JPS62252931A

JPS62252931A - 化合物半導体の気相成長装置

Info

Publication number: JPS62252931A
Application number: JP9638086A
Authority: JP
Inventors: Mitsuo Sato; 佐藤　満雄
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-04-25
Filing date: 1986-04-25
Publication date: 1987-11-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、化合物半導体の気相成長装置の改良に関する
。

（従来の技術）従来、化合物半導体の気相成長装置としては、例えば第
３図に示すものが知られている。

図中の１は、上部に有機金属とキャリアガスのガス導入
孔２を有した石英製のベルジャーである。

このベルジャー１は、側面にガス排出口３を有した台座
４にセットされている。前記ベルジャー１内には、１枚
のウェハ５を載置するカーボン製のサセプタ６が回転軸
７に支持して設けられている。

この回転軸７は前記台座４の中央部を貫通しており、図
示しないモータ等により回転できるようになっている。

前記回転軸７は、ウェハ５上にｃｖｏ膜を形成する時に
モータ等により回転する。

前記ベルジｔ−１の外周部には、ウェハ５を加熱する高
周波コイル８が巻かれている。

しかしながら、従来の気相成長装置によれば、１回の膜
生成で１枚のウェハしか生成できないため、生産性が非
常に低い。また、ウェハ５に生成する膜のバラツキが大
きく、歩留りが悪い。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、複数枚のウ
ェハを一度に処理して生産性を向上できるとともに、膜
厚のバラツキを低減できる化合物半導体の気相成長装置
を提供することを目的とする。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明は、上部にガス導入孔を有したベルジャーと、こ
のベルジャー内に設けられ中心部に第１排気孔を有しか
つ円周上に複数のウェハをＩ！置する回転可能なサセプ
ターと、このサセプターの直下に設けられた加熱手段と
、前記サセプタの端部と前記ベルジャー内壁の間に設け
られ上部に複数の小さいガス排気孔を有したマニホルド
盤と、前記サセプターの上部のベルジャー内に設けられ
た複数の小さいガス供給孔を有した仕切板とを具備し、
生産性の向上の１１！厚のバラツキの低減を図った。

（作用）本発明は、ベルジャー内に複数のウェハを同時にＶ、置
できるサセプタを設けるとともに、上部に第２排気孔を
有したマニホルド盤をサセプタの端部とベルジャーの内
壁の間に設け、かつサセプタの上部に複数の小さいガス
供給孔を有した仕切板を設ける等の手段を講じた。この
ような構成によれば、ベルジャーの上方から導入された
ガスは上記仕切板のガス供給孔を通ってサセプタ上のウ
ェハに供給され、この後ガスはサセプタの第１排気孔及
びマニホルド盤の第２排気孔を通って排気される。従っ
て１、ベルジャー内でガスが均一に流れ、複数枚のウェ
ハの処理と膜厚のバラツキの低減が可能になる。

（実施例〉以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して
説明する。ここで、第１図は本発明に係る気相成長装置
の断面図、第２図は同装置のサセプタ及びマニホルド盤
の平面図である。

口中の２１は、石英製のベルジャーである。このベルジ
ャー２１の上部には、有機金属ガスとキャリアガスを導
入するためのガス導入孔２２が設けられている。前記ベ
ルジャー２１は、台座２３に設置されている。図中の２
４はベルジャー２１を押える金具であり、２５はシール
する○リングである。前記台座２３には、例えば後記マ
ニホルド盤からのガスを排気するための排気管２６が例
えば４ｍ設けられている。前記ベルジャー２１内で前記
台座２３の上方には、中空軸２７に支持されたサセプタ
ー２８が設けられている。ここで、中空軸２７の中空部
分を第１排気孔２９と呼ぶ。

前記サセプター２８の円周上には、例えば８枚の化合物
半導体（ウェハ）３０が載置される。これらのウェハ３
ｏは、例えば０２″でＧａＡＳウェハである。前記サセ
プター２８　　の直下には、加熱用高周波加熱コイル３
１が設けられている。前記サセプター２８の端部と前記
ベルジャー２１の内壁との間には、上部周面に複数の第
２排気孔３２・・・を有したマニホルド盤３３が設けら
れている。

このマニホルド盤３３の中空部分は、前記排気管２６に
連通されている。前記サセプター２８の下部には、遮蔽
板３５により外部と遮断された内部マグネット阪３６が
取付けられている。この内部マグネット板３６の下部に
は遮蔽板３５を介して外部マグネット板３７が設けられ
、更にこの外部マグネット板３７の近くにはプーリー３
８ａ、３８ｂ１ベルト３９、モータ４０が設けられてい
る。そして、モータ４０からプーリー３８ｂ、３８ａ、
ベルト３９、外部マグネット板３７及び内部マグネット
板３６を介して前記中空＠３４が回転できるようになっ
ている。前記サセプター２８の上方で前記ベルジャー２
１内には、−面に亙って多数の小さいガス供給孔４１を
有する仕切板（シャワー板）４２が設けられている。

こうした構造の気相成長装置において、上記ベルジャー
２１の上部のガス導入孔２２から有機金属ガスとキャリ
アガスが導入され、これらのガスは仕切板４２のガス供
給孔４１を通ってサセプタ２８上のウェハ３０に供給さ
れる。その後、上記ガスは、中空軸２７の第１排気孔２
９、及びこの第１排気孔２９の外周にあたるマニホルド
盤３３の第２排気孔３２を通って排気される。

上記実施例によれば、複数枚のウェハ３０を戟置できる
サセプタ２８を第１排気孔２９を有した中空軸２７で支
持し、前記サセプタ２８の端部とベルジャー２１の内壁
との間に第２排気孔３２を有したマニホルド盤３３を設
け、かつ上記サセプタ２８の上方に多数のガス供給孔４
１を有した仕切＃２．４２を設けた構造となっている。

このため、仕切板４２のガス供給孔４１から供給された
ガスは、中空軸２７の第１排気孔２９と、この第１排気
孔２９の外周にあたるマニホルド盤３３の１６個の第２
排気孔３２から排気されるため、ガスの滞留がなく、ガ
ス流れを均等化できる。従って、複数枚のウェハを一度
に処理して生産性を大幅に向上できるとともに、躾厚の
バラツキを大幅に減少できる。

なお、上記実施例では、マニホルド盤に１６個の第２排
気孔を設けた場合について述べたが、この数に限定され
ない。また、仕切板に設けられるガス供給孔は、ランダ
ムに設けてもそれなりに所定の効果が期待できるが、出
来るだけ規則正しく多数設けた方がガスをより一層均等
化させる意味で好ましい。

［発明の効果コ以上詳述した如く本発明によれば、従来と比べ複数枚の
ウェハを一度に処理して生産性を大幅に上げるとともに
、ウェハ上に成長する膜厚のバラツキを大幅に低減でき
る化合物半導体の気相成長装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る化合物半導体の気相成
長装置の断面図、第２図は同装置のサセプタ及びマニホ
ルド盤の平面図、第３図は従来の化合物半導体の気相成
長装置の断面図である。２１・・・ベルジャー、２２・・・ガス導入孔、２３・
・・台座、２７・・・中空軸、２８・・・サセプタ、２
９・・・第１排気孔、３０・・・ウェハ、３１・・・高
周波加熱コイル、３２・・・第２排気孔、３３・・・マ
ニホルド盤、４１・・・ガス供給孔、４２・・・仕切板
。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第３図手続補正書６１．１０．３１昭和　　年　　月　　日

Claims

【特許請求の範囲】上部にガス導入孔を有したベルジャーと、この内に設け
られ中心部に第１排気孔を有しかつ円周上に複数のウェハを載置する回転可能なサ
セプターと、このサセプターの直下に設けられた加熱手
段と、前記サセプタの端部と前記ベルジャー内壁の間に
設けられ上部に複数の第２排気孔を有したマニホルド盤
と、前記サセプターの上部のベルジャー内に設けられ複
数の小さいガス供給孔を有した仕切板とを具備すること
を特徴とする化合物半導体の気相成長装置。