JPS60178622A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60178622A JPS60178622A JP3432784A JP3432784A JPS60178622A JP S60178622 A JPS60178622 A JP S60178622A JP 3432784 A JP3432784 A JP 3432784A JP 3432784 A JP3432784 A JP 3432784A JP S60178622 A JPS60178622 A JP S60178622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- laser
- gas
- reaction chamber
- silicide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、高融点金属シリサイド膜を電極或いは配線と
する半導体装置を製造するのに好適な方法に関する。
する半導体装置を製造するのに好適な方法に関する。
従来技術と問題点
近年、半導体装置に於ける電極或いは配線として高融点
金属シリサイド膜、例えばタングステン・シリサイド（
ＷＳｉｚ）膜等が盛んに用いられるようになり、そして
、このような高融点金属シリサイド膜を形成するには、
通常、スパッタ・デポジション法を適用している。
金属シリサイド膜、例えばタングステン・シリサイド（
ＷＳｉｚ）膜等が盛んに用いられるようになり、そして
、このような高融点金属シリサイド膜を形成するには、
通常、スパッタ・デポジション法を適用している。
このスパッタ・デポジション法とは、高融点金属シリサ
イドからなるターゲットにプラズマ放電に依り生成した
アルゴン・イオンを衝突させ、前記ターゲットの一部を
叩き出し、それを基板上に付着させる技術である。
イドからなるターゲットにプラズマ放電に依り生成した
アルゴン・イオンを衝突させ、前記ターゲットの一部を
叩き出し、それを基板上に付着させる技術である。
この技術を実施する場合、前記基板は、当然、プラズマ
放電の近傍に配置されなければならず、その結果、前記
基板はイオン等の放射線に依る損傷を受けたり、形成さ
れた高融点金属シリサイド膜中にアルゴンが多量に取り
込まれて抵抗値が大になる欠点がある。
放電の近傍に配置されなければならず、その結果、前記
基板はイオン等の放射線に依る損傷を受けたり、形成さ
れた高融点金属シリサイド膜中にアルゴンが多量に取り
込まれて抵抗値が大になる欠点がある。
発明の目的
本発明は、基板上に高融点金属シリサイド膜を形成する
場合に、基板がイオン等の放射線に依る損傷を受けない
ように、また、基板中にアルゴンが取り込まれて抵抗値
が大になることを防止することができるように、しかも
、組成比の制御性を良好に維持できる半導体装置の製造
方法を提供する。
場合に、基板がイオン等の放射線に依る損傷を受けない
ように、また、基板中にアルゴンが取り込まれて抵抗値
が大になることを防止することができるように、しかも
、組成比の制御性を良好に維持できる半導体装置の製造
方法を提供する。
発明の構成
本発明に於ける半導体装置の製造方法に於いては、基板
が配置されている反応室内にガス状のシリコン化合物及
びガス状の高融点金属化合物を導入し、それぞれのガス
が共鳴吸収を起こして分解することを可能にする２種類
の波長の光を前記反応室内に導入し、前記各ガスの分解
を独立に行って得られた物質を前記基板上に被着させ任
意の組成を有する高融点金属シリサイド膜を形成する工
程が含まれてなる構成を採っている。
が配置されている反応室内にガス状のシリコン化合物及
びガス状の高融点金属化合物を導入し、それぞれのガス
が共鳴吸収を起こして分解することを可能にする２種類
の波長の光を前記反応室内に導入し、前記各ガスの分解
を独立に行って得られた物質を前記基板上に被着させ任
意の組成を有する高融点金属シリサイド膜を形成する工
程が含まれてなる構成を採っている。
このように、本発明では光化学反応を用いているもので
あり、プラズマ放電を利用し′Ｃいないから荷電粒子の
生成はなく、従って、前記基板が放射線に依って損傷さ
れることはなく、勿論、アルゴン・イオンも使用しない
から形成された高融点金属シリサイド膜中にアルゴンが
取り込まれて抵抗値が大になる欠点を生ずることもない
。
あり、プラズマ放電を利用し′Ｃいないから荷電粒子の
生成はなく、従って、前記基板が放射線に依って損傷さ
れることはなく、勿論、アルゴン・イオンも使用しない
から形成された高融点金属シリサイド膜中にアルゴンが
取り込まれて抵抗値が大になる欠点を生ずることもない
。
発明の実施例
通常、全てのガスは光の波長に対して独特の吸収特性を
示し、また、ある波長の光に対しては急激に吸収係数が
大きくなる、所謂、共鳴吸収と呼ばれる現象をおこす。
示し、また、ある波長の光に対しては急激に吸収係数が
大きくなる、所謂、共鳴吸収と呼ばれる現象をおこす。
この共鳴吸収は、基底状態の分子と励起状態の分子との
間のエネルギ差に等しい光が入射した場合に発生する。
間のエネルギ差に等しい光が入射した場合に発生する。
例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）であれば１０゜５９〔
μｍ〕の波長を有する光に依り共鳴吸収が発生し、また
、タングステン・ヘキサ・カルボニル（Ｗ （Ｃｏ）ｅ
）であれば０．２６ （＃ｍ）の波長を有する光に依り
共鳴吸収を発生する。
μｍ〕の波長を有する光に依り共鳴吸収が発生し、また
、タングステン・ヘキサ・カルボニル（Ｗ （Ｃｏ）ｅ
）であれば０．２６ （＃ｍ）の波長を有する光に依り
共鳴吸収を発生する。
そこで、例えば前記２種類の光を前記各ガスの混合ガス
に照射し、光化学反応に依って分解且つ反応させ、タン
グステン・シリサイド膜を形成する。
に照射し、光化学反応に依って分解且つ反応させ、タン
グステン・シリサイド膜を形成する。
この場合、２種類のガスに於ける分解を独立に制御する
ことが可能であるから、任意の組成比を有するタングス
テン・シリサイド膜を形成することができる。
ことが可能であるから、任意の組成比を有するタングス
テン・シリサイド膜を形成することができる。
図は本発明を実施して基板にタングステン・シリサイド
膜を形成する装置の一例を表す要部斜面図である。
膜を形成する装置の一例を表す要部斜面図である。
図に於いて、１は反応室、２は例えば合成石英で作製さ
れたレーザ光導入窓、３は排気管、４はガス供給管、５
は基板移動ステージ、６は基板、７は円筒面レンズ、８
は炭酸ガス・レーザ、９は銅イオン・レーザをそれぞれ
示している。
れたレーザ光導入窓、３は排気管、４はガス供給管、５
は基板移動ステージ、６は基板、７は円筒面レンズ、８
は炭酸ガス・レーザ、９は銅イオン・レーザをそれぞれ
示している。
この装置に於いて、炭酸ガス・レーザ８は波長１０．５
９（μｍ〕の光を発生し、モノシランはこのレーザ光で
共鳴吸収を起こして分子の結合が切れる。また、銅イオ
ン・レーザ９は波長０．２６〔μｍ〕の光を発生し、タ
ングステン・ヘキサ・カルボニルはこのレーザ光で共鳴
吸収を起こしてタングステン原子が生成される。
９（μｍ〕の光を発生し、モノシランはこのレーザ光で
共鳴吸収を起こして分子の結合が切れる。また、銅イオ
ン・レーザ９は波長０．２６〔μｍ〕の光を発生し、タ
ングステン・ヘキサ・カルボニルはこのレーザ光で共鳴
吸収を起こしてタングステン原子が生成される。
従って、タングステン・シリサイド膜を形成する際には
、光源として前記のようなレーザ８及び９を用いること
が好ましい。
、光源として前記のようなレーザ８及び９を用いること
が好ましい。
タングステン・シリサイド膜を形成する工程は次ぎの通
りである。
りである。
化学洗浄した基板６を基板移動ステージ５上に載置し、
残留ガスの影響を除去する為、排気管３を介して５Ｘｌ
Ｏ−３（Ｔｏｒｒ）程度にまで排気する。
残留ガスの影響を除去する為、排気管３を介して５Ｘｌ
Ｏ−３（Ｔｏｒｒ）程度にまで排気する。
ソース・ガスであるモノシラン・ガス及びタングステン
・ヘキサ・カルボニル・ガスの混合ガスをガス供給管４
から反応室ｌ内に送入し、内部の圧力を約５（Ｔｏｒｒ
）程度にする。
・ヘキサ・カルボニル・ガスの混合ガスをガス供給管４
から反応室ｌ内に送入し、内部の圧力を約５（Ｔｏｒｒ
）程度にする。
基板６の走査を開始する。尚、これは、基板６の全面に
デポジションを行う為である。
デポジションを行う為である。
炭酸ガス・レーザ８からのレーザ光及び銅イオン・レー
ザ９からのレーザ光をそれぞれ円筒面レンズ７及びレー
ザ光導入窓２を介して反応室】内に導入する。
ザ９からのレーザ光をそれぞれ円筒面レンズ７及びレー
ザ光導入窓２を介して反応室】内に導入する。
それぞれのレーザ８及び９の出力を適当に調節すること
に依り、次ぎに示す反応で基板６の全面にタングステン
・シリサイド膜が形成される。
に依り、次ぎに示す反応で基板６の全面にタングステン
・シリサイド膜が形成される。
ｈ ν
２ＳｉＨ４２Ｓｉ＋４Ｈ２↑
Ｗ ＋ ２３ ｉ Ｗ Ｓ ｉ ２
前記のようにすれば、実用上からは充分な反応が行われ
るが、若し、反応速度を上昇させたい場合には、基板６
を加熱して温度を上昇させると良い。
るが、若し、反応速度を上昇させたい場合には、基板６
を加熱して温度を上昇させると良い。
発明の効果
本発明に於ける半導体装置の製造方法に依れば、基板が
配置されている反応室内にガス状のシリコン化合物及び
ガス状の高融点金属化合物を導入し、それぞれのガスが
共鳴吸収を起こして分解することを可能にする２種類の
波長の光を前記反応室内に導入し、前記各ガスの分解を
独立に行って得られた物質を前記基板上に被着させ任意
の組成を有する高融点金属シリサイド膜を形成する工程
が含まれる構成を採っている。
配置されている反応室内にガス状のシリコン化合物及び
ガス状の高融点金属化合物を導入し、それぞれのガスが
共鳴吸収を起こして分解することを可能にする２種類の
波長の光を前記反応室内に導入し、前記各ガスの分解を
独立に行って得られた物質を前記基板上に被着させ任意
の組成を有する高融点金属シリサイド膜を形成する工程
が含まれる構成を採っている。
従って、本発明では、高融点金属シリサイド膜を構成す
る物質を含む２種類のガスがそれぞれ対応する２種類の
波長の光に対して共鳴吸収を起こすごとを利用した光化
学反応で分解し、それに依って得られた物質を基板に被
着することに依って前記高融点金属シリサイド膜を形成
しているので、プラズマ放電を利用して生成されたアル
ゴン・イオンを用いる技術と比較すると、基板がイオン
で損傷されることは皆無であり、また、得られた高融点
金属シリサイド膜中にアルゴンが取り込まれて抵抗値が
高くなる戊もなく、しかも、前記２種類の波長の光を制
御することに依って、高融点金属シリサイド層に於ける
組成比を任意に制御することができる。
る物質を含む２種類のガスがそれぞれ対応する２種類の
波長の光に対して共鳴吸収を起こすごとを利用した光化
学反応で分解し、それに依って得られた物質を基板に被
着することに依って前記高融点金属シリサイド膜を形成
しているので、プラズマ放電を利用して生成されたアル
ゴン・イオンを用いる技術と比較すると、基板がイオン
で損傷されることは皆無であり、また、得られた高融点
金属シリサイド膜中にアルゴンが取り込まれて抵抗値が
高くなる戊もなく、しかも、前記２種類の波長の光を制
御することに依って、高融点金属シリサイド層に於ける
組成比を任意に制御することができる。
図は本発明を実施する装置の一例を示す要部斜面図を表
している。 図に於いて、ｌは反応室、２は例えば合成石英で作製さ
れたレーザ光導入窓、３は排気管、４はガス供給管、５
は基板移動ステージ、６は基板、７は円筒面レンズ、８
は炭酸ガス・レーザ、９は銅イオン・レーザをそれぞれ
示している。
している。 図に於いて、ｌは反応室、２は例えば合成石英で作製さ
れたレーザ光導入窓、３は排気管、４はガス供給管、５
は基板移動ステージ、６は基板、７は円筒面レンズ、８
は炭酸ガス・レーザ、９は銅イオン・レーザをそれぞれ
示している。
Claims (1)
- 基板が配置されている反応室内にガス状のシリコン化合
物及びガス状の高融点金属化合物を導入し、それぞれの
ガスが共鳴吸収を起こして分解することを可能にする２
種類の波長の光を前記反応室内に導入し、前記各ガスの
分解を独立に行って得られた物質を前記基板上に被着さ
せ任意の組成を有する高融点金属シリサイド膜を形成す
る工程が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3432784A JPS60178622A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3432784A JPS60178622A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178622A true JPS60178622A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12411056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3432784A Pending JPS60178622A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178622A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60206445A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Canon Inc | 光化学気相成長方法 |
| JPS60211077A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-23 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 合金導電膜の形成方法 |
| JP2016211038A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置 |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP3432784A patent/JPS60178622A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60206445A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Canon Inc | 光化学気相成長方法 |
| JPS60211077A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-23 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 合金導電膜の形成方法 |
| JPH036992B2 (ja) * | 1984-04-05 | 1991-01-31 | Fuji Denki Sogo Kenkyusho Kk | |
| JP2016211038A (ja) * | 2015-05-08 | 2016-12-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置 |
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