JP6067035B2 - 基板処理モジュール及びそれを含む基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 172
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 33
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000035 biogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
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Description
発明が解決しようとする課題
本発明の目的は,複数の基板に対する工程を同時に行うことができる基板処理モジュール及びそれを含む基盤処理装置を提供することにある。
本発明の一実施例によると,基板処理モジュールは,上部が開放され,一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと,前記下部チャンバの内部に,予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され,工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと,前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と,前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し,前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと,前記回転部材に連結され,前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと,前記下部チャンバの底部表面より突出し,前記サセプタの外側にそれぞれ配置される複数の外側支持台と,複数の内側支持台とを含み,前記内側支持台のそれぞれが,前記外側支持台の内側に配置され,且つ,前記外側支持台と前記内側支持台間に排気空間が形成されるよう前記外側支持台から離間して配置されており,前記下部チャンバの上部に連結されて,前記複数のサセプタの中心に対応する位置にプロセスガスを供給するための開口を有する上部チャンバと,下部が開放された形状であり,前記下部が前記上部チャンバの前記開口に連結されるシリンダと,前記シリンダに連結され,外部から供給されたプロセスガスを前記シリンダの内部に供給するガス供給ポートとを更に含み,前記下部チャンバは下部壁の縁に沿って形成された複数の排気ポートを有し,前記排気ポートは前記サセプタの外側にそれぞれ配置されると共に,前記排気空間と連通し,前記排気空間内の反応副産物を前記下部壁の縁に誘導する。
本発明の一実施例によると,複数の基板をチャンバ内に効率的にロード及び取り出すことができる。また,複数の基板に対する工程を同時に行うことができる。
以下,本発明の実施例を添付した図8及び図9を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例は様々な形に変形されてもよく,本発明の範囲が後述する実施例に限られると解釈されてはならない。本実施例は,該当発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって,図面に示した各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張される可能性がある。以下では上述した実施例とは異なる内容に対してのみ説明し,以下で省略した説明は上述した内容により代替可能である。
Claims (9)
- 上部が開放され,一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと,
前記下部チャンバの内部に,予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され,工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと,
前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と,
前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し,前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと,
前記回転部材に連結され,前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと,
前記下部チャンバの底部表面より突出し,前記サセプタの外側にそれぞれ配置される複数の外側支持台と,
複数の内側支持台を含み,
前記内側支持台のそれぞれが,前記外側支持台の内側に配置され,且つ,前記外側支持台と前記内側支持台間に排気空間が形成されるよう前記外側支持台から離間して配置されており,
前記下部チャンバの上部に連結されて,前記複数のサセプタの中心に対応する位置にプロセスガスを供給するための開口を有する上部チャンバと,
下部が開放された形状であり,前記下部が前記上部チャンバの前記開口に連結されるシリンダと,
前記シリンダに連結され,外部から供給されたプロセスガスを前記シリンダの内部に供給するガス供給ポートとを更に含み,
前記下部チャンバは下部壁の縁に沿って形成された複数の排気ポートを有し,
前記排気ポートは前記サセプタの外側にそれぞれ配置されると共に,前記排気空間と連通し,前記排気空間内の反応副産物を前記下部壁の縁に誘導することを特徴とする基板処理モジュール。 - 前記駆動モジュールは前記回転部材を昇降して前記ホルダを収容高さ及びロード高さに移動し,
前記ホルダは,
前記収容高さで前記サセプタより高く位置し,
前記ロード高さでそれぞれの前記固定面が前記サセプタの上部面より低く位置することを特徴とする請求項1記載の基板処理モジュール。 - 前記ホルダは前記収容高さに置かれた状態で前記伝達位置に移動することを特徴とする請求項2記載の基板処理モジュール。
- 前記ホルダは,
前記下部チャンバの外側に向かって開放され,中心角が180度以上である円弧状のフォークと,
前記フォークに連結されて前記フォークの内側に向かって突出され,前記固定面を提供する一つ以上の支持チップと,を具備し,
前記サセプタは上部に位置した前記ホルダが前記ロード高さに移動される際に前記支持チップが挿入される一つ以上の挿入溝を有することを特徴とする請求項2記載の基板処理モジュール。 - 前記サセプタは,
ヒーティングプレートと,
前記ヒーティングプレートの上部に位置し,前記基板が載置される支持面を有するカバーと,を具備し,
前記挿入溝は前記支持面の縁に形成されることを特徴とする請求項4記載の基板処理モジュール。 - 前記サセプタ及び前記ホルダは前記中心を基準に等角度を成すように配置され,
前記サセプタの個数は前記ホルダの個数と同じであることを特徴とする請求項1記載の基板処理モジュール。 - 前記サセプタのうちいずれか一つは前記通路に対応するように位置することを特徴とする請求項6記載の基板処理モジュール。
- 前記基板処理モジュールは,
前記シリンダを囲み,前記シリンダの内部に電界を形成するアンテナを更に含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理モジュール。 - 外部から移送された基板が置かれ,内部が真空状態及び大気圧状態に調圧されるロードロックチャンバと,
前記基板に対する処理が行われる基板処理モジュールと,
前記ロードロックチャンバと前記基板処理モジュールとの間に配置され,前記ロードロックチャンバと前記基板処理モジュールとの間で前記基板を移送する基板移送ロボットを具備する基板移送モジュールと,を含み,
前記基板処理モジュールは,
上部が開放され,一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと,
前記下部チャンバの内部に,予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され,工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと,
前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と,
前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し,前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと,
前記回転部材に連結され,前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと,
前記下部チャンバの底部表面より突出し,前記サセプタの外側にそれぞれ配置される複数の外側支持台と,
複数の内側支持台を含み,
前記内側支持台のそれぞれが,前記外側支持台の内側に配置され,且つ,前記外側支持台と前記内側支持台間に排気空間が形成されるよう前記外側支持台から離間して配置されており,
前記下部チャンバの上部に連結されて,前記複数のサセプタの中心に対応する位置にプロセスガスを供給するための開口を有する上部チャンバと,
下部が開放された形状であり,前記下部が前記上部チャンバの前記開口に連結されるシリンダと,
前記シリンダに連結され,外部から供給されたプロセスガスを前記シリンダの内部に供給するガス供給ポートとを更に含み,
前記下部チャンバは下部壁の縁に沿って形成された複数の排気ポートを有し,
前記排気ポートは前記サセプタの外側にそれぞれ配置されると共に,前記排気空間と連通し,前記排気空間内の反応副産物を前記下部壁の縁に誘導することを特徴とする基板処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0015735 | 2012-02-16 | ||
KR1020120015735A KR101372333B1 (ko) | 2012-02-16 | 2012-02-16 | 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
PCT/KR2012/009955 WO2013122311A1 (ko) | 2012-02-16 | 2012-11-23 | 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015511399A JP2015511399A (ja) | 2015-04-16 |
JP6067035B2 true JP6067035B2 (ja) | 2017-01-25 |
Family
ID=48984402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014555474A Active JP6067035B2 (ja) | 2012-02-16 | 2012-11-23 | 基板処理モジュール及びそれを含む基板処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140341682A1 (ja) |
JP (1) | JP6067035B2 (ja) |
KR (1) | KR101372333B1 (ja) |
CN (1) | CN104115265B (ja) |
TW (1) | TWI505392B (ja) |
WO (1) | WO2013122311A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101530024B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2015-06-22 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법 |
KR101962915B1 (ko) * | 2014-02-20 | 2019-03-27 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP1575661S (ja) * | 2015-11-24 | 2017-05-08 | ||
JP6717420B1 (ja) * | 2019-11-14 | 2020-07-01 | 富士電機株式会社 | プログラマブルコントローラ用のベースボード及びプログラマブルコントローラシステム |
CN111304609A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-19 | 浙江工业大学 | 一种磁控溅射反应设备 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62252931A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Toshiba Corp | 化合物半導体の気相成長装置 |
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CN100358097C (zh) * | 2005-08-05 | 2007-12-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 半导体工艺处理系统及其处理方法 |
JP2007242648A (ja) * | 2006-03-04 | 2007-09-20 | Masato Toshima | 基板の処理装置 |
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KR101119627B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2012-03-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
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US7929269B2 (en) * | 2008-09-04 | 2011-04-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
JP5141607B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5310512B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR200457817Y1 (ko) * | 2009-12-28 | 2012-01-05 | 주식회사 케이씨텍 | 원자층 증착장치의 샤워헤드 유닛 |
KR101839904B1 (ko) * | 2010-03-25 | 2018-03-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중 기판 프로세싱을 위한 세그먼트화된 기판 로딩 |
KR101685150B1 (ko) * | 2011-01-14 | 2016-12-09 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템 |
-
2012
- 2012-02-16 KR KR1020120015735A patent/KR101372333B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-23 WO PCT/KR2012/009955 patent/WO2013122311A1/ko active Application Filing
- 2012-11-23 CN CN201280069666.1A patent/CN104115265B/zh active Active
- 2012-11-23 US US14/370,045 patent/US20140341682A1/en not_active Abandoned
- 2012-11-23 JP JP2014555474A patent/JP6067035B2/ja active Active
- 2012-12-13 TW TW101147105A patent/TWI505392B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015511399A (ja) | 2015-04-16 |
KR20130094470A (ko) | 2013-08-26 |
TWI505392B (zh) | 2015-10-21 |
WO2013122311A1 (ko) | 2013-08-22 |
US20140341682A1 (en) | 2014-11-20 |
TW201336010A (zh) | 2013-09-01 |
CN104115265A (zh) | 2014-10-22 |
KR101372333B1 (ko) | 2014-03-14 |
CN104115265B (zh) | 2017-03-08 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A521 | Request for written amendment filed |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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