JPH0245916A - 気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板表面に原料ガスに応じた膜を気相
成長させる気相成長装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置の製造においては、エピタキシアル成
長とか眉間絶縁膜形成等の多くの工程において、気相成
長装置が用いられている。

第３図は従来の気相成長装置の一例の断面図である。

気相成長が行われる反応室９は、温調器４で所定温度に
調整され、供給管１より原料ガスが供給される。この反
・石室９に搬送器６により半導体基板５が搬送され、半
導体基板５の表面に原料ガスに応じた膜、例えばエピタ
キシアル成長膜あるいは眉間絶縁膜等が形成されるので
ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の気相成長装置においては、複数の半導体
基板に対して均一な濃度の原料ガスを複数の半導体基板
に対して、一方向より供給している為、原料ガス供給側
とその反対側では、原料ガスの濃度に差が生じる。その
為、複数の半導体基板に均一な膜を成長させることが出
来ないという欠点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の気相成長装置は、原料ガスを複数の半導体基板
に均一な濃度で供給する為の原料ガス供給口と排気口を
有している。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の第一の実施例の断面図である。

まず、前面パネル８が開いている時に搬送器６により半
導体基板５が温調器４で一定温度に保たれた炉内に搬送
される。その後、前面パネル８が閉じ、原料ガスが供給
管１より予備室２へ入る。さらに、原料ガス供給口３よ
り複数の半導体基板５へ均一な濃度で供給され、排気ロ
アにより半導体基板５の全領域より均一に排気が行われ
る。一定の反応時間経過後、原料ガスは供給が止められ
、排気も停止する。その後、前面カバー８が開き、半導
体基板５が搬送器６により搬出される。

第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。

前面パネル８が開き、半導体基板５は搬送器６によって
炉内に搬送される。一方、炉内は温調器４により一定の
温度に保たれている。次に、前面パネル８が閉じ、原料
ガスが供給管１より入り、原料ガス供給口３により半導
体基板５の置かれている領域全体に亘って均一に供給さ
れ、排気ロアより一様に排気される。一定の反応時間が
経過した後、前面パネル８が開き、搬送器６により半導
体基板５が搬出される。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、半導体基板の置かれて
いる領域全体に均一に原料ガスを供給することにより、
半導体基板間の気相成長膜のばらつきをなくす効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の気相成長装
置の一例の断面図である。 １・・・供給管、２・・・予備室、３・・・原料ガス供
給口、４・・・温調器、５・・・半導体基板、６・・・
搬送器、７・・・排気口、８・・・前面パネル、９・・
・反応室。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板に特定の膜を気相成長させる気相成長装置に
   おいて、気相成長の為の原料ガスを半導体基板全域に亘
   って、均一な濃度で供給する為の原料ガス供給口及び排
   気口を有することを特徴とする気相成長装置。