KR100874340B1 - 차단 플레이트를 이용한 플라즈마 발생장치 - Google Patents

차단 플레이트를 이용한 플라즈마 발생장치 Download PDF

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Abstract

플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고 상하로 접합하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며 상판구조 및 하판구조는 상하로 관통하는 복수개의 유도관 및 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관을 하부로 노출시키며 상기 유도관의 외면과 접할 수 있는 크기로 형성된 하판 관통홀을 포함하는 샤워헤드, 상판구조 및 하판구조 사이에 개재되어 소스가스 이동공간을 상하로 분할하며 기대하는 소스가스 분포에 대응하여 형성된 가이드 홀을 포함하는 차단 플레이트, 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부, 및 샤워 헤드 내의 소스가스 이동공간에서 차단 플레이트 상부로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다.
플라즈마, 리플렉터, 유도관, 차단 플레이트

Description

차단 플레이트를 이용한 플라즈마 발생장치 {APPARATUS FOR GENERATING PLASMA USING BLOCKING PLATE}
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 5는 도 4의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100：플라즈마 발생장치 110：플라즈마 발생부
120：지지부 130：반응가스 공급부
140：소스가스 공급부 150：샤워 헤드
160：상판구조 162：유도관
170：하판구조
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 균일한 표 면처리 및 박막형성을 위해 플라즈마를 균일하게 발생할 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부(10), 반응가스 공급부(30), 소스가스 공급부(40) 및 샤워 헤드(50)를 포함하며, 이들 장치들은 지지부(20) 상에 장착이 된다. 플라즈마 발생부(10) 및 샤워 헤드(50) 사이에는 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 챔버가 제공되며, 플라즈마 챔버에서 형성된 플라즈마는 샤워 헤드(50)에 형성된 다수의 반응가스 분사구(63)를 통해 샤워 헤드(50) 하부로 이동할 수 있다. 반응가스에 의한 플라즈마가 샤워 헤드(50)를 통과하면서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되고, 전환된 반응가스의 이온 또는 라디칼은 샤워 헤드(50)의 유도관(62)의 하단에서 하부로 분사될 수 있다.
샤워 헤드(50)의 하부로는 처리공간이 제공되며, 처리공간에는 피처리물이 위치하여 박막 형성, 세정 등과 같은 플라즈마 가공이 진행될 수 있다. 플라즈마 발생장치 및 처리공간은 일반적으로 진공상태를 유지하고 있으며, 피처리물은 히터(미도시) 상에 장착될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 플라즈마 발생부(10)는 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)로 구성되며, 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)에 의해서 반응가스 공급부(30)의 유관 및 소스가스 공급부(40)의 유관이 형성될 수 있다. 반응가스 공급부(30)를 통해서 공급된 반응가스는 플라즈마 발생부(10)의 저면에 장착된 플라즈마 발생 전극(18)을 통과하면서 플 라즈마 상태로 전환되며, 플라즈마 발생 전극(18)에는 다수의 홀이 형성되어 반응가스를 효과적으로 통과시킬 수 있다.
종래의 플라즈마 발생장치에서 샤워 헤드(50)는 상판구조(60)와 하판구조(70)에 의해서 형성되며, 상판구조(60)에는 반응가스 분사구(63)를 정의하는 유도관(62)이 형성되고, 하판구조(70)에는 소스가스 분사를 위한 소스가스 분사구(74)가 형성된다. 반응가스 분사구(63)를 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스 분사구(74)를 통과한 소스가스와 반응할 수 있으며, 상기 반응에 의해서 피처리물에는 박막 등이 형성될 수 있다.
하지만, 장치의 구조 상 소스가스 공급부(40)의 유관이 샤워 헤드(50)의 주변 또는 외곽과 연결되기 때문에, 소스가스는 샤워 헤드(50)의 중심부가 아닌 주변으로부터 유입되며, 소스가스가 주변에서부터 유입되기 때문에 일반적으로 주변부에서 소스가스가 상대적으로 많은 양이 분사되고 중심부에서는 상대적으로 적은 양이 분사된다. 그 결과, 종래의 플라즈마 발생장치에서는 중심부에서 적은 양의 소스가스가 공급되어 피처리물의 중심부에서 불량의 박막이 형성될 수 있으며, 박막이 형성되더라도 지나치게 얇은 박막이 형성될 수가 있다.
본 발명은 샤워 헤드를 통해 공급되는 소스가스 분포가 전체적으로 균일하게 나타날 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공하며, 더 나아가 소스가스의 분포를 의도대로 조절할 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다.
본 발명은 샤워 헤드를 통해 반응가스 이온 및 소스가스를 분사하는 과정에 서 반응가스 이온과 소스가스가 예상되지 않은 영역에서 반응하는 것을 효과적으로 차단할 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 샤워 헤드, 차단 플레이트, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함한다. 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공할 수 있다. 특히, 샤워 헤드는 상판구조 및 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 상하로 접합하여 상하로 관통하는 복수개의 유도관 및 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공한다. 또한, 하판구조는 유도관을 하부로 노출시키며 유도관의 외면과 접할 수 있는 크기로 하판 관통홀이 형성된다. 차단 플레이트는 상판구조 및 하판구조 사이에 개재되어 소스가스 이동공간을 상하로 분할하며, 기대하는 소스가스 분포에 대응하여 형성된 가이드 홀을 포함할 수 있다.
차단 플레이트가 샤워 헤드 내부를 상하로 분할하고, 설계자는 가이드 홀의 위치, 개수, 크기 등을 조절하여 원하는 하판구조로부터 소스가스가 원하는 분포로 분사되도록 조절할 수 있다. 예를 들어, 가이드 홀을 중심부에 집중적으로 형성함으로써 중심의 위치에서 분사되는 소스가스의 양을 증가시킬 수 있으며, 가이드 홀을 일자 또는 십자 형태로 분포시켜 소스가스가 특정한 분포로 분사되도록 인위적으로 조절할 수가 있다. 소스가스 공급부가 차단 플레이트 및 상판구조 사이로 소스가스를 공급하면, 소스가스는 가이드 홀의 분포에 의해서 인위적으로 조절된 상태로 공급될 수가 있다.
여기서 상판구조 및 하판구조의 접합에 의해서 유도관 및 소스가스 이동공간 이 제공된다. 유도관은 상판구조 또는 하판구조 중 어느 하나와 일체로 형성되어 샤워 헤드를 상하로 관통하는 반응가스 분사구를 제공할 수 있으며, 상판구조 및 하판구조에 각각 유도관에 대응하는 관 형상 구조를 형성하여 하나의 유도관을 형성할 수도 있다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 복수개의 반응가스 분사구를 위한 복수개의 유도관이 아래를 향해 형성된 상판구조 및 상기 상판구조 하부에 장착되며 상기 유도관에 대응하는 하판 관통홀과 상기 하판 관통홀 주변에 형성된 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하는 샤워 헤드, 상판구조 및 하판 구조 사이에 개재되어 소스가스 이동공간을 상하로 분할하며 유도관에 대응하는 중간 관통홀 및 중심에 집중적으로 형성된 복수개의 가이드 홀을 포함하는 차단 플레이트, 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부, 그리고 샤워 헤드 내의 소스가스 이동공간에서 차단 플레이트 상부로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 구비한다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 3 은 도 2의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 플라즈마 발생장치(100)는 플라즈마 발생부(110), 샤워 헤드(150), 차단 플레이트(180), 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)를 포함한다. 샤워 헤드(150) 및 플라즈마 발생부(110)는 지지부(120) 상에 장착되며, 지지부(120)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(110)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다.
플라즈마 발생부(110)는 상부 플라즈마 플레이트(112), 하부 플라즈마 플레이트(114), 스페이스 플레이트(116)를 포함한다. 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)는 상하로 장착되며, 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)의 가스 유로가 형성될 수 있다.
플라즈마 발생부(110)는 플라즈마 발생 전극(118)을 포함하며, 플라즈마 발생 전극(118)은 하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 장착된다. 반응가스 공급부(130)로부터 플라즈마 발생 전극(118) 위로 반응가스가 공급되며, 플라즈마 발생 전극(118)에는 다수의 홀이 형성되어 플라즈마 챔버로 반응가스를 통과시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(110)는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 또는 CCP(Capacitive Coupling Plasma)의 방식에 따라 플라즈마를 발생할 수 있으며, 일 예로 플라즈마 발생 전극(118)에는 RF 전원 등이 인가될 수 있다.
하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면으로 스페이스 플레이트(116)가 제공되며, 스페이스 플레이트(116)는 하부 플라즈마 플레이트(114)와 샤워 헤드(150)가 일정 간격이상 이격되도록 하여 플라즈마 생성을 위한 챔버를 제공할 수 있다. 또한 스페이스 플레이트(116)는 절연부재로서 플라즈마 발생부(110)와 샤워 헤드(150)를 전기적으로 분리하기 위한 용도로도 사용될 수 있다. 이를 위해서 스페이스 플레이트(116)는 그 자체가 절연 재질을 이용하여 형성되거나 외면에서 절연 코팅을 형성하여 절연 특성을 가질 수 있다.
도시된 바와 같이, 스페이스 플레이트(116)에도 소스가스 공급부(140)로서의 가스 유로가 형성될 수 있으며, 스페이스 플레이트(116)를 통해 소스가스 공급부(140)는 샤워 헤드(150)의 주변에 연결될 수가 있다.
샤워 헤드(150)는 상판구조(160) 및 하판구조(170)를 포함한다. 상판구조(160)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(162)을 포함한다. 유도관(162)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(163)를 제공한다. 반응가스 분사구(163)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(150) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(170)는 상판구조(160)의 하부에 장착되며, 유도관(162)에 대응하는 하판 관통홀(172) 및 소스가스 분사구(174)를 포함한다. 하판 관통홀(172)을 통해 유도관(162)의 하단은 샤워 헤드(150) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172)의 주변 즉, 유도관(162)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다.
도시된 바와 같이, 소스가스 공급부(140)에 의해서 샤워 헤드(150) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 차단 플레이트(180)를 거쳐 소스가스 분사구(174) 를 통해 분사될 수 있다. 분사된 소스가스는 반응가스 이온과 함께 피처리물 상에 박막 등을 형성할 수가 있다. 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172)의 각 사이에 형성되며, 그 개수 및 크기는 설계자의 의도에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
차단 플레이트(180)는 상판구조(160) 및 하판구조(170) 사이에 개재된다. 차단 플레이트(180)는 상판구조(160) 및 하판구조(170) 사이에 정의되는 소스가스 이동공간을 상하로 분할하며, 정해진 통로 즉, 가이드 홀(186)을 통해서만 소스가스가 통과하도록 조절할 수 있다. 앞서 언급한 바와 같이, 가이드 홀은 설계자가 그 위치를 선택할 수 있으며, 소스가스를 균일하게 분포시키기 위하거나 다른 의도를 충족하기 위해서 그 위치를 달리할 수 있으며, 일 예로 집중적으로 소스가스를 공급하고자 하는 경우에도 가이드 홀의 위치 및 개수 등을 증가시킬 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 가이드 홀(186)이 샤워 헤드(150)의 중심부에 상대적으로 많이 형성되어 있으며, 그 결과 소스가스가 이동공간 내에서 중심부로 우선적으로 이동하여 공급되도록 할 수가 있다. 그 결과 피처리물에서 중심부에 상대적으로 박막이 얇게 형성되는 현상을 극복할 수가 있다.
도 3을 통해 다시 설명하면, 소스가스 공급부(140)로부터의 소스가스는 상판구조(160)의 외곽을 통해 샤워 헤드(150) 내로 공급되며, 주변에서부터 공급된 소스가스는 차단 플레이트(180)의 중심부에 형성된 가이드 홀(186)을 경유하기 위해서 중심부로 모인다. 가이드 홀(186)을 통해 공급된 소스가스는 차단 플레이트(180) 하부에서 고루 공급될 수 있으며, 하판구조(170)에서 소스가스 분사구(174)를 통해 소스가스는 균일하게 될 수가 있다.
차단 플레이트(180)에도 유도관(162)을 통과시키기 위한 중간 관통홀(182)이 형성되어 있으며, 유도관(162)은 중간 관통홀(182) 및 하판 관통홀(172)을 통과하여 샤워 헤드(150)의 하부로 노출될 수가 있다. 노출되는 유도관(162)의 높이 역시 설계자의 의도에 따라 용이하게 달라질 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 5는 도 4의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 플라즈마 발생장치(200)는 플라즈마 발생부(210), 샤워 헤드(250), 차단 플레이트(280), 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)를 포함한다. 샤워 헤드(250) 및 플라즈마 발생부(210)는 지지부(220) 상에 장착되며, 지지부(220)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(210)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다.
플라즈마 발생부(210)는 상부 플라즈마 플레이트(212), 하부 플라즈마 플레이트(214), 스페이스 플레이트(216)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)의 가스 유로가 형성되지만, 경우에 따라서는 반응가스 공급부와 소스가스 공급부가 별도의 호스 또는 튜브를 통해서 삽입 또는 장착될 수가 있다. 플라즈마 발생부(210)는 플라즈마 발생 전극(218) 및 스페이스 플레이트(216)를 포함한다.
샤워 헤드(250)는 상판구조(260) 및 하판구조(270)를 포함한다. 상판구 조(260)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(262)을 포함한다. 유도관(262)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(263)를 제공한다. 반응가스 분사구(263)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(250) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(270)는 상판구조(260)의 하부에 장착되며, 유도관(262)에 대응하는 하판 관통홀(272) 및 소스가스 분사구(274)를 포함한다. 하판 관통홀(272)을 통해 유도관(262)의 하단은 샤워 헤드(250) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(274)는 하판 관통홀(272)의 주변 즉, 유도관(262)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다.
특히 하판 관통홀(262)의 주변으로 하판 차단벽(278)이 형성되며, 하판 차단벽(278)은 유도관의 둘레를 감싸도록 형성되어 소스가스 또는 반응가스가 유도관(262)과 하판구조(270) 사이의 틈으로 새어 나가거나 들어오는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반응가스 분사구(263)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(250) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다.
도시된 바와 같이, 소스가스 공급부(240)에 의해서 샤워 헤드(250) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 차단 플레이트(280)를 거쳐 소스가스 분사구(274)를 통해 분사될 수 있다. 차단 플레이트(280)가 상판구조(260) 및 하판구조(270) 사이에 개재되고, 소스가스가 가이드 홀(286)을 통해서만 하판구조(270)로 이동할 수 있기 때문에 우선적으로 중심부로 공급될 수가 있다.
가이드 홀(286)을 통해 공급된 소스가스는 차단 플레이트(280) 하부에서 고루 공급될 수 있으며, 하판구조(270)에서 소스가스 분사구(274)를 통해 소스가스는 균일하게 분사되고, 그 결과 피처리물 상에서 박막은 균일한 두께로 형성될 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 차단 플레이트(280)에도 유도관(262)을 통과시키기 위한 중간 관통홀(282)이 형성되어 있으며, 중간 관통홀(282) 주변으로 유도관(262)의 둘레를 감싸기 위한 중간 차단벽(288)이 형성될 수 있다. 유도관(262)은 중간 차단벽(288) 및 하판 차단벽(278)을 통과하여 샤워 헤드(250)의 하부로 노출될 수가 있다. 중간 차단벽(288)은 차단 플레이트(280) 및 유도관(262) 사이의 틈으로 소스가스가 의도하지 않게 하판구조(270)로 전달되는 것을 차단할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 발생장치는 차단 플레이트를 이용하여 가이드 홀을 통해 샤워 헤드 내의 소스가스 이동을 제어할 수 있으며, 하판구조에서 소스가스가 균일 또는 설계자 의도대로 분사되도록 할 수가 있다. 일반적으로 소스가스가 샤워 헤드의 외곽에서부터 중심을 향하도록 공급되는 것을 감안할 때, 차단 플레이트를 이용하여 플라즈마 가공의 품질을 향상시킬 수가 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 발생장치는 샤워 헤드를 통해 반응가스 이온 및 소스가스를 분사하는 과정에서 반응가스 이온과 소스가스가 예상되지 않은 영역에서 반응하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해 당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 플라즈마 발생부;
    상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 상호 상하로 접합하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조 및 하판구조는 상하로 관통하는 복수개의 유도관 및 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관을 하부로 노출시키며 상기 유도관의 외면과 접할 수 있는 크기로 형성된 하판 관통홀을 포함하는 샤워헤드;
    상기 상판구조 및 상기 하판구조 사이에 개재되어 상기 소스가스 이동공간을 상하로 분할하며, 기대하는 소스가스 분포에 대응하여 형성된 가이드 홀을 포함하는 차단 플레이트;
    상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 및
    상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간에서 상기 차단 플레이트 상부로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부;를 구비하는 플라즈마 발생장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는 하부에 장착된 플라즈마 발생 전극을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 전극은 복수개의 홀을 포함하며, 상기 반응가스 공급부는 상기 플라즈마 발생 전극의 상부로 반응가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상판구조에는 상기 유도관이 아래를 향하도록 일체로 형성되어 복수개의 반응가스 분사구를 제공하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하판구조는 상기 하판 관통홀에 대응하여 위를 향해 형성된 하판 차단벽을 포함하며, 상기 하판 차단벽은 상기 유도관의 외면을 덮는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 차단 플레이트는 상기 유도관에 대응하는 중간 관통홀을 포함하며, 상기 중간 관통홀은 상기 유도관의 외면과 접할 수 있는 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 차단 플레이트는 상기 중간 관통홀에 대응하여 위를 향해 형성된 중간 차단벽을 포함하며, 상기 중간 차단벽은 상기 유도관의 외면을 덮는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 차단 플레이트에서 상기 가이드 홀은 중심부에 대응하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
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