JPS60236215A - レ−ザcvd方法 - Google Patents
レ−ザcvd方法Info
- Publication number
- JPS60236215A JPS60236215A JP9253684A JP9253684A JPS60236215A JP S60236215 A JPS60236215 A JP S60236215A JP 9253684 A JP9253684 A JP 9253684A JP 9253684 A JP9253684 A JP 9253684A JP S60236215 A JPS60236215 A JP S60236215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- reaction chamber
- laser beam
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は核形成時間を短縮したレーザCVD方方仏に関
する。
する。
最近、CV D (Chemical V apor
D eposition )技術″を使った膜形成が盛
んに行なわれている。該CVD方法の最たるものの一つ
は、基板が配置された反応室にプ[1セスガスを流し、
該ガスを熱的に解離させて、該解離したガス粒子を該基
板、しに付着させるものであるが、これは低温下で膜形
成が出来ない問題がある。又、プロセスガスが導入され
た反応室内に配置され/C電極に直流又は高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、電離したガス粒子を基板
上に付着させる様にしたプラズマCVDがあるが、該プ
ラズマ中のイオン或いは高速生竹粒子が前記膜に衝突覆
ることにより該膜特性が劣化する問題がある。
D eposition )技術″を使った膜形成が盛
んに行なわれている。該CVD方法の最たるものの一つ
は、基板が配置された反応室にプ[1セスガスを流し、
該ガスを熱的に解離させて、該解離したガス粒子を該基
板、しに付着させるものであるが、これは低温下で膜形
成が出来ない問題がある。又、プロセスガスが導入され
た反応室内に配置され/C電極に直流又は高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、電離したガス粒子を基板
上に付着させる様にしたプラズマCVDがあるが、該プ
ラズマ中のイオン或いは高速生竹粒子が前記膜に衝突覆
ることにより該膜特性が劣化する問題がある。
そこで、この様な問題の無いCV D 7j ’4とし
て、プロセスガスが尋人された反応室内に配置された基
板方向にレーザ光線若しくは紫外線を照射して該ガスを
光解離させ、該光解離したガス粒子を基板上に付着させ
る様にした光CVD方法が考えられている。該光CVD
方法の内、レーザ光線を使用するものをレーザCVD方
法、紫外線ランプを使用するものをランプCVD方法と
称すれば、後者は細く絞ることはガしいが、前者(レー
ザCVD方法)はレーザ波長の程瓜迄細く絞ることが出
来るので、I C,LS I、[LS T素子の配線や
半導体用のマスクの修狸に有効と目されている。
て、プロセスガスが尋人された反応室内に配置された基
板方向にレーザ光線若しくは紫外線を照射して該ガスを
光解離させ、該光解離したガス粒子を基板上に付着させ
る様にした光CVD方法が考えられている。該光CVD
方法の内、レーザ光線を使用するものをレーザCVD方
法、紫外線ランプを使用するものをランプCVD方法と
称すれば、後者は細く絞ることはガしいが、前者(レー
ザCVD方法)はレーザ波長の程瓜迄細く絞ることが出
来るので、I C,LS I、[LS T素子の配線や
半導体用のマスクの修狸に有効と目されている。
しかし、この様なレーザCVD方法にも問題がある。そ
れは、特に、可視光レーザ光線を基Iji7j向に照射
した場合、直ぐに基板上に膜が形成されず、暫くの間(
長い場合には数10分以])膜の成長が起こらないこと
である。そして、この期間の長さはプロセスガスの種類
、基板の表面状態(例えば、基板の表面の水分の付着程
度)、及びレーザ光線のパワー等により一定ではないこ
とである。
れは、特に、可視光レーザ光線を基Iji7j向に照射
した場合、直ぐに基板上に膜が形成されず、暫くの間(
長い場合には数10分以])膜の成長が起こらないこと
である。そして、この期間の長さはプロセスガスの種類
、基板の表面状態(例えば、基板の表面の水分の付着程
度)、及びレーザ光線のパワー等により一定ではないこ
とである。
本発明はこの様な問題を解決Jることを目的としたもの
である。
である。
さて、このレーザ光線照射後膜が成長しない期間の長さ
はプロセスガスの種類、基板の表面状態(例えば、基板
の表面の水分の付着程度)、及びレーザ光線のパワー等
により異っ(いるが、これらの条件に拘わらず、レーザ
CV D fj法ではレーザ光線照射後暫くの間膜が成
長しない期間がある。
はプロセスガスの種類、基板の表面状態(例えば、基板
の表面の水分の付着程度)、及びレーザ光線のパワー等
により異っ(いるが、これらの条件に拘わらず、レーザ
CV D fj法ではレーザ光線照射後暫くの間膜が成
長しない期間がある。
この期間基板のシー1.F光線が当っている部分では何
が起こっているのかを考察した所、膜が成長づ゛る為の
膜の種(核)が発生している事が透過電子顕!l鎖によ
り確認された。従って、以後前記期間を核形成期間と称
する。では、何故レーザCVD方法において核形成期間
が長いのかを考察した所、iIJ視光レーザは波長が長
いので、一般にプロセスガスに吸収されに<<、核の発
9−に時間が掛るものと思われる。
が起こっているのかを考察した所、膜が成長づ゛る為の
膜の種(核)が発生している事が透過電子顕!l鎖によ
り確認された。従って、以後前記期間を核形成期間と称
する。では、何故レーザCVD方法において核形成期間
が長いのかを考察した所、iIJ視光レーザは波長が長
いので、一般にプロセスガスに吸収されに<<、核の発
9−に時間が掛るものと思われる。
そこで、本発明は特に、司祝光レーザを使用したレーザ
CV D 15法により膜を成長さ已る前一工程に、真
空熱老若しくはスパッタ等の物理的気相成長方法により
極短時間て゛基板上に膜成長の為の核を形成し、該核形
成工程の後レーザCV D 7j払により速A5かに、
該核形成が行なわれた基板に膜を成長させる様にする方
法を提供する様にした。
CV D 15法により膜を成長さ已る前一工程に、真
空熱老若しくはスパッタ等の物理的気相成長方法により
極短時間て゛基板上に膜成長の為の核を形成し、該核形
成工程の後レーザCV D 7j払により速A5かに、
該核形成が行なわれた基板に膜を成長させる様にする方
法を提供する様にした。
尚、紫外線領域のレーザ光線もあるが、該光源は前記物
理的気相成長方法の実諦装置に比べ非富に高価である。
理的気相成長方法の実諦装置に比べ非富に高価である。
添付図は本発明のレー”f CV D ZJ法の一実施
例として示したレーザCVD装置の概略図である。
例として示したレーザCVD装置の概略図である。
図中1は反応室で、ガスボンベ2に繋がったガス供給口
3、υi気手段4に繋がった排気D 5、レーザ光源6
からのレーザ光線を反応室内に導く窓7を備えている。
3、υi気手段4に繋がった排気D 5、レーザ光源6
からのレーザ光線を反応室内に導く窓7を備えている。
8は基板9を11る為の基tfx II・ルダで、該ホ
ルダは反応室外に設iノられたホルダ移動機構10によ
り2次元的に移動可能(゛ある。
ルダは反応室外に設iノられたホルダ移動機構10によ
り2次元的に移動可能(゛ある。
11はレーザ光学系で、前記レーザ光源6からのレーI
J’光線を絞るレンズやシー11光線の照射位置を制御
211覆るミラーから成る。
J’光線を絞るレンズやシー11光線の照射位置を制御
211覆るミラーから成る。
斯くの如さ装置にA3い(、先ず、真空蒸省装置名しく
はスパッタリング装置において、極短時間の間(例えば
、数秒程度)蒸着若しくはスパッタリングして、 19
を形成づべき基板の表面にlUi?い(−100人以−
ト)膜(膜成長の為の核)を形成づる。そしく、該基板
9を反応室内の基板ホルダ8に載1!、該ホルダをホル
ダ移動機構10により前記基板9が窓7の直下に来る様
に移動さ口る。そして、先ず、排気手段4により反応室
1内を高真空にし、次に、ガスボンベ2からプロセスガ
ス(例 7フルキル金属ガスや金属カルボニルガス)を
反応室内に供給し、該反応室内を数T orr程度の圧
力にづる。この状態において、レーザ光源6からレーザ
光線を窓7を介して、前記基板9の任意の位置に集束し
て膜厚に応じた極短時間(数秒程度)照射する。該照射
により、レーザ光線が照射された個所丈、前記核にレー
ザエネルギーが吸収され、膜が成長づる。
はスパッタリング装置において、極短時間の間(例えば
、数秒程度)蒸着若しくはスパッタリングして、 19
を形成づべき基板の表面にlUi?い(−100人以−
ト)膜(膜成長の為の核)を形成づる。そしく、該基板
9を反応室内の基板ホルダ8に載1!、該ホルダをホル
ダ移動機構10により前記基板9が窓7の直下に来る様
に移動さ口る。そして、先ず、排気手段4により反応室
1内を高真空にし、次に、ガスボンベ2からプロセスガ
ス(例 7フルキル金属ガスや金属カルボニルガス)を
反応室内に供給し、該反応室内を数T orr程度の圧
力にづる。この状態において、レーザ光源6からレーザ
光線を窓7を介して、前記基板9の任意の位置に集束し
て膜厚に応じた極短時間(数秒程度)照射する。該照射
により、レーザ光線が照射された個所丈、前記核にレー
ザエネルギーが吸収され、膜が成長づる。
本発明によれば、極短時間の間に物理的気相成長方法に
より基板に膜成長の為の核を形成してJ5き、該基板の
任意位置にレーザ光線を照射して該基板の任意位置に膜
を形成する様にしているので、安価にしかも極短時間に
膜を形成りることが出来る。即ち、本発明によれば、レ
ーザCVDによる核形成期間は略零となる。
より基板に膜成長の為の核を形成してJ5き、該基板の
任意位置にレーザ光線を照射して該基板の任意位置に膜
を形成する様にしているので、安価にしかも極短時間に
膜を形成りることが出来る。即ち、本発明によれば、レ
ーザCVDによる核形成期間は略零となる。
添付図は本発明のレー’f CV [’) fJ法の一
実施例として示したレーザCVD装置の概略図である。 1:反応室 2:ガスボンベ 4:排気手段 6:レーザ光源 7:窓 8;基板ホルダ 9:基板 10:ホルダ移動機構 11:レーザ光学系 特訂出願人 口本電子株式会社 代表者 9藤 −夫
実施例として示したレーザCVD装置の概略図である。 1:反応室 2:ガスボンベ 4:排気手段 6:レーザ光源 7:窓 8;基板ホルダ 9:基板 10:ホルダ移動機構 11:レーザ光学系 特訂出願人 口本電子株式会社 代表者 9藤 −夫
Claims (1)
- プロセスガスが導入された反応室において、物理的気相
成長により核が形成された基板上の任意の個所に可視光
レーザ光線を照射して該個所に膜を成長させるレーザC
VD方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9253684A JPS60236215A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | レ−ザcvd方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9253684A JPS60236215A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | レ−ザcvd方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60236215A true JPS60236215A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14057087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9253684A Pending JPS60236215A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | レ−ザcvd方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60236215A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63220605A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路の調整方法 |
US5026664A (en) * | 1988-04-07 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Method of providing a semiconductor IC device with an additional conduction path |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5940525A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜方法 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP9253684A patent/JPS60236215A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5940525A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63220605A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路の調整方法 |
US5026664A (en) * | 1988-04-07 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Method of providing a semiconductor IC device with an additional conduction path |
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