JPH02101169A - 円板形工作物を気相加工するための装置 - Google Patents

円板形工作物を気相加工するための装置

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JPH02101169A
JPH02101169A JP1198113A JP19811389A JPH02101169A JP H02101169 A JPH02101169 A JP H02101169A JP 1198113 A JP1198113 A JP 1198113A JP 19811389 A JP19811389 A JP 19811389A JP H02101169 A JPH02101169 A JP H02101169A
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JP
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gas
permeable
wall system
reactor
wall
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JP1198113A
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Rainer Moeller
ライナー・メーラー
Dietmar Resch
ディートマール・レッシュ
Lutz Fabian
ルッツ・ファビアン
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Elektromat VEB
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、円板形工作物を気相加工するための装置に関
する。特にこの装置は反応性媒体で閉鎖された反応空間
内で半導体基体を加工する際、反応器構造グループの寿
命を高めるのに役立つものである。
［従来技術の解決策の特性］ 円板形基体の気相加工の為の反応器、特に化学的に分離
するための反応器を蒸気相（化学蒸■ 着）から又はプラズマ化学的エツチングのため構成し、
加工効果を得るための条件（例えば温度、反応ガスの配
分、排ガス供給、プラズマ密度分配）が出来るだけ加工
すべき基体表面にのみ与えられ、更に反応器空間の内壁
が加工効果（層分離、エツチング）又は加工効果の付随
現象（例えば反応副生成物の沈着）の害を受けないとい
う点が本質的な目的である。
この目的は普通の反応器構造では最良のものが得られな
い。放射式加熱装置による基体加熱、反応器内の短いガ
ス供給路、局所的プラズマ発生の様な公知の解決策はこ
の問題を解決するための必要な部分的ステップに過ぎな
い。反応器内での反応条件の分配機能の最終的偏差は常
に基体領域以外での寄生的加工効果に通ずる。
反応副生成物を分離することはしばしば、所望の加工効
果を得るための条件とは違った条件に当てはまる。その
様な条件は一般的に反応器壁の所に存在する。
〔発明の目的〕 本発明の目的は、円板形の基体を高い品質で加工し、気
相加工に必要な反応器の洗浄費用を低下させることであ
る。
〔発明の詳細な説明〕
本発明の課題は、円板形の工作物を気相加工する装置を
作り、この装置が２つの洗浄ステップ間の反応器の寿命
を著しく長くし、気相加工の間微細粒子の発生を低下さ
せ且つ反応器副生成物を作用を最小にすることである。
本発明によればこの課題は次の様にして解決される。即
ち円板形の基体の気相加工のための反応器の内部空間が
ガス透過性の第２の壁システムで被覆されており、この
システムが外側の反応器壁に対して所定の間隔を置いて
配設されている様にして解決される。この被覆は、基体
収容のため、プロセスガス供給路−及び流出路のため、
被覆していない状態で帯電のため又はプラズマ発生のた
め反応器部分を必要としない所いたる所にある。ガス透
過性の第２の壁システムの部分面が０°乃至は１８０°
以外の角度で交差する所に吸引通路があり、これら通路
はプロセスガス吸出路により分離され乃至は分離されて
調整可能な吸出路と接続されている。洗浄ガス用の別個
のガス供給導管は外側反応器壁とガス透過性の反応器壁
との間の空間をガス供給部と接続する。
本発明の実施形態にあってはガス透過性の第２の反応器
壁は多数の細かな孔を有し、これら孔はその流出開口が
ガス透過性の第２の反応器壁の各部分面に従属する吸出
通路の方に向いている。本発明の別の実施形態ではガス
透過性の第２の反応器壁は焼結し、多孔性でガス透過性
の半融ガラス状の材料から出来ている。ガス供給導管に
より外側反応器壁とガス透過性の第２の反応器壁との間
の空間へ不活性の洗浄ガスが入ると、このガスは同じに
この壁−特に有利には壁に沿い従属する吸出通路に向け
られて一反応器内へ流れ、そして吸出通路を経て再び反
応器から除去される。
この方法で得られた内側反応器壁のガスクツションによ
って分離除去又はエツチング障害の様な寄生的な壁効果
が避けられ、それにより２つの洗浄サイクル間の寿命が
本質的に延ばされる。
長時間の間綺麗になっている反応器は高品質の基体加工
が行え、この加工は例えば基体上に殆ど粒子が無く、そ
して反応副生成物の沈着の減少が見られるという点で示
される。
本発明の更に別の長所は、洗浄加工において元の反応器
内に媒体気密に設けられたガス透過性の第２の反応器壁
のみを交換すれば良く、船釣に真空容器である本来の反
応器はその個々の部品を洗浄の為に分解する必要がない
という点にある。
更にプロセスガス吸出路と空間的及び機能的に分離した
第２の吸出路があるのが特に有利である。両方の吸出路
の吸引の強さの比を調節することによって反応器内のプ
ロセスガス供給は非常な影響を受け、基体領域でのプロ
セスガスの濃度及び空間的均一性が達成される。
〔実施例〕
次に図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明するこ
とにする。
円板形の工作物を気相加工するための装置は水冷式の外
側の第１の壁システムｌからなり、このシステムはコー
ティングの目的の為、反応器空間を側方に制限体として
上方部分１．１と下方部分１．２に分割されている。こ
の空間の上方の閉鎖部は高周波電極２を形成し、この電
極は同時にガス供給路及び排ガス吸出路に役立つ。
この電極は高周波絶縁体３内に埋め込まれている。反応
器空間のＦ方の閉鎖部を放射式加熱装置５を真空的に反
応器空間から分離する放射窓４が形成する。
円板形の基体６は基体載置台７の上にあり、この台は同
時に対抗電極を成している。上方部分８．１　と下方部
分８．２とを有するガス透過性の第２の壁システム８は
外側の第１の壁システムｌに対して間隔を置いて設けら
れ、この部分を完全に遮蔽する。
環状間隙として形成されており、ガス透過性の第２の壁
システム８が９０°の角度を形成する所に配設されてい
る洗浄ガス供給路９及び洗浄ガス吸山路１０は、ガス透
過性の第２の壁システム８の内壁上にガスクツションを
生ずるのに役立つ。このクンジョンは反応器壁での寄生
的分離除去又は加工効果を防止し、基体に粒子が出来る
のを減らし、２つの洗浄サイクル間の反応器の寿命を高
める。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明による装置の断面図を示すものである。 図中参照番号 第１の壁システム 上方部分 下方部分 高周波電極 高周波絶縁体 放射窓 ５　・　・ ６　・　・ ７　・　・ ８　・　・ ８．１　・ ８．２　・ ９　・　・ Ｉ　Ｏ・ ｌ　１　・ ｌ　２　・ 放射加熱装置 基体 基体載置台 第２の壁システム／反応器壁 上方部分 下方部分 洗浄ガス供給路 洗浄ガス吸出路／吸出通路 プロセスガス供給路 プロセスガス吸出路

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）低温壁反応器からなる円板形工作物を気相加工す
    るための装置において、この反応器の内部空間がガス透
    過性の第２の壁システム（８）で被覆され、このシステ
    ム（８）は水冷式の外側の第１の壁システム（１）に対
    して所定の距離を置いて設けられ、前記被覆は、被覆さ
    れていない状態で帯電のため又はプラズマ発生のため反
    応器部分が必要とされる所いたる所にあり、ガス透過性
    の第２の壁システム（８）の部分面が０゜乃至は１８０
    ゜以外の角度で交差する所に吸出路（１０）が設けられ
    、これら吸出路はプロセスガス吸出路により分離され乃
    至は分かれて調整可能な吸出路と結合されており、そし
    て洗浄ガス用の別個のガス供給導管（９）が外側の第１
    の反応器壁（１）とガス透過性の第２の反応器壁（８）
    との間の空間をガス供給部と接続していることを特徴と
    する装置。
  2. （２）ガス透過性の第２の壁システム（８）が多数の細
    かな孔を備え、これら孔がその流出開口でガス透過性の
    第２の壁システムの各部分面に従属する吸引通路（１０
    ）へと向いていることを特徴とする請求項１に記載の装
    置。
  3. （３）ガス透過性の第２の壁システム（８）が、焼結し
    、多孔性でガス透過性の半融ガラス様式の材料から出来
    ていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
JP1198113A 1988-08-12 1989-08-01 円板形工作物を気相加工するための装置 Pending JPH02101169A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05345979A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Chugai Ro Co Ltd プラズマ成膜装置における成膜方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5213650A (en) * 1989-08-25 1993-05-25 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
JPH0525648A (ja) * 1991-07-15 1993-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ成膜方法
US6379466B1 (en) * 1992-01-17 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Temperature controlled gas distribution plate
US5716494A (en) * 1992-06-22 1998-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry etching method, chemical vapor deposition method, and apparatus for processing semiconductor substrate
CH687987A5 (de) * 1993-05-03 1997-04-15 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Erhoehung der Beschichtungsrate in einem Plasmaentladungsraum und Plasmakammer.
US5384008A (en) * 1993-06-18 1995-01-24 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for full wafer deposition
US5449410A (en) * 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
EP0753082B1 (de) * 1994-03-29 1999-07-07 Schott Glas Pcvd-verfahren und vorrichtung zur beschichtung von gewölbten substraten
US5485935A (en) * 1994-04-01 1996-01-23 Xerox Corporation Capture system employing diverter fluid nozzle
US5460284A (en) * 1994-04-01 1995-10-24 Xerox Corporation Capture system employing annular fluid stream
US5976310A (en) * 1995-01-03 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Plasma etch system
JP3925566B2 (ja) * 1996-11-15 2007-06-06 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置
US5972078A (en) * 1997-07-31 1999-10-26 Fsi International, Inc. Exhaust rinse manifold for use with a coating apparatus
US6051099A (en) * 1997-10-14 2000-04-18 International Business Machines Corporation Apparatus for achieving etch rate uniformity
US6261524B1 (en) 1999-01-12 2001-07-17 Advanced Technology Materials, Inc. Advanced apparatus for abatement of gaseous pollutants
US6153150A (en) * 1998-01-12 2000-11-28 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for controlled decomposition oxidation of gaseous pollutants
JPH11297681A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Mitsubishi Electric Corp 高誘電率薄膜形成用ｃｖｄ装置および高誘電率薄膜の形成方法
DE19851824C2 (de) * 1998-11-10 2002-04-04 Infineon Technologies Ag CVD-Reaktor
KR100319494B1 (ko) * 1999-07-15 2002-01-09 김용일 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
US6446572B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-10 Tokyo Electron Limited Embedded plasma source for plasma density improvement
TWI224815B (en) * 2001-08-01 2004-12-01 Tokyo Electron Ltd Gas processing apparatus and gas processing method
US7569193B2 (en) * 2003-12-19 2009-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants
US7736599B2 (en) * 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
US7682574B2 (en) * 2004-11-18 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Safety, monitoring and control features for thermal abatement reactor
US8095240B2 (en) * 2004-11-18 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Methods for starting and operating a thermal abatement system
JP5102217B2 (ja) * 2005-10-31 2012-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセス削減反応器
DE102008026000B4 (de) * 2008-05-29 2012-03-22 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung flächiger Substrate
US20220235466A1 (en) * 2019-06-06 2022-07-28 Picosun Oy Porous inlet

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4435445A (en) * 1982-05-13 1984-03-06 Energy Conversion Devices, Inc. Photo-assisted CVD
JPS60166030A (ja) * 1984-02-09 1985-08-29 Mitsubishi Electric Corp 光化学反応による膜形成装置
JPS61196529A (ja) * 1985-02-25 1986-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜形成装置
EP0254651B1 (en) * 1986-06-28 1991-09-04 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method and apparatus for chemical vapor deposition
EP0251764B1 (en) * 1986-06-30 1996-03-27 Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Chemical vapour deposition methods and apparatus
US4800105A (en) * 1986-07-22 1989-01-24 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method of forming a thin film by chemical vapor deposition
US4924807A (en) * 1986-07-26 1990-05-15 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Apparatus for chemical vapor deposition
EP0296891B1 (en) * 1987-06-26 1996-01-10 Applied Materials, Inc. Process for self-cleaning of a reactor chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05345979A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Chugai Ro Co Ltd プラズマ成膜装置における成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2222182A (en) 1990-02-28
GB8917677D0 (en) 1989-09-20
DD274830A1 (de) 1990-01-03
DE3923538A1 (de) 1990-02-22
FR2635377B3 (fr) 1990-07-20
FR2635377A3 (fr) 1990-02-16
GB2222182B (en) 1992-11-18
US4981722A (en) 1991-01-01

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