JPH0114313B2 - - Google Patents
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- JPH0114313B2 JPH0114313B2 JP6795184A JP6795184A JPH0114313B2 JP H0114313 B2 JPH0114313 B2 JP H0114313B2 JP 6795184 A JP6795184 A JP 6795184A JP 6795184 A JP6795184 A JP 6795184A JP H0114313 B2 JPH0114313 B2 JP H0114313B2
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- conductive film
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、基体上の所定の領域に導電膜を被着
して導電膜パターンを形成する方法に関する。
して導電膜パターンを形成する方法に関する。
基体上に金属導電膜を形成するには、従来一般
に蒸着法やスパツタリング法が用いられていた。
しかしスパツタリング法はもちろん、蒸着法でさ
えも導電膜の構成原子が、かなり大きな運動エネ
ルギーをもつて基体に衝突するため基体に損傷を
与えるという現象がある。特に半導体基板にこの
ような方法を実施した場合、既に半導体基板中に
作り込まれたデバイスの特性を損なう問題が生ず
る。そのため蒸着あるいはスパツタリング工程後
に別の装置を用いて400℃前後のアニール工程を
施さねばならなかつた。さらに半導体基板上の導
電膜として多結晶半導体膜を利用することが行わ
れる。この場合従来は熱CVD法により形成され
るが、例えば多結晶シリコンの場合成長温度は
550〜600℃と高いので室温に冷却されたときの膜
中の内部応力が基板に影響を与えるという問題を
有する。さらにこれらの方法によりパターンを形
成することは、膜形成時にマスクを使用しても、
堆積粒子のマスク下側への廻り込みのためにμｍ
程度の微細なパターンを堆積工程と同時に形成す
ることは不可能であり、一面に堆積した後リソグ
ラフイ工程によつてパターンを形成しなければな
らなかつた。
に蒸着法やスパツタリング法が用いられていた。
しかしスパツタリング法はもちろん、蒸着法でさ
えも導電膜の構成原子が、かなり大きな運動エネ
ルギーをもつて基体に衝突するため基体に損傷を
与えるという現象がある。特に半導体基板にこの
ような方法を実施した場合、既に半導体基板中に
作り込まれたデバイスの特性を損なう問題が生ず
る。そのため蒸着あるいはスパツタリング工程後
に別の装置を用いて400℃前後のアニール工程を
施さねばならなかつた。さらに半導体基板上の導
電膜として多結晶半導体膜を利用することが行わ
れる。この場合従来は熱CVD法により形成され
るが、例えば多結晶シリコンの場合成長温度は
550〜600℃と高いので室温に冷却されたときの膜
中の内部応力が基板に影響を与えるという問題を
有する。さらにこれらの方法によりパターンを形
成することは、膜形成時にマスクを使用しても、
堆積粒子のマスク下側への廻り込みのためにμｍ
程度の微細なパターンを堆積工程と同時に形成す
ることは不可能であり、一面に堆積した後リソグ
ラフイ工程によつてパターンを形成しなければな
らなかつた。
本発明は、これらの問題を解決し、基体に機械
的あるいは熱的に影響を及ぼすことなく、連続し
た工程で基体に対して密着性の良好な導電膜パタ
ーンを形成する方法を提供することを目的とす
る。
的あるいは熱的に影響を及ぼすことなく、連続し
た工程で基体に対して密着性の良好な導電膜パタ
ーンを形成する方法を提供することを目的とす
る。
本発明によれば、基体を反応ガスを含むふん囲
気に接触させ、基体表面近傍に配置され所望の導
電膜パターンと同一の透光パターンを有するマス
クを通して光を照射することにより反応エネルギ
ーを与えて反応ガスより導電膜パターンを気相成
長させ、次いで導電膜に可視ないし赤外領域の光
を照射して熱エネルギーを与えることによつて上
記の目的が達成される。反応エネルギーを与える
光としてはエネルギー値に対応する波長より短波
長の光を用い、吸収が著しくなるほど短い波長を
避けて通常1000ないし6000Åの紫外ないし可視光
が用いられる。
気に接触させ、基体表面近傍に配置され所望の導
電膜パターンと同一の透光パターンを有するマス
クを通して光を照射することにより反応エネルギ
ーを与えて反応ガスより導電膜パターンを気相成
長させ、次いで導電膜に可視ないし赤外領域の光
を照射して熱エネルギーを与えることによつて上
記の目的が達成される。反応エネルギーを与える
光としてはエネルギー値に対応する波長より短波
長の光を用い、吸収が著しくなるほど短い波長を
避けて通常1000ないし6000Åの紫外ないし可視光
が用いられる。
シリコン基板上にｎ型多結晶シリコン膜からな
る配線パターンを形成するための装置を示す第１
図を引用して本発明の実施例について説明する。
1μｍの厚さの酸化シリコン膜を有するシリコン
基板１を反応室２内の底板上に載置し、ヒータ３
により約250℃に加熱する。先ず、反応室２内に
マスフローメータ４に流量制御された300ml／
minのSiH4ガスをボンベ５より、10ml／minPH3
ガスをボンベ６より、2000ml／minのHeガスを
ボンベ７より導入し、真空ポンプ８により排気し
て反応室２内を10Torr前後の圧力に保つ。そこ
えAr+レーザの波長5144Åの発振光９を、鏡１
０、レンズ１１ならびに石英板に遮光パターンを
クロムで形成したマスク１２を介して基板１上に
パワー密度10ｍＷ／cm2で焦点を結ぶように入射さ
せる。マスク１２は、基板上１mmの位置に設置さ
れており、マスク位置でのパワー密度は、基板上
でのパワー密度に比べて1/10以上低いため多結晶
シリコンはマスク１２の上には堆積せず、シリコ
ン基板１の上にのみマスクパターン通りのｎ型多
結晶シリコンの配線パターンが形成される。次い
で、反応室２内をボンベ１３からN2ガスふん囲
気に切り換えてから、鏡１０を回転させてCO2ガ
スレーザの10.6μｍの発振光１４を基板１に照射
し、基板温度の上昇を押えつつ、堆積多結晶シリ
コン膜を熱処理して膜質、基板との密着性などを
向上させることができる。
る配線パターンを形成するための装置を示す第１
図を引用して本発明の実施例について説明する。
1μｍの厚さの酸化シリコン膜を有するシリコン
基板１を反応室２内の底板上に載置し、ヒータ３
により約250℃に加熱する。先ず、反応室２内に
マスフローメータ４に流量制御された300ml／
minのSiH4ガスをボンベ５より、10ml／minPH3
ガスをボンベ６より、2000ml／minのHeガスを
ボンベ７より導入し、真空ポンプ８により排気し
て反応室２内を10Torr前後の圧力に保つ。そこ
えAr+レーザの波長5144Åの発振光９を、鏡１
０、レンズ１１ならびに石英板に遮光パターンを
クロムで形成したマスク１２を介して基板１上に
パワー密度10ｍＷ／cm2で焦点を結ぶように入射さ
せる。マスク１２は、基板上１mmの位置に設置さ
れており、マスク位置でのパワー密度は、基板上
でのパワー密度に比べて1/10以上低いため多結晶
シリコンはマスク１２の上には堆積せず、シリコ
ン基板１の上にのみマスクパターン通りのｎ型多
結晶シリコンの配線パターンが形成される。次い
で、反応室２内をボンベ１３からN2ガスふん囲
気に切り換えてから、鏡１０を回転させてCO2ガ
スレーザの10.6μｍの発振光１４を基板１に照射
し、基板温度の上昇を押えつつ、堆積多結晶シリ
コン膜を熱処理して膜質、基板との密着性などを
向上させることができる。
本発明は、上記の実施例にとどまらず、使用ガ
ス、使用光源を変えることにより各種導電膜パタ
ーンを堆積し、熱処理することができる。例えば
Al（CH3）3ガスを10ml／min、Heガスを2500ml／
minの流量で反応室内に導入し、反応室内を
100Torr前後、シリコン基板温度を250℃前後に
保ちながら逓倍されたAr+レーザの2572Åの波長
の光をマスクを通して0.5MW／cm2のパワー密度
で照射することにより20分間に厚さ1μｍアルミ
ニウム膜のパターンを堆積させ、10.6μｍのCO2
ガスレーザ光によりアニールしてアルミニウム配
線パターンを形成できる。
ス、使用光源を変えることにより各種導電膜パタ
ーンを堆積し、熱処理することができる。例えば
Al（CH3）3ガスを10ml／min、Heガスを2500ml／
minの流量で反応室内に導入し、反応室内を
100Torr前後、シリコン基板温度を250℃前後に
保ちながら逓倍されたAr+レーザの2572Åの波長
の光をマスクを通して0.5MW／cm2のパワー密度
で照射することにより20分間に厚さ1μｍアルミ
ニウム膜のパターンを堆積させ、10.6μｍのCO2
ガスレーザ光によりアニールしてアルミニウム配
線パターンを形成できる。
本発明は、所望のパターンを透光領域とするマ
スクを通る光を励起光とする光CVD法と、光の
エネルギーによるアニールとを組み合わせて基体
温度を高める必要なく微細なパターンを形成、膜
質および基体との密着性を向上させることができ
る。これにより基体へ損傷を与えることなく、し
かも段差被覆性に富み、基体との密着性のよい導
電膜パターンを形成することができるので、半導
体工業のみならず他の工業にも有効に適用するこ
とが可能である。
スクを通る光を励起光とする光CVD法と、光の
エネルギーによるアニールとを組み合わせて基体
温度を高める必要なく微細なパターンを形成、膜
質および基体との密着性を向上させることができ
る。これにより基体へ損傷を与えることなく、し
かも段差被覆性に富み、基体との密着性のよい導
電膜パターンを形成することができるので、半導
体工業のみならず他の工業にも有効に適用するこ
とが可能である。
第１図は本発明の一実施例のための装置の断面
図である。 １……シリコン基板、２……反応室、５……
SiH4ボンベ、６……PH3ボンベ、７……Heボン
ベ、９……Ar+レーザ光、１０……鏡、１２……
マスク、１３……N2ボンベ、１４……CO2ガス
レーザ光。
図である。 １……シリコン基板、２……反応室、５……
SiH4ボンベ、６……PH3ボンベ、７……Heボン
ベ、９……Ar+レーザ光、１０……鏡、１２……
マスク、１３……N2ボンベ、１４……CO2ガス
レーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体を反応ガスを含むふん囲気に接触させ、
基体表面近傍に配置され所望の導電膜パターンと
同一の透光パターンを有するマスクを通して光を
照射することにより反応エネルギーを与えて反応
ガスより導電膜パターンを気相成長させ、次いで
導電膜に可視ないし赤外領域の光を照射して熱エ
ネルギーを与えることを特徴とする導電膜パター
ンの形成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
反応エネルギーを与える光として波長1000ないし
6000Åの紫外ないし可視光を用いることを特徴と
する導電膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6795184A JPS60211074A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6795184A JPS60211074A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211074A JPS60211074A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH0114313B2 true JPH0114313B2 (ja) | 1989-03-10 |
Family
ID=13359760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6795184A Granted JPS60211074A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 導電膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211074A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0909987A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method and apparatus |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6795184A patent/JPS60211074A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60211074A (ja) | 1985-10-23 |
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