JPS60236215A - レ−ザｃｖｄ方法 - Google Patents
レ−ザｃｖｄ方法Info
- Publication number
- JPS60236215A JPS60236215A JP9253684A JP9253684A JPS60236215A JP S60236215 A JPS60236215 A JP S60236215A JP 9253684 A JP9253684 A JP 9253684A JP 9253684 A JP9253684 A JP 9253684A JP S60236215 A JPS60236215 A JP S60236215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- reaction chamber
- laser beam
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は核形成時間を短縮したレーザＣＶＤ方方仏に関
する。
する。
最近、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ ａｐｏｒ
Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）技術″を使った膜形成が盛
んに行なわれている。該ＣＶＤ方法の最たるものの一つ
は、基板が配置された反応室にプ［１セスガスを流し、
該ガスを熱的に解離させて、該解離したガス粒子を該基
板、しに付着させるものであるが、これは低温下で膜形
成が出来ない問題がある。又、プロセスガスが導入され
た反応室内に配置され／Ｃ電極に直流又は高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、電離したガス粒子を基板
上に付着させる様にしたプラズマＣＶＤがあるが、該プ
ラズマ中のイオン或いは高速生竹粒子が前記膜に衝突覆
ることにより該膜特性が劣化する問題がある。
Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）技術″を使った膜形成が盛
んに行なわれている。該ＣＶＤ方法の最たるものの一つ
は、基板が配置された反応室にプ［１セスガスを流し、
該ガスを熱的に解離させて、該解離したガス粒子を該基
板、しに付着させるものであるが、これは低温下で膜形
成が出来ない問題がある。又、プロセスガスが導入され
た反応室内に配置され／Ｃ電極に直流又は高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、電離したガス粒子を基板
上に付着させる様にしたプラズマＣＶＤがあるが、該プ
ラズマ中のイオン或いは高速生竹粒子が前記膜に衝突覆
ることにより該膜特性が劣化する問題がある。
そこで、この様な問題の無いＣＶ Ｄ ７ｊ ’４とし
て、プロセスガスが尋人された反応室内に配置された基
板方向にレーザ光線若しくは紫外線を照射して該ガスを
光解離させ、該光解離したガス粒子を基板上に付着させ
る様にした光ＣＶＤ方法が考えられている。該光ＣＶＤ
方法の内、レーザ光線を使用するものをレーザＣＶＤ方
法、紫外線ランプを使用するものをランプＣＶＤ方法と
称すれば、後者は細く絞ることはガしいが、前者（レー
ザＣＶＤ方法）はレーザ波長の程瓜迄細く絞ることが出
来るので、Ｉ Ｃ，ＬＳ Ｉ、［ＬＳ Ｔ素子の配線や
半導体用のマスクの修狸に有効と目されている。
て、プロセスガスが尋人された反応室内に配置された基
板方向にレーザ光線若しくは紫外線を照射して該ガスを
光解離させ、該光解離したガス粒子を基板上に付着させ
る様にした光ＣＶＤ方法が考えられている。該光ＣＶＤ
方法の内、レーザ光線を使用するものをレーザＣＶＤ方
法、紫外線ランプを使用するものをランプＣＶＤ方法と
称すれば、後者は細く絞ることはガしいが、前者（レー
ザＣＶＤ方法）はレーザ波長の程瓜迄細く絞ることが出
来るので、Ｉ Ｃ，ＬＳ Ｉ、［ＬＳ Ｔ素子の配線や
半導体用のマスクの修狸に有効と目されている。
しかし、この様なレーザＣＶＤ方法にも問題がある。そ
れは、特に、可視光レーザ光線を基Ｉｊｉ７ｊ向に照射
した場合、直ぐに基板上に膜が形成されず、暫くの間（
長い場合には数１０分以］）膜の成長が起こらないこと
である。そして、この期間の長さはプロセスガスの種類
、基板の表面状態（例えば、基板の表面の水分の付着程
度）、及びレーザ光線のパワー等により一定ではないこ
とである。
れは、特に、可視光レーザ光線を基Ｉｊｉ７ｊ向に照射
した場合、直ぐに基板上に膜が形成されず、暫くの間（
長い場合には数１０分以］）膜の成長が起こらないこと
である。そして、この期間の長さはプロセスガスの種類
、基板の表面状態（例えば、基板の表面の水分の付着程
度）、及びレーザ光線のパワー等により一定ではないこ
とである。
本発明はこの様な問題を解決Ｊることを目的としたもの
である。
である。
さて、このレーザ光線照射後膜が成長しない期間の長さ
はプロセスガスの種類、基板の表面状態（例えば、基板
の表面の水分の付着程度）、及びレーザ光線のパワー等
により異っ（いるが、これらの条件に拘わらず、レーザ
ＣＶ Ｄ ｆｊ法ではレーザ光線照射後暫くの間膜が成
長しない期間がある。
はプロセスガスの種類、基板の表面状態（例えば、基板
の表面の水分の付着程度）、及びレーザ光線のパワー等
により異っ（いるが、これらの条件に拘わらず、レーザ
ＣＶ Ｄ ｆｊ法ではレーザ光線照射後暫くの間膜が成
長しない期間がある。
この期間基板のシー１．Ｆ光線が当っている部分では何
が起こっているのかを考察した所、膜が成長づ゛る為の
膜の種（核）が発生している事が透過電子顕！ｌ鎖によ
り確認された。従って、以後前記期間を核形成期間と称
する。では、何故レーザＣＶＤ方法において核形成期間
が長いのかを考察した所、ｉＩＪ視光レーザは波長が長
いので、一般にプロセスガスに吸収されに＜＜、核の発
９−に時間が掛るものと思われる。
が起こっているのかを考察した所、膜が成長づ゛る為の
膜の種（核）が発生している事が透過電子顕！ｌ鎖によ
り確認された。従って、以後前記期間を核形成期間と称
する。では、何故レーザＣＶＤ方法において核形成期間
が長いのかを考察した所、ｉＩＪ視光レーザは波長が長
いので、一般にプロセスガスに吸収されに＜＜、核の発
９−に時間が掛るものと思われる。
そこで、本発明は特に、司祝光レーザを使用したレーザ
ＣＶ Ｄ １５法により膜を成長さ已る前一工程に、真
空熱老若しくはスパッタ等の物理的気相成長方法により
極短時間て゛基板上に膜成長の為の核を形成し、該核形
成工程の後レーザＣＶ Ｄ ７ｊ払により速Ａ５かに、
該核形成が行なわれた基板に膜を成長させる様にする方
法を提供する様にした。
ＣＶ Ｄ １５法により膜を成長さ已る前一工程に、真
空熱老若しくはスパッタ等の物理的気相成長方法により
極短時間て゛基板上に膜成長の為の核を形成し、該核形
成工程の後レーザＣＶ Ｄ ７ｊ払により速Ａ５かに、
該核形成が行なわれた基板に膜を成長させる様にする方
法を提供する様にした。
尚、紫外線領域のレーザ光線もあるが、該光源は前記物
理的気相成長方法の実諦装置に比べ非富に高価である。
理的気相成長方法の実諦装置に比べ非富に高価である。
添付図は本発明のレー”ｆ ＣＶ Ｄ ＺＪ法の一実施
例として示したレーザＣＶＤ装置の概略図である。
例として示したレーザＣＶＤ装置の概略図である。
図中１は反応室で、ガスボンベ２に繋がったガス供給口
３、υｉ気手段４に繋がった排気Ｄ ５、レーザ光源６
からのレーザ光線を反応室内に導く窓７を備えている。
３、υｉ気手段４に繋がった排気Ｄ ５、レーザ光源６
からのレーザ光線を反応室内に導く窓７を備えている。
８は基板９を１１る為の基ｔｆｘ ＩＩ・ルダで、該ホ
ルダは反応室外に設ｉノられたホルダ移動機構１０によ
り２次元的に移動可能（゛ある。
ルダは反応室外に設ｉノられたホルダ移動機構１０によ
り２次元的に移動可能（゛ある。
１１はレーザ光学系で、前記レーザ光源６からのレーＩ
Ｊ’光線を絞るレンズやシー１１光線の照射位置を制御
２１１覆るミラーから成る。
Ｊ’光線を絞るレンズやシー１１光線の照射位置を制御
２１１覆るミラーから成る。
斯くの如さ装置にＡ３い（、先ず、真空蒸省装置名しく
はスパッタリング装置において、極短時間の間（例えば
、数秒程度）蒸着若しくはスパッタリングして、 １９
を形成づべき基板の表面にｌＵｉ？い（−１００人以−
ト）膜（膜成長の為の核）を形成づる。そしく、該基板
９を反応室内の基板ホルダ８に載１！、該ホルダをホル
ダ移動機構１０により前記基板９が窓７の直下に来る様
に移動さ口る。そして、先ず、排気手段４により反応室
１内を高真空にし、次に、ガスボンベ２からプロセスガ
ス（例 ７フルキル金属ガスや金属カルボニルガス）を
反応室内に供給し、該反応室内を数Ｔ ｏｒｒ程度の圧
力にづる。この状態において、レーザ光源６からレーザ
光線を窓７を介して、前記基板９の任意の位置に集束し
て膜厚に応じた極短時間（数秒程度）照射する。該照射
により、レーザ光線が照射された個所丈、前記核にレー
ザエネルギーが吸収され、膜が成長づる。
はスパッタリング装置において、極短時間の間（例えば
、数秒程度）蒸着若しくはスパッタリングして、 １９
を形成づべき基板の表面にｌＵｉ？い（−１００人以−
ト）膜（膜成長の為の核）を形成づる。そしく、該基板
９を反応室内の基板ホルダ８に載１！、該ホルダをホル
ダ移動機構１０により前記基板９が窓７の直下に来る様
に移動さ口る。そして、先ず、排気手段４により反応室
１内を高真空にし、次に、ガスボンベ２からプロセスガ
ス（例 ７フルキル金属ガスや金属カルボニルガス）を
反応室内に供給し、該反応室内を数Ｔ ｏｒｒ程度の圧
力にづる。この状態において、レーザ光源６からレーザ
光線を窓７を介して、前記基板９の任意の位置に集束し
て膜厚に応じた極短時間（数秒程度）照射する。該照射
により、レーザ光線が照射された個所丈、前記核にレー
ザエネルギーが吸収され、膜が成長づる。
本発明によれば、極短時間の間に物理的気相成長方法に
より基板に膜成長の為の核を形成してＪ５き、該基板の
任意位置にレーザ光線を照射して該基板の任意位置に膜
を形成する様にしているので、安価にしかも極短時間に
膜を形成りることが出来る。即ち、本発明によれば、レ
ーザＣＶＤによる核形成期間は略零となる。
より基板に膜成長の為の核を形成してＪ５き、該基板の
任意位置にレーザ光線を照射して該基板の任意位置に膜
を形成する様にしているので、安価にしかも極短時間に
膜を形成りることが出来る。即ち、本発明によれば、レ
ーザＣＶＤによる核形成期間は略零となる。
添付図は本発明のレー’ｆ ＣＶ ［’） ｆＪ法の一
実施例として示したレーザＣＶＤ装置の概略図である。 １：反応室 ２：ガスボンベ ４：排気手段 ６：レーザ光源 ７：窓 ８；基板ホルダ ９：基板 １０：ホルダ移動機構 １１：レーザ光学系 特訂出願人 口本電子株式会社 代表者 ９藤 −夫
実施例として示したレーザＣＶＤ装置の概略図である。 １：反応室 ２：ガスボンベ ４：排気手段 ６：レーザ光源 ７：窓 ８；基板ホルダ ９：基板 １０：ホルダ移動機構 １１：レーザ光学系 特訂出願人 口本電子株式会社 代表者 ９藤 −夫
Claims (1)
- プロセスガスが導入された反応室において、物理的気相
成長により核が形成された基板上の任意の個所に可視光
レーザ光線を照射して該個所に膜を成長させるレーザＣ
ＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253684A JPS60236215A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | レ−ザｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9253684A JPS60236215A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | レ−ザｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236215A true JPS60236215A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14057087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9253684A Pending JPS60236215A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | レ−ザｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220605A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路の調整方法 |
| US5026664A (en) * | 1988-04-07 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Method of providing a semiconductor IC device with an additional conduction path |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940525A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜方法 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP9253684A patent/JPS60236215A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940525A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 成膜方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220605A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路の調整方法 |
| US5026664A (en) * | 1988-04-07 | 1991-06-25 | Hitachi, Ltd. | Method of providing a semiconductor IC device with an additional conduction path |
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