JP2016211038A - 遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1で示した遷移金属シリサイド膜(MSin膜)は、遷移金属内包シリコンクラスター同士がSi−Si結合することにより、遷移金属原子の第1近接原子及び第2近接原子がSi原子となる構造を有する。この構造を持つことにより、後述する半導体薄膜を形成することができる。
特許文献1以前の、従来知られていた金属的な電気特性を示す遷移金属シリサイド(例えば、MSi2)中では、遷移金属原子を内包したシリコンクラスターは存在しない。例えば、MSi2の結晶構造(C11b型)では、Mがタングステン(W)の場合で説明すると、W原子の周りに10個のSi原子が配位しているが、10個のSi原子の周りにも他のW原子が配置している。つまり、10個のSi原子は複数のW原子で共有している状態になっている。W原子にとっての最近接原子はSi原子になり、第2近接原子はW原子になっている。
特許文献1では、遷移金属内包シリコンクラスターが、最高占有分子軌道(HOMO)と最低非占有分子軌道(LUMO)のギャップEHLの開いた半導体であることに着目して、これを、凝集させることにより、有限のバンドギャップを有する半導体膜を作ることができることを提案した。特にMがモリブデン(Mo)又はWで、シリコン組成比n=10、12の遷移金属内包シリコンクラスターを堆積させたとき、形成される半導体膜のバンドギャップはトランジスタの室温動作に必要な値0.8eVを超える。内包する遷移金属原子の価電子数が奇数の時には、遷移金属内包シリコンクラスターの総価電子数が奇数(奇数電子系)になるので、厳密にはEHLが0eVとなる。しかし、遷移金属内包シリコンクラスターを凝集することにより、クラスター間に結合が形成され、構造の緩和を伴う電荷のやりとりをすることとなるので、偶数電子系の遷移金属内包シリコンクラスターを凝集した場合のように、半導体膜になる。つまり、EHLの代わりに、半占有軌道(SUMO)とLUMOのギャップESLが開いた遷移金属内包シリコンクラスターを凝集させることにより、半導体膜を形成することができる。
以上のように、特許文献1に係る前記遷移金属シリサイド膜MSin(但し、M:遷移金属、Si:シリコン、n=7−16)は、遷移金属とシリコンの化合物であり、遷移金属原子の周りを7個以上16個以下のSi原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第1及び第2近接原子にSiが配置されており、次のような特徴を備えている。第1は、水素脱離による劣化の抑制であり、第2は、電界効果による電気伝導制御性と高いキャリア移動度である。
本発明は、半導体装置に関し、本発明の遷移金属シリサイド膜を備えることを特徴とする。
本発明は、遷移金属シリサイド膜の製造方法に関し、遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを気相中で化学反応させることにより、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の前駆体を気相中で作製した後に、該前駆体を基板上に堆積して、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の遷移金属シリサイド膜を該基板上に作製することを特徴とする。例えば、遷移金属の原料ガスとして、フッ素と遷移金属から構成されるガス、塩素と遷移金属から構成されるガス、有機物と遷移金属から構成されるガスのうちの少なくともいずれかを用い、シリコンの原料ガスとして、水素とシリコンから構成されるシランガス、ジシランガス、トリシランガス、及び高次シランガス、塩素とシリコンから構成されるガス、有機物とシリコンから構成されるガスのうちの少なくともいずれかを用いる。例えば、遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを50℃以上420℃以下の温度に保持することにより、気相中で化学反応を生じさせる。例えば、遷移金属の原料ガスのみが吸収し、シリコンの原料ガスは吸収しない波長領域の光を用いることにより、気相中で化学反応を生じさせる。
本発明は、遷移金属シリサイド膜の製造装置に関し、遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを供給して、化学気相成長により遷移金属シリサイド膜を作製する製造装置であって、前記遷移金属の原料ガスと前記シリコンの原料ガスの温度を50℃以上420℃以下に保持する加熱機構を備えることを特徴とする。また、本発明は、遷移金属シリサイド膜の製造装置に関し、遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを供給して、化学気相成長により遷移金属シリサイド膜を作製する製造装置であって、前記遷移金属の原料ガスのみが吸収し、前記シリコンの原料ガスは吸収しない波長領域の光の照射機構を、備えることを特徴とする。
後述するように、Mがタングステン(W)でnが3より大14以下のMSin膜(WSin膜)の場合、0.1eVより大で1.5eV以下であった。この光学ギャップの値は、WSin膜の構成要素となる前駆体がエネルギーギャップを保持していることに起因する。例えば前駆体がW原子を内包したSi12クラスターの時に、該前駆体は1.3eV以上1.7eV以下のエネルギーギャップを保持している。WSin膜は、前駆体のエネルギーギャップを反映させることで、エネルギーギャップを形成する。また、前駆体同士がランダムに結合することで、シリコンのアモルファスネットワーク構造を形成し、WSin膜のエネルギーギャップの裾に状態を形成する。また、光学ギャップは、Si/Wの組成比nと正の相関を持っている。Si/Wの組成比nが増大すると、水素化アモルファスシリコン膜の光学ギャップ(約1.5eV以上で約2.0eV以下)に近くなる。
また、W以外の遷移金属Mとして、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、ハフニウム、タンタル、レニウム、オスミウム、イリジウムを用いた本発明の実施の形態のMSin膜においても、光学ギャップが0.1eV以上で1.5eV以下であり、Si/M組成比nと正の相関があることが類推できる。これは、各々のMとSiから構成される前駆体が、WとSiから構成される前駆体と同様に、固有のエネルギーギャップを持っていることに起因する。
MとSiの原料ガスを気相中で化学反応させて前駆体を作製し、該前駆体を基板に堆積することで、MSin膜を作製する。該前駆体がM原子を内包したSinクラスターである場合には、Mの原子番号ZとSi/M組成比nの和(Z+n)が86になると、M原子を内包したSinクラスターの電子状態が閉殻構造となり、安定組成となる。例えば、Z=77のイリジウムの場合、Si/イリジウムの組成比の最大値nは9(=86−77)となり、Z=72のハフニウムの場合、Si/ハフニウムの組成比の最大値nは14(=86−72)となり、Z=74のWの場合、Si/Wの組成比の最大値nは12(86−74)となる。よって、W原子を内包したSinクラスターの前駆体から作製したWSin膜のSi/W組成比nは12以下であることが好ましい。しかし、下記の実施の形態からも分かるように、WSin膜の作製中において、膜中にSiH4等のシリコン系原料ガスが取り込まれることで、WSin膜のSi/W組成比がプラス2程度のずれを生じる場合がある。これを利用して、目的とする組成比よりも小さい前駆体を気相中で作製し、これを堆積した後に、SiH4ガスとの反応で組成比を増加させる方法も有効である。なお、MSin膜を構成するMとSiが、膜中でM原子を内包したSinクラスター構造を維持している必要はなく、nが3より大で16以下の数値範囲である膜であれば有用である。
例えば、本発明の実施の形態のMSin膜を、半導体基板と金属電極の接触界面に挿入して、半導体基板、MSin膜、金属電極の順で積層された積層構造となすことにより、半導体基板、金属電極の順で積層された積層構造よりも、積層界面の接触抵抗を減少させ、金属電極と半導体基板の間で流れる電気の伝導率を向上させることが可能である。トランジスタのソース及びドレインの少なくともいずれかに該積層構造を備えるようにするとよい。
例えば、MSin膜を、チャネル領域として配置構成したトランジスタとすると、従来の水素化アモルファスシリコン膜をチャネル領域として配置構成したトランジスタよりも、駆動電流が向上する。
第一の理由は以下の通りである。前駆体とシリコン原料ガスを化学反応させるためには反応エネルギーが必要であり、ガス温度が反応エネルギーに満たない場合には、シリコン原料ガスと前駆体が衝突を繰り返しても化学反応が起きない。つまり、ガス温度が低い状況下でガス圧力を増大させても、前駆体のSi/M組成比が増大しない。
第二の理由は以下の通りである。Mの原子番号がZの時、前駆体のSi/M組成比が86−Zの値に達すると、気相安定性が高くなり、前駆体とシリコン原料ガスが衝突を繰り返しても、反応が進まなくなる。よって、Si/M組成比が86−Zの値に達した前駆体においては、シリコン原料ガスの圧力や温度を増大させても、前駆体のSi/M組成比は86−Zの値を越えて増大しない。
第一及び第二の理由からわかるように、MSin膜の組成を高精度に制御するためには、ガス圧力とガス温度を制御することが好ましい。
成膜室の外壁、内壁、成膜室内の堆積基板、堆積基板の支持機構、のいずれか1以上に加熱機構を設置することが好ましい。原料ガスを加熱するために、特に、成膜室の内壁、あるいは外壁に加熱機構を取り付けた構造とすることが好ましい。原料ガスを加熱するために、ガス導入配管の内壁、あるいは外壁に加熱機構を取り付けた構造とすることが好ましい。原料ガスを加熱するために、堆積基板に加熱機構を取り付けた構造とすることが好ましく、基板表面での反応促進よりも、基板近傍の気相における反応促進の効果がある。
遷移金属の原料ガスのみが光を吸収し、シリコンの原料ガスが光を吸収しない波長領域100nm以上300nm以下を利用することが好ましい。この波長領域の光源として、半導体レーザー、エキシマレーザー、エキシマランプ、及び、重水素ランプを製造装置に設置するとよい。
シリコンの原料ガスが光励起されることを防ぐために、短波長カットフィルターを、光源と成膜室の間に設置した構造としてもよい。あるいは、短波長カットフィルターの役割を持つ光導入透明窓を設置した構造としてもよい。
例えば、光が、遷移金属とシリコンの原料ガスに当たるように製造装置を構成し、光が原料ガスに当たる場所は、堆積基板の直上、ガス導入口から堆積基板までの間、ガス導入口、ガス導入経路内、のいずれか1以上とすることができる。
本発明の第1の実施の形態の遷移金属シリサイド膜について、図を参照して以下説明する。なお、遷移金属シリサイド膜の遷移金属がタングステンWの場合を代表例として説明する。
図5では、ヒーター28が成膜室27の外壁に設置される。ヒーター28は成膜室27内のガスを暖める機能を有する。基板ステージ31にも加熱機構を設置することにより、ガス温度の増大化を援助することができ、膜のSiリッチ化を促進することができる。
製造装置は、原料ガスや雰囲気ガス(希釈ガス)をそれぞれ貯蔵する複数のガスボンベ24を備え、原料ガス及び雰囲気ガスは、それぞれのガス配管26を経由して、成膜室27に導入される。
例えば、WSin膜を作製する場合には、原料ガスとしてSiH4とWF6を用いる。Si原料としてSi2H6やSi3H8といった高次シラン系ガスを用いることもでき、W原料としてWCl6といった塩化物系ガスを用いることもできる。高次シラン系ガスは、SiH4よりも反応性が高いことが特徴である。また、希釈ガスとしてArやH2ガスを用いてもよい。図示のように、複数のガスボンベ(図中左からWF6、SiH4、Ar、H2)からガスが供給される。
ガス配管26の途中にガス流量制御器25を設置することにより、成膜室27に導入するガス流量を制御する。成膜室27内の圧力は、成膜室27内に設置した圧力計32で確認を行い、ガスの排気(図中の矢印)のための排気口29に設置したバルブ30の絞りを調整することにより、成膜室内の圧力を制御する。成膜室内でSiH4とWF6の気相反応を起こすためには、反応空間を充分に確保する必要があり、ガスの排気口29とガス導入口の距離が充分に離れていること、及び、成膜室の容量が充分に大きいことが望ましい。反応空間を大きくすることにより、成膜室内において充分な気相反応を起こすことができる。例えば、成膜室の大きさとして、直径203mm、長さ1mの単管を用いることで、WSin膜を作製することができる。
SiH4とWF6を用いてWSin膜を作製する場合、SiH4は約150nm以下の波長領域の光で励起され、WF6は約200nm以下の波長領域の光で励起される。従って、約150nm以下の波長領域の光を用いると、SiH4とWF6の両方が光励起されてしまい、SiH4同士の反応が進み、アモルファスSi膜が形成されてしまう。これを防ぐためには、SiH4は光励起せずにWF6のみが選択的に光励起されるような波長領域の光を用いる必要があることから、約150nmより大で約200nm以下の範囲内の波長の光を用いることで原料ガスを選択的に光励起、即ち、WF6のみを光励起して、WSin膜を作製することができる。例えば、中心波長172nmのXeエキシマランプが適用できる。また、光透過窓33に約150nm以下の波長領域の光を遮断する材質を用いることや、約150nm以下の波長領域の光を遮断するフィルターを光透過窓とランプの間に挿入することにより、同様の効果を得ることができる。
Si原料として、SiH4ではなく、Si2H6を用いる場合には、約190nmから200nmの波長領域の光を用いることにより、Si原料ガス同士の反応を防ぎ、WSin膜を作製することができる。Si原料としてSi3H8を用いる場合には、Si3H8が約210nmの波長領域以下の光を吸収することから、WF6の選択的な光励起は不可能である。
光源の設置場所は、基板の直上位置、基板と平行位置、基板と離れた成膜室内の任意の位置、ガス配管の導入口等のうちのいずれの位置でも有効である。
光は、光照射範囲が広く、光強度が強いほど、WSin膜の成膜速度を増大することができる。レーザー光においてもWSin膜を作製することはできるが、成膜速度の観点からは、光照射範囲の広いランプ光の方が望ましい。
本実施の形態は、遷移金属シリサイド膜を、半導体装置における電極積層構造に適用した例である。該構造は、遷移金属シリサイド膜を、半導体基板と金属電極の接触界面に挿入した積層構造であり、半導体基板、遷移金属シリサイド膜、金属電極の順で積層して形成される。
本実施の形態は、遷移金属シリサイド膜を半導体層として適用した例である。
図20は、WSin膜のチャネル層から構成される薄膜トランジスタの断面模式図である。WSin膜の高いキャリア移動度を利用することにより、薄膜トランジスタの駆動力を向上させることができる。図では、ガラス基板60の上にWSin膜42が形成され、WSin膜42上に、ゲート構造部ではゲート絶縁膜43と金属電極44が積層され、ソース/ドレイン構造部では金属電極44が設けられている。
図21は、WSin膜のチャネル層から構成される薄膜トランジスタの断面模式図である。WSin膜42はガラス基板60から金属電極44にかけて、Si組成比nが段階的あるいは連続的に減少するように構成されている。ゲート構造部では、ゲート絶縁膜43下のチャネル層となる箇所は、高いSi組成比nで構成することにより、高いキャリア移動度を得ることができ、ソース/ドレイン構造部では、金属電極44と接触する箇所を、低いSi組成比nで構成することにより、低い電気抵抗率を得ることができる。その結果、全体として、薄膜トランジスタの駆動力を向上させることができる。
2 WSi12膜
3 基板
4 WSin前駆体
12 アモルファス状態のWSin膜
13 石英ガラス基板
22 エピタキシャル結晶状態のWSin膜
23 清浄表面を有するSi基板
24 ガスボンベ
25 ガス流量制御器
26 ガス配管
27 成膜室
28 ヒーター
29 排気口
30 バルブ
31 基板ステージ
32 圧力計
33 光透過窓
34 ランプ
40 P型Si基板
41 N型Si基板
42 WSin膜
43 ゲート絶縁膜
44 金属電極
50 Si基板又はSOI基板
51 WSi12膜
52 WSi10膜
53 WSi6膜
54 WSi4膜
55 WSi2膜
56 W膜
57 SiO2膜
58 Siナノワイヤー
60 ガラス基板
Claims (10)
- シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の遷移金属シリサイド膜であり、遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスの化学反応により作製されたことを特徴とする遷移金属シリサイド膜。
- 前記遷移金属は、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウムのうちの少なくとも1つ以上であることを特徴とする請求項1に記載の遷移金属シリサイド膜。
- 前記遷移金属がタングステンで、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で14以下であることを特徴とする請求項1に記載の遷移金属シリサイド膜。
- 請求項1に記載の遷移金属シリサイド膜を備える半導体装置。
- 遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを気相中で化学反応させることにより、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の前駆体を気相中で作製した後に、該前駆体を基板上に堆積して、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の遷移金属シリサイド膜を該基板上に作製することを特徴とする遷移金属シリサイド膜の製造方法。
- 遷移金属の原料ガスとして、フッ素と遷移金属から構成されるガス、塩素と遷移金属から構成されるガス、有機物と遷移金属から構成されるガスのうちの少なくともいずれかを用い、シリコンの原料ガスとして、水素とシリコンから構成されるシランガス、ジシランガス、トリシランガス、及び高次シランガス、塩素とシリコンから構成されるガス、有機物とシリコンから構成されるガスのうちの少なくともいずれかを用いることを特徴とする請求項5に記載の遷移金属シリサイド膜の製造方法。
- 遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを50℃以上420℃以下の温度に保持することにより、気相中で化学反応を生じさせることを特徴とする請求項5に記載の遷移金属シリサイド膜の製造方法。
- 遷移金属の原料ガスのみが吸収し、シリコンの原料ガスは吸収しない波長領域の光を用いることにより、気相中で化学反応を生じさせることを特徴とする、請求項5に記載の遷移金属シリサイド膜の製造方法。
- 遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを供給して、化学気相成長により遷移金属シリサイド膜を作製する製造装置であって、前記遷移金属の原料ガスと前記シリコンの原料ガスの温度を50℃以上420℃以下に保持する加熱機構を備えることを特徴とする遷移金属シリサイド膜の製造装置。
- 遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを供給して、化学気相成長により遷移金属シリサイド膜を作製する製造装置であって、前記遷移金属の原料ガスのみが吸収し、前記シリコンの原料ガスは吸収しない波長領域の光の照射機構を、備えることを特徴とする遷移金属シリサイド膜の製造装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112017003779T5 (de) | 2016-07-27 | 2019-04-18 | Denso Corporation | Steuerungssystem |
WO2019093207A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 導電性積層体及び電子素子 |
CN113718227A (zh) * | 2020-05-25 | 2021-11-30 | 中国科学院金属研究所 | 一类二维层状三元化合物及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178622A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS62249415A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-30 | ダウ コ−ニング コ−ポレ−シヨン | シリコン含有膜の形成方法 |
JPS6345373A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-26 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | ケイ素高含有ケイ化タングステンを付着させる方法 |
JPH05504660A (ja) * | 1990-05-04 | 1993-07-15 | ヴァルツァー・アクチェンゲゼルシャフト | 二珪化タングステンcvd |
JPH06140343A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Sony Corp | Cvd装置及びその装置を使用する成膜方法 |
-
2015
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178622A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS62249415A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-10-30 | ダウ コ−ニング コ−ポレ−シヨン | シリコン含有膜の形成方法 |
JPS6345373A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-26 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | ケイ素高含有ケイ化タングステンを付着させる方法 |
JPH05504660A (ja) * | 1990-05-04 | 1993-07-15 | ヴァルツァー・アクチェンゲゼルシャフト | 二珪化タングステンcvd |
JPH06140343A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Sony Corp | Cvd装置及びその装置を使用する成膜方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112017003779T5 (de) | 2016-07-27 | 2019-04-18 | Denso Corporation | Steuerungssystem |
WO2019093207A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 導電性積層体及び電子素子 |
CN113718227A (zh) * | 2020-05-25 | 2021-11-30 | 中国科学院金属研究所 | 一类二维层状三元化合物及其制备方法 |
CN113718227B (zh) * | 2020-05-25 | 2022-07-26 | 中国科学院金属研究所 | 一类二维层状三元化合物及其制备方法 |
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