TWI406600B - 電漿產生裝置 - Google Patents

Description

電漿產生裝置

本發明提供一種電漿產生裝置，更具體而言，係一種用以表面處理及薄膜形成於計劃之位置上均勻地混合原氣及活躍氣體以提高電漿蒸發率之電漿產生裝置。

圖1為展示習知之電漿產生裝置之示意圖，圖2為展示為說明圖1所示之導管及下板結構關係之擴大部分之剖面圖。

參考圖1及圖2，習知之電漿產生裝置包括電漿產生單元10、活躍氣體供應單元30、原氣供應單元40及噴頭50，其中上述單元皆安裝於支撐單元上。產生電漿之電漿室提供於電漿產生單元10與噴頭50之間，於電漿室內產生之電漿藉由形成於噴頭之多個活躍氣體噴霧口63可向噴頭50下部移動。活躍氣體之電漿經過噴頭50時轉換為離子或自由基(radical)之狀態，離子或自由基於噴頭50之導管60之下部可噴霧向外部。

在噴頭50之下部具有處理空間，處理物在處理空間中經電漿加工，例如薄膜形成、淨化(cleanse)等。電漿產生裝置及其處理空間一般保持真空狀態，處理物可安裝於加熱器上。

電漿產生單元10由上電漿板12及下電漿板14構成，且由上電漿板12及下電漿板14可形成活躍氣體供應單元30之流管及原氣供應單元40之流管。藉由活躍氣體供應單元30之 流管而供應之活躍氣體在經過安裝於電漿產生單元10下部之電漿產生電極18時轉換為電漿，其中電漿產生電極18包括多個孔，因而活躍氣體可有效地通過。

在習知之電漿產生裝置中，噴頭50包括上板結構60及下板結構70，其中該上板結構60上形成提供活躍氣體噴霧口63之導管62，該下板結構70形成原氣噴霧口74。通過活躍氣體噴霧口63之活躍離子或自由基可與通過原氣噴霧口74之原氣反應，藉由反應薄膜可形成於處理物上。

因為按照裝置之結構原氣供應單元40之流管與噴頭50之周圍或外部連接，原氣不是自噴頭50之中心而是自噴頭50之周圍流入，因此周圍噴霧之原氣比中心噴霧之原氣更多。其結果為在習知之電漿產生裝置之中心被供應較少之原氣而容易在處理物中心形成不良薄膜，雖然能夠形成薄膜，但薄膜之厚度太小。

除此之外，習知之噴頭50之原氣噴霧頭74安裝於比活躍氣體噴霧口63略高之上部部位。因為一般藉由原氣噴霧口74而供應之原氣量比藉由導管62供應之活躍氣體量更小，因此原氣之供應可被活躍氣體干擾，其結果為導致原氣不能到達處理物。

如上所述，若原氣不能到達處理物，則會導致處理物上形成之薄膜太薄，或者品質之惡化。

另外在圖2中展示先前技術之問題。

如圖2所示，噴頭50中之導管62及下板結構70之間會存在微空隙G，原氣會通過微空隙G流出，與此相反，活躍 氣體會往噴頭50裏流入。若原氣通過微空隙G流出，則原氣會開始與自導管50之下端出來之活躍氣體反應，在到達處理物之前反應會已經結束。並且，活躍氣體通過微空隙G流入，在噴頭50裏會引起反應。

因此，在習知之電漿產生裝置中會浪費原氣或活躍氣體，且會引起薄膜品質之惡化。

因此本發明經提出以解決先前技術中已存之上述問題，並且本發明之目的為提供一種藉由噴頭供應原氣，能均勻分配原氣之、按照計劃進一步能調整原氣分配之電漿產生裝置。

本發明可提供一種與活躍噴霧無關且能把原氣有效地運到達處理物之電漿產生裝置。

本發明可提供包括可調整活躍氣體與原氣之間之噴嘴及均勻混合活躍氣體及原氣之電漿產生裝置。

本發明可提供有效地阻擋原氣與活躍氣體之間之先反應。

為了實現上述目的，根據本發明之一個態樣，提供一種電漿產生裝置，該電漿產生裝置包括電漿產生單元、噴頭、活躍氣體供應單元及原氣供應單元，原氣及活躍氣體於計劃之位置上混合。配置於電漿產生單元之下部之噴頭，噴頭與電漿產生單元一起提供電漿室，且包括上板結構及下板結構，由上板結構及下板結構上下結合而提供原氣移動空間。尤其為上板結構及下板結構中之一者包括多 個導管，並進一步包括用以阻擋導管與兩個板中一者之間之空隙之阻擋壁。

導管一般形成於上板結構上，阻擋壁與下板結構一起形成一個整體或者單獨地形成，以阻擋下板結構之貫穿孔與導管之間之空隙，在另外一個實施例中導管形成於下板結構上，且阻擋壁與上板結構一起形成一個整體或者單獨地形成，以阻擋下板結構之貫穿孔與導管之間之空隙。

本發明可包括夾在上板結構與下板結構之間之阻擋板，其中阻擋板上下分割原氣移動空間，並包括與預期之原氣分布相應形成之導孔。

阻擋壁可與上板結構或下板結構形成一個整體，或者單獨地形成後安裝於導管上，以防止原氣及活躍氣體在除處理物之外之地方上之先反應。

導管之下端安裝於比原氣噴霧口略高之上部部位。

為了實現上述目的，根據本發明之另外一個態樣，提供一種電漿產生裝置，包括：電漿產生單元；配置於電漿產生單元之下部之噴頭，噴頭與電漿產生單元一起提供電漿室，且包括向下形成之多個導管之上板結構及包括形成於比導管略低之下端下部部位之多個原氣噴霧口之下板結構，由上板結構及下板結構提供原氣移動空間，其中下板結構包括提供下板阻擋壁之噴頭，下板阻擋壁部分地圍繞導管之外部，除原氣噴霧口外阻擋原氣移動空間；活躍氣體供應單元，活躍氣體供應單元向電漿產生單元供應活躍氣體；及原氣供應單元，原氣供應單元向在噴頭內之原氣 移動空間供應原氣。

所述之電漿產生裝置，進一步包括阻擋板，其中阻擋板夾在上板結構與下板結構之間，從而上下分割原氣移動空間，並包括與預期之原氣分布相應形成之導孔。

為了實現上述目的，根據本發明之另外一個態樣，提供一種電漿產生裝置，包括：電漿產生單元；配置於電漿產生單元之下部之噴頭，噴頭與電漿產生單元一起提供電漿室，且包括向下形成之多個導管之上板結構及包括多個原氣噴霧口之下板結構，由上板結構及下板結構提供原氣移動空間，其中下板結構包括提供下板阻擋壁之噴頭，阻擋壁圍繞導管之外部；夾在上板結構與下板結構之間之阻擋板，阻擋板上下分割原氣移動空間，並包括與預期之原氣分布相應形成之導孔；活躍氣體供應單元，活躍氣體供應單元向電漿產生單元供應活躍氣體；及原氣供應單元，原氣供應單元向位於噴頭內之原氣移動空間供應原氣。

其中導管之下端安裝於比原氣噴霧口略高之上部部位。

本發明特定示例性實施例將結合隨附圖式進行詳細說明。

熟習此項技術者可理解，本說明書中所述之示例性實施例僅用以說明解釋，其可轉換或修改為不同形式。

圖3為展示根據本發明之一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖，且圖4為展示根據圖3噴頭之一部分切開之俯視圖。

參考圖3及圖4，電漿產生裝置100包括電漿產生單元110、噴頭150、阻擋壁178、活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140。噴頭150及電漿產生單元110安裝於支撐單元120上，支撐單元120提供中間之孔，可使電漿產生單元110所產生之電漿通過其孔運至處理物。

電漿產生單元110包括上電漿板112(upper plasma plate)、下電漿板114(lower plasma plate)及空間板116(space plate)。上電漿板112及下電漿板114配置於上下部，且孔或槽形成於上電漿板112及下電漿板114中，以成為活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140之氣體流路。

電漿產生單元110包括電漿產生電極118，電漿產生電極118配置於下電漿板114之下部。活躍氣體自活躍氣體供應單元130提供至電漿產生電極118之上部，多個孔形成於電漿產生電極118上，以活躍氣體通過去電漿室。電漿產生單元110可按照ICP(Inductive Coupled Plasma)或CCP(Capacitive Coupling Plasma)之方法產生電漿，諸如RF電源可提供給電漿產生電極118。

可在下電漿板114之下部提供空間板116，空間板116使下電漿板114及噴頭150之距離保持一定距離，以提供產生電漿室。空間板116為絕緣材料，用於電漿產生單元110及噴頭150之電隔離。為此，利用絕緣材料形成空間板116或者利用絕緣塗蓋使空間板116具有絕緣之特性。

如圖所示，於下部空間板116上可形成用於原氣供應單元140之氣體流路，藉由下部空間板116，原氣供應單元 140可與噴頭150之周圍連接。

噴頭150包括上板結構160及下板結構170。上板結構160形成為圓盤形或其他盤形，並包括向下凸出之導管162。導管162形成為上下貫穿之形狀，提供活躍氣體噴霧口163。藉由活躍氣體噴霧口163可將電漿傳送至噴頭150之下部，在傳送過程中，電漿可轉換為離子或自由基。下板結構安裝於上板結構160之下部，並包括與導管162相應之下板貫穿孔172及原氣噴霧口174。藉由下板貫穿孔172導管162之下端往噴頭150之下部露出，原氣噴霧口174形成於下板貫穿孔172之周圍，即導管162之周圍，可噴霧原氣。

尤其為，在下板貫穿孔172之周圍往上形成阻擋壁178。阻擋壁178與導管162之形狀相應地形成為圓筒形，阻擋壁178之內部形成為具有與導管162之外部接觸之相同大小或比導管162之外部略大之大小。原氣移動空間被阻擋壁178與外部完全隔離，可防止因導管162及下板貫穿孔172之間之空隙氣體流入流出。

如圖所示，若原氣被原氣供應單元140供應至噴頭150裏，則原氣可藉由在下板結構170之基部形成之噴霧口174被噴霧。噴霧之原氣與活躍氣體之離子一起在處理物上形成薄膜。原氣噴霧口174形成於下板貫穿孔172或阻擋壁178之間，其數量及大小按照設計者之意圖可形成為多種多樣。

參考圖4，原氣供應單元140沿著噴頭150之外部以相同 間隔連接，自外部提供原氣。自原氣供應單元140供應之原氣藉由上板結構160之外部被供應至噴頭150裏，自周圍供應之原氣暫時留在原氣移動空間後藉由原氣噴霧口174往下板結構170之下部被噴霧。

圖5為展示根據本發明之另一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖。

在下述之實施例中除噴頭外之構成要素與圖3及圖4中之構成要素相同，而對於相同構成要素利用相同之參考標號，則省略其重複說明。

參考圖5，電漿產生裝置100包括電漿產生單元110、噴頭250、阻擋環278、活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140。噴頭250及電漿產生單元110安裝於支撐單元120上，支撐單元120提供中間孔，電漿產生單元110所形成之電漿通過中間孔可傳送至處理物處。

電漿產生單元110包括上電漿板112、下電漿板114、空間板116，其中上電漿板112及下電漿板114上下配置。上電漿板112及下電漿板114上形成用於活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140之氣體流路之孔或槽。電漿產生單元110包括電漿產生電極218，離子體產生電極218被供應活躍氣體而形成電漿。

在下板貫穿孔272之附近導管162之周圍提供上阻擋環278。最佳利用與活躍氣體及原氣不反應之材料製成阻擋環278，其阻擋環278安裝於導管162之外部而防止活躍氣體離子或自由基流入至噴頭250裏，並且防止原氣流出至 導管162及貫穿孔272之間之空隙。進一步，阻擋環278可防止活躍氣體及原氣在未計劃之地方之先反應。除此之外，阻擋環並非僅侷限於環形，也可形成為其他形狀，並且作為與導管一體形成之凸部阻擋環可發揮阻擋壁之作用。

圖6為展示根據本發明之另一示例性實施例之電漿產生裝置之剖視圖，圖7為展示根據圖6噴頭之一部分切開之俯視圖。

在下述實施例中除噴頭以外之構成要素與圖3及圖4中之構成要素相同，而對於相同構成要素利用相同之參考標號，則省略其重複說明。

參考圖6及圖7，電漿產生裝置100包括電漿產生單元110、噴頭350、阻擋板380、活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140。噴頭350包括上板結構160、下板結構370及阻擋板380。

若原氣被原氣供應單元140供應至噴頭350裏，則原氣可藉由阻擋板380向噴霧口374被噴霧。

阻擋板380夾在上板結構160與下板結構370之間。阻擋板380將在上板結構160與下板結構370之間形成之原氣移動空間上下分割，調整原氣只能通過指定之通道，即導孔386。設計者可選擇導孔386之位置，為均勻分配原氣或者滿足其他條件，或者在集中供應原氣時，可調整導孔386之位置及數量。在本發明之實施例中導孔386主要形成於噴頭350之中心，所以原氣在移動空間中往中心移動，主 要被供應至中心以防止中心薄膜比較薄之現象。

參考圖7，來自原氣供應單元140之原氣通過上板結構160之外部供應給噴頭350裏，自周圍供應之原氣為經過在阻擋板380中心形成之導孔386往中心積聚。藉由導孔386供應之原氣在阻擋板380之下部均勻地供應，原氣藉由下板結構370之原氣噴霧口374被均勻分配。

在阻擋板380上形成用以貫穿導管162之中間貫穿孔382，導管162藉由中間貫穿孔382及下板貫穿孔372往噴頭350之下部露出。按照設計人之意圖，可調整露出之導管362之高度。

圖8為展示根據本發明之另一示例性實施例之電漿產生裝置之剖視圖，圖9為展示根據圖8噴頭之一部分切開之俯視圖。

在下述之實施例中除噴頭以外之構成要素與圖3及圖4中之構成要素相同，而對於相同構成要素利用相同之參考標號，則省略其重複說明。

參考圖8及圖9，電漿產生裝置100包括電漿產生單元410、噴頭450、阻擋板480、活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140。噴頭450及電漿產生單元110安裝於支撐單元120上，支撐單元120提供中間孔，可使電漿產生單元110所產生之電漿通過孔運至處理物。

噴頭450包括上板結構460、下板結構470及阻擋板480。

如圖所示，若原氣被原氣供應單元140供應至噴頭450裏，則原氣可經過阻擋板480後藉由原氣噴霧口474被噴 霧。因為阻擋板480夾在上板結構160與下板結構470之間，所以原氣只能通過導管486往下板結構470移動，可先供應給中心。

藉由導孔486供應之原氣在阻擋板480之下部均勻地供應，藉由下板結構470之原氣噴霧口474均勻地噴霧原氣，所以在處理物上可薄膜形成為具有均勻之厚度。

在阻擋板480上形成用以貫穿導管162之中間貫穿孔482，在中間貫穿孔482之周圍上可形成用以圍繞導管162周圍之中間阻擋壁488。導管162藉由中間阻擋壁488及下板阻擋壁478可往噴頭450之下部露出。中間阻擋壁488可防止原氣藉由阻擋板480及導管462之間之空隙傳送至下板結構470之現象。

圖10為展示根據本發明之另一示例性實施例之電漿產生裝置之剖視圖。

在下述之實施例中除噴頭以外之構成要素與圖3及圖4中之構成要素相同，而對於相同構成要素利用相同之參考標號，則省略其重複說明。

參考10，電漿產生裝置100包括電漿產生單元110、噴頭550、活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140。

噴頭550包括導管162、原氣移動空間552及原氣噴霧口574。導管162形成為上下貫穿之‘形狀，以提供活躍氣體噴霧口163。電漿藉由活躍氣體噴霧口163傳送至噴頭550之下部，在傳送過程中電漿可轉換為離子或自由基。在導管162之下部提供噴嘴空間164，導管162之內部空間及噴嘴 空間164提供活躍氣體噴霧口163。

導管162之下端位於比原氣噴霧口574略高之上部部位。因此原氣開始噴霧於比活躍氣體略低之位置上，雖然原氣供應量較少，但不被活躍氣體妨礙而影響其進行，因此可有效地到達處理物。

若原氣被原氣供應單元140供應給噴頭550裏，則原氣藉由在下板結構570之基部形成之原氣噴霧口574噴霧。噴霧之原氣與活躍氣體一起形成處理物上之薄膜。

圖11為展示根據本發明之另一示例性實施例之電漿產生裝置之剖視圖，圖12為展示根據圖11噴頭之一部分切開之俯視圖。

在下述之實施例中除噴頭以外之構成要素與圖3及圖4中之構成要素相同，而對於相同構成要素利用相同之參考標號，則省略其重複說明。

參考圖11及圖12，電漿產生裝置100包括電漿產生單元110、噴頭650、活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140。噴頭650及電漿產生單元110安裝於支撐單元120上。

噴頭650包括上板結構160及下板結構670。

在下板結構670中原氣噴霧口674安裝於比導管162略低之下部部位。所以自原氣噴霧口674噴霧之原氣開始噴霧於比活躍氣體略低之下部部位上，雖然原氣供應量較少，但不被活躍氣體妨礙而影響其進行，因此可有效地到達處理物。

並且，下板阻擋壁678之內徑比導管162之內徑更大，所 以在下板貫穿孔之周圍，即導管162之下部可形成較大之噴嘴空間164。下板阻擋壁678與導管162之形狀相應地形成為圓筒形，下板阻擋壁678之內部形成為具有與導管162之外部接觸之相同之大小或比此略大之大小。尤其為下板阻擋壁678圍繞導管162及下部外部，所以可阻擋噴頭650內部之原氣移動空間652。阻擋壁678可防止藉由活躍氣體噴霧口163噴霧之活躍氣體離子及原字團流入至噴頭650裏，並防止活躍氣體及原氣在未計劃之地方之先反應。

其中阻擋壁678並非僅侷限於使原氣移動空間與外部隔離之用途，而成為可使原氣噴霧口674位於在比導管162之下端略低之下部部位之結構。為了原氣噴霧口674位於在比導管62之下端略低之下部部位，下板阻擋壁678形成為比導管162更長且被安裝之同時，上板結構160及下板結構670形成為以一定距離隔離。

在本發明之實施例中，導管形成於上板結構上，有時導管會在下板結構上，且上板結構上提供貫穿孔。此時，導管之下端及原氣噴霧口之間可形成一定高度差，以在導管之下部提供噴嘴空間。

圖13為展示根據本發明之另一示例性實施例之電漿產生裝置之剖視圖，圖14為展示根據圖13噴頭之一部分切開之俯視圖。

在下述之實施例中除噴頭以外之構成要素與圖3及圖4中之構成要素相同，而對於相同構成要素利用相同之參考標號，則省略其重複說明。

參考圖13及圖14，電漿產生裝置100包括電漿產生單元110、噴頭750、阻擋板780、活躍氣體供應單元130及原氣供應單元140。

噴頭750包括上板結構160及下板結構770。

在下板結構770中原氣噴霧口774安裝於比導管162略低之下部部位。所以原氣開始噴霧於比活躍氣體略低之下部部位上，雖然原氣供應量較少，但不被活躍氣體妨礙而影響其進行，因此可有效地到達處理物。其結果為沒有原氣之浪費，可獲得良好之薄膜，且防止因原氣消盡而引起之薄膜惡化。

下板阻擋壁778之內徑比導管162之內徑更大，所以在下板貫穿孔之周圍，即導管162之下部可形成較大之噴嘴空間164。噴嘴空間向下形成，具體為形成為喇叭形或與樓梯相似擴大之圓筒形。活躍氣體自導管162噴霧，藉由噴嘴空間764可放寬噴霧，所以可與原氣有效地混合。

下板阻擋壁778與導管162之形狀相應地形成為圓筒形，下板阻擋壁778之內部形成為具有與導管162之外部接觸之相同大小或比此略大之大小。尤其為下板阻擋壁778圍繞導管162及下部外部，所以可阻擋噴頭750內部之原氣移動空間752。阻擋壁778可防止活躍氣體噴霧口163所噴霧之活躍氣體離子及原字團流入至噴頭750裏，並防止活躍氣體及原氣在未計劃之地方之先反應。

如圖所示，若原氣被原氣供應單元140供應至噴頭750裏，則原氣可經過阻擋板780後藉由原氣噴霧口774被噴 霧。因為原氣噴霧口774夾在上板結構160與下板結構770之間，所以原氣只能通過導管786往下板結構770移動，可先供應給中心。

藉由導孔786供應之原氣在阻擋板780之下部均勻地供應，藉由下板結構770之原氣噴霧口774均勻地噴霧原氣，所以在處理物上薄膜形成為具有均勻之厚度。

在阻擋板780上形成用以貫穿導管162之中間貫穿孔，在中間貫穿孔之周圍上可形成用以圍繞導管162周圍之中間阻擋壁788。導管162藉由中間阻擋壁788及下板阻擋壁768可往噴頭750之下部露出。中間阻擋壁788可防止原氣藉由阻擋板780及導管162之間之空隙傳送至下板結構770之現象。

本發明之電漿產生裝置，藉由噴頭供應原氣可均勻分配原氣，進而按照計劃能調整原氣分配。

本發明之電漿產生裝置可使原氣及活躍氣體僅在處理物上反應，防止在未計劃之地方上反應，即在導管之出口或噴頭內等反應。所以可預防原氣之浪費，以提高處理電漿之品質。

本發明之電漿產生裝置藉由阻擋壁之高度調整可調整原氣及活躍氣體噴霧口之間之距離，以獲得將活躍氣體及原氣利用及反應之最佳條件。

儘管已參照其特定示例性實施例展示及描述本發明，但熟習此項技術者應理解，在不脫離由申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇之情況下，可對其作出形式及細節上 之各種改變。因此，熟習此項技術者在本發明之範圍內可基於本發明之原則進行各種變化及修改。

10‧‧‧電漿產生單元

12‧‧‧上電漿板

14‧‧‧下電漿板

18‧‧‧電漿產生電極

30‧‧‧供應單元

40‧‧‧原氣供應單元

50‧‧‧噴頭

60‧‧‧上板結構

62‧‧‧導管

63‧‧‧活躍氣體噴霧口

70‧‧‧下板結構

74‧‧‧原氣噴霧口

100‧‧‧電漿產生裝置

110‧‧‧電漿產生單元

112‧‧‧上電漿板

114‧‧‧下電漿板

116‧‧‧空間板

118‧‧‧電漿產生電極

120‧‧‧支撐單元

130‧‧‧活躍氣體供應單元

140‧‧‧原氣供應單元

150‧‧‧噴頭

160‧‧‧上板結構

162‧‧‧導管

163‧‧‧活躍氣體噴霧口

170‧‧‧下板結構

172‧‧‧下板貫穿孔

174‧‧‧原氣噴霧口

178‧‧‧阻擋壁

272‧‧‧貫穿孔

278‧‧‧上阻擋環

250‧‧‧噴頭

350‧‧‧噴頭

380‧‧‧阻擋板

370‧‧‧下板結構

372‧‧‧下板貫穿孔

382‧‧‧中間貫穿孔

386‧‧‧導孔

374‧‧‧原氣噴霧口

410‧‧‧電漿產生單元

450‧‧‧噴頭

470‧‧‧下板結構

474‧‧‧原氣噴霧口

478‧‧‧下板阻擋壁

480‧‧‧阻擋板

482‧‧‧中間貫穿孔

486‧‧‧導管

488‧‧‧中間阻擋壁

550‧‧‧噴頭

552‧‧‧原氣移動空間

574‧‧‧原氣噴霧口

650‧‧‧噴頭

652‧‧‧原氣移動空間

670‧‧‧下板結構

674‧‧‧原氣噴霧口

678‧‧‧下板阻擋壁

750‧‧‧噴頭

752‧‧‧原氣移動空間

770‧‧‧下板結構

774‧‧‧原氣噴霧口

778‧‧‧下板阻擋壁

780‧‧‧阻擋板

786‧‧‧導管

788‧‧‧中間阻擋壁

G‧‧‧微空隙

圖1為展示習知之電漿產生裝置之示意圖；圖2為展示為說明圖1所示之導管及下板結構之關係之擴大部分之剖面圖；圖3為展示根據本發明之一個示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖；圖4為展示根據圖3噴頭之一部分切開之俯視圖；圖5為展示根據本發明之另一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖；圖6為展示根據本發明之另一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖；圖7為展示根據圖6噴頭之一部分切開之俯視圖；圖8為展示根據本發明之另一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖；圖9為展示根據圖8噴頭之一部分切開之俯視圖；圖10為展示根據本發明之另一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖；圖11為展示根據本發明之另一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖；圖12為展示根據圖11噴頭之一部分切開之俯視圖；圖13為展示根據本發明之另一示例性實施例電漿產生裝置之剖視圖； 圖14為展示根據圖13噴頭之一部分切開之俯視圖

100‧‧‧電漿產生裝置

110‧‧‧電漿產生單元

112‧‧‧上電漿板

114‧‧‧下電漿板

116‧‧‧空間板

118‧‧‧電漿產生電極

120‧‧‧支撐單元

130‧‧‧活躍氣體供應單元

140‧‧‧原氣供應單元

150‧‧‧噴頭

160‧‧‧上板結構

162‧‧‧導管

163‧‧‧活躍氣體噴霧口

170‧‧‧下板結構

172‧‧‧下板貫穿孔

174‧‧‧原氣噴霧口

178‧‧‧阻擋壁

Claims (13)

1. 一種電漿產生裝置，其包括：電漿產生單元；噴頭，其配置於該電漿產生單元之下部之，該噴頭與該電漿產生單元一起提供一電漿室，且該噴頭包括上下結合之上板結構、及包括多個原氣噴霧口之下板結構；原氣移動空間，其由該上板結構及該下板結構所提供；多個導管，其由該上板結構及該下板結構的其中之一所提供，該等導管提供活躍氣體噴霧口，該等活躍氣體噴霧口由該上板結構及該下板結構中之其中一者上下貫穿而形成；阻擋壁，用來阻擋該上板結構及該下板結構中之另一者與該等導管之間的空隙；活躍氣體供應單元，該活躍氣體供應單元向電漿產生單元供應活躍氣體；及原氣供應單元，該原氣供應單元向該噴頭內部之原氣移動空間供應原氣；該原氣及活躍氣體於計劃之位置上混合。
2. 如請求項1之電漿產生裝置，其中該上板結構及該下板結構包括貫穿孔，該等貫穿孔露出該等導管，該阻擋壁配置於該等導管周圍而阻擋該等導管及該等貫穿孔之間的空隙。
3. 如請求項1之電漿產生裝置，其中該阻擋壁包括該阻擋 壁上部所形成之中間阻擋壁，其中該中間阻擋壁在中間貫穿孔相應之地方上形成，用於覆蓋該等導管之外部。
4. 如請求項1之電漿產生裝置，其進一步包括阻擋板，其中該阻擋板夾在該上板結構及該下板結構之間，從而上下分割該原氣移動空間，並包括與預期之原氣分布相應形成之導孔。
5. 如請求項4之電漿產生裝置，其中該噴頭之下板結構包括將該等導管向下露出之下板貫穿孔，該等下板貫穿孔形成為具有與該等導管之外部接觸之大小。
6. 如請求項4之電漿產生裝置，其中該阻擋板包括與該等導管相應之中間貫穿孔，該等中間貫穿孔形成為具有與該等導管之外部接觸之大小。
7. 如請求項1之電漿產生裝置，其中該等導管之下端安裝於比原氣噴霧口略高之上部部位。
8. 如請求項7之電漿產生裝置，其進一步包括在導管下部擴散活躍氣體之噴嘴空間，其中該噴嘴空間形成於活躍氣體噴霧口之下部。
9. 如請求項1之電漿產生裝置，其中該電漿產生單元包括下部安裝之電漿產生電極，其中該電漿產生電極包括多個孔，該活躍氣體供應單元向該電漿產生電極之上部供應活躍氣體。
10. 一種電漿產生裝置，其包括：電漿產生單元；配置於該電漿產生單元之下部之噴頭，該噴頭與該電 漿產生單元一起提供電漿室，且包括向下形成之多個導管之上板結構及包括形成於比該等導管略低之下端下部部位的多個原氣噴霧口之下板結構，由該上板結構及該下板結構提供原氣移動空間，其中下板結構包括下板阻擋壁，該阻擋壁除該等原氣噴霧口外部分地圍繞該等導管之外部而阻擋該原氣移動空間；活躍氣體供應單元，該活躍氣體供應單元向電漿產生單元供應活性氣體；及原氣供應單元，該原氣供應單元向該噴頭內之原氣移動空間供應原氣。
11. 如請求項12之電漿產生裝置，其進一步包括阻擋板，其中該阻擋板夾在該上板結構與該下板結構之間，從而上下分割該原氣移動空間，並包括與預期之原氣分布相應形成之導孔。
12. 一種電漿產生裝置，其包括：電漿產生單元；配置於該電漿產生單元之下部之噴頭，該噴頭與該電漿產生單元一起提供電漿室，且包括向下形成之多個導管之上板結構及包括多個原氣噴霧口之下板結構，由該上板結構及該下板結構提供原氣移動空間，其中下板結構包括阻擋壁，該阻擋壁圍繞該等導管之外部；夾在該上板結構與該下板結構之間的阻擋板，該阻擋板上下分割該原氣移動空間，並包括與預期之原氣分布相應形成之導孔； 活躍氣體供應單元，該活躍氣體供應單元向電漿產生單元供應活性氣體；及原氣供應單元，該原氣供應單元向位於該噴頭內之原氣移動空間供應原氣。
13. 如請求項12之電漿產生裝置，其中該等導管之下端安裝於比該等原氣噴霧口略高之上部部位。