KR100874341B1 - 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하는 상판구조 및 상기 상판구조와 상하로 접합하여 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조는 하부로 돌출 형성된 복수개의 유도관을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관과 대응되는 위치에서 상부로 돌출 형성되고, 상기 유도관과 결합되어 상기 유도관을 노출시키는 관통홀이 형성된 복수개의 차단벽을 제공하는 샤워 헤드, 상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부 및 상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함하여 구성되고, 상기 유도관은 상기 상판구조와 일체로 형성되고, 상기 차단벽은 상기 하판구조와 일체로 형성되며, 상기 차단벽이 상기 유도관의 외면에 밀착 결합되어 상기 유도관과 상기 관통홀 사이의 틈을 차단한다.
플라즈마, 리플렉터, 유도관, 차단벽

Description

플라즈마 발생장치 {APPARATUS FOR GENERATING PLASMA}
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유도관 및 하판구조 간의 관계를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100：플라즈마 발생장치 110：플라즈마 발생부
120：지지부 130：반응가스 공급부
140：소스가스 공급부 150：샤워 헤드
160：상판구조 162：유도관
170：하판구조 178：차단벽
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 표면처리 및 박막형성을 위해 플라즈마를 균일하게 발생할 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 2는 도 1의 유도관 및 하판구조 간의 관계를 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부(10), 반응가스 공급부(30), 소스가스 공급부(40) 및 샤워 헤드(50)를 포함하며, 이들 장치들은 지지부(20) 상에 장착이 된다. 플라즈마 발생부(10) 및 샤워 헤드(50) 사이에는 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 챔버가 제공되며, 플라즈마 챔버에서 형성된 플라즈마는 샤워 헤드(50)에 형성된 다수의 반응가스 분사구(63)를 통해 샤워 헤드(50) 하부로 이동할 수 있다. 반응가스에 의한 플라즈마가 샤워 헤드(50)를 통과하면서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되고, 전환된 반응가스의 이온 또는 라디칼은 샤워 헤드(50)의 유도관(62)의 하단에서 하부로 분사될 수 있다.
샤워 헤드(50)의 하부로는 처리공간이 제공되며, 처리공간에는 피처리물이 위치하여 박막 형성, 세정 등과 같은 플라즈마 가공이 진행될 수 있다. 플라즈마 발생장치 및 처리공간은 일반적으로 진공상태를 유지하고 있으며, 피처리물은 히터(미도시) 상에 장착될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 플라즈마 발생부(10)는 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)로 구성되며, 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)에 의해서 반응가스 공급부(30)의 유관 및 소스가스 공급부(40)의 유관이 형성될 수 있다. 반응가스 공급부(30)를 통해서 공급된 반응가스는 플라즈마 발생부(10)의 저면에 장착된 플라즈마 발생 전극(18)을 통과하면서 플라즈마 상태로 전환되며, 플라즈마 발생 전극(18)에는 다수의 홀이 형성되어 반응가스를 효과적으로 통과시킬 수 있다.
종래의 플라즈마 발생장치에서 샤워 헤드(50)는 상판구조(60)와 하판구조(70)에 의해서 형성되며, 상판구조(60)에는 반응가스 분사구(63)를 정의하는 유도관(62)이 형성되고, 하판구조(70)에는 소스가스 분사를 위한 소스가스 분사구(74)가 형성된다. 반응가스 분사구(63)를 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스 분사구(74)를 통과한 소스가스와 반응할 수 있으며, 상기 반응에 의해서 피처리물에는 박막 등이 형성될 수 있다.
하지만, 도 2에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드(50)에서 유도관(62)과 하판구조(70) 사이에 미세한 틈(G)이 존재할 수 있으며, 이 틈(G)을 통해서 소스가스가 유출될 수 있으며, 반대로 반응가스가 샤워 헤드(50) 안으로 유입될 수도 있다. 소스가스가 틈(G)을 통해서 유출되면, 소스가스는 유도관(50)의 하단에서 반응가스와 반응을 시작할 수 있으며, 피처리물에 도달하기 전에 반응이 완료될 수가 있다. 또한, 반응가스가 틈(G)을 통해 유입되면, 역시 샤워 헤드(50) 안에서 반응이 일어나 버릴 수가 있다.
그 결과, 종래의 플라즈마 발생장치에서는 소스가스 또는 반응가스가 과도하게 소비될 수 있으며, 형성되는 박막의 품질이 현저하게 저하될 수가 있다.
본 발명은 샤워 헤드를 통해 공급되는 소스가스가 반응가스와 미리 반응하지 않고, 피처리물 처리에 효과적으로 사용될 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다.
본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 분사구 조절이 가능하여 소스가스와 반응가스 간의 효율적인 혼합을 가능하게 하는 플라즈마 발생장치를 제공한다.
본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 효율적으로 차단할 수 있는 여러 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 샤워 헤드, 차단부, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함한다. 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공할 수 있으며, 샤워 헤드는 상판구조 및 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 상하로 접합하여 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공한다. 특히, 상판구조 및 하판구조 중 하나는 복수개의 유도관을 포함할 수 있으며, 차단부는 유도관과 다른 하나의 판구조 간의 틈새를 차단할 수 있다.
즉, 유도관은 일반적으로 상판구조에 형성될 수 있고, 차단부는 하판구조와 일체로 형성되거나 따로 형성되어 하판구조의 관통홀과 유도관 사이의 틈을 차단할 수 있고, 다르게는 유도관이 하판구조에 형성되고 차단부는 상판구조와 일체로 형성되거나 따로 형성되어 상판구조의 관통홀과 유도관 사이의 틈을 차단할 수 있다.
상술한 바와 같이, 차단부는 상판구조 또는 하판구조와 일체로 형성될 수도 있으며 별도로 형성된 후 유도관 등에 장착될 수 있다. 그 결과 소스가스 또는 반응가스가 피처리물의 상면이 아닌 다른 의도하지 않는 영역에서 미리 반응하는 것을 예방할 수가 있다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 하판구조는 유도관의 외면을 감싸는 차단벽을 포함하는 샤워 헤드, 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부, 및 샤워 헤드 내의 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다.
상판구조에 유도관이 형성되고, 하판구조에는 유도관의 외면을 감싸면서 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 차단하는 차단벽이 형성된다. 차단벽은 하판구조와 일체로 형성되어 조립 및 분리가 용이하며, 차단벽의 높이를 조절하여 소스가스 분사구의 높이와 반응가스의 높이를 매우 용이하게 조절할 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 플라즈마 발생장치(100)는 플라즈마 발생부(110), 샤워 헤드(150), 차단벽(178), 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)를 포함한다. 샤워 헤드(150) 및 플라즈마 발생부(110)는 지지부(120) 상에 장착되며, 지지부(120)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(110)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다.
플라즈마 발생부(110)는 상부 플라즈마 플레이트(112), 하부 플라즈마 플레이트(114), 스페이스 플레이트(116)를 포함한다. 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)는 상하로 장착되며, 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)의 가스 유로가 형성될 수 있다.
플라즈마 발생부(110)는 플라즈마 발생 전극(118)를 포함하며, 플라즈마 발생 전극(118)는 하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 장착된다. 반응가스 공급부(130)로부터 플라즈마 발생 전극(118) 위로 반응가스가 공급되며, 플라즈마 발생 전극(118)에는 다수의 홀이 형성되어 플라즈마 챔버로 반응가스를 통과시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(110)는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 또는 CCP(Capacitive Coupling Plasma)의 방식에 따라 플라즈마를 발생할 수 있으며, 일 예로 플라즈마 발생 전극(118)에는 RF 전원 등이 인가될 수 있다.
하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면으로 스페이스 플레이트(116)가 제공되 며, 스페이스 플레이트(116)는 하부 플라즈마 플레이트(114)와 샤워 헤드(150)가 일정 간격이상 이격되도록 하여 플라즈마 생성을 위한 챔버를 제공할 수 있다. 또한 스페이스 플레이트(116)는 절연부재로서 플라즈마 발생부(110)와 샤워 헤드(150)를 전기적으로 분리하기 위한 용도로도 사용될 수 있다. 이를 위해서 스페이스 플레이트(116)는 그 자체가 절연 재질을 이용하여 형성되거나 외면에서 절연 코팅을 형성하여 절연 특성을 가질 수 있다.
도시된 바와 같이, 스페이스 플레이트(116)에도 소스가스 공급부(140)로서의 가스 유로가 형성될 수 있으며, 스페이스 플레이트(116)를 통해 소스가스 공급부(140)는 샤워 헤드(150)의 주변에 연결될 수가 있다.
샤워 헤드(150)는 상판구조(160) 및 하판구조(170)를 포함한다. 상판구조(160)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(162)을 포함한다. 유도관(162)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(163)를 제공한다. 반응가스 분사구(163)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(150) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(170)는 상판구조(160)의 하부에 장착되며, 유도관(162)에 대응하는 하판 관통홀(172) 및 소스가스 분사구(174)를 포함한다. 하판 관통홀(172)을 통해 유도관(162)의 하단은 샤워 헤드(150) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172)의 주변 즉, 유도관(162)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다.
특히, 하판 관통홀(172)의 주변으로 위를 향해 차단벽(178)이 형성된다. 차 단벽(178)은 유도관(162)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(178)의 내면은 유도관(162)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 차단벽(178)에 의해서 소스가스 이동공간은 외부와 더 완벽하게 차단되며, 유도관(162) 및 하판 관통홀(172) 간의 틈에 의해서 가스가 출입하는 것은 방지될 수 있다.
도시된 바와 같이, 소스가스 공급부(140)에 의해서 샤워 헤드(150) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 하판구조(170)의 바닥에 형성된 소스가스 분사구(174)를 통해 분사될 수 있다. 분사된 소스가스는 반응가스 이온과 함께 피처리물 상에 박막 등을 형성할 수가 있다. 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172) 또는 차단벽(178) 사이에 형성되며, 그 개수 및 크기는 설계자의 의도에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
도 4를 보면, 소스가스 공급부(140)가 샤워 헤드(150)의 외곽을 따라 동일한 간격으로 연결되며, 외곽으로부터 소스가스를 공급할 수 있다. 소스가스 공급부(140)로부터 공급된 소스가스는 상판구조(160)의 외곽을 통해 샤워 헤드(150) 내로 공급되며, 주변에서부터 공급된 소스가스는 소스가스 이동공간에 일시적으로 머물다가 소스가스 분사구(174)를 통해 하판구조(170) 하부로 분사된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 플라즈마 발생장치(200)는 플라즈마 발생부(210), 샤워 헤드(250), 차단벽(278), 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)를 포함한다. 샤워 헤드(250) 및 플라즈마 발생부(210)는 지지부(220) 상에 장착되며, 지지 부(220)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(210)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다.
플라즈마 발생부(210)는 상부 플라즈마 플레이트(212), 하부 플라즈마 플레이트(214), 스페이스 플레이트(216)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)의 가스 유로가 형성된다. 플라즈마 발생부(210)는 플라즈마 발생 전극(218) 및 스페이스 플레이트(216)를 포함한다.
샤워 헤드(250)는 상판구조(260) 및 하판구조(270)를 포함한다. 상판구조(260)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(262)을 포함한다. 유도관(262)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(263)를 제공한다. 반응가스 분사구(263)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(250) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(270)는 상판구조(260)의 하부에 장착되며, 유도관(262)에 대응하는 하판 관통홀(272) 및 소스가스 분사구(274)를 포함한다. 하판 관통홀(272)을 통해 유도관(262)의 하단은 샤워 헤드(250) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(274)는 하판 관통홀(272)의 주변 즉, 유도관(262)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다.
특히, 하판 관통홀(272)의 주변으로 위를 향해 차단벽(278)이 형성된다. 차단벽(278)은 유도관(162)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(178)의 내면은 유도관(162)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 무엇보다도 차단벽(278)이 유도관(262)보다 길게 형성되며, 그 결과 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)의 하단보다 낮은 위치에 있다. 이는 차단벽(278)이 단순히 소스가스 이동공간을 외부와 차단하기 위한 용도로 사용되는 것에 한정되지 아니하고, 소스가스 분사구의 위치를 조절하기 위한 용도로 사용될 수 있음을 의미한다. 여하튼, 차단벽(278)은 기본적으로 반응가스 분사구(263)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(250) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 플라즈마 발생장치(300)는 플라즈마 발생부(310), 샤워 헤드(350), 차단링(378), 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)를 포함한다. 샤워 헤드(350) 및 플라즈마 발생부(310)는 지지부(320) 상에 장착되며, 지지부(320)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(310)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다.
플라즈마 발생부(310)는 상부 플라즈마 플레이트(312), 하부 플라즈마 플레이트(314), 스페이스 플레이트(316), 플라즈마 발생 전극(318)을 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)의 가스 유로가 형성되며, 플라 즈마 발생 전극(318)은 반응가스를 공급 받아 플라즈마를 형성할 수 있다.
샤워 헤드(350)는 상판구조(360) 및 하판구조(370)를 포함한다. 상판구조(360)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(362)을 포함한다. 유도관(362)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(363)를 제공한다. 반응가스 분사구(363)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(350) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(370)는 상판구조(360)의 하부에 장착되며, 유도관(362)에 대응하는 하판 관통홀 및 소스가스 분사구(374)를 포함한다. 하판 관통홀을 통해 유도관(362)의 하단은 샤워 헤드(350) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(374)는 하판 관통홀의 주변 즉, 유도관(362)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다.
특히, 하판 관통홀에 인접하게 유도관(362)의 주변으로 차단링(378)이 제공된다. 차단링(378)은 반응가스 및 소스가스와 반응을 하지 않는 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 유도관(362) 외면에 장착되어 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(350) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 소스가스가 유도관(362) 및 관통홀 틈 사이로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 차단링(378)은 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다. 이 외에도, 차단부는 링 형태가 아니더라도 여러 가지 형태로 사용될 수 있으며, 유도관과 일체로 형성되는 돌기로도 차단부로서의 기능을 할 수가 있다.
본 발명의 플라즈마 발생장치는 샤워 헤드를 통해 공급되는 소스가스와 반응가스가 피처리물 상에서만 상호 반응하도록 할 수 있으며, 의도하지 않는 영역 즉, 유도관 출구 또는 샤워 헤드 내부 등에서 반응이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 그 결과 소스가스가 무의미하게 소비되는 것을 예방할 수 있으며, 플라즈마 처리의 품질을 향상시킬 수가 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 발생장치는 차단구조의 높이 조절을 통해 소스가스와 반응가스 간의 분사구 높이 조절이 가능하며, 그 결과 소스가스와 반응가스를 효율적으로 이용 및 반응시킬 수 있는 최적의 조건을 찾을 수가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 발생부;
    상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하는 상판구조 및 상기 상판구조와 상하로 접합하여 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조는 하부로 돌출 형성된 복수개의 유도관을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관과 대응되는 위치에서 상부로 돌출 형성되고, 상기 유도관과 결합되어 상기 유도관을 노출시키는 관통홀이 형성된 복수개의 차단벽을 제공하는 샤워 헤드;
    상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 및
    상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부;를 구비하고,
    상기 유도관은 상기 상판구조와 일체로 형성되고, 상기 차단벽은 상기 하판구조와 일체로 형성되며, 상기 차단벽이 상기 유도관의 외면에 밀착 결합되어 상기 유도관과 상기 관통홀 사이의 틈을 차단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생부는 하부에 장착된 플라즈마 발생 전극을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 전극은 복수개의 홀을 포함하며, 상기 반응가스 공급부는 상기 플라즈마 발생 전극의 상부로 반응가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유도관은 상기 상판구조와 일체로 형성되고 상기 샤워 헤드를 상하로 관통하는 반응가스 분사구를 제공하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 차단벽은 상기 유도관보다 짧게 또는 길게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  7. 플라즈마 발생부;
    상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하는 상판구조 및 상기 상판구조와 상하로 접합하여 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조는 하부로 돌출 형성되며 상기 상판구조와 일체로 형성된 복수개의 유도관을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관과 대응되는 위치에 형성되어 상기 유도관을 노출시키는 복수개의 관통홀을 제공하는 샤워 헤드;
    상기 소스가스 이동공간 내부에서 상기 유도관의 주변에 별도로 장착되어 상기 유도관과 상기 관통홀 간의 틈을 차단하는 차단부;
    상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 및
    상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스스 공급부;를 구비하는 플라즈마 발생장치..
  8. 제7항에 있어서,
    상기 차단부는 상기 유도관의 외면에 밀착되도록 장착되는 링 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 차단부는 상기 유도관과 일체로 형성되며 상기 유도관의 외면에서 돌출 형성된 돌기 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 차단부의 길이는 상기 유도관의 길이보다 짧거나 동일하게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
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