JPS61136680A - 炭化珪素薄膜の形成方法 - Google Patents
炭化珪素薄膜の形成方法Info
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- JPS61136680A JPS61136680A JP26038984A JP26038984A JPS61136680A JP S61136680 A JPS61136680 A JP S61136680A JP 26038984 A JP26038984 A JP 26038984A JP 26038984 A JP26038984 A JP 26038984A JP S61136680 A JPS61136680 A JP S61136680A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は１例えば高温用治具等に使用される炭化珪素（
Ｓ ｉ Ｃ）薄膜形成部材をＣＶＤ法を用いて炭素ある
いは炭化物基材、またはセラミックスや比較的高耐熱性
の金属、合金材上に形成する方法に関する。
Ｓ ｉ Ｃ）薄膜形成部材をＣＶＤ法を用いて炭素ある
いは炭化物基材、またはセラミックスや比較的高耐熱性
の金属、合金材上に形成する方法に関する。
（従来の技術）
炭化物の膜形゛′成方法として、気相反応すなわちＣＶ
Ｄ法が知られている。ＣＶＤ法は膜の構成元素を気化し
やすい化合物にし、これをキャリアガスによって反応系
に導入し、反応ガスとの化学反応によって生成する固層
を基材上に析出させて膜を形成させる方法である。この
ＣＶＤ法により炭化珪素薄膜を炭素（黒鉛）あるいは炭
化物基材等に形成する場合、従来は、反応炉内を窒素ガ
スにより置換し、排気した後、棒状黒鉛基材と電極との
間で交流によりグロー放電を行ない、次に基材ヲ１４０
０℃に通電加熱し、テトラメチルシランような有機珪素
ガスを一定流量（例えば２．８Ｘ １０″’％ル／分）
でグロー放電プラズマ中に供給することにより、炭化珪
素薄膜を形成している。
Ｄ法が知られている。ＣＶＤ法は膜の構成元素を気化し
やすい化合物にし、これをキャリアガスによって反応系
に導入し、反応ガスとの化学反応によって生成する固層
を基材上に析出させて膜を形成させる方法である。この
ＣＶＤ法により炭化珪素薄膜を炭素（黒鉛）あるいは炭
化物基材等に形成する場合、従来は、反応炉内を窒素ガ
スにより置換し、排気した後、棒状黒鉛基材と電極との
間で交流によりグロー放電を行ない、次に基材ヲ１４０
０℃に通電加熱し、テトラメチルシランような有機珪素
ガスを一定流量（例えば２．８Ｘ １０″’％ル／分）
でグロー放電プラズマ中に供給することにより、炭化珪
素薄膜を形成している。
この従来方法によると、基材を１４００℃程度に加熱し
なければならないので、基材と炭化珪素薄膜との熱膨張
の相違に基づく変形や膜の剥離が生じやすいという問題
点があった。
なければならないので、基材と炭化珪素薄膜との熱膨張
の相違に基づく変形や膜の剥離が生じやすいという問題
点があった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、基材の加熱温度
を比較的低温に保つことができ、薄膜の変形や基材から
の剥離が生じることがない薄膜の形成方法を提供しよう
とするものである。
を比較的低温に保つことができ、薄膜の変形や基材から
の剥離が生じることがない薄膜の形成方法を提供しよう
とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の炭化珪素薄膜の形成方法は１反応炉内に有機珪
素を供給すると同時に、基材に対して例えばレーザビー
ム、プラズマど−ム、マイクロ波および放電アークのい
ずれかを局部的に加えて加熱しつつ、かつ加熱点を移動
させながら、ＣＶＤ法により炭化珪素薄膜を局部的に形
成することを特徴とする。
素を供給すると同時に、基材に対して例えばレーザビー
ム、プラズマど−ム、マイクロ波および放電アークのい
ずれかを局部的に加えて加熱しつつ、かつ加熱点を移動
させながら、ＣＶＤ法により炭化珪素薄膜を局部的に形
成することを特徴とする。
（実施例）
以下本発明の一実施例を８１図により説明する。キャリ
アガスであるアルゴンガスにより置換された反応炉ｌ内
に、数値制御装置２によりＸ。
アガスであるアルゴンガスにより置換された反応炉ｌ内
に、数値制御装置２によりＸ。
Ｙ方向に位置制御自在にテーブル３を設置し、該テーブ
ル３上に基材４を置き、基材４を数値制御装置２により
移動させながら、塩化カリウム製の窓５からレーザビー
ム６を基材４に局部的に照射し、これによってレーザビ
ーム照射点の基材表面部分の温度が局部的に上昇し、レ
ーザ出力を調整することにより、その温度が１２５０〜
１３５０℃、基材４の平均温度や反応炉ｌの炉内温度が
数百度程度になるようにする。これと同時に、基材４上
のレーザビーム６の照射点と同一点に向けて原料ガスと
キャリアガスとの混合ガス１５を反応炉ｌに取付けたノ
ズル１４から噴出させ、局部的に炭化珪素薄膜を形成さ
せる。
ル３上に基材４を置き、基材４を数値制御装置２により
移動させながら、塩化カリウム製の窓５からレーザビー
ム６を基材４に局部的に照射し、これによってレーザビ
ーム照射点の基材表面部分の温度が局部的に上昇し、レ
ーザ出力を調整することにより、その温度が１２５０〜
１３５０℃、基材４の平均温度や反応炉ｌの炉内温度が
数百度程度になるようにする。これと同時に、基材４上
のレーザビーム６の照射点と同一点に向けて原料ガスと
キャリアガスとの混合ガス１５を反応炉ｌに取付けたノ
ズル１４から噴出させ、局部的に炭化珪素薄膜を形成さ
せる。
なお、レーザビーム６を照射する装置は、炭酸ガスレー
ザ７と、その出力側に設けられた９９％透過ミラー８と
、該透過ミラー８からの一部の反射ビームを検出してレ
ーザ電源ｌｏを制御するレーザ・パワ一番メータ９と、
レーザビームをガイドするＺｎ５ｅレンズ１１および全
反射ミラー１２とからなる。１３は反応炉１に設けられ
た内部確認用窓、４２は反応炉ｌ内のガスの出口である
。
ザ７と、その出力側に設けられた９９％透過ミラー８と
、該透過ミラー８からの一部の反射ビームを検出してレ
ーザ電源ｌｏを制御するレーザ・パワ一番メータ９と、
レーザビームをガイドするＺｎ５ｅレンズ１１および全
反射ミラー１２とからなる。１３は反応炉１に設けられ
た内部確認用窓、４２は反応炉ｌ内のガスの出口である
。
また、前記混合がス１５の供給系統は１次のように構成
されている。１６はキャリアガスの圧力容器であり、そ
の供給管路１７には、流量調節用の手動弁１８．１８’
と、コック１９〜２１と、脱酸素装置２２と、脱水分装
置２３と、圧力計２４〜２６と１ｍ素分析計２７と、流
量計２８とが設けられ、一方、原料ガスの供給系統は、
有機珪素を収容している原料容器２９と、該容器２９か
ら断熱容器である気化室３０に原料を送給するポンプ３
１と、気化室３０からの気化された有機珪素ガスを前記
キャリアガスの供給管路１７に合流させる断熱層を有す
る管路３２と、原料容器２９および気化室３０に対して
キャリアガスを充填するバイパス管路３３〜３５と、こ
れらの管路に設けられた手動弁３６．流量計３７．コッ
ク３８，３９、およびトラップ４０．４１からなる。
されている。１６はキャリアガスの圧力容器であり、そ
の供給管路１７には、流量調節用の手動弁１８．１８’
と、コック１９〜２１と、脱酸素装置２２と、脱水分装
置２３と、圧力計２４〜２６と１ｍ素分析計２７と、流
量計２８とが設けられ、一方、原料ガスの供給系統は、
有機珪素を収容している原料容器２９と、該容器２９か
ら断熱容器である気化室３０に原料を送給するポンプ３
１と、気化室３０からの気化された有機珪素ガスを前記
キャリアガスの供給管路１７に合流させる断熱層を有す
る管路３２と、原料容器２９および気化室３０に対して
キャリアガスを充填するバイパス管路３３〜３５と、こ
れらの管路に設けられた手動弁３６．流量計３７．コッ
ク３８，３９、およびトラップ４０．４１からなる。
炭化珪素薄膜の形成速度は、レーザビーム径。
レーザビーム出力、キャリアガス流量、有機珪素ガスの
種類、流量および基材の材質、移動速度によって異なる
が、キャリアガスをアルゴンガスとしてその流量を０．
５文／ｗｉｎ、有機珪素をジメ、チルジクσロシラン（
（ＣＨ３）ｔｓｆｃ文２）としてその流量を２．８Ｘ
１０’ モル／ｗｉｎ、ノズル１４の内径を０．２ｍｍ
、レーザビーム６の出力を２００Ｗ、レーザビーム６の
直径を０．２＋ｓｍ、基材４として直径５０ＩＩｍの丸
棒状の黒鉛を移動速度１＋ｕ＋／ａｓＣ１基材のレーザ
ビーム照射点温度が前記！２３０〜１３５０℃、炉内温
度が３００℃となるようにして薄膜形成を行なった場合
、０．２ ｔｓｍ幅、厚み０．１４ｍでビッカース硬度
Ｈマ３００Ｇの炭化珪素薄膜が形成された。また、従来
の方法によって形成された炭化珪素の付着強度６ｋｇ／
ｍ腸２に対し１０ｋｇ７’ｓ■２という大きな付着強度
が得られた。
種類、流量および基材の材質、移動速度によって異なる
が、キャリアガスをアルゴンガスとしてその流量を０．
５文／ｗｉｎ、有機珪素をジメ、チルジクσロシラン（
（ＣＨ３）ｔｓｆｃ文２）としてその流量を２．８Ｘ
１０’ モル／ｗｉｎ、ノズル１４の内径を０．２ｍｍ
、レーザビーム６の出力を２００Ｗ、レーザビーム６の
直径を０．２＋ｓｍ、基材４として直径５０ＩＩｍの丸
棒状の黒鉛を移動速度１＋ｕ＋／ａｓＣ１基材のレーザ
ビーム照射点温度が前記！２３０〜１３５０℃、炉内温
度が３００℃となるようにして薄膜形成を行なった場合
、０．２ ｔｓｍ幅、厚み０．１４ｍでビッカース硬度
Ｈマ３００Ｇの炭化珪素薄膜が形成された。また、従来
の方法によって形成された炭化珪素の付着強度６ｋｇ／
ｍ腸２に対し１０ｋｇ７’ｓ■２という大きな付着強度
が得られた。
このように高い付着強度が得られる理由は次のように考
えられる。すなわち、従来方法のように基材４の温度を
一律に１４００℃にして膜形成を行なう場合には、第２
図（Ａ）に示すように、膨張率の差により、基材４とＦ
ｉｌｌ！＜Ａの冷却に伴ない、全体の収縮量の差ΔＸが
大きくなるが、局部的に膜形成を行なう場合には、第２
図（Ｂ）に示すように、収縮量の差ΔＸ′が小さく、従
って付着強度が高く、変形、Ｍ離が生じにくくなるもの
と考えられる。なお本発明において、局部的に薄膜を形
成するというのは、製品として局部的に薄膜が形成され
るという意味ではなく、形成の段階で過渡的に局部的に
薄膜が形成されるという意味であり、製品としては、全
体的に薄膜が形成される場合もある。
えられる。すなわち、従来方法のように基材４の温度を
一律に１４００℃にして膜形成を行なう場合には、第２
図（Ａ）に示すように、膨張率の差により、基材４とＦ
ｉｌｌ！＜Ａの冷却に伴ない、全体の収縮量の差ΔＸが
大きくなるが、局部的に膜形成を行なう場合には、第２
図（Ｂ）に示すように、収縮量の差ΔＸ′が小さく、従
って付着強度が高く、変形、Ｍ離が生じにくくなるもの
と考えられる。なお本発明において、局部的に薄膜を形
成するというのは、製品として局部的に薄膜が形成され
るという意味ではなく、形成の段階で過渡的に局部的に
薄膜が形成されるという意味であり、製品としては、全
体的に薄膜が形成される場合もある。
なお、レーザビーム径、レーザビーム出力、キャリアガ
ス流量、有機珪素ガス流量濃度および基材の移動速度は
薄膜形成上相互に関連のある因子であるが、一般的に好
適な範囲は、炭酸ガスレーザにおいては、レーザビーム
の径０．１〜２１、レーザビーム出力１００〜２００Ｗ
であり、またアルゴンガス流量は０．５〜２文／１ｎ、
有機珪素ガス流量は前記ジメチルジクロロシランの場合
は０．００１〜０．００３ ｍＪＬ／ｗｉｎ 、 ノズ
ルの内径は０．１〜０．３■で薄膜形成を行なう場合は
、移動速度１〜ｌＯ腸層／ｓｅｃである。
ス流量、有機珪素ガス流量濃度および基材の移動速度は
薄膜形成上相互に関連のある因子であるが、一般的に好
適な範囲は、炭酸ガスレーザにおいては、レーザビーム
の径０．１〜２１、レーザビーム出力１００〜２００Ｗ
であり、またアルゴンガス流量は０．５〜２文／１ｎ、
有機珪素ガス流量は前記ジメチルジクロロシランの場合
は０．００１〜０．００３ ｍＪＬ／ｗｉｎ 、 ノズ
ルの内径は０．１〜０．３■で薄膜形成を行なう場合は
、移動速度１〜ｌＯ腸層／ｓｅｃである。
また、原料ガスに混合するガスとしては、化学式Ｓ ｉ
ＣｆＬｘ （ＣＨ３） ｙ Ｈｚ （ｘ、 ｙ 、
ｚ＝０〜４）で表現されるものが用いられるが、原料ガ
スの自己分解の際の分解促進のため、あるいは不純物で
ある珪素、炭素が析出しないように、水素、炭化水素（
メタン、ベンゼン）等をキャリアガスとして混入する。
ＣｆＬｘ （ＣＨ３） ｙ Ｈｚ （ｘ、 ｙ 、
ｚ＝０〜４）で表現されるものが用いられるが、原料ガ
スの自己分解の際の分解促進のため、あるいは不純物で
ある珪素、炭素が析出しないように、水素、炭化水素（
メタン、ベンゼン）等をキャリアガスとして混入する。
逆に四基化珪素のように構成原子に炭素が無い場合、メ
タン等の炭素供給源を入れなければならない。
タン等の炭素供給源を入れなければならない。
第３図は本発明の他の実施例であり、前記レーザビーム
の代わりに、プラズマトーチ４３からプラズマビーム４
４を黒鉛基材４に照射し、その照射点に対し、原料容器
２９に収容された原料をポンプ３１によりノズル１４か
ら液体のままで噴出させるようにしたものであり、反応
炉１内には酸化を防止するためにアルゴンガス等をその
人口４５から流入させるようにしたものであり、原料は
基材４上に噴射される瞬間に気化して薄膜形成反応を発
生させる０本実施例においても、基材４の平均温度ない
しは反応炉１内の温度を低く押さえることができる。こ
のプラズマビームを用いる場合、ビームの径ｌｏｓｍ、
ビーム出力２ｋＷ、アルゴンガス流量１９．／ｗｉｎ、
有機珪素ガス（ジメチルジクロロシラン）の流量１ｍｆ
Ｌ／ｗｉｎ、基材の移動速度をｌａｗ／ｓｅｃとして５
０１膳の直径の丸棒を移動させて薄膜形成を行なった場
合は、ＩＯ＋ｗｍ幅、厚みＯ，１４ｍでビッカース硬度
Ｈマ３０００、付着強度９ｋｇ／＋１１１１”の炭化珪
素薄膜が形成された。
の代わりに、プラズマトーチ４３からプラズマビーム４
４を黒鉛基材４に照射し、その照射点に対し、原料容器
２９に収容された原料をポンプ３１によりノズル１４か
ら液体のままで噴出させるようにしたものであり、反応
炉１内には酸化を防止するためにアルゴンガス等をその
人口４５から流入させるようにしたものであり、原料は
基材４上に噴射される瞬間に気化して薄膜形成反応を発
生させる０本実施例においても、基材４の平均温度ない
しは反応炉１内の温度を低く押さえることができる。こ
のプラズマビームを用いる場合、ビームの径ｌｏｓｍ、
ビーム出力２ｋＷ、アルゴンガス流量１９．／ｗｉｎ、
有機珪素ガス（ジメチルジクロロシラン）の流量１ｍｆ
Ｌ／ｗｉｎ、基材の移動速度をｌａｗ／ｓｅｃとして５
０１膳の直径の丸棒を移動させて薄膜形成を行なった場
合は、ＩＯ＋ｗｍ幅、厚みＯ，１４ｍでビッカース硬度
Ｈマ３０００、付着強度９ｋｇ／＋１１１１”の炭化珪
素薄膜が形成された。
このように原料として液体を利用すれば、原料供給速度
を上げることができるので、単位時間当りの薄膜形成面
積を大きくすることができるという利点があり、この液
体使用は、第１図の実施例においても行なうことができ
る。′また、前記プラズマビームやレーザビーム、の代
わりにマイクロ波を用いることができる。
を上げることができるので、単位時間当りの薄膜形成面
積を大きくすることができるという利点があり、この液
体使用は、第１図の実施例においても行なうことができ
る。′また、前記プラズマビームやレーザビーム、の代
わりにマイクロ波を用いることができる。
第４図は本発明の他の実施例であり、高圧電源装置４６
の出力の一方の極をテーブル３を介して、あるいは直接
に基材４に接続し、他方の極を基材４に対向する尖鋭な
電極４７に接続し、局部的にアーク放電を発生させて局
部的に薄膜形成を行なうようにしたものである。なお、
この実施例において、アーク放電は、交流、直流のいず
れでも良く、高周波を用いることもできる。
の出力の一方の極をテーブル３を介して、あるいは直接
に基材４に接続し、他方の極を基材４に対向する尖鋭な
電極４７に接続し、局部的にアーク放電を発生させて局
部的に薄膜形成を行なうようにしたものである。なお、
この実施例において、アーク放電は、交流、直流のいず
れでも良く、高周波を用いることもできる。
このような放電アークを用いる場合の一例として、基材
４を陰極、電極４７を１腸■の直径の陽極とする出力電
圧３０Ｖの直流電源′！Ｊ置４６を用い、電極４７と基
材４との間隔を５ｍ層とし、有機珪素ガス（ジメチルジ
クロロシラン）の流量を０．００１ｍＪＬ／ｌ１ｉｎ、
基材の移動速度を０．２ ｍｍ／ｓｅｃ として５０ｍ
ｍの直径の丸棒を移動させて薄膜形成を行なった場合は
、１ｍｍ幅、厚み０．１ｇｍでビッカース硬度Ｈマ３０
００、付着強度９ ｋｇ ７１＠２の炭化珪素薄膜が形
成された。
４を陰極、電極４７を１腸■の直径の陽極とする出力電
圧３０Ｖの直流電源′！Ｊ置４６を用い、電極４７と基
材４との間隔を５ｍ層とし、有機珪素ガス（ジメチルジ
クロロシラン）の流量を０．００１ｍＪＬ／ｌ１ｉｎ、
基材の移動速度を０．２ ｍｍ／ｓｅｃ として５０ｍ
ｍの直径の丸棒を移動させて薄膜形成を行なった場合は
、１ｍｍ幅、厚み０．１ｇｍでビッカース硬度Ｈマ３０
００、付着強度９ ｋｇ ７１＠２の炭化珪素薄膜が形
成された。
なお本発明を実施する場合レーザビーム、プラズマビー
ム、マイクロ波および放電アークの他に、基材の近傍に
グロー放電を作用させることにより、原料の薄膜化が促
進される。すなわち、有機珪素は、分解、縮合して炭化
珪素薄膜を形成するが、供給量が多くなると分解、縮合
が間に合わなくなり、メチル基を有するものにおいては
、メチル基の脱離が不完全となる。このために、炭化珪
素粒子間に閉じ込められたメチル基は最終的に遊離炭素
となって炭化珪素粒子間に析出する。このＦＬ雌炭素析
出を防止するには、分解、縮合を促進すればよい、グロ
ー放電を作用させれば、有機珪素の分解、縮合反応が促
進され、ｉａ［炭素析出が防止され、硬度の高い薄膜が
形成される。また、本発明により薄膜を形成する材料の
形状としては、丸棒以外に、板状や輪状などに任意の形
状のものが選定できる。
ム、マイクロ波および放電アークの他に、基材の近傍に
グロー放電を作用させることにより、原料の薄膜化が促
進される。すなわち、有機珪素は、分解、縮合して炭化
珪素薄膜を形成するが、供給量が多くなると分解、縮合
が間に合わなくなり、メチル基を有するものにおいては
、メチル基の脱離が不完全となる。このために、炭化珪
素粒子間に閉じ込められたメチル基は最終的に遊離炭素
となって炭化珪素粒子間に析出する。このＦＬ雌炭素析
出を防止するには、分解、縮合を促進すればよい、グロ
ー放電を作用させれば、有機珪素の分解、縮合反応が促
進され、ｉａ［炭素析出が防止され、硬度の高い薄膜が
形成される。また、本発明により薄膜を形成する材料の
形状としては、丸棒以外に、板状や輪状などに任意の形
状のものが選定できる。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明によれば、薄膜形成を局部的
に行なうことにより、剥離や変形を生じにくい炭化珪素
薄膜が形成できる。なお本発明は、炭化珪素薄膜の形成
方法と称しているが、例えば黒鉛等の基材と基材とを積
み重さね等接合状態で膜形成を行なうと表面に膜が形成
されるだけでなく、接合隙間に侵入していて対向接合面
にも炭化珪素膜が形成され、そしてついには両基材が形
成炭化珪素により強固に結合されるもので、従って本発
明は炭化珪素による接合方法として有用なものである。
に行なうことにより、剥離や変形を生じにくい炭化珪素
薄膜が形成できる。なお本発明は、炭化珪素薄膜の形成
方法と称しているが、例えば黒鉛等の基材と基材とを積
み重さね等接合状態で膜形成を行なうと表面に膜が形成
されるだけでなく、接合隙間に侵入していて対向接合面
にも炭化珪素膜が形成され、そしてついには両基材が形
成炭化珪素により強固に結合されるもので、従って本発
明は炭化珪素による接合方法として有用なものである。
第１図は本発明の方法を一実施例を説明する装置構成図
、第２図は本発明の原理説明図、第３図および第４図は
それぞれ本発明の他の実施例を示す装置構成図である。
、第２図は本発明の原理説明図、第３図および第４図は
それぞれ本発明の他の実施例を示す装置構成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応炉内に有機珪素を供給すると同時に、基材を局
部的に加熱し、かつ基材の加熱点を移動させながら、Ｃ
ＶＤ法により該加熱点に局部的に炭化珪素薄膜を形成す
ることを特徴とする炭化珪素薄膜の形成方法。 ２、前記有機珪素を前記加熱点に向けて供給することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の炭化珪素薄膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260389A JPH062946B2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260389A JPH062946B2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136680A true JPS61136680A (ja) | 1986-06-24 |
| JPH062946B2 JPH062946B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=17347235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59260389A Expired - Lifetime JPH062946B2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062946B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266884A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for forming film on base material |
| JPS5490215A (en) * | 1977-11-30 | 1979-07-17 | Toshiba Ceramics Co | Apparatus for making silicon carbide composite body |
| JPS59129774A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 選択的窒化膜の作製方法 |
-
1984
- 1984-12-08 JP JP59260389A patent/JPH062946B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266884A (en) * | 1975-12-01 | 1977-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for forming film on base material |
| JPS5490215A (en) * | 1977-11-30 | 1979-07-17 | Toshiba Ceramics Co | Apparatus for making silicon carbide composite body |
| JPS59129774A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 選択的窒化膜の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH062946B2 (ja) | 1994-01-12 |
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