CN107012446A

CN107012446A - 沉积装置及沉积方法

Info

Publication number: CN107012446A
Application number: CN201610959641.9A
Authority: CN
Inventors: 朴锺秀; 许秉舜; 河度均; 李振宇; 卞仁宰; 林宽洙
Original assignee: Charm Engineering Co Ltd
Current assignee: Charm Engineering Co Ltd
Priority date: 2015-11-11
Filing date: 2016-10-27
Publication date: 2017-08-04
Anticipated expiration: 2036-10-27
Also published as: CN107012446B

Abstract

本发明包括：支撑部，在上面可安装处理物；腔室部，位于所述支撑部上，并且在下面形成处理孔，在所述处理孔与所述处理物之间提供处理空间；源喷射孔，形成在所述处理孔的内周面；源供应部，连接于所述源喷射孔以供应源；激光部，向所述处理空间可照射加工激光；及加热部，为了提高所述加工激光照射区域的周围温度，加热所述加工激光照射区域。并且，在通过化学气象沉积方式在处理物沉积薄膜时，能够抑制或者防止生成异物。

Description

沉积装置及沉积方法

技术领域

本发明涉及沉积装置及沉积方法，更详细地说，涉及如下的沉积装置及沉积方法：在通过气相沉积方式在处理物沉积薄膜时，能够抑制或防止产生异物，并且能够防止支撑部的热损伤，还能够防止原料粉尘流出。

背景技术

各种显示装置具有形成在基板上的电子回路。对于电子回路的导电线，在正在制造回路或者在制造后可引起一部分被断线或短路的缺陷。例如，在包括LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示器)、OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光二极管)或者LED(Light Emitting Display，发光二极管)的各种显示装置的制造工艺中，存在形成在基板上的各个元件的电极、线路或信号线等部分被断线生成开放式缺陷的情况。

因此，在制造各种显示装置的工艺中，实施修复开放式缺陷修复工艺。修复工艺由化学气象沉积方式的修复装置实施，并由如下的方式实施：将基板缺陷位置温度提高至固定温度之后，对缺陷位置供应气体状态的金属源的同时形成金属源环境，并且将激光照射于缺陷位置来沉积薄膜。

另一方面，若金属源被过多供应于基板的缺陷位置、金属源接触于基板的缺陷位置的同时被冷却，或者在金属源在源供应管的内部中搬运时温度被降低，则在沉积薄膜时可在基板缺陷位置周围产生异物。这种异物可降低显示装置的品质及性能。

(现有技术文献)

(专利文献)

(专利文献1)KR2013-0088628 A

发明内容

(要解决的问题)

本发明提供能够提高照射加工激光的区域的周边温度的沉积装置及沉积方法。

本发明提供能够抑制或防止源气体的温度下降的沉积装置及沉积方法。

本发明提供能够抑制或防止在处理物沉积薄膜时产生异物的沉积装置及沉积方法。

本发明提供能够抑制或防止支撑部热损伤的沉积装置及沉积方法。

(解决问题的手段)

根据本发明实施形态的沉积装置包括：支撑部，在上面可安装处理物；腔室部，位于所述支撑部上，并且在下面形成处理孔，在所述处理孔与所述处理物之间提供处理空间；源喷射孔，形成在所述处理孔的内周面；源供应部，连接于所述源喷射孔以供应源；激光部，向所述处理空间可照射加工激光；及加热部，为了提高所述加工激光照射区域的周围温度，加热所述加工激光照射区域。

所述源喷射孔可形成在所述处理孔内周面的三个位置。

所述处理孔可在下部形成以高度方向的内径相同的直动部，所述源喷射孔可形成在所述直动部。

在所述处理孔的下侧端部可隔离所述源喷射孔。

在所述处理孔的下侧端部可隔离所述源喷射孔0.5㎜至2㎜。

所述源喷射孔为，向所述处理孔的下侧端部的中心部倾斜形成，并且可旋转对称于所述处理孔的下侧端部的中心部。

所述源喷射孔可倾斜形成，对于以高度方向交叉所述处理孔的下侧端部的中心轴构成60°至70°。

在所述处理孔的下侧端部的内径为1时，所述源喷射孔的内径可以是0.1至0.6。

所述源喷射孔的内径可以是0.5㎜至3㎜。

所述加热部利用加热激光、光及升温气体中的至少一种，可使所述加工激光照射区域的周围温度升高。

所述加热部可包括：激光单元，将所述加热激光可照射于所述加工激光照射区域周围，并且照射面积比所述加工激光的照射面积大。

在所述腔室部与所述激光部之间设置光学部，所述激光单元可包括：激光发生器，生成连续波激光；及第一反射镜，将所述连续波激光引导至所述光学部。

所述激光部可包括：激光振荡器，生成所述加工激光；第二反射镜，将所述加工激光引导至所述光学部；及间隙，配置在所述第二反射镜与所述光学部之间，并且以调节所述加工激光的照射面积。

对所述支撑部可相对移动地设置所述激光部，所述激光单元对所述支撑部可相对移动，同时可与所述激光部一同移动。

所述加热部可包括：加热灯，使光可照射于所述加工激光照射区域周围，并且照射面积比所述加工激光的照射面积大。

所述加热灯与所述激光部可一同被可移动地进行设置。

所述加热部可包括：气体喷射单元，使所述升温气体可喷射于所述处理空间及所述处理孔中的至少一个。

所述气体喷射单元可包括：气体喷射管，将所述升温气体引导于所述处理空间及所述处理孔中的至少一个；及气体供给器，将所述升温气体供应于所述气体喷射管。

所述气体喷射管可全部接触于所述处理空间与所述处理孔，同时可贯通所述腔室部的内部以接触于所述腔室部的下面。

所述气体喷射管倾斜贯通所述腔室部的内部，以朝向所述处理孔的下侧端部的边缘位置部，并且接触于所述边缘位置部，同时一部分可分别重叠于所述处理孔与所述腔室部的下面。

所述加热部可包括：气体喷射单元，将所述升温气体可喷射于所述处理空间的周围。

所述气体喷射单元可包括：气体喷射面，围绕所述处理孔的下侧端部周围，并且形成在所述腔室部的下面；气体喷射孔，至少具有一个，并且贯通所述气体喷射面；及气体供给器，将所述升温气体供应于所述气体喷射孔。

所述源供应部包括：源供应管，一侧贯通所述腔室部的内部，并且连接于所述源喷射孔；及源供给器，连接于所述源供应管的另一侧；所述源供应管包括：多个直管部；连接部，至少具有一个，并且连接所述多个直管部之间；所述连接部可形成弯曲管结构。

包括加热部，围绕所述源供应管的至少一部分，并且所述源供应管的材质可包括铜。

根据本发明实施形态的沉积方法包括：放置处理物的过程；将源喷射于所述处理物的过程；及将加工激光照射于所述处理物的过程，其中在将源喷射于所述处理物的过程之前及之后中的至少一个时间点包括：提高所述加工激光照射区域周围的温度的过程。

提高所述加工激光照射区域周围的温度的过程可包括：将加热激光照射于所述加工激光照射区域周围，并且照射面积比所述加工激光的照射面积大的过程。

照射所述加热激光的过程，可与照射所述加工激光的过程一同实施，或者可在照射所述加工激光的过程之后实施。

所述加热激光可包括连续波激光。

在一同照射所述加工激光与所述加热激光时，首先结束所述加工激光的照射，之后可结束所述加热激光的照射。

沿着所述加工激光移动的路径移动所述加热激光的同时可被照射于所述处理物上。

照射所述加热激光，将所述加工激光照射区域周围的温度可局部加热至35摄氏度以上的温度。

提高所述加工激光照射区域周围的温度的过程可包括：将升温气体喷射于所述加工激光照射区域周围的过程。

喷射所述升温气体的过程可包括：围绕所述加工激光照射区域，并且将所述升温气体倾斜地喷射于形成在所述处理物上的处理空间。

喷射所述升温气体的过程，在将源喷射于所述处理物的过程之前实施，或者可分别在将源喷射于所述处理物的过程之前，及将所述加工激光照射于所述处理物的过程之后实施。

在倾斜喷射所述升温气体时，将吹扫气体喷射于所述处理空间周围，进而可从外部环境孤立所述处理空间。

在倾斜喷射所述升温气体时，可使所述升温气体从所述处理空间的边缘位置部的一侧中向着所述处理空间的中心部来喷射所述升温气体。

在倾斜喷射所述升温气体时，从所述处理空间的边缘位置部的另一侧排放所述升温气体，进而可诱导经过所述处理空间的中间部的所述升温气体的流动。

所述升温气体可被提高至对应于所述源沉积温度的温度范围。

所述升温气体可被提高至25摄氏度至50摄氏度。

喷射所述升温气体的过程可包括：围绕所述加工激光照射区域，并且将所述升温气体喷射于形成在所述处理物上的处理空间周围的过程。

喷射所述升温气体的过程，在将源喷射于所述处理物的过程之前实施，或者可分别在将源喷射于所述处理物的过程之前及将源喷射于所述处理物的过程中实施。

在将所述升温气体喷射于所述处理空间的周围时，由所述升温气体围绕所述处理空间周围，进而可从外部环境中孤立所述处理空间。

所述升温气体可被提高至20摄氏度至40摄氏度的温度。

所述升温气体可包括空气。

将源喷射于所述处理物的过程可包括：对正在搬运所述源的源供应管至少一部分施加热，以控制所述源的温度的过程。

在控制所述源的温度时，可将所述源的温度控制在20摄氏度至40摄氏度。

所述源包括钴源，将加工激光照射于所述处理物可修复所述处理物的缺陷。

(发明的效果)

根据本发明的实施例，可提高照射加工激光的区域的周边温度。据此，能够抑制或防止照射加工激光的区域周边的源气体接触于基板或基板的线路而被冷却。并且，在向照射加工激光的区域供应源气体时，能够防止源气体的温度下降。因此，在缺陷位置沉积薄膜时，能够抑制或防止源气体在基板上被冷却的同时在基板或线路上产生异物。

由于未在基板或线路上产生异物，因此在基板上形成干净的薄膜，进而能够修复缺陷位置，并且可防止显示装置品质或性能降低。因此，能够减少缺陷发生率，并且能够提高生产量。

另外，将照射加工激光的区域上的源气体流量(例如，处理孔内的源气体流量)最少化，进而可减少源气体的使用量。另外，缩小为了在基板上供应源气体而配置的腔室部的厚度，进而能够在腔室部中充分隔离支撑部，据此能够防止支撑部被热损伤。

附图说明

图1是根据本发明实施例的沉积装置的框图。

图2是根据本发明实施例的腔室部的概略图。

图3是示出根据本发明实施例的腔室部下面的概略图。

图4是示出根据本发明实施例的腔室部剖面的概略图。

图5是扩大示出图4的处理孔部分的概略图。

图6是根据本发明实施例的源供应部及加热部的框图。

图7是用于说明根据本发明实施例的源供应管的结构的图面。

图8是用于说明现有的源供应管的结构的图面。

图9是根据本发明实施例的光学部、激光部及激光单元的框图。

图10是用于说明根据本发明实施例的激光单元的运作的图面。

图11是用于比较说明根据本发明实施例的适用加热激光的工艺的膜形成结果与现有技术的图面。

图12及图13是用于说明根据本发明实施例的气体喷射管的运作的图面。

图14及图15是用于说明根据本发明实施例的气体喷射面的运作的图面。

图16是用于比较说明根据本发明实施例的适用升温气体的工艺的薄膜形成结果与现有技术的图面。

图17至图20是分析根据本发明实施例的处理孔与源喷射孔的内部的源气体流动之后示出该结果的图面。

(附图标记说明)

100：支撑部 200：腔室部

300：源喷射孔 400：源供应部

500：光学部 600：激光部

700：加热部 710：激光单元

721：气体喷射管 722：气体喷射面

具体实施方法

以下，参照附图将更加详细说明本发明的实施例。但是本发明并不限定于在以下公开的实施例，而是可实现相互不同的形态。但是，本发明的实施例只是使本发明的公开更加完整，并且是为了告知在该技术领域具有通常知识的技术人员本发明的范畴而提供的。为了说明本发明的实施例，可夸张或扩大图面，并且在图面中相同符号是指相同构成要素。

图1是根据本发明实施例的沉积装置的框图，图2是根据本发明实施例的腔室部的概略图，图3是示出根据本发明实施例的腔室部下面的概略图，图4是示出根据本发明实施例的腔室部剖面的概略图。对于图4，为了便于说明，省略示出向腔室部内部延长的源供应管、升温气体供应管、排气管及吹扫气体供应管。

根据本发明实施例的沉积装置100作为在处理物S沉积薄膜的装置，举例来说可以是激光化学气象沉积修复装置。

参照图1至图4，根据本发明实施例的沉积装置1000包支撑部100、腔室部200、源喷射孔300、源供应部400、激光部600及加热部700。另外，沉积装置1000还可包括光学部500、排气部及吹扫气体供应部。

处理物S可以是在一面制造各种电子元件的基板，并且可以是正在进行制造电子元件的工艺或已结束工艺的基板。例如，处理物S可以是在一面形成栅极线、数据线、像素及包膜传输器等的玻璃材质的基板。处理物S被支撑部100支撑，并且可放置在大气中。使用沉积薄膜的源气体可以是钴源。例如，钴源相比于钨源导电性优秀并且分子小，因此具有沉积性良好的特性。源能够以被气化的状态供应于处理物S上。当然，源除了钴源以外也包括钨源，进而可使用各种金属源。

这时，钴源气化温度为相对较低的35摄氏度，而钨源气化温度大约为75摄氏度，因此若使用钴源，则容易在腔室的高温中保护处理物。

在支撑部100上面可安装处理物S。支撑部100可以是在能够在上面支撑处理物S而形成的一体型的板类型的玻璃台，或者可以是分割型的杆类型的玻璃台。在支撑部100可提供排列部(未示出)，能够以x轴方向(长度方向)及y轴方向(宽度方向)排列处理物S。另外，在支撑部100可提供升降销(未示出)和真空吸盘(未示出)，能够以z轴方向(高度方向)支撑处理物S。

支撑部100可被固定并设置在作业台(未示出)的上面。或者，支撑部110能够以x轴方向、y轴方向及z轴方向中的至少一个方向可移动地设置在作业台。在作业台的上部面以x轴方向、y轴方向及z轴方向中的至少一个方向可移动地设置安装部(未示出)。或者，可在作业台的上部面可固定并设置安装部。

例如，若支撑部100设置在作业台的上面来固定位置，则安装部可移动的设置在作业台上面。相反，若支撑部100可移动地设置在作业台的上面，则安装部可设置在作业台的上面来固定位置。除此以外，支撑部100与安装部对彼此可通过各种方式可相对移动地设置在作业台上。

安装部起到可移动地支撑腔室部200、激光部600及光学部500作用，并且可向支撑部100上侧隔离地设置该安装部。

另一方面，在本发明的实施例中，无需以特定结构及方式限制作业台、排列部、升降销、真空吸盘及安装的结构及方式。为了使本发明的要点更加清楚，在本发明的实施例中将省略说明对这些结构部的详细说明。

腔室部200位于支撑部100上，并且在一面(例如，下面)形成处理孔230，在处理孔230与处理物S之间可提供处理空间10。腔室部200向支撑部100的上侧隔离，并配置在光学部500与支撑部100之间，还可放置在大气中。腔室部200安装在安装部(未示出)，并且能够支撑腔室部200以x轴方向、y轴方向及z轴方向移动。在面对处理物S的腔室部的下面211可形成处理孔230。

腔室部200利用处理孔230在处理物S上提供处理空间10。处理空间10可以是在腔室部200与处理物S之间中在处理孔230的下侧形成的空间，或者可以是包括在处理孔230的下侧形成的空间与周边部的空间的空间。

腔室部200可以是以z轴方向层叠多个板件(未示出)的结构。腔室部200可包括腔室主体210及连接部220。腔室部210的下面211包括腔室主体210的下面及连接部220的下面，腔室部200的另一面(例如，上面212)包括腔室主体210的上面及连接部220的上面。腔室部200的下面211面对处理物S，腔室部200的上面212可面对光学部500。

对腔室主体210的大小与形状无需特别限制。例如，腔室主体210可以是椭圆板形状，并且以x轴方向与y轴方向具有固定宽度，以z轴方向具有固定厚度。腔室主体210在与处理物S之间提供处理空间10。腔室主体210下面的固定位置可设置有处理孔230的下侧端部。

腔室主体210为，在下面形成气体喷射面722，以环形状围绕处理孔230的下侧端部的外侧，并且可形成第一排气面811，以环形状围绕气体喷射面722的外侧。另外，腔室主体210为，在下面形成吹扫气体喷射面910，以环形状围绕第一排放面811的外侧，并且可形成第二排气面812，以以环形状围绕吹扫气体喷射面910的外侧。

连接部220可被配置成围绕腔室主体210的一侧面。连接部220的大小与形状无需特别限制，例如可以是四角板形状，并且以x轴方向与y轴方向具有固定的宽度，并且能够以z轴方向具有固定的厚度。连接部220可被安装部支撑。连接部220起到支撑腔室主体210的作用。在连接部220上面可形成源供应孔(未示出)、升温气体供应孔(未示出)、吹扫气体供应孔(未示出)及排气引导孔(未示出)。

腔室主体210与连接部220内部可配置有加热部件(未示出)。加热部件围绕源供应管420的一侧，并且可调节正在通过源供应管420一侧的源的温度。在腔室主体210与连接部220内部可配置有隔热部件(未示出)。隔热部件围绕加热部件的外侧，并且可防止加热部件的热被传达至腔室主体210与连接部220的内部。

图5是扩大示出图4的处理孔部分的概略图。参照图1至图5，处理孔230贯通腔室主体210的下面，可延长至腔室主体210的内部。处理孔230下侧端部以相同的高度并列形成在腔室主体210的下面。处理孔230的下侧端部向下侧开放，并且处理孔230的内部可邻接于处理空间10。源通过处理孔230的下侧端可被供应于处理空间10。处理孔230可以是以z轴方向在各种高度下内径相互不同的旋转体形状。

在处理孔230下部可形成直动部230A，并且在上部可形成扩张部230B。直动部230A以z轴方向具有相同内径，例如直动部230A的内径与接触于腔室部200下面211的处理孔230的下侧端部的内径d1相同。扩张部230B内径从下侧至上侧越来越大。

在处理孔230的上部可安装窗口240。窗口240从腔室主体210的上侧外部环境隔离处理孔230的内部。窗口240可由能够使各种激光通过的材质(例如，石英材质)形成。窗口240的上面边缘位置部安装环形状的窗口固定器241，并且可在窗口240与窗口固定器241之间配置有密封部件242。

源喷射孔300形成在处理孔230的内周面，更详细地说形成在处理孔230的直动部230A内周面的三个位置，且可贯通形成在处理孔230的直动部230A的内周面的三个位置。源喷射孔300连接于源供应部400来接收源的同时可将源供应于处理孔230的内部。

供应于处理孔230内部的源具有只有一部分是用于沉积薄膜的特征。因此，在供应源时重要的是在进行全部工艺的长时间期间源的流量应该保持不变，而不是每固定时间的流量。因此机源喷射孔300的个数优选为3个以下。

在本发明的实施例中，可选择源喷射孔300的个数在一个至三个。例如，三个源喷射孔300可形成在处理孔230的内周面。三个源喷射孔300在沿着待后述的源供应室430的周围相互隔离的三个位置中，贯通腔室主体210的内部可向下倾斜形成，以向着处理孔230的下侧端部的中心部。这时，三个源喷射孔300可旋转对称于经过处理孔230的下侧端部的中心部的中心轴L1。据此，可向处理孔230的内部均匀地喷射源，进而能够有效沉积薄膜。另一方面，在源喷射孔300为一个或两个的情况下，也与源喷射孔300为三个的情况相同，贯通腔室主体210的内部可向下倾斜下侧，以向着处理孔230的下侧端部的中心部。

源喷射孔300的个数从现有的四个被减少至三个，据此即使使用与现有的相同容积的容器罐(例如，源供给器)，也能够以现有技术的两倍(即，约400小时)时间期间定量供应源。

源喷射孔300起到向处理孔300内部供应源以希望的流动方向控制源的流动的作用。在本发明的实施例中，为了有效使用定量喷射于处理孔230内部的源，可如下设定能够将源的流动最优化的源喷射孔300的端部高度、内径及角度等结构。

源喷射孔300端部能够以z轴方向从接触于腔室部200下面211的处理孔230的下侧端部隔离。这时，源喷射孔300的端部高度h₂是对腔室部200下面的源喷射孔300的端部的中央部高度，并且源喷射孔300的端部高度h₂可以是从与腔室部200的下面接触的处理孔230的下侧端部以z轴方向隔离0.5㎜至2㎜的高度。限定该数值是因为源喷射孔300从上述的端部高度h2喷射源时使源有效通过处理孔230进而能够顺利到达处理物S的沉积位置(Deposition Position)。若源喷射孔300的端部位于超出上述数值范围的高度，则可降低源到达处理物S的沉积位置的概率，或者使源的流动不稳定。若源喷射孔300的端部低于上述的数值范围的高度，则流动性不稳定，若源喷射孔300的端部高于上述的数值范围的高度，则降低源到达处理物S的沉积位置的概率。

即，在源喷射孔300的端部高度h2超出2mm的高度情况下，源到达处理物S沉积位置的概率降低至不足以希望的值，因此无法将薄膜充分地沉积于处理物S的沉积位置。

另外，源喷射孔300端部的高度h2越低则源到达处理物S的沉积位置的概率更高，在元喷孔300的端部高度h2低于0.5mm的情况下，在处理空间10内部的温度及气流等的环境无法形成希望的环境，并且处理空间10内部的温度及气流等的环境变得不稳定，因此可发生源的过度成长等的问题。

尤其是，源喷射孔300的端部高度h2在源的各种流动特性中与源的流动速度有关，在本发明的实施例中，与上述结构相同地形成源喷射孔300的端部高度h2，据此也能够以少量的源进行有效的沉积。

在本发明的实施例中，为了满足用于形成处理空间10内部环境的最低高度的条件，以及满足用于使源顺利到达沉积位置的最大高度的条件，源喷射孔300的端部高度h2形成0.5㎜至2㎜的高度。

源喷射孔300的端部内径d2与源到达处理物S的沉积位置的概率有关。源喷射孔300的端部内径d2可比例于处理孔230的端部内径d1。详细地说，在处理孔230的端部内径d1为1时，在源喷射孔300的端部内径d2可形成0.1至0.6的大小，例如可形成0.5㎜至3㎜的大小。

在源喷射孔300的端部内径d2形成不足0.5mm的情况下，源的流量小于希望的值，因此源到达处理物S的沉积位置的概率低于所希望的值。另一方面，源喷射孔300的端部内径d2超出3mm的情况下，源流动速度不足目标值，因此源到达处理物S的沉积位置的概率小于希望的值。

源喷射孔300可倾斜贯通腔室部200的内部，以使与以z轴方向交叉处理孔230的下侧端部的中心部的中心轴L₁构成60°至70°的角度。这时，源喷射孔300的角度θ为以与源喷射孔300平行的方向经过源喷射孔300的端部中心部的中心线L₂与经过处理孔230的下侧端部的中心部的中心线L₁之间的角度θ。

源喷射孔300的角度θ在源的各种流动特性中与源流动速度紧密相关。若在源喷射孔300的角度θ不足60°，则从源喷射孔300的端部源流动速度小于目标速度，因此源无法到达处理物S的沉积位置。在源喷射孔300的角度θ在60°以上的情况下，可能够以目标值形成源流动速度。

另一方面，对于源喷射孔300的延长长度，由固定的值固定该延长长度，在源喷射孔300的角度θ超出70°的情况下，为了确保源喷射孔300的延长长度，腔室主体210的厚度大于希望的厚度。源喷射孔300的角度θ形成60°至70°，不使腔室主体210的厚度大于希望的厚度，而是可将源的流动速度增加至目标速度可向处理孔230的内部喷射。从此，源到达处理物S的沉积位置的概率变高，因此也能够用少量的源进行有效沉积。

如上所述，在本发明的实施例中，定量的源被有效喷射于处理孔230的内部，最终不仅能够使源有效到达处理物S的沉积位置，即使将源的量减少至以前使用的一半也能够有效沉积薄膜，因此能够以现有的两倍大约4000小时时间期间供应源。

另外，源喷射孔300的端部高度、内径及角度形成上述的结构，据此满足源到达处理物S沉积位置的概率达到希望的值的范围，同时能够减少腔室部200的整体厚度h₁。

例如，在本发明的实施例中，可将腔室部200的整体厚度h₁从9.4mm最多减少至7.1mm。在这一情况下，没有诸如光学部500透镜高度的光学设计的改变，而是可将腔室部200从支撑部100再隔离2.3mm。从此，能够防止由高温的腔室部200导致支撑部100的热损伤。尤其是，支撑部100为0.3T的厚度薄的玻璃台的情况下，可防止玻璃台的热损伤。

根据在利用化学气象沉积方式沉积薄膜时最优化的光学设计，激光部600与光学部500的高度为以放置于支撑部100的处理物S的上面为基准具有固定高度，由此来决定激光部600与光学部500的高度。在激光部600与光学部500的高度保持不变的状态下，若如上所述改善源喷射孔300的结构，则不影响光学设计下缩小腔室部200的厚度，据此可增加腔室部200的下面与支撑部100之间的距离，因此能够从腔室部200的高温保护支撑部100。

另外，根据显示装置用玻璃基板的厚度逐渐减少的趋势，在沉积薄膜时对热更加敏感，因此温度管理非常重要。在本发明的实施例中，增加腔室部200的下面与支撑部100之间的距离，并且使用气化温度相对低的约35℃的钴源来代替现有的气化温度约75℃的钨源，因此能够从腔室部200的高温保护处理物。

图6是根据本发明实施例的源供应部及加热部的框图，图7是用于说明根据本发明实施例的源供应管的结构的图面。

参照图1及图4至图7，源供应部400可包括源供给器411、412、运载气体供给器413、源供应管420及源供应室430。源供给器411、412可包括第一源供给器411及第二源供给器412，并且可连接于源供应管420的另一侧。这时，源供给器的个数可以是一个，也可以是多个。

源供给器411、412可以是容器罐(canister)或者起泡器。源供给器411、412气化源并且可供应于源供应管420。例如，可在源供给器411、412配置热线，热线加热充填于源供给器411、412内部的源，进而将源的状态(phase)转换为气体状态。充填于第一源供给器411的源与充填于第二源供给器412的源种类可以相同但也可以不同。

运载气体供给器413可包括在内部可保存运载气体的压力容器。运载气体包括氩气，并且可在各种惰性气体中选择一种以上。可安装运载气体供应管来连接运载气体供给器413与源供给器411、412。运载气体供应管一端安装于运载气体供应管413，而另一端被分支可分别安装在第一源供给器411与第二源供给器412。在运载气体供应管一端与另一端可分别安装阀门(未示出)，阀门可分别被流量控制器(未示出)控制。运载气体供给器413将运载气体供应于源供给器411、412内部，可向处理孔23侧推动源供给器411、412内部的源。源在被气化的状态下可被运载气体搬运。

源供应管420起到将源供应于处理孔230内部的作用。源供应管420一侧贯通形成在连接部220上面的源供应孔延长至腔室部200的内部，并且贯通腔室部200内部可连接于源供应室430。源供应管420另一侧被分支可分别安装在第一源供给器411与第二源供给器412。源供应管420的一侧及另一侧可分别安装阀门(未示出)，阀门可分别被流量控制器(未示出)控制。

源供应室430形成在腔室主体210的内部，例如可形成环形状，以围绕处理孔230的外侧。源供应管420可通过源供应室430连接于源喷射孔300。

另一方面，源供应管420包括多个直管部及连接多个直管部之间的至少一个连接部，连接部可形成弯曲管结构。即，连接部可包括弯曲管。在图7示出了源供应管420结构的一示例。

如图7所示，在本发明的实施例中，通过曲管部连接以相互交叉的方向延长的源供应管的各个直管部之间，据此可使源的有效流动面积以源供应管的延长方向保持不变。因此，如图所示可在源供应管的内部中以正常流动形成固定的流线的同时搬运源。

连接各个直管部之间的曲管部为，以曲管部延长的方向隔离的各个位置中的曲管部的内周及外周的面积变化程度弱。并且，以曲管部延长的方向隔离的各个位置中的曲管部的内周及外周的面积可与直管部的任意位置中的内周及外周的面积相同或者类似。这意味着正在通过直管部的源的热损失率与正在通过曲管部的源的热损失率之间差异微弱。因此，以曲管部延长的方向隔离的各个位置中的源的温度(T1、T2、T3、T1'、T2'、T3')一致或者在公差范围内相同。

图8作为对根据本发明实施例的曲管部的比较例，是用于说明现有的源供应管的结构的图面。参照图8，在本发明的比较例中，折弯部配置在源供应管，并且连接相互交叉的直管部之间，举例来说弯曲成直交结构。因此，源供应管为源的流动面积在折弯部中急剧变化。尤其是，如图所示在折弯部中发生流动分离，因此至少生成一个涡流，并且源的流动面积有不规则的变化。另一方面，若在折弯部中生成涡流，则源的流动特性有不规则变化，并且源一部分可被残留并附着于折弯部。

连接各个直管部之间的折弯部为，以折弯部延长的方向隔离的各个位置中折弯部内周及外周的面积变化程度相对较大。这意味着相比于正在通过直管部的源的热损失，正在通过折弯部的源的热损失率更大。因此，观察在以折弯部延长的方向隔离的位置中测量的源的温度(T4、T5、T6、T4'、T5'、T6')，在折弯部的弯曲的位置中测量的源的温度(T5、T5')低于在剩余位置中测量的源的温度(T4、T6、T4'、T6')。

诸如本发明的实施例，若直管部之间的连接部形成弯曲管结构，则防止在源供应管流动的源的温度下降，并且可确保有效流动面积。相反，如本发明的比较例，若直管部之间的连接部形成折弯的结构，则在源供应管流动的源温度下降，并且源的流动特性可不规则的变化。

源供给器400可包括至少围绕源供应管420的至少一部分的加热部H。加热部H可包括钢加热器。例如，钢加热器以线圈形状缠绕源供应管420的外周面。钢加热器通过源供应管420并且井向处理孔230侧供应的源的温度控制在固定温度，例如可控制在20摄氏度至40摄氏度或者30摄氏度至35摄氏度。据此，源被保持气化状态的同时可顺利你供应于处理孔230。

另一方面，为了提高加热部H的热传达效率，源供应管420的材质可包括铜材质。在此，铜材质导热效率比不锈钢材质优秀。

图9是根据本发明实施例的光学部、激光部及激光单元的框图。参照图1至图5及图9，说明光学部500、激光部600及加热部700。

光学部500位于腔室部200与激光部600之间，并且可调节由激光部600照射的加工激光的光路与焦点。光学部500可包括接物镜510、监控单元520及照明单元(未示出)。

接物镜510位于激光部600与腔室部200之间，并且可压缩加工激光以使加工激光具有高能量密度。通过接物镜510的加工激光被压缩来集中于处理物S。

监控单元520拍摄处理物S的希望区域来监控处理物S的状态。由监控单元520判别拍摄到的区域是否形成薄膜或者判别是否产生异物，进而可实时监控处理物S的缺陷及修复状态。监控单元520可包括摄像机521及拍摄镜522。

摄像机521可以是CCD摄像机(Charge-Coupled Device Camera，电荷耦合器件摄像机)，并且可拍摄处理物S被处理的过程。若由照明单元生成光，则照明光被诱导于处理物S，并且被反射的照明光被诱导至摄像机521进而可拍摄处理物S。

拍摄镜522位于摄像机521与接物镜510之间。然后，拍摄镜522位于后述的镜筒透镜650与接物镜510之间。拍摄镜522的一面透过通过镜筒透镜650的加工激光并引导至接物镜510侧，而另一面反射照明光可由摄像机521拍摄处理物S。拍摄镜522可将被处理物S反射而通过接物镜510的照明光引导至摄像机521。

照明单元起到生成光的作用。由照明单元生成的光通过接物镜510向处理物S的上部面照射之后被反射，进而可移动至监控单元520。通过由照明单元生成的光，可由监控单元520拍摄处理物S的表面。

激光部600可设置为向处理空间10照射加工激光。激光部600隔离于接物镜510的上侧，并且起到生成照射于处理物S的加工激光的作用。激光部600通过腔室部200的窗口240向处理物S的缺陷位置照射加工激光来切割线路，或者在源环境下待形成线路的部分供应热能，进而在缺陷位置局部性地沉积薄膜。加工激光可以是形成薄膜的成膜激光(Depolaser)。激光部600能够对支撑部100相对移动地进行设置，并且与源供应部400相互结合一同在处理物S上移动。

激光部600包括：生成加工激光的激光振荡器610；将由激光振荡器610生成的加工激光引导至光学部500的接物镜510的第二反射镜630；及配置第二反射镜630与光学部500之间，能够调节加工激光的照射面积的间隙640。激光部600还可包括第一扩张器620及镜筒透镜650。

激光振荡器610起到生成加工激光的作用。加工激光可以是包括QCW(QuasiContinuous Wave，准连续波)高频激光。QCW激光具有与后述的连续波激光不同的振动。因此，加工激光与连续波激光不同可加工处理物S的表面。据此，若在源环境下照射加工激光，则可在照射加工激光的部分形成薄膜。即，加工激光是在处理物S上形成薄膜的激光。

第一扩张器620可位于激光振荡器610与第二反射镜630之间。第一扩张器620起到调节由激光振荡器610振荡的加工激光的光束大小的作用。

第二反射镜630可位于接物镜510与激光振荡器610之间。第二反射镜630起到变换由激光振荡器610振荡的加工激光的移动方向的作用。据此，由激光振荡机610振荡的加工激光被第二反射镜630反射可被引导至接物镜510。

镜筒透镜650位于接物镜510与间隙640之间。镜筒透镜650可防止由激光振荡器610生成的加工激光散开。加工激光通过镜筒透镜650的同时不散开而是照射成一条直线。据此，将加工激光照射于准确位置，进而能够执行精密作业。

间隙640位于第二反射镜630与接物镜510之间。间隙640可调节加工激光照射于处理物S的面积。据此，按照线路或缺陷的大小可调节加工激光照射面积。

另一方面，若源被过多供应或者高温的源接触于处理物S或与处理物S上线路接触而被冷却，则可在加工激光照射区域周边产生大量的异物。尤其是，若使用钴源，则相比于使用钨元时可增加异物质的生成量。这时，可利用加热部700抑制或防止在处理无S产生异物质。

加热部700为了提高加工激光照射区域的周围温度，进而可加热加工激照射区域。加热部700利用加热激光、光及高温气体中至少一种，以使照射加工激光照射区域周围温度升高。加热部700可包括激光单元710、加热泵(未示出)及气体喷射单元。

激光单元710可照射加热激光并且面积比加工激光照射面积大。激光单元710提高加工激光照射区域周边温度，进而可防止产生异物。激光单元710可照射加热激光并且面积比照射加工激光的面积大。若照射加工激光的区域面积为5×5μm，则加热激光照射区域面积可以是160×80μm。即，加工激光可被照射于加热激光照射区域内。

激光单元710可急速加热加工激光照射区域周围。激光单元710包括：发生连续波激光的激光发生器711；将连续波激光引导于光学部500的接物镜510的第一反射镜715。另外，激光单元710可包括第二扩张器712、第一辅助镜713及第二辅助镜714。

激光发生器711起到生成连续波激光(Continuous Wave Laser)作用。连续波激光为在时间上以预定的电力继续振荡的激光。连续波激光与QCW激光或者脉冲激光不同，不加工处理物S的表面同时只提高温度。据此，向加工激光照射区域周边照射的连续波激光不影响在处理物S上形成薄膜，而是升高周边的温度可防止生成异物。因此，作为加热激光可使用连续波激光。并且，连续波激光可以是532激光。532激光为波长532nm的激光，是短波长的激光。

第二扩张器712可位于激光生成器711与第一辅助镜713之间。第二扩张器712起到调节由激光发生器711生成的连续波激光的光束大小的作用。第一辅助镜713位于激光发生器711与第二辅助镜714之间。第一辅助镜713起到变换由激光发生器711生成的连续波激光的移动方向的作用。由激光发生器711生成的激光被第一辅助镜713反射进而可被引导至第二辅助镜714。

第二辅助镜714位于第一辅助镜713与第一反射镜715之间，并且起到变换被第一辅助镜713反射的连续波激光的移动方向的作用。被第一辅助镜713反射的连续波激光被第二辅助镜714反射进而可被引导至第一反射镜715。

第一反射镜715可位于接物镜510与激光发生器610之间。另外，第一反射镜715可位于姐接物镜510与镜筒透镜650之间。第一反射镜715的一面透过加工激光并引导至接物镜510侧，而另一面反射由激光发生器711照射的加热激光进而可引导至接物镜510侧。

在第一反射镜715与激光发生器161之间也可配置有一个以上的辅助反射镜，也可无需配置辅助反射镜。第一反射镜715起到变换由激光发生器711生成的连续波激光或者被第二辅助反射镜714反射的连续波激光的移动方向的作用。连续波激光被第一反射镜715反射进而可被引导于接物镜510侧。

连续波激光与加工激光通过接物镜510被照射到处理物S。连续波激光与加工激光的z轴方向的中心轴可在同一条直线上。例如，加工激光照射区域可以是照射连续波激光的区域的中心部。据此，照射连续波激光的区域可围绕加工激光照射区域周围。连续波激光照射区域只局部围绕加工激光照射区域周边，因此可阻止在照射加工激光照射区域周边生成异物。

但是，加工激光照射区域也可以是连续波激光照射区域的外廓部分，而连续波激光照射区域与加工激光照射区域只有一部分重叠。即，可对于连续波照射区域与加工激光照射区域的位置及重叠程度进行各种设定。

另一方面。在激光单元710不具有调节照射连续波激光的面积的间隙。照射连续波的面积越大则生成异物的区域也会变大，因此不具有间隙，而是可防止照射连续波激光的面积缩小。即，以最大面积照射连续波激光的同时可有效防止在处理物S上生成异物。

激光单元710对支撑部100可相对移动地进行设置的同时可与激光部600一同移动。因此，若加工激光移动，则加热激光也一同移动，进而加工激光可一直照射于加热激光照射区域的中心部。在加工激光被照射于处理空间的同时在处理物S形成薄膜时，可向加工激光照射区域周边一同照射加热激光，进而可阻止生成异物。

加热灯能够将光照射于加工激光照射区域周围，并且面积比加工激光的照射面积大，并且可与激光部600一同移动。加热灯可提高比照射加工激光的面积大的面积温度。例如，加热灯可包括高电力灯。高电力灯具有LED，利用LED将升温用光照射于加工激光照射区域周围。据此光，可提高加工激光照射区域周围温度。另一方面加热灯的种类可以是各种各样的。

加热灯可与激光单元710一同运作，在这一情况下，利用加热激光及光双重加热加工激光照射区域周围，进而能够容易提高温度。因此，提高加工激光照射区域周边温度，进而可抑制或者防止加工激光照射区域周边的源与处理物S接触而被冷却。据此，可防止源被冷却的同时在处理物S上生成异物。另外，由于未在处理物S上生成异物，因此可防止最终制造的显示装置的品质或性能下降。因此，可减少缺陷发生率并且可提高生产性。

气体喷射单元可将升温气体至少喷射于处理空间10及处理孔230中的一处，并且可将升温气体喷射于处理空间10的周围。气体喷射单元可包括气体喷射管721、气体喷射面722、气体喷射孔723、气体喷射室724、气体供应管(未示出)及气体供给器(未示出)。

气体喷射管721可将升温气体引导于处理空间10及处理孔230中的至少一处。气体喷射管721可贯通腔室部200的上面212的气体喷射管引导孔251与腔室部200的下面211的气体喷射管引导孔252。据此，气体喷射管721出口都接触于处理空间10与处理孔230，同时贯通腔室部200的内部以接触于腔室部200的下面。例如，气体喷射管721可倾斜贯通腔室部200的内部，以朝向处理孔230的下侧端部的边缘位置部。气体喷射管721出口部接触于处理空间10的边缘位置部的同时一部分重叠于处理孔230，更详细地说一部分可重叠于处理孔230的下侧端部的内周面。然后，气体喷射管721出口部接触于处理空间10的边缘位置的同时一部分可重叠于腔室部200的下面。气体喷射管721将升温气体供应于处理空间10及处理孔230，进而可控制加工激光照射区域周围温度。气体喷射管721入口可安装后述的第一气体供应管，并且通过第一气体供应管接收升温气体。

气体喷射面722围绕处理孔230的下侧端部周围进而形成在腔室部200的下面。气体喷射孔723至少可形成一个以上以贯通气体喷射面722。气体喷射室724形成在腔室部200的内部，并且以环形状形成在处理孔230的外侧。这时，气体喷射孔723贯通气体喷射面722与气体喷射室724，据此气体喷射面722可连通于气体喷射室724。

气体供应管可包括：连接气体喷射管721与气体供给器之间来进行安装的第一气体供应管；及连接气体喷射室724与气体供给器之间来进行安装的第二气体供应管。第二气体供应管一侧贯通连接部220的上面的升温气体供应孔并延长至腔室部200的内部，并且可连接于气体喷射室724。在第一气体供应管及第二气体供应管可安装流量控制器(未示出)与阀门(未示出)。另外，第一气体供应管及第二气体供应管被隔热材料涂层或者可在外周面附着加热器等。

气体供给器为内部储存升温气体的固定的压力容器(canister)，在气体供给器可提供加热工具与冷却工具。这时，对加热工具与冷却工具不做特别限制，而是可适用热电元件、热泵或者热线等各种元件。另一方面，升温气体可以是空气、惰性气体或者氮气。加热工具与冷却工具被温度控制部(未示出)控制，这时可控制升温气体的温度以对应源的沉积温度或者气化温度。例如，也可控制升温气体的温度在20摄氏度至40摄氏度或者30摄氏度至35摄氏度的温度。为此，在温度控制部可保存相当于源的成分信息及相当于成分信息的沉积温度信息及气化温度信息。

气体供给器通过第一气体供应管可将升温气体供应于气体喷射管721，并且通过第二气体供应管可将升温气体供应于气体喷射室724。供应于气体喷射室724的升温气体可被供应于气体喷射孔723。因此，气体供给器通过第二气体供应管可将升温气体供应于气体喷射孔723。

供应于气体喷射管721的升温气体通过处理空间10的边缘位置部可被倾斜喷射于处理空间10内部的中心部，供应于气体喷射孔723的升温气体通过气体喷射面722向处理空间10的周围喷射并且围绕处理空间10，进而可流入到处理空间10的内部。

据此，可将处理空间10的温度控制在对应于源的沉积温度或气化温度的固定温度范围。因此，在处理空间10内中在处理物S的缺陷位置沉积薄膜期间，不会在薄膜生成杂质，并且能够防止薄膜过成长。

这时，对于气体喷射面722向下侧喷射的升温气体，也能够以连接腔室部200的下面211与处理物S的上面之间的气帘形状喷射该升温气体。如此，在升温气体以气帘形状围绕处理空间10的情况下，容易提高加工激光照射区域周围温度，同时也能够有效防止源的粉尘流到大气中。即，由于直接围绕处理空间10来喷射升温气体，因此将在处理空间10中生成的源的粉尘等各种异物无遗漏诱导并铺集至后述的第一排气面811，并且可有效防止异物流到大气中。

另一方面，气体喷射孔723向下倾斜延长以向着处理空间10的中心部，在气体喷射面开放该气体喷射孔723，并且对于该结构可进行各种改变。例如，气体喷射孔723不是在气体喷射面722中开放，而是也可在腔室部200的下面211中直接开放。这时，气体喷射孔723相互连接也可环形状而不是孔形状。另外，气体喷射孔723形成下广形形状或者扩散型形状进而也可增大喷射效果。

排气部包括排气单元、排气管及排气泵。排气管可至少配置有一个以上，例如可配置有第一排气单元及第二排气单元。第一排气单元可具有第一排气面811、第一排孔821及第一排气室831。第二排气单元可包括第二排气面812、第二排气孔822及第二排气室832。

第一排气面811围绕气体喷射面722的外侧在腔室部200的下面可形成环形状。第一排气室831形成在腔室部200的内部，以环形状围绕气体喷射室724的外侧。第一排气孔821贯通第一排气面811与第一排气室831并且可安装至少一个以上。第二排气面812围绕吹扫气体喷射面910的外侧并且以环形状形成在腔室部200的下面。第二排气室832形成在腔室部200内部，并且以环形状围绕第一吹扫气体喷射室930的外侧。第二排气孔822贯通第二排气面812与第二排气室832并且可至少可安装一个以上。

排气管包括第一排气管及第二排气管。另外，排气泵包括第一排气泵及第二排气泵。第一排气管(未示出)一侧贯通连接部220上面的排气引导孔延长至腔室部200内部，并且可连接于第一排气室831。第一排气管的另一侧可连接于第一排气泵(未示出)。第二排气管(未示出)一侧贯通连接部220上面的排气引导孔延长至腔室部200的内部，并且可连接于第二排气室832。第二排气管的另一侧连接于第二排气泵(未示出)。排气泵形成负压，该负压通过排气管传达于排气单元。

第一排气单元用第一排气面811吸入腔室部200的下面与处理物S的上面之间的空间，据此在处理空间中沉积薄膜的过程中产生的反应物、生成物及未反应物等的各种物质被第一排气室831及第一排气管吸入并清除。这是在以气帘形状喷射的升温气体的喷射区域的外侧实施，这时升温气体的喷射压有助于该吸入作用，因此能够更加有效去除各物质。

第二排气单元用第二排气面812吸入腔室部200的下侧，据此可由第二排气室832及第二排气管吸入并清除在腔室部200与处理物S之间使用于生成气帘的后述的吹扫气体。另外，对于未被第一排气单元吸入的异物，在被排放至大气中之前进行二次捕集并进行清除。

吹扫气体供应部可包括吹扫气体喷射面910、吹扫气体喷射孔920、第一吹扫气体喷射室930、第二吹扫气体喷射室940、吹扫气体供应管(未示出)及吹扫气体供给器(未示出)。吹扫气体喷射面910围绕第一排气面811的周围可在腔室部200的下面形成环形状。吹扫气体喷射孔920贯通吹扫气体喷射面910并且至少可形成一个。第一吹扫气体喷射室930形成在腔室部200的内部，且可在围绕第一排气室831的外侧的位置形成环形状。这时，吹扫气体喷射孔920可连接第一吹扫气体喷射室930与吹扫气体喷射面910来进行安装。第二吹扫气体喷射室940形成在腔室部200的内部，并且可形成环形状以围绕处理孔230的扩张部230B的外侧，并且可连通处理孔230的扩张部230B的内周面的至少三个位置。

吹扫气体供应管一侧贯通连接部220上面的吹扫气体供应孔并延长至腔室部200的内部之后被分支，并且可分别连接于第一吹扫气体喷射室930及第二吹扫气体喷射室940。吹扫气体供应管另一侧在腔室部200的外部可连接于吹扫气体供给器。吹扫气体供给器为储存吹扫气体(例如，包括氩气的惰性气体或氮气)的固定容器。在吹扫气体供应管可安装阀门(未示出)与流量控制器(未示出)。

在吹扫气体供给器中向第一吹扫气体喷射室930供应的吹扫气体通过吹扫气体喷射孔920与吹扫气体喷射面910可向腔室部200的下侧喷射。该吹扫气体起到气帘的作用。

从吹扫气体供给器向第二吹扫气体喷射室940供应的吹扫气体被喷射至处理孔230的扩张部230B，起到在窗口240的下面沉积源的薄膜的作用，若在窗口240下面沉积源的薄膜，则起到通过吹扫气体的喷射压力去除该源的薄膜的作用。通过该吹扫气体可保持窗口240下面清洁。

图10是用于说明根据本发明实施例的激光单元的运作的图面，图11是用于比较说明根据本发明实施例的适用加热激光的工艺的膜形成结果与现有技术的图面，图12及图13是用于说明根据本发明实施例的气体喷射管的运作的图面，图14及图15是用于说明根据本发明实施例的气体喷射面的运作的图面，图16是用于比较说明根据本发明实施例的适用升温气体的工艺的薄膜形成结果与现有技术的图面。

参照图1、图4、图10至图16说明根据本发明实施例的沉积方法。根据本发明实施例的沉积方法包括：放置处理物的过程；将源喷射于处理物的过程；将加工激光照射于处理物的过程，在将源喷射于处理物的过程之前及之后中的至少一个时间点包括提高照射加工激光照射区域周围温度的过程。

这时，将源喷射于处理物的过程之前及之后中的至少一个时间点提高照射加工激光照射区域的周围温度的过程可包括：将加热激光照射于加工激光照射区域周围，并且该照射面积比加工激光照射面积大；将升温气体喷射于加工激光的照射区域周围。

根据本发明实施例的沉积方法为在处理物S沉积薄膜的方法，更详细地说是将加工激光照射于处理物S来修复处理物S的缺陷的沉积方法。本发明利用激光化学气象沉积修复装置可适用于在生成缺陷(例如，开放式缺陷)的部分沉积薄膜的修复工艺。当然，沉积方法也可适用于薄膜的沉积工艺。

首先，放置处理物S。处理物S可以是基板，并且安装在支撑部100的上面，且可位于腔室部200的下侧。也可在大气环境下支撑处理物S。

之后，将源喷射于处理物S。将源喷射于处理物S上面的缺陷位置，这时以粉末状态准备源之后进行气化，之后被运载气体运载并且可喷射于处理空间10。源包括钴源。钴源相比于钨源价格低廉，并且具有气化温度低的优点。

另一方面，将源喷射于处理物S时，对正在搬运源的源供应管的至少一部分加热可控制源的温度，例如可控制源的温度在20摄氏度至40摄氏度。也可将吹扫气体喷射于处理物S上，进而在喷射源时围绕处理空间10的外侧。

之后，将加工激光照射于处理物S。详细地说，将加工激光(L_A)照射于处理物S的缺陷位置。对于加工激光(L_A)照射面积按照缺陷的面积被调节成间隙，并且按照缺陷的长度移动加工激光(L_A)的同时进行照射。因此，可在缺陷位置沉积薄膜，并且可修复处理物S的缺陷。作为加工激光(L_A)可使用包括QCW的高频激光。即，QCW激光与连续波激光不同具有振动，因此可在处理物S形成薄膜。

之后，如图10所示，将加热激光照射于加工激光照射区域周围，并且该照射面积比加工激光的照射面积大。这时，加热激光的照射与加工激光的照射一同实施，或者在照射加工激光之后实施。

例如，向加工激光(L_A)照射区域周边也一同照射加热激光(L_B)。加热激光(L_B)起到提高加工激光(L_A)照射区域周边温度的作用。也可与加热激光(L_B)同时照射加工激光(L_A)。或者，也可在首先照射加工激光(L_A)之后照射加热激光(L_B)。据此，即使在用加工激光(L_A)形成薄膜时生成异物，接着照射加热激光(L_B)来去除生成的异物。如此，可对照射加热激光(L_B)与加工激光(L_A)的时间点进行多种选择。

另一方面，首先照射加热激光(L_B)之后也可照射加工激光(L_A)。据此，提前提高薄膜沉积区域周围温度，进而在照射加热激光(L_B)时可有效阻止在加热激光(L_B)周边生成异物。

加热激光(L_B)可包括连续波激光。连续波激光在不加工处理物S表面的同时可提高处理物S的温度。据此，加热激光(L_B)在不影响通过加工激光形成薄膜的工艺的同时可防止产生异物。

在不足35摄氏度下钴源被冷却的同时可在处理物S生成异物，而在超出60摄氏度的温度下则存在源在沉积的过程中被过成长而无法均匀地沉积薄膜的问题。因此，照射加热激光(L_B)将加工激光(L_A)照射区域周边温度局部加热至35摄氏度至60摄氏度之间的温度。

加热激光(L_B)照射于比加工激光(L_A)照射区域更大的区域，并且加工激光(L_A)重叠于加热激光(L_B)照射区域内来照射加工激光(L_A)。例如，加工激光(L_A)可照射于加热激光(L_B)照射区域的中心部，加热激光(L_B)与加工激光(L_A)的上下方向中心轴可位于同一条直线上。据此，加热激光(L_B)照射区域可围绕加工激光(L_A)照射区域周围。加热激光(L_B)照射区域只局部围绕加工激光(LA)照射区域周边，因此可阻止加工激光(L_A)照射区域周边产生异物。

另一方面，加工激光(L_A)照射区域也可位于加热激光(L_B)照射区域的边缘位置部，加热激光(L_B)照射区域与加工激光(L_A)照射区域也可只重叠一部分。即，对于加工激光(L_A)与加热激光(L_B)重叠区域的位置及重叠程度可进行多种设定。

加热激光(L_B)照射面积可比加工激光(L_A)照射面积大50倍以上。例如，若将加工激光(L_A)照射区域的面积设定为5×5μm，则加热激光(L_B)照射区域的面积可设定为160×80μm。异物是随机发生在照射加工激光(L_A)周边。即，为了防止产生异物，应该向大区域照射加热激光(L_B)。据此，考虑到产生异物区域的面积，加热激光(L_B)照射区域的面积可以是加工激光照射面积的50倍以上。

若在缺陷部位沉积薄膜，则终止照射加工激光(L_A)。这时，可终止同时照射的加热激光(L_B)。

或者，在加工激光(L_A)的照射结束之后可照射加热激光(L_B)固定时间期间。即，首先结束照射加工激光(L_A)，之后结束照射加热激光(L_B)。在沉积薄膜之后也存在产生异物的区域。因此，将加热激光(L_B)照射于在处理物S的薄膜沉积区域，进而可去除异物。

这时，加热激光(L_B)沿着加工激光(L_A)移动的路径移动的同时进行照射。即，向加工激光(L_A)照射区域周边喷射钴源，因此只在加工钴源激光(L_A)照射区域周边生成异物。因此，在处理物S上沿着加工激光(L_A)移动的路径移动加热激光(L_B)的同时进行照射。据此，只将加热激光(L_B)照射于可生成异物的区域。据此，只在处理物S生成薄膜的同时执行去除异物的作业，并且在处理物S生成薄膜之后还执行去除异物的作业，进而可双重去除异物。

另一方面，代替加热激光利用加热灯可提高加工激光照射区域的周边温度。例如，作为加热灯可使用高电力灯(High Power Lamp)。高电力灯具有LED，进而可向加工激光照射区域周边照射光。因为照射的光可提高加工激光照射区域周边的温度。或者，将加热激光与加热灯的光同时照射于处理物S，进而也可双重加热照射加工激光(L_A)的区域。

如此，提高加工激光(L_A)照射区域的周边温度，进而可抑制或防止加工激光(L_A)照射区域周边的源与处理物S接触而被冷却。

若不照射加热激光而是只照射加工激光，则如图11的(a)钴源的特性上会产生大量的异物。但是，如图11的(b)若向加工激光照射区域周边照射加热激光，则能够抑制或防止异物F生成。即，防止钴源被冷却，进而能够抑制或防止在处理物S上生成异物。

另外，由于在处理物S上未生成异物，因此可防止最终制造的显示装置的品质或性能降低。因此，能够减少缺陷发生率，并且能够提高生产性。

另一方面，为了在将源喷射于处理物的过程之前及之后中的至少一个时间点提高加工激光照射区域周围的温度，将升温气体喷射于加工激光照射区域周围。

例如，将升温气体倾斜喷射于处理空间10，该处理空间10是为了围绕加工激光照射区域而配置的。该过程是在将源喷射于处理物S的过程之前实施。或者，该过程在将加工激光照射于处理物S的过程之后实施。或者，该过程在将源喷射于处理物S的过程之前实施，并且也在将加工激光照射于处理物S的过程之后实施。

即，放置处理物S之后，将源喷射于处理物S之前，喷射升温气体，之后将源喷射于处理物S，并照射加工激光来形成薄膜，之后将升温气体喷射于薄膜形成位置。

参照图4及图12，在喷射升温气体时，将吹扫气体f以气帘形状喷射于处理空间10的周围，并且可从外部空间孤立处理空间10。另外，可如下诱导升温气(g_a)的流动：为了从处理空间10的边缘位置部的一侧12b向着处理空间10的中心部11，向下倾斜喷射升温气体(g_a)，同时使升温气体移动至处理空间10的边缘位置部的另一侧12a，经过可诱导经过处理空间10的中心部11。当然，对于升温气体的流动，可容易改变为满足经过处理空间10的中心部11的各种流动。

通过该过程可将应该照射加工激光的区域的周围温度提高至希望的温度。通过该过程之后提高加工激光在缺陷位置沉积薄膜时，能够有效抑制或防止生成异物。这时，若存在正在残留于处理空间10的异物，则也能够与升温气体一同从处理空间脱离并去除异物。

升温气体可包括空气，作为惰性气体也可使用氩气或氮气。另一方面，升温气体被提高至对应于源的沉积温度的温度范围，升温气体可被提高至25摄氏度至50摄氏度。

例如，升温气体被提高至低于源气化温度的温度(例如，不足25摄氏度)向处理空间10喷射，则控制处理空间10内的处理物S的缺陷位置及其周围的温度不足25摄氏度。在这一情况下，降低薄膜的沉积效率，并且在薄膜形成杂质。另外，若升温气体被提高至比气化温度高的温度(例如，超出50摄氏度)来喷射于处理空间10，则处理空间10内的处理物S的缺陷位置与其周边的温度超出50摄氏度，在这一情况下在沉积源的过程中被过度成长，因此无法均匀地沉积薄膜。

若结束对处理空间10的温度的控制，则也可一同结束对加工激光照射区域温度的控制。之后，将源喷射于处理空间，可在三个源喷射孔喷射相同种类的源，或者在三个源喷射孔中的至少一个可喷射不同种类的源。这时，在将源喷射于处理空间的期间，保持供应升温气体，或者逐渐减少升温气体的供应以至结束升温气体的供应，或者逐渐减少升温气体的供应之后从预定时间点开始保持升温气体的供应。当然，也可在喷射源的同时结束供应升温气体，除此之外也可适用各种方式。

参照图4及图13，将源g喷射于处理空间时，可将吹扫气体以气帘形状喷射于处理物S上以围绕处理空间10的外侧，并且通过排气面吸入使用于形成气帘的吹扫气体进而可清除吹扫气体。这时，可去除在薄膜形成位置生成的反应物、生成物及未反应物。

之后，将加工激光照射于缺陷位置来形成薄膜，但是在从喷射源的过程至照射加工激光的过程的实施期间，也可将吹扫气体f以气帘形状喷射于处理物S上以围绕处理空间10的外侧，并且由排气部吸入使用于形成气帘的吹扫气体进而可去除吹扫气体。这时，也可一同去除在薄膜形成位置中生成的反应物、生成物及未反应物。另一方面，照射加工激光的过程已在上述进行详细说明，因此在以下将省略该说明。

如上所述，在本发明的实施例中通过将升温气体提高至源的气化温度范围内来进行工艺的方式，不会在薄膜生成杂质，并且防止薄膜的过成长，因此可在处理物S均匀地沉积干净的薄膜。

另一方面，为了在将源喷射于处理物的过程之前及之后中的至少一个时间点中提高加工激光照射区域的周围温度，将升温气体喷射于加工激光照射区域周围，并将升温气体喷射于围绕加工激光照射区域的处理物上的处理空间周围。该过程是在将源喷射于处理物的过程之前实施。或者，该过程在将源喷射于处理物的过程中实施。或者，该过程在将源喷射于处理物的过程之前实施，并且也在将源喷射于处理物的过程中实施。

即，放置处理物S之后，将源喷射于处理物S之前，喷射升温气体。之后，将源喷射于处理物S的同时一同喷射升温气体，之后照射加工激光的同时继续喷射升温气体。

参照图4、图14及图15，将升温气体(g_a)喷射于处理物S上的处理空间10的外侧。这时，能够以气帘形状喷射升温气体(g_a)，并且可喷射该升温气体(g_a)以直接围绕处理空间10。另外，升温气体(g_a)被倾斜喷射至处理空间10侧，并且升温气体(g_a)的一部分向处理孔230侧流动，而剩余升温气体(g_a)能够以气帘形状形成在处理空间的周围。这时，可围绕升温气体(g_a)外侧来喷射吹扫气体f。

升温气体(g_a)温度被升高至包括源的沉积温度范围或者源的气化温度范围的固定温度范围，并可向处理空间10侧喷射。例如，升温气体(g_a)温度被升高至20℃至40℃的温度范围或者30℃至35℃的温度范围可向处理空间10侧喷射。

另一方面，所述温度范围与将升温气体直接喷射于处理空间时的升温气体的温度范围在值上存在差异，这是根据将升温气体喷射于处理空间与喷射于处理空间周围的差异，例如可以是根据升温气体的喷射位置与形态的差异的升温气体的温度差异。

向处理孔230侧流动的升温气体(g_a)提高处理空间10的温度及压力。若处理空间10的压力达到固定压力，则从处理空间10的内部向外部的方向流动气体，因此如图15所示诱导升温气体向处理空间10的外部顺利流动。这时，通过升温气体的流动源被聚集在处理空间的中心部，因此在之后过程中能够进行很好地沉积。

在喷射升温气体(g_a)的同时可从外部孤立处理空间10，并且通过升温气体(g_a)加工激光照射区域及围绕该区域的处理空间的温度被提高至希望的温度范围并可保持该温度。

在喷射升温气体(g_a)的期间向处理空间10喷射源g。如上所述，以粉末状态制备源之后进行气化后进行搬运，在搬运途中对源进行加热，同时将源的温度保持在相当于气化温度范围的水准，例如保持在20℃至40℃的温度水准或者30℃至35℃的温度水准。钴源能够在所述温度范围中在无状态变化下能够很好地保持气化状态。

向处理空间10侧喷射的升温气体(g_a)的一部分围绕处理空间10的外侧向下喷射，同时从处理空间10的内部向处理空间10的外侧流动的源g的流动接近处理物S的一面，可与处理物S的一面并列形成。据此，不仅能够抑制生成粉尘，而且粉尘聚集的同时进行流动，因此还能够顺利向处理空间10的外侧诱导粉尘。

另一方面，在升温气体(g_a)的喷射量在进行工艺期间可保持不变，并且可对该喷射量进行多种改变。例如，在初期喷射升温气体(g_a)时，喷射相对多量的升温气体，若处理物S的温度被控制在希望的温度，则减少升温气体(g_a)的喷射量，在这一状态下可将源g喷射于处理空间10的内部。

在从喷射升温气体(g_a)的过程开始至将加工激光照射于缺陷位置过程期间，从处理空间10的内部中向外侧吸附并去除反应物、生成物及未反应物中的至少一种。这时，一同排放使用于形成气帘的升温气体及吹扫气体。

之后，将加工激光照射于处理物S在缺陷部分形成薄膜。即，在将处理孔230的内部控制在源的环境的状态下，将激光照射于处理物的缺陷部分来沉积薄膜，进而可修复处理物S的缺陷。加工激光的具体照射过程与之后的过程已在上述进行详细说，因此在以下将省略该说明。

若完成薄膜沉积，则结束激光照射，之后再喷射升温气体(g_a)固定时间期间，来控制处理物S的已被修复的区域的温度，从此将已修复的薄膜稳定化。之后，结束开放式缺陷的修复工艺。

在图16(b)示出了根据本发明实施例的适用升温气体的修复工艺的实施结果，在图16(a)示出了通过现有的方式在无升温气体的情况下的修复工艺实施结果。实施例为直接提高基板缺陷位置的温度，因此能够很好地控制缺陷位置温度以用于顺利进行沉积的温度，并且能够形成干净的膜。相反，现有技术则利用玻璃台提高基板下面的温度，并且间接提高基板缺陷位置的温度，因此很难控制基板温度，并且基板缺陷位置与周边温度不均匀，因此在薄膜形成杂质并且一部分被过成长，因此会沉积不均匀的薄膜。

如上所述，适用根据本发明实施例的沉积装置及沉积方法的开放式缺陷修复工艺，与现有技术不同能够确认到可在处理物(例如，基板)形成干净的薄膜。

图17至图20是分析根据本发明实施例的处理孔与源喷射孔的内部的源气体流动之后示出该结果(气流分析结果)的图面。在图17至图20中，由V1、V2、V3及V4表示的各个区域为，以从气流分析结果中导出的源流动速度为基准区分处理孔及源喷射孔的内部区域。这时，V4区域中源流动速度最快。并且，从V4区域、V3区域、V2区域及V1区域的顺序是源暗流动速度相对慢的区域。

例如，若源喷射孔内部形成V3区域或者V4区域，则在形成这些区域的位置中源流动速度达到希望的值，据此意味着顺利地向处理孔的下侧端部的中心部诱导源流动，这时源容易到达沉积位置。

相反，在源喷射孔的内部形成V1区域或者V2区域，而未形成V3区域或者V4区域，则源的流动从处理孔下侧端部的边缘位置部弯曲，这时源难以到达沉积位置。

另一方面，在图17至图20分别用箭头表示的固定的流动为，以从上述的气流分析结果导出的处理孔及源喷射孔内部的各个位置分别的源流动速度矢量为基础，示例性示出在处理孔及源喷射孔内部中主要的源流动。

参照图17至图20，说明在根据本发明实施例的处理孔与源喷射孔内部中源流动状态分析结果。这时，在以下说明的源喷射孔结构的具体示例是为了帮助理解本发明，并不是用于限定本发明。

参照图17，说明根据本发明实施例的处理孔及源喷射孔内部的源流动状态的分析结果。

首先，对根据本发明实施例的处理孔与源喷射孔的结构进行建模并放置在固定的分析程序上。对于源喷射孔，内径以1mm的条件、端部高度以1.25mm、角度以65°的条件进行建模。之后，将源以固定的流量供应于处理孔的直动部，并且将吹扫气体以固定的流量供应于处理孔的扩张部，并且以固定的分析条件对处理孔及源喷射孔内部的气流实施气流分析，并将从此导出的气流分析结果以示意图在图17示出。

如果，源喷射孔内部中源的流动速度不充分，则源流动无法被诱导至处理孔的端部的中心部，而是在源喷射孔端部中向排气面侧急转弯，因此源无法到达沉积位置。

但是，如图17所示在源喷射孔内部中源的流动速度在固定范围并且防止源流动在早期弯曲的现象，因此如示意图所示可以确认到源的流动准确并稳定地到达沉积位置。根据所述分析结果，可确认到在本发明实施例中能够使源容易到达处理空间内部的沉积位置。

参照图18，对根据本发明实施例的处理孔及源喷射孔内部中的源流动状态进行分析，说明导出的结果。之后，将该结果与图17比较，说明根据源喷射孔端部位置变化的处理孔及源喷射孔内部中的源流动状态变化。

首先，对根据本发明实施例的沉积装置结构进行建模并放在固定的分析程序上。这时，对于源喷射孔内径以1mm的条件、端部高度以0.83mm的条件、角度以65°的条件建模进行。之后，将固定的流量的源供应于处理孔的直动部，并且将固定的流量的吹扫气体供应于处理孔的扩张部，并且以固定的分析条件对处理孔及源喷射孔内部的气流实施气流分析，并且将该气流分析结果以示意图在图18中示出。

如图18所示，若源喷射孔内部中源的流动速度在希望的值的范围，则防止流动弯曲，并且如示意图所示，可以确认到准确并稳定地到达处理物S的沉积位置。

另外，对比在图18示出的气流分析结果与在图17示出的气流分析结果，随着源喷射孔的端部位置变高源的流动速度变快，因此相比与图18在图17的情况下可以确认到源更加容易到达处理空间内的沉积位置。

参照图19对根据本发明实施例的处理孔及源喷射孔内部中的源流动状态进行分析，并将该结果与图17进行比较，说明根据源喷射孔的内径及端部位置变化的处理孔及源喷射孔内部中的源流动状态的变化。

首先，对根据本发明实施例的沉积装置结构建模并放在固定的分析程序上。这时，对于源喷射孔内径以0.75mm的条件、端部高度以1.35mm的条件、条件以65°的条件进行建模。之后，将固定流量的源供应于处理孔的直动部，并且将固定流量的吹扫气体供应于处理孔的扩张部，并且以固定的分析条件对处理孔及源喷射孔内部的气流进行气流分析，从此导出的气流分析结果以示意图在图19中示出。

如图19所示，在源喷射孔内部中源的流动速度在固定范围并且防止流动弯曲，因此如示意图所示可以确认到准确并稳定地到达处理物S的沉积位置。

另外，对比图19所示的气流分析结果与图17所示的气流分析结果，可确认到随着源喷射孔的端部位置变高，还有源喷射孔的内径变小，源的流动速度变得更快，因此相比于图17的情况在图19的情况源更加容易到达处理空间的沉积位置。

另一方面，将图18及图17之间的对比结果与图19及图17之间的对比结果一同比较时，可以确认到随着源喷射孔的内径变小，源的流速更加加快，因此更加容易到达处理空间内的沉积位置。

参照图20，对根据本发明实施例的处理孔及源喷射孔内部中的源流动状态进行分析说明导出的结果。之后，将该结果与图19对比，说明源喷射孔的角度及端部位置的变化的处理孔及源喷射孔内部中的源流动状态的变化。

首先，对根据本发明实施例的沉积装置结构进行建模并放在分析程序上。这时，对于源喷射孔内径以0.75mm的条件、端部位置以0.603mm的条件、角度以60°的条件进行建模。之后，将固定量源供应于处理孔的直动部并且将固定流量的吹扫气体供应于处理孔的扩张部，并且以固定的解释条件对处理孔及源喷射孔内部实施气流分析，将从此导出的气流分析结果以示意图在图20中示出。

如图20所示，在源喷射孔内部中源的流动速度设定在固定的范围，并且防止源在所述的流动速度范围内防止流动弯曲，因此如示意图所示可以确认到准确并稳定地到达处理物S的沉积位置。

对图20示出的气流分析结果与图19示出的气流分析结果进行对比，可以确认到随着源喷射孔的端部位置变高，还有源喷射孔的角度变大，源的流动速度变得更快，因此相比于在图20的情况，在图19的情况下源更加容易到达处理空间内的沉积位置。

综合上述分析结果，可以确认到源喷射孔的端部高度及端部内径、源喷射孔的角度与源流动速度紧密相关。例如，可以确认到随着源喷射孔的端部高度变高，在源喷射孔内部中源的流速加快，进而源到达沉积位置的概率变高。另外，随着源喷射孔的端部内径变小，在源喷射孔内部中源的流速增加，因此到达源到达沉积位置的概率高。另外，随着源喷射孔的角度增大，在源喷射孔内部中源的流速加快，因此源到达沉积位置的概率变高。

在本发明的实施例中，通过如上所述各个数值限定条件设定源喷射孔的结构，进而在设计装置的结构时构成装置的结构，可诱导最适合于处理空间的源的流动。从此，在处理孔内部及处理空间内部中将源的流动最优化，进而能够提高薄膜沉积效率，并且能够减少源使用量。

另外，在本发明的实施例中，通过如上所述的各个限定条件设定源喷射孔的结构，进而在设计装置的结构时构成装置的结构，进而可减少腔室部整体厚度。从此，在保持腔室部的高度的同时从支撑部及处理对象基板充分隔离腔室部下面，据此可防止支撑部及处理对象基板的热损伤。

尤其是，将用于有效修复开放式缺陷的光学设计最优化的同时已设定透镜高度的状况下，能够比现有技术更加缩小腔室部厚度，因此无需改变光学设计(例如，透镜高度)等，能够从薄玻璃台充分隔离腔室部，因此能够防止高温腔室部引起的玻璃台的热损伤。因此，在不改变最优化的透镜高度的同时适用于薄玻璃台，因此在无玻璃台热损伤的情况下能够有效修复开放式缺陷。

本发明的实施例是用于说明本发明，并不是用于限定本发明。本发明为，在权利要求范围及与其同等的技术思想范围内可实现相互不同的形状，并且本发明所属技术领域的技术人员能够理解可在本发明的技术思想内能够进行各种实施例。

Claims

1.一种沉积装置，其特征在于，包括：

支撑部，在上面可安装处理物；

腔室部，位于所述支撑部上，并且在下面形成处理孔，在所述处理孔与所述处理物之间提供处理空间；

源喷射孔，形成在所述处理孔的内周面；

源供应部，连接于所述源喷射孔以供应源；

激光部，向所述处理空间可照射加工激光；及

加热部，为了提高所述加工激光照射区域的周围温度，加热所述加工激光照射区域。

2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，

所述源喷射孔形成在所述处理孔内周面的三个位置。

3.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，

所述处理孔为，在下部形成以高度方向的内径相同的直动部，

所述源喷射孔形成在所述直动部。

4.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，

在所述处理孔的下侧端部隔离所述源喷射孔。

5.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，

在所述处理孔的下侧端部隔离所述源喷射孔0.5㎜至2㎜。

6.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，

所述源喷射孔为，向所述处理孔的下侧端部的中心部倾斜形成，并且旋转对称于所述处理孔的下侧端部的中心部。

7.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，

所述源喷射孔倾斜形成，对于以高度方向交叉所述处理孔的下侧端部的中心轴构成60°至70°。

8.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，

在所述处理孔的下侧端部的内径为1时，所述源喷射孔的内径为0.1至0.6。

9.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，

所述源喷射孔的内径为0.5㎜至3㎜。

10.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，

所述加热部为，利用加热激光、光及升温气体中的至少一种，使所述加工激光照射区域的周围温度升高。

11.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，

所述加热部包括：激光单元，将所述加热激光可照射于所述加工激光照射区域周围，并且照射面积比所述加工激光的照射面积大。

12.根据权利要求11所述的沉积装置，其特征在于，

在所述腔室部与所述激光部之间设置光学部，

所述激光单元包括：激光发生器，生成连续波激光；及第一反射镜，将所述连续波激光引导至所述光学部。

13.根据权利要求12所述的沉积装置，其特征在于，

所述激光部包括：激光振荡器，生成所述加工激光；第二反射镜，将所述加工激光引导至所述光学部；及间隙，配置在所述第二反射镜与所述光学部之间，并且以调节所述加工激光的照射面积。

14.根据权利要求11所述的沉积装置，其特征在于，

对所述支撑部可相对移动地设置所述激光部，

所述激光单元对所述支撑部可相对移动，同时可与所述激光部一同移动。

15.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，

所述加热部包括：加热灯，使光可照射于所述加工激光照射区域周围，并且照射面积比所述加工激光的照射面积大。

16.根据权利要求15所述的沉积装置，其特征在于，

所述加热灯与所述激光部可一同被可移动地进行设置。

17.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，

所述加热部包括：气体喷射单元，使所述升温气体可喷射于所述处理空间及所述处理孔中的至少一个。

18.根据权利要求17所述的沉积装置，其特征在于，

所述气体喷射单元包括：气体喷射管，将所述升温气体引导于所述处理空间及所述处理孔中的至少一个；及气体供给器，将所述升温气体供应于所述气体喷射管。

19.根据权利要求18所述的沉积装置，其特征在于，

所述气体喷射管为，全部接触于所述处理空间与所述处理孔，同时贯通所述腔室部的内部以接触于所述腔室部的下面。

20.根据权利要求18所述的沉积装置，其特征在于，

所述气体喷射管为，倾斜贯通所述腔室部的内部，以朝向所述处理孔的下侧端部的边缘位置部，并且接触于所述边缘位置部，同时一部分分别重叠于所述处理孔与所述腔室部的下面。

21.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，

所述加热部包括：气体喷射单元，将所述升温气体可喷射于所述处理空间的周围。

22.根据权利要求21所述的沉积装置，其特征在于，

所述气体喷射单元包括：气体喷射面，围绕所述处理孔的下侧端部周围，并且形成在所述腔室部的下面；气体喷射孔，至少具有一个，并且贯通所述气体喷射面；及气体供给器，将所述升温气体供应于所述气体喷射孔。

23.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，

所述源供应部包括：源供应管，一侧贯通所述腔室部的内部，并且连接于所述源喷射孔；及源供给器，连接于所述源供应管的另一侧；

所述源供应管包括：多个直管部；连接部，至少具有一个，并且连接所述多个直管部之间；

所述连接部形成弯曲管结构。

24.根据权利要求23所述的沉积装置，其特征在于，包括：

加热部，围绕所述源供应管的至少一部分，

所述源供应管的材质包括铜。

25.一种沉积方法，其特征在于，包括：

放置处理物的过程；

将源喷射于所述处理物的过程；及

将加工激光照射于所述处理物的过程；

其中在将源喷射于所述处理物的过程之前及之后中的至少一个时间点包括：提高所述加工激光照射区域周围的温度的过程。

26.根据权利要求25所述的沉积方法，其特征在于，

提高所述加工激光照射区域周围的温度的过程包括：

将加热激光照射于所述加工激光照射区域周围，并且照射面积比所述加工激光的照射面积大的过程。

27.根据权利要求26所述的沉积方法，其特征在于，

照射所述加热激光的过程，与照射所述加工激光的过程一同实施，或者在照射所述加工激光的过程之后实施。

28.根据权利要求27所述的沉积方法，其特征在于，

所述加热激光包括连续波激光。

29.根据权利要求27所述的沉积方法，其特征在于，

在一同照射所述加工激光与所述加热激光时，首先结束所述加工激光的照射，之后结束所述加热激光的照射。

30.根据权利要求29所述的沉积方法，其特征在于，

沿着所述加工激光移动的路径移动所述加热激光的同时被照射于所述处理物上。

31.根据权利要求26所述的沉积方法，其特征在于，

照射所述加热激光，将所述加工激光照射区域周围的温度局部加热至35摄氏度以上的温度。

32.根据权利要求25所述的沉积方法，其特征在于，

提高所述加工激光照射区域周围的温度的过程包括：

将升温气体喷射于所述加工激光照射区域周围的过程。

33.根据权利要求32所述的沉积方法，其特征在于，

喷射所述升温气体的过程包括：

围绕所述加工激光照射区域，并且将所述升温气体倾斜地喷射于形成在所述处理物上的处理空间。

34.根据权利要求33所述的沉积方法，其特征在于，

喷射所述升温气体的过程，在将源喷射于所述处理物的过程之前实施，或者分别在将源喷射于所述处理物的过程之前，及将所述加工激光照射于所述处理物的过程之后实施。

35.根据权利要求33所述的沉积方法，其特征在于，

在倾斜喷射所述升温气体时，将吹扫气体喷射于所述处理空间周围，进而从外部环境孤立所述处理空间。

36.根据权利要求33所述的沉积方法，其特征在于，

在倾斜喷射所述升温气体时，使所述升温气体从所述处理空间的边缘位置部的一侧中向着所述处理空间的中心部来喷射所述升温气体。

37.根据权利要求36所述的沉积方法，其特征在于，

在倾斜喷射所述升温气体时，向所述处理空间的边缘位置部的另一侧移动所述升温气体，进而诱导经过所述处理空间的中间部的所述升温气体的流动。

38.根据权利要求33所述的沉积方法，其特征在于，

所述升温气体被提高至对应于所述源沉积温度的温度范围。

39.根据权利要求33所述的沉积方法，其特征在于，

所述升温气体被提高至25摄氏度至50摄氏度。

40.根据权利要求32所述的沉积方法，其特征在于，

喷射所述升温气体的过程包括：

围绕所述加工激光照射区域，并且将所述升温气体喷射于形成在所述处理物上的处理空间周围的过程。

41.根据权利要求40所述的沉积方法，其特征在于，

喷射所述升温气体的过程，在将源喷射于所述处理物的过程之前实施，或者分别在将源喷射于所述处理物的过程之前及将源喷射于所述处理物的过程中实施。

42.根据权利要求40所述的沉积方法，其特征在于，

在将所述升温气体喷射于所述处理空间的周围时，由所述升温气体围绕所述处理空间周围，进而从外部环境中孤立所述处理空间。

43.根据权利要求40所述的沉积方法，其特征在于，

所述升温气体被提高至20摄氏度至40摄氏度的温度。

44.根据权利要求32所述的沉积方法，其特征在于，

所述升温气体包括空气。

45.根据权利要求25所述的沉积方法，其特征在于，

将源喷射于所述处理物的过程包括：

对正在搬运所述源的源供应管至少一部分施加热，以控制所述源的温度的过程。

46.根据权利要求45所述的沉积方法，其特征在于，

在控制所述源的温度时，将所述源的温度控制在20摄氏度至40摄氏度。

47.根据权利要求25至46中的任意一项所述的沉积方法，其特征在于，

所述源包括钴源，

将加工激光照射于所述处理物来修复所述处理物的缺陷。