JP5011631B2 - 半導体製造装置および半導体製造システム - Google Patents
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Description
現在、薄膜を成長させる方法として主に分子線エピタキシー(MBE)法や有機金属気相成長(MOCVD)法が用いられている。このうち、MOCVD法は気相で輸送された原料で化学反応を起こして、生成した半導体を基板上に堆積させる方法であり、成膜時に供給するガスの流量を制御することで極薄膜形成や混晶比の制御を容易に行うことができる。また、原理的には大面積の基板に均一に結晶を成長させることが可能であることからMOCVD法は工業的に重要な方法である。
以上のようなことから最適化された条件で成長する部分は基板上の僅かな領域に限られ、大面積の基板上に組成および膜厚が均一な膜を形成できなかった。
まず、面内の膜質が不均一になる理由としては種々考えられるが、基板の成膜面に到達する直前のガス流の成膜面と平行な方向の活性化状態の不均一性が一因として考えられる。
さらに、垂直吹き付けガス流放電手段は、垂直吹き付けガス流の主流部内に位置するように設けられているため、垂直吹き付けガス流放電手段に生成物が付着・堆積し、この生成物が脱落することによって、反応容器内や基板成膜面を汚染してしまう場合もある。このような汚染を防ぐためには、頻繁に反応容器内を清掃しなければならないことに加え、半導体装置を用いて連続生産を行う場合には、清掃メンテナンスや清掃メンテナンス後の立ち上げのような生産に直接寄与しない時間が増大し、生産性が低下してしまう場合もある。
反応容器と、基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に原料ガスおよび補助ガスを供給するための複数のガス供給手段と、該ガス供給手段から前記基板の一方の面である成膜面方向へと流れるガスを活性化するように配置された複数のプラズマ発生手段と、を備え、
少なくとも1つ以上のプラズマ発生手段により活性化されたガスが、前記成膜面に対して略垂直に吹き付ける垂直吹き付けガス流が形成される半導体製造装置において、
前記複数のプラズマ発生手段として、V族元素を含む第1の原料ガスを活性化する第1のプラズマ発生手段と、
該第1のプラズマ発生手段および前記複数のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心に向かってプラズマ放電を行い、前記ガスを活性化する垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段とを設け、
前記複数のガス供給手段として、前記第1の原料ガスを供給し前記反応容器内に前記垂直吹き付けガス流を形成する第1のガス供給手段と、
該第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記第1の原料ガスとは異なるIII族元素を含む第2の原料ガスを前記垂直吹き付けガス流に合流するように供給する第2のガス供給手段と、
前記第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流に合流するように補助ガスを供給する第3のガス供給手段とを設けたことを特徴とする半導体製造装置である。
前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段が、少なくとも前記垂直吹き付けガス流の主流部から離れた位置に設置されることを特徴とする<1>に記載の半導体製造装置である。
前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段が、前記垂直吹き付けガス流の主流部を囲み、且つ、放電面が前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向と略平行に配置された円筒状電極であることを特徴とする<2>に記載の半導体製造装置である。
前記第1のガス供給手段及び前記第2のガス供給手段の少なくとも一方が、流量調整器を1つ以上含むことを特徴とする<1>に記載の半導体製造装置である。
反応容器と、基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に原料ガスおよび補助ガスを供給するための複数のガス供給手段と、該ガス供給手段から前記基板の一方の面である成膜面方向へと流れるガスを活性化するように配置された複数のプラズマ発生手段と、を備え、
少なくとも1つ以上のプラズマ発生手段により活性化されたガスが、前記成膜面に対して略垂直に吹き付ける垂直吹き付けガス流が形成され、
前記複数のプラズマ発生手段として、V族元素を含む第1の原料ガスを活性化する第1のプラズマ発生手段と、
該第1のプラズマ発生手段および前記複数のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心に向かってプラズマ放電を行い、前記ガスを活性化する垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段とを設け、
前記複数のガス供給手段として、前記第1の原料ガスを供給し前記反応容器内に前記垂直吹き付けガス流を形成する第1のガス供給手段と、
該第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記第1の原料ガスとは異なるIII族元素を含む第2の原料ガスを前記垂直吹き付けガス流に合流するように供給する第2のガス供給手段と、
前記第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流に合流するように補助ガスを供給する第3のガス供給手段とを設けた半導体製造装置を2つ以上含む半導体製造システムであって、
前記基板が、大気雰囲気と遮断された状態でいずれか1つの半導体製造装置の反応容器から他の半導体製造装置の反応容器へと移動可能な基板搬送手段を備えたことを特徴とする半導体製造システムである。
本発明の半導体製造装置は、反応容器と、基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に原料ガスおよび/または補助ガスを供給するための複数のガス供給手段と、該ガス供給手段から前記基板の一方の面である成膜面方向へと流れるガスを活性化するように配置された複数のプラズマ発生手段と、を備え、少なくとも1つ以上のプラズマ発生手段により活性化されたガスが、前記成膜面に対して略垂直に吹き付ける垂直吹き付けガス流が形成される半導体製造装置において、前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心に向かってプラズマ放電を行い、前記ガスを活性化する垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段を少なくとも1つ設けたことを特徴とする。
また、本発明の半導体製造装置に設けられる垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段は、垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心に向かってプラズマ放電を行い、前記ガスを活性化するため、基板の成膜面に到達する直前のガス流の成膜面と平行な方向の活性化状態を、従来の垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段を備えた半導体製造装置よりもより均一にでき、成膜面内の組成均一性を更に向上させることができる。
主流部内に位置するように垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段が設けられている場合には、垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段に生成物が付着・堆積し、脱落した生成物が反応容器内や基板成膜面を汚染してしまったり、連続生産を行う場合には、清掃メンテナンスや清掃メンテナンス後の立ち上げのような生産に直接寄与しない時間が増大し、生産性が低下してしまう場合もある。
また、複数のガス供給手段のうち、少なくとも1つは原料ガス供給手段である必要があり、補助ガスを供給するガス供給手段は必要に応じて設けても設けなくてもよい。
すなわち、複数のプラズマ発生手段のいずれか1つのプラズマ発生手段の第1のガス活性化領域から、該第1のガス活性化領域を通過し前記基板の成膜面側へと流れるガスを活性化する他のプラズマ発生手段の第2のガス活性化領域の間を流れるガスに合流するように、1種以上の原料ガスを供給するガス供給手段を設けることが好ましい。
なお、この場合の補助ガスを供給するガス供給手段は、生成物の付着、堆積、脱落による汚染を防ぐために、垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段のガス活性化領域の外側に位置するように設けることが特に好ましい。
一方、補助ガスとは、半導体の基本骨格を構成する必須/主要成分を含まないその他のガスを意味し、例えば、半導体の基本骨格を修飾する成分のみからなるガスや、キャリアガスとしてのみ機能するガス、放電状態を制御する機能のみを有するガス等や、あるいは、これらのいずれか2つ以上を兼有するガスであってもよい。
次に、本発明の半導体装置の具体例を図面を用いて説明する。
図1は本発明の半導体製造装置の一構成例を示す概略模式図であり、図中、1が、真空に排気しうる反応容器、2が排気口、3が基板ホルダー、4がヒーター、5が基板、5’が成膜面、6が石英管、7がマイクロ波導波管(プラズマ発生手段)、8、8’がガス導入管(ガス供給手段)、9aがガス導入管、9bがバルブ、9c、9dがガス管、10、10’がガス供給手段、11がガス導入管(ガス供給手段)、12が容量結合型高周波電極からなる円筒状電極(垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段)、13がアース電極、13’がアース配線、14がRF(高周波)導入端子、20が垂直吹き付けガス流(のガス流れ方向中心軸)、21が放電方向、100が半導体装置を表す。
ここで、ガス供給手段10、10’は、反応容器1側壁を貫通するように配置されたガス導入管9aと、ガス導入管9aの反応容器1外壁側の端に接続されたバルブ9bと、バルブ9bに接続された2本のガス管9c、9dから構成され、不図示のガス供給源に接続されたガス管9c、9d内を流れるガスが、バルブ9b、ガス導入管9aを介して反応容器1内へと供給できるようになっている。なお、バルブ9bに接続されるガス管は2本以上であってもよい。
また、図1に示すガス導入管9aはノズル状であるが、このノズルは円形になっても良いし、メッシュ状であっても良い。また、成膜面5’に形成される半導体薄膜の膜厚のより一層の均一化のために、ノズルの先端にガスの拡散板を設けても良い。
但し、面内の組成および膜厚が均一な半導体薄膜を形成するためには、少なくとも1種の原料ガスが2つ以上の活性化領域を通過したのち成膜面5’に到達することが好ましく、この点で、少なくとも1種の原料ガスは最も上部に位置するガス供給手段11から供給されることが好ましい。
この場合、ガス供給手段11から成膜面5’へと垂直に吹き付ける安定したガスの流れ(垂直吹き付けガス流20)が形成されると共に、このガスの流れに沿って直列に配置された2つのプラズマ発生手段7,12によりガスが十分に活性化される。さらに、垂直吹き付けガス流20のガス流れ方向に対して横方向に配置されたガス供給手段10,10’や、ガス供給手段8,8’からもガスが供給される場合には、一旦活性化されたガスが、これら横方向から供給されるガスと合流してもガスの流れが乱れにくく、且つ、十分に混合される。
なお、原料ガスの活性化状態の制御や膜欠陥防止等のために利用される補助ガスは、円筒状電極12の上部近傍に位置するガス供給手段8,8’から供給されることが好ましい。
まず、基板5を20〜1200℃に加熱し、例えば、原料としての窒素をガス導入管11から導入し、マイクロ波導波管7に2.45GHzのマイクロ波を供給し、石英管6内で放電させる。これにより窒素ガスは石英管6内で活性化された後、反応容器1内へと流入する。
この時、ガス管9aからキャリアガスと混合されたトリメチルガリウムガスを、ガス管9bからキャリアガスと混合されたトリメチルインジウムガスを導入し、バルブ9bで、所望の割合に混合すると共に、流量を調整し、ガス導入管9aより反応容器1内へと導入する。
また、ガス導入管8から補助ガスとして水素ガスを導入する。なお、必要に応じて、水素ガスの代わりに、He、Arのような不活性気体を補助ガスとして導入してもよい。
図2は本発明の半導体製造装置の他の構成例を示す概略模式図であり、7’が高周波コイル(プラズマ発生手段)、200が半導体製造装置、他の符号は、図1に示すものと同様である。
図2に示す半導体製造装置は、図1に示す半導体製造装置100と基本的に同様の構成を有するものであるが、マイクロ波導波管7の代わりに石英管6の回りに巻きつけられた高周波コイル7’を備えた点が異なる。
この半導体製造装置200でも、基本的な構成は半導体製造装置100と同様であるため、面内の組成および膜厚が均一な半導体薄膜を形成することができる。
また、本発明の半導体製造装置に用いられる複数のプラズマ発生手段の組み合わせは任意であり、図1,2に示すようなマイクロ波導波管と容量結合型高周波電極との組み合わせや、高周波コイルと容量結合型高周波電極との組み合わせに限られるものではない。
以上の図1,2に示した半導体装置の垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段としては円筒状電極12が利用されていたが、このような板状電極を利用した他の垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段の具体例を図1や2に示した半導体装置の構成を前提として図面を用いて説明する。
図3は、垂直吹き付けガス流のガス流れ方向と平行な面における板状電極(垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段)の形状および配置の具体例を示す概略模式図であり、図中、30,31,32が板状電極を表し、他の符号は図1,2中に示すものと同様である。なお、図中、反応容器等やガス供給手段等の他の構成は省略している。
これに対して、図3(b)に示す板状電極30のように放電面が若干下側を向き、垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心軸20に対してやや傾けた状態で配置したり、板状電極31のように放電面が若干上側を向き、垂直吹き付けガス流20のガス流れ方向に対してやや傾けた状態で配置したりすることもできる。
但し、垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心軸20に対して放電面が傾き過ぎると垂直吹き付けガス流の成膜面と平行な方向の活性化状態が不均一となり、成膜面内の組成が不均一となる場合があるため、放電面と垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心軸20との成す角度は、最大でも30度以下であることが好ましく、20度以下であることが好ましく、図3(a)に示すように0度であることが最も好ましい。
また、板状電極は、放電面が平坦なものに限定されるものではなく、例えば、図3(c)の板状電極32に示されるように、放電面が曲面であってもよい。
図4(a)に示す例は、垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心軸20から等距離に放電面が位置しており、理想的な電極形状ではある。しかし、半導体製造装置のメンテナンス性の向上や、装置構造の簡素化等、実用的な面も考慮した場合、図4(b)(c)に示すように、1枚の連続した円筒状電極を4つの部分に分割(電極33a、33b、33c、33d)したものであってもよく、放電面が平坦な電極(電極34a、34b、34c、34d)を4つ用いたものであってもよい。
この場合、4つの電極の各々に図1や図2に示されるようなアース配線が接続されたアース電極が電極の外周側に配置されると共に、RF(高周波)導入端子が接続される。
また、本発明の半導体製造装置は、これを2つ以上含む半導体製造システムとしても利用できる。この場合、本発明の半導体製造システムは、基板が、大気雰囲気と遮断された状態でいずれか1つの半導体製造装置の反応容器から他の半導体製造装置の反応容器へと移動可能な基板搬送手段を備えていることが好ましい。
また、半導体層と半導体層との界面が大気に曝されて酸化されたりコンタミやパーティクル等により汚染されたりすること無く連続成膜・多層成膜ができるため、高性能で界面欠陥の少ない半導体素子を得ることができる。
また、1の半導体層が形成される反応容器(第1の反応容器)と他の半導体層が形成される反応容器(第2の反応容器)との間は、例えば、大気雰囲気と遮断された状態で基板の搬送が可能な連結室によって接続することができる。この場合、第1の反応容器中のガスあるいは第2の反応容器中のガスが、拡散や圧力差によって他方の反応容器中へと流れ込まないように、ガスの流れを遮断する開閉式のゲートが設けられていることが好ましい。このようなゲートを設けることにより個々の半導体層の膜質や組成の制御性をより向上させることができる。
この場合、例えば、図1に示す半導体製造装置の基板ホルダー5よりも上部の構造部分(成膜システム)を、円形の反応容器の外周側に2つ以上接続した構成が挙げられる。この場合、反応容器の中心付近に基板ホルダーを設置し、各半導体層の形成に際しては、反応容器の外周側に接続された各々の成膜システム側から反応容器の中心へと流れる垂直吹き付けガス流に対して基板の成膜面が対向するように移動・回転させることで、各々の半導体層を基板上に積層することができる。
2 排気口
3 基板ホルダー
4 ヒーター
5 基板
5’ 成膜面
6 石英管
7 マイクロ波導波管(プラズマ発生手段)
7’ 高周波コイル(プラズマ発生手段)
8、8’ ガス導入管(ガス供給手段)
9a ガス導入管
9b バルブ
9c、9d ガス管
10、10’ ガス供給手段
11 ガス導入管(ガス供給手段)
12 円筒状(板状)電極(垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段)
13 アース電極
13’ アース配線
14 RF(高周波)導入端子
20 垂直吹き付けガス流(のガス流れ方向中心軸)
21 放電方向
30,31,32、33a〜33d、34a〜34d 板状電極
100、200 半導体装置
Claims (5)
- 反応容器と、基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に原料ガスおよび補助ガスを供給するための複数のガス供給手段と、該ガス供給手段から前記基板の一方の面である成膜面方向へと流れるガスを活性化するように配置された複数のプラズマ発生手段と、を備え、
少なくとも1つ以上のプラズマ発生手段により活性化されたガスが、前記成膜面に対して略垂直に吹き付ける垂直吹き付けガス流が形成される半導体製造装置において、
前記複数のプラズマ発生手段として、V族元素を含む第1の原料ガスを活性化する第1のプラズマ発生手段と、
該第1のプラズマ発生手段および前記複数のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心に向かってプラズマ放電を行い、前記ガスを活性化する垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段とを設け、
前記複数のガス供給手段として、前記第1の原料ガスを供給し前記反応容器内に前記垂直吹き付けガス流を形成する第1のガス供給手段と、
該第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記第1の原料ガスとは異なるIII族元素を含む第2の原料ガスを前記垂直吹き付けガス流に合流するように供給する第2のガス供給手段と、
前記第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流に合流するように補助ガスを供給する第3のガス供給手段とを設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段が、少なくとも前記垂直吹き付けガス流の主流部から離れた位置に設置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段が、前記垂直吹き付けガス流の主流部を囲み、且つ、放電面が前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向と略平行に配置された円筒状電極であることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記第1のガス供給手段及び前記第2のガス供給手段の少なくとも一方が、流量調整器を1つ以上含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 反応容器と、基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に原料ガスおよび補助ガスを供給するための複数のガス供給手段と、該ガス供給手段から前記基板の一方の面である成膜面方向へと流れるガスを活性化するように配置された複数のプラズマ発生手段と、を備え、
少なくとも1つ以上のプラズマ発生手段により活性化されたガスが、前記成膜面に対して略垂直に吹き付ける垂直吹き付けガス流が形成され、
前記複数のプラズマ発生手段として、V族元素を含む第1の原料ガスを活性化する第1のプラズマ発生手段と、
該第1のプラズマ発生手段および前記複数のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心に向かってプラズマ放電を行い、前記ガスを活性化する垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段とを設け、
前記複数のガス供給手段として、前記第1の原料ガスを供給し前記反応容器内に前記垂直吹き付けガス流を形成する第1のガス供給手段と、
該第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記第1の原料ガスとは異なるIII族元素を含む第2の原料ガスを前記垂直吹き付けガス流に合流するように供給する第2のガス供給手段と、
前記第1のガス供給手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向下流側であり且つ前記垂直吹き付けガス流活性化用プラズマ発生手段よりも前記垂直吹き付けガス流のガス流れ方向上流側に設けられ前記垂直吹き付けガス流に合流するように補助ガスを供給する第3のガス供給手段とを設けた半導体製造装置を2つ以上含む半導体製造システムであって、
前記基板が、大気雰囲気と遮断された状態でいずれか1つの半導体製造装置の反応容器から他の半導体製造装置の反応容器へと移動可能な基板搬送手段を備えたことを特徴とする半導体製造システム。
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