JP5917477B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置100の縦断面図である。
図2は、図1に示されているガス導入口231を図1におけるA−A線断面図で示す図である。
図3は、図1に示されているバッファ空間232を図1におけるB−B線断面図で示す図である。
図4は、本発明の一実施形態に係るシャワーヘッド230のバッファ空間232を説明するための斜視模式図である。
第1のガス導入管229aには、第1の処理ガスとしての原料ガスを供給する原料ガス供給管304が接続されている。また、第2のガス導入管229bには、原料ガス供給管308が接続されている。原料ガス供給管304には、上流側からガスの供給流量を制御する流量制御器としてのマスフローコントローラ404と、ガスの供給を制御するバルブ244が配設されている。原料ガス供給管308には、上流側からマスフローコントローラ408とバルブ248が配設されている。原料ガス供給管304、308には、第1の処理ガスとして、原料ガスとしての例えばTiCl4(四塩化チタン)ガスが用いられる。
第1のガス導入管229aには、第2の処理ガスとしての反応ガスを供給する反応ガス供給管305が接続されている。また、第2のガス導入管229bには、反応ガス供給管309が接続されている。反応ガス供給管305には、上流側からマスフローコントローラ405とバルブ245が配設されている。反応ガス供給管309には、上流側からマスフローコントローラ409とバルブ249が配設されている。反応ガス供給管305、309には、第2の処理ガスとして、反応ガスとしての例えばNH3(アンモニア)ガスが用いられる。
原料ガス供給管304には、バルブ244の下流側に不活性ガスとしてのパージガスを供給するパージガス供給管306が接続されている。また、反応ガス供給管305には、バルブ245の下流側にパージガス供給管307が接続されている。原料ガス供給管308には、バルブ248の下流側にパージガス供給管310が接続されている。また、反応ガス供給管309には、バルブ249の下流側にパージガス供給管311が接続されている。
図6は、本発明の一実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
まず、ゲートバルブ205を開き、不図示の搬送室と搬送空間203とを連通させる。次に、処理対象のウエハ200を、不図示の搬送ロボットにより、搬送室内から搬送空間203内へ搬入する。搬送空間203内に搬入されたウエハ200は、基板搬入出口206の位置まで下降された基板載置台212に搬送ロボットによって載置され、基板処理位置まで昇降機構218により昇降される。次に、搬送ロボットが搬送空間203内から搬送室内へ戻ると、ゲートバルブ205が閉じられる。
次に、後述する成膜工程(ステップS104)を行う。
成膜工程(ステップS104)が終了すると、上述した基板搬入・載置工程(ステップS102)に示した手順とは逆の手順により、成膜処理したウエハ200を搬送空間203から搬送室内へ搬出する。
以上のように、ステップS102〜ステップS106までを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことにより、所定枚数のウエハ200が成膜処理される。
一連の処理が終了すると、バルブ246,247,250,251を開き、第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232bを介して処理空間201内にN2ガスを供給する。このとき、排気管222のAPCバルブ223は開いたままとして、真空ポンプ224により処理空間201を真空排気する。これにより、処理空間201及び搬送空間203内に残留するガスや副生成物を除去する。
図7は、本発明の第1の実施形態に係るTiN膜の成膜工程のフローを示す図である。図8は、本発明の第1の実施形態に係るTiN膜成膜工程におけるガス供給のタイミングを示す図である。図12は、本発明の実施形態に係るTiN膜成膜工程におけるウエハ表面の様子を説明する模式図である。
バルブ244及びバルブ248を開き、第1のガス導入管229a及び第2のガス導入管229b内にTiCl4ガスを流す。第1のガス導入管229a及び第2のガス導入管229b内を流れたTiCl4ガスは、マスフローコントローラ404,408によりそれぞれ流量調整される。流量調整されたTiCl4ガスは、第1のガス導入口231a及び第2のガス導入口231bからそれぞれ第1のバッファ空間232a及び第2のバッファ空間232b内に供給され、分散板234の貫通孔236a、236bを介して処理空間201内に供給され、排気口221を介して排気管222から排気される。すなわち、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給され、ウエハ200の表面はTiCl4ガスに暴露されることとなる。
ウエハ200上にTi含有層が形成された後、バルブ244とバルブ248を閉じて、TiCl4ガスの供給を停止する。そして、パージガス供給管306,310のバルブ246,250を開くことで、N2ガスを第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232bを介して処理空間201内へ供給する。パージガス供給管306,310内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ406,410により流量調整される。流量調整されたN2ガスは、パージガスとして作用し、第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内から排除する(図12(b)参照)。このとき、排気管222のAPCバルブ223は開いたままとして、真空ポンプ224により処理空間201内を真空排気する。
ステップS204が終了し処理空間201内の残留ガスを除去した後、バルブ246,250を閉じ、バルブ245を開いて、反応ガス供給管305内にNH3ガスを流す。反応ガス供給管305内を流れたNH3ガスは、マスフローコントローラ405により流量調整される。流量調整されたNH3ガスは、第1のガス導入管229aから第1のバッファ空間232aを介して分散板234の周縁部の貫通孔236aを介して処理空間201内へ供給され、排気管222から排気される。このときウエハ200の周縁部に対してNH3ガスが供給されることとなる。すなわち、ウエハ200の周縁部の表面はNH3ガスに暴露されることとなる。
その後、反応ガス供給管305のバルブ245を閉じて、第1のガス導入管229aへのNH3ガスの供給を停止する。そして、パージガス供給管307のバルブ247を開くことで、N2ガスを第1のガス導入管229a、第1のバッファ空間232aを介して処理空間201内へ供給する。パージガス供給管307内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ407により流量調整される。流量調整されたN2ガスは、パージガスとして作用し、第1のガス導入管229a、第1のバッファ空間232a及び処理空間201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスやHCl(塩酸)やNH4Cl(塩化アンモニウム)ガス等の反応副生成物を第1のガス導入管229a、第1のバッファ空間232a及び処理空間201内から排除する(図12(d)参照)。このとき、排気管222のAPCバルブ223は開いたままとして、真空ポンプ224により処理空間201内を真空排気する。
ステップS208が終了し処理空間201内の残留ガスを除去した後、バルブ247を閉じ、バルブ249を開いて、反応ガス供給管309内にNH3ガスを流す。反応ガス供給管309内を流れたNH3ガスは、マスフローコントローラ409により流量調整される。流量調整されたNH3ガスは、第2のガス導入管229bから第2のバッファ空間242bを介して分散板234の中心部の貫通孔236bから処理空間201内へ供給され、排気管222から排気される。このときウエハ200の中心部に対してNH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の中心部の表面はNH3ガスに暴露されることとなる。
その後、反応ガス供給管309のバルブ249を閉じて、第2のガス導入管229bへのNH3ガスの供給を停止する。そして、パージガス供給管311のバルブ251を開くことで、N2ガスを第2のガス導入管229b、第2のバッファ空間232bを介して処理空間201内へ供給する。パージガス供給管311内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ411により流量調整される。流量調整されたN2ガスは、パージガスとして作用し、第2のガス導入管229b、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスやHCl(塩酸)やNH4Cl(塩化アンモニウム)ガス等の反応副生成物を第2のガス導入管229b、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内から排除する(図12(d)参照)。このとき、排気管222のAPCバルブ223は開いたままとして、真空ポンプ224により処理空間201内を真空排気する。
その後、上述したステップS202〜S212を1セットとして、このセットを所定回数行なうことにより、所定膜厚のTiN膜を形成する。このセットは、1回行なうよりも、複数回行なう方が好ましい。
図9は、本発明の第2の実施形態に係るTiN膜成膜工程におけるガス供給のタイミングを示す図である。本実施形態においては、上述した第1の実施形態に係るTiN膜の成膜工程のフローとの違いはN2ガス供給の供給タイミングのみが異なる。
図10は、本発明の第3の実施形態に係るTiN膜の成膜工程のフローを示す図である。図11は、本発明の第3の実施形態に係るTiN膜成膜工程におけるガス供給のタイミングを示す図である。
バルブ244及びバルブ248を開き、第1のガス導入管229a及び第2のガス導入管229b内にTiCl4ガスを流す。第1のガス導入管229a及び第2のガス導入管229b内を流れたTiCl4ガスは、マスフローコントローラ404,408によりそれぞれ流量調整される。流量調整されたTiCl4ガスは、第1のガス導入口231a及び第2のガス導入口231bからそれぞれ第1のバッファ空間232a及び第2のバッファ空間232b内に供給され、分散板234の貫通孔236a、236bを介して処理空間201内に供給され、排気口221を介して排気管222から排気される。すなわち、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給され、ウエハ200の表面はTiCl4ガスに暴露されることとなる。
ウエハ200上にTi含有層が形成された後、バルブ244とバルブ248を閉じて、TiCl4ガスの供給を停止する。そして、パージガス供給管306,310のバルブ246,250を開くことで、N2ガスを第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232bを介して処理空間201内へ供給する。パージガス供給管306,310内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ406,410により流量調整される。流量調整されたN2ガスは、パージガスとして作用し、第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内に残留する未反応もしくはTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内から排除する(図12(b)参照)。このとき、排気管222のAPCバルブ223は開いたままとして、真空ポンプ224により処理空間201内を真空排気する。
ステップS304が終了し処理空間201内の残留ガスを除去した後、バルブ246,250を閉じ、バルブ245を開いて、反応ガス供給管305内にNH3ガスを流す。反応ガス供給管305内を流れたNH3ガスは、マスフローコントローラ405により流量調整される。流量調整されたNH3ガスは、第1のガス導入管229aから第1のバッファ空間232aを介して分散板234の周縁部の貫通孔236aから処理空間201内へ供給され、排気管222から排気される。このときウエハ200の周縁部に対してNH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の周縁部の表面はNH3ガスに暴露されることとなる。
その後、反応ガス供給管305のバルブ245を閉じて、第1のガス導入管229aへのNH3ガスの供給を停止する。次に、バルブ249を開き、反応ガス供給管309内にNH3ガスを流す。反応ガス供給管309内を流れたNH3ガスは、マスフローコントローラ409により流量調整される。流量調整されたNH3ガスは、第2のガス導入管229b、第2のバッファ空間242bを介して分散板234の中心部の貫通孔236bから処理空間201内へ供給され、排気管222から排気される。このときウエハ200の中心部に対してNH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の中心部の表面はNH3ガスに暴露されることとなる。
その後、バルブ249を閉じて、第2のガス導入管229bへのNH3ガスの供給を停止する。そして、パージガス供給管307、311のバルブ247、251をそれぞれ開くことで、N2ガスを第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232bを介して処理空間201内へ供給する。パージガス供給管307、311内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ407、411によりそれぞれ流量調整される。流量調整されたN2ガスは、パージガスとして作用し、第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスやHCl(塩酸)やNH4Cl(塩化アンモニウム)ガス等の反応副生成物を第1のガス導入管229a、第2のガス導入管229b、第1のバッファ空間232a、第2のバッファ空間232b及び処理空間201内から排除する(図12(d)参照)。このとき、排気管222のAPCバルブ223は開いたままとして、真空ポンプ224により処理空間201内を真空排気する。
その後、上述したステップS302〜S310を1セットとして、このセットを所定回数行なうことにより、所定膜厚のTiN膜を形成する。このセットは、1回行なうよりも、複数回行なう方が好ましい。
また、上述の実施形態では、バッファ空間232を2重の円錐構造としたが、これに限らず、円周方向に複数の空間に区切られていればよい。
また、上述の実施形態では、バッファ空間232を2つに分割した例について詳述したが、これに限らず、バッファ空間を3つ以上に分割してもよい。
また、上述の実施形態では、ガスガイド240bが分散板234に接している構成について記載したが、これに限らず、ガスガイド240bと分散板234の間に隙間があってもよい。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理する処理ガスを前記基板の中心部と前記基板の周縁部の夫々に独立して供給するガス供給孔を備えたガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記ガス供給部から供給される処理ガスを前記基板の周縁部に供給した後に前記基板中心部に供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
前記ガス供給部は、内部空間が基板の周縁部にガス供給するための第1のバッファ空間と、基板の中心部にガス供給するための第2のバッファ空間とに分けられているシャワーヘッド構造を有する付記1に記載の基板処理装置。
前記排気部は、前記基板の径方向外側に設けられる付記1又は2に記載の基板処理装置。
前記ガス供給部が基板の周縁部に処理ガスを供給する第1の供給面積と、基板の中心部に処理ガスを供給する第2の供給面積とが同面積である、付記1乃至3いずれかに記載の基板処理装置。
前記第1のバッファ空間と前記第2のバッファ空間はそれぞれ円錐形状を有する付記2乃至4いずれかに記載の基板処理装置。
前記ガス供給部が有する前記ガス供給孔の径は、基板の周縁部にガスを供給する第1のガス供給孔と、基板の中心部にガスを供給する第2のガス供給孔とで径が異なるように構成される付記1乃至5いずれかに記載の基板処理装置。
前記第1のガス供給孔が前記第2のガス供給孔よりも径が大きく構成される付記6記載の基板処理装置。
前記ガス供給部が有する前記ガス供給孔は、基板の周縁部にガスを供給する第1のガス供給孔と、基板の中心部にガスを供給する第2のガス供給孔とを有し、前記第1のガス供給孔を通過するガスの流量を前記第2のガス供給孔を通過するガスの流量よりも大きくするように構成される付記1乃至5いずれかに記載の基板処理装置。
前記ガス供給部が有する前記ガス供給孔は、基板の周縁部にガスを供給する第1のガス供給孔と、基板の中心部にガスを供給する第2のガス供給孔とを有し、前記第1のガス供給孔を通過するガスの流速を前記第2のガス供給孔を通過するガスの流速よりも速くするように構成される付記1乃至5いずれかに記載の基板処理装置。
前記処理ガスは、少なくともプリカーサとなる原料ガスと、プリカーサと反応する反応ガスと、パージガスとを含み、
前記制御部は、前記処理室内に前記原料ガスを供給し、前記原料ガス供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガス供給後に前記反応ガスを前記基板周縁部に供給し、前記基板周縁部に反応ガスを供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の中心部に供給し、前記基板の中心部に反応ガスを供給後、前記パージガスを供給することを1サイクルとして、少なくとも1サイクル以上行うように前記ガス供給部を制御する、
付記1乃至9いずれかに記載の基板処理装置。
制御部は、パージガスを常時供給し続けるように制御する付記10に記載の基板処理装置。
前記処理ガスは、少なくともプリカーサとなる原料ガスと、プリカーサと反応する反応ガスと、パージガスとを含み、
前記制御部は、前記処理室内に前記原料ガスを供給し、前記原料ガス供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガス供給後に前記反応ガスを前記基板周縁部に供給し、前記基板周縁部に反応ガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の中心部に供給し、前記基板の中心部に反応ガスを供給後、前記パージガスを供給することを1サイクルとして、少なくとも1サイクル以上行うように前記ガス供給部を制御する、
付記1乃至9いずれかに記載の基板処理装置。
基板を処理室内へ搬送する工程と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給孔を備えたガス供給部によって前記基板の周縁部に対してガス供給し、前記基板の周縁部を処理する工程と、
前記基板の周縁部を処理する工程後、前記ガス供給部によって前記基板の中心部に対してガス供給し、前記基板の中心部を処理する工程と、
を有する基板処理方法。
基板を処理室内へ搬送する工程と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給孔を備えたガス供給部によって前記基板の周縁部に対してガス供給し、前記基板の周縁部を処理する工程と、
前記基板の周縁部を処理する工程後、前記ガス供給部によって前記基板の中心部に対してガス供給し、前記基板の中心部を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
基板を処理室内へ搬送する工程と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給孔を備えたガス供給部によって前記基板の周縁部に対してガス供給し、前記基板の周縁部を処理する工程と、
前記基板の周縁部を処理する工程後、前記ガス供給部によって前記基板の中心部に対してガス供給し、前記基板の中心部を処理する工程と、
を有する基板の製造方法。
基板を処理室内へ搬送する手順と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給孔を備えたガス供給部によって前記基板の周縁部に対してガス供給し、前記基板の周縁部を処理する手順と、
前記基板の周縁部を処理する工程後、前記ガス供給部によって前記基板の中心部に対してガス供給し、前記基板の中心部を処理する手順と、
を有するプログラム。
基板を処理室内へ搬送する手順と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給孔を備えたガス供給部によって前記基板の周縁部に対してガス供給し、前記基板の周縁部を処理する手順と、
前記基板の周縁部を処理する工程後、前記ガス供給部によって前記基板の中心部に対してガス供給し、前記基板の中心部を処理する手順と、
を有するプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
200 ウエハ(基板)
201 処理空間(処理室)
203 搬送空間
210 基板支持部
213 ヒータ
220 排気部
229a 第1のガス導入管
229b 第2のガス導入管
230 シャワーヘッド
231a 第1のガス導入口
231b 第2のガス導入口
232a 第1のバッファ空間
232b 第2のバッファ空間
236a、236b 貫通孔(ガス供給孔)
280 コントローラ
Claims (20)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に少なくともプリカーサとなる原料ガス、前記プリカーサと反応する反応ガス、パージガスを前記基板の中心部と前記基板の周縁部の夫々に独立して供給するガス供給孔を備えたガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記処理室内に前記原料ガスを供給し、前記原料ガスを供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の周縁部に供給し、前記反応ガスを前記基板の周縁部に供給した後に前記反応ガスを前記基板の中心部に供給し、前記反応ガスを供給後に前記パージガスを供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記ガス供給部は、内部空間が基板の周縁部にガス供給するための第1のバッファ空間と、基板の中心部にガス供給するための第2のバッファ空間とに分けられているシャワーヘッド構造を有する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記排気部は、前記基板の径方向外側に設けられる請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給部が基板の周縁部に処理ガスを供給する第1の供給面積と、基板の中心部に処理ガスを供給する第2の供給面積とが同面積である、請求項1から3のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記第1のバッファ空間と前記第2のバッファ空間はそれぞれ円錐形状を有する請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給部が有する前記ガス供給孔の径は、基板の周縁部にガスを供給する第1のガス供給孔と、基板の中心部にガスを供給する第2のガス供給孔とで径が異なるように構成される請求項1から5のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記第1のガス供給孔が前記第2のガス供給孔よりも径が大きく構成される請求項6記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給部が有する前記ガス供給孔は、基板の周縁部にガスを供給する第1のガス供給孔と、基板の中心部にガスを供給する第2のガス供給孔とを有し、前記第1のガス供給孔を通過するガスの流量を前記第2のガス供給孔を通過するガスの流量よりも大きくするように構成される請求項1から5のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給部が有する前記ガス供給孔は、基板の周縁部にガスを供給する第1のガス供給孔と、基板の中心部にガスを供給する第2のガス供給孔とを有し、前記第1のガス供給孔を通過するガスの流速を前記第2のガス供給孔を通過するガスの流速よりも速くするように構成される請求項1から5のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記処理室内に前記原料ガスを供給し、前記原料ガスを供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の周縁部に供給し、前記基板の周縁部に反応ガスを供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の中心部に供給し、前記基板の中心部に反応ガスを供給後、前記パージガスを供給することを1サイクルとして、少なくとも1サイクル以上行うよう前記ガス供給部を制御する請求項1から請求項9のうち、いずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記反応ガスを前記基板の周縁部に供給した後、前記基板の中心部に供給する前に、前記パージガスを供給するよう前記ガス供給部を制御する請求項1から請求項10のうち、いずれか1つに記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に少なくとも原料ガス、反応ガス、パージガスを前記基板の中心部と前記基板の周縁部の夫々に独立して供給するガス供給孔を備えたガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記処理室内に前記原料ガスを供給し、前記原料ガスを供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の周縁部に供給し、前記基板の周縁部に前記反応ガスを供給した後に前記パージガスを供給し、前記パージガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の中心部に供給し、前記基板の中心部に前記反応ガスを供給後に前記パージガスを供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、パージガスを常時供給し続けるように制御する請求項12に記載の基板処理装置。
- 基板を処理室内へ搬送する工程と、
前記処理室内に原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内にパージガスを供給する第1のパージ工程と、
前記第1のパージ工程後、前記処理室内に反応ガスを前記基板の周縁部に対して供給し、前記基板の周縁部を処理する工程と、
前記基板の周縁部を処理する工程後、前記反応ガスを前記基板の中心部に対して供給し、前記基板の中心部を処理する工程と、
前記基板の中心部を処理する工程後、前記処理室内に前記パージガスを供給する第2のパージ工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記処理室内に少なくとも原料ガス、反応ガス、パージガスを供給するガス供給部は、内部空間が基板の周縁部にガス供給するための第1のバッファ空間と、基板の中心部にガス供給するための第2のバッファ空間とに分けられているシャワーヘッド構造であって、前記基板の周縁部を処理する工程では、前記第1のバッファ空間から前記処理室内に反応ガスを前記基板の周縁部に対して供給し、前記基板の中心部を処理する工程では、前記第2のバッファ空間から前記反応ガスを前記基板の中心部に対して供給する請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理室内に少なくとも原料ガス、反応ガス、パージガスを供給するガス供給部が基板の周縁部に処理ガスを供給する第1のガス供給孔の総面積である第1の供給面積と、基板の中心部に処理ガスを供給する第2のガス供給孔の総面積である第2の供給面積とが同面積であって、前記基板の周縁部を処理する工程では、前記第1のガス供給孔から前記処理室内に反応ガスを前記基板の周縁部に対して供給し、前記基板の中心部を処理する工程では、前記第2のガス供給孔から前記反応ガスを前記基板の中心部に対して供給する、請求項14または請求項15に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の周縁部を処理する工程後、前記基板の中心部を処理する工程の前に、前記パージガスを供給する第3のパージ工程を有する請求項14から請求項16のうち、いずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を処理室内へ搬送する工程と、
前記処理室内に原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内にパージガスを供給する第1のパージ工程と、
前記第1のパージ工程後、前記処理室内に反応ガスを前記基板の周縁部に対して供給し、前記基板の周縁部を処理する工程と、
前記基板の周縁部を処理する工程後、前記パージガスを供給する第2のパージ工程と、
前記第2のパージ工程後、前記反応ガスを前記基板の中心部に対して供給し、前記基板の中心部を処理する工程と、
前記基板の中心部を処理する工程後、前記パージガスを供給する第3のパージ工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理室内へ搬送する手順と、
前記処理室内に原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内にパージガスを供給する第1のパージ手順と、
前記第1のパージ手順後、前記処理室内に反応ガスを前記基板の周縁部に対して供給し、前記基板の周縁部を処理する手順と、
前記基板の周縁部を処理する手順後、前記反応ガスを前記基板の中心部に対して供給し、前記基板の中心部を処理する手順と、
前記基板の中心部を処理する手順後、前記処理室内に前記パージガスを供給する第2のパージ手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板を処理室内へ搬送する手順と、
前記処理室内に原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内にパージガスを供給する第1のパージ手順と、
前記第1のパージ手順後、前記処理室内に反応ガスを前記基板の周縁部に対して供給し、前記基板の周縁部を処理する手順と、
前記基板の周縁部を処理する手順後、前記パージガスを供給する第2のパージ手順と、
前記第2のパージ手順後、前記反応ガスを前記基板の中心部に対して供給し、前記基板の中心部を処理する手順と、
前記基板の中心部を処理する手順後、前記パージガスを供給する第3のパージ手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
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