２の下フォークＦＫ２２についても、上フォークＦＫ２１と同じ構成であってよい。また、搬送ロボットＴＲ１の上フォークＦＫ１１及び下フォークＦＫ１２についても、搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１と同じ構成であってよい。
　図６は、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図６に示されるように、上フォークＦＫ２１は、平面視で略Ｕ字形状を有する。上フォークＦＫ２１は、例えば基板Ｗ、搬送治具ＣＪ、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ、第１の組立体Ａ１、第２の組立体Ａ２を保持可能に構成される。
　搬送治具ＣＪは、エッジリングＦＲを下方から支持する治具であり、エッジリングＦＲのみを交換する場合に用いられうる。搬送治具ＣＪは、カバーリングＣＲを支持せずにエッジリングＦＲのみを支持することが可能に構成されている。例えば、搬送治具ＣＪはエッジリングＦＲの内径より長く且つカバーリングＣＲの内径よりも短い部分を有する板状の部材である。具体的には、搬送治具ＣＪは平面視においてエッジリングＦＲの内径より長く且つカバーリングの内径よりも短い対角線を有する略矩形状の板状部材である。また、搬送治具ＣＪはエッジリングＦＲの内径より長く且つカバーリングＣＲの内径よりも短い直径を有する円板状の部材であってもよい。
　第１の組立体Ａ１は、カバーリングＣＲの上にエッジリングＦＲが載置されることにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが一体となった組立体である。
　第２の組立体Ａ２は、搬送治具ＣＪの上にエッジリングＦＲが載置されることにより、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲが一体となった組立体である。
　図７は、第１の組立体Ａ１（エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲ）を保持した状態の上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図７に示されるように、上フォークＦＫ２１は、第１の組立体Ａ１を保持可能に構成されている。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送できる。
　図８は、第２の組立体Ａ２（搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲ）を保持した状態の上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図８に示されるように、上フォークＦＫ２１は、第２の組立体Ａ２を保持可能に構成されている。これにより搬送ロボットＴＲ２は、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲを同時に搬送できる。
　図９は、搬送治具ＣＪのみを保持した状態の上フォークＦＫ２１を示す概略平面図である。図９に示されるように、上フォークＦＫ２１は、エッジリングＦＲを支持していない搬送治具ＣＪを保持可能に構成されている。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、搬送治具ＣＪを単独で搬送できる。
　〔カセット〕
　図１０を更に参照し、収納モジュールＳＭが有するカセット７８の一例として、エッジリングＦＲを収納するカセット７８について説明する。図１０は、収納モジュールＳＭ内のカセット７８の一例を示す概略斜視図である。なお、図１０では、エッジリングＦＲが収納されていない状態のカセット７８を示す。
　カセット７８は、エッジリングＦＲを収納する。カセット７８は、複数のベースプレート７８１及び複数のガイドピン７８２を有する。
　複数のベースプレート７８１は、上下方向に多段に設けられている。複数のベースプレート７８１は、エッジリングＦＲを載置する。各ベースプレート７８１は、略矩形板状を有する。各ベースプレート７８１は、例えば樹脂、金属により形成されている。各ベースプレート７８１は、載置面７８１ａ、外枠部７８１ｂ及びフォーク挿入溝７８１ｃを含む。
　載置面７８１ａは、エッジリングＦＲを載置する。
　外枠部７８１ｂ（凹部）は、載置面７８１ａの４辺のうち上フォークＦＫ２１及び下フォークＦＫ２２が挿入される正面側の一辺を除く３辺の外周部において、載置面７８１ａから上方に突出する。該外枠部７８１ｂ上には、別のベースプレート７８１が載置される。
　フォーク挿入溝７８１ｃは、載置面７８１ａに形成されている。フォーク挿入溝７８１ｃは、載置面７８１ａに対して窪んでおり、上面視で略Ｕ字形状を有する。フォーク挿入溝７８１ｃには、搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１または下フォークＦＫ２２が挿入される。一例では、載置面７８１ａ上で位置決めされたエッジリングＦＲをカセット７８から搬出する際、搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１又は下フォークＦＫ２２がフォーク挿入溝７８１ｃに挿入される。
　複数のガイドピン７８２は、載置面７８１ａに設けられている。各ガイドピン７８２は、先端が先細りの円錐状を有してよい。複数のガイドピン７８２は、載置面７８１ａにエッジリングＦＲが載置される際に、エッジリングＦＲの外周部と接触して該エッジリングＦＲが載置面７８１ａの所定の位置に載置されるようにガイドする。各ガイドピン７８２は、樹脂または金属等で形成されてよい。樹脂であれば、エッジリングＦＲの外周部と接触した際の擦れによるパーティクルの発生を抑制できる。
　なお、図１０では、エッジリングＦＲを収納するカセット７８を例示したが、例えば搬送治具ＣＪ、カバーリングＣＲ、第１の組立体Ａ１、第２の組立体Ａ２を収納するカセット７８についても、複数のガイドピン７８２を除いて同様の構成であってよい。
　例えば、カバーリングＣＲを収納するカセット７８では、カバーリングＣＲの内周部と接触する位置に複数のガイドピン７８２が設けられる。これにより、カバーリングＣＲが載置面７８１ａの所定の位置にガイドされて載置される。
　また例えば、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを収納するカセット７８では、載置面７８１ａに載置されるエッジリングＦＲの外周部及びカバーリングＣＲの内周部と接触する位置に複数のガイドピン７８２が設けられる。これにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置面７８１ａの所定の位置にガイドされて載置される。
　図１１Ａ～図１１Ｃを参照し、エッジリングＦＲの位置決め機構の一例について説明する。図１１Ａ～図１１Ｃは、エッジリングＦＲの位置決め機構の一例を示す図である。図１１Ａは、ベースプレート７８１上に載置されたエッジリングＦＲの下方に、上フォークＦＫ２１を進入させたときの上面図である。図１１Ｂは、図１１Ａにおける一点鎖線Ｂ１－Ｂ１において切断した断面を示す。図１１Ｃは、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上に載置されたエッジリングＦＲを持ち上げたときの断面図である。
　図１１Ａ及び図１１Ｂに示されるように、エッジリングＦＲは、その外周に切欠きＦＲａを有する。切欠きＦＲａは、例えば平面視においてＶ字形状を有する。Ｖ字形状の開き角度は、適宜設定されてよく、例えば９０°であってよい。また、切欠きＦＲａは、例えば平面視においてＵ字形状等の曲線形状を有していてもよい。
　まず、図１１Ａ及び図１１Ｂに示されるように、ベースプレート７８１上に載置されたエッジリングＦＲの下方に上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図１１Ｃに示されるように、上フォークＦＫ２１を上昇させる。これにより、上フォークＦＫ２１は、ベースプレート７８１上に位置決めされた状態でカセット７８内に収納されているエッジリングＦＲを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。
　このように、上フォークＦＫ２１が、ベースプレート７８１上に位置決めされた状態でカセット７８内に収納されているエッジリングＦＲを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。そのため、エッジリングＦＲの位置決めを行うアライナを別途設けることなく、エッジリングＦＲを精密に位置決めされた状態でプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送できる。その結果、エッジリングＦＲをアライナに搬送することにより生じるダウンタイムを削減できる。また、装置導入コストを低減できる。また、スペース効率が向上する。ただし、アライナを別途設けて、アライナでエッジリングＦＲをより精密に位置合わせして搬送するようにしてもよい。
　なお、図１１Ａ～図１１Ｃの例では、エッジリングＦＲが外周に１つの切欠きＦＲａを有する場合を示したが、切欠きＦＲａの数はこれに限定されない。例えば、エッジリングＦＲは、外周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＦＲａを有していてもよい。この場合、ガイドピン７８２を複数の切欠きＦＲａのそれぞれに対応して設けることが好ましい。これにより、角度誤差を小さくできる。
　また、図１１Ａ～図１１Ｃの例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
　図１２Ａ～図１２Ｃを参照し、カバーリングＣＲの位置決め機構の一例について説明する。図１２Ａ～図１２Ｃは、カバーリングＣＲの位置決め機構の一例を示す図である。図１２Ａは、ベースプレート７８１上に載置されたカバーリングＣＲの下方に、上フォークＦＫ２１を進入させたときの上面図である。図１２Ｂは、図１２Ａにおける一点鎖線Ｂ２－Ｂ２において切断した断面を示す。図１２Ｃは、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上に載置されたカバーリングＣＲを持ち上げたときの断面図である。
　図１２Ａ及び図１２Ｂに示されるように、カバーリングＣＲは、その内周に切欠きＣＲａを有する。切欠きＣＲａは、例えば平面視においてＶ字形状を有する。Ｖ字形状の開き角度は、適宜設定されてよく、例えば９０°であってよい。また、切欠きＣＲａは、例えば平面視においてＵ字形状等の曲線形状を有していてもよい。
　まず、図１２Ａ及び図１２Ｂに示されるように、ベースプレート７８１上に載置されたカバーリングＣＲの下方に上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図１２Ｃに示されるように、上フォークＦＫ２１を上昇させる。これにより、上フォークＦＫ２１は、ベースプレート７８１上に位置決めされた状態でカセット７８内に収納されているカバーリングＣＲを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。
　このように、上フォークＦＫ２１が、ベースプレート７８１上に位置決めされた状態でカセット７８内に収納されているカバーリングＣＲを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。そのため、カバーリングＣＲの位置決めを行うアライナを別途設けることなく、カバーリングＣＲを精密に位置決めされた状態でプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送できる。その結果、カバーリングＣＲをアライナに搬送することにより生じるダウンタイムを削減できる。また、装置導入コストを低減できる。また、スペース効率が向上する。ただし、アライナを別途設けて、アライナでカバーリングＣＲをより精密に位置合わせして搬送するようにしてもよい。
　なお、図１２Ａ～図１２Ｃの例では、カバーリングＣＲが内周に１つの切欠きＣＲａを有する場合を示したが、切欠きＣＲａの数はこれに限定されない。例えば、カバーリングＣＲは、内周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＣＲａを有していてもよい。この場合、ガイドピン７８２を複数の切欠きＣＲａのそれぞれに対応して設けることが好ましい。これにより、角度誤差を小さくできる。
　また、図１２Ａ～図１２Ｃの例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
　図１３Ａ～図１３Ｃを参照し、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの位置決め機構について説明する。図１３Ａ～図１３Ｃは、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの位置決め機構の一例を示す図である。図１３Ａは、ベースプレート７８１上に載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの下方に、上フォークＦＫ２１を進入させたときの上面図である。図１３Ｂは、図１３Ａにおける一点鎖線Ｂ３－Ｂ３において切断した断面を示す。図１３Ｃは、上フォークＦＫ２１によりベースプレート７８１上に載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを持ち上げたときの断面図である。
　図１３Ａ及び図１３Ｂに示される位置決め機構は、例えばカバーリングＣＲの内周がエッジリングＦＲの外周よりも小さい場合、カバーリングＣＲの内周がエッジリングＦＲの外周と同じであり、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２が後述の図２９に示されるプラズマ処理装置である場合に使用できる。
　図１３Ａ及び図１３Ｂに示されるように、エッジリングＦＲはその外周に切欠きＦＲａを有し、カバーリングＣＲはその内周に切欠きＣＲａを有する。切欠きＦＲａ，ＣＲａは、例えば平面視においてＶ字形状を有する。Ｖ字形状の開き角度は、例えば９０°であってよい。また、切欠きＦＲａ，ＣＲａは、例えば平面視においてＵ字形状等の曲線形状を有していてもよい。
　まず、図１３Ａ及び図１３Ｂに示されるように、ベースプレート７８１上に載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの下方に上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図１３Ｃに示されるように、上フォークＦＫ２１を上昇させる。これにより、上フォークＦＫ２１は、ベースプレート７８１上に位置決めされた状態でカセット７８内に収納されているエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。
　このように、上フォークＦＫ２１が、ベースプレート７８１上に位置決めされた状態でカセット７８内に収納されているエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。そのため、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの位置決めを行うアライナを別途設けることなく、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを精密に位置決めされた状態でプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送できる。その結果、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをアライナに搬送することにより生じるダウンタイムを削減できる。また、装置導入コストを低減できる。また、スペース効率が向上する。ただし、アライナを別途設けて、アライナでエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをより精密に位置合わせして搬送するようにしてもよい。
　なお、図１３Ａ～図１３Ｃの例では、エッジリングＦＲが外周に１つの切欠きＦＲａを有し、カバーリングＣＲが内周に１つの切欠きＣＲａを有する場合を示したが、切欠きＦＲａ，ＣＲａの数はこれに限定されない。例えば、エッジリングＦＲは、外周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＦＲａを有し、カバーリングＣＲは、内周に、周方向に互いに離間した複数の切欠きＣＲａを有していてもよい。この場合、ガイドピン７８２を複数の切欠きＦＲａ，ＣＲａのそれぞれに対応して設けることが好ましい。これにより、角度誤差を小さくできる。
　また、図１３Ａ～図１３Ｃの例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
　また、図１３Ａ～図１３Ｃの例では、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを外周又は内周で位置決めする場合を説明したが、これに限定されない。例えば、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの裏面（載置面７８１ａに載置される側の面）に位置決めのための凹部（又は凸部）を設けてそれぞれの位置決めをしてもよい。
　また、図１３Ａ～図１３Ｃの例では、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複しない構成を有する場合を説明したが、これに限定されず、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは重複する構成を有していてもよい。この場合、エッジリングＦＲをカバーリングＣＲに対して位置決めされた状態で保持し、一例ではカバーリングＣＲの外周に位置決め部を設けてカバーリングＣＲを位置決めすることでエッジリングＦＲを位置決めしてもよい。また別の一例では、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲのそれぞれの重複していない領域に位置決めのための凹部（又は凸部）を設けてもよい。この場合、ガイドピン７８２を凹部と係合する位置に設ければよい。これにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲのそれぞれの位置決めができる。
　以上、図１１Ａ～図１３Ｃを参照して、搬送ロボットＴＲ２が上フォークＦＫ２１を用いてエッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲをカセット７８から搬出する場合を説明した。
　なお、エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲをカセット７８に搬入する場合、搬送ロボットＴＲ２の上フォークＦＫ２１を用いてエッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置してもよい。また、収納モジュールＳＭの非稼働時に、例えば、オペレータが収納モジュールＳＭのゲートバルブＧ４に対向する側に設けられた扉８０を開き、エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを、カセット７８のベースプレート７８１上に載置してもよい。また、別のロボットを用いて載置してもよい。
　図１４を参照し、収納モジュールＳＭ内に位置決めして載置された第２の組立体Ａ２（搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲ）を、上フォークＦＫ２１によりカセット７８から搬出する場合について説明する。図１４に示される動作は、例えばプラズマ処理装置１の静電チャック１１２上に載置されたときにエッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合であり、制御部ＣＵが後述する単独搬送モードを選択して実行する場合に行われる。図１４は、カセット７８に収納される第２の組立体Ａ２の一例を示す概略上面図である。
　まず、図１４に示されるように、ベースプレート７８１上に載置された第２の組立体Ａ２の下方に上フォークＦＫ２１を進入させる。続いて、上フォークＦＫ２１を上昇させる。これにより、上フォークＦＫ２１は、カセット７８内に収納されている第２の組立体Ａ２を保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。
　このように、搬送ロボットＴＲ２は、上フォークＦＫ２１によりカセット７８内に収納されている第２の組立体Ａ２（搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲ）を保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲを同時に搬送する。
　なお、図１４の例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
　図１５を参照し、上フォークＦＫ２１により収納モジュールＳＭ内に位置決めして載置された搬送治具ＣＪを、カセット７８から搬出する場合について説明する。図１５に示される動作は、例えばプラズマ処理装置１の静電チャック１１２上に載置されたときにエッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合であり、制御部ＣＵが後述する単独搬送モードを選択して実行する場合に行われる。図１５は、カセット７８に収納される搬送治具ＣＪの一例を示す概略平面図である。
　まず、図１５に示されるように、ベースプレート７８１上に載置された搬送治具ＣＪの下方に上フォークＦＫ２１を進入させる。続いて、上フォークＦＫ２１を上昇させる。これにより、上フォークＦＫ２１は、カセット７８内に収納されている搬送治具ＣＪを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送する。
　このように、搬送ロボットＴＲ２は、上フォークＦＫ２１によりカセット７８内に収納されている搬送治具ＣＪを保持し、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２に搬送治具ＣＪを単独で搬送する。
　なお、図１５の例では、上フォークＦＫ２１を用いる場合を例示したが、下フォークＦＫ２２を用いてもよい。
　図１６を参照し、図４及び図５の収納モジュールＳＭが有するカセット７８の別の一例について説明する。図１６は、収納モジュールＳＭ内のカセット７８の別の一例を示す概略斜視図であり、消耗部材の一例であるエッジリングＦＲを収納するカセット７８Ｘを示す。
　図１６に示されるカセット７８Ｘは、複数のガイドピン７８２に代えて、エッジリングＦＲの外周部と当接してエッジリングＦＲを所定の位置に保持する傾斜面を有する傾斜ブロック７８２ｂを有する点で、図１０に示されるカセット７８と異なる。なお、その他の構成については、図１０に示されるカセット７８と同じ構成であってよい。
　また、更に別の一例として、カセット７８が、カバーリングＣＲの内周部と当接してカバーリングＣＲを所定の位置に保持する傾斜面を有する傾斜ブロック（図示せず）を有するようにしてもよい。また、更に別の一例として、カセット７８が、エッジリングＦＲの外周部及びカバーリングＣＲの内周部と当接してエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを所定の位置に保持する傾斜面を有する傾斜ブロック（図示せず）を有するようにしてもよい。また、傾斜ブロックは、エッジリングＦＲの内周部と当接してエッジリングＦＲを所定の位置に保持するように構成されていてもよい。また、傾斜ブロックは、カバーリングＣＲの外周部と当接してカバーリングＣＲを保持するように構成されていてもよい。
　〔消耗部材の搬送方法〕
　図１７Ａ～図１９Ｄを参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送させる同時搬送モードを選択して実行する場合を説明する。以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及びリフタ５０を制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０がリフタ５０を制御するようにしてもよい。なお、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは平面視で重複する構成を有するものとする。また、初期状態において、図１７Ａ及び図１７Ｂに示されるように、静電チャック１１２上にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置されているものとする。
　まず、図１８Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５２１の上端がカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５２１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが静電チャック１１２から離間する。このとき、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部（外側環状部分）が載置されている。そのため、複数の支持ピン５２１によってカバーリングＣＲが持ち上げられると、エッジリングＦＲもカバーリングＣＲと共に持ち上げられる。すなわち、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが一体となって静電チャック１１２から離間する。
　続いて、図１８Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない下フォークＦＫ２２を進入させる。
　続いて、図１８Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５２１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図１８Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを保持した下フォークＦＫ２２を退出させる。
　続いて、図１９Ａに示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に交換用のエッジリングＦＲ及び交換用のカバーリングＣＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。交換用のエッジリングＦＲは、新品（未使用）であってもよいし、使用済みであまり消耗していないものであってもよい。交換用のカバーリングＣＲは、新品（未使用）であってもよいし、使用済みであまり消耗していないものであってもよい。
　続いて、図１９Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５２１の上端が上フォークＦＫ２１に保持されたカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５２１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが上フォークＦＫ２１から離間する。このとき、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５２１によってエッジリングＦＲとカバーリングＣＲとを持ち上げる。すなわち、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが一体となって上フォークＦＫ２１から離間する。
　続いて、図１９Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
　続いて、図１９Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５２１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが静電チャック１１２上に載置される。以上により、図１７Ａ及び図１７Ｂに示されるように、プラズマ処理チャンバ１０内にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが同時に搬入され、静電チャック１１２上に載置される。
　このように、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをプラズマ処理チャンバ１０内から搬出する場合には、制御部ＣＵは、前述したエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬入と逆の動作を実行する。
　以上に説明したように、実施形態の処理システムＰＳによれば、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送できる。
　図２０Ａ～図２３Ｄを参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の別の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる単独搬送モードを選択して実行する場合を説明する。以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及びリフタ５０を制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０がリフタ５０を制御するようにしてもよい。なお、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは平面視で重複する構成を有するものとする。また、初期状態において、図１７Ａ及び図１７Ｂに示されるように、静電チャック１１２上にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置されているものとする。
　まず、図２０Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５２１の上端がカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５２１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが静電チャック１１２から離間する。このとき、カバーリングＣＲの内周部にエッジリングＦＲの外周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５２１によってカバーリングＣＲが持ち上げられると、エッジリングＦＲもカバーリングＣＲと共に持ち上げられる。すなわち、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが一体となって静電チャック１１２から離間する。
　続いて、図２０Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲと静電チャック１１２との間に、搬送治具ＣＪを保持した下フォークＦＫ２２を進入させる。
　続いて、図２０Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５１１の上端が搬送治具ＣＪの下面に当接し、該搬送治具ＣＪが複数の支持ピン５１１によって持ち上げられ、該搬送治具ＣＪが下フォークＦＫ２２から離間する。
　続いて、図２０Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない下フォークＦＫ２２を退出させる。
　続いて、図２１Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、支持位置から待機位置まで下降させる。このとき、エッジリングＦＲの内周部（内側環状部分）が搬送治具ＣＪに支持されているので、複数の支持ピン５２１に支持されたカバーリングＣＲのみが静電チャック１１２上に載置される。
　続いて、図２１Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１に支持された搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない下フォークＦＫ２２を進入させる。
　続いて、図２１Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を、支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５１１に支持された搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図２１Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲを保持した下フォークＦＫ２２を退出させる。
　続いて、図２２Ａに示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に交換用のエッジリングＦＲを保持した搬送治具ＣＪを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図２２Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を制御し、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５１１の上端が上フォークＦＫ２１に保持された搬送治具ＣＪの下面に当接し、該搬送治具ＣＪが複数の支持ピン５１１によって持ち上げられ、該搬送治具ＣＪが上フォークＦＫ２１から離間する。このとき、搬送治具ＣＪ上にエッジリングＦＲの内周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５１１によって搬送治具ＣＪが持ち上げられると、エッジリングＦＲも搬送治具ＣＪと共に持ち上げられる。すなわち、搬送治具ＣＪ及びエッジリングＦＲが一体となって上フォークＦＫ２１から離間する。
　続いて、図２２Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
　続いて、図２２Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、待機位置から支持位置まで上昇させる。これにより、複数の支持ピン５２１の上端が静電チャック１１２上に載置されたカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５２１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが静電チャック１１２から離間する。また、搬送治具ＣＪ上に載置されたエッジリングＦＲの外周部がカバーリングＣＲの内周部に載置される。
　続いて、図２３Ａに示されるように、制御部ＣＵは、搬送治具ＣＪ、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図２３Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を、支持位置から待機位置まで下降させる。このとき、エッジリングＦＲの外周部がカバーリングＣＲの内周部に載置されているので、複数の支持ピン５１１に支持された搬送治具ＣＪのみが上フォークＦＫ２１上に載置される。
　続いて、図２３Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、搬送治具ＣＪを保持した上フォークＦＫ２１を退出させる。
　続いて、図２３Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５２１を、支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５２１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが静電チャック１１２上に載置される。
　以上に説明したように、実施形態の処理システムＰＳによれば、カバーリングＣＲを交換することなく、エッジリングＦＲのみを単独で搬送できる。以上により、プラズマ処理チャンバ１０内にエッジリングＦＲのみが搬入され、カバーリングＣＲが載置された静電チャック１１２上に載置される。
　このように、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲのうちのエッジリングＦＲのみをプラズマ処理チャンバ１０内から搬出する場合には、制御部ＣＵは、前述したエッジリングＦＲの搬入と逆の動作を実行する。
　〔消耗部材の交換方法〕
　図２４を参照し、実施形態の消耗部材の交換方法の一例について説明する。図２４は、実施形態の消耗部材の交換方法の一例を示すフローチャートである。以下では、前述のプロセスモジュールＰＭ１２内の消耗部材を交換する場合を例に挙げて説明する。なお、図２４に示される実施形態の消耗部材の交換方法は、制御部ＣＵにより処理システムＰＳの各部が制御されることにより行われる。
　ステップＳ１０では、制御部ＣＵは、カバーリングＣＲの交換が必要であるか否かを判定する。本実施形態において、制御部ＣＵは、例えばＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力、レシピの特定ステップの積算値に基づいて、カバーリングＣＲの交換が必要であるか否かを判定する。ＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力、レシピの特定ステップの積算値については、後述する。また、制御部ＣＵは、例えば光学的手段を用いてカバーリングＣＲの高さ位置を検出することにより、カバーリングＣＲの交換が必要であるか否かを判定してもよい。また、別の例では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲの交換回数をカウントしておき所定値に達したらカバーリングＣＲの交換を行うようにしてもよい。例えば、エッジリングＦＲを３回交換した場合にカバーリングＣＲを１回交換してもよい。このとき、３回目のエッジリングＦＲの交換を行うタイミングで、カバーリングＣＲも同時に交換する。また、別の例では、制御部ＣＵは、カバーリングＣＲの交換周期ではエッジリングＦＲとカバーリングＣＲを同時に交換するようにしてもよい。図２４のフローチャートは、カバーリングＣＲの交換周期ではエッジリングＦＲとカバーリングＣＲを同時に交換する例である。
　ステップＳ１０において、カバーリングＣＲの交換が必要であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ２０へ進める。一方、ステップＳ１０において、カバーリングＣＲの交換が必要でないと判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ４０へ進める。
　ステップＳ２０では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの交換が可能であるか否かを判定する。エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの交換が可能であるか否かの判定は、例えば後述するエッジリングＦＲの交換が可能であるか否かの判定と同じ判定方法を利用できる。ただし、異なる判定方法を利用してもよい。ステップＳ２０において、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの交換が可能であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ３０へ進める。一方、ステップＳ２０において、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの交換が可能でないと判定した場合、制御部ＣＵはステップＳ２０を再び行う。
　ステップＳ３０では、制御部ＣＵは、同時搬送モードを選択し、搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送させる。ステップＳ３０の詳細については後述する。
　ステップＳ４０では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。本実施形態において、制御部ＣＵは、例えばＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力、レシピの特定ステップの積算値に基づいて、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。
　ＲＦ積算時間とは、所定のプラズマ処理の際にプロセスモジュールＰＭ１２において高周波電力が供給された時間の積算値である。ＲＦ積算電力とは、所定のプラズマ処理の際にプロセスモジュールＰＭ１２において供給された高周波電力の積算値である。レシピの特定ステップの積算値とは、プロセスモジュールＰＭ１２において行われる処理のステップのうちエッジリングＦＲが削られるステップにおいて高周波電力が供給された時間の積算値や高周波電力の積算値である。なお、ＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力及びレシピの特定ステップの積算値は、例えば装置が導入された時点、メンテナンスが実施された時点等、エッジリングＦＲを交換した時点を起点として算出される値である。
　ＲＦ積算時間に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、制御部ＣＵは、ＲＦ積算時間が閾値に達した場合、エッジリングＦＲを交換する必要があると判定する。これに対し、制御部ＣＵは、ＲＦ積算時間が閾値に達していない場合、エッジリングＦＲを交換する必要がないと判定する。なお、閾値は、予備実験等により、エッジリングＦＲの材質等の種類に応じて定められる値である。
　ＲＦ積算電力に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、制御部ＣＵは、ＲＦ積算電力が閾値に達した場合、エッジリングＦＲを交換する必要があると判定する。これに対し、制御部ＣＵは、ＲＦ積算電力が閾値に達していない場合、エッジリングＦＲを交換する必要がないと判定する。なお、閾値は、予備実験等により、エッジリングＦＲの材質等の種類に応じて定められる値である。
　レシピの特定ステップの積算値に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、制御部ＣＵは、特定のステップにおけるＲＦ積算時間又はＲＦ積算電力が閾値に達した場合、エッジリングＦＲの交換が必要である判定する。これに対し、制御部ＣＵは、特定ステップにおけるＲＦ積算時間又はＲＦ積算電力が閾値に達していない場合、エッジリングＦＲを交換する必要がないと判定する。レシピの特定ステップの積算値に基づいてエッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する場合、高周波電力が印加され、エッジリングＦＲが削られるステップに基づいて、エッジリングＦＲを交換するタイミングを算出することができる。このため、特に高い精度でエッジリングＦＲを交換するタイミングを算出することができる。なお、閾値は、予備実験等により、エッジリングＦＲの材質等の種類に応じて定められる値である。
　また、制御部ＣＵは、例えば光学的手段を用いてエッジリングＦＲの高さ位置を検出することにより、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定してもよい。
　ステップＳ４０において、エッジリングＦＲの交換が必要であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ５０へ進める。一方、エッジリングＦＲの交換が必要でないと判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１０へ戻す。
　ステップＳ５０では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲの交換が可能であるか否かを判定する。本実施形態において、制御部ＣＵは、例えばエッジリングＦＲの交換を行うプロセスモジュールＰＭ１２において基板Ｗに処理が行われていない場合、エッジリングＦＲの交換が可能であると判定する。これに対し、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２において基板Ｗに処理が行われている場合、エッジリングＦＲの交換が可能ではないと判定する。また、制御部ＣＵは、例えばエッジリングＦＲの交換を行うプロセスモジュールＰＭ１２において処理が行われている基板Ｗと同一のロットの基板Ｗの処理が終了した場合、エッジリングＦＲの交換が可能であると判定してもよい。この場合、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２において処理が行われている基板Ｗと同一のロットの基板Ｗの処理が終了するまでの間、エッジリングＦＲの交換が可能ではないと判定する。
　ステップＳ５０において、エッジリングＦＲの交換が可能であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ６０へ進める。一方、エッジリングＦＲの交換が可能でないと判定した場合、制御部ＣＵはステップＳ５０を再び行う。
　ステップＳ６０では、制御部ＣＵは、単独搬送モードを選択し、搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる。ステップＳ６０の詳細については後述する。
　次に、図２５を参照し、ステップＳ３０の詳細について説明する。ステップＳ３０は、第１のクリーニングステップＳ３１と、搬出ステップＳ３２と、第２のクリーニングステップＳ３３と、搬入ステップＳ３４と、シーズニングステップＳ３５とを有する。以下、各々のステップについて説明する。
　第１のクリーニングステップＳ３１は、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行うステップである。第１のクリーニングステップＳ３１では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う。クリーニング処理とは、プラズマ処理によって発生したプロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物を処理ガスのプラズマ等により除去し、プロセスモジュールＰＭ１２内を清浄な状態で安定させる処理である。第１のクリーニングステップＳ３１を行うことにより、搬出ステップＳ３２においてステージからエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出する際、プロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物が巻き上がることを抑制することができる。処理ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）ガス、フッ化炭素（ＣＦ）系ガス、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、プロセスモジュールＰＭ１２内に堆積物が存在しない場合等、堆積物が巻き上がることがない場合には、第１のクリーニングステップＳ３１を行わなくてもよい。また、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲがステージに吸着している場合には、次の搬出ステップＳ３２までに除電処理を行う。エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの裏面の堆積物を除去するため、第１のクリーニングステップＳ３１の実行中に、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを静電チャック１１２および絶縁体１１５から離隔するように持ち上げてもよい。また、第１のクリーニングステップＳ３１の実行中に、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを持ち上げた（リフトアップした）状態と持ち上げていない（リフトアップしていない）状態との間で、状態を変更してもよい。このように、第１のクリーニングステップＳ３１においては、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをリフトアップした状態及び／又はリフトアップしていない状態でクリーニング処理を行ってよい。
　搬出ステップＳ３２は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出するステップである。搬出ステップＳ３２では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをプロセスモジュールＰＭ１２から搬出する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出する。続いて、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２から搬出されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを収納モジュールＳＭに収納する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図１８Ａ～図１８Ｄに示される搬送方法により、プロセスモジュールＰＭ２内からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出して収納モジュールＳＭに収納する。
　第２のクリーニングステップＳ３３は、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置される面をクリーニング処理するステップである。第２のクリーニングステップＳ３３では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置される面のクリーニング処理を行う。第２のクリーニングステップＳ３３におけるクリーニング処理は、例えば第１のクリーニングステップＳ３１と同様の方法で行うことができる。即ち、処理ガスとしては、例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ系ガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、第２のクリーニングステップＳ３３は省略してもよい。
　搬入ステップＳ３４は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬入し、ステージに載置するステップである。搬入ステップＳ３４では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲおよびカバーリングＣＲを搬入するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、収納モジュールＳＭに収容された交換用のエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出する。続いて、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、交換用のエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをプロセスモジュールＰＭ１２に搬入し、ステージに載置する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図１９Ａ～図１９Ｄに示される搬送方法により、収納モジュールＳＭに収納されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをプロセスモジュールＰＭ１２内のステージに載置する。
　シーズニングステップＳ３５は、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行うステップである。シーズニングステップＳ３５では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行う。シーズニング処理とは、所定のプラズマ処理を行うことにより、プロセスモジュールＰＭ１２内の温度や堆積物の状態を安定させるための処理である。また、シーズニングステップＳ３５では、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理の後、プロセスモジュールＰＭ１２内に品質管理用ウエハを搬入し、品質管理用ウエハに対し、所定の処理を行ってもよい。これにより、プロセスモジュールＰＭ１２の状態が正常であるか否かを確認することができる。なお、シーズニングステップＳ３５は省略してもよい。
　以上に説明したように、実施形態の処理システムＰＳによれば、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、搬送ロボットＴＲ２によりプロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出する。その後、プロセスモジュールＰＭ１２内をクリーニング処理し、続いて搬送ロボットＴＲ２によりプロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬入する。これにより、作業者が手動でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの交換を行うことなく、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に交換できる。このため、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの交換に要する時間を短縮することができ、生産性が向上する。また、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの搬入前にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置される面がクリーニングされることにより、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲと該エッジリングＦＲ及び該カバーリングＣＲが載置される面との間に堆積物が存在することを抑制できる。その結果、両者の接触が良好となることでエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの温度制御性を良好に維持することができる。
　次に、図２６を参照し、ステップＳ６０の詳細について説明する。ステップＳ６０は、第１のクリーニングステップＳ６１と、搬出ステップＳ６２と、第２のクリーニングステップＳ６３と、搬入ステップＳ６４と、シーズニングステップＳ６５とを有する。以下、各々のステップについて説明する。
　第１のクリーニングステップＳ６１は、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行うステップである。第１のクリーニングステップＳ６１では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う。クリーニング処理とは、プラズマ処理によって発生したプロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物を処理ガスのプラズマ等により除去し、プロセスモジュールＰＭ１２内を清浄な状態で安定させる処理である。第１のクリーニングステップＳ６１を行うことにより、搬出ステップＳ６２においてステージからエッジリングＦＲを搬出する際、プロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物が巻き上がることを抑制することができる。処理ガスとしては、例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ系ガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、プロセスモジュールＰＭ１２内に堆積物が存在しない場合等、堆積物が巻き上がることがない場合には、第１のクリーニングステップＳ６１を行わなくてもよい。また、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲがステージに吸着している場合には、次の搬出ステップＳ６２までに除電処理を行う。エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲの裏面の堆積物を除去するため、第１のクリーニングステップＳ６１の実行中に、エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを静電チャック１１２および絶縁体１１５から離隔するように持ち上げてもよい。また、第１のクリーニングステップＳ６１の実行中に、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをリフトアップした状態とリフトアップしていない状態との間で、状態を変更してもよい。このように、第１のクリーニングステップＳ６１においては、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをリフトアップした状態及び／又はリフトアップしていない状態でクリーニング処理を行ってよい。
　搬出ステップＳ６２は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲを搬出するステップである。搬出ステップＳ６２では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲを搬出するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲをプロセスモジュールＰＭ１２から搬出する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲを搬出する。続いて、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２から搬出されたエッジリングＦＲを収納モジュールＳＭに収納する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図２０Ａ～図２１Ｄに示される搬送方法により、プロセスモジュールＰＭ２内からエッジリングＦＲを搬出して収納モジュールＳＭに収納する。
　第２のクリーニングステップＳ６３は、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲが載置される面をクリーニング処理するステップである。第２のクリーニングステップＳ６３では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲが載置される面のクリーニング処理を行う。第２のクリーニングステップＳ６３におけるクリーニング処理は、例えば第１のクリーニングステップＳ６１と同様の方法で行うことができる。即ち、処理ガスとしては、例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ系ガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、第２のクリーニングステップＳ６３は省略してもよい。
　搬入ステップＳ６４は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲを搬入し、ステージに載置するステップである。搬入ステップＳ６４では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲを搬入するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、収納モジュールＳＭに収容された交換用のエッジリングＦＲを搬出する。続いて、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、交換用のエッジリングＦＲをプロセスモジュールＰＭ１２に搬入し、ステージに載置する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図２２Ａ～図２３Ｄに示される搬送方法により、収納モジュールＳＭに収納されたエッジリングＦＲをプロセスモジュールＰＭ１２内のステージに載置する。
　シーズニングステップＳ６５は、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行うステップである。シーズニングステップＳ６５では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行う。シーズニング処理とは、所定のプラズマ処理を行うことにより、プロセスモジュールＰＭ１２内の温度や堆積物の状態を安定させるための処理である。また、シーズニングステップＳ６５では、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理の後、プロセスモジュールＰＭ１２内に品質管理用ウエハを搬入し、品質管理用ウエハに対し、所定の処理を行ってもよい。これにより、プロセスモジュールＰＭ１２の状態が正常であるか否かを確認することができる。なお、シーズニングステップＳ６５は省略してもよい。
　以上に説明したように、実施形態の処理システムＰＳによれば、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、搬送ロボットＴＲ２によりプロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲを搬出する。その後、プロセスモジュールＰＭ１２内をクリーニング処理し、続いて搬送ロボットＴＲ２によりプロセスモジュールＰＭ１２内にエッジリングＦＲを搬入する。これにより、作業者が手動でエッジリングＦＲの交換を行うことなく、エッジリングＦＲのみを単独で交換できる。このため、エッジリングＦＲの交換に要する時間を短縮することができ、生産性が向上する。また、エッジリングＦＲの搬入前にエッジリングＦＲが載置される面がクリーニングされることにより、エッジリングＦＲと該エッジリングＦＲが載置される面との間に堆積物が存在することを抑制できる。その結果、両者の接触が良好となることでエッジリングＦＲの温度制御性を良好に維持することができる。
　図２７を参照し、実施形態の消耗部材の交換方法の別の一例について説明する。図２７は、実施形態の消耗部材の交換方法の別の一例を示すフローチャートである。以下では、前述のプロセスモジュールＰＭ１２内の消耗部材を交換する場合を例に挙げて説明する。なお、図２７に示される実施形態の消耗部材の交換方法は、制御部ＣＵにより処理システムＰＳの各部が制御されることにより行われる。
　ステップＳ１１０では、制御部ＣＵは、カバーリングＣＲの交換が必要であるか否かを判定する。ステップＳ１１０では、例えば前述したステップＳ１０と同様の判定方法を利用できる。
　ステップＳ１１０において、カバーリングＣＲの交換が必要であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１２０へ進める。一方、ステップＳ１１０において、カバーリングＣＲの交換が必要でないと判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１７０へ進める。
　ステップＳ１２０では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。本実施形態において、制御部ＣＵは、例えば前述したＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力、レシピの特定ステップの積算値に基づいて、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。また、制御部ＣＵは、例えば光学的手段を用いてエッジリングＦＲの高さ位置を検出することにより、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定してもよい。
　ステップＳ１２０において、エッジリングＦＲの交換が必要であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１３０へ進める。一方、ステップＳ１２０において、エッジリングＦＲの交換が必要でないと判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１５０へ進める。
　ステップＳ１３０では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの交換が可能であるか否かを判定する。ステップＳ１３０では、例えば前述したステップＳ２０と同様の判定方法を利用できる。
　ステップＳ１３０において、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの交換が可能であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１４０へ進める。一方、ステップＳ１３０において、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲの交換が可能でないと判定した場合、制御部ＣＵはステップＳ１３０を再び行う。
　ステップＳ１４０では、制御部ＣＵは、同時搬送モードを選択し、搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送させる。ステップＳ１４０では、例えば前述したステップＳ３０と同様の搬送方法を利用できる。
　ステップＳ１５０では、制御部ＣＵは、カバーリングＣＲの交換が可能であるか否かを判定する。本実施形態において、制御部ＣＵは、例えばカバーリングＣＲの交換を行うプロセスモジュールＰＭ１２において基板Ｗに処理が行われていない場合、カバーリングＣＲの交換が可能であると判定する。これに対し、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２において基板Ｗに処理が行われている場合、カバーリングＣＲの交換が可能ではないと判定する。また、制御部ＣＵは、例えばカバーリングＣＲの交換を行うプロセスモジュールＰＭ１２において処理が行われている基板Ｗと同一のロットの基板Ｗの処理が終了した場合、カバーリングＣＲの交換が可能であると判定してもよい。この場合、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２において処理が行われている基板Ｗと同一のロットの基板Ｗの処理が終了するまでの間、カバーリングＣＲの交換が可能ではないと判定する。
　ステップＳ１５０において、カバーリングＣＲの交換が可能であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１６０へ進める。一方、ステップＳ１５０において、カバーリングＣＲの交換が可能でないと判定した場合、制御部ＣＵはステップＳ１５０を再び行う。
　ステップＳ１６０では、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ２にカバーリングＣＲのみを交換する動作を実行させる。ステップＳ１６０の詳細については後述する。
　ステップＳ１７０では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。本実施形態において、制御部ＣＵは、例えば前述したＲＦ積算時間、ＲＦ積算電力、レシピの特定ステップの積算値に基づいて、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定する。また、制御部ＣＵは、例えば光学的手段を用いてエッジリングＦＲの高さ位置を検出することにより、エッジリングＦＲの交換が必要であるか否かを判定してもよい。
　ステップＳ１７０において、エッジリングＦＲの交換が必要であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１８０へ進める。一方、エッジリングＦＲの交換が必要でないと判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１１０へ戻す。
　ステップＳ１８０では、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲの交換が可能であるか否かを判定する。ステップＳ１８０では、例えば前述したステップＳ５０と同様の判定方法を利用できる。
　ステップＳ１８０において、エッジリングＦＲの交換が可能であると判定した場合、制御部ＣＵは処理をステップＳ１９０へ進める。一方、ステップＳ１８０において、エッジリングＦＲの交換が可能でないと判定した場合、制御部ＣＵはステップＳ１８０を再び行う。
　ステップＳ１９０では、制御部ＣＵは、単独搬送モードを選択し、搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる。ステップＳ１９０では、例えば前述したステップＳ６０と同様の搬送方法を利用できる。
　次に、図２８を参照し、ステップＳ１６０の詳細について説明する。ステップＳ１６０は、第１のクリーニングステップＳ１６１と、搬出ステップＳ１６２と、第２のクリーニングステップＳ１６３と、搬入ステップＳ１６４と、シーズニングステップＳ１６５とを有する。以下、各々のステップについて説明する。
　第１のクリーニングステップＳ１６１は、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行うステップである。第１のクリーニングステップＳ１６１では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う。クリーニング処理とは、プラズマ処理によって発生したプロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物を処理ガスのプラズマ等により除去し、プロセスモジュールＰＭ１２内を清浄な状態で安定させる処理である。第１のクリーニングステップＳ１６１を行うことにより、搬出ステップＳ１６２においてステージからエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出する際、プロセスモジュールＰＭ１２内の堆積物が巻き上がることを抑制することができる。処理ガスとしては、例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ系ガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、プロセスモジュールＰＭ１２内に堆積物が存在しない場合等、堆積物が巻き上がることがない場合には、第１のクリーニングステップＳ１６１を行わなくてもよい。また、静電チャック１１２によりエッジリングＦＲがステージに吸着している場合には、次の搬出ステップＳ１６２までに除電処理を行う。エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲの裏面の堆積物を除去するため、第１のクリーニングステップＳ１６１の実行中に、エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを静電チャック１１２および絶縁体１１５から離隔するように持ち上げてもよい。また、第１のクリーニングステップＳ１６１の実行中に、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをリフトアップした状態とリフトアップしていない状態との間で、状態を変更してもよい。このように、第１のクリーニングステップＳ１６１においては、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲをリフトアップした状態及び／又はリフトアップしていない状態でクリーニング処理を行ってよい。
　搬出ステップＳ１６２は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出するステップである。搬出ステップＳ１６２では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時にプロセスモジュールＰＭ１２から搬出する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬出する。続いて、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、プロセスモジュールＰＭ１２から搬出されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に収納モジュールＳＭに収納する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図１８Ａ～図１８Ｄに示される搬送方法により、プロセスモジュールＰＭ２内からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを搬出して収納モジュールＳＭに収納する。
　また、搬出ステップＳ１６２では、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲとを別々に搬出してもよい。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたエッジリングＦＲを搬出した後、プロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置されたカバーリングＣＲを搬出してもよい。
　第２のクリーニングステップＳ１６３は、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置される面をクリーニング処理するステップである。第２のクリーニングステップＳ１６３では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のステージのエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが載置される面のクリーニング処理を行う。第２のクリーニングステップＳ１６３におけるクリーニング処理は、例えば第１のクリーニングステップＳ１６１と同様の方法で行うことができる。即ち、処理ガスとしては、例えば、Ｏ２ガス、ＣＦ系ガス、Ｎ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス、あるいは、これらの二種以上の混合ガスを用いることができる。また、プロセスモジュールＰＭ１２のクリーニング処理を行う際、処理条件によってはステージの静電チャック１１２を保護するために、静電チャック１１２の上面にダミーウエハ等の基板Ｗを載置した状態でクリーニング処理を行ってもよい。なお、第２のクリーニングステップＳ１６３は省略してもよい。
　搬入ステップＳ１６４は、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内に搬出ステップＳ１６２において搬出したエッジリングＦＲ及び交換用のカバーリングＣＲを搬入し、ステージに載置するステップである。搬入ステップＳ１６４では、制御部ＣＵは、プロセスモジュールＰＭ１２を大気開放することなく、プロセスモジュールＰＭ１２内に搬出ステップＳ１６２において搬出したエッジリングＦＲ及び交換用のカバーリングＣＲを搬入するように処理システムＰＳの各部を制御する。具体的には、ゲートバルブＧ４を開き、搬送ロボットＴＲ２により、搬出ステップＳ１６２においてプロセスモジュールＰＭ１２から搬出されて収納モジュールＳＭに収容された使用済みのエッジリングＦＲ及び収納モジュールＳＭに収容された交換用のカバーリングＣＲを搬出する。続いて、ゲートバルブＧ１を開き、搬送ロボットＴＲ２により、使用済みのエッジリングＦＲ及び交換用のカバーリングＣＲをプロセスモジュールＰＭ１２に搬入し、ステージに載置する。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、図１９Ａ～図１９Ｄに示される搬送方法により、収納モジュールＳＭに収納された使用済みのエッジリングＦＲ及び交換用のカバーリングＣＲをプロセスモジュールＰＭ１２内のステージに載置する。
　また、搬入ステップＳ１６４では、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲとを別々に搬入してもよい。例えば、制御部ＣＵは、処理システムＰＳの各部を制御し、カバーリングＣＲをプロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置した後、エッジリングＦＲをプロセスモジュールＰＭ１２の内部のステージに載置してもよい。
　シーズニングステップＳ１６５は、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行うステップである。シーズニングステップＳ１６５では、制御部ＣＵは、ガス導入系、排気系、電力導入系等を制御することにより、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理を行う。シーズニング処理とは、所定のプラズマ処理を行うことにより、プロセスモジュールＰＭ１２内の温度や堆積物の状態を安定させるための処理である。また、シーズニングステップＳ１６５では、プロセスモジュールＰＭ１２のシーズニング処理の後、プロセスモジュールＰＭ１２内に品質管理用ウエハを搬入し、品質管理用ウエハに対し、所定の処理を行ってもよい。これにより、プロセスモジュールＰＭ１２の状態が正常であるか否かを確認することができる。なお、シーズニングステップＳ１６５は省略してもよい。
　〔第１変形例〕
　図２９～図３１を参照し、図１の処理システムＰＳが備えるプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２として用いられるプラズマ処理装置の別の一例について説明する。
　プラズマ処理装置１Ｘは、プラズマ処理装置１におけるプラズマ処理チャンバ１０及びリフタ５０に代えて、プラズマ処理チャンバ１０Ｘ及びリフタ５０Ｘを含む。なお、その他の構成については、プラズマ処理装置１と同じであってよい。
　プラズマ処理チャンバ１０Ｘは、基板支持部１１Ｘ及び上部電極１２を含む。基板支持部１１Ｘは、プラズマ処理チャンバ１０Ｘ内のプラズマ処理空間１０ｓの下部領域に配置される。上部電極１２は、基板支持部１１Ｘの上方に配置され、プラズマ処理チャンバ１０Ｘの天板の一部として機能し得る。
　基板支持部１１Ｘは、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板Ｗを支持する。基板支持部１１Ｘは、下部電極１１１、静電チャック１１２、リングアセンブリ１１３Ｘ、絶縁体１１５及びベース１１６を含む。静電チャック１１２は、下部電極１１１上に配置されている。静電チャック１１２は、上面で基板Ｗを支持する。リングアセンブリ１１３Ｘは、エッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを含む。エッジリングＦＲＸは、環形状を有し、下部電極１１１の周縁部上面において基板Ｗの周囲に配置されている。エッジリングＦＲＸは、例えばプラズマ処理の均一性を向上させる。カバーリングＣＲＸは、環形状を有し、エッジリングＦＲＸの外周部に配置されている。カバーリングＣＲＸは、例えばプラズマから絶縁体１１５の上面を保護する。図２９の例では、エッジリングＦＲＸの外径は、カバーリングＣＲＸの内径と同じ、又は、カバーリングＣＲＸの内径よりも小さい。すなわち、平面視において、エッジリングＦＲＸとカバーリングＣＲＸとは重なっていない。これにより、エッジリングＦＲＸとカバーリングＣＲＸとは、独立して昇降する。絶縁体１１５は、ベース１１６上で下部電極１１１を囲むように配置される。ベース１１６は、プラズマ処理チャンバ１０Ｘの底部に固定され、下部電極１１１及び絶縁体１１５を支持する。
　リフタ５０Ｘは、基板Ｗ、エッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを昇降させる。リフタ５０Ｘは、第１のリフタ５１、第３のリフタ５３及び第４のリフタ５４を含む。
　第１のリフタ５１は、複数の支持ピン５１１及びアクチュエータ５１２を含む。複数の支持ピン５１１は、下部電極１１１及び静電チャック１１２に形成された貫通孔Ｈ１に挿通されて静電チャック１１２の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５１１は、静電チャック１１２の上面に対して突出することにより、上端を基板Ｗの下面に当接させて基板Ｗを支持する。アクチュエータ５１２は、複数の支持ピン５１１を昇降させる。アクチュエータ５１２としては、ＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構、ピエゾアクチュエータ等を利用できる。係る第１のリフタ５１は、例えば搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間で基板Ｗの受け渡しをする際、複数の支持ピン５１１を昇降させる。
　第３のリフタ５３は、複数の支持ピン５３１及びアクチュエータ５３２を含む。複数の支持ピン５３１は、絶縁体１１５に形成された貫通孔Ｈ３に挿通されて絶縁体１１５の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５３１は、絶縁体１１５の上面に対して突出することにより、上端をエッジリングＦＲＸの下面に当接させてエッジリングＦＲＸを支持する。アクチュエータ５３２は、複数の支持ピン５３１を昇降させる。アクチュエータ５３２としては、例えばアクチュエータ５１２と同様のものを利用できる。
　第４のリフタ５４は、複数の支持ピン５４１及びアクチュエータ５４２を含む。複数の支持ピン５４１は、絶縁体１１５に形成された貫通孔Ｈ４に挿通されて絶縁体１１５の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５４１は、絶縁体１１５の上面に対して突出することにより、上端をカバーリングＣＲＸの下面に当接させてカバーリングＣＲＸを支持する。アクチュエータ５４２は、複数の支持ピン５４１を昇降させる。アクチュエータ５４２としては、例えばアクチュエータ５１２と同様のものを利用できる。
　係るリフタ５０Ｘでは、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５３１，５４１を昇降させる。例えば、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２により、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを搬出する場合、図３０に示されるように、複数の支持ピン５３１，５４１を上昇させる。これにより、複数の支持ピン５３１によってエッジリングＦＲＸが持ち上げられると共に、複数の支持ピン５４１によってカバーリングＣＲＸが持ち上げられ、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２によりエッジリングＦＲＸ及びカバーリングＣＲＸを同時に搬出できる。
　また、係るリフタ５０Ｘでは、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲＸのみの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５３１を昇降させる。例えば、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２により、静電チャック１１２上に載置されたエッジリングＦＲＸのみを搬出する場合、図３１に示されるように、複数の支持ピン５３１を上昇させる。これにより、複数の支持ピン５３１によってエッジリングＦＲＸのみが持ち上げられ、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２によりエッジリングＦＲＸを単独で搬出できる。
　〔第２変形例〕
　（構成）
　図３２を参照し、図１の処理システムＰＳが備えるプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２として用いられるプラズマ処理装置の更に別の一例について説明する。以下では、プラズマ処理装置１と異なる点を中心に説明する。
　プラズマ処理装置は、リフタ５０Ｙを含む。リフタ５０Ｙは、第１のリフタ５１及び第５のリフタ５５を含む。
　第５のリフタ５５は、複数の支持ピン５５１及びアクチュエータ（図示せず）を含む。
　支持ピン５５１は、円柱形状（中実の棒状）の部材により形成された段付きの支持ピンである。支持ピン５５１は、下側から上側に向かって順に、下側棒部５５２及び上側棒部５５３を有する。下側棒部５５２の外径は、上側棒部５５３の外径よりも大きい。これにより、下側棒部５５２の上端面５５２ａにより段部が形成される。下側棒部５５２及び上側棒部５５３は、一体成形されている。
　支持ピン５５１は、下部電極１１１に形成された貫通孔Ｈ１１、絶縁体１１５に形成された貫通孔Ｈ１２及びカバーリングＣＲに形成された貫通孔Ｈ１３に挿通されて絶縁体１１５の上面及びカバーリングＣＲの上面に対して突没可能となっている。貫通孔Ｈ１１，Ｈ１２の内径は、下側棒部５５２の外径よりも僅かに大きくなっている。貫通孔Ｈ１３の内径は、上側棒部５５３の外径よりも僅かに大きく、かつ下側棒部５５２の外径よりも小さくなっている。
　支持ピン５５１は、待機位置と、第１支持位置と、第２支持位置との間で変位可能である。
　待機位置は、上側棒部５５３の上端面５５３ａがエッジリングＦＲの下面よりも下方にある位置である。支持ピン５５１が待機位置にある場合、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲは、支持ピン５５１によって持ち上げられることなく、それぞれ静電チャック１１２上及び絶縁体１１５上に支持される。
　第１支持位置は、待機位置よりも上方の位置である。第１支持位置は、上側棒部５５３の上端面５５３ａがカバーリングＣＲの上面よりも上方に突出し、かつ下側棒部５５２の上端面５５２ａがカバーリングＣＲの下面よりも下方にある位置である。支持ピン５５１は、第１支持位置に移動することにより、上側棒部５５３の上端面５５３ａをエッジリングＦＲの下面に形成された凹部ＦＲｒに当接させてエッジリングＦＲを支持する。
　第２支持位置は、第１支持位置よりも上方の位置である。第２支持位置は、下側棒部５５２の上端面５５２ａが絶縁体１１５の上面よりも上方に突出する位置である。支持ピン５５１は、第２支持位置に移動することにより、上側棒部５５３の上端面５５３ａを凹部ＦＲｒに当接させてエッジリングＦＲを支持し、かつ下側棒部５５２の上端面５５２ａをカバーリングＣＲの下面に当接させてカバーリングＣＲを支持する。
　アクチュエータは、複数の支持ピン５５１を昇降させる。アクチュエータとしては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構等、ピエゾアクチュエータを利用できる。
　係る第５のリフタ５５は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５５１を第１支持位置に移動させることにより、エッジリングＦＲを持ち上げる。また、第５のリフタ５５は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５５１を第２支持位置に移動させることにより、カバーリングＣＲ及びエッジリングＦＲを持ち上げる。
　（消耗部材の搬送方法：同時搬送モード）
　図３３Ａ～図３６Ｃを参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の別の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬送させる同時搬送モードを選択して実行する場合を説明する。具体的には、図３２で示されるプラズマ処理装置からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬入する場合を説明する。
　以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及びリフタ５０Ｙを制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０がリフタ５０Ｙを制御するようにしてもよい。なお、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは平面視で重複する構成を有するものとする。
　まず、図３３Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、待機位置から上昇させる。これにより、上側棒部５５３の上端面５５３ａがエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５５１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが静電チャック１１２から離間する。
　続いて、図３３Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、第２支持位置まで更に上昇させる。これにより、下側棒部５５２の上端面５５２ａがカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５５１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが絶縁体１１５から離間する。このように、複数の支持ピン５５１が待機位置から第２支持位置まで上昇すると、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲとが互いに離間した状態で複数の支持ピン５５１に持ち上げられて支持される。
　続いて、図３３Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１に支持されたエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない下フォークＦＫ２２を進入させる。
　続いて、図３４Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、第２支持位置から下降させる。これにより、複数の支持ピン５５１に支持されたカバーリングＣＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図３４Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、待機位置まで更に下降させる。これにより、複数の支持ピン５５１に支持されたエッジリングＦＲがカバーリングＣＲ上に載置される。このように、複数の支持ピン５５１が第２支持位置から待機位置まで下降すると、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図３４Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを保持した下フォークＦＫ２２を退出させる。
　続いて、図３５Ａに示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に交換用のエッジリングＦＲ及び交換用のカバーリングＣＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図３５Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、待機位置から上昇させる。これにより、上側棒部５５３の上端面５５３ａが上フォークＦＫ２１に保持されたエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５５１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが上フォークＦＫ２１から離間する。
　続いて、図３５Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、第２支持位置まで更に上昇させる。これにより、下側棒部５５２の上端面５５２ａが上フォークＦＫ２１に保持されたカバーリングＣＲの下面に当接し、該カバーリングＣＲが複数の支持ピン５５１によって持ち上げられ、該カバーリングＣＲが上フォークＦＫ２１から離間する。
　続いて、図３６Ａに示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
　続いて、図３６Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、第２支持位置から下降させる。これにより、複数の支持ピン５５１に支持されたカバーリングＣＲが絶縁体１１５上に載置される。
　続いて、図３６Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、待機位置まで更に下降させる。これにより、複数の支持ピン５５１に支持されたエッジリングＦＲが静電チャック１１２上に載置される。
　以上に説明したように、図３２で示されるプラズマ処理装置においても、プラズマ処理装置からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬入できる。
　（消耗部材の搬送方法：単独搬送モード）
　図３７Ａ～図３８Ｄを参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の別の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる単独搬送モードを選択して実行する場合を説明する。具体的には、図３２で示されるプラズマ処理装置からエッジリングＦＲを単独で搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲを単独で搬入する場合を説明する。
　以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及びリフタ５０Ｙを制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０がリフタ５０Ｙを制御するようにしてもよい。なお、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは平面視で重複する構成を有するものとする。
　まず、図３７Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、待機位置から第１支持位置まで上昇させる。これにより、上側棒部５５３の上端面５５３ａがエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５５１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが静電チャック１１２から離間する。
　続いて、図３７Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１に支持されたエッジリングＦＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない下フォークＦＫ２２を進入させる。
　続いて、図３７Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を、第１支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５１１に支持されたエッジリングＦＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図３７Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲを保持した下フォークＦＫ２２を退出させる。
　続いて、図３８Ａに示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に交換用のエッジリングＦＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図３８Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を制御し、待機位置から第１支持位置まで上昇させる。これにより、上側棒部５５３の上端面５５３ａが上フォークＦＫ２１に保持されたエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５１１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが上フォークＦＫ２１から離間する。
　続いて、図３８Ｃに示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
　続いて、図３８Ｄに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５５１を、第１支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５５１に支持されたエッジリングＦＲが静電チャック１１２上に載置される。
　以上に説明したように、図３２で示されるプラズマ処理装置においても、プラズマ処理装置からエッジリングＦＲを単独で搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲを単独で搬入できる。
　〔第３変形例〕
　（構成）
　図３９を参照し、図１の処理システムＰＳが備えるプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ１２として用いられるプラズマ処理装置の更に別の一例について説明する。以下では、プラズマ処理装置１と異なる点を中心に説明する。
　プラズマ処理装置は、リングアセンブリ１１３Ｚを含む。リングアセンブリ１１３Ｚは、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲを含む。
　エッジリングＦＲは、環形状を有し、下部電極１１１の周縁部上面において基板Ｗの周囲に配置されている。エッジリングＦＲは、基板Ｗに対するプラズマ処理の均一性を向上させる。エッジリングＦＲは、例えばＳｉ、ＳｉＣ等の導電性材料により形成される。下部電極１１１の内部には、冷媒流路１１７が形成されている。冷媒流路１１７には、チラーユニット（図示せず）から冷却水、ガルデン等の冷媒が供給される。
　カバーリングＣＲは、環形状を有し、エッジリングＦＲの外周部に配置されている。カバーリングＣＲは、例えばプラズマから絶縁体１１５の上面を保護する。カバーリングＣＲは、例えばＳｉ、ＳｉＣ等の導電性材料により形成される。
　搬送リングＨＲは、絶縁体１１５上に載置されている。平面視において、搬送リングＨＲの内周部はエッジリングＦＲの外周部と重なっており、搬送リングＨＲの外周部はカバーリングＣＲの内周部と重なっている。搬送リングＨＲの内周部の上面には、エッジリングＦＲが載置される。搬送リングＨＲの外周部には、カバーリングＣＲが載置される。搬送リングＨＲには、後述する支持ピン５６１の上側棒部５６３を挿通させる貫通孔Ｈ２２が形成されている。搬送リングＨＲは、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）により形成される。搬送リングＨＲは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス材料により形成されてもよい。搬送リングＨＲは、エッジリングＦＲよりも電気抵抗率が高いＳｉ、ＳｉＣ等の導電性材料、すなわち、エッジリングＦＲを構成する材料よりも電気抵抗率が高くなるように不純物濃度が調整されたＳｉ、ＳｉＣ等の導電性材料により形成されてもよい。
　プラズマ処理装置は、リフタ５０Ｚを含む。リフタ５０Ｚは、第１のリフタ５１及び第６のリフタ５６を含む。第６のリフタ５６は、複数の支持ピン５６１及びアクチュエータ（図示せず）を含む。
　支持ピン５６１は、円柱形状（中実の棒状）の部材により形成された段付きの支持ピンである。支持ピン５６１は、下側から上側に向かって順に、下側棒部５６２及び上側棒部５６３を有する。下側棒部５６２の外径は、上側棒部５６３の外径よりも大きい。これにより、下側棒部５６２の上端面５６２ａにより段部が形成される。下側棒部５６２及び上側棒部５６３は、一体成形されている。
　支持ピン５６１は、貫通孔Ｈ２１，Ｈ２２に挿通されて絶縁体１１５の上面及び搬送リングＨＲの上面に対して突没可能となっている。貫通孔Ｈ２１の内径は、下側棒部５６２の外径よりも僅かに大きくなっている。貫通孔Ｈ２２の内径は、上側棒部５６３の外径よりも僅かに大きく、かつ下側棒部５６２の外径よりも小さくなっている。
　支持ピン５６１は、待機位置と、第１支持位置と、第２支持位置との間で変位可能である。
　待機位置は、上側棒部５６３の上端面５６３ａがエッジリングＦＲの下面よりも下方にある位置である。支持ピン５６１が待機位置にある場合、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲは、支持ピン５６１によって持ち上げられることなく、静電チャック１１２上又は絶縁体１１５上に支持される。
　第１支持位置は、待機位置よりも上方の位置である。第１支持位置は、上側棒部５６３の上端面５６３ａが搬送リングＨＲの上面よりも上方に突出し、かつ下側棒部５６２の上端面５６２ａが搬送リングＨＲの下面よりも下方にある位置である。支持ピン５６１は、第１支持位置に移動することにより、上側棒部５６３の上端面５６３ａをエッジリングＦＲの下面に当接させてエッジリングＦＲを支持する。
　第２支持位置は、第１支持位置よりも上方の位置である。第２支持位置は、下側棒部５６２の上端面５６２ａが絶縁体１１５の上面よりも上方に突出する位置である。支持ピン５６１は、第２支持位置に移動することにより、上側棒部５６３の上端面５６３ａをエッジリングＦＲの下面に当接させてエッジリングＦＲを支持し、かつ下側棒部５６２の上端面５６２ａを搬送リングＨＲの下面に当接させて搬送リングＨＲを支持する。このとき、搬送リングＨＲの外周部の上面にカバーリングＣＲの内周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５６１によって搬送リングＨＲが持ち上げられると、カバーリングＣＲも搬送リングＨＲと共に持ち上げられる。すなわち、搬送リングＨＲ及びカバーリングＣＲが一体となって絶縁体１１５から離間する。
　アクチュエータは、複数の支持ピン５６１を昇降させる。アクチュエータとしては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構等、ピエゾアクチュエータを利用できる。
　係る第６のリフタ５６は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５６１を第１支持位置に移動させることにより、エッジリングＦＲを持ち上げる。また、第６のリフタ５６は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と基板支持部１１との間でエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲの受け渡しをする場合、複数の支持ピン５６１を第２支持位置に移動させることにより、カバーリングＣＲ、エッジリングＦＲ及び搬送リングＨＲを持ち上げる。
　（消耗部材の搬送方法：同時搬送モード）
　図４０Ａ～図４５Ｂを参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の別の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲを同時に搬送させる同時搬送モードを選択して実行する場合を説明する。具体的には、図３９で示されるプラズマ処理装置からエッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲを同時に搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲを同時に搬入する場合を説明する。
　以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及びリフタ５０Ｚを制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０がリフタ５０Ｚを制御するようにしてもよい。
　まず、図４０Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、待機位置から上昇させる。これにより、上側棒部５６３の上端面５６３ａがエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５６１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが静電チャック１１２から離間する。
　続いて、図４０Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、第２支持位置まで更に上昇させる。これにより、下側棒部５６２の上端面５６２ａが搬送リングＨＲの下面に当接し、該搬送リングＨＲが複数の支持ピン５６１によって持ち上げられ、該搬送リングＨＲが絶縁体１１５から離間する。このとき、搬送リングＨＲの外周部にカバーリングＣＲの外周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５６１によって搬送リングＨＲが持ち上げられると、カバーリングＣＲも搬送リングＨＲと共に持ち上げられる。すなわち、搬送リングＨＲ及びカバーリングＣＲが一体となって絶縁体１１５から離間する。このように、複数の支持ピン５６１が待機位置から第２支持位置まで上昇すると、エッジリングＦＲと、搬送リングＨＲ及びカバーリングＣＲとが互いに離間した状態で複数の支持ピン５６１に持ち上げられて支持される。
　続いて、図４１Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１に支持された搬送リングＨＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない下フォークＦＫ２２を進入させる。
　続いて、図４１Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、第２支持位置から下降させる。これにより、複数の支持ピン５６１に支持されたカバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図４２Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、待機位置まで更に下降させる。これにより、複数の支持ピン５６１に支持されたエッジリングＦＲが搬送リングＨＲ上に載置される。このように、複数の支持ピン５６１が第２支持位置から待機位置まで下降すると、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図４２Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲ、カバーリングＣＲ及び搬送リングＨＲを保持した下フォークＦＫ２２を退出させる。
　続いて、図４３Ａに示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に交換用のエッジリングＦＲ、交換用のカバーリングＣＲ及び交換用の搬送リングＨＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。なお、交換用の搬送リングＨＲに代えて、搬出した搬送リングＨＲであってもよい。
　続いて、図４３Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、待機位置から上昇させる。これにより、上側棒部５６３の上端面５６３ａが上フォークＦＫ２１に保持されたエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５６１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが上フォークＦＫ２１から離間する。
　続いて、図４４Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、第２支持位置まで更に上昇させる。これにより、下側棒部５６２の上端面５６２ａが上フォークＦＫ２１に保持された搬送リングＨＲの下面に当接し、該搬送リングＨＲが複数の支持ピン５６１によって持ち上げられ、該搬送リングＨＲが上フォークＦＫ２１から離間する。このとき、搬送リングＨＲの外周部にカバーリングＣＲの外周部が載置されている。そのため、複数の支持ピン５６１によって搬送リングＨＲが持ち上げられると、カバーリングＣＲも搬送リングＨＲと共に持ち上げられる。すなわち、搬送リングＨＲ及びカバーリングＣＲが一体となって複数の支持ピン５６１によって持ち上げられ、該搬送リングＨＲ及び該カバーリングＣＲが上フォークＦＫ２１から離間する。このように、複数の支持ピン５６１が待機位置から第２支持位置まで上昇すると、エッジリングＦＲと、搬送リングＨＲ及びカバーリングＣＲとが互いに離間した状態で複数の支持ピン５６１に持ち上げられて支持される。
　続いて、図４４Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
　続いて、図４５Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、第２支持位置から下降させる。これにより、複数の支持ピン５６１に支持された搬送リングＨＲ及びカバーリングＣＲが絶縁体１１５上に載置される。
　続いて、図４５Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、待機位置まで更に下降させる。これにより、複数の支持ピン５６１に支持されたエッジリングＦＲが静電チャック１１２上に載置される。
　以上に説明したように、図３９で示されるプラズマ処理装置においても、プラズマ処理装置からエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲ及びカバーリングＣＲを同時に搬入できる。
　（消耗部材の搬送方法：単独搬送モード）
　図４６Ａ～図４９Ｂを参照し、実施形態の処理システムＰＳにおける消耗部材の搬送方法の別の一例として、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２にエッジリングＦＲのみを搬送させる単独搬送モードを選択して実行する場合を説明する。具体的には、図３９で示されるプラズマ処理装置からエッジリングＦＲを単独で搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲを単独で搬入する場合を説明する。
　以下では、制御部９０が制御部ＣＵに含まれており、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２及びリフタ５０Ｚを制御するものとして説明する。ただし、制御部９０が制御部ＣＵとは別に設けられ、制御部ＣＵが搬送ロボットＴＲ２を制御し、制御部９０がリフタ５０Ｚを制御するようにしてもよい。なお、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とは平面視で重複する構成を有するものとする。
　まず、図４６Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、待機位置から第１支持位置まで上昇させる。これにより、上側棒部５６３の上端面５６３ａがエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５６１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが静電チャック１１２から離間する。
　続いて、図４６Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１に支持されたエッジリングＦＲと静電チャック１１２との間に、搬送対象物を保持していない下フォークＦＫ２２を進入させる。
　続いて、図４７Ａに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を、第１支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５１１に支持されたエッジリングＦＲが下フォークＦＫ２２上に載置される。
　続いて、図４７Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、エッジリングＦＲを保持した下フォークＦＫ２２を退出させる。
　続いて、図４８Ａに示されるように、制御部ＣＵは、静電チャック１１２の上方に交換用のエッジリングＦＲを保持した上フォークＦＫ２１を進入させる。
　続いて、図４８Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５１１を制御し、待機位置から第１支持位置まで上昇させる。これにより、上側棒部５６３の上端面５６３ａが上フォークＦＫ２１に保持されたエッジリングＦＲの下面に当接し、該エッジリングＦＲが複数の支持ピン５１１によって持ち上げられ、該エッジリングＦＲが上フォークＦＫ２１から離間する。
　続いて、図４９Ａに示されるように、制御部ＣＵは、搬送対象物を保持していない上フォークＦＫ２１を退出させる。
　続いて、図４９Ｂに示されるように、制御部ＣＵは、複数の支持ピン５６１を、第１支持位置から待機位置まで下降させる。これにより、複数の支持ピン５６１に支持されたエッジリングＦＲが静電チャック１１２上に載置される。
　以上に説明したように、図３９で示されるプラズマ処理装置においても、プラズマ処理装置からエッジリングＦＲを単独で搬出した後、プラズマ処理装置に交換用のエッジリングＦＲを単独で搬入できる。
　なお、上記の実施形態において、エッジリングＦＲ，ＦＲＸ及びカバーリングＣＲ，ＣＲＸは環状部材の一例であり、エッジリングＦＲ，ＦＲＸは内側リングの一例であり、カバーリングＣＲ，ＣＲＸは外側リングの一例である。また、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２は搬送装置の一例である。また、支持ピン５２１は第１支持ピンの一例であり、支持ピン５１１は第２支持ピンの一例であり、支持ピン５３１は第３支持ピンの一例であり、支持ピン５４１は第４支持ピンの一例である。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　上記の実施形態では、エッジリングＦＲ及び／又はカバーリングＣＲを昇降させる機構として、リフタ５０，５０Ｘ～５０Ｚを説明したが、これに限定されない。例えば、エッジリングＦＲの外周部とカバーリングＣＲの内周部とが重複する場合、カバーリングＣＲに貫通孔を形成し、該貫通孔に嵌合する第１保持部と、当該第１保持部の軸方向に連接され第１保持部の外周から突出する突出部を有する第２保持部とを有する支持ピンにより、エッジリングＦＲとカバーリングＣＲとを独立して昇降させることができる。例えば、カバーリングＣＲの貫通孔に第１の保持部を貫通させ、第１の保持部の先端をカバーリングＣＲの裏面に当接させることで、エッジリングＦＲを単独で持ち上げることができる。また例えば、カバーリングＣＲの貫通孔に第１の保持部を貫通させ、第２の保持部の突出部をカバーリングＣＲの下面に当接させることで、カバーリングＣＲを単独で持ち上げることができる。なお、この構成の詳細は、米国特許出願公開第２０２０／０２１９７５３号明細書に記載されている。
　上記の実施形態では、収納モジュールとプロセスモジュールとの間でエッジリングを搬送する場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、エッジリングに代えて、プロセスモジュール内に取り付けられる別の消耗部材、例えばカバーリング、上部電極の天板等を搬送する場合についても同様に適用できる。
　以上の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
　（付記１）
　基板にプラズマ処理を施す処理システムであって、
　チャンバと、
　前記チャンバに接続される真空搬送モジュールと、
　前記真空搬送モジュールの内部に設けられる搬送装置と、
　前記チャンバの内部において前記基板の周囲に設けられ、内径及び外径が異なる外側リング及び内側リングを載置する載置台と、
　前記載置台に対して前記外側リング及び前記内側リングを昇降させるリフタと、
　コントローラと、
　を備え、
　前記コントローラは、前記搬送装置に前記内側リング及び前記外側リングを同時に搬送させる同時搬送モードと、前記搬送装置に前記内側リングのみを搬送させる単独搬送モードとを選択するよう構成される、
　処理システム。
　（付記２）
　前記内側リングは、少なくとも一部が前記外側リングの上に載置されている、
　付記１に記載の処理システム。
　（付記３）
　前記リフタは、
　前記外側リングの下面に当接して該外側リング及び該内側リングを一体として昇降させる複数の第１支持ピンと、
　前記内側リングを下方から支持する治具の下面に当接して該治具及び該内側リングを一体として昇降させる第２支持ピンと、
　を含む、
　付記２に記載の処理システム。
　（付記４）
　前記第２支持ピンは、前記基板の下面に当接して該基板を昇降させる、
　付記３に記載の処理システム。
　（付記５）
　前記同時搬送モードは、前記第１支持ピンを上昇させた状態で、前記第１支持ピンと前記搬送装置との間で前記外側リング及び前記内側リングを受け渡すステップを含む、
　付記３又は４に記載の処理システム。
　（付記６）
　前記単独搬送モードは、前記第２支持ピンを上昇させた状態で、前記第２支持ピンと前記搬送装置との間で前記治具及び前記内側リングを受け渡すステップを含む、
　付記３乃至５のいずれか一項に記載の処理システム。
　（付記７）
　前記真空搬送モジュールに接続され、前記外側リング及び前記内側リングを収納する収納モジュールを更に備える、
　付記３乃至６のいずれか一項に記載の処理システム。
　（付記８）
　前記収納モジュールは、前記外側リングの上に前記内側リングが載置された第１の組立体を収納する、
　付記７に記載の処理システム。
　（付記９）
　前記収納モジュールは、前記治具の上に前記内側リングが載置された第２の組立体を収納する、
　付記７又は８に記載の処理システム。
　（付記１０）
　前記内側リングの外径は、前記外側リングの内径と同じ、又は、前記外側リングの内径よりも小さい、
　付記１に記載の処理システム。
　（付記１１）
　前記リフタは、
　前記内側リングの下面に当接して該内側リングを昇降させる第３支持ピンと、
　前記外側リングの下面に当接して該外側リングを昇降させる第４支持ピンと、
　を含む、
　付記１０に記載の処理システム。
　（付記１２）
　前記同時搬送モードは、前記第３支持ピン及び前記第４支持ピンを上昇させた状態で、前記第３支持ピン及び前記第４支持ピンと前記搬送装置との間で前記外側リング及び前記内側リングを受け渡すステップを含む、
　付記１１に記載の処理システム。
　（付記１３）
　前記単独搬送モードは、前記第３支持ピンを上昇させた状態で、前記第３支持ピンと前記搬送装置との間で前記内側リングを受け渡すステップを含む、
　付記１１又は１２に記載の処理システム。
　（付記１４）
　前記内側リングは、前記載置台の上面において前記基板の周囲を囲むように載置されるエッジリングであり、
　前記外側リングは、前記エッジリングの周囲を囲むように載置されるカバーリングである、
　付記１乃至１３のいずれか一項に記載の処理システム。
　（付記１５）
　チャンバと、前記チャンバに接続される真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュールの内部に設けられる搬送装置と、前記チャンバの内部において基板の周囲に設けられ、内径及び外径が異なる外側リング及び内側リングを載置する載置台と、前記載置台に対して前記外側リング及び前記内側リングを昇降させるリフタと、を備える処理システムにおいて、前記外側リング及び前記内側リングを搬送する搬送方法であって、
　前記搬送装置が前記内側リング及び前記外側リングを同時に搬送する同時搬送モードと、
　前記搬送装置が前記内側リングのみを搬送する単独搬送モードと、
　を有する、
　搬送方法。
　（付記１６）
　真空搬送モジュールと、
　前記真空搬送モジュールに接続されるプラズマ処理モジュールと、
　コントローラと、
　を備え、
　前記真空搬送モジュールは、
　　真空搬送チャンバと、
　　前記真空搬送チャンバ内に配置される搬送ロボットとを含み、
　前記プラズマ処理モジュールは、
　　プラズマ処理チャンバと、
　　前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有するステージと、
　　前記ステージの前記リング支持面上に配置される第１リングと、
　　前記ステージの前記基板支持面上の基板を囲むように前記第１リング上に配置され、前記第１リングの内径よりも小さい内径を有する第２リングと、
　　前記リング支持面の下方に配置される複数の第１支持ピンと、
　　前記基板支持面の下方に配置される複数の第２支持ピンと、
　　前記ステージに対して前記複数の第１支持ピンを縦方向に移動させるように構成される第１アクチュエータと、
　　前記ステージに対して前記複数の第２支持ピンを縦方向に移動させるように構成される第２アクチュエータとを含み、
　前記コントローラは、前記搬送ロボットに前記第１リング及び前記第２リングを同時に搬送させる同時搬送モードと、前記搬送ロボットに前記第２リングを単独で搬送させる単独搬送モードとを選択的に実行するように構成され、
　前記同時搬送モードは、
　　前記第１リング及び前記第２リングが前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げられるように前記複数の第１支持ピンを上昇させるステップと、
　　前記複数の第１支持ピンが上昇した状態で、前記複数の第１支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第１リング及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップとを含み、
　前記単独搬送モードは、
　　前記第１リング及び前記第２リングが前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げられるように前記複数の第１支持ピンを上昇させるステップと、
　　搬送治具が前記複数の第２支持ピンにより前記第２リングの高さよりも低い高さで支持されるように前記複数の第２支持ピンを上昇させるステップと、
　　前記第２リングが搬送治具により支持される一方で前記第１リングが前記複数の第１支持ピンに支持された状態で前記搬送治具の高さよりも低い位置まで下降するように前記複数の第２支持ピンを下降させるステップと、
　　前記複数の第２支持ピンが上昇した状態で、前記複数の第２支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記搬送治具及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップとを含む、
　基板処理システム。
　（付記１７）
　前記第１リングは、絶縁材料で形成され、
　前記第２リングは、導電性材料で形成される、
　付記１６に記載の基板処理システム。
　（付記１８）
　前記第１リングは、石英で形成され、
　前記第２リングは、Ｓｉ又はＳｉＣで形成される、
　付記１６に記載の基板処理システム。
　（付記１９）
　前記第２リングは、前記第１リングにより支持可能な外側環状部分と、前記搬送治具により支持可能な内側環状部分とを有する、
　付記１６乃至１８のいずれか一項に記載の基板処理システム。
　（付記２０）
　真空搬送モジュールと、
　前記真空搬送モジュールに接続されるプラズマ処理モジュールと、
　コントローラと、
　を備え、
　前記真空搬送モジュールは、
　　真空搬送チャンバと、
　　前記真空搬送チャンバ内に配置される搬送ロボットとを含み、
　前記プラズマ処理モジュールは、
　　プラズマ処理チャンバと、
　　前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有するステージと、
　　前記ステージの前記基板支持面上の基板を囲むように前記ステージの前記リング支持面上に配置される第１リング及び第２リングと、
　　前記ステージに対して前記第１リング及び前記第２リングを昇降させるように構成されるリフタとを含み、
　前記コントローラは、前記搬送ロボットに前記第１リング及び前記第２リングを同時に搬送させる同時搬送モードと、前記搬送ロボットに前記第２リングを単独で搬送させる単独搬送モードとを選択的に実行するよう構成される、
　基板処理システム。
　（付記２１）
　前記第２リングの少なくとも一部が前記第１リングの上に載置されている、
　付記２０に記載の基板処理システム。
　（付記２２）
　前記リフタは、
　前記リング支持面の下方に配置される複数の第１支持ピンと、
　前記基板支持面の下方に配置される複数の第２支持ピンと、
　を含む、
　付記２１に記載の基板処理システム。
　（付記２３）
　前記複数の第２支持ピンは、前記基板支持面上の基板を昇降させるように構成される、
　付記２２に記載の基板処理システム。
　（付記２４）
　前記同時搬送モードは、前記複数の第１支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第１支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第１リング及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップを含む、
　付記２２は２３に記載の基板処理システム。
　（付記２５）
　前記単独搬送モードは、前記複数の第２支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第２支持ピンと前記搬送ロボットとの間で搬送治具及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップを含む、
　付記２２乃至２４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
　（付記２６）
　前記真空搬送モジュールに接続され、前記第１リング及び前記第２リングを収納する収納モジュールを更に備える、
　付記２１乃至２５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
　（付記２７）
　前記収納モジュールは、前記第１リングと前記第１リングの上に載置された前記第２リングとを含む第１の組立体を収納するように構成される、
　付記２６に記載の基板処理システム。
　（付記２８）
　前記収納モジュールは、搬送治具と前記搬送治具の上に載置された前記第２リングとを含む第２の組立体を収納するように構成される、
　付記２６又は２７に記載の基板処理システム。
　（付記２９）
　前記第２リングの外径は、前記第１リングの内径と同じ、又は、前記第１リングの内径よりも小さい、
　付記２７に記載の基板処理システム。
　（付記３０）
　前記リフタは、
　前記第２リングの下方に配置される複数の第３支持ピンと、
　前記第１リングの下方に配置される複数の第４支持ピンと、
　を含む、
　付記２９に記載の基板処理システム。
　（付記３１）
　前記同時搬送モードは、前記複数の第３支持ピン及び前記複数の第４支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第３支持ピン及び前記複数の第４支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第１リング及び前記第２リングを受け渡すステップを含む、
　付記３０に記載の基板処理システム。
　（付記３２）
　前記単独搬送モードは、前記複数の第３支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第３支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第２リングを受け渡すステップを含む、
　付記３０又は３１に記載の基板処理システム。
　（付記３３）
　前記第２リングは、導電性材料で形成されるエッジリングであり、
　前記第１リングは、絶縁材料で形成されるカバーリングである、
　付記２０乃至３２のいずれか一項に記載の基板処理システム。
　（付記３４）
　チャンバと、前記チャンバに接続される真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュールの内部に設けられる搬送装置と、前記チャンバの内部において基板の周囲に設けられ、内径及び外径が異なる外側リング及び内側リングを載置する載置台と、前記載置台に対して前記外側リング及び前記内側リングを昇降させるリフタと、を備える処理システムにおいて、前記外側リング及び前記内側リングを搬送する搬送方法であって、
　前記搬送装置が前記内側リング及び前記外側リングを同時に搬送する同時搬送モードと、
　前記搬送装置が前記内側リングのみを搬送する単独搬送モードと、
　を有する、
　搬送方法。
　本国際出願は、２０２１年２月９日に出願した日本国特許出願第２０２１－０１８９３７号に基づく優先権を主張するものであり、当該出願の全内容を本国際出願に援用する。
　１０　　　　　　プラズマ処理チャンバ
　１１　　　　　　基板支持部
　１１２　　　　　静電チャック
　１１３　　　　　リングアセンブリ
　５０　　　　　　リフタ
　７８　　　　　　カセット
　７８１　　　　　ベースプレート
　７８２　　　　　ガイドピン
　ＣＲ　　　　　　カバーリング
　ＣＲａ　　　　　切欠き
　ＣＵ　　　　　　制御部
　ＦＲ　　　　　　エッジリング
　ＦＲａ　　　　　切欠き
　ＰＳ　　　　　　処理システム
　ＴＭ１，ＴＭ２　真空搬送モジュール
　ＴＲ１，ＴＲ２　搬送ロボット
　Ｗ　　　　　　　基板

Claims (19)

  1. 　真空搬送モジュールと、
    　前記真空搬送モジュールに接続されるプラズマ処理モジュールと、
    　コントローラと、
    　を備え、
    　前記真空搬送モジュールは、
    　　真空搬送チャンバと、
    　　前記真空搬送チャンバ内に配置される搬送ロボットとを含み、
    　前記プラズマ処理モジュールは、
    　　プラズマ処理チャンバと、
    　　前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有するステージと、
    　　前記ステージの前記リング支持面上に配置される第１リングと、
    　　前記ステージの前記基板支持面上の基板を囲むように前記第１リング上に配置され、前記第１リングの内径よりも小さい内径を有する第２リングと、
    　　前記リング支持面の下方に配置される複数の第１支持ピンと、
    　　前記基板支持面の下方に配置される複数の第２支持ピンと、
    　　前記ステージに対して前記複数の第１支持ピンを縦方向に移動させるように構成される第１アクチュエータと、
    　　前記ステージに対して前記複数の第２支持ピンを縦方向に移動させるように構成される第２アクチュエータとを含み、
    　前記コントローラは、前記搬送ロボットに前記第１リング及び前記第２リングを同時に搬送させる同時搬送モードと、前記搬送ロボットに前記第２リングを単独で搬送させる単独搬送モードとを選択的に実行するように構成され、
    　前記同時搬送モードは、
    　　前記第１リング及び前記第２リングが前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げられるように前記複数の第１支持ピンを上昇させるステップと、
    　　前記複数の第１支持ピンが上昇した状態で、前記複数の第１支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第１リング及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップとを含み、
    　前記単独搬送モードは、
    　　前記第１リング及び前記第２リングが前記複数の第１支持ピンにより一緒に持ち上げられるように前記複数の第１支持ピンを上昇させるステップと、
    　　搬送治具が前記複数の第２支持ピンにより前記第２リングの高さよりも低い高さで支持されるように前記複数の第２支持ピンを上昇させるステップと、
    　　前記第２リングが搬送治具により支持される一方で前記第１リングが前記複数の第１支持ピンに支持された状態で前記搬送治具の高さよりも低い位置まで下降するように前記複数の第２支持ピンを下降させるステップと、
    　　前記複数の第２支持ピンが上昇した状態で、前記複数の第２支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記搬送治具及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップとを含む、
    　基板処理システム。
  2. 　前記第１リングは、絶縁材料で形成され、
    　前記第２リングは、導電性材料で形成される、
    　請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 　前記第１リングは、石英で形成され、
    　前記第２リングは、Ｓｉ又はＳｉＣで形成される、
    　請求項１に記載の基板処理システム。
  4. 　前記第２リングは、前記第１リングにより支持可能な外側環状部分と、前記搬送治具により支持可能な内側環状部分とを有する、
    　請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  5. 　真空搬送モジュールと、
    　前記真空搬送モジュールに接続されるプラズマ処理モジュールと、
    　コントローラと、
    　を備え、
    　前記真空搬送モジュールは、
    　　真空搬送チャンバと、
    　　前記真空搬送チャンバ内に配置される搬送ロボットとを含み、
    　前記プラズマ処理モジュールは、
    　　プラズマ処理チャンバと、
    　　前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板支持面及びリング支持面を有するステージと、
    　　前記ステージの前記基板支持面上の基板を囲むように前記ステージの前記リング支持面上に配置される第１リング及び第２リングと、
    　　前記ステージに対して前記第１リング及び前記第２リングを昇降させるように構成されるリフタとを含み、
    　前記コントローラは、前記搬送ロボットに前記第１リング及び前記第２リングを同時に搬送させる同時搬送モードと、前記搬送ロボットに前記第２リングを単独で搬送させる単独搬送モードとを選択的に実行するよう構成される、
    　基板処理システム。
  6. 　前記第２リングの少なくとも一部が前記第１リングの上に載置されている、
    　請求項５に記載の基板処理システム。
  7. 　前記リフタは、
    　前記リング支持面の下方に配置される複数の第１支持ピンと、
    　前記基板支持面の下方に配置される複数の第２支持ピンと、
    　を含む、
    　請求項６に記載の基板処理システム。
  8. 　前記複数の第２支持ピンは、前記基板支持面上の基板を昇降させるように構成される、
    　請求項７に記載の基板処理システム。
  9. 　前記同時搬送モードは、前記複数の第１支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第１支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第１リング及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップを含む、
    　請求項７又は８に記載の基板処理システム。
  10. 　前記単独搬送モードは、前記複数の第２支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第２支持ピンと前記搬送ロボットとの間で搬送治具及び前記第２リングを一緒に受け渡すステップを含む、
    　請求項７乃至９のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  11. 　前記真空搬送モジュールに接続され、前記第１リング及び前記第２リングを収納する収納モジュールを更に備える、
    　請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  12. 　前記収納モジュールは、前記第１リングと前記第１リングの上に載置された前記第２リングとを含む第１の組立体を収納するように構成される、
    　請求項１１に記載の基板処理システム。
  13. 　前記収納モジュールは、搬送治具と前記搬送治具の上に載置された前記第２リングとを含む第２の組立体を収納するように構成される、
    　請求項１１又は１２に記載の基板処理システム。
  14. 　前記第２リングの外径は、前記第１リングの内径と同じ、又は、前記第１リングの内径よりも小さい、
    　請求項５に記載の基板処理システム。
  15. 　前記リフタは、
    　前記第２リングの下方に配置される複数の第３支持ピンと、
    　前記第１リングの下方に配置される複数の第４支持ピンと、
    　を含む、
    　請求項１４に記載の基板処理システム。
  16. 　前記同時搬送モードは、前記複数の第３支持ピン及び前記複数の第４支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第３支持ピン及び前記複数の第４支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第１リング及び前記第２リングを受け渡すステップを含む、
    　請求項１５に記載の基板処理システム。
  17. 　前記単独搬送モードは、前記複数の第３支持ピンを上昇させた状態で、前記複数の第３支持ピンと前記搬送ロボットとの間で前記第２リングを受け渡すステップを含む、
    　請求項１５又は１６に記載の基板処理システム。
  18. 　前記第２リングは、導電性材料で形成されるエッジリングであり、
    　前記第１リングは、絶縁材料で形成されるカバーリングである、
    　請求項５乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  19. 　チャンバと、前記チャンバに接続される真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュールの内部に設けられる搬送装置と、前記チャンバの内部において基板の周囲に設けられ、内径及び外径が異なる外側リング及び内側リングを載置する載置台と、前記載置台に対して前記外側リング及び前記内側リングを昇降させるリフタと、を備える処理システムにおいて、前記外側リング及び前記内側リングを搬送する搬送方法であって、
    　前記搬送装置が前記内側リング及び前記外側リングを同時に搬送する同時搬送モードと、
    　前記搬送装置が前記内側リングのみを搬送する単独搬送モードと、
    　を有する、
    　搬送方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024071074A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017098540A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 正面開口式リングポッド
JP2019114790A (ja) * 2017-12-21 2019-07-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 移動可能及び取り外し可能なプロセスキット
JP2020113603A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2020115541A (ja) * 2019-01-17 2020-07-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハエッジプラズマシース調整機能を備える半導体プラズマ処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10658222B2 (en) * 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
TWM593655U (zh) * 2019-05-10 2020-04-11 美商蘭姆研究公司 半導體製程模組的中環
KR20210042749A (ko) * 2019-10-10 2021-04-20 삼성전자주식회사 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017098540A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 正面開口式リングポッド
JP2019114790A (ja) * 2017-12-21 2019-07-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 移動可能及び取り外し可能なプロセスキット
JP2020113603A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
JP2020115541A (ja) * 2019-01-17 2020-07-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハエッジプラズマシース調整機能を備える半導体プラズマ処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024071074A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

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