JP5668925B2 - シャワーヘッドおよびこれを含む基板処理装置、並びにシャワーヘッドを用いてプラズマを供給する方法 - Google Patents
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Description
12 工程チャンバ
14 生成チャンバ
16 コイル
20 支持プレート
32 第1排気プレート
34 第2排気プレート
36 排気ライン
40 ガス供給ユニット
44 拡散板
50 誘導チューブ
60 シャワーヘッド
70 支持テーブル
322、324、326 第1排気孔
332、334、336 第1カバー
342、344、346 第2排気孔
352、354 第2カバー
Claims (21)
- 半導体製造用基板処理装置の支持部材上に載置された基板にプラズマを提供するシャワーヘッドにおいて、
内側に内側噴射口が形成される第1リングと、
前記第1リングを取り囲み前記第1リングから離隔されて前記第1リングの外側に配置される第2リングと、
前記第1リングの内側に形成された前記内側噴射口上に前記第1リングから離隔されるように配置される第3リングと、
前記第1リングと前記第2リングと前記第3リングとを連結する連結部材と
を含み、
前記第1リングと前記第2リングとの間には外側噴射口が形成され、前記第3リングの内側には最内側噴射口が形成され、
前記第3リングは前記連結部材から着脱することが可能である
ことを特徴とするシャワーヘッド。 - 前記内側噴射口と前記外側噴射口と前記最内側噴射口とを介して前記プラズマを提供することを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド。
- 前記第3リングは中心板を基準に一定の角度で分割可能であり、分割された各部分は前記連結部材から選択的に着脱することが可能であることを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド。
- 前記シャワーヘッドは、前記第1リングと前記第2リングとの間に形成された前記外側噴射口上に前記第1および前記第2リングから離隔されるように配置される第4リングをさらに含み、
前記第4リングの外側には最外側噴射口が形成されることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のシャワーヘッド。 - 前記第4リングは前記連結部材により前記第1および第2リングと連結されることを特徴とする請求項4に記載のシャワーヘッド。
- 前記第4リングは前記連結部材から着脱することが可能であることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド。
- 前記シャワーヘッドは前記第1リングの中心と同じ中心を有する円板形状の中心板をさらに含むことを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載のシャワーヘッド。
- 前記連結部材は前記中心板から半径の外側方向に延びる連結バーを複数備え、
前記連結バーは前記中心板の中心を基準に等角をなすことを特徴とする請求項7に記載のシャワーヘッド。 - 基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと、
前記チャンバ内に配置されて基板を支持する支持部材と、
前記支持部材の上部に前記支持部材と平行に提供され、プラズマを前記支持部材上に載置された前記基板に提供するシャワーヘッドを含み、
前記シャワーヘッドは、
内側に内側噴射口が形成される第1リングと、
前記第1リングを取り囲み前記第1リングから離隔されて前記第1リングの外側に配置される第2リングと、
前記第1リングの内側に形成された前記内側噴射口上に前記第1リングから離隔されるように配置される第3リングと、
前記第1リングと前記第2リングと前記第3リングとを連結する連結部材とを含み、
前記第1リングと前記第2リングとの間には外側噴射口が形成され、前記第3リングの内側には最内側噴射口が形成され、
前記第3リングは前記連結部材から着脱することが可能であることを特徴とする半導体製造用基板処理装置。 - 前記装置は前記シャワーヘッドを前記支持部材の上部に固定する支持テーブルをさらに含み、
前記シャワーヘッドは前記支持テーブルの上端に位置することを特徴とする請求項9に記載の半導体製造用基板処理装置。 - 前記内側噴射口と前記外側噴射口と前記最内側噴射口とを介して前記プラズマを提供することを特徴とする請求項9または10に記載の半導体製造用基板処理装置。
- 前記第3リングは中心板を基準に一定の角度で分割可能であり、分割された各部分は前記連結部材から選択的に着脱することが可能であることを特徴とする請求項11に記載の半導体製造用基板処理装置。
- 前記シャワーヘッドは、前記第1リングと前記第2リングとの間に形成された前記外側噴射口上に前記第1および前記第2リングから離隔されるように配置される第4リングをさらに含み、
前記第4リングの外側には最外側噴射口が形成されることを特徴とする請求項9から12の何れか1項に記載の半導体製造用基板処理装置。 - 前記第4リングは前記連結部材により前記第1および第2リングと連結されることを特徴とする請求項13に記載の半導体製造用基板処理装置。
- 前記第4リングは前記連結部材から着脱することが可能であることを特徴とする請求項14に記載の半導体製造用基板処理装置。
- 前記シャワーヘッドは前記第1リングの中心と同じ中心を有する円板形状の中心板をさらに含むことを特徴とする請求項9から15の何れか1項に記載の半導体製造用基板処理装置。
- 前記連結部材は前記中心板から半径の外側方向に延びる連結バーを複数備え、
前記連結バーは前記中心板の中心を基準に等角をなすことを特徴とする請求項16に記載の半導体製造用基板処理装置。 - 前記装置は、
前記内部空間にソースガスを供給するガス供給ユニットと、
前記内部空間に電界を形成して前記ソースガスからプラズマを生成するコイルとをさらに含むことを特徴とする請求項9から17の何れか1項に記載の半導体製造用基板処理装置。 - 第1リング、前記第1リングを取り囲んで前記第1リングの外側に配置された第2リング、および前記第1リングと前記第2リングを連結する連結部材を有するシャワーヘッドを用いて半導体製造用基盤処理装置の支持部材上に載置された基板上にプラズマを提供する方法において、
前記第1リングの内側に形成された内側噴射口および前記第1リングの外側と前記第2リングの内側との間に形成された外側噴射口により前記プラズマを提供し、前記連結部材に着脱することが可能な第3リングを前記内側噴射口上に設けて前記内側噴射口の面積を縮小し、又は前記連結部材に連結された前記第3リングを取り外して前記内側噴射口の面積を拡大することを特徴とするプラズマを供給する方法。 - 前記第3リングは中心板を基準に一定の角度で分割可能であり、分割された各部分は前記連結部材から選択的に着脱することが可能であることを特徴とする請求項19に記載のプラズマを供給する方法。
- 前記方法は、前記外側噴射口上に前記連結部材に着脱することが可能な第4リングを設けて前記外側噴射口の面積を縮小し、又は前記連結部材に連結された前記第4リングを取り外して前記外側噴射口の面積を拡大する段階をさらに含むことを特徴とする請求項19または20に記載のプラズマを供給する方法。
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KR101505625B1 (ko) * | 2014-11-19 | 2015-03-26 | 주식회사 기가레인 | 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치 |
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US10553404B2 (en) | 2017-02-01 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
CN108505015B (zh) * | 2017-02-27 | 2019-07-30 | 中国建筑材料科学研究总院 | 电感耦合等离子体沉积金刚石的方法 |
US11075105B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ apparatus for semiconductor process module |
US11149350B2 (en) * | 2018-01-10 | 2021-10-19 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate structure for supplying carrier and dry gas |
US11201037B2 (en) | 2018-05-28 | 2021-12-14 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
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US11615946B2 (en) * | 2018-07-31 | 2023-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Baffle plate for controlling wafer uniformity and methods for making the same |
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KR102253808B1 (ko) * | 2019-01-18 | 2021-05-20 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 |
WO2020219138A1 (en) * | 2019-04-22 | 2020-10-29 | Applied Materials, Inc. | Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor |
CN112908821B (zh) * | 2019-12-04 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种实现均匀排气的双工位处理器及其排气方法 |
US11721569B2 (en) | 2021-06-18 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining a position of a ring within a process kit |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4612077A (en) * | 1985-07-29 | 1986-09-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Electrode for plasma etching system |
US5589002A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
US5685914A (en) * | 1994-04-05 | 1997-11-11 | Applied Materials, Inc. | Focus ring for semiconductor wafer processing in a plasma reactor |
JP3360265B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US6286453B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-09-11 | Seagate Technologies, Inc. | Shield design for IBC deposition |
JP3492289B2 (ja) * | 2000-06-22 | 2004-02-03 | 三菱重工業株式会社 | プラズマcvd装置 |
KR100714889B1 (ko) * | 2000-11-20 | 2007-05-04 | 삼성전자주식회사 | 화학기상 증착시스템의 리드 |
JP4113895B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2008-07-09 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置 |
KR20040013170A (ko) * | 2002-08-01 | 2004-02-14 | 삼성전자주식회사 | 애싱 장치 |
DE10340147B4 (de) * | 2002-08-27 | 2014-04-10 | Kyocera Corp. | Trockenätzverfahren und Trockenätzvorrichtung |
JP4273932B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2009-06-03 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマcvd装置 |
KR100725108B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2007-06-04 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 장치 및 이를 갖는 기판 가공 장치 |
WO2007055185A1 (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-18 | Tohoku University | シャワープレート及びシャワープレートを用いたプラズマ処理装置 |
JP2008124424A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 |
US20080178805A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-31 | Applied Materials, Inc. | Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode |
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