JPH06140343A - Ｃｖｄ装置及びその装置を使用する成膜方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置及びその装置を使用する成膜方法Info
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- JPH06140343A JPH06140343A JP29008092A JP29008092A JPH06140343A JP H06140343 A JPH06140343 A JP H06140343A JP 29008092 A JP29008092 A JP 29008092A JP 29008092 A JP29008092 A JP 29008092A JP H06140343 A JPH06140343 A JP H06140343A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】チャンバー側壁に吸着し易い原料ガスを用いて
膜厚が均一なＣＶＤ膜を形成することができる側壁加熱
型ＣＶＤ装置及びその装置を使用する成膜方法を提供す
る。 【構成】反応室１３内に配置された半導体基板を載置す
る支持台１と、上記支持台１を介して上記半導体基板２
を加熱するための加熱手段７と、上記半導体基板２上に
薄膜を形成するために用いる原料ガス５を供給するため
の原料ガス供給手段１１とを有するＣＶＤ装置におい
て、上記反応室内壁に、該内壁近傍の温度を上記原料ガ
スの沸点以上で、且つ該原料ガスの分解温度以下の所定
温度に保持するための少なくとも加熱手段を設ける。
膜厚が均一なＣＶＤ膜を形成することができる側壁加熱
型ＣＶＤ装置及びその装置を使用する成膜方法を提供す
る。 【構成】反応室１３内に配置された半導体基板を載置す
る支持台１と、上記支持台１を介して上記半導体基板２
を加熱するための加熱手段７と、上記半導体基板２上に
薄膜を形成するために用いる原料ガス５を供給するため
の原料ガス供給手段１１とを有するＣＶＤ装置におい
て、上記反応室内壁に、該内壁近傍の温度を上記原料ガ
スの沸点以上で、且つ該原料ガスの分解温度以下の所定
温度に保持するための少なくとも加熱手段を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、側壁加熱型ＣＶＤ装置
及びその装置を使用する成膜方法に係り、特に半導体装
置製造においてタングステン等の金属薄膜の形成に用い
る側壁加熱型減圧ＣＶＤ装置及びその装置を使用する成
膜方法に関するものである。
及びその装置を使用する成膜方法に係り、特に半導体装
置製造においてタングステン等の金属薄膜の形成に用い
る側壁加熱型減圧ＣＶＤ装置及びその装置を使用する成
膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造の際に用いられる金属
薄膜等の成膜装置の役割は、半導体装置の高集積に伴
い、近年特に重要になってきている。原料をガスで供給
し、気相反応あるいは基板表面における化学反応によっ
て薄膜を堆積形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion：化学気相成長）装置は、ＵＬＳＩ等の半導体装置
を製造する場合、不可欠な装置となっている。そのＣＶ
Ｄ装置では、基板表面上の原料ガス濃度が均一であるこ
とが重要であり、その均一性の良否が堆積形成されるＣ
ＶＤ膜の材質の均一性あるいは膜厚の均一性等の分布に
大きな影響を与える。従って、ＣＶＤ装置では反応時の
原料ガス濃度の均一性を向上させることが重要となって
いる。
薄膜等の成膜装置の役割は、半導体装置の高集積に伴
い、近年特に重要になってきている。原料をガスで供給
し、気相反応あるいは基板表面における化学反応によっ
て薄膜を堆積形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion：化学気相成長）装置は、ＵＬＳＩ等の半導体装置
を製造する場合、不可欠な装置となっている。そのＣＶ
Ｄ装置では、基板表面上の原料ガス濃度が均一であるこ
とが重要であり、その均一性の良否が堆積形成されるＣ
ＶＤ膜の材質の均一性あるいは膜厚の均一性等の分布に
大きな影響を与える。従って、ＣＶＤ装置では反応時の
原料ガス濃度の均一性を向上させることが重要となって
いる。
【０００３】図５は、通常用いられている枚葉式のコー
ルドウォール型ＬＰＣＶＤの模式図を示す。図に示すよ
うに、ヒーター６を下側に配するサセプター１上に載置
されたシリコン基板（ウェハ）２をチャンバー３内に配
し、チャンバー３の側壁には水冷管４が配置され、側壁
を冷却してコールドウォール３ａとしている。
ルドウォール型ＬＰＣＶＤの模式図を示す。図に示すよ
うに、ヒーター６を下側に配するサセプター１上に載置
されたシリコン基板（ウェハ）２をチャンバー３内に配
し、チャンバー３の側壁には水冷管４が配置され、側壁
を冷却してコールドウォール３ａとしている。
【０００４】この側壁の冷却は、反応室としてのチャン
バー３内にガス導入口を介して導入される原料ガス５が
側壁近傍付近で反応しないようになされる。
バー３内にガス導入口を介して導入される原料ガス５が
側壁近傍付近で反応しないようになされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなコールド
ウォール型のＣＶＤ装置では、タングステン（Ｗ）等の
薄膜を形成するために六弗化タングステン（ＷＦ6）等
沸点が低い原料ガスを用いる場合、ＷＦ6ガスは容易に
チャンバー側壁に吸着する。従って、その吸着によりチ
ェンバー内に供給された原料ガスのそれぞれの分圧が変
化してシリコン基板２上でＷを形成するための反応速度
が変化し、その結果、形成Ｗ薄膜の均一性を損ねること
になる。また、チャンバー３の側壁に吸着されるガスの
吸着量は、ガス結合状態等によって変化するため、ウェ
ハロット間の均一性が悪くなる。
ウォール型のＣＶＤ装置では、タングステン（Ｗ）等の
薄膜を形成するために六弗化タングステン（ＷＦ6）等
沸点が低い原料ガスを用いる場合、ＷＦ6ガスは容易に
チャンバー側壁に吸着する。従って、その吸着によりチ
ェンバー内に供給された原料ガスのそれぞれの分圧が変
化してシリコン基板２上でＷを形成するための反応速度
が変化し、その結果、形成Ｗ薄膜の均一性を損ねること
になる。また、チャンバー３の側壁に吸着されるガスの
吸着量は、ガス結合状態等によって変化するため、ウェ
ハロット間の均一性が悪くなる。
【０００６】また上記吸着の問題を解決すべくチャンバ
ー側壁を加熱する場合、装置全体を加熱することにな
り、チャンバー３内を真空に保持するために必要な部品
であるＯリングや装置をコントロールするための配線等
に障害を与える可能性がある。そのため、チャンバー側
壁を１００℃程度以上に加熱することは好ましくない。
また装置が、設置されているクリーンルームの空調に大
きな負荷をかけることになり、実際には５０℃前後の温
度が限界となる。従って、５０℃以上の温度に側壁を保
持しておきたい場合のＣＶＤ装置において問題となって
いる。
ー側壁を加熱する場合、装置全体を加熱することにな
り、チャンバー３内を真空に保持するために必要な部品
であるＯリングや装置をコントロールするための配線等
に障害を与える可能性がある。そのため、チャンバー側
壁を１００℃程度以上に加熱することは好ましくない。
また装置が、設置されているクリーンルームの空調に大
きな負荷をかけることになり、実際には５０℃前後の温
度が限界となる。従って、５０℃以上の温度に側壁を保
持しておきたい場合のＣＶＤ装置において問題となって
いる。
【０００７】そこで本発明は、チャンバー側壁に吸着し
易い原料ガスを用いて膜厚が均一なＣＶＤ膜を形成する
ことができる側壁加熱型ＣＶＤ装置及びその装置を使用
する成膜方法を提供することを目的とする。
易い原料ガスを用いて膜厚が均一なＣＶＤ膜を形成する
ことができる側壁加熱型ＣＶＤ装置及びその装置を使用
する成膜方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、反応室内に配置された半導体基板を載置する支持台
と、前記支持台を介して前記半導体基板を加熱するため
の加熱手段と、前記半導体基板上に薄膜を形成するため
に用いる原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と
を有するＣＶＤ装置において、前記反応室内壁に、該内
壁近傍の温度を前記原料ガスの沸点以上で、且つ該原料
ガスの分解温度以下の所定温度に保持するための少なく
とも加熱手段を設けたことを特徴とするＣＶＤ装置によ
って解決される。
ば、反応室内に配置された半導体基板を載置する支持台
と、前記支持台を介して前記半導体基板を加熱するため
の加熱手段と、前記半導体基板上に薄膜を形成するため
に用いる原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と
を有するＣＶＤ装置において、前記反応室内壁に、該内
壁近傍の温度を前記原料ガスの沸点以上で、且つ該原料
ガスの分解温度以下の所定温度に保持するための少なく
とも加熱手段を設けたことを特徴とするＣＶＤ装置によ
って解決される。
【０００９】また上記課題は本発明によれば、上記ＣＶ
Ｄ装置を用いて成膜する際に、前記原料ガスとして六弗
化タングステンを用い、且つ前記反応室内壁温度を４５
℃以上に保持することを特徴とするＣＶＤ装置を使用す
る成膜方法によって解決される。
Ｄ装置を用いて成膜する際に、前記原料ガスとして六弗
化タングステンを用い、且つ前記反応室内壁温度を４５
℃以上に保持することを特徴とするＣＶＤ装置を使用す
る成膜方法によって解決される。
【００１０】更に、上記課題は本発明によれば、上記Ｃ
ＶＤ装置を用いて成膜する際に、ブランケットタングス
テン膜を形成することを特徴とするＣＶＤ装置を使用す
る成膜方法によって解決される。
ＶＤ装置を用いて成膜する際に、ブランケットタングス
テン膜を形成することを特徴とするＣＶＤ装置を使用す
る成膜方法によって解決される。
【００１１】更に、上記課題は本発明によれば、上記Ｃ
ＶＤ装置を用いて成膜する際に、タングステンシリサイ
ド膜を形成することを特徴とするＣＶＤ装置を使用する
成膜方法によって解決される。
ＶＤ装置を用いて成膜する際に、タングステンシリサイ
ド膜を形成することを特徴とするＣＶＤ装置を使用する
成膜方法によって解決される。
【００１２】
【作用】本発明によれば、ＣＶＤ装置の反応室内壁１４
に、その内壁近傍の温度を原料ガスの沸点以上で且つそ
の原料ガスの分解温度以下の所定温度に保持するための
加熱手段１６が設けられているため、チャンバー側壁１
０に原料ガス５が吸着するのを防止することができる。
そのため、所定量の原料ガスを有効にしかも安定して成
膜反応に使用することができ、成膜の均一性を向上させ
ることができる。
に、その内壁近傍の温度を原料ガスの沸点以上で且つそ
の原料ガスの分解温度以下の所定温度に保持するための
加熱手段１６が設けられているため、チャンバー側壁１
０に原料ガス５が吸着するのを防止することができる。
そのため、所定量の原料ガスを有効にしかも安定して成
膜反応に使用することができ、成膜の均一性を向上させ
ることができる。
【００１３】本発明のＣＶＤ装置は、特に吸着しやすい
原料ガス、例えば六弗化タングステンを使用するブラン
ケットタングステン，タングステンシリサイド等の成膜
に有効果に用いられる。
原料ガス、例えば六弗化タングステンを使用するブラン
ケットタングステン，タングステンシリサイド等の成膜
に有効果に用いられる。
【００１４】更に、本発明によれば反応室外壁１５を冷
却することによって装置外部に対して温度上昇による不
具合を抑制することができる。
却することによって装置外部に対して温度上昇による不
具合を抑制することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１６】図１は、本発明に係る側壁加熱型ＣＶＤ装
置を示す模式断面図である。図１に示すように、本発明
に係る側壁加熱型ＣＶＤ装置は、後に図２で詳細に示す
内壁加熱、外側冷却の機能を有するチャンバー側壁１０
を有する。このチャンバー側壁１０を有する反応室とし
てのチャンバー１３内には、従来装置と同様のサセプタ
ー１上にシリコン基板（ウェハ）２を載置し、そのサセ
プター１をＩＲランプ（赤外線ランプ）７により所定温
度に加熱し、シリコン基板２及びその近傍を反応温度に
保持するように構成されている。なお、シリコン基板２
はクランプ機構８でクランプされている。
置を示す模式断面図である。図１に示すように、本発明
に係る側壁加熱型ＣＶＤ装置は、後に図２で詳細に示す
内壁加熱、外側冷却の機能を有するチャンバー側壁１０
を有する。このチャンバー側壁１０を有する反応室とし
てのチャンバー１３内には、従来装置と同様のサセプタ
ー１上にシリコン基板（ウェハ）２を載置し、そのサセ
プター１をＩＲランプ（赤外線ランプ）７により所定温
度に加熱し、シリコン基板２及びその近傍を反応温度に
保持するように構成されている。なお、シリコン基板２
はクランプ機構８でクランプされている。
【００１７】チャンバー１３室内には、原料ガス供給リ
ング１１を介して原料ガス混合室１２内で混合された原
料ガス５が真空排気ポンプ（図示せず）により送り込ま
れ、シリコン基板２上に反応生成物を堆積させる。
ング１１を介して原料ガス混合室１２内で混合された原
料ガス５が真空排気ポンプ（図示せず）により送り込ま
れ、シリコン基板２上に反応生成物を堆積させる。
【００１８】図２は、本発明に係るチャンバー側壁の一
実施例を示す模式図である。図２（ａ）に示すように、
チャンバー側壁１０はＡｌからなり、チャンバーの内壁
１４にニクロム線からなるヒーター１６、外壁１５に水
冷管１７を設ける。水冷管１７には、１５〜２０℃程度
の冷却水を流し、チャンバーの外側に対して内部の加熱
の影響を与えないように構成されている。また、チャン
バー側壁１０のヒーター１６と水冷管１７の間には、ヒ
ーターの熱を外側へ逃がさぬようにアルミナ等の熱絶縁
層１８を設けている。なお、本実施例のヒーター１６の
間に図２（ｂ）に示すように、水冷管２０を設けて冷却
機能を内壁１４に持たせ、内壁１４の温度をより制御す
ることもできる。
実施例を示す模式図である。図２（ａ）に示すように、
チャンバー側壁１０はＡｌからなり、チャンバーの内壁
１４にニクロム線からなるヒーター１６、外壁１５に水
冷管１７を設ける。水冷管１７には、１５〜２０℃程度
の冷却水を流し、チャンバーの外側に対して内部の加熱
の影響を与えないように構成されている。また、チャン
バー側壁１０のヒーター１６と水冷管１７の間には、ヒ
ーターの熱を外側へ逃がさぬようにアルミナ等の熱絶縁
層１８を設けている。なお、本実施例のヒーター１６の
間に図２（ｂ）に示すように、水冷管２０を設けて冷却
機能を内壁１４に持たせ、内壁１４の温度をより制御す
ることもできる。
【００１９】上記ＣＶＤ装置を用いてブランケットタン
グステン（以下ＢＬＫ−Ｗ）を形成する一つの方法を説
明する。ＢＬＫ−ＷのＣＶＤ膜の堆積形成条件を以下の
通りとした。
グステン（以下ＢＬＫ−Ｗ）を形成する一つの方法を説
明する。ＢＬＫ−ＷのＣＶＤ膜の堆積形成条件を以下の
通りとした。
【００２０】 反 応 温 度 ：４５０℃ チャンバー内圧力 ：１０ＫＰａ 原 料 ガ ス 組 成 ：ＷＦ6／Ｈ2＝２５／５００ｓｃｃ
ｍ 本実施例では、チャンバー内側のヒーター１６を４５℃
の温度まで加熱させ、一方、チャンバー外側の水冷管１
７には、２０℃程度に保持された冷却水を流した。
ｍ 本実施例では、チャンバー内側のヒーター１６を４５℃
の温度まで加熱させ、一方、チャンバー外側の水冷管１
７には、２０℃程度に保持された冷却水を流した。
【００２１】図３及び図４は本実施例の如く、チャンバ
ーの内側温度を４５℃とした場合、及び比較例として２
０℃とした場合のＢＬＫ−ＷＣＶＤ膜の特性結果を示
す。図３及び図４の横軸には、Run Numberとしてウェハ
の処理番号を示し、一方、縦軸はシート抵抗（最小値Mi
n,平均Ave,最大値Max）を示した。シート抵抗は抵抗率
を一定と仮定した場合、Ｗ薄膜の膜厚に反比例するもの
であり、図示されたシート抵抗値の分布の傾向はそのま
ま膜厚分布の傾向を示している。
ーの内側温度を４５℃とした場合、及び比較例として２
０℃とした場合のＢＬＫ−ＷＣＶＤ膜の特性結果を示
す。図３及び図４の横軸には、Run Numberとしてウェハ
の処理番号を示し、一方、縦軸はシート抵抗（最小値Mi
n,平均Ave,最大値Max）を示した。シート抵抗は抵抗率
を一定と仮定した場合、Ｗ薄膜の膜厚に反比例するもの
であり、図示されたシート抵抗値の分布の傾向はそのま
ま膜厚分布の傾向を示している。
【００２２】チャンバー側壁温度を２０℃にした場合
は、図４に示すように、１０Ｓで１５％もシート抵抗が
上昇しているのに対して、チャンバー側壁温度を４５℃
にした場合は、図３に示すように、わずか３％の上昇だ
けであった。また、２０℃の場合はウェハ面内の膜厚分
布も悪化しているのがわかる。従って、本発明装置を用
いれば、ウェハロット間の膜厚分布の低下を抑えること
ができる。
は、図４に示すように、１０Ｓで１５％もシート抵抗が
上昇しているのに対して、チャンバー側壁温度を４５℃
にした場合は、図３に示すように、わずか３％の上昇だ
けであった。また、２０℃の場合はウェハ面内の膜厚分
布も悪化しているのがわかる。従って、本発明装置を用
いれば、ウェハロット間の膜厚分布の低下を抑えること
ができる。
【００２３】次に、上記図１，２に示したＣＶＤ装置を
用いてＷＳｉ−ＣＶＤ膜形成を行った実施例を示す。本
実施例は、下記条件で行った。
用いてＷＳｉ−ＣＶＤ膜形成を行った実施例を示す。本
実施例は、下記条件で行った。
【００２４】 反 応 温 度 ：４００℃ チャンバー内圧力 ：１００Ｐａ 原 料 ガ ス 組 成 ：ＷＦ6／ＳｉＨ4／Ａｒ＝３／３５
０／５００ｓｃｃｍ チャンバー内壁温度は、５０℃に一定に保持させる。こ
の方法により、得られたＷＳｉ膜の膜厚分布は、上記４
５℃の場合と同様、３％以内に抑えることができた。Ｗ
Ｓｉ−ＣＶＤ膜の成膜工程では、上記形成条件にも示し
たように、吸着性の高いＷＦ6ガスを少流量で使用する
ため、本装置の利用効果は大である。
０／５００ｓｃｃｍ チャンバー内壁温度は、５０℃に一定に保持させる。こ
の方法により、得られたＷＳｉ膜の膜厚分布は、上記４
５℃の場合と同様、３％以内に抑えることができた。Ｗ
Ｓｉ−ＣＶＤ膜の成膜工程では、上記形成条件にも示し
たように、吸着性の高いＷＦ6ガスを少流量で使用する
ため、本装置の利用効果は大である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればＣ
ＶＤ膜を基板に堆積形成する際に、吸着し易い原料ガス
が反応室の側壁内に吸着せず、安定してＣＶＤ膜形成が
なされるため、それぞれの半導体基板に堆積形成される
タングステン等の金属薄膜がそれぞれの基板一枚では勿
論、各ロット間でも均質でしかも膜厚もより均一にな
る。
ＶＤ膜を基板に堆積形成する際に、吸着し易い原料ガス
が反応室の側壁内に吸着せず、安定してＣＶＤ膜形成が
なされるため、それぞれの半導体基板に堆積形成される
タングステン等の金属薄膜がそれぞれの基板一枚では勿
論、各ロット間でも均質でしかも膜厚もより均一にな
る。
【００２６】また、原料ガスの反応室側壁への吸着防止
がなされるため、原料ガスを有効に成膜反応に使用する
ことができる。
がなされるため、原料ガスを有効に成膜反応に使用する
ことができる。
【００２７】更にまた、本発明のＣＶＤ装置では、反応
室の外壁を１０〜２０℃程度に冷却しているため、ＣＶ
Ｄ装置の外部の配線や空調等の設備に悪影響を及ぼすこ
となく、反応室の内壁を高温に保持することができる。
室の外壁を１０〜２０℃程度に冷却しているため、ＣＶ
Ｄ装置の外部の配線や空調等の設備に悪影響を及ぼすこ
となく、反応室の内壁を高温に保持することができる。
【図１】本発明に係る側壁加熱型減圧ＣＶＤ装置を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図２】本発明に係るチャンバー側壁の構造を示す模式
断面図である。
断面図である。
【図３】チャンバー内壁温度を４５℃にした場合の本発
明に係るブランケットタングステンＣＶＤ膜の特性結果
を示す図である。
明に係るブランケットタングステンＣＶＤ膜の特性結果
を示す図である。
【図４】チャンバー内壁温度を２０℃にした場合の本発
明に係るブランケットタングステンＣＶＤ膜の特性結果
を示す図である。
明に係るブランケットタングステンＣＶＤ膜の特性結果
を示す図である。
【図５】従来のコールドウォール（側壁冷却）型減圧Ｃ
ＶＤ装置である。
ＶＤ装置である。
１ サセプタ ２ シリコン基板（ウェハ） ３ チャンバー（反応室） ４ 水冷管 ５ 原料ガス ６，７ ヒーター ８ クランプ機構 １０ チャンバー側壁 １１ 原料ガス供給リング １２ 原料ガス混合室 １３ チャンバー（反応室） １６ ヒーター １７，２０ 水冷管 １８ 熱絶縁層
Claims (5)
- 【請求項１】 反応室内に配置された半導体基板を載置
する支持台と、前記支持台を介して前記半導体基板を加
熱するための加熱手段と、前記半導体基板上に薄膜を形
成するために用いる原料ガスを供給するための原料ガス
供給手段とを有するＣＶＤ装置において、 前記反応室内壁に、該内壁近傍の温度を前記原料ガスの
沸点以上で、且つ該原料ガスの分解温度以下の所定温度
に保持するための少なくとも加熱手段を設けたことを特
徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記反応室側壁の外側壁に冷却手段を設
け、該反応室側壁の内壁に加熱手段を設けたことを特徴
とする請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のＣＶＤ装置を用いて成
膜する際に、前記原料ガスとして六弗化タングステンを
用い、且つ前記反応室内壁温度を４５℃以上に保持する
ことを特徴とするＣＶＤ装置を使用する成膜方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のＣＶＤ装置を用いて成
膜する際に、ブランケットタングステン膜を形成するこ
とを特徴とするＣＶＤ装置を使用する成膜方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載のＣＶＤ装置を用いて成
膜する際に、タングステンシリサイド膜を形成すること
を特徴とするＣＶＤ装置を使用する成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29008092A JP3154145B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | Ｃｖｄ装置及びその装置を使用する成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29008092A JP3154145B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | Ｃｖｄ装置及びその装置を使用する成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140343A true JPH06140343A (ja) | 1994-05-20 |
| JP3154145B2 JP3154145B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=17751543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29008092A Expired - Fee Related JP3154145B2 (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | Ｃｖｄ装置及びその装置を使用する成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3154145B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013811A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2011013810A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2011013812A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2016211038A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP29008092A patent/JP3154145B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013811A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2011013810A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| WO2011013812A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2011013811A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-01-10 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPWO2011013812A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-01-10 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
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