JP6646953B2 - 半導体基板処理装置での調整可能な対流−拡散ガス流のための中央ガスインジェクタを含むセラミックシャワーヘッド - Google Patents
半導体基板処理装置での調整可能な対流−拡散ガス流のための中央ガスインジェクタを含むセラミックシャワーヘッド Download PDFInfo
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Description
[適用例1]
真空チャンバと、
前記真空チャンバからプラズマ処理のプロセスガスおよび副生成物を排気するように適合された真空源と、
前記真空チャンバの内部で半導体基板が上に支持される基板支持体と、
前記真空チャンバの上壁を形成するセラミックシャワーヘッドであって、プロセスガスを前記真空チャンバの内部に供給するための前記セラミックシャワーヘッドのプラズマ露出面にある複数のシャワーヘッドガス出口に流体連絡するガスプレナムと、中央ガスインジェクタを受け取るように構成された中央開口と、を含むセラミックシャワーヘッドと、
前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口内に配設された中央ガスインジェクタであって、プロセスガスを前記真空チャンバの内部に供給するための前記中央ガスインジェクタの露出面にある複数のガスインジェクタ出口を含む中央ガスインジェクタと、
前記セラミックシャワーヘッドを通して前記真空チャンバ内にRFエネルギーを誘導結合して、前記プロセスガスをプラズマ状態に励起し、前記半導体基板を処理する、RFエネルギー源と、
を備え、
前記中央ガスインジェクタによって供給される前記プロセスガスの流量と、前記セラミックシャワーヘッドによって供給される前記プロセスガスの流量とを独立に制御することができる
誘導結合型プラズマ処理装置。
[適用例2]
前記複数のガスインジェクタ出口が、
(a)プロセスガスを前記真空チャンバの内部に供給するために、前記半導体基板の露出面に垂直な軸方向に延びる1つまたは複数の中央ガス出口と、前記軸方向に対して鋭角に延びる複数の角度付きガス出口とを含み、前記1つまたは複数の中央ガス出口が、第1のガスラインによって供給されるプロセスガスを受け取るように構成され、前記角度付きガス出口が、第2のガスラインからプロセスガスを受け取るように構成される、
(b)プロセスガスを前記真空チャンバの内部に供給するために、前記半導体基板の露出面に垂直な軸方向に延びる1つまたは複数の中央ガス出口と、前記軸方向に対して約90°の角度で延びる複数の径方向ガス出口とを含み、前記1つまたは複数の中央ガス出口が、第1のガスラインによって供給されるプロセスガスを受け取るように構成され、前記径方向ガス出口が、第2のガスラインからプロセスガスを受け取るように構成される、または
(c)前記中央ガスインジェクタの前記複数のガスインジェクタ出口内部でのプラズマ点火を最小限にする導電性シールドを前記ガスインジェクタ出口の表面上に含む
適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例3]
前記中央ガスインジェクタが、
(a)インジェクタ本体を含み、前記インジェクタ本体が、少なくとも第1および第2のガス入口と、少なくとも第1および第2のガス経路と、少なくとも第1および第2のガス出口とを含み、前記第1のガス経路が、前記第1のガス入口および前記第1のガス出口に流体連絡し、前記第2のガス経路が、前記第2のガス入口および前記第2のガス出口に流体連絡し、前記第1のガス経路と前記第2のガス経路が互いに別々であり、それにより前記第1の出口と前記第2の出口を通るガスの流量を独立に調節可能にする、
(b)前記中央ガスインジェクタの外部に真空封止面を含み、前記真空封止面が、前記セラミックシャワーヘッドの中央真空封止面と真空シールを形成するように構成される、
(c)前記中央ガスインジェクタと前記セラミックシャワーヘッドとの間でOリングによって、前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口内に摺動可能に嵌められるように適合される、
(d)ツイストアンドロック構成で前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口内に嵌まるように適合される、
(d)前記プロセスガスを亜音速、音速、超音速、またはそれらの組合せで注入する、
(e)前記中央ガスインジェクタ内に含まれるガス経路から外方向に延びる1つまたは複数の径方向延在ガス経路を含み、前記1つまたは複数の径方向延在ガス経路が、前記セラミックシャワーヘッドの1つまたは複数の径方向延在ガス経路とそれぞれ位置が合うように構成され、したがって、プロセスガスを前記中央ガスインジェクタによって前記セラミックシャワーヘッドの前記プレナムに供給することができる、
(f)誘電体材料から形成される、または
(g)前記中央ガスインジェクタの遠位端が前記セラミックシャワーヘッドの前記プラズマ露出面の下方に配設されるように配置される
適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例4]
前記セラミックシャワーヘッドが、
(a)前記中央開口を取り囲む中央真空封止面であって、前記中央ガスインジェクタの真空封止面と真空シールを形成するように構成された中央真空封止面、
(b)前記プラズマ露出面を取り囲む下側真空封止面であって、前記真空チャンバの真空封止面と真空シールを形成するように構成された下側真空封止面、
(c)前記シャワーヘッドの外周縁から内方向に延びる複数の径方向延在ガス経路であって、前記複数のシャワーヘッドガス出口に流体連絡する複数の径方向延在ガス経路、または
(d)前記シャワーヘッドの前記中央開口から外方向に延びる1つまたは複数の径方向延在ガス経路であって、前記複数のシャワーヘッドガス出口に流体連絡し、前記中央ガスインジェクタ内に含まれるガス経路から外方向に延びる径方向延在ガス経路と位置が合うように構成された1つまたは複数の径方向延在ガス経路
を含む適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例5]
(a)前記セラミックシャワーヘッドが、約0.4インチの厚さを有し、
(b)前記セラミックシャワーヘッドが、少なくとも約20インチの直径を有し、
(c)前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口が、約1〜1.5インチの直径を有し、
(d)前記シャワーヘッドガス出口が、約0.04インチの直径を有し、
(e)前記セラミックシャワーヘッドが、温度プローブを受け取るように構成された少なくとも1つの盲穴を含み、
(f)前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口を画定する壁が、内部に設けられた円周溝を含み、前記溝が、約0.15インチの高さと、約0.15インチの深さとを有し、
(g)前記ガスプレナムが、少なくとも約10インチの直径と、約0.06インチの高さとを有し、および/または
(h)前記セラミックシャワーヘッドが、アルミナ、窒化ケイ素、酸化ケイ素、単結晶シリコン、水晶、または炭化ケイ素の1つまたは複数の部片から形成される
適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例6]
前記セラミックシャワーヘッドが、プロセスガスを供給するための2つ以上の区域を有するマルチゾーンセラミックシャワーヘッドであり、前記セラミックシャワーヘッドの各区域によって供給される前記プロセスガスの流量を独立に制御することができ、前記区域が、環状区域または放射状区域である適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例7]
前記中央ガスインジェクタが、プロセスガスを供給するための2つ以上の区域を有するマルチゾーン中央ガスインジェクタであり、前記中央ガスインジェクタの各区域によって供給される前記プロセスガスの流量を独立に制御することができる適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例8]
さらに、
(a)前記プラズマ処理装置および/またはガス送給システムによって実施されるプロセスを制御するように構成された制御システムと、
(b)前記プラズマ処理装置の制御のためのプログラム命令を含む非一時的なコンピュータ機械可読媒体と
を備える適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例9]
誘導結合型プラズマ処理装置のセラミックシャワーヘッドであって、前記セラミックシャワーヘッドが、前記プラズマ処理装置の真空チャンバの上壁を形成し、前記セラミックシャワーヘッドが、
プロセスガスを前記真空チャンバの内部に供給するための前記セラミックシャワーヘッドのプラズマ露出面にある複数のシャワーヘッドガス出口に流体連絡するガスプレナムと、中央ガスインジェクタを受け取るように構成された中央開口とを備え、
前記セラミックシャワーヘッドが、前記中央ガスインジェクタを通して供給されるように構成されたプロセスガスの流量とは独立に、前記セラミックシャワーヘッドを通して供給される前記プロセスガスの流量を制御するように動作可能である
セラミックシャワーヘッド。
[適用例10]
前記セラミックシャワーヘッドが、
(a)前記中央開口を取り囲む中央真空封止面であって、前記セラミックシャワーヘッドによって受け取られるように構成された前記中央ガスインジェクタの真空封止面と真空シールを形成するように構成された中央真空封止面、
(b)前記セラミックシャワーヘッドの前記プラズマ露出面を取り囲む下側真空封止面であって、前記真空チャンバの真空封止面と真空シールを形成するように構成された下側真空封止面、
(c)前記シャワーヘッドの外周縁から内方向に延びる複数の径方向延在ガス経路であって、前記複数のシャワーヘッドガス出口に流体連絡する複数の径方向延在ガス経路、または
(d)前記シャワーヘッドの前記中央開口から外方向に延びる1つまたは複数の径方向延在ガス経路であって、前記複数のシャワーヘッドガス出口および前記ガスプレナムに流体連絡し、前記セラミックシャワーヘッドによって受け取られるように構成された前記中央ガスインジェクタ内に含まれるガス経路から外方向に延びる径方向延在ガス経路と位置が合うように構成された1つまたは複数の径方向延在ガス経路
を含む適用例9に記載のセラミックシャワーヘッド。
[適用例11]
(a)前記セラミックシャワーヘッドが、約0.4インチの厚さを有し、
(b)前記セラミックシャワーヘッドが、少なくとも約20インチの直径を有し、
(c)前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口が、約1〜1.5インチの直径を有し、
(d)前記シャワーヘッドガス出口が、約0.04インチの直径を有し、
(e)前記セラミックシャワーヘッドが、温度プローブを受け取るように構成された少なくとも1つの盲穴を含み、
(f)前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口を画定する壁が、内部に設けられた円周溝を含み、前記円周溝が、約0.15インチの高さと、約0.15インチの深さとを有し、
(g)前記ガスプレナムが、少なくとも約10インチの直径と、約0.06インチの高さとを有し、および/または
(h)前記セラミックシャワーヘッドが、アルミナ、窒化ケイ素、酸化ケイ素、単結晶シリコン、水晶、または炭化ケイ素の1つまたは複数の部片から形成される
適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例12]
前記セラミックシャワーヘッドが、プロセスガスを供給するための2つ以上の区域を有するマルチゾーンセラミックシャワーヘッドであり、前記セラミックシャワーヘッドの各区域によって供給される前記プロセスガスの流量を独立に制御することができ、前記区域が、環状区域または放射状区域である適用例1に記載のプラズマ処理装置。
[適用例13]
適用例1に記載の誘導結合型プラズマ処理装置内で半導体基板をプラズマ処理する方法であって、
前記真空チャンバ内で前記基板支持体上に半導体基板を配置するステップであって、前記真空チャンバの壁を形成する前記セラミックシャワーヘッドの前記プラズマ露出面が、前記基板支持体に面するステップと、
前記中央ガスインジェクタのガスインジェクタ出口および/または前記セラミックシャワーヘッドの前記シャワーヘッドガス出口から前記真空チャンバ内にプロセスガスを供給するステップと、
前記セラミックシャワーヘッドと前記中央ガスインジェクタとによって供給される前記プロセスガスの前記流量をそれぞれ独立に制御するステップと、
前記RFエネルギー源によって生成されたRFエネルギーを、前記セラミックシャワーヘッドを通して前記真空チャンバ内に誘導結合することによって、前記プロセスガスをプラズマ状態に励起するステップであって、前記プロセスガスが、前記半導体基板の露出面とプラズマ相反応を生じ、それにより前記半導体基板を処理するステップと
を含む方法。
[適用例14]
前記セラミックシャワーヘッドが、2つ以上の区域を含み、各区域それぞれを通るプロセスガスの流量を独立に制御するマルチゾーンセラミックシャワーヘッドである適用例13に記載の方法。
[適用例15]
前記中央ガスインジェクタが、2つ以上の区域を含み、各区域それぞれを通るプロセスガスの流量を独立に制御するマルチゾーン中央ガスインジェクタである適用例13に記載の方法。
[適用例16]
前記中央ガスインジェクタを含む前記セラミックシャワーヘッドによって前記真空チャンバの内部に供給されるプロセスガスの前記流れが、拡散ガス流と対流ガス流の間で切り替えられ、または対流ガス流と拡散ガス流が前記真空チャンバの内部に供給され、その一方で、処理中の前記真空チャンバ内の圧力が可変制御されて、それにより前記半導体基板のエッチング中に半導体基板エッチング副生成物の堆積を制御する適用例13に記載の方法。
[適用例17]
前記ガスインジェクタが、前記誘電体窓の内面の下方に延び、前記ガス出口が複数の方向で前記プロセスガスを注入し、および/または、前記中央ガスインジェクタおよび/または前記セラミックシャワーヘッドが前記プロセスガスを亜音速、音速、または超音速で注入する適用例13に記載の方法。
[適用例18]
ガスインジェクタ出口およびシャワーヘッドガス出口の少なくとも幾つかを通るガス流の比率が前記半導体基板上の層をエッチングする間に独立に変えられ、それにより層の中央から縁部へのエッチングの均一性を実現するように適用例13に記載の方法。
[適用例19]
前記ガスインジェクタ出口および前記シャワーヘッドガス出口の少なくとも幾つかを通るガス流の比率が、前記半導体基板の上面の上方でのガス種の滞留時間が短縮されるように独立に変えられる適用例13に記載の方法。
[適用例20]
さらに、前記半導体基板の前記上面の上方でのガス流の前記再循環を制御し、それにより前記半導体基板の前記上面でのエッチング副生成物の再堆積を制御するステップを含む適用例13に記載の方法。
Claims (16)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバからプラズマ処理のプロセスガスおよび副生成物を排気するように適合された真空源と、
前記真空チャンバの内部で半導体基板が上に支持される基板支持体と、
前記真空チャンバの上壁を形成するセラミックシャワーヘッドであって、プロセスガスを前記真空チャンバの内部に供給するための前記セラミックシャワーヘッドのプラズマ露出面にある複数のシャワーヘッドガス出口に流体連絡するガスプレナムと、中央開口と、を含むセラミックシャワーヘッドと、
前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口内に配設された中央ガスインジェクタであって、プロセスガスを前記真空チャンバの内部に供給するための前記中央ガスインジェクタの露出面にある複数のガスインジェクタ出口を含み、前記複数のガスインジェクタ出口は、(i)複数の中央ガス出口と、(ii)前記複数の中央ガス出口の径方向外側に配置される複数の径方向ガス出口とを含み、前記複数の径方向ガス出口は、前記プロセスガスを、前記中央ガスインジェクタから前記セラミックシャワーヘッドの前記ガスプレナムに径方向外向きに供給し、前記複数のシャワーヘッドガス出口を通るように配置される、中央ガスインジェクタと、
前記セラミックシャワーヘッドを通して前記真空チャンバ内にRFエネルギーを誘導結合して、前記プロセスガスをプラズマ状態に励起し、前記半導体基板を処理する、RFエネルギー源と、
を備え、
前記中央ガスインジェクタによって供給される前記プロセスガスの流量と、前記セラミックシャワーヘッドによって供給される前記プロセスガスの流量とを独立に制御することができ、
制御システムであって、(i)第1の流量で第1のガスラインによる前記中央ガス出口を通る対流ガス流としての前記プロセスガスの供給を制御し、(ii)前記対流ガス流とは独立に、第2の流量で第2のガスラインによる前記シャワーヘッドガス出口を通る拡散ガス流としての前記プロセスガスの供給を制御するように構成され、前記対流ガス流および前記拡散ガス流は、同時に供給され、前記制御システムは、さらに、前記対流ガス流および前記拡散ガス流の前記供給を制御するために、前記半導体基板の上方での所望の渦流に基づいて、前記真空チャンバ内の圧力、前記第1の流量、および前記第2の流量を選択し制御するように構成され、前記制御システムは、前記所望の渦流を実現するために、前記第1の流量および前記第2の流量を独立に制御するように構成される、制御システムを備える、
誘導結合型プラズマ処理装置。 - 前記複数のガスインジェクタ出口が、
前記中央ガスインジェクタの前記複数のガスインジェクタ出口内部でのプラズマ点火を最小限にする導電性シールドを前記ガスインジェクタ出口の表面上に含む
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記中央ガスインジェクタが、
前記中央ガスインジェクタの外部に真空封止面を含み、前記真空封止面が、前記セラミックシャワーヘッドの中央真空封止面と真空シールを形成するように構成される、
前記中央ガスインジェクタと前記セラミックシャワーヘッドとの間でOリングによって、前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口内に摺動可能に嵌められるように適合される、
ツイストアンドロック構成で前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口内に嵌まるように適合される、
前記プロセスガスを亜音速、音速、超音速、またはそれらの組合せで注入する、
誘電体材料から形成される、および、
前記中央ガスインジェクタの遠位端が前記セラミックシャワーヘッドの前記プラズマ露出面の下方に配設されるように配置される
うちの少なくとも1つである、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記セラミックシャワーヘッドが、
前記中央開口を取り囲む中央真空封止面であって、前記中央ガスインジェクタの真空封止面と真空シールを形成するように構成された中央真空封止面、および、
前記プラズマ露出面を取り囲む下側真空封止面であって、前記真空チャンバの真空封止面と真空シールを形成するように構成された下側真空封止面、
を含む請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記セラミックシャワーヘッドが、約0.4インチの厚さを有し、
前記セラミックシャワーヘッドが、少なくとも約20インチの直径を有し、
前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口が、約1〜1.5インチの直径を有し、
前記シャワーヘッドガス出口が、約0.04インチの直径を有し、
前記セラミックシャワーヘッドが、温度プローブを受け取るように構成された少なくとも1つの盲穴を含み、
前記セラミックシャワーヘッドの前記中央開口を画定する壁が、内部に設けられた円周溝を含み、前記溝が、約0.15インチの高さと、約0.15インチの深さとを有し、
前記ガスプレナムが、少なくとも約10インチの直径と、約0.06インチの高さとを有し、および/または
前記セラミックシャワーヘッドが、アルミナ、窒化ケイ素、酸化ケイ素、単結晶シリコン、水晶、または炭化ケイ素の1つまたは複数の部片から形成される
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記セラミックシャワーヘッドが、プロセスガスを供給するための2つ以上の区域を有するマルチゾーンセラミックシャワーヘッドであり、前記セラミックシャワーヘッドの各区域によって供給される前記プロセスガスの流量を独立に制御することができ、前記区域が、環状区域または放射状区域である請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中央ガスインジェクタが、プロセスガスを供給するための2つ以上の区域を有するマルチゾーン中央ガスインジェクタである請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- さらに、
前記プラズマ処理装置の制御のためのプログラム命令を含む非一時的なコンピュータ機械可読媒体を備える請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載の誘導結合型プラズマ処理装置内で半導体基板をプラズマ処理する方法であって、
前記真空チャンバ内で前記基板支持体上に半導体基板を配置するステップであって、前記真空チャンバの壁を形成する前記セラミックシャワーヘッドの前記プラズマ露出面が、前記基板支持体に面するステップと、
前記中央ガスインジェクタのガスインジェクタ出口および/または前記セラミックシャワーヘッドの前記シャワーヘッドガス出口から前記真空チャンバ内にプロセスガスを供給するステップと、
前記セラミックシャワーヘッドと前記中央ガスインジェクタとによって供給される前記プロセスガスの前記流量をそれぞれ独立に制御するステップであって、(i)前記中央ガスインジェクタの前記中央ガス出口を通る前記対流ガス流としての前記プロセスガスの前記供給を制御するステップと、(ii)前記対流ガス流とは独立に、前記シャワーヘッドガス出口を通る前記拡散ガス流としての前記プロセスガスの前記供給を制御するステップとを含むステップと、
前記RFエネルギー源によって生成されたRFエネルギーを、前記セラミックシャワーヘッドを通して前記真空チャンバ内に誘導結合することによって、前記プロセスガスをプラズマ状態に励起するステップであって、前記プロセスガスが、前記半導体基板の露出面とプラズマ相反応を生じ、それにより前記半導体基板を処理するステップと
を含む方法。 - 前記セラミックシャワーヘッドが、2つ以上の区域を含むマルチゾーンセラミックシャワーヘッドである請求項9に記載の方法。
- 前記中央ガスインジェクタが、2つ以上の区域を含むマルチゾーン中央ガスインジェクタである請求項9に記載の方法。
- 前記中央ガスインジェクタを含む前記セラミックシャワーヘッドによって前記真空チャンバの内部に供給されるプロセスガスの前記流れが、拡散ガス流と対流ガス流の間で切り替えられ、または対流ガス流と拡散ガス流が前記真空チャンバの内部に供給され、その一方で、処理中の前記真空チャンバ内の圧力が可変制御されて、それにより前記半導体基板のエッチング中に半導体基板エッチング副生成物の堆積を制御する請求項9に記載の方法。
- 前記ガスインジェクタが、誘電体窓の内面の下方に延び、前記ガス出口が複数の方向で前記プロセスガスを注入し、および/または、前記中央ガスインジェクタおよび/または前記セラミックシャワーヘッドが前記プロセスガスを亜音速、音速、または超音速で注入する請求項9に記載の方法。
- ガスインジェクタ出口およびシャワーヘッドガス出口の少なくとも幾つかを通るガス流の比率が前記半導体基板上の層をエッチングする間に独立に変えられ、それにより層の中央から縁部へのエッチングの均一性を実現するように請求項9に記載の方法。
- 前記ガスインジェクタ出口および前記シャワーヘッドガス出口の少なくとも幾つかを通るガス流の比率が、前記半導体基板の上面の上方でのガス種の滞留時間が短縮されるように独立に変えられる請求項9に記載の方法。
- さらに、前記半導体基板の上面の上方でのガス流の再循環を制御し、それにより前記半導体基板の前記上面でのエッチング副生成物の再堆積を制御するステップを含む請求項9に記載の方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
US9659751B2 (en) * | 2014-07-25 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | System and method for selective coil excitation in inductively coupled plasma processing reactors |
KR20180112794A (ko) * | 2016-01-22 | 2018-10-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드 |
US10115601B2 (en) * | 2016-02-03 | 2018-10-30 | Tokyo Electron Limited | Selective film formation for raised and recessed features using deposition and etching processes |
US9997336B2 (en) | 2016-04-26 | 2018-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-zone gas distribution plate (GDP) and a method for designing the multi-zone GDP |
JP6797939B2 (ja) * | 2016-05-27 | 2020-12-09 | エーエスエム イーペー ホールディング ベー.フェー. | 半導体ウェハ処理のための装置 |
JP6766184B2 (ja) * | 2016-06-03 | 2020-10-07 | インテグリス・インコーポレーテッド | ハフニア及びジルコニアの蒸気相エッチング |
KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
CN107195526A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-09-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减少机台的部件之间摩擦的方法 |
US20190032211A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Lam Research Corporation | Monolithic ceramic gas distribution plate |
US11670490B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector |
US11551909B2 (en) * | 2017-10-02 | 2023-01-10 | Tokyo Electron Limited | Ultra-localized and plasma uniformity control in a plasma processing system |
KR102518372B1 (ko) * | 2018-03-23 | 2023-04-06 | 삼성전자주식회사 | 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법 |
US10840066B2 (en) * | 2018-06-13 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable fastening device for plasma gas injectors |
CN112514044A (zh) * | 2018-07-31 | 2021-03-16 | 朗姆研究公司 | 用于衬底处理系统的具有介电窗的蜂窝式喷射器 |
CN110838458B (zh) * | 2018-08-17 | 2022-08-09 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体制程系统以及方法 |
US11600517B2 (en) * | 2018-08-17 | 2023-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Screwless semiconductor processing chambers |
JP7565934B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2024-10-11 | コーニング インコーポレイテッド | マルチシャワーヘッド式化学蒸着反応装置、方法および生成物 |
CN112071735B (zh) * | 2019-06-10 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备 |
KR20220035192A (ko) * | 2019-07-17 | 2022-03-21 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱을 위한 산화 프로파일의 변조 |
JP6987986B2 (ja) | 2019-07-18 | 2022-01-05 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
CN110223904A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-09-10 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种具有法拉第屏蔽装置的等离子体处理系统 |
KR102360733B1 (ko) * | 2019-11-19 | 2022-02-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2021159225A1 (en) | 2020-02-10 | 2021-08-19 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Metal contamination test apparatus and method |
KR102571335B1 (ko) * | 2020-02-19 | 2023-08-30 | 인투코어테크놀로지 주식회사 | 안테나 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 발생 장치 |
US20230187229A1 (en) * | 2020-04-06 | 2023-06-15 | Lam Research Corporation | Ceramic additive manufacturing techniques for gas injectors |
TWI767244B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-06-11 | 朗曦科技股份有限公司 | 半導體製程腔體之氣體噴頭 |
CN114242551B (zh) * | 2020-09-09 | 2023-12-08 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 进气组件及其等离子体处理装置 |
JP7108983B1 (ja) * | 2021-04-21 | 2022-07-29 | Toto株式会社 | 半導体製造装置用部材及び半導体製造装置 |
Family Cites Families (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
WO1996004409A1 (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-15 | Franz Hehmann | Selected processing for non-equilibrium light alloys and products |
US5544524A (en) * | 1995-07-20 | 1996-08-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for predicting flow characteristics |
US5965034A (en) * | 1995-12-04 | 1999-10-12 | Mc Electronics Co., Ltd. | High frequency plasma process wherein the plasma is executed by an inductive structure in which the phase and anti-phase portion of the capacitive currents between the inductive structure and the plasma are balanced |
US5600060A (en) * | 1996-02-22 | 1997-02-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for computing unsteady flows by direct solution of the vorticity equation |
US5820723A (en) * | 1996-06-05 | 1998-10-13 | Lam Research Corporation | Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US5948704A (en) * | 1996-06-05 | 1999-09-07 | Lam Research Corporation | High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US6013155A (en) * | 1996-06-28 | 2000-01-11 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
US6183565B1 (en) * | 1997-07-08 | 2001-02-06 | Asm International N.V | Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing |
US5993594A (en) * | 1996-09-30 | 1999-11-30 | Lam Research Corporation | Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
US6294026B1 (en) * | 1996-11-26 | 2001-09-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Distribution plate for a reaction chamber with multiple gas inlets and separate mass flow control loops |
EP0854210B1 (en) * | 1996-12-19 | 2002-03-27 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus for forming thin film |
US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
JP3965258B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2007-08-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造 |
US6377437B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-04-23 | Lam Research Corporation | High temperature electrostatic chuck |
NL1013984C2 (nl) * | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het behandelen van substraten. |
TW576873B (en) * | 2000-04-14 | 2004-02-21 | Asm Int | Method of growing a thin film onto a substrate |
US6679951B2 (en) * | 2000-05-15 | 2004-01-20 | Asm Intenational N.V. | Metal anneal with oxidation prevention |
US6506254B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-01-14 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
US6890861B1 (en) * | 2000-06-30 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
US6424923B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-07-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for computing three dimensional unsteady flows by solution of the vorticity equation on a Lagrangian mesh |
US6333272B1 (en) | 2000-10-06 | 2001-12-25 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6676760B2 (en) | 2001-08-16 | 2004-01-13 | Appiled Materials, Inc. | Process chamber having multiple gas distributors and method |
US8535759B2 (en) * | 2001-09-04 | 2013-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus for depositing material using a dynamic pressure |
US20030070620A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
TW561068B (en) * | 2002-11-29 | 2003-11-11 | Au Optronics Corp | Nozzle head with excellent corrosion resistance for dry etching process and anti-corrosion method thereof |
US20040142558A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-22 | Granneman Ernst H. A. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
KR100505367B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2005-08-04 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착용 반응용기 |
JP4177192B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2008-11-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
US7045746B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-05-16 | Mattson Technology, Inc. | Shadow-free shutter arrangement and method |
US7879182B2 (en) * | 2003-12-26 | 2011-02-01 | Foundation For Advancement Of International Science | Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method |
US7304010B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-12-04 | Kyocera Corporation | Aluminum oxide sintered body, and members using same for semiconductor and liquid crystal manufacturing apparatuses |
US20070066038A1 (en) | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
US7708859B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
US7572337B2 (en) * | 2004-05-26 | 2009-08-11 | Applied Materials, Inc. | Blocker plate bypass to distribute gases in a chemical vapor deposition system |
US7429410B2 (en) | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
US7648914B2 (en) * | 2004-10-07 | 2010-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method for etching having a controlled distribution of process results |
US20070079936A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Bonded multi-layer RF window |
JP5068458B2 (ja) | 2006-01-18 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP4895167B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法 |
US20070187363A1 (en) * | 2006-02-13 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US8187415B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch reactor with distribution of etch gases across a wafer surface and a polymer oxidizing gas in an independently fed center gas zone |
JP5463536B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2014-04-09 | 北陸成型工業株式会社 | シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
WO2008011579A2 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Aixtron, Inc. | Small volume symmetric flow single wafer ald apparatus |
KR100849929B1 (ko) * | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
DE112008000169T5 (de) * | 2007-01-12 | 2010-01-14 | Veeco Instruments Inc. | Gasbehandlungssysteme |
US8906249B2 (en) * | 2007-03-22 | 2014-12-09 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
TW200849344A (en) | 2007-03-23 | 2008-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus and method for plasma doping |
US8199746B2 (en) | 2007-07-20 | 2012-06-12 | Cisco Technology, Inc. | Using PSTN reachability to verify VoIP call routing information |
JP5058727B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 天板構造及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
US8668775B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | Machine CVD shower head |
US20090142247A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Chemical treatment to reduce machining-induced sub-surface damage in semiconductor processing components comprising silicon carbide |
US8137463B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
WO2009086013A2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
KR101204614B1 (ko) * | 2008-02-20 | 2012-11-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 공급 장치, 성막 장치, 및 성막 방법 |
US20090221149A1 (en) | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Hammond Iv Edward P | Multiple port gas injection system utilized in a semiconductor processing system |
US20090275206A1 (en) * | 2008-05-05 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma process employing multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias |
JP5310283B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置、基板処理装置及び記憶媒体 |
KR101170006B1 (ko) * | 2008-07-04 | 2012-07-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 유전체창의 온도 조절 기구 |
WO2010004836A1 (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8465802B2 (en) * | 2008-07-17 | 2013-06-18 | Gang Li | Chemical vapor deposition reactor and method |
US9328417B2 (en) * | 2008-11-01 | 2016-05-03 | Ultratech, Inc. | System and method for thin film deposition |
US20100263588A1 (en) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Gan Zhiyin | Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials |
EP2435598B1 (en) * | 2009-05-26 | 2017-11-29 | Imec | Method for forming an organic material layer on a substrate |
US20110023775A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Apparatus for atomic layer deposition |
WO2011021539A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置とプラズマ処理方法 |
US8216640B2 (en) * | 2009-09-25 | 2012-07-10 | Hermes-Epitek Corporation | Method of making showerhead for semiconductor processing apparatus |
JP5740203B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2015-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造 |
US8133349B1 (en) | 2010-11-03 | 2012-03-13 | Lam Research Corporation | Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process |
US9637838B2 (en) * | 2010-12-23 | 2017-05-02 | Element Six Limited | Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area |
US9441296B2 (en) * | 2011-03-04 | 2016-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Hybrid ceramic showerhead |
US9512520B2 (en) | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
US8562785B2 (en) | 2011-05-31 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor |
US9245717B2 (en) * | 2011-05-31 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor |
US8440473B2 (en) | 2011-06-06 | 2013-05-14 | Lam Research Corporation | Use of spectrum to synchronize RF switching with gas switching during etch |
KR101243742B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2013-03-13 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
JP5902896B2 (ja) * | 2011-07-08 | 2016-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US9947512B2 (en) * | 2011-10-25 | 2018-04-17 | Lam Research Corporation | Window and mounting arrangement for twist-and-lock gas injector assembly of inductively coupled plasma chamber |
US8960235B2 (en) * | 2011-10-28 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Gas dispersion apparatus |
US9263240B2 (en) * | 2011-11-22 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Dual zone temperature control of upper electrodes |
US8482104B2 (en) * | 2012-01-09 | 2013-07-09 | Soraa, Inc. | Method for growth of indium-containing nitride films |
US20130316094A1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Novellus Systems, Inc. | Rf-powered, temperature-controlled gas diffuser |
KR101385699B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2014-04-17 | 우범제 | 플라즈마 처리 장치의 리드 어셈블리 |
US9230819B2 (en) * | 2013-04-05 | 2016-01-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing |
US9245761B2 (en) * | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
US9966270B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Gas reaction trajectory control through tunable plasma dissociation for wafer by-product distribution and etch feature profile uniformity |
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