KR102518372B1 - 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법 - Google Patents

가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102518372B1
KR102518372B1 KR1020180033952A KR20180033952A KR102518372B1 KR 102518372 B1 KR102518372 B1 KR 102518372B1 KR 1020180033952 A KR1020180033952 A KR 1020180033952A KR 20180033952 A KR20180033952 A KR 20180033952A KR 102518372 B1 KR102518372 B1 KR 102518372B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dispersion
gas
space
introduction
block
Prior art date
Application number
KR1020180033952A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190111600A (ko
Inventor
이헌복
김대용
김동우
박준기
이상엽
현상진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180033952A priority Critical patent/KR102518372B1/ko
Priority to US16/190,558 priority patent/US10557198B2/en
Priority to CN201910225551.0A priority patent/CN110299309A/zh
Publication of KR20190111600A publication Critical patent/KR20190111600A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102518372B1 publication Critical patent/KR102518372B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H01L21/30621—Vapour phase etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

가스 분배 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 이 기판 처리 장치는 기판 척; 상기 기판 척 상에 배치되는 샤워헤드 구조물; 및 상기 샤워헤드 구조물과 연결되는 가스 분배 장치를 포함한다. 상기 가스 분배 장치는 제1 분산 공간이 형성되는 분산 용기 및 상기 분산 용기 상에 배치되는 가스 도입 부를 포함하고, 상기 가스 도입 부는 상기 제1 분산 공간과 연결되는 제1 도입 통로가 형성되는 제1 도입관, 및 상기 제1 분산 공간과 연결되는 제2 도입 통로가 형성되는 제2 도입관을 포함하고, 상기 제2 도입관은 상기 제1 도입관의 측면의 적어도 일부를 둘러싼다.

Description

가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법{GAS DISTRIBUTION APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PROCESSING METHOD USING THE SAME}
본 발명의 기술적 사상은 가스를 균일하게 분사할 수 있는 가스 분배 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판의 전면에 집적회로를 형성하고 있다. 이와 같은 집적 회로는 반도체 기판의 전면 상에 증착 공정 및 식각 공정과 같은 반도체 공정을 반복 진행함으로써, 형성될 수 있다. 반도체 기판의 대구경화 경향에 따라, 증착 공정으로 반도체 기판의 전면 상에 증착되는 증착 막의 두께 산포 특성이 열화되거나, 또는 식각 공정에서의 식각 산포 특성이 열화될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는 공정 가스를 균일하게 분산시킬 수 있는 가스 분배 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는 가스를 균일하게 분산시킬 수 있는 가스 분배 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. 이 기판 처리 장치는 기판 척; 상기 기판 척 상에 배치되는 샤워헤드 구조물; 및 상기 샤워헤드 구조물과 연결되는 가스 분배 장치를 포함한다. 상기 가스 분배 장치는 제1 분산 공간이 형성되는 분산 용기 및 상기 분산 용기 상에 배치되는 가스 도입 부를 포함하고, 상기 가스 도입 부는 상기 제1 분산 공간과 연결되는 제1 도입 통로가 형성되는 제1 도입관, 및 상기 제1 분산 공간과 연결되는 제2 도입 통로가 형성되는 제2 도입관을 포함하고, 상기 제2 도입관은 상기 제1 도입관의 측면의 적어도 일부를 둘러싼다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. 이 기판 처리 장치는 웨이퍼가 놓여질 수 있는 기판 척; 상기 기판 척 상의 샤워헤드 구조물; 상기 기판 척과 상기 샤워헤드 구조물 사이의 처리 공간; 및 상기 샤워헤드 구조물과 연결되며 제1 분산 공간을 포함하는 가스 분배 장치를 포함한다. 상기 샤워헤드 구조물은 상기 제1 분산 공간과 연통되며 상기 제1 분산 공간 보다 큰 체적을 갖는 제2 분산 공간, 상기 제2 분산 공간 하부에 배치되는 플레이트 부 및 상기 플레이트 부를 관통하며 상기 제2 분산 공간과 상기 처리 공간을 연결하는 관통홀들을 포함하고, 상기 가스 분배 장치는 상기 제1 분산 공간이 형성되는 분산 용기, 상기 분산 용기 상의 가스 도입 부 및 상기 분산 용기와 연결되는 분산 블록을 포함하고, 상기 가스 도입 부는 제1 도입 가스가 이동하는 제1 도입 통로가 형성되는 제1 도입관, 및 제2 도입 가스가 이동하는 제2 도입 통로가 형성되는 제2 도입관을 포함하고, 상기 분산 블록의 측면의 적어도 일부는 상기 분산 용기의 바닥 부에 대하여 기울어진다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시 예에 따른 가스 분배 장치를 제공할 수 있다. 이 가스 분배 장치는 분산 공간을 포함하는 분산 용기; 상기 분산 용기 상에 배치되며 제1 도입 가스가 이동하는 제1 도입 통로가 형성되는 제1 도입관 및 제2 도입 가스가 이동하는 제2 도입 통로가 형성되는 제2 도입관을 포함하는 가스 도입 부; 및 상기 분산 용기의 바닥 부에 연결되는 분산 블록을 포함한다. 상기 분산 블록의 측면의 적어도 일부는 상기 분산 용기의 바닥 부에 대하여 기울어진다.
본 발명의 기술적 사상의 실시예 들에 따르면, 가스를 균일하게 분산시킬 수 있는 가스 분배 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 실시예 들에 따르면, 상기 가스 분배 장치를 포함하는 상기 기판 처리 장치 내의 기판 척 상에 놓여질 수 있는 반도체 기판 상으로 공정 가스를 균일하게 분사할 수 있으므로, 반도체 공정 산포를 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부분을 나타내는 종단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 분배 장치를 개념적으로 나타낸 사시도이다.
도 3의 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 분배 장치의 분산 용기의 일부를 나타낸 탑 뷰이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 분배 장치의 분산 용기의 일부의 변형 예를 나타낸 탑 뷰이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도들이다.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도들이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 종단면도이다.
이하에서, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분배 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개념적으로 나타내는 도면이고, 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부분을 나타내는 종단면도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 분배 장치를 개념적으로 나타낸 사시도이고, 도 3의 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 분배 장치의 분산 용기의 일부를 나타낸 탑 뷰이다. 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 가스 분배 장치 및 상기 가스 분배 장치의 주변을 개념적으로 나타내는 종단면도이다.
도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(10), 상기 공정 챔버(10) 내에 배치되며 지지 축(15)에 의해 상/하강할 수 있는 기판 척(20), 상기 기판 척(20) 상에 배치되는 샤워헤드 구조물(50), 상기 기판 척(20)과 상기 샤워헤드 구조물(50) 사이의 처리 공간(30), 및 상기 샤워헤드 구조물(50)과 연결되는 가스 분배 장치(100)를 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버(10)의 일부에는 배기부(25)가 배치될 수 있다. 상기 배기부(25)는 상기 공정 챔버(10) 내의 압력을 조절하기 위한 진공 펌프 등을 포함할 수 있다. 상기 기판 척(20) 상에는 반도체 공정을 진행하기 위한 반도체 기판(5)이 놓여질 수 있다. 상기 처리 공간(30)은 상기 반도체 기판(5)에 대한 반도체 공정이 진행될 수 있는 공간일 수 있다.
상기 가스 분배 장치(100)는 제1 분산 공간(130)을 포함할 수 있다.
일 예에서, 상기 가스 분배 장치(100)는 상기 제1 분산 공간(130)이 형성되는 분산 용기(120) 및 상기 분산 용기(120) 상에 배치되는 가스 도입 부(140)를 포함할 수 있다.
일 예에서, 상기 분산 용기(120)는 실린더 모양 일 수 있다. 예를 들어, 상기 분산 용기(120)는 바닥 부(120b), 상기 바닥 부(120b)와 마주보는 천장 부(120c), 상기 바닥 부(120b)와 상기 천장 부(120c)의 모서리를 연결하며 상기 제1 분산 공간(130)의 사이드를 한정하는 측면 부(120s)를 포함할 수 있다. 상기 바닥 부(120b), 상기 천장 부(120c) 및 측면 부(120s)는 상기 제1 분산 공간(130)을 한정할 수 있다.
일 예에서, 상기 가스 도입 부(140)는 상기 분산 용기(120)의 상기 천장 부(120c)와 연결될 수 있다.
상기 가스 도입 부(140)는 제1 도입관(150) 및 제2 도입관(160)을 포함할 수 있다. 상기 제2 도입관(160)은 상기 제1 도입관(150)의 측면의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 도입관(150)은 상기 제2 도입관(160)을 관통하며 상기 제2 도입관(160) 상부로 연장될 수 있다.
상기 제1 도입관(150) 내에 제1 도입 통로(155)가 형성될 수 있고, 상기 제2 도입관(160) 내에 제2 도입 통로(165)가 형성될 수 있다. 상기 제1 도입관(150)은 상기 제2 도입 통로(165)의 가운데를 관통하는 모양으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 도입 통로(165)는 상기 제1 도입관(150)의 외측면을 둘러싸는 형상으로 형성될 수 있다.
일 예에서, 상기 제1 도입관(150)은 일정한 폭을 갖는 속이 빈 파이프 모양일 수 있다.상기 제1 도입관(150)은 상부 부분에 형성되는 제1 연결 부분(151)을 포함할 수 있다. 상기 제1 연결 부분(151)이 형성되는 상기 제2 도입관(150)의 상부 부분은 상기 분산 용기(120)로부터 상대적으로 멀리 떨어진 부분일 수 있다.
일 예에서, 상기 제2 도입관(160)은 상기 분산 용기(120)에 가까운 부분 보다 상기 분산 용기(120) 보다 멀리 떨어진 부분의 폭이 큰 모양일 수 있다. 상기 제2 도입관(160)은 상기 제1 분산 공간(130)과 인접하는 하부 부분 및 상기 하부 부분 보다 상기 제1 분산 공간(130)으로부터 멀리 떨어진 상부 부분을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 도입관(160)의 상기 상부 부분은 상기 제2 도입관(160)의 하부 부분 보다 큰 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도입관(160)은 상기 분산 용기(120)로부터 멀어질수록 폭이 점차적으로 증가하는 모양일 수 있다. 상기 제2 도입관(160) 내의 상기 제2 도입 통로(165)는 상기 제1 분산 공간(130)과 인접한 영역에서 상기 제1 분산 공간(130)으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 폭이 점차적으로 증가하는 부분을 포함할 수 있다.
상기 제2 도입관(160)은 상부 부분에 형성되는 제2 연결 부분(161)을 포함할 수 있다. 상기 제2 연결 부분(161)이 형성되는 상기 제2 도입관(160)의 상부 부분은 상기 분산 용기(120)로부터 상대적으로 멀리 떨어진 부분일 수 있다.
상기 가스 분배 장치(100)의 상기 제1 및 제2 도입 통로들(155, 165)은 상기 분산 용기(120) 내의 상기 제1 분산 공간(130)과 연통될 수 있다.
일 예에서, 상기 가스 분배 장치(100)는 적어도 하나의 분산 블록을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 가스 분배 장치(100)는 상기 분산 용기(120)의 내측에 형성되는 내측 분산 블록(125) 및 상기 분산 용기(120)의 외측에 형성되는 외측 분산 블록(110) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 가스 분배 장치(100)는 상기 분산 용기(120)의 내측에 형성되는 내측 분산 블록(125) 및 상기 분산 용기(120)의 외측에 형성되는 외측 분산 블록(110)을 모두 포함할 수 있다.
상기 내측 분산 블록(125)은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b) 상에 배치될 수 있고, 상기 외측 분산 블록(110)은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b) 하부에 배치될 수 있다.
상기 분산 블록의 측면의 적어도 일부는 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)에 대하여 기울어질 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 분산 블록(125)은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)로부터 상기 분산 용기(120)의 상기 천장 부(120c)으로 향하는 상부 방향으로 폭이 점점 좁아지는 원 뿔 모양으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 내측 분산 블록(125)은 상기 바닥 부(120b)에 대하여 기울어진 측면, 즉 경사진 측면을 가질 수 있다.
상기 외측 분산 블록(110)은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)에서 하부로 멀어지는 방향으로 폭이 증가하는 모양으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 외측 분산 블록(110)은 상부가 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)와 결합된 형태의 고깔 모양으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 외측 분산 블록(110)은 하부에서 상부로 갈수록 폭이 점점 좁아지는 모양으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 외측 분산 블록(110)은 상기 바닥 부(120b)에 대하여 기울어진 측면(110s), 즉 경사진 측면을 가질 수 있다.
상기 분산 용기(120)는 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)을 관통하는 분사 홀들(122)을 포함할 수 있다. 상기 분사 홀들(122)은, 도 3과 같은 탑 뷰로 보았을 때, 상기 내측 분산 블록(125)의 주위를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)의 측면(110s)의 적어도 일부는 상기 분사 홀들(122) 하부에 배치될 수 있다.
상기 샤워헤드 구조물(50)은 제2 분산 공간(70)을 포함할 수 있다. 상기 제2 분산 공간(70)은 상기 제1 분산 공간(130) 보다 큰 체적을 가질 수 있다. 상기 샤워헤드 구조물(50)은 상기 제2 분산 공간(70) 하부에 배치되는 플레이트 부(55), 상기 플레이트 부(55)를 관통하는 관통 홀들(57), 상기 제2 분산 공간(70)의 사이드를 한정하는 측 부(60), 및 상기 제2 분산 공간(70)의 상부에 배치되는 덮개 부(65)를 포함할 수 있다. 상기 관통 홀들(57)은 상기 제2 분산 공간(70) 및 상기 처리 공간(30)과 연통될 수 있다. 따라서, 상기 제2 분산 공간(70) 및 상기 처리 공간(30)은 상기 관통 홀들(57)에 의해서 서로 연결될 수 있다.
상기 가스 분배 장치(100)의 적어도 일부는 상기 덮개 부(65)의 하부면(65s)을 지나며 상기 제2 분산 공간(70) 내로 연장될 수 있다. 상기 가스 분배 장치(100)의 상기 분산 용기(120)의 상기 분사 홀들(122)은 상기 제2 분산 공간(70)과 연통될 수 있다. 따라서, 상기 분산 용기(120) 내의 상기 제1 분산 공간(130)과 상기 샤워헤드 구조물(50) 내의 상기 제2 분산 공간(70)은 상기 분사 홀들(122)을 통하여 서로 연결될 수 있다. 상기 덮개 부(65)는 평탄한 플레이트 형 뿐만 아니라, 상부로 볼록한 반구형 또는 상부로 볼록한 박스 형 등 다양한 모양으로 형성될 수 있다.
명세서에서, '분산 공간'은 복수의 가스들이 혼합될 수 있는 공간으로써, '혼합 공간'용어로 대체될 수도 있다. 예를 들어, '제1 분산 공간(130)'은 '제1 혼합 공간(130)'으로 대체될 수 있고, '제2 분산 공간(70)'은'제2 혼합 공간(70)'으로 대체될 수 있다.
명세서에서,'내측 분산 블록(125)'및 '외측 분산 블록(110)'에서, 내측 및 외측은 분산 블록들을 구별하기 위하여 사용한 것으로써, 다른 용어로 대체될 수 있다. 예를 들어, '내측 분산 블록(125)'은 '제1 분산 블록(125)'으로 대체될 수 있고, '외측 분산 블록(110)'은 '제2 분산 블록(110)'으로 대체될 수도 있다.
일 예에서, 상기 가스 분배 장치(100)는 복수의 가스들을 공급할 수 있는 가스 저장 용기들 및 복수의 가스들이 이동할 수 있는 복수의 라인들과 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 가스 저장 용기들은 제1 가스를 저장하는 제1 가스 저장 용기(207), 제2 가스를 저장하는 제2 가스 저장 용기(210), 제3 가스를 저장하는 제3 가스 저장 용기(218), 제4 가스를 저장하는 제4 가스 저장 용기(221) 및 제5 가스를 저장하는 제5 가스 저장 용기(224)를 포함할 수 있다.
상기 제1 가스 저장 용기(207)는 제1 가스 공급 라인(207i)과 연결될 수 있고, 상기 제2 가스 저장 용기(210)는 제2 가스 공급 라인(210i)과 연결될 수 있고, 상기 제3 가스 저장 용기(218)는 제3 가스 공급 라인(218i)과 연결될 수 있고, 상기 제4 가스 저장 용기(221)는 제4 가스 공급 라인(221i)과 연결될 수 있고, 상기 제5 가스 저장 용기(224)는 제5 가스 공급 라인(224i)과 연결될 수 있다.
상기 제1 가스 공급 라인(207i)에는 상기 제1 가스 저장 용기(207)로부터 공급되는 상기 제1 가스의 유량을 제어할 수 있는 제1 유량 제어기(207m)가 배치될 수 있고, 상기 제2 가스 공급 라인(210i)에는 상기 제2 가스 저장 용기(210)로부터 공급되는 상기 제2 가스의 유량을 제어할 수 있는 제2 유량 제어기(210m)가 배치될 수 있고, 상기 제3 가스 공급 라인(218i)에는 상기 제3 가스 저장 용기(218)로부터 공급되는 상기 제3 가스의 유량을 제어할 수 있는 제3 유량 제어기(218m)가 배치될 수 있고, 상기 제4 가스 공급 라인(221i)에는 상기 제4 가스 저장 용기(221)로부터 공급되는 상기 제4 가스의 유량을 제어할 수 있는 제4 유량 제어기(221m)가 배치될 수 있고, 상기 제5 가스 공급 라인(224i)에는 상기 제5 가스 저장 용기(224)로부터 공급되는 상기 제5 가스의 유량을 제어할 수 있는 제5 유량 제어기(224m)가 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제5 유량 제어기들(207m, 210m, 218m, 221m, 224m)의 각각은 가스의 유량을 제어할 수 있는 매스 플러우 컨트롤러(MFC) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 도입관(150)의 상기 제1 연결 부분(151)은 제1 도입 라인(230)과 연결될 수 있고, 상기 제2 도입관(160)의 상기 제2 연결 부분(161)은 제2 도입 라인(235)과 연결될 수 있다.
일 예에서, 상기 제1 도입 라인(230)은 상기 제1 및 제2 가스 공급 라인들(207i, 210i)과 연결될 수 있다. 상기 제2 도입 라인(235)은 상기 제3 내지 제5 가스 공급 라인들(218i, 221i, 224i)과 연결될 수 있다.
상기 제1 가스 저장 용기(207)로부터 공급되는 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스 저장 용기(210)로부터 공급되는 상기 제2 가스는 상기 제1 도입 라인(230)을 통하여 상기 가스 분배 장치(100)의 상기 제1 도입관(150)의 상기 제1 도입 통로(155)로 도입될 수 있다.
상기 제3 가스 저장 용기(218)로부터 공급되는 상기 제3 가스, 상기 제4 가스 저장 용기(221)로부터 공급되는 상기 제4 가스, 및 상기 제5 가스 저장 용기(224)로부터 공급되는 상기 제5 가스는 상기 제2 도입 라인(235)을 통하여 상기 가스 분배 장치(100)의 상기 제2 도입관(160)의 상기 제2 도입 통로(165) 내로 도입될 수 있다.
실시 예에서, 상기 제1 도입관(150)의 상기 제1 도입 통로(155) 내로 도입되는 가스를 '제1 도입 가스(240)' 라 지칭하고, 상기 제2 도입관(160)의 상기 제2 도입 통로(165) 내로 도입되는 가스를 '제2 도입 가스(245)'라 지칭하기로 한다. 따라서, 상기 제1 도입 가스(240)는 상기 제1 가스 및 제2 가스 중 어느 하나의 가스 또는 상기 제1 및 제2 가스들일 수 있고, 상기 제2 도입 가스(245)는 상기 제1 내지 제3 가스들 중 어느 하나 또는 둘 이상의 가스들일 수 있다. 이와 같은 상기 제1 및 제2 도입 가스들(240, 245)의 종류는 상기 반도체 기판(5)에 대하여 진행하는 반도체 공정(e.g., 증착 공정 또는 식각 공정)의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 기판(5) 상에 TiN 등과 같은 금속 질화물을 증착하는 경우에, 상기 제1 가스 저장 용기(207) 내의 상기 제1 가스는 TiCl4 일 수 있고, 상기 제2 가스 저장 용기(210) 내의 상기 제2 가스는 Ar 일 수 있고, 상기 제3 가스 저장 용기(218) 내의 상기 제3 가스는 NH3 일 수 있고, 상기 제4 가스 저장 용기(221) 내의 상기 제4 가스는 Ar 일 수 있고, 상기 제5 가스 저장 용기(224) 내의 상기 제5 가스는 H2일 수 있다. 따라서, 상기 제1 도입 가스(240)는 TiCl4 및 Ar 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 제2 도입 가스(245)는 NH3, Ar 및 H2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예들에서, 상기 제1 도입 가스(240)는 상기 제1 도입관(150)의 상기 제1 도입 통로(155)를 지나면서, 상기 제1 분산 공간(130) 내로 유입될 수 있고, 상기 제2 도입 가스(245)는 상기 제2 도입관(150)의 상기 제2 도입 통로(165)를 지나면서, 상기 제1 분산 공간(130) 내로 유입될 수 있다.
상기 제1 및 제2 도입 가스들(240, 245)은 상기 내측 분산 블록(125)으로 인하여 상기 제1 분산 공간(130) 내에서 보다 균일하게 혼합될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도입 통로들(155, 165)을 지나면서 상기 제1 분산 공간(130) 내로 유입되는 상기 제1 및 제2 도입 가스들(240, 245)은 상기 내측 분산 블록(125)으로 인하여 상기 제1 분산 공간(130) 내에서 보다 균일하게 분산될 수 있다. 예를 들어, 상기 내측 분산 블록(125)의 최상부가 상기 제1 도입 통로(155) 하부에 위치할 수 있고, 상기 제1 도입 통로(155)를 지나며 상기 제1 분산 공간(130) 내로 유입되는 상기 제1 도입 가스(240)는 상기 내측 분산 블록(125)의 경사진 측면을 따라 이동하며 상기 제1 분산 공간(130) 내로 퍼져나갈 수 있다. 또한, 상기 제2 도입 통로(165)를 지나며 상기 제1 분산 공간(130) 내로 유입되는 상기 제2 도입 가스(245)는 상기 내측 분산 블록(125)의 경사진 측면과 충돌하면서 상기 제1 분산 공간(130) 내로 퍼져나갈 수 있다. 여기서, 상기 제2 도입 통로(165)를 지나며 상기 제1 분산 공간(130) 내로 유입되는 상기 제2 도입 가스(245)는 상기 내측 분산 블록(125)의 경사진 측면을 따라 이동하며 상기 제1 분산 공간(130) 내로 퍼져나가는 상기 제1 도입 가스(240)와 상기 제1 분산 공간(130) 내에서 혼합 될 수 있다.
이와 같이 상기 제1 분산 공간(130) 내에서 상기 제1 및 제2 도입 가스들(240, 245)이 혼합 및 분산되어 형성된 제1 분산 가스(250)는 상기 분산 용기(120)의 상기 분사 홀들(122)을 통하여 상기 제2 분산 공간(70) 내로 유입될 수 있다.
상기 제1 분산 공간(130)으로부터 상기 분사 홀들(122)을 통해 분사되는 상기 제1 분산 가스(250)는 상기 외측 분산 블록(110)의 측면(110s)과 충돌하면서 상기 제2 분산 공간(70) 내로 퍼져 나갈 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)은 상기 제1 분산 가스(250)를 구성하는 상기 제1 및 제2 도입 가스들(240, 245)이 보다 균일하게 혼합될 수 있도록 하면서 상기 제2 분산 공간(70) 내에서 보다 균일하게 분산시키는 역할을 할 수 있다.
실시 예들에서, 상기 제2 분산 공간(70) 내로 분산된 상기 제1 분산 가스(250)를 제2 분산 가스(260)로 지칭하기로 한다. 따라서, 상기 제2 분산 공간(70) 내의 상기 제2 분산 가스(260)는 상기 외측 분산 블록(110)으로 인하여 상기 제2 분산 공간(70) 내에서 보다 균일하게 분포될 수 있다.
이와 같은 상기 제2 분산 공간(70) 내에서 보다 균일하게 분포하는 상기 제2 분산 가스(260)는 상기 플레이트 부(55)의 상기 관통 홀들(57)을 통하여 상기 처리 공간(30) 내로 보다 균일하게 분사될 수 있다. 이와 같이 상기 처리 공간(30) 내로 분사된 상기 제2 분산 가스(260)는 상기 반도체 기판(5)에 제공되며 상기 제2 분산 가스(260)를 이용하여 상기 반도체 기판(5)에 대한 반도체 공정을 진행할 수 있다. 따라서, 상기 반도체 기판(5)의 상부면 전체에 걸쳐서 균일한 반도체 공정이 진행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제2 분산 가스(260)는 적어도 두 가지 이상의 가스들, 예를 들어, TiCl4 와 NH3 를 포함할 수 있다. 그렇지만, 반도체 공정의 공정 단계 또는 반도체 공정의 종류에 따라서, 상기 제2 분산 가스(260)는 한가지 종류의 가스로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 플라즈마를 발생시키는 목적, 또는 퍼지를 목적으로 하는 Ar 가스만을 이용하는 공정 단계를 진행하는 경우에, 상기 제2 가스 저장 용기(210) 및 상기 제4 가스 저장 용기(221) 중 어느 하나에서 방출된 Ar 가스를 상기 제1 분산 공간(130) 및 상기 제2 분산 공간(70)을 차례로 통과시키면서 상기 처리 공간(30)까지 이동시킬 수 있다. 이 경우에, Ar 가스는 상술한 가스 분배 장치(100)를 통과하면서 상기 제2 분산 공간(70) 내에서 보다 균일하게 분포될 수 있고, 상기 플레이트 부(55)의 상기 관통 홀들(57)을 통하여 상기 처리 공간(30) 내로 보다 균일하게 분사될 수 있다.
상기 외측 분산 블록(110)은 바닥면(110b) 및 측면(110s)을 가질 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)은 상기 바닥면(110b)으로부터 상기 분산 용기(120)를 향하는 상부 방향으로 갈수록 폭이 좁아질 수 있다. 따라서, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s)은 경사질 수 있다. 즉, 상기 외측 분산 블록(110)에서, 상기 바닥면(110b)과 상기 측면(110s)은 예각을 형성할 수 있다.
상기 외측 분산 블록(110)의 상기 바닥면(110b)과 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s) 사이의 각도(θ)는 예각의 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다. 즉, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s)의 기울기는 상기 기판 처리 장치(1)를 이용하여 진행하고자 하는 반도체 공정의 공정 조건에 따라 다양하게 변형시킬 수 있다.
일 예에서, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 바닥면(110b)의 폭은 상기 분산 용기(120)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 상기 외측 분산 블록(110)의 다양한 변형 예들을 설명하기 위한 종단면도들이다.
변형 예에서, 도 4를 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 상기 분산 용기(120) 보다 큰 폭을 갖는 바닥면(110b1)을 갖도록 변형될 수 있다.
다른 변형 예에서, 도 5를 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 상기 분산 용기(120) 보다 작은 폭을 갖는 바닥면(110b2)을 갖도록 변형될 수 있다.
다시, 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s)은 일정한 기울기를 갖는 직선 모양일 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 도 6a, 도 6b, 도 7a, 도 7b, 도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)의 상기 외측 분산 블록(110)의 다양한 변형 예들을 설명하기 위한 종단면도들이다.
변형 예에서, 도 6a을 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 오목한 모양의 측면(110s1a)을 갖도록 변형될 수 있다.
다른 변형 예에서, 도 6b를 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 일부분이 오목한 모양인 측면(110s1b)을 갖도록 변형될 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 변형된 측면(110s1b)의 오목한 부분은 상기 분사 홀들(122)과 마주보는 위치에 형성될 수 있다.
다른 변형 예에서, 도 7a를 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 볼록한 모양의 측면(110s2a)을 갖도록 변형될 수 있다.
다른 변형 예에서, 도 7b를 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 일부분이 볼록한 모양인 측면(110s2b)을 갖도록 변형될 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 변형된 측면(110s2b)의 볼록한 부분은 상기 분사 홀들(122)과 마주보는 위치에 형성될 수 있다.
다른 변형 예에서, 도 8을 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 제1 측면 부분(108a1) 및 상기 제1 측면 부분(108a1) 보다 가파른 경사의 제2 측면 부분(108b1)을 갖는 측면(110s3)을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들어, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s3)에서, 상기 제1 측면 부분(108a1)의 경사진 각도(θa)는 상기 제2 측면 부분(108b1)의 경사진 각도(θb) 보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 제1 측면 부분(108a1)의 경사진 각도(θa)는 상기 제1 측면 부분(108a1)과 상기 바닥면(110b) 사이의 각도를 의미할 수 있고, 상기 제2 측면 부분(108b1)의 경사진 각도(θb)는 상기 제2 측면 부분(108b1)과 상기 바닥면(110b) 사이의 각도를 의미할 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s3)에서, 상기 제1 측면 부분(108a1)은 상기 제2 측면 부분(108b1) 보다 상기 분산 용기(120)와 가까울 수 있다.
상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s3)에서, 상기 제1 측면 부분(108a1)과 상기 제2 측면 부분(108b1) 사이의 경계(B)는 상기 분사 홀들(122) 하부에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 분사 홀들(122)을 통하여 분사되는 상기 제1 분산 가스(250)는 상기 경계(B) 및 상기 경계(B)에 인접하는 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s3)의 부분과 충돌하면서 상기 제2 분산 공간(70) 내로 보다 균일하게 퍼져나갈 수 있다.
다른 변형 예에서, 도 9를 참조하면, 상기 외측 분산 블록(110)은 제1 측면 부분(108a2) 및 상기 제1 측면 부분(108a2) 보다 완만한 경사의 제2 측면 부분(108b2)을 갖는 측면(110s4)을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들어, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s4)에서, 상기 제1 측면 부분(108a2)의 경사진 각도(θa')는 상기 제2 측면 부분(108b2)의 경사진 각도(θb') 보다 클 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s4)에서, 상기 제1 측면 부분(108a2)은 상기 제2 측면 부분(108b2) 보다 상기 분산 용기(120)와 가까울 수 있다.
상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s4)에서, 상기 제1 측면 부분(108a2)과 상기 제2 측면 부분(108b2) 사이의 경계(B)는 상기 분사 홀들(122) 하부에 배치될 수 있다.
다시, 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하면, 상기 분사 홀들(122)은 상기 내측 분산 블록(125)으로부터 일정한 거리로 이격될 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 도 10의 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 분산 용기의 일부를 나타낸 탑뷰이고, 도 11a는 도 10의 I-I'선을 따라 취해진 영역을 나타낸 종단면도이고, 도 11b는 도 10의 II-II'선을 따라 취해진 영역을 나타낸 종단면도이다. 도 12a는 도 10의 I-I'선을 따라 취해진 영역을 나타낸 다른 변형 예의 종단면도이고, 도 12b는 도 10의 II-II'선을 따라 취해진 영역을 나타낸 다른 변형 예의 종단면도이다.
변형 예에서, 도 10, 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 분사 홀들(122)은 제1 분사 홀들(122a) 및 제2 분사 홀들(122b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 분사 홀들(122b)은 상기 제1 분사 홀들(122a) 보다 상기 내측 분산 블록(125)으로부터 멀리 떨어지도록 배치될 수 있다.
상기 외측 분산 블록(110)은 상기 제1 분사 홀들(122a)과 마주보는 제1 측면 부분(109a1) 및 상기 제2 분사 홀들(122b)과 마주보며 상기 제1 측면 부분(109a1) 보다 가파른 경사의 제2 측면 부분(109b1)을 갖는 측면(110s5)을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들어, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s5)에서, 상기 제1 측면 부분(109a1)의 경사진 각도(θ1)는 상기 제2 측면 부분(109b1)의 경사진 각도(θ2) 보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 제1 측면 부분(109a1)의 경사진 각도(θ1)는 상기 제1 측면 부분(109a1)과 상기 바닥면(110b) 사이의 각도를 의미할 수 있고, 상기 제2 측면 부분(109b1)의 경사진 각도(θ2)는 상기 제2 측면 부분(109b1)과 상기 바닥면(110b) 사이의 각도를 의미할 수 있다. 따라서, 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s5)에서, 상기 제1 분사 홀들(122a)과 마주보며 상기 제1 분사 홀들(122a) 하부에 위치하는 상기 제1 측면 부분(109a1)은 상기 제2 분사 홀들(122b)과 마주보며 상기 제2 분사 홀들(122b) 하부에 위치하는 상기 제2 측면 부분(109b1) 보다 완만한 경사를 가질 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 측면 부분(109a1)과 상기 제2 측면 부분(109b1) 사이의 경계(B)는 상기 제1 및 제2 분사 홀들(122a, 122b)과 중첩하지 않을 수 있다.
다른 변형 예에서, 도 10, 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 앞에서 설명한 바와 같이, 상기 분사 홀들(122)은 상기 제1 분사 홀들(122a) 및 상기 제1 분사 홀들(122a) 보다 상기 내측 분산 블록(125)으로부터 멀리 떨어지도록 배치될 수 있는 상기 제2 분사 홀들(122b)을 포함할 수 있다.
상기 외측 분산 블록(110)은 상기 제1 분사 홀들(122a)과 마주보며 상기 제1 분사 홀들(122a)의 하부에 위치하는 제1 측면 부분(109a2) 및 상기 제2 분사 홀들(122b)과 마주보며 상기 제2 분사 홀들(122b)의 하부에 위치하고 상기 제1 측면 부분(109a2) 보다 완만한 경사의 제2 측면 부분(109b2)을 갖는 측면(110s6)을 갖도록 변형될 수 있다. 상기 외측 분산 블록(110)의 상기 측면(110s6)에서, 상기 제1 측면 부분(109a2)의 경사진 각도(θ1')는 상기 제2 측면 부분(109b2)의 경사진 각도(θ2') 보다 클 수 있다. 일 예에서, 상기 제1 측면 부분(109a2)과 상기 제2 측면 부분(109b2) 사이의 경계(B)는 상기 제1 및 제2 분사 홀들(122a, 122b)과 중첩하지 않을 수 있다.
다시, 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하면, 상기 내측 분산 블록(125)은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)로부터 상기 분산 용기(120)의 천장부(120c)를 향하는 상부 방향으로 갈수록 폭이 좁아지는 고깔 모양으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 내측 분산 블록(125)은 경사진 측면을 가질 수 있다. 일 예에서, 상기 내측 분산 블록(125)은 뽀족한 상부 끝 부분을 가질 수 있지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 일 실시예에서, 상기 내측 분산 블록(125)의 상부 끝 부분은 상기 제1 도입 통로(155) 하부에 배치되고, 상기 내측 분산 블록(125)의 측면의 일부는 상기 제2 도입 통로(165) 하부에 배치될 수 있다. 상기 내측 분산 블록(125)의 다양한 변형 예들에 대하여 도 13 및 도 14를 각각 참조하여 설명하기로 한다. 도 13 및 도 14는 상기 내측 분산 블록의 다양한 변형 예들을 설명하기 위한 종단면도들이다.
변형 예에서, 도 13을 참조하면, 상기 내측 분산 블록(125)은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)로부터 상부 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사진 측면(125s)을 가지면서, 곡면을 형성하는 상부 끝 부분(125t)을 가질 수 있다. 일 예에서, 상기 상부 끝 부분(125t)은 상기 가스 도입 부(140)를 향하는 상부 방향으로 볼록한 모양일 수 있다.
변형 예에서, 도 14를 참조하면, 상기 내측 분산 블록(125)은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)로부터 상부 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사진 측면(125s)을 가지면서, 평평한 모양의 상부 끝 부분(125t')을 가질 수 있다.
다시, 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하면, 상기 가스 분배 장치(100)의 상기 가스 도입 부(140)의 상기 제2 도입관(160)은 상기 분산 용기(120)로부터 멀어질수록 폭이 증가하도록 경사진 측면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도입관(160)은 상부 끝 부분으로부터 상기 분산 용기(120)까지 점차적으로 폭이 좁아지도록 형성될 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 도 15, 도 16 및 도 17은 상기 가스 분배 장치(100)의 상기 가스 도입 부(140)의 다양한 변형 예들을 설명하기 위한 종단면도들이다.
변형 예에서, 도 15를 참조하면, 가스 도입 부(140)는 하부 부분(160L) 및 상기 하부 부분(160L) 상의 상부 부분(160U)을 포함하는 제2 도입관(160a)을 포함하도록 변형될 수 있다. 상기 제2 도입관(160a)의 상기 하부 부분(160L)은 상부 방향으로 갈수록 폭이 증가할 수 있고, 상기 제2 도입관(160a)의 상기 상부 부분(160U)은 실질적으로 동일한 폭으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 도입관(160a)의 상기 상부 부분(160U) 내에서, 상기 제2 도입 통로(165)는 상부 방향 또는 하부 방향으로 실질적으로 동일한 폭을 가질 수 있다.
상기 제2 도입관(160a)의 상기 하부 부분(160L) 내에서, 상기 제2 도입 통로(165)는 상기 상부 부분(160U)으로부터 상기 제1 분산 공간(130)을 향하는 하부 방향으로 갈수록 체적이 점점 작아지도록 형성될 수 있다. 도 1, 도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하여 상술한 것과 같은 상기 제2 연결 부분(161)은 상기 제2 도입관(160a)의 상기 상부 부분(160U)에 형성될 수 있다.
변형 예에서, 도 16을 참조하면, 가스 도입 부(140)는 실질적으로 동일한 폭을 갖는 제2 도입관(160b)을 포함하도록 변형될 수 있다. 따라서, 상기 제2 도입관(160b)은 상기 제1 도입관(150)의 측면과 평행한 측면을 가지면서 상기 제1 도입관(150)의 측면을 둘러쌀 수 있다.
변형 예에서, 도 17을 참조하면, 가스 도입 부(140)는 상기 제2 도입관(160)의 상부 부분에 형성되는 복수개의 제2 연결 부분들(161a, 161b)을 포함하도록 변형될 수 있다.
변형 예에서, 도 18을 참조하면, 가스 도입 부(140)는 상술한 제1 도입관(150) 및 상술한 제2 도입관(160)과 함께, 제3 도입관(170)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 도입관(170)은 상기 제2 도입관(160)의 적어도 일부의 측면을 둘러싸며 경사진 측면을 갖는 형태일 수 있다. 상기 제3 도입관(170)은 상기 제3 도입관(170)의 상부 부분에 형성되는 연결 부분(171)을 포함할 수 있다. 제3 도입 가스(247)는 상기 연결 부분(171)을 통하여 상기 제2 도입관(170) 내의 상기 제3 도입 통로(175) 내로 유입될 수 있다.
상술한 실시예들에 따른 상기 가스 분배 장치(100)는 상기 제1 분산 공간(130)을 포함하는 상기 분산 용기(120), 상기 분산 용기(120) 상에 배치되며 제1 도입 가스(240)가 이동하는 상기 제1 도입 통로(155)가 형성되는 상기 제1 도입관(150) 및 상기 제1 도입관(150)의 적어도 일부 측면을 둘러싸며 상기 제2 도입 가스(245)가 이동하는 상기 제2 도입 통로(165)가 형성되는 상기 제2 도입관(160)을 포함하는 상기 가스 도입 부(140), 및 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)에 연결되는 분산 블록을 포함할 수 있다. 상기 분산 블록의 측면의 적어도 일부는 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b)에 대하여 기울어질 수 있다.
실시 예들에서, 상기 분산 블록은 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b) 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 도입 통로들(155, 165) 하부에 배치되는 상기 내측 분산 블록(125) 및/또는 상기 분산 용기(120)의 상기 바닥 부(120b) 하부에 배치되며 상기 분사 홀들(122)과 중첩하는 측면을 갖는 외측 분산 블록(110)을 포함할 수 있다.
상기 기판 척(20) 상에 놓여지는 상기 반도체 기판(5)에 대하여 반도체 공정을 진행하는 경우에, 상술한 상기 가스 분배 장치(100)를 포함하는 상기 기판 처리 장치(1)는, 앞에서 상술한 바와 같이, 상기 처리 공간(30) 내로 보다 균일하게 공정 가스를 분사할 수 있다. 예를 들어, 공정 가스로 이용될 수 있는 상술한 제1 및 제2 도입 가스들(240, 245)은 상술한 가스 분배 장치(100) 및 상술한 샤워헤드 구조물(50)을 거치면서 상기 처리 공간(30) 내로 보다 균일하게 분사되어, 반도체 공정을 진행하기 위해 상기 반도체 기판(5) 상에 제공될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 공정의 공정 산포 특성을 개선할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1 : 기판 처리 장치 5 : 반도체 기판
10 : 공정 챔버 15 : 지지 축
20 : 기판 척 25 : 배기 부
30 : 처리 공간 50 : 샤워헤드 구조물
55 : 플레이트 부 57 : 관통 홀들
60 : 측 부 65 : 덮개 부
65s : 덮개 부의 하부면 70 : 제2 분산 공간
100 : 가스 분배 장치 110 : 외측 분산 블록
120 : 분산 용기 120b: 바닥 부
120s : 측면 부 120c : 천장 부
122 : 분사 홀들 125 : 내측 분산 블록
130 : 제1 분산 공간 140 : 가스 도입 부
150 : 제1 도입관 155 : 제1 도입 통로
160 : 제2 도입관 165 : 제2 도입 통로
167 : 제2 가스 라인 161 : 연결 부분
207, 210, 218, 221, 224 : 가스 저장 용기
207i, 210i, 218i, 221i, 224i : 가스 공급 라인
207m, 210m, 218m, 221m, 224m : 가스 유량 제어기
230 : 제1 도입 라인 235 : 제2 도입 라인

Claims (10)

  1. 기판 척;
    상기 기판 척 상에 배치되는 샤워헤드 구조물; 및
    상기 샤워헤드 구조물과 연결되는 가스 분배 장치를 포함하되,
    상기 가스 분배 장치는 제1 분산 공간이 형성되는 분산 용기 및 상기 분산 용기 상에 배치되는 가스 도입 부를 포함하고,
    상기 가스 도입 부는 상기 제1 분산 공간과 연결되는 제1 도입 통로가 형성되는 제1 도입관, 및 상기 제1 분산 공간과 연결되는 제2 도입 통로가 형성되는 제2 도입관을 포함하고,
    상기 제2 도입관은 상기 제1 도입관의 측면의 적어도 일부를 둘러싸고,
    상기 가스 분배 장치는 상기 분산 용기의 바닥 부 상에 배치되는 내측 분산 블록 및 상기 분산 용기의 상기 바닥 부의 하부에 배치되는 외측 분산 블록을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 도입관 내의 상기 제2 도입 통로는 상기 제1 분산 공간과 인접한 영역에서 상기 제1 분산 공간으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 부분을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 분산 용기는 상기 내측 분산 블록 주위의 상기 바닥 부를 관통하며 상기 제1 분산 공간과 연결되는 분사 홀들을 더 포함하되,
    상기 외측 분산 블록의 측면의 적어도 일부는 상기 분사 홀들 하부에 배치되는 기판 처리 장치.
  5. 기판을 지지하는 기판 척;
    상기 기판 척 상의 샤워헤드 구조물;
    상기 기판 척과 상기 샤워헤드 구조물 사이의 처리 공간; 및
    상기 샤워헤드 구조물과 연결되며 제1 분산 공간을 포함하는 가스 분배 장치를 포함하되,
    상기 샤워헤드 구조물은 상기 제1 분산 공간과 연통되며 상기 제1 분산 공간 보다 큰 체적을 갖는 제2 분산 공간, 상기 제2 분산 공간 하부에 배치되는 플레이트 부 및 상기 플레이트 부를 관통하며 상기 제2 분산 공간과 상기 처리 공간을 연결하는 관통홀들을 포함하고,
    상기 가스 분배 장치는 상기 제1 분산 공간이 형성되는 분산 용기, 상기 분산 용기 상의 가스 도입 부 및 상기 분산 용기와 연결되는 분산 블록을 포함하고,
    상기 가스 도입 부는 제1 도입 통로가 형성되는 제1 도입관 및 제2 도입 통로가 형성되는 제2 도입관을 포함하고,
    상기 분산 블록의 측면의 적어도 일부는 상기 분산 용기의 바닥 부에 대하여 기울어진 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 분산 용기는 상기 제1 분산 공간을 한정하는 바닥 부, 측면 부 및 천장 부, 그리고 상기 바닥 부를 관통하는 분사 홀들을 포함하고,
    상기 분산 블록은 상기 분산 용기의 상기 바닥 부 상에 배치되는 내측 분산 블록 및 상기 분산 용기의 상기 바닥 부 하부에 배치되며 상기 분사 홀들 하부와 수직하게 중첩하는 측면을 갖는 외측 분산 블록 중 적어도 하나를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 내측 분산 블록은 상기 분산 용기의 바닥부로부터 상기 분산 용기의 천장 부를 향하는 방향으로 폭이 점점 좁아지는 부분을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 도입관은 상기 제1 도입관의 측면의 적어도 일부를 둘러싸고,
    상기 제1 및 제2 도입 통로들은 상기 제1 분산 공간과 연통되는 기판 처리 장치.
  9. 기판 척 상에 반도체 기판을 제공하고, 및
    상기 기판 척 상의 가스 분배 장치를 통하여 공정 가스를 상기 반도체 기판에 공급하는 것을 포함하되, 상기 가스 분배 장치는,
    분산 공간을 포함하는 분산 용기;
    상기 분산 용기 상에 배치되며 제1 도입 가스가 이동하는 제1 도입 통로가 형성되는 제1 도입관 및 제2 도입 가스가 이동하는 제2 도입 통로가 형성되는 제2 도입관을 포함하는 가스 도입 부; 및
    상기 분산 용기의 바닥 부에 연결되며, 적어도 일부는 상기 분산 용기의 바닥 부에 대하여 기울어진 측면을 가지는 분산 블록을 포함하는 반도체 공정 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 분산 용기는 분산 공간을 한정하는 바닥 부, 측면 부 및 천장 부, 그리고 상기 바닥 부를 관통하는 분사 홀들을 포함하고,
    상기 가스 도입 부는 상기 분산 용기의 상기 천장 부와 연결되고,
    상기 제1 및 제2 도입 통로들은 상기 분산 공간과 연통되고,
    상기 제2 도입관은 상기 제1 도입관의 측면의 적어도 일부를 둘러싸고,
    상기 분산 블록은 상기 분산 용기의 바닥 부 상에 배치되며 내측 분산 블록 및 상기 분산 용기의 바닥 부 하부에 배치되는 외측 분산 블록 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 공정 방법.

KR1020180033952A 2018-03-23 2018-03-23 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법 KR102518372B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180033952A KR102518372B1 (ko) 2018-03-23 2018-03-23 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법
US16/190,558 US10557198B2 (en) 2018-03-23 2018-11-14 Gas distribution apparatus and substrate processing apparatus including the same
CN201910225551.0A CN110299309A (zh) 2018-03-23 2019-03-22 气体分配装置和包括该气体分配装置的衬底处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180033952A KR102518372B1 (ko) 2018-03-23 2018-03-23 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190111600A KR20190111600A (ko) 2019-10-02
KR102518372B1 true KR102518372B1 (ko) 2023-04-06

Family

ID=67984078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180033952A KR102518372B1 (ko) 2018-03-23 2018-03-23 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10557198B2 (ko)
KR (1) KR102518372B1 (ko)
CN (1) CN110299309A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210030091A (ko) 2019-09-09 2021-03-17 주식회사 엘지화학 통신 장치, 통신 방법 및 전기 차량

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124208A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置および半導体の製造方法
KR101807567B1 (ko) * 2016-11-25 2017-12-11 김용원 Ald 산화막 형성 방법 및 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3093070B2 (ja) * 1993-01-26 2000-10-03 大阪瓦斯株式会社 Ｃｖｄ薄膜形成装置
JPH07142401A (ja) * 1993-11-18 1995-06-02 Fujitsu Ltd 半導体デバイス製造用の成膜装置及び半導体装置の製造方法
KR100436047B1 (ko) 2001-11-29 2004-06-12 주식회사 하이닉스반도체 소스공급장치를 구비한 단원자층증착장치 및 그를 이용한단원자층 증착방법
KR100591762B1 (ko) * 2004-01-19 2006-06-22 삼성전자주식회사 증착 장치 및 증착 방법
KR100558922B1 (ko) 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
KR100680867B1 (ko) * 2005-05-31 2007-02-09 주식회사 유진테크 노즐핀 삽입형 샤워헤드
JP2007335755A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2009239082A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置、処理装置及び処理方法
US9121097B2 (en) * 2012-08-31 2015-09-01 Novellus Systems, Inc. Variable showerhead flow by varying internal baffle conductance
US10256079B2 (en) * 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
JP5917477B2 (ja) 2013-11-29 2016-05-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR101518398B1 (ko) * 2013-12-06 2015-05-08 참엔지니어링(주) 기판 처리 장치
JP5859583B2 (ja) * 2014-01-30 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5800957B1 (ja) * 2014-06-17 2015-10-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
US10249511B2 (en) * 2014-06-27 2019-04-02 Lam Research Corporation Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus
KR102071501B1 (ko) 2015-07-07 2020-01-30 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
US9508547B1 (en) 2015-08-17 2016-11-29 Lam Research Corporation Composition-matched curtain gas mixtures for edge uniformity modulation in large-volume ALD reactors
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10403474B2 (en) * 2016-07-11 2019-09-03 Lam Research Corporation Collar, conical showerheads and/or top plates for reducing recirculation in a substrate processing system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124208A (ja) 1998-10-15 2000-04-28 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置および半導体の製造方法
KR101807567B1 (ko) * 2016-11-25 2017-12-11 김용원 Ald 산화막 형성 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US10557198B2 (en) 2020-02-11
KR20190111600A (ko) 2019-10-02
CN110299309A (zh) 2019-10-01
US20190292664A1 (en) 2019-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108570662B (zh) 喷淋板、处理装置和喷出方法
KR100854995B1 (ko) 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치
JP4036982B2 (ja) 半導体素子製造用ガスディヒューザ及びこれを設けた反応炉
KR100550342B1 (ko) 가스 산포 방법, 및 샤워 헤드, 및 샤워 헤드를 구비하는반도체 기판 가공 장치
US9493875B2 (en) Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus
KR100782369B1 (ko) 반도체 제조장치
CN105849864B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN109797379B (zh) 包括上喷头和下喷头的沉积设备
CN109797376B (zh) 包括上喷头和下喷头在内的沉积装置
KR102518372B1 (ko) 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법
KR20170006175A (ko) 인젝터를 갖는 박막 형성 장치
CN105779972B (zh) 一种喷淋头及其等离子体处理装置
KR20030080687A (ko) Ｃｖｄ 장치의 샤워헤드
KR20160083715A (ko) 가스 분사 유닛을 포함하는 반도체 공정 설비
JP2021110041A (ja) シャワーヘッドアセンブリおよび構成要素
US20210108313A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
KR100872994B1 (ko) 플라즈마 발생장치
KR20230162432A (ko) 기판 처리 장치
KR100874340B1 (ko) 차단 플레이트를 이용한 플라즈마 발생장치
KR20060100961A (ko) 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비
KR20040093534A (ko) 고밀도 플라즈마를 이용하는 화학기상증착 설비의공정가스 공급장치
WO2018012267A1 (ja) 流路構造及び処理装置
JP7284265B2 (ja) アンプルの飛沫軽減
KR101114247B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치
KR20190071294A (ko) 박막 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right