JP2010538164A - シャワーヘッドおよびこれを含む基板処理装置、並びにシャワーヘッドを用いてプラズマを供給する方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
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Abstract
【解決手段】本発明のシャワーヘッドは、内側に内側噴射口が形成される第1リングと、前記第1リングを取り囲み前記第1リングから離隔されて前記第1リングの外側に配置される第2リングと、前記第1リングと前記第2リングを連結する連結部材とを含み、前記第1リングと前記第2リングとの間には外側噴射口が形成される。前記シャワーヘッドは、前記第1リングの内側に形成された前記内側噴射口上に前記第1リングから離隔されるように配置される第3リングをさらに含み、前記第3リングの内側には最内側噴射口が形成される。前記シャワーヘッドは、前記第1リングと前記第2リングとの間に形成された前記外側噴射口上に前記第1および前記第2リングから離隔されるように配置される第4リングをさらに含み、前記第4リングの外側には最外側噴射口が形成される。
【選択図】図7
Description
12 工程チャンバ
14 生成チャンバ
16 コイル
20 支持プレート
32 第1排気プレート
34 第2排気プレート
36 排気ライン
40 ガス供給ユニット
44 拡散板
50 誘導チューブ
60 シャワーヘッド
70 支持テーブル
322、324、326 第1排気孔
332、334、336 第1カバー
342、344、346 第2排気孔
352、354 第2カバー
Claims (23)
- 内側に内側噴射口が形成される第1リングと、
前記第1リングを取り囲み前記第1リングから離隔されて前記第1リングの外側に配置される第2リングと、
前記第1リングと前記第2リングを連結する連結部材と
を含み、
前記第1リングと前記第2リングとの間には外側噴射口が形成されることを特徴とするシャワーヘッド。 - 前記シャワーヘッドは、前記第1リングの内側に形成された前記内側噴射口上に前記第1リングから離隔されるように配置される第3リングをさらに含み、
前記第3リングの内側には最内側噴射口が形成されることを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド。 - 前記第3リングは前記連結部材により前記第1および第2リングと連結されることを特徴とする請求項2に記載のシャワーヘッド。
- 前記第3リングは前記連結部材から着脱することが可能であることを特徴とする請求項3に記載のシャワーヘッド。
- 前記シャワーヘッドは、前記第1リングと前記第2リングとの間に形成された前記外側噴射口上に前記第1および前記第2リングから離隔されるように配置される第4リングをさらに含み、
前記第4リングの外側には最外側噴射口が形成されることを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド。 - 前記第4リングは前記連結部材により前記第1および第2リングと連結されることを特徴とする請求項5に記載のシャワーヘッド。
- 前記第4リングは前記連結部材から着脱することが可能であることを特徴とする請求項6に記載のシャワーヘッド。
- 前記シャワーヘッドは前記第1リングの中心と同じ中心を有する円板形状の中心板をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシャワーヘッド。
- 前記連結部材は前記中心板から半径の外側方向に延びる複数の連結バーを備え、
前記連結バーは前記中心板の中心を基準に等角をなすことを特徴とする請求項8に記載のシャワーヘッド。 - 基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと、
前記チャンバ内に配置されて基板を支持する支持部材と、
前記支持部材の上部に前記支持部材と平行に提供され、プラズマを前記支持部材上に載置された前記基板に提供するシャワーヘッドを含み、
前記シャワーヘッドは、
内側に内側噴射口が形成される第1リングと、
前記第1リングを取り囲み前記第1リングから離隔されて前記第1リングの外側に配置される第2リングと、
前記第1リングと前記第2リングを連結する連結部材とを含み、
前記第1リングと前記第2リングとの間には外側噴射口が形成されることを特徴とする基板処理装置。 - 前記装置は前記シャワーヘッドを前記支持部材の上部に固定する支持テーブルをさらに含み、
前記シャワーヘッドは前記支持テーブルの上端に位置することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記シャワーヘッドは、前記第1リングの内側に形成された前記内側噴射口上に前記第1リングから離隔されるように配置される第3リングをさらに含み、
前記第3リングの内側には最内側噴射口が形成されることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記第3リングは前記連結部材により前記第1および第2リングと連結されることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記第3リングは前記連結部材から着脱することが可能であることを特徴とする請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記シャワーヘッドは、前記第1リングと前記第2リングとの間に形成された前記外側噴射口上に前記第1および前記第2リングから離隔されるように配置される第4リングをさらに含み、
前記第4リングの外側には最外側噴射口が形成されることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記第4リングは前記連結部材により前記第1および第2リングと連結されることを特徴とする請求項15に記載の基板処理装置。
- 前記第4リングは前記連結部材から着脱することが可能であることを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。
- 前記シャワーヘッドは前記第1リングの中心と同じ中心を有する円板形状の中心板をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記連結部材は前記中心板から半径の外側方向に延びる複数の連結バーを備え、
前記連結バーは前記中心板の中心を基準に等角をなすことを特徴とする請求項18に記載の基板処理装置。 - 前記装置は、
前記内部空間にソースガスを供給するガス供給ユニットと、
前記内部空間に電界を形成して前記ソースガスからプラズマを生成するコイルとをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 - 第1リングおよび前記第1リングを取り囲んで前記第1リングの外側に配置された第2リングを有するシャワーヘッドを用いて支持部材上に載置された基板上にプラズマを提供する方法において、
前記第1リングの内側に形成された内側噴射口および前記第1リングの外側と前記第2リングの内側との間に形成された外側噴射口により前記プラズマを提供することを特徴とするプラズマを供給する方法。 - 前記方法は、前記内側噴射口上に第3リングを設けて前記内側噴射口の面積を縮小する段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載のプラズマを供給する方法。
- 前記方法は、前記外側噴射口上に第4リングを設けて前記外側噴射口の面積を縮小する段階をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載のプラズマを供給する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070089586A KR100963297B1 (ko) | 2007-09-04 | 2007-09-04 | 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치, 샤워헤드를이용하여 플라스마를 공급하는 방법 |
KR10-2007-0089586 | 2007-09-04 | ||
PCT/KR2008/005206 WO2009031828A1 (en) | 2007-09-04 | 2008-09-04 | Showerhead, substrate processing apparatus including the showerhead, and plasma supplying method using the showerhead |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010538164A true JP2010538164A (ja) | 2010-12-09 |
JP5668925B2 JP5668925B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=40429067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010523949A Active JP5668925B2 (ja) | 2007-09-04 | 2008-09-04 | シャワーヘッドおよびこれを含む基板処理装置、並びにシャワーヘッドを用いてプラズマを供給する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100196625A1 (ja) |
EP (1) | EP2195827A4 (ja) |
JP (1) | JP5668925B2 (ja) |
KR (1) | KR100963297B1 (ja) |
CN (1) | CN101849280B (ja) |
WO (1) | WO2009031828A1 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090024523A (ko) | 2009-03-09 |
CN101849280A (zh) | 2010-09-29 |
JP5668925B2 (ja) | 2015-02-12 |
CN101849280B (zh) | 2012-03-28 |
WO2009031828A1 (en) | 2009-03-12 |
EP2195827A4 (en) | 2011-04-27 |
KR100963297B1 (ko) | 2010-06-11 |
EP2195827A1 (en) | 2010-06-16 |
US20100196625A1 (en) | 2010-08-05 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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