JPH03255619A - 縦型ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH03255619A JPH03255619A JP5422790A JP5422790A JPH03255619A JP H03255619 A JPH03255619 A JP H03255619A JP 5422790 A JP5422790 A JP 5422790A JP 5422790 A JP5422790 A JP 5422790A JP H03255619 A JPH03255619 A JP H03255619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- wafer
- gas
- blow
- susceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
縦型ＣＶＤ！７ｆｉの反応ガスの供給手段の改良に関し
、 ウェーハ間の膜厚の差を減少させることが可能で、かつ
粉状のシリコンが処理室の内壁に付着するのを防止する
ことが可能となる縦型ＣＶＤ装置の提供を目的とし、 処理室内に反応ガスの供給ノズルと排気ノズルとを具備
し、前記供給ノズルと前記排気ノズルとの間の前記処理
室の中央部に、ウェーハを搭載したサセプタを配設し、
前記ウェーハの表面にＣＶＤ膜を形成する縦型ＣＶＤ装
置であって、前記供給ノズルが同一水平位置に設けた複
数の吹き出し孔と、反応ガスの流れを均一にする分配板
とを備え、反応ガスが前記吹き出し孔から前記処理室の
中心方向に吹き出す構造を有するよう構成する。
、 ウェーハ間の膜厚の差を減少させることが可能で、かつ
粉状のシリコンが処理室の内壁に付着するのを防止する
ことが可能となる縦型ＣＶＤ装置の提供を目的とし、 処理室内に反応ガスの供給ノズルと排気ノズルとを具備
し、前記供給ノズルと前記排気ノズルとの間の前記処理
室の中央部に、ウェーハを搭載したサセプタを配設し、
前記ウェーハの表面にＣＶＤ膜を形成する縦型ＣＶＤ装
置であって、前記供給ノズルが同一水平位置に設けた複
数の吹き出し孔と、反応ガスの流れを均一にする分配板
とを備え、反応ガスが前記吹き出し孔から前記処理室の
中心方向に吹き出す構造を有するよう構成する。
本発明は、縦型ＣＶＤ装置の反応ガスの供給手段の改良
に関するものである。
に関するものである。
近年の集積度の高い半導体装置のウェーハプロセスにお
いては大口径のウェーハが用いられるようになっており
、このウェーハの表面にＣＶＤｇＩを底膜する縦型ＣＶ
Ｄ装置においては、反応ガスをウェーハの表面に均等に
効率良く供給することが必要である。
いては大口径のウェーハが用いられるようになっており
、このウェーハの表面にＣＶＤｇＩを底膜する縦型ＣＶ
Ｄ装置においては、反応ガスをウェーハの表面に均等に
効率良く供給することが必要である。
以上のような状況からウェーハの表面に反応ガスを均等
に供給することが可能な縦型ＣＶＤ装置が要望されてい
る。
に供給することが可能な縦型ＣＶＤ装置が要望されてい
る。
従来の縦型ＣＶＤ装置について第４図により詳細に説明
する。
する。
第４図は従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図であり、図に示
すように処理室１の周囲にはＲＦコイル２が配設されて
おり、ウェーハ６を搭載して支持棒５ａで連結されたサ
セプタ５は処理室１の中央部に回転可能に配設されてい
る。
すように処理室１の周囲にはＲＦコイル２が配設されて
おり、ウェーハ６を搭載して支持棒５ａで連結されたサ
セプタ５は処理室１の中央部に回転可能に配設されてい
る。
サセプタ５の周囲には供給ノズル３３と排気ノズル３４
とが、吹き出し孔３３ａと排気孔３４ａとを対向して処
理室１の内壁近傍に設けられている。
とが、吹き出し孔３３ａと排気孔３４ａとを対向して処
理室１の内壁近傍に設けられている。
図示しない高周波電源によってＲＦコイル２に高周波電
流が流されると、カーボンからなるサセプタ５が加熱さ
れ、その上に搭載されたウェーハ６の温度が上昇する。
流が流されると、カーボンからなるサセプタ５が加熱さ
れ、その上に搭載されたウェーハ６の温度が上昇する。
希釈ガスと反応ガスを混合したガスが供給ノズル３３に
設けた吹き出し孔３３ａから吹き出し、ウェーハ６の表
面に供給される。
設けた吹き出し孔３３ａから吹き出し、ウェーハ６の表
面に供給される。
加熱されたウェーハ６の表面に反応ガスが供給されると
、この反応ガスに含まれているシリコンがこのウェーハ
６の表面にＣＶＤ膜として堆積する。
、この反応ガスに含まれているシリコンがこのウェーハ
６の表面にＣＶＤ膜として堆積する。
反応が終わった反応ガスは排気ノズル３４の排気孔３４
ａに吸い込まれて排気され、処理室１の室内圧は１０Ｔ
ｏｒｒに保持されている。
ａに吸い込まれて排気され、処理室１の室内圧は１０Ｔ
ｏｒｒに保持されている。
この場合のウェーハ間の膜厚分布は±１０％になってお
り、ウェーハ間の膜厚の差が顕著である。
り、ウェーハ間の膜厚の差が顕著である。
（発明が解決しようとする課題〕
以上説明した従来の縦型ＣＶＤ装置においては、供給ノ
ズルの吹き出し孔は各ウェーハに対して１個のため各々
のウェーハに対して吹き出す反応ガスの分布にバラツキ
が生し易くなり、ウェーハ間の膜厚分布が大きく、ウェ
ーハ間の膜厚の差が顕著になるという問題点があり、ま
た、サセプタと処理室の内壁との間にスペースがあるの
で、吹き出した反応ガスがこのスペースに広がり、ＣＶ
Ｄ膜の形成に寄与しない。このためＣＶＤ膜の成長速度
が遅くなるので、大流量の反応ガスを流すことが必要に
なり、ＣＶＤ膜の形成に寄与しない反応ガスが粉状のシ
リコンとなって処理室の内壁に付着するという問題点が
あった。
ズルの吹き出し孔は各ウェーハに対して１個のため各々
のウェーハに対して吹き出す反応ガスの分布にバラツキ
が生し易くなり、ウェーハ間の膜厚分布が大きく、ウェ
ーハ間の膜厚の差が顕著になるという問題点があり、ま
た、サセプタと処理室の内壁との間にスペースがあるの
で、吹き出した反応ガスがこのスペースに広がり、ＣＶ
Ｄ膜の形成に寄与しない。このためＣＶＤ膜の成長速度
が遅くなるので、大流量の反応ガスを流すことが必要に
なり、ＣＶＤ膜の形成に寄与しない反応ガスが粉状のシ
リコンとなって処理室の内壁に付着するという問題点が
あった。
本発明は以上のような状況から、ウェーハ間の膜厚の差
を減少させることが可能で、かつ粉状のシリコンが処理
室の内壁に付着するのを防止することが可能となる縦型
ＣＶＤ装置の提供を目的としたものである。
を減少させることが可能で、かつ粉状のシリコンが処理
室の内壁に付着するのを防止することが可能となる縦型
ＣＶＤ装置の提供を目的としたものである。
本発明の縦型ＣＶＤ装置は、処理室内に反応ガスの供給
ノズルと排気ノズルとを具備し、この供給ノズルと排気
ノズルとの間のこの処理室の中央部に、ウェーハを搭載
したサセプタを配設し、このウェーハの表面にＣＶＤｌ
ｌ１を形成する縦型ＣＶＤ装置であって、この供給ノズ
ルが同一水平位置に設けた複数の吹き出し孔と、反応ガ
スの流れを均一にする分配板とを備え、反応ガスがこの
吹き出し孔からこの処理室の中心方向に吹き出す構造を
有するよう構成する。
ノズルと排気ノズルとを具備し、この供給ノズルと排気
ノズルとの間のこの処理室の中央部に、ウェーハを搭載
したサセプタを配設し、このウェーハの表面にＣＶＤｌ
ｌ１を形成する縦型ＣＶＤ装置であって、この供給ノズ
ルが同一水平位置に設けた複数の吹き出し孔と、反応ガ
スの流れを均一にする分配板とを備え、反応ガスがこの
吹き出し孔からこの処理室の中心方向に吹き出す構造を
有するよう構成する。
即ち本発明においては、高周波電流をＲＦコイルに流し
、処理室内の中央部に配設したウェーハを搭載したサセ
プタの温度を上昇させてウェーハを加熱し、このサセプ
タの周囲に断面が円の一部で反応ガスの流れを均一にす
る分配板を備えた供給ノズルを設け、この供給ノズルの
吹き出し孔を同一水平位置に複数個設けて処理室の中心
に向けて反応ガスを吹き出させるから、これらの吹き出
し孔から出た反応ガスが各々のウェーハの表面に均等に
供給され、ウェーハの表面に膜厚が均一なＣＶＤ膜を短
時間に形成することが可能となり、また、反応ガス中の
シリコンが処理室の内壁に粉状になって付着するのを防
止することが可能となる。
、処理室内の中央部に配設したウェーハを搭載したサセ
プタの温度を上昇させてウェーハを加熱し、このサセプ
タの周囲に断面が円の一部で反応ガスの流れを均一にす
る分配板を備えた供給ノズルを設け、この供給ノズルの
吹き出し孔を同一水平位置に複数個設けて処理室の中心
に向けて反応ガスを吹き出させるから、これらの吹き出
し孔から出た反応ガスが各々のウェーハの表面に均等に
供給され、ウェーハの表面に膜厚が均一なＣＶＤ膜を短
時間に形成することが可能となり、また、反応ガス中の
シリコンが処理室の内壁に粉状になって付着するのを防
止することが可能となる。
以下エピシリコン成長の場合について、第１図により本
発明の第１の実施例を、第２図により本発明の第２の実
施例を、第３図により本発明の第３の実施例を詳細に説
明する。
発明の第１の実施例を、第２図により本発明の第２の実
施例を、第３図により本発明の第３の実施例を詳細に説
明する。
第１図は本発明による第１の実施例の縦型ＣＶＤ装置を
示す図であり、図に示すように石英からなる処理室１の
周囲にはＲＦコイル２が配設されており、ウェーハ６を
搭載して支持棒５ａで連結された炭化シリコンで表面が
コーティングされたカーボンからなるサセプタ５は処理
室１の中央部に回転可能に配設されている。
示す図であり、図に示すように石英からなる処理室１の
周囲にはＲＦコイル２が配設されており、ウェーハ６を
搭載して支持棒５ａで連結された炭化シリコンで表面が
コーティングされたカーボンからなるサセプタ５は処理
室１の中央部に回転可能に配設されている。
サセプタ５の周囲の排気ノズル４を除く全周を断面が円
の一部の供給ノズル３で取り囲み、この供給ノズル３の
中心角１２０ ″の範囲内の同一水平位置に、孔径３〜
５ｆｉの７個の吹き出し孔３ａが２０”間隔で、垂直方
向にはサセプタ５の間隔と同一間隔で設けられており、
反応ガスは処理室１の中心に向けて吹き出すようになっ
ている。
の一部の供給ノズル３で取り囲み、この供給ノズル３の
中心角１２０ ″の範囲内の同一水平位置に、孔径３〜
５ｆｉの７個の吹き出し孔３ａが２０”間隔で、垂直方
向にはサセプタ５の間隔と同一間隔で設けられており、
反応ガスは処理室１の中心に向けて吹き出すようになっ
ている。
この供給ノズル３には、反応ガスと希釈ガスの混合ガス
の流れを均等にする孔を備えた分配板３ｂが設けられて
おり、この分配板３ｂと吹き出し孔３ａとの間にこの混
合ガスが均等に供給されるから、各々のウェーハ６に均
等に反応ガスを供給することが可能となる。
の流れを均等にする孔を備えた分配板３ｂが設けられて
おり、この分配板３ｂと吹き出し孔３ａとの間にこの混
合ガスが均等に供給されるから、各々のウェーハ６に均
等に反応ガスを供給することが可能となる。
この７個の吹き出し孔３ａの中心と排気孔４ａとが対向
するように排気ノズル４が処理室１の内壁近傍に設けら
れている。
するように排気ノズル４が処理室１の内壁近傍に設けら
れている。
図示しない高周波電源によってＲＦコイル２に高周波電
流が流されるとサセプタ５が加熱され、その上に搭載さ
れたウェーハ６の温度が９００℃に上昇する。
流が流されるとサセプタ５が加熱され、その上に搭載さ
れたウェーハ６の温度が９００℃に上昇する。
供給ノズル３に設けた吹き出し孔３ａからは希釈ガス（
水素５０７！／分）と反応ガス、例えばモノシラン（Ｓ
ｉ Ｈａ １００ｃｃ／分）とが混合したガスが吹き出
してウェーハ６の表面に供給される。
水素５０７！／分）と反応ガス、例えばモノシラン（Ｓ
ｉ Ｈａ １００ｃｃ／分）とが混合したガスが吹き出
してウェーハ６の表面に供給される。
加熱されたウェーハ６の表面に希釈ガスと混合した反応
ガスが供給されると、この反応ガスに含まれているシリ
コンがこのウェーハ６の表面にＣＶＤ膜として堆積する
。
ガスが供給されると、この反応ガスに含まれているシリ
コンがこのウェーハ６の表面にＣＶＤ膜として堆積する
。
反応が終わった反応ガスは排気ノズル４の排気孔４ａに
吸い込まれて排気され、処理室１の室内圧は１０Ｔｏｒ
ｒに保持されている。
吸い込まれて排気され、処理室１の室内圧は１０Ｔｏｒ
ｒに保持されている。
第２図は本発明による第２の実施例の縦型ＣＶＤ装置の
水平断面図であり、図に示すようにこの実施例において
は排気ノズル１４が５本設けられているので、第１の実
施例の場合よりも反応ガスの流れが一層均一になり、ウ
ェーハ間の膜厚分布を±５％以下に改善することが可能
となった。
水平断面図であり、図に示すようにこの実施例において
は排気ノズル１４が５本設けられているので、第１の実
施例の場合よりも反応ガスの流れが一層均一になり、ウ
ェーハ間の膜厚分布を±５％以下に改善することが可能
となった。
第３図は本発明による第３の実施例の縦型ＣＶＤ装置の
水平断面図であり、図に示すようにこの実施例において
は排気ノズル２４の孔径３〜５ｆｉの７個の排気孔２４
ａが同一水平位置に中心角１２０ ”の範囲内に２０”
間隔で、垂直方向にはサセプタ５の間隔と同一間隔で設
けられており、排気を均一にすることができるので、ウ
ェーハ間の膜厚分布を±３％以下に更に改善することが
可能となった。
水平断面図であり、図に示すようにこの実施例において
は排気ノズル２４の孔径３〜５ｆｉの７個の排気孔２４
ａが同一水平位置に中心角１２０ ”の範囲内に２０”
間隔で、垂直方向にはサセプタ５の間隔と同一間隔で設
けられており、排気を均一にすることができるので、ウ
ェーハ間の膜厚分布を±３％以下に更に改善することが
可能となった。
これらの実施例においては、上記のようにサセプタ５を
取り囲む供給ノズル３の同一水平位置に設けた複数の吹
き出し孔３ａから反応ガスが供給されるので、ウェーハ
６の表面に反応ガスと希釈ガスとが均等に混合されて供
給され、ウェーハ６の表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を形
成することが可能となり、反応ガスが周囲に拡散しない
ので処理室１の内壁に粉状のシリコンが付着するのを防
止することが可能となる。
取り囲む供給ノズル３の同一水平位置に設けた複数の吹
き出し孔３ａから反応ガスが供給されるので、ウェーハ
６の表面に反応ガスと希釈ガスとが均等に混合されて供
給され、ウェーハ６の表面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を形
成することが可能となり、反応ガスが周囲に拡散しない
ので処理室１の内壁に粉状のシリコンが付着するのを防
止することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、供給ノ
ズルの簡単な構造の変更により、反応ガスをウェーハの
表面に均等に供給することが可能となり、ウェーハの表
面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を成長することが可能となり
、また、粉状のシリコンが処理室の内壁に付着するのを
防止することが可能となる等の利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できる縦型ＣＶＤ装置
の提供が可能である。
ズルの簡単な構造の変更により、反応ガスをウェーハの
表面に均等に供給することが可能となり、ウェーハの表
面に均一な膜厚のＣＶＤ膜を成長することが可能となり
、また、粉状のシリコンが処理室の内壁に付着するのを
防止することが可能となる等の利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できる縦型ＣＶＤ装置
の提供が可能である。
５ａは支持棒、
６はウェーハ、
第１図は本発明による第１の実施例の縦型ＣＤ装置を示
す図、 第２図は本発明による第２の実施例の縦型ＣＤ装置の水
平断面図、 第３図は本発明による第３の実施例の縦型ＣＤ装置の水
平断面図、 第４図は従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図、である。 図において、 １は処理室、 ２はＲＦコイル、 ３．１３，２３．３３は供給ノズル、 ３ａ、 １３ａ、 ２３ａ、 ３３ａは吹き出し孔、３
ｂ、 １３ｂ、 ２３ｂは分配板、 ４．１４，２４．３４は排気ノズル、 ４ａ、 １４ａ、 ２４ａ、 ３４ａは排気孔、５はサ
セプタ、 ■ ■ ■ を示す。 ＋ａ＋ 水平断面図 Ａ断面図 本発明による第１の実施例の縦型ＣＶＤ装置を示す図！
Ｊ ｌ 図（その１） 本発明による一実施例の縦型ＣＶＤ装置を示す間第 １
図（その２） 本発明による第２の実施例の縦型ＣＶＤ装置の水平断面
図１ａ＋ 水平断面図 従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図 第 図（その１） ｔａ＋ 水平断面図 本発明による第３の実施例の縦型ＣＶＤ装置の水平断面
図用） Ｃ断面図 従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図 第 図（その２）
す図、 第２図は本発明による第２の実施例の縦型ＣＤ装置の水
平断面図、 第３図は本発明による第３の実施例の縦型ＣＤ装置の水
平断面図、 第４図は従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図、である。 図において、 １は処理室、 ２はＲＦコイル、 ３．１３，２３．３３は供給ノズル、 ３ａ、 １３ａ、 ２３ａ、 ３３ａは吹き出し孔、３
ｂ、 １３ｂ、 ２３ｂは分配板、 ４．１４，２４．３４は排気ノズル、 ４ａ、 １４ａ、 ２４ａ、 ３４ａは排気孔、５はサ
セプタ、 ■ ■ ■ を示す。 ＋ａ＋ 水平断面図 Ａ断面図 本発明による第１の実施例の縦型ＣＶＤ装置を示す図！
Ｊ ｌ 図（その１） 本発明による一実施例の縦型ＣＶＤ装置を示す間第 １
図（その２） 本発明による第２の実施例の縦型ＣＶＤ装置の水平断面
図１ａ＋ 水平断面図 従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図 第 図（その１） ｔａ＋ 水平断面図 本発明による第３の実施例の縦型ＣＶＤ装置の水平断面
図用） Ｃ断面図 従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図 第 図（その２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 処理室（１）内に反応ガスの供給ノズル（３）と排気
ノズル（４）とを具備し、前記供給ノズル（３）と前記
排気ノズル（４）との間の前記処理室（１）の中央部に
、ウェーハ（６）を搭載したサセプタ（５）を配設し、
前記ウェーハ（６）の表面にＣＶＤ膜を形成する縦型Ｃ
ＶＤ装置であって、 前記供給ノズル（３）が同一水平位置に設けた複数の吹
き出し孔（３ａ）と、反応ガスの流れを均一にする分配
板（３ｂ）とを備え、反応ガスが前記吹き出し孔（３ａ
）から前記処理室（１）の中心方向に吹き出す構造を有
することを特徴とする縦型ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5422790A JPH03255619A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5422790A JPH03255619A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255619A true JPH03255619A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12964660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5422790A Pending JPH03255619A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255619A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100326358A1 (en) * | 2008-02-12 | 2010-12-30 | Kyu-Jeong Choi | Batch type atomic layer deposition apparatus |
| WO2012120991A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、及び、基板の製造方法 |
| JP2015503247A (ja) * | 2012-01-04 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 処理ユニットを含む基板処理装置 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP5422790A patent/JPH03255619A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100326358A1 (en) * | 2008-02-12 | 2010-12-30 | Kyu-Jeong Choi | Batch type atomic layer deposition apparatus |
| WO2012120991A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、及び、基板の製造方法 |
| JP2015503247A (ja) * | 2012-01-04 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 処理ユニットを含む基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8591655B2 (en) | Apparatus for the preparation of film | |
| JP2005113268A (ja) | 上流下流排気機構を備えた薄膜形成装置及び方法 | |
| JPH09330884A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JPH03287770A (ja) | 枚葉式常圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH07169703A (ja) | 高密度プラズマｃｖｄ及びエッチングリアクタ | |
| JPH02101169A (ja) | 円板形工作物を気相加工するための装置 | |
| CN109906498A (zh) | 集成的直接电介质和金属沉积 | |
| JPH09246192A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPH03255618A (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| CN108300979A (zh) | 具有气体密封的化学沉积室 | |
| JP2745819B2 (ja) | 気相膜成長装置 | |
| JPH03255619A (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| JP7190894B2 (ja) | ＳｉＣ化学気相成長装置 | |
| JPH0487323A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP3194017B2 (ja) | 処理装置 | |
| TW201843340A (zh) | 用於可流動式cvd的擴散器設計 | |
| JPH10223538A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH11111707A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS62252931A (ja) | 化合物半導体の気相成長装置 | |
| JP5011631B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造システム | |
| JPH02283696A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH01129973A (ja) | 反応処理装置 | |
| TW202430704A (zh) | 噴淋頭氣體入口混合器 | |
| TW202410158A (zh) | 具有改良均勻性之電漿噴灑頭 | |
| JPH0322522A (ja) | 気相成長装置 |