JPH05299411A - 常圧気相成長装置 - Google Patents
常圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH05299411A JPH05299411A JP9906692A JP9906692A JPH05299411A JP H05299411 A JPH05299411 A JP H05299411A JP 9906692 A JP9906692 A JP 9906692A JP 9906692 A JP9906692 A JP 9906692A JP H05299411 A JPH05299411 A JP H05299411A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- concentration
- flow rate
- material gas
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板上に常圧気相成長により形成される
膜の膜質を均一にする。 【構成】半導体基板１に吹きつけられた材料ガスを取り
入れるガス取入口５およびガス濃度分析装置６を具備
し、その濃度を自動調節する為の自動ガス流量制御装置
７およびガス流量制御器８を有する。
膜の膜質を均一にする。 【構成】半導体基板１に吹きつけられた材料ガスを取り
入れるガス取入口５およびガス濃度分析装置６を具備
し、その濃度を自動調節する為の自動ガス流量制御装置
７およびガス流量制御器８を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板表面に膜を気
相成長させる常圧気相成長装置に関する。
相成長させる常圧気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の製造においては、表面保
護膜や、層間絶縁膜形成等の多くの工程において常圧気
相成長装置が用いられている。
護膜や、層間絶縁膜形成等の多くの工程において常圧気
相成長装置が用いられている。
【０００３】図２は常圧気相成長装置の１例の断面図で
ある。半導体基板１はプレート２に乗せられ、ヒーター
３により保温された状態で材料ガス供給口４下へ運ばれ
る。そこで材料ガス流量制御器８によって制御されたガ
ス供給口４より材料ガスを吹きつけ、用途に応じた膜、
例えば表面保護膜、層間絶縁膜等が形成される。
ある。半導体基板１はプレート２に乗せられ、ヒーター
３により保温された状態で材料ガス供給口４下へ運ばれ
る。そこで材料ガス流量制御器８によって制御されたガ
ス供給口４より材料ガスを吹きつけ、用途に応じた膜、
例えば表面保護膜、層間絶縁膜等が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の常圧気
相成長装置においては、吹き出される材料ガスの流量調
整をガス種毎のガス流量制御器によって行なっている
為、特定ガスのガス流量制御器の変動等により吹き出さ
れるガスの濃度が一定ではなく、半導体基板上に毎回同
質の膜を形成することが困難であり、膜の熱処理後の形
状及びエッチングレート等にばらつきが生じるなどの問
題があった。
相成長装置においては、吹き出される材料ガスの流量調
整をガス種毎のガス流量制御器によって行なっている
為、特定ガスのガス流量制御器の変動等により吹き出さ
れるガスの濃度が一定ではなく、半導体基板上に毎回同
質の膜を形成することが困難であり、膜の熱処理後の形
状及びエッチングレート等にばらつきが生じるなどの問
題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の常圧気相成長装
置は、吹き出される材料ガスの濃度を一定に保つ為のガ
ス濃度分析装置及び自動ガス流量制御装置を有する。
置は、吹き出される材料ガスの濃度を一定に保つ為のガ
ス濃度分析装置及び自動ガス流量制御装置を有する。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。
る。図１は本発明の一実施例の断面図である。
【０００７】まずプレート２上に半導体基板１（ウェハ
ー）を乗せ、ヒーター３により保温された状態で材料ガ
ス供給口４下へ運ばれる。材料ガス供給口４は、半導体
基板１に向けて材料ガスを吹きつけて成膜を行なう。ま
た材料ガスはガス取入口５よりガス濃度分析装置６へ取
り入れられ、分析された濃度は信号として自動ガス流量
制御装置７へ送られる。自動ガス流量制御装置７は、各
種ガスの濃度を常に一定とする為、ガス流量制御器８へ
信号を送り、各種ガスの流量を調整し、常に吹き出され
るガスの濃度を一定に保つ。
ー）を乗せ、ヒーター３により保温された状態で材料ガ
ス供給口４下へ運ばれる。材料ガス供給口４は、半導体
基板１に向けて材料ガスを吹きつけて成膜を行なう。ま
た材料ガスはガス取入口５よりガス濃度分析装置６へ取
り入れられ、分析された濃度は信号として自動ガス流量
制御装置７へ送られる。自動ガス流量制御装置７は、各
種ガスの濃度を常に一定とする為、ガス流量制御器８へ
信号を送り、各種ガスの流量を調整し、常に吹き出され
るガスの濃度を一定に保つ。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板上に吹きつけるガスの濃度を一定に保つ事で、反応条
件を同一にし、毎回、同質の気相成長膜を形成できると
いう効果を有する。
板上に吹きつけるガスの濃度を一定に保つ事で、反応条
件を同一にし、毎回、同質の気相成長膜を形成できると
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の常圧気相成長装置の断面
図。
図。
【図２】従来の常圧気相成長装置の断面図。
１ 半導体基板 ２ プレート ３ ヒーター ４ 材料ガス供給口 ５ ガス取入口 ６ ガス濃度分析装置 ７ 自動ガス流量制御装置 ８ ガス流量制御器
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板に特定の膜を気相成長させる
常圧気相成長装置において、半導体基板上に吹き出され
た材料ガスの濃度を測定し、測定濃度をガス流量制御器
にフィードバックして材料ガスの濃度を一定に保つ為の
機能を有する常圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9906692A JPH05299411A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 常圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9906692A JPH05299411A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 常圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299411A true JPH05299411A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14237437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9906692A Withdrawn JPH05299411A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 常圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299411A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130125797A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Ying-Shih HSIAO | Vertical Heat Treating Furnace |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP9906692A patent/JPH05299411A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130125797A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Ying-Shih HSIAO | Vertical Heat Treating Furnace |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |