JP5594820B2 - 均一な常圧プラズマ発生装置 - Google Patents

均一な常圧プラズマ発生装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5594820B2
JP5594820B2 JP2009548157A JP2009548157A JP5594820B2 JP 5594820 B2 JP5594820 B2 JP 5594820B2 JP 2009548157 A JP2009548157 A JP 2009548157A JP 2009548157 A JP2009548157 A JP 2009548157A JP 5594820 B2 JP5594820 B2 JP 5594820B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
gas
plasma generating
plasma
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009548157A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010518555A (ja
Inventor
バンクォン カン
Original Assignee
バンクォン カン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by バンクォン カン filed Critical バンクォン カン
Priority claimed from PCT/KR2008/000617 external-priority patent/WO2008094009A1/en
Publication of JP2010518555A publication Critical patent/JP2010518555A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5594820B2 publication Critical patent/JP5594820B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32348Dielectric barrier discharge
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32522Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2418Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the electrodes being embedded in the dielectric

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

本発明は、常圧プラズマ発生装置に係り、特に、安定した電圧を供給することによって、常圧で均一で安定的にプラズマを発生させうる装置に関する。
プラズマは、イオンやラジカルのような多量の反応性核種(reactive species)のフラックスを発生させるために、産業的に物体の表面処理のために多く使われている。従来、プラズマを用いる工程でプラズマは、真空状態のチャンバ(chamber)内で高温−高圧で発生する。このような従来のプラズマ工程では、プラスチックのように融点が低い材料の処理には制約がある。また、チャンバを真空状態で保持するための追加的なコストがかかり、チャンバという空間内でプラズマ処理がなされるので、被処理物のサイズが制約される問題点がある。
このような問題点を克服するために、均一で安定した低温プラズマを真空ではない常圧状態で発生させる必要がある。以下で、常圧と言えば、大気圧または大気圧付近の圧力状態を言う。常圧プラズマ(または、低温プラズマ)を利用すれば、プラスチックのように融点が低い材料の表面処理時に表面が溶けて変形されるか、物性が変わることを防止して、プラスチックのような材料の表面処理が可能となる。また、常圧プラズマを利用すれば、製品の生産工程中にもプラズマ表面処理を連続的にできて、生産性を画期的に増加させることができる。また、チャンバ内に真空を形成させるためのコストが節約され、被処理物のサイズに対する制約が緩和される。
図1は、低温常圧プラズマ発生装置の一例を示すブロック図である。図1に示された常圧プラズマ発生装置は、本出願の発明者が発明して登録された特許文献1に開示されている。
プラズマ発生装置100は、電源極110、メインプラズマ接地極120、補助プラズマ接地極130、ガス流入経路140、及び電源150を含む。
電源極110は、長い円筒状である。メインプラズマ接地極120は、電源極110の下方に設けられ、補助プラズマ電極130は、電源極110の側方に設けられる。また、電源極110は、誘電体膜111によって取り囲まれており、電源極110と補助プラズマ接地極130との間には、ガスを供給するためのガス流入経路140が形成されている。
電源150は、電源極110にRF(radio frequency)電源を印加する。図1では、電源150からのRF電源を電源極110にマッチング(matching)させるためのマッチングボックス(matching box:MB)151をさらに含むことが望ましい。
ガス流入経路140は、第1流入路141、第2流入路143、複数のオリフィス145、及びガス混合空間147からなる。第1流入路141は、外部からガスが流入される経路であり、第2流入路143は、第1流入路141と連通されて電源極110と平行に形成される。複数のオリフィス145は、第2流入路143に連通されるように電源極110の長手方向に沿って形成される。ガス混合空間147は、それぞれのオリフィス145と連通されて電源極110に沿って長手方向に形成され、電源極110と補助プラズマ接地電極130との間の放電空間に連通される。被処理物Mは、電源極110とメインプラズマ接地極120との間の空間に移送される。
図1のプラズマ発生装置100は、電源極110の側面に補助プラズマ接地極130が隣接するように設けられており、低い電圧でも補助プラズマを生成させ、補助プラズマを通過したガスはエネルギーが増加した状態にあるために、低い電圧でも電源極110とメインプラズマ接地極120との間の反応空間を通過するガスをプラズマ状態で作ることができる。
しかし、図1のプラズマ発生装置100は、円筒状の電源極110の一端に電源150が連結されるので、電源150からのRF電源が電源極110の長手方向に均一に印加されない問題点があり、これにより、プラズマが安定的に発生しない問題点がある。
また、従来のプラズマ発生装置100では、複数のオリフィス145の出口が直接電源極110に隣接した反応空間に向くようになっており、オリフィス145を通過したガスが十分に混合されることができなくなって、混合空間内での圧力分布が均一ではない問題点があり、これにより、電源極110の長手方向に沿って均一な圧力のガスが供給されなくなって、プラズマが安定的に発生しない問題点がある。
大韓民国特許公開第10−516329号
本発明が解決しようとする技術的課題は、常圧で均一で安定的にプラズマを発生させうるプラズマ発生装置を提供することにある。
前記技術的課題を解決するための本発明の実施形態による常圧プラズマ発生装置は、第1電極、第2電極及びガス供給部材を備える。第1電極は、被処理物に対向配置され、電源が印加される電源プレートを含む。第2電極は、前記第1電極の長手方向に沿って、前記第1電極の前記被処理物との対向面に離隔して配されて放電空間を形成する。ガス供給部材は、前記放電空間にガスを供給するガス供給通路が形成されており、前記第1電極及び前記第2電極を支持する。
前記第1電極は、前記電源プレートを含む電源印加電極、及び前記長手方向に沿って前記電源印加電極の少なくとも一部と連結される少なくとも一つ以上のプラズマ発生電極を備える。前記電源印加電極との連結部分を除いた、前記プラズマ発生電極を取り囲む誘電体をさらに備える。
前記ガス供給部材のうち、前記誘電体と隣接する部分が絶縁体で形成される。
前記電源プレートの幅は、前記プラズマ発生電極の幅より大きい。前記電源印加電極の底面の幅は、前記プラズマ発生電極の上面の幅より小さく、前記プラズマ発生電極は、その上面が、前記電源印加電極の底面全体と当接するように形成される。前記プラズマ発生電極を前記ガス供給部材に固定させるための固定手段をさらに含む。前記電源プレートは、前記第1電極の温度を調節するための温度調節手段を含む。前記温度調節手段は、前記電源プレートの内部を貫通して設けられた温度調節通路である。
前記温度調節通路は、前記電源プレートの内部をジグザグ方向に貫通して設けられる。前記電源プレートは、前記一つ以上のプラズマ発生電極の間にガスを供給するためのガス供給通路を含む。前記ガス供給部材は、絶縁体であり得る。
前記ガス供給通路は、外部からガスが流入されるガス流入路と、前記ガス流入路と連結され、前記長手方向に連通されるように形成されたバッファ空間と、前記バッファ空間と離隔して形成され、前記長手方向に沿って前記放電空間と連結されるように形成された混合空間及び前記バッファ空間から前記混合空間に向けて水平方向に形成された複数のオリフィスと、を含む。
前記ガス流入路は、前記ガス供給部材の上面に複数個形成され、前記バッファ空間は、仕切りによって複数のサブバッファ空間に区分され、前記複数のサブバッファ空間は前記複数個のガス流入路にそれぞれ対応し、前記仕切りを介して隣接したサブバッファ空間は、前記ガスが互いに交換されないように独立的であり、複数個の前記オリフィスを備える。
前記電源の周波数は、400khz〜60Mhzである。前記ガスは、非活性ガスが50%以上であり、前記非活性ガスは、アルゴン、ヘリウム、ネオンまたはこれらの混合ガスである。前記被処理物が置かれる第3電極をさらに備え、前記第3電極は、接地と連結されない。前記第3電極と前記被処理物との間に誘電体をさらに備える。前記被処理物が置かれる第3電極をさらに備え、前記第3電極にパルス電源または直流電源を印加する。
本発明による常圧プラズマ発生装置は、安定した電圧を供給することによって、常圧で均一で安定的にプラズマを発生させうる。
また、本発明による常圧プラズマ発生装置は、ガスを放電空間に安定的に供給しうる。
本発明の詳細な説明で引用される図面をより十分に理解するために、各図面の簡単な説明が提供される。
従来の常圧プラズマ発生装置の概路図である。 本発明の実施形態による常圧プラズマ発生装置の斜視図である。 本発明の実施形態による常圧プラズマ発生装置の分解斜視図である。 本発明の実施形態による常圧プラズマ発生装置の電源印加電極とプラズマ発生電極を示す斜視図である。 本発明の実施形態による常圧プラズマ発生装置の電源極を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による常圧プラズマ発生装置の斜視図である。 図6の常圧プラズマ発生装置のガス供給板を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態によるプラズマ発生装置の斜視図である。 本発明また他の実施形態によるプラズマ発生装置の構造を示す断面図である。 図9の構造を有するプラズマ発生装置のガス供給板を示す斜視図である。 プラズマ発生装置の第3接地について説明する概念図である。 プラズマ発生装置の第3接地について説明する概念図である。 プラズマ発生装置の第3接地について説明する概念図である。 本発明の多様な実施形態を説明するための図である。 本発明の多様な実施形態を説明するための図である。 本発明の多様な実施形態を説明するための図である。 本発明の多様な実施形態を説明するための図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳しく説明する。各図面に付された同じ参照符号は、同じ部材を表わす。
図2は、本発明の実施形態による常圧プラズマ発生装置の斜視図であり、図3は、本発明の実施形態による常圧プラズマ発生装置の分解斜視図である。
図2及び図3を参照すれば、常圧プラズマ発生装置200は、ガス供給部材210、第1連結部材220、第2連結部材230、蓋240、第1ガス供給板250a、第2ガス供給板250b、電源印加電極260とプラズマ発生電極270とを含む第1電極、コネクタ280を含み、プラズマ発生電極270を取り囲む誘電体271をさらに含みうる。
また、図面に示していないが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者は、常圧プラズマ発生装置200が、第1電極とともに放電空間を形成させるための第2電極を含むことが分かる。以下、図3ないし図7を参照して、プラズマ発生装置200の構成及び動作について詳しく説明する。
第1電極は、被処理物に対向配置される。図3に示されたように、本発明の第1電極は、電源印加電極260とプラズマ発生電極270とからなり、電源印加電極260は電源プレートを含む。本実施形態では、電源がプラズマ発生電極270に安定して印加される。プラズマ発生電極270が長くなる場合、電源プレートの面積を広くすることによって、電源を均一にプラズマ発生電極270に印加することができる。
電源プレートの面積が広くなると、複数のプラズマ発生電極が配置されて電源印加電極260に連結されることがある。但し、以下では、説明の便宜上、プラズマ発生電極270が一つであると仮定して動作を説明する。
ここで、前記電源の周波数は、400khz〜60Mhzの範囲である。すなわち、本発明のプラズマ発生装置は、高周波電圧を使う。また、使われるガスは、非活性ガスが50%以上であり、前記非活性ガスは、アルゴン、ヘリウム、ネオンまたはこれらの混合ガスである。
図3に示されたように、第1電極のプラズマ発生電極270は、被処理物に対向するように配置される。またプラズマ発生電極270は、半円状の棒形に形成されている。しかし、プラズマ発生電極270の形状はこれに限定されず、例えば四角柱状であってもよい。すなわち、被処理物と対向するプラズマ発生電極270の表面の形状は、プラズマ発生電極270の形状によって変化させうる。
また、プラズマ発生電極270は、長手方向に電源印加電極260の少なくとも一部と連結される。
この際、プラズマ発生電極270の長手方向に安定した電源を印加するために、電源印加電極260の上面、すなわち、電源プレートの幅は、プラズマ発生電極270の上面の幅より大きいことが望ましい。
一方、電源印加電極260の底面の幅は、プラズマ発生電極270の上面の幅より小さいことが望ましい。以下では、図4及び図5を参照して、電源印加電極260とプラズマ発生電極270とがどのように連結されるかについて説明する。
本発明の実施形態では、プラズマ発生電極270の長手方向に安定した電源を印加するために、電源印加電極260が断面T字状に形成される。また、プラズマ発生電極270は、その上面が、電源印加電極260の底面全体と当接するように形成される(図3及び図4参照)。これにより、電源印加電極260とプラズマ発生電極270との連結面積が広くなり、プラズマ発生電極270の長手方向に安定した電源が印加されうる。
電源印加電極260とプラズマ発生電極270とには、相互間の連結のための一つ以上の連結ホールが設けられ、一つ以上の連結ホールを通じて、多様な連結手段(ボルトなど)を用いて電源印加電極260とプラズマ発生電極270とが互いに連結される。
一方、プラズマ発生装置200は、プラズマ発生電極270を取り囲む誘電体271をさらに備えることができる。図3に示されたように、誘電体271は、電源印加電極260との連結部分を除いた、プラズマ発生電極270を取り囲むことが望ましい。この際、誘電体271の材料は、クォーツ、ガラス、シリコン、アルミナ、セラミックのうち少なくとも何れか一つであることが望ましい。
図3には、プラズマ発生電極270の上面が電源印加電極260の底面全体と当接する構造が開示されており、誘電体271がプラズマ発生電極270を取り囲んでいる。
一方、プラズマ発生電極270と電源印加電極260との構造は、図4に開示されたようにプラズマ発生電極の上面の一部のみが電源印加電極260の底面の一部と当接する構造であり得る。この場合、電源印加電極260と当接しないプラズマ発生電極270の部分は、図4に示されたように、誘電体271によって完全に取り囲まれうる。すなわち、電源印加電極260と当接する部分を除いて誘電体271が全体を取り囲んでいる。このような構造は、誘電体271の亀裂防止を図りうる。
図6を参照すれば、プラズマ発生装置200は、プラズマ発生電極270をガス供給部材210に固定させるための固定手段290をさらに含みうる。本発明の実施形態で、電源印加電極260と連結されるプラズマ発生電極270は、固定手段290に連結され、固定手段290がガス供給部材210に固定されることによって、第1電極の全体がガス供給部材210に固定されることができる。
また、本発明の実施形態によるプラズマ発生装置で、電源プレートは、第1電極の温度を調節するための温度調節手段(図示せず)を含みうる。図3に示されたように、電源供給電極260の上面である電源プレートは、所定の厚さを有し、所定の厚さを有する電源プレートに温度調節手段を設置することによって、第1電極の温度を調節することができる。
本発明の実施形態で、温度調節手段は、電源プレートの内部を貫通して設けられる温度調節通路(図示せず)であり得る。温度調節通路に水のような液体流すことによって、電源プレートの温度を高めるか低めることができ、電源プレートの温度を高めるか低めることによって、第1電極の全体の温度を調節することができる。また、温度調節の効率をさらに向上させるために、設けられる温度調節通路は、電源プレートの内部をジグザグ方向に貫通して設けられることが望ましい。
一方、第2電極は、第1電極の長手方向に沿って、第1電極の被処理物との対向面に離隔して配されて放電空間を形成する。図2及び図3に開示された構造では、後述するガス供給板250a、250bの下の部分が第2電極の役割を果たす。プラズマ発生電極270と第2電極との間にガスが混合される混合空間251a、251bが形成される。
前述したように、第1電極とともに放電空間を形成する第2電極の構成及び動作については、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に広く知られているので、これについての具体的な説明は省略する。
ガス供給部材210には、放電空間にガスを供給するためのガス供給通路が形成されている。また、第1電極は、ガス供給部材210によって支持される。ガス供給通路の具体的な構成及び動作については、引き続き関連した部分で詳しく説明する。
第1及び第2連結部材220及び230には、ガス供給部材210との連結のための複数の連結ホールが設けられ、多様な連結手段(ボルトなど)を用いて第1及び第2連結部材220及び230とガス供給部材210とが連結される。
第1連結部材220には、外部の電源を連結するための電源連結ホール221と外部からガスを供給するためのガス供給ホール223とが設けられる。外部からの電源は、電源連結ホール221を通じて連結されたコネクタ280に印加され、コネクタ280は、外部から印加される電源を第1電極260、270の電源プレートに印加する。コネクタ280と電源プレートは、多様な形態で互いに連結され、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者は、このような連結に対して容易に理解することができる。
外部からのガスは、ガス供給ホール223を通じてガス供給部材210のガス供給通路に供給される。一般的に、ガスは、ガス供給手段(ホースなど)を通じてガス供給ホール223に供給される。本発明の実施形態で、ガス供給手段が連結されるように、連結手段がガス供給ホール223の入口に設けられることもある。
ガスの円滑な流入のために、ガス供給ホール223の入口は、広く形成されることが望ましい。また、ガス供給部材210に設けられるガス流入路255a、255b(図5参照)にガスを流入させるために、第1連結部材220の幅方向にガス誘導路(図示せず)が形成される。この際、ガス誘導路は、ガス供給ホール223及びガス流入路255a、255bと連通されるように形成される。ガス誘導路と連結されるガス供給通路の構成については、引き続き関連した部分で詳しく説明する。
図6は、本発明の他の実施形態による常圧プラズマ発生装置の斜視図であり、図7は、図6の常圧プラズマ発生装置のガス供給板を示す斜視図である。以下では、図5〜図7を参照して、本発明の実施形態によるプラズマ発生装置にガスが供給される構成及び動作について詳しく説明する。
本発明の実施形態で、ガス供給通路は、ガス供給部材及びガス供給板に沿って形成されている。ガス供給通路は、ガス流入路255a、255b、バッファ空間253a、253b、混合空間251a、251b、及び複数のオリフィス252aを含む。
前述したように、ガス供給ホール223を通じて外部から流入されるガスは、ガス供給ホール223及びガス流入路255a、255bと連通されるように形成されるガス誘導路を通じて、ガス流入路255a、255bに流入される。図6に示されたように、ガス供給通路は、第1電極を中心に左側と右側とが互いに対称的な構造を有するので、以下では、右側のガス供給通路を例に説明する。
ガス流入路255aは、第1電極に沿って第1電極の長手方向に形成される。ガス流入路255aには、ガスをバッファ空間253aに供給させるためのホールが形成される。したがって、ガス流入路255aは、第1電極の長手方向にガス供給部材210の全体の長さに対して形成される必要がなく、バッファ空間253aへのガス供給のためのホールまで形成されることで十分である。一方、バッファ空間253aへの円滑なガス供給のために、本発明の実施形態では、ガス供給のためのホールを複数個設けることもできる。
バッファ空間253aは、ガス供給のためのホールを通じてガス流入路255aと連結され、第1電極の長手方向に形成される。ガス流入路255aを通じてバッファ空間253aに供給されたガスは、バッファ空間で第1電極の長手方向に均一にバッファリングされる。
バッファ空間253aで均一にバッファリングされたガスは、複数のオリフィス252aを通じて混合空間に供給される。図7の第1ガス供給板250aに示されたように、本発明の実施形態で、複数のオリフィス252aは、第1ガス供給板に沿って所定の間隔で混合空間251aに向けて水平方向に形成される。
混合空間251aは、バッファ空間253aと離隔して形成され、第1電極の長手方向に沿って放電空間と連結されるように形成される。図6及び図7に示されたように、混合空間251aは、垂直方向に形成される垂直空間と、放電空間と連結される水平空間を含む。水平方向に形成された複数のオリフィス252aを通じて混合空間251aに供給されるガスは、垂直内壁に衝突することで垂直空間でもう一度均一にバッファリングされ、垂直空間で均一にバッファリングされたガスは、酸素と混合されて放電空間に供給される。
前述したように、本発明の実施形態によるプラズマ発生装置200で、ガス供給通路を通じて放電空間に供給されるガスは、バッファ空間253aでのみだけではなく、混合空間251aでも均一にバッファリングされることによって、2回にわたって均一にバッファリングされる。したがって、本発明の実施形態によるプラズマ発生装置で放電空間に供給される混合ガスの均一度は、従来に比べて著しく向上する。
一方、図5を参照すれば、ガス供給部材210のうち誘電体271と隣接する部分(円状の点線部分)210aを絶縁体で形成することができる。この部分210aが絶縁体ではない場合、プラズマ発生電極270と誘電体271及びガス供給部材210のうち誘電体271と隣接する部分210aは、キャパシタを形成し、これは、直ちにプラズマ発生電極270に印加される電力を消耗する。したがって、この部分210aを絶縁体で形成すれば、キャパシタの形成を防止してキャパシタで消耗される電力量を減少させ、プラズマ発生電極270とガスの反応を高めてプラズマ発生効率を向上させることができる。
また、ガス供給部材210の全体を絶縁体で作ることができ、そうすれば、ガス供給部材210のうち誘電体271と隣接する部分210aによるキャパシタ形成を自然に防止し、プラズマ発生効率を高めうる。
図5のプラズマ発生電極270を説明すれば、図4に示されたプラズマ発生電極270と異なってプラズマ発生電極270の内部に孔270aが形成される。この孔270aに水などの温度調節物質を注入し、プラズマ発生電極270の温度を直接調節することができる。
以上では、バッファ空間253a、253bにガスを流入させるためのガス流入路255a、255bが長手方向に形成される実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者は、ガス流入路が他の形態でも具現可能であるということが分かり、その一例が図8に示されている。
図8は、本発明の他の実施形態によるプラズマ発生装置の斜視図であって、ガス流入路255a’、255b’の構成を除き、図8のプラズマ発生装置は、図2のプラズマ発生装置200と同一である。すなわち、図8のプラズマ発生装置で、ガス流入路255a’、255b’は、ガス供給部材の上面で垂直方向に形成され、バッファ空間253aに連結される。
図9は、また他の実施形態によるプラズマ発生装置の構造を示す断面図である。また、図10は、図9の構造を有するプラズマ発生装置のガス供給板を示す斜視図である。
図9のプラズマ発生装置は、ガス流入路255a1、255a2、255a3がガス供給部材の上面で垂直方向に形成される点は、図8のプラズマ発生装置と同一である。しかし、ガス供給板の構造が異なる。図9と図10とを参照すれば、ガス供給板のバッファ空間は、複数個のガス流入路255a1、255a2、255a3にそれぞれ対応するサブバッファ空間253a1、253a2、253a3を備える。そして、隣接したサブバッファ空間253a1、253a2、253a3は、ガスが互いに交換されないように独立的であり、複数個のオリフィス252aをそれぞれ備える。
図9と図10とに開示された構造を有するプラズマ発生装置は、ガスを選択的にプラズマ発生電極に供給することができる構造である。すなわち、ガス流入路255a1にのみガスを注入する場合、ガスは、サブバッファ空間253a1のオリフィス252aを通じてプラズマ発生電極に注入され、プラズマは、ガスが供給される部分にのみ形成される。
バッファ空間は、仕切りPによってサブバッファ空間253a1、253a2、253a3に区分されており、互いに独立的であって、それぞれのサブバッファ空間253a1、253a2、253a3には、対応するガス流入路255a1、255a2、255a3を通じてのみガスを注入することができる。したがって、プラズマ発生電極の一部の領域にのみプラズマを発生させうる。
図11ないし図13は、プラズマ発生装置の第3接地について説明する概念図である。
図11を参照すれば、本発明の実施形態によるプラズマ発生装置は、第3電極300をさらに備える。第3電極300には、被処理物PSが置かれてプラズマガスによって処理される。一般的に、真空状態でのプラズマ処理装置や低周波電圧を用いるプラズマ処理装置では、第3電極300を接地に連結する。低周波電圧を用いる場合、第3電極300を接地しなければ、プラズマが発生しないこともあるためである。しかし、本発明の実施形態によるプラズマ発生装置は、高周波電源を用いるために第3電極300を接地しなくても、プラズマを発生させうる。
図12を参照すれば、第3電極300と被処理物PSとの間に誘電体310をさらに備えることができる。印加される電圧が高くなれば、第1電極と第3電極300との間でアークが発生することがあるが、被処理物PS下に誘電体310を置くことによって、アークの発生を防止することができる。
図13を参照すれば、被処理物PSが置かれる第3電極300にパルス電源または直流電源BSを印加することができる。パルス電源または直流電源BSを印加すれば、発生したプラズマガスの陰イオンまたは陽イオンが加速されて蒸着やエッチング時にその効果が向上する。
以上では、第1電極に一つのプラズマ発生電極270が設けられる実施形態について説明したが、本発明は、このようなプラズマ発生電極270の構成に制限されるものではない。本発明のプラズマ発生装置には、一つ以上のプラズマ発生電極が設けられることができ、このような本発明の多様な実施形態が、図14ないし図17に示されている。
説明の便宜上、図14ないし図17の実施形態は概念的に示されているが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者は、前述した本発明の思想が、図14ないし図17の多様な実施形態に適用可能であるということが分かる。また、図14ないし図17には、一つまたは三つのプラズマ発生電極が設けられる構成について示されているが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者は、本発明が、このようなプラズマ発生電極の個数に制限されるものではないということが分かる。
まず、図14は、図2ないし図7を参照して説明した本発明の実施形態についての概念図である。図15は、図14を変更したものである。
一方、図16及び図17を参照すれば、プラズマ発生装置の電源極(すなわち、第1電極)は、電源が印加される電源プレート、及び少なくとも一つのプラズマ発生電極を含みうる。この際、少なくとも一つのプラズマ発生電極は、長手方向に少なくとも一部が前記電源プレートと連結される。
図16は、プラズマ発生電極の数が複数個、すなわち、三つである場合の実施形態である。図16に示されたように、プラズマ発生電極は誘電体で覆われており、三つのプラズマ発生電極の間も誘電体で満たされている。図17は、プラズマ発生電極の間が誘電体で満たされていない実施形態である。図17に示されたように、それぞれのプラズマ発生電極は誘電体で覆われており、ガス供給通路の以外にそれぞれのプラズマ発生電極の間にもガスが供給される。したがって、図17に示された実施形態で、電源プレートには、プラズマ発生電極の間にガスを供給するためのガス供給通路が設けられ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者は、電源プレートにガス供給通路を設置する構成について容易に理解することができる。
以上、図面と明細書とで最適の実施形態が開示された。ここで、特定の用語が使われたが、これは、単に本発明を説明するための目的で使われたものであって、意味限定や特許請求の範囲に記載の本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付の特許請求の範囲の技術的思想によって決まるべきである。
本発明のプラズマ発生装置は、様々なプラズマ処理分野に利用されうる。

Claims (12)

  1. 被処理物に対向配置され、電源が印加される電源プレートを含む第1電極と、
    前記第1電極の長手方向に沿って、前記第1電極の前記被処理物との対向面に離隔して配されて放電空間を形成する第2電極と、
    前記放電空間にガスを供給するガス供給通路が形成されており、前記第1電極及び前記第2電極を支持するガス供給部材とを備え
    前記第1電極は、前記電源プレートを含む電源印加電極と、前記長手方向に沿って前記電源印加電極の底面と連結される少なくとも一つ以上のプラズマ発生電極とを備え、
    前記電源印加電極との連結部分を除いた、前記プラズマ発生電極を取り囲む誘電体をさらに備え、
    前記電源プレートの幅は、前記プラズマ発生電極の幅より大きく、前記電源印加電極の底面の幅は、前記プラズマ発生電極の上面の幅より小さく、前記プラズマ発生電極は、その上面が、前記電源印加電極の底面全体と当接するように形成され、
    前記ガス供給部材のうち、前記誘電体と隣接する部分が絶縁体で形成されており、
    前記ガス供給通路は、外部からガスが流入されるガス流入路と、前記ガス流入路と連結され、前記長手方向に連通されるように形成されたバッファ空間と、前記バッファ空間と離隔して形成され、前記長手方向に沿って前記放電空間と連通されるように形成された混合空間と、前記バッファ空間から前記混合空間に向けて水平方向に形成された複数のオリフィスとを含み、
    前記ガス流入路は、前記ガス供給部材の上面に複数個形成され、前記バッファ空間は、仕切りによって複数のサブバッファ空間に区分され、前記複数のサブバッファ空間は前記複数個のガス流入路にそれぞれ対応し、前記仕切りを介して隣接したサブバッファ空間は、前記ガスが互いに交換されないように独立的であり、複数個の前記オリフィスを備えるプラズマ発生装置。
  2. 前記プラズマ発生電極を前記ガス供給部材に固定させるための固定手段をさらに備える請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  3. 前記電源プレートは、前記第1電極の温度を調節するための温度調節手段を備える請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  4. 前記温度調節手段は、前記電源プレートの内部を貫通して設けられた温度調節通路である請求項に記載のプラズマ発生装置。
  5. 前記温度調節通路は、前記電源プレートの内部をジグザグに方向を偏向しながら貫通して設けられている請求項に記載のプラズマ発生装置。
  6. 前記電源プレートは、前記一つ以上のプラズマ発生電極の間にガスを供給するためのガス供給通路を含む請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  7. 前記ガス供給部材は、絶縁体である請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  8. 前記電源の周波数は、400khz〜60Mhzである請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  9. 前記ガスは、非活性ガスが50%以上であり、前記非活性ガスは、アルゴン、ヘリウム、ネオンまたはこれらの混合ガスである請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  10. 前記第1電極と対向するように配置され、前記被処理物が置かれる第3電極をさらに備え、前記第3電極は、接地と連結されない請求項1に記載のプラズマ発生装置。
  11. 前記第3電極と前記被処理物との間に誘電体をさらに備える請求項10に記載のプラズマ発生装置。
  12. 前記第1電極と対向するように配置され、前記被処理物が置かれる第3電極をさらに備え、前記第3電極にパルス電源または直流電源を印加する請求項1に記載のプラズマ発生装置。
JP2009548157A 2007-02-02 2008-02-01 均一な常圧プラズマ発生装置 Active JP5594820B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070011149 2007-02-02
KR10-2007-0011149 2007-02-02
KR1020080010285A KR100872682B1 (ko) 2007-02-02 2008-01-31 균일한 상압 플라즈마 발생장치
KR10-2008-0010285 2008-01-31
PCT/KR2008/000617 WO2008094009A1 (en) 2007-02-02 2008-02-01 Apparatus for uniformly generating atmospheric pressure plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010518555A JP2010518555A (ja) 2010-05-27
JP5594820B2 true JP5594820B2 (ja) 2014-09-24

Family

ID=39882830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009548157A Active JP5594820B2 (ja) 2007-02-02 2008-02-01 均一な常圧プラズマ発生装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8373088B2 (ja)
JP (1) JP5594820B2 (ja)
KR (1) KR100872682B1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101056097B1 (ko) * 2009-03-25 2011-08-10 박종훈 대기압 플라즈마 발생장치
KR101230114B1 (ko) 2011-01-31 2013-02-05 박종헌 복수개의 전극을 갖는 상압 플라즈마 장치
CN102802336A (zh) * 2011-05-26 2012-11-28 株式会社Biemt 工程气体分离供给型大气压等离子装置及其使用方法
TWI486996B (zh) 2013-12-04 2015-06-01 Ind Tech Res Inst 電漿裝置及電漿裝置的操作方法
TWI548310B (zh) 2014-11-21 2016-09-01 財團法人工業技術研究院 電漿處理之模組化電極裝置
KR101804561B1 (ko) * 2016-03-24 2017-12-06 주식회사 플라즈맵 높은 공간 선택성을 가지는 선형 플라즈마 발생 장치
US11478746B2 (en) 2018-07-17 2022-10-25 Transient Plasma Systems, Inc. Method and system for treating emissions using a transient pulsed plasma
US11629860B2 (en) 2018-07-17 2023-04-18 Transient Plasma Systems, Inc. Method and system for treating emissions using a transient pulsed plasma
EP3966845A4 (en) * 2019-05-07 2023-01-25 Transient Plasma Systems, Inc. NON-THERMAL PULSED ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA TREATMENT SYSTEM
US11811199B2 (en) 2021-03-03 2023-11-07 Transient Plasma Systems, Inc. Apparatus and methods of detecting transient discharge modes and/or closed loop control of pulsed systems and method employing same

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2749630B2 (ja) * 1989-04-24 1998-05-13 住友電気工業株式会社 プラズマ表面処理法
JP2820283B2 (ja) * 1989-09-12 1998-11-05 株式会社山東鉄工所 低温プラズマ発生用極板の製法
JP2934852B1 (ja) * 1998-03-23 1999-08-16 科学技術振興事業団 プラズマ処理装置
JP3555470B2 (ja) * 1998-12-04 2004-08-18 セイコーエプソン株式会社 大気圧高周波プラズマによるエッチング方法
JP3399887B2 (ja) * 1999-09-22 2003-04-21 パール工業株式会社 プラズマ処理装置
JP4212210B2 (ja) * 1999-12-07 2009-01-21 株式会社小松製作所 表面処理装置
JP2002018276A (ja) * 2000-07-10 2002-01-22 Pearl Kogyo Kk 大気圧プラズマ処理装置
JP2002158219A (ja) * 2000-09-06 2002-05-31 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
US6521859B2 (en) * 2000-12-12 2003-02-18 Nytrox 1, Inc. System and method for preserving stored foods
JP3962280B2 (ja) * 2002-05-21 2007-08-22 積水化学工業株式会社 放電プラズマ処理装置
KR100488359B1 (ko) * 2002-06-14 2005-05-11 주식회사 플라즈마트 대기압 저온 평판형 벌크 플라즈마 발생장치
JP2004076076A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Konica Minolta Holdings Inc 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法
EP1609884B1 (en) * 2003-03-31 2013-08-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Thin film forming apparatus and method for forming thin film
KR100572848B1 (ko) * 2004-01-30 2006-04-24 (주)창조엔지니어링 이그나이터가 구비된 대기압 플라즈마 발생장치
JP2006286730A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Nippon Spindle Mfg Co Ltd フレキシブルプリント基板のプラズマ処理方法及びその装置
RU2278328C1 (ru) * 2005-05-13 2006-06-20 Ооо "Плазариум" Горелка
KR100787880B1 (ko) * 2005-11-15 2007-12-27 김경수 분사 조절판 및 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 발생장치
US7777500B2 (en) * 2007-10-05 2010-08-17 Lam Research Corporation Methods for characterizing dielectric properties of parts

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010518555A (ja) 2010-05-27
KR20080072558A (ko) 2008-08-06
KR100872682B1 (ko) 2008-12-10
US8373088B2 (en) 2013-02-12
US20100044352A1 (en) 2010-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5594820B2 (ja) 均一な常圧プラズマ発生装置
KR101696333B1 (ko) 감소된 공구 풋 프린트를 갖는, 균일한 박막 증착을 위한 평행판 반응기
US7721673B2 (en) Hollow cathode discharging apparatus
US9275839B2 (en) Toroidal plasma chamber for high gas flow rate process
US20090159002A1 (en) Gas distribution plate with annular plenum having a sloped ceiling for uniform distribution
TWI448215B (zh) 電漿處理裝置
TW200920192A (en) Capacitively coupled plasma reactor
JP2006203210A (ja) 半導体プラズマ処理装置及び方法
US8097217B2 (en) Atmospheric pressure plasma generating apparatus by induction electrode
KR20090130907A (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
JP6440871B2 (ja) 活性ガス生成装置及び成膜処理装置
CN105789015A (zh) 一种实现均匀排气的等离子体处理设备
JP2010218801A (ja) 大気圧プラズマ発生装置
KR101190208B1 (ko) 전극부 냉각 장치가 구비된 표면처리용 분사형 대기압 저온 플라즈마 발생장치
KR101234595B1 (ko) 플라즈마 발생 유닛 및 플라즈마 처리 장치
KR102002907B1 (ko) 플라즈마 발생 장치
KR101273233B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JP2006004686A (ja) プラズマ処理方法及び装置
KR101173643B1 (ko) 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기
JP5645157B2 (ja) プラズマ装置
KR102398023B1 (ko) 고밀도 상압 플라즈마 발생장치
KR100535656B1 (ko) 전극 겸용 안테나를 구비한 대기압 플라즈마 발생장치
WO2008094009A1 (en) Apparatus for uniformly generating atmospheric pressure plasma
KR101104638B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR101648900B1 (ko) 이온 소스 및 이를 갖는 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131003

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140528

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140604

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140708

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140801

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5594820

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250