JPS59129774A - 選択的窒化膜の作製方法 - Google Patents
選択的窒化膜の作製方法Info
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- JPS59129774A JPS59129774A JP58003180A JP318083A JPS59129774A JP S59129774 A JPS59129774 A JP S59129774A JP 58003180 A JP58003180 A JP 58003180A JP 318083 A JP318083 A JP 318083A JP S59129774 A JPS59129774 A JP S59129774A
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- gas
- nitride film
- laser light
- nitrogen
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板の所望の位置に窒化膜を作製する選択的
窒化膜の作製方法に関する。
窒化膜の作製方法に関する。
従来、基板上に所望のパターンで窒化膜を形成するには
、該基板の全面にわたって気相成長などの方法によって
窒化膜を形成し、さらにフォトリングラフィおよびエツ
チングを施す−ことによって行なわれていた。しかし、
この従来の方法は、多くの製作工程を必要とすると（・
５欠点があった。
、該基板の全面にわたって気相成長などの方法によって
窒化膜を形成し、さらにフォトリングラフィおよびエツ
チングを施す−ことによって行なわれていた。しかし、
この従来の方法は、多くの製作工程を必要とすると（・
５欠点があった。
また、イオンビームを用いて基板に直接窒化膜のパター
ンを描画する方法も考えられて（・るが、まだ実用化に
は至ってい１よい。
ンを描画する方法も考えられて（・るが、まだ実用化に
は至ってい１よい。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、少ない工程
により基板の所望の位置に所望の大きさの窒化膜を高精
度で作製する新規な窒化膜の作製方法を提供することを
目的とする。
により基板の所望の位置に所望の大きさの窒化膜を高精
度で作製する新規な窒化膜の作製方法を提供することを
目的とする。
この目的を達成するため本発明ではレーザ光を用いて化
学反応を促進し、基板に薄膜乞堆積するＬＯＶＤ （Ｌ
ａＳｅｒ−１ｎｄｕｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒＤθｐＯθ１ｔｉｏｎ）法を採用する。すなわち１
本発明は窒化膜を形成する基板を元素Ｍの化合物および
窒素あるいは窒素の化合物を少な（とも含む混合ガス雰
囲気中に置き、該基板の窒化膜を形成すべき位置にレー
ザ光を選択的に照射することにより窒化膜を選択的に形
成するようにしている。
学反応を促進し、基板に薄膜乞堆積するＬＯＶＤ （Ｌ
ａＳｅｒ−１ｎｄｕｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒＤθｐＯθ１ｔｉｏｎ）法を採用する。すなわち１
本発明は窒化膜を形成する基板を元素Ｍの化合物および
窒素あるいは窒素の化合物を少な（とも含む混合ガス雰
囲気中に置き、該基板の窒化膜を形成すべき位置にレー
ザ光を選択的に照射することにより窒化膜を選択的に形
成するようにしている。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
図は本発明に係る選択的窒化膜の作製方法を実施するた
めの窒化膜作製装置の一例を示すものである。
めの窒化膜作製装置の一例を示すものである。
レーザ光送出装置１０は、レーザ光源１１゜ミラー１２
、し′ンズ１３およびパイロメータ１４かも構成されて
いる。このレーザ光送出装置１０は、該装置１０から送
出されるレーザ光によって、反応室２０内に設置された
基板３０を走査するように、図示しない駆動装置によっ
てＡ。
、し′ンズ１３およびパイロメータ１４かも構成されて
いる。このレーザ光送出装置１０は、該装置１０から送
出されるレーザ光によって、反応室２０内に設置された
基板３０を走査するように、図示しない駆動装置によっ
てＡ。
Ｂ方向および図面に対して垂直方向に駆動される。また
、レーザ光源１１はレーザ光送出装置ｌＯの動作に同期
して適時レーザ光音送出し、核送出されたレーザ光はミ
ラー１２およびレンズ１３を介して反応室２０の窓２１
から入射して基板支持台２２の上に配置された基板３０
を照射する。なお、レーザ光としては、炭酸ガス（００
２）レーザ、またはアルゴンイオン（Ａｒ ）レーザ等
を用いる。
、レーザ光源１１はレーザ光送出装置ｌＯの動作に同期
して適時レーザ光音送出し、核送出されたレーザ光はミ
ラー１２およびレンズ１３を介して反応室２０の窓２１
から入射して基板支持台２２の上に配置された基板３０
を照射する。なお、レーザ光としては、炭酸ガス（００
２）レーザ、またはアルゴンイオン（Ａｒ ）レーザ等
を用いる。
また、基板３０を載置する基板支持台２２の下方にはヒ
ータ２３が配設されており、このヒータ２３により基板
３０は予熱される。前記レーザ光とヒータ２３によって
加熱された基板３０の温度は、基板３００表面を見込む
位置に配設されたパイロメータ１４によってモニタされ
る。
ータ２３が配設されており、このヒータ２３により基板
３０は予熱される。前記レーザ光とヒータ２３によって
加熱された基板３０の温度は、基板３００表面を見込む
位置に配設されたパイロメータ１４によってモニタされ
る。
さらに、反応室２０には吸入弁２４の付設された吸入管
２５と排気弁２６の付設された排気管イが接続されてお
り、吸入弁２４を開くことによってガス供給源２８から
供給される混合ガスを反応室２０内に導入し、排気弁２
６を開くことによって反応室２０内の混合ガスを排出す
るようになっている。ガス供給源から供給される混合ガ
スをｊ基板に堆積させる窒化物ＭＮｘによって異なり、
例えば窒化シリコンを堆積させる場合には、ケイ素を構
成元素とするシランガス（ＳｉＨ，）、四塩化ケイ素ガ
ス（Ｓｉ０７．）、）リクロルシラン もガス（ｓ
ｔａｃｌ！ｓ）、あるいはジクロルシランガス（ＳｉＨ
，Ｏ１！、 ）などの反応ガスと窒素（Ｎ、）あるいは
アンモニア（ＮＨ３）などの窒素を構成元素とするガス
とを適宜の割合で混合したものである。
２５と排気弁２６の付設された排気管イが接続されてお
り、吸入弁２４を開くことによってガス供給源２８から
供給される混合ガスを反応室２０内に導入し、排気弁２
６を開くことによって反応室２０内の混合ガスを排出す
るようになっている。ガス供給源から供給される混合ガ
スをｊ基板に堆積させる窒化物ＭＮｘによって異なり、
例えば窒化シリコンを堆積させる場合には、ケイ素を構
成元素とするシランガス（ＳｉＨ，）、四塩化ケイ素ガ
ス（Ｓｉ０７．）、）リクロルシラン もガス（ｓ
ｔａｃｌ！ｓ）、あるいはジクロルシランガス（ＳｉＨ
，Ｏ１！、 ）などの反応ガスと窒素（Ｎ、）あるいは
アンモニア（ＮＨ３）などの窒素を構成元素とするガス
とを適宜の割合で混合したものである。
また、窒化アルミニウムを堆積させる場合には、アルミ
ニウムを構成元素とする反応ガスと前記窒素あるいはア
ンモニアなどの窒素を構成元素とするガスとを適宜の割
合で混合したものである。さらに、必要に応じて前記混
合ガスにアルゴンガス（Ａｒ）をキャリアガスとして加
えてもよい。
ニウムを構成元素とする反応ガスと前記窒素あるいはア
ンモニアなどの窒素を構成元素とするガスとを適宜の割
合で混合したものである。さらに、必要に応じて前記混
合ガスにアルゴンガス（Ａｒ）をキャリアガスとして加
えてもよい。
次に、上述した装置を用いて窒化シリコン（Ｓｌ、Ｎ、
）膜の形成方法の一実施例について説明する。
）膜の形成方法の一実施例について説明する。
まず、基板３０として石英ガラス基板を反応室２０内に
配置シフ、反応室２０内を圧力１ｏ−６乃至１０Ｔｏｒ
ｒとなるように排気、減圧し、さらにヒータ２３によっ
て基板３０を２００乃至５００ＣＫ加熱する。次に１反
応室２０内をシランガスとアンモニアとの混合ガスで満
たす。
配置シフ、反応室２０内を圧力１ｏ−６乃至１０Ｔｏｒ
ｒとなるように排気、減圧し、さらにヒータ２３によっ
て基板３０を２００乃至５００ＣＫ加熱する。次に１反
応室２０内をシランガスとアンモニアとの混合ガスで満
たす。
上述した温度、混合ガス雰囲気中で、炭酸ガスレーザを
出力１０乃至２０ ［：Ｗ］、パルス幅２００〔ｎＳ〕
、ビーム径１００〔μｍ〕、走査速度１０乃至１０００
（μｍ／８〕で基板３０に照射する。
出力１０乃至２０ ［：Ｗ］、パルス幅２００〔ｎＳ〕
、ビーム径１００〔μｍ〕、走査速度１０乃至１０００
（μｍ／８〕で基板３０に照射する。
この結果、基板３０上に厚さ１００乃至１００００〔Ｘ
〕、大きさ２ Ｘ ４ （削）角の窒化シリコン膜が形
成された。
〕、大きさ２ Ｘ ４ （削）角の窒化シリコン膜が形
成された。
このように、基板の所望の位置にレーザ光を照射して、
該照射した位置に窒化膜を形成することができる。これ
は、レーザ光の照射により基板の表面で反応ガスが解離
し、該解離した反応ガスと窒化ガスとの間に光化学反応
が誘起され、該レーザ光の照射された部分のみ窒化膜が
形成されるものであると定性的に解釈できる。
該照射した位置に窒化膜を形成することができる。これ
は、レーザ光の照射により基板の表面で反応ガスが解離
し、該解離した反応ガスと窒化ガスとの間に光化学反応
が誘起され、該レーザ光の照射された部分のみ窒化膜が
形成されるものであると定性的に解釈できる。
なお、上記実施例では反応室２０内に混合ガスを満たし
之が、反応室２０内の圧力を調督する必要がある場合は
混合ガスを排気管２７から排気する。この場合、混合ガ
スの流量、成分および流量比などを調整するマスフロー
コントローラを用いればよい。
之が、反応室２０内の圧力を調督する必要がある場合は
混合ガスを排気管２７から排気する。この場合、混合ガ
スの流量、成分および流量比などを調整するマスフロー
コントローラを用いればよい。
また、本実施例では窒化シリコン膜の形成について説明
したが、これに限らず他の窒化膜、例えば窒化アルミニ
ウム膜を形成することも町能である。この場合圧は、反
応ガスとしてヘリウムで希釈したトリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ！（ＣＨｓ ） ）と窒化ガスとしてアンモニ
アとを用いればよい。
したが、これに限らず他の窒化膜、例えば窒化アルミニ
ウム膜を形成することも町能である。この場合圧は、反
応ガスとしてヘリウムで希釈したトリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ！（ＣＨｓ ） ）と窒化ガスとしてアンモニ
アとを用いればよい。
以上説明したように本発明によればレーザ光によって直
接、基板の所望の位置に所望の大きさの窒化膜を形成す
ることができる。このため、従来の気相成長、７第１１
ングラフイ、およびエツチングなどの多くの製作工程を
大幅に短縮でき、窒化膜のバターニング工程に要する時
間および経費の節減となる。
接、基板の所望の位置に所望の大きさの窒化膜を形成す
ることができる。このため、従来の気相成長、７第１１
ングラフイ、およびエツチングなどの多くの製作工程を
大幅に短縮でき、窒化膜のバターニング工程に要する時
間および経費の節減となる。
図面は本発明に係る選択的窒化膜の作製方法を適用した
窒化膜作製装置を示す図である。 １０・・・レーザ光送出装置、１１・・・レーザ光源、
１２・・・ミラー、１３・・・レンズ、１４・・・パイ
ｏ メータ、２０・・・反応室、２１・・・窓、２２・
・・基板支持台、２３・・・ヒータ、２４・・・吸入弁
、２５・・・吸入管、２６・・・排気弁、２７・・・排
気管、２８・・・ガス供給源。
窒化膜作製装置を示す図である。 １０・・・レーザ光送出装置、１１・・・レーザ光源、
１２・・・ミラー、１３・・・レンズ、１４・・・パイ
ｏ メータ、２０・・・反応室、２１・・・窓、２２・
・・基板支持台、２３・・・ヒータ、２４・・・吸入弁
、２５・・・吸入管、２６・・・排気弁、２７・・・排
気管、２８・・・ガス供給源。
Claims (2)
- （１）元素Ｍを構成元素とする反応性ガス、および窒素
を構成元素とするガスを少なくとも含む混合ガスの雰囲
気中に基板を配設し、該基板にレーザ光を照射すること
により、該レーザ光の照射された部分に前記元素Ｍの窒
化物の薄膜を選択的に形成することを特徴とする選択的
窒化膜の作製方法。 - （２） 前記混合ガスは不活性ガスからなるキャリア
ガスを含む特許請求の範囲第（１）項記載の選択的窒化
膜の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003180A JPS59129774A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 選択的窒化膜の作製方法 |
| KR2019830008977U KR870001350Y1 (ko) | 1983-01-12 | 1983-10-20 | 재크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003180A JPS59129774A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 選択的窒化膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129774A true JPS59129774A (ja) | 1984-07-26 |
Family
ID=11550185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003180A Pending JPS59129774A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 選択的窒化膜の作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129774A (ja) |
| KR (1) | KR870001350Y1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113771A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化アルミニユ−ム作製方法 |
| JPS61136680A (ja) * | 1984-12-08 | 1986-06-24 | Inoue Japax Res Inc | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
| JPS6228871U (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-21 | ||
| JPH03108753A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3265262B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2002-03-11 | エスエムケイ株式会社 | ジャック |
-
1983
- 1983-01-12 JP JP58003180A patent/JPS59129774A/ja active Pending
- 1983-10-20 KR KR2019830008977U patent/KR870001350Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113771A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化アルミニユ−ム作製方法 |
| JPH0416547B2 (ja) * | 1984-11-07 | 1992-03-24 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| JPS61136680A (ja) * | 1984-12-08 | 1986-06-24 | Inoue Japax Res Inc | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
| JPS6228871U (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-21 | ||
| JPH03108753A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR840006437U (ko) | 1984-12-03 |
| KR870001350Y1 (ko) | 1987-04-03 |
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