JPS61139667A - 炭化珪素薄膜の形成方法 - Google Patents
炭化珪素薄膜の形成方法Info
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- JPS61139667A JPS61139667A JP26039184A JP26039184A JPS61139667A JP S61139667 A JPS61139667 A JP S61139667A JP 26039184 A JP26039184 A JP 26039184A JP 26039184 A JP26039184 A JP 26039184A JP S61139667 A JPS61139667 A JP S61139667A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば高温用治具、耐熱耐蝕性のメカニカル
シールあるいは半導体用シリコンウェハの加熱台等に使
用される炭化珪素（Ｓｉ、Ｃ）薄膜形成部材をＣＶＤ法
を用いて炭素もしくは炭化物基材、またはセラミックス
や比較的高耐熱性の金属、合金大村上に形成する方法に
関する。
シールあるいは半導体用シリコンウェハの加熱台等に使
用される炭化珪素（Ｓｉ、Ｃ）薄膜形成部材をＣＶＤ法
を用いて炭素もしくは炭化物基材、またはセラミックス
や比較的高耐熱性の金属、合金大村上に形成する方法に
関する。
（従来の技術）
炭化物の膜形成方法として、気相反応すなわちＣＶＤ法
が知られている。ＣＶＤ法は膜の構成元素を気化しやす
い化合物にし、これをキャリアガスによって反応系に導
入し、反応ガスの化学反応によって生成する固層を基材
上に析出させて膜を形成させる方法である。このＣＶＤ
法により炭化珪素薄膜を炭素（黒鉛）あるいは炭化物基
材等に形成する場合、従来は、反応炉内を窒素ガスによ
り置換し、排気した後、棒状黒鉛基材と電極との間で交
流によりグロー放電を行ない、次に基材を１４００℃に
通電加熱し、テトラメチルシランを一定流量（例えば２
．８Ｘ１０−’モル／分）でグロー放電プラズマ中に供
給することにより、炭化珪素薄膜を形成している。
が知られている。ＣＶＤ法は膜の構成元素を気化しやす
い化合物にし、これをキャリアガスによって反応系に導
入し、反応ガスの化学反応によって生成する固層を基材
上に析出させて膜を形成させる方法である。このＣＶＤ
法により炭化珪素薄膜を炭素（黒鉛）あるいは炭化物基
材等に形成する場合、従来は、反応炉内を窒素ガスによ
り置換し、排気した後、棒状黒鉛基材と電極との間で交
流によりグロー放電を行ない、次に基材を１４００℃に
通電加熱し、テトラメチルシランを一定流量（例えば２
．８Ｘ１０−’モル／分）でグロー放電プラズマ中に供
給することにより、炭化珪素薄膜を形成している。
この従来方法によると、炭化珪素薄膜をせいぜい３．７
５ ＪＬｍ ／ ｗｉｎ程度の析出速度でしか形成させ
ることができない。
５ ＪＬｍ ／ ｗｉｎ程度の析出速度でしか形成させ
ることができない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、従来よりも高速で炭化珪素ｓｒｓを形成する
ことができ、かつ緻密で硬度の高い薄膜が得られる炭化
珪素薄膜の形成方法を提供しようとするものである。
□ （問題点を解決するための手段） 本発明による炭化珪素薄膜の形成方法は、反応炉内にキ
ャリアガス共に有機−素を供給し、基材を炉内加熱、ま
たは通電あるいは電磁誘導作用により加熱し、レーザビ
ーム、プラズマジェットまたはマイクロ波照射により反
応ガスを加熱活性化すると共に、グロー放電を行ないな
がらＣＶＤ法により基材表面に炭化珪素薄膜を形成する
ことを特徴とする。
ことができ、かつ緻密で硬度の高い薄膜が得られる炭化
珪素薄膜の形成方法を提供しようとするものである。
□ （問題点を解決するための手段） 本発明による炭化珪素薄膜の形成方法は、反応炉内にキ
ャリアガス共に有機−素を供給し、基材を炉内加熱、ま
たは通電あるいは電磁誘導作用により加熱し、レーザビ
ーム、プラズマジェットまたはマイクロ波照射により反
応ガスを加熱活性化すると共に、グロー放電を行ないな
がらＣＶＤ法により基材表面に炭化珪素薄膜を形成する
ことを特徴とする。
（実施例）
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。反応炉
１内に黒鉛基材２誉入れ、反応炉１内を排気回収装置３
０（この装置は、真空ポンプ３４と、手動弁３１と、コ
ールド・トラップ３２と、ケミカル慟トラップ３３と、
メタンセンサ１８Ｃとからなる）および後述の原料およ
びキャリアガス供給装置によりアルゴンガスにより置換
し、ＩＭＰａにまで排気した後、基材２に対して基材加
熱用電源３ （ＤＣ２５Ｖ 、 １００〜２０ＯＡ ）
により通電′１ながら加熱すると共に、グロー放電用電
源４ （ＡＣ２ＱＯＱＶ、 、 ２０ｍＡ）により、基
材２とグロー放電用環状電極５との間でグロー放電を行
なわせてプラズマガスを発生させることにより反応ガス
（原料ガスおよびその分解、縮合により発生したガス）
を活性化し、例えば炭酸ガスレーザ（２００ｖ）のよう
なレーザ装置６により発生させたレーザビーム１０を、
シリンドリカルレンズ７により２０ＸＯ，％５ｍｍに絞
り、および反応炉ｌに設けた塩化カリウム窓８を介して
グロー放電を発生させている環状電極５と基材２との間
の空間９に照射して高温を発生させ、一部は前記窓８と
反対側の窓８′を介し、反射鏡１１で反射させて再び前
層空間９に導くことにより、ＣＶＤ法によって炭化珪素
薄膜を基材２」二に形成する。なお、レーザビーム出力
はパワーメータ１２により監視し、基材２の温度は熱電
対２８により監視し、反応器ｌ内の圧力は圧力計２９に
よって監視するようにしている。
１内に黒鉛基材２誉入れ、反応炉１内を排気回収装置３
０（この装置は、真空ポンプ３４と、手動弁３１と、コ
ールド・トラップ３２と、ケミカル慟トラップ３３と、
メタンセンサ１８Ｃとからなる）および後述の原料およ
びキャリアガス供給装置によりアルゴンガスにより置換
し、ＩＭＰａにまで排気した後、基材２に対して基材加
熱用電源３ （ＤＣ２５Ｖ 、 １００〜２０ＯＡ ）
により通電′１ながら加熱すると共に、グロー放電用電
源４ （ＡＣ２ＱＯＱＶ、 、 ２０ｍＡ）により、基
材２とグロー放電用環状電極５との間でグロー放電を行
なわせてプラズマガスを発生させることにより反応ガス
（原料ガスおよびその分解、縮合により発生したガス）
を活性化し、例えば炭酸ガスレーザ（２００ｖ）のよう
なレーザ装置６により発生させたレーザビーム１０を、
シリンドリカルレンズ７により２０ＸＯ，％５ｍｍに絞
り、および反応炉ｌに設けた塩化カリウム窓８を介して
グロー放電を発生させている環状電極５と基材２との間
の空間９に照射して高温を発生させ、一部は前記窓８と
反対側の窓８′を介し、反射鏡１１で反射させて再び前
層空間９に導くことにより、ＣＶＤ法によって炭化珪素
薄膜を基材２」二に形成する。なお、レーザビーム出力
はパワーメータ１２により監視し、基材２の温度は熱電
対２８により監視し、反応器ｌ内の圧力は圧力計２９に
よって監視するようにしている。
キャリアガスとしては、アルゴンガスを用い、アルゴン
ガスの反応炉ｌへの供給は、アルゴンガスの圧力容器１
３から、キャリアガス供給管路１４の脱酸素装置１５Ａ
と、コック２７と、脱水分装置１６Ａとを通して流量調
節器１７Ａにより流量を調節し、また、酸素分析計１８
Ａと、流量計１９Ａの各計測値を監視しながらガス供給
を行なう。
ガスの反応炉ｌへの供給は、アルゴンガスの圧力容器１
３から、キャリアガス供給管路１４の脱酸素装置１５Ａ
と、コック２７と、脱水分装置１６Ａとを通して流量調
節器１７Ａにより流量を調節し、また、酸素分析計１８
Ａと、流量計１９Ａの各計測値を監視しながらガス供給
を行なう。
一方、原料ガスの供給は、ジメチルジクロロシランと四
塩化炭素との混合液を収容している原料容器２０から定
量ポンプ２１により断熱容器である気化室２２に滴下口
、該気化室２２からの気化されたジメチルジクロロシラ
ンと四塩化炭素の混合ガスを前記キャリアガスの供給管
路１４からのガスに合流させる断熱層を有する管路２３
、２４を介して反応炉１内に供給する。
塩化炭素との混合液を収容している原料容器２０から定
量ポンプ２１により断熱容器である気化室２２に滴下口
、該気化室２２からの気化されたジメチルジクロロシラ
ンと四塩化炭素の混合ガスを前記キャリアガスの供給管
路１４からのガスに合流させる断熱層を有する管路２３
、２４を介して反応炉１内に供給する。
原料容器２０および気化室２２に対しては、キャリアガ
スなそれ−ｉ管路２５．２６を介して充填し、気化室２
２への管路２６には、流量調節器１７Ｂと流量計１９Ｂ
とを設けて流量を監視、調節する。すなわち、気化させ
たジメチルジクロロシラン、四塩化炭素およびアルゴン
との混合ガスを、前記流量調節器１７Ａ、１７Ｂ、コッ
ク２７等の操作により、管路２４を介して反応炉ｌ内に
導入し、アルゴンガス中の原料ガスの分圧は、電子恒温
槽で制御された気化室２２の温度、原料ガスの滴下速度
、気化室２２のアルゴン流量、および流量計１９Ａによ
り計測されるアルゴンガス流量を変えることにより調節
した。
スなそれ−ｉ管路２５．２６を介して充填し、気化室２
２への管路２６には、流量調節器１７Ｂと流量計１９Ｂ
とを設けて流量を監視、調節する。すなわち、気化させ
たジメチルジクロロシラン、四塩化炭素およびアルゴン
との混合ガスを、前記流量調節器１７Ａ、１７Ｂ、コッ
ク２７等の操作により、管路２４を介して反応炉ｌ内に
導入し、アルゴンガス中の原料ガスの分圧は、電子恒温
槽で制御された気化室２２の温度、原料ガスの滴下速度
、気化室２２のアルゴン流量、および流量計１９Ａによ
り計測されるアルゴンガス流量を変えることにより調節
した。
具体的には、反応炉１内の温度を１２００〜１５００℃
の範囲内に制御し、原料液の気化室２２への滴下速度を
０．１〜１＋ｎＫＬ／Ｑ！ｉｎ、アルゴンガス流量を０
．１〜２．５１ ／ｗｉｎの条件下で、前記レーザビー
ム１０の照射と、グロー放電と、基材２への通電加熱を
行ないながら反応を行なわせた。例えば、反応炉温度１
３８０〜１４２０℃、ジメチルジクロロシランと四塩化
炭素との混合液（モル比ｌ：１）の気化室２２への滴下
速度を０．００２１１１モルフ’ｓｉｎ、気化室２２へ
のアルゴンガス流量を０．０５Ｊｌ ／ ｗｉｎ 、気
化温度を１００℃、アルゴンガス供給管路１４のアルゴ
ンガス流量を０．５ ｕ／ｗｉｎ （すなわち１０倍
稀釈）の条件で１時間熱分解を行なうことにより、１７
ｍｍの直径の黒鉛基材２の表面にビッカース硬度が３０
００、厚さ０．３ ｍｍのβ型炭化珪素薄膜が形成され
た。また形成された薄膜の断面写真によると、薄膜が緻
密なものであることが確認された。
の範囲内に制御し、原料液の気化室２２への滴下速度を
０．１〜１＋ｎＫＬ／Ｑ！ｉｎ、アルゴンガス流量を０
．１〜２．５１ ／ｗｉｎの条件下で、前記レーザビー
ム１０の照射と、グロー放電と、基材２への通電加熱を
行ないながら反応を行なわせた。例えば、反応炉温度１
３８０〜１４２０℃、ジメチルジクロロシランと四塩化
炭素との混合液（モル比ｌ：１）の気化室２２への滴下
速度を０．００２１１１モルフ’ｓｉｎ、気化室２２へ
のアルゴンガス流量を０．０５Ｊｌ ／ ｗｉｎ 、気
化温度を１００℃、アルゴンガス供給管路１４のアルゴ
ンガス流量を０．５ ｕ／ｗｉｎ （すなわち１０倍
稀釈）の条件で１時間熱分解を行なうことにより、１７
ｍｍの直径の黒鉛基材２の表面にビッカース硬度が３０
００、厚さ０．３ ｍｍのβ型炭化珪素薄膜が形成され
た。また形成された薄膜の断面写真によると、薄膜が緻
密なものであることが確認された。
この詩の薄膜の平均形成速度は１反応炉１内の圧力を１
ｏ−２Ｔｏｒｒ以ｒにしても５＃Ｌｍ／ｍｉｎとなり、
従来よりも大幅に形成速度を向上させることが可能であ
った。
ｏ−２Ｔｏｒｒ以ｒにしても５＃Ｌｍ／ｍｉｎとなり、
従来よりも大幅に形成速度を向上させることが可能であ
った。
上記のようにレーザビームを基材２の近傍に作用させて
高温領域を形成し、さらに基材２の近傍にグロー放電を
作用させることにより、反応は高速に進行する。また、
原料の薄膜化が促進される。すなわち、有機珪素は、分
解、縮合して炭化珪素薄膜を形成するが、供給量が多く
なると分解、縮合が間に合わなくなり、メチル基を有す
るものにおいては、メチル基の脱離が不完全となる。こ
のために、炭化珪素粒子間に閉じ込められたメチル基は
最終的に遊＃炭素となって炭化珪素粒子間に析出する。
高温領域を形成し、さらに基材２の近傍にグロー放電を
作用させることにより、反応は高速に進行する。また、
原料の薄膜化が促進される。すなわち、有機珪素は、分
解、縮合して炭化珪素薄膜を形成するが、供給量が多く
なると分解、縮合が間に合わなくなり、メチル基を有す
るものにおいては、メチル基の脱離が不完全となる。こ
のために、炭化珪素粒子間に閉じ込められたメチル基は
最終的に遊＃炭素となって炭化珪素粒子間に析出する。
このｔｉｔ ＃Ｉ 炭素析出を防１卜するには、分解、
縮合を促進すればよい。グロー放電を作用させれば、有
機珪素の分解、縮合反応が促進され、遊離炭素析出が防
１１−され、硬度の高い薄膜が形成される。また、有機
珪素の分解は、任意の温度で起こり、その結果として炭
化珪素薄膜だけでなく炭素薄膜、炭化珪素超微粉、炭素
粉が合成されてしまうが、通電加熱とレーザビームによ
る基材２と反応ガスを加熱することにより、炭化珪素薄
膜を形成する目的とする温度に急速に加熱され、緻密な
薄膜が形成される。
縮合を促進すればよい。グロー放電を作用させれば、有
機珪素の分解、縮合反応が促進され、遊離炭素析出が防
１１−され、硬度の高い薄膜が形成される。また、有機
珪素の分解は、任意の温度で起こり、その結果として炭
化珪素薄膜だけでなく炭素薄膜、炭化珪素超微粉、炭素
粉が合成されてしまうが、通電加熱とレーザビームによ
る基材２と反応ガスを加熱することにより、炭化珪素薄
膜を形成する目的とする温度に急速に加熱され、緻密な
薄膜が形成される。
また、本発明において用いる原料ガスとしては、化学式
５ｉＣｕエ （ＣＨ３） ｙ Ｈ２（Ｘ 。
５ｉＣｕエ （ＣＨ３） ｙ Ｈ２（Ｘ 。
ｙ、ｚ＝０〜４）で表現されるもの、例えばクロロメチ
ルシラン、メチルジクロロシラン、メチルトリクロロシ
ラン、ジメチルクロロシラン、またはトリメチルクロロ
シラン等が用いられるが、原料ガスの自己分解の際の分
解促進のため、あるいは不純物である珪素、炭素が析出
しないように、図示のように、圧力容器３５から水素、
炭化水素（メタン、ベンゼン）等を、コック２７、供給
管路３６の脱酸素袋Ｎｌ ５Ｂと、脱水分装置１６Ｂと
を通して流量調節器１７Ｃにより流量を調節し、また、
酸素分析計１８Ｂと、流量計１９Ｃの各計測値を監視し
ながら、反応炉ｌの入口Ａから反応炉１内に供給する。
ルシラン、メチルジクロロシラン、メチルトリクロロシ
ラン、ジメチルクロロシラン、またはトリメチルクロロ
シラン等が用いられるが、原料ガスの自己分解の際の分
解促進のため、あるいは不純物である珪素、炭素が析出
しないように、図示のように、圧力容器３５から水素、
炭化水素（メタン、ベンゼン）等を、コック２７、供給
管路３６の脱酸素袋Ｎｌ ５Ｂと、脱水分装置１６Ｂと
を通して流量調節器１７Ｃにより流量を調節し、また、
酸素分析計１８Ｂと、流量計１９Ｃの各計測値を監視し
ながら、反応炉ｌの入口Ａから反応炉１内に供給する。
逆に原料ガスが四塩化珪素のみの場合のように構成原子
に炭素が無い場合、メタン等の炭素供給源を入れなけれ
ばならない。
に炭素が無い場合、メタン等の炭素供給源を入れなけれ
ばならない。
第２図は本発明の他の実施例であり、前記グロー放重用
電極５と基材２との間の空間９に、プラズマトーチ３７
゛（またマイクロ波照射筒）によりプラズマジェット（
またマイクロ波）を供給して反応ガスを加熱すると共に
、基材２に照射し、かつ基材２の近傍に高周波電磁誘導
用のコイル３８を設け、高周波電源３９により該コイル
３８に通電して電磁誘導により基材２を加熱するように
したものである。プラズマジェット（またマイクロ波）
を用いれば、レーザと同様に反応ガスの活性化が達成さ
れ、炭化珪素の析出速度を高めることができる。
電極５と基材２との間の空間９に、プラズマトーチ３７
゛（またマイクロ波照射筒）によりプラズマジェット（
またマイクロ波）を供給して反応ガスを加熱すると共に
、基材２に照射し、かつ基材２の近傍に高周波電磁誘導
用のコイル３８を設け、高周波電源３９により該コイル
３８に通電して電磁誘導により基材２を加熱するように
したものである。プラズマジェット（またマイクロ波）
を用いれば、レーザと同様に反応ガスの活性化が達成さ
れ、炭化珪素の析出速度を高めることができる。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明によれば、基材近傍 ２に
て反応ガスをレーザビーム、プラズマジェットまたマイ
クロ波照射により加熱し、さらにグロー放電によりプラ
ズマを発生させて活性化して反応させるので、基材に対
して炭化珪素薄膜を従来よりも高速に形成することがで
きる。また、本発明においては、基材および反応ガスを
効率良く加熱、活性化することができるので、反応炉全
体を加熱する場合に比較して、小エネルギにより、かつ
急速に基材やその近傍の空間のガスが加熱され、目的と
する炭化珪素薄膜として緻密で硬度の高い薄膜が得られ
る。
て反応ガスをレーザビーム、プラズマジェットまたマイ
クロ波照射により加熱し、さらにグロー放電によりプラ
ズマを発生させて活性化して反応させるので、基材に対
して炭化珪素薄膜を従来よりも高速に形成することがで
きる。また、本発明においては、基材および反応ガスを
効率良く加熱、活性化することができるので、反応炉全
体を加熱する場合に比較して、小エネルギにより、かつ
急速に基材やその近傍の空間のガスが加熱され、目的と
する炭化珪素薄膜として緻密で硬度の高い薄膜が得られ
る。
なお、本発明は炭化珪素薄膜の形成方法と称しているが
、例えば黒鉛等の基材と基材とを積み重ね等接合状態で
行なうと表面に膜が形成されるだけでなく、接合隙間に
侵入していて対向接合面にも炭化珪素膜が形成され、そ
してついには両基材が形成炭化珪素により強固に結合さ
れるもので、従って本発明は、炭化珪素による接合方法
としても有用なものである。
、例えば黒鉛等の基材と基材とを積み重ね等接合状態で
行なうと表面に膜が形成されるだけでなく、接合隙間に
侵入していて対向接合面にも炭化珪素膜が形成され、そ
してついには両基材が形成炭化珪素により強固に結合さ
れるもので、従って本発明は、炭化珪素による接合方法
としても有用なものである。
第１図は本発明の方法を一実施例を説明する装置構成図
、第２図は本発明の他の実施例を示す反応炉の構成図で
ある。
、第２図は本発明の他の実施例を示す反応炉の構成図で
ある。
Claims (1)
- 反応炉内にキャリアガス共に有機珪素を供給し、基材を
炉内加熱または通電あるいは電磁誘導作用により加熱し
、基材近傍にてレーザビーム、プラズマジェットまたは
マイクロ波照射により反応ガスを加熱活性化すると共に
、グロー放電を行ないながらＣＶＤ法により基材表面に
炭化珪素薄膜を形成することを特徴とする炭化珪素薄膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260391A JPH062947B2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59260391A JPH062947B2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139667A true JPS61139667A (ja) | 1986-06-26 |
| JPH062947B2 JPH062947B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=17347266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59260391A Expired - Lifetime JPH062947B2 (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 炭化珪素薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062947B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103540936A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 | 一种耐高温抗氧化金属陶瓷复合涂层及其制备方法 |
| CN107012446A (zh) * | 2015-11-11 | 2017-08-04 | 灿美工程股份有限公司 | 沉积装置及沉积方法 |
| CN115466939A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-12-13 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法 |
| CN116936780A (zh) * | 2023-09-18 | 2023-10-24 | 北京壹金新能源科技有限公司 | 硅碳复合材料、制备方法及应用和电池 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665973A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | Komatsu Ltd | Vapor depositing method |
-
1984
- 1984-12-08 JP JP59260391A patent/JPH062947B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665973A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-04 | Komatsu Ltd | Vapor depositing method |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103540936A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 | 一种耐高温抗氧化金属陶瓷复合涂层及其制备方法 |
| CN107012446A (zh) * | 2015-11-11 | 2017-08-04 | 灿美工程股份有限公司 | 沉积装置及沉积方法 |
| CN107012446B (zh) * | 2015-11-11 | 2019-09-17 | 灿美工程股份有限公司 | 沉积装置及沉积方法 |
| CN115466939A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-12-13 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法 |
| CN116936780A (zh) * | 2023-09-18 | 2023-10-24 | 北京壹金新能源科技有限公司 | 硅碳复合材料、制备方法及应用和电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH062947B2 (ja) | 1994-01-12 |
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