JP2007038202A

JP2007038202A - パターン修正方法およびパターン修正装置

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Publication number: JP2007038202A
Application number: JP2006025997A
Authority: JP
Inventors: Takashi Koike; 孝誌小池; Shigeo Shimizu; 茂夫清水
Original assignee: NTN Corp; NTN Toyo Bearing Co Ltd
Current assignee: NTN Corp
Priority date: 2005-02-25
Filing date: 2006-02-02
Publication date: 2007-02-15

Abstract

【課題】簡単な構成で欠陥部を迅速に修正することが可能なパターン修正方法を提供する。
【解決手段】このパターン修正方法では、塗布ノズル３０から霧状の修正液２０を噴出し、かつ電極１３のオープン欠陥部１３ａの一方側の移動開始点Ａ１から欠陥部１３ａの他方側の移動終了点Ｂ１まで塗布ノズル３０を相対的に移動させながら、塗布ノズル３０が欠陥部１３ａの一方端の描画開始点Ａ０に到達したときにシャッタ３１を開き、塗布ノズル３０が欠陥部１３ａの他方端の描画終了点Ｂ０に到達したときにシャッタ３１を閉じる。これにより、一定の線幅の堆積層３２を形成することができる。
【選択図】図３

Description

この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥、プラズマディスプレイのリブ（隔壁）欠損、液晶カラーフィルタの欠陥部などを修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。

近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上の電極やリブなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。

たとえば、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正用ペーストを付着させて欠損部に塗布し、修正用ペーストが垂れないように修正用ペーストを焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば特許文献１参照）。

また、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献２参照）。

また、液晶カラーフィルタの欠陥を修正する方法として、欠陥部を覆うようにフィルムを配置し、レーザ光を照射して欠陥部とフィルムを略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして転写フィルムの着色層を転写充填する方法がある（たとえば特許文献３参照）。

また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとしてインクを塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある（たとえば、特許文献４，５）。
特開２０００−２９９０５９号公報特開平８−２９２４４２号公報特開平１０−２０１１５号公報特開平１１−１２５８９５号公報特開２００５−９５９７１号公報

しかし、リブを修正する方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正用ペーストで埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるという問題がある。また、リブ幅からはみ出した修正用ペーストを除去するカット用レーザ部とスクラッチ機構、これにより生じる異物を吸引する機構、正常部より盛り上がった修正部をスキージ機構により再整形する機構などが必要となり装置構成が複雑になる。

また、電極を修正する方法では、電極の断線部とペーストタンクとの間を何度も往復させて塗布針に導電性ペーストを補充しながら塗布するので、断線部が長いほど修正にかかる時間が長くなる。また、円形の塗布部を１列に配置した形状にペーストが塗布されるので、電極の幅からはみ出た部分は塗布後にレーザカット処理する必要があった。

また、フィルムをマスクとして使用する方法では、フィルムと欠陥部をレーザ光で略同時に除去するので、大きなレーザパワーが必要となり、欠陥部の周辺にダメージを与えてしまう場合がある。

それゆえに、この発明の主たる目的は、簡単な構成で欠陥部を迅速に修正することが可能なパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。

また、この発明の他の目的は、欠陥部の周辺へのダメージが小さなパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。

この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を欠陥部に噴出する塗布ノズルとを含み、修正液を欠陥部に堆積させる堆積装置と、基板と堆積装置を相対的に移動させる移動装置とを設け、移動装置を駆動して基板と堆積装置を相対的に移動させながら修正液を欠陥部に堆積させることを特徴とする。したがって、霧状の修正液を欠陥部に噴出して修正するので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、従来のように余分な修正液を除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。

好ましくは、堆積装置は、さらに、塗布ノズルから噴出される霧状の修正液を受けるシャッタを含み、塗布ノズルが欠陥部に対向している期間だけシャッタを開ける。この場合は、欠陥部以外の部分に修正液が付着することを防止することができる。

また好ましくは、移動装置を駆動して欠陥部の一方側の移動開始点から欠陥部の他方側の移動終了点まで塗布ノズルを移動させながら、塗布ノズルが欠陥部の一方端の描画開始点に到達したときにシャッタを開き、塗布ノズルが欠陥部の他方端の描画終了点に到達したときにシャッタを閉じる。この場合は、一定の線幅の堆積層を形成することができる。

また、この発明に係る他のパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、欠陥部と略同じ寸法の開口部を有し、該開口部が欠陥部に対向して配置されるスリットと、修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液をスリットの開口部を介して欠陥部に噴出する塗布ノズルとを含み、修正液を欠陥部に堆積させる堆積装置と、基板と堆積装置を相対的に移動させる移動装置とを設け、移動装置を駆動して基板と堆積装置をスリットの開口部の長さよりも長い範囲に亘って相対的に移動させ、修正液を欠陥部に堆積させることを特徴とする。この場合は、スリットの開口部の形状の堆積層を形成することができる。

好ましくは、スリットに付着した修正液を吸引除去する。この場合は、スリットから垂れ落ちた修正液によって基板が汚染されるのを防止することができる。

また、この発明に係るさらに他のパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、修正液を欠陥部に堆積させる堆積装置と、レーザ光を出射してレーザカットを行なうレーザ装置とを設け、欠陥部を含む範囲を覆うようにして基板上にフィルムを貼り付け、レーザ装置によってフィルムのうちの欠陥部を覆っている部分をレーザカットして除去し、堆積装置によって欠陥部を含みフィルムからはみ出さない範囲に修正液を堆積させ、修正液の堆積が完了した後にフィルムを除去することを特徴とする。この場合は、欠陥部以外の部分に修正液が付着するのを防止することができる。

また、この発明に係るさらに他のパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、修正液を欠陥部に堆積させる堆積装置と、レーザ光を出射してレーザカットを行なうレーザ装置とを設け、欠陥部を含む範囲を覆うようにして基板上にフィルムを貼り付け、レーザ装置によってフィルムのうちの欠陥部を覆っている所定形状の部分とその下部の微細パターンをレーザカットして除去し、堆積装置によって所定形状の部分を含みフィルムからはみ出さない範囲に修正液を堆積させ、修正液の堆積が完了した後にフィルムを除去することを特徴とする。この場合は、レーザカットを容易に行なうことができる。

好ましくは、堆積装置は霧状の修正液を所定の太さに収束して噴出し、レーザ装置によって形成されるフィルムの開口部の幅は、堆積装置から噴出される霧状の修正液の収束径よりも細い。この場合は、細い欠陥部を修正することができる。

また好ましくは、修正液は、微粒子分散溶液である。
また好ましくは、修正液は、金属錯体溶液である。

また、この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、基板の表面を観察する観察光学系と、修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を噴出する塗布ノズルとを含み、修正液を欠陥部に堆積させる堆積装置と、基板と堆積装置を相対的に移動させる移動装置とを備えたことを特徴とする。したがって、霧状の修正液を欠陥部に噴出して修正するので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。また、従来のように余分な修正液を除去する機構を設ける必要がないので、装置構成の簡単化を図ることができる。

好ましくは、堆積装置は、さらに、噴出された霧状の修正液のうちの少なくとも一部を吸引する排気管を含む。この場合は、不要な修正液を吸引除去することができる。

また好ましくは、堆積装置は、さらに、待機時に塗布ノズルから噴出される霧状の修正液を受けるシャッタを含み、排気管は、シャッタによって受けられた霧状の修正液を吸引し、排気管とシャッタが一体的に形成されている。この場合は、部品点数を削減することができる。

また好ましくは、堆積装置は、さらに、修正液を噴霧部に補充する補充装置を含む。この場合は、霧状の修正液を安定に発生することができる。

また好ましくは、排気管によって吸引された修正液は、噴霧部または補充装置に戻される。この場合は、修正液の使用効率を高めることができる。

また好ましくは、さらに、堆積装置のうちの少なくとも塗布ノズルを洗浄する洗浄装置が設けられる。この場合は、塗布ノズルの目詰まりを防止することができる。

また好ましくは、洗浄装置は、少なくとも塗布ノズル内に洗浄ガスまたは洗浄液を流して洗浄する。

また好ましくは、洗浄装置は、その吸込口に塗布ノズルが挿入され、塗布ノズルから噴出される洗浄ガスまたは洗浄液を排出するダクトを含む。この場合は、室内が洗浄ガスなどで汚染されるのを防止することができる。

また、この発明に係るさらに他のパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、欠陥部を含む範囲を覆うようにフィルムを配置するステップと、フィルムの欠陥部を覆う部分にレーザ光を照射して欠陥部と同じ、または欠陥部よりも大きな孔をフィルムのみに開けるステップと、フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填するステップとを含むことを特徴とする。したがって、フィルムのみに孔を開けるので、フィルムと欠陥部を略同時に除去していた従来に比べてレーザパワーが小さくて済み、欠陥部の周辺のダメージが小さくなる。

また、この発明に係るさらに他のパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、欠陥部と離れた別の位置で、フィルムにレーザ光を照射して欠陥部を修正するための孔を開けるステップと、欠陥部にフィルムの孔を位置合せして欠陥部を含む範囲の上にフィルムを配置するステップと、フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填するステップとを含むことを特徴とする。したがって、欠陥部と別の位置でフィルムに孔を開けるので、レーザ光の照射による欠陥部の周辺のダメージが小さくなる。

また、この発明に係るさらに他のパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、欠陥部との間に所定の隙間を開けて、欠陥部を含む範囲の上方にフィルムを配置するステップと、フィルムにレーザ光の焦点を合わせ、フィルムの欠陥部に対向する部分にレーザ光を照射して欠陥部を修正するための孔を開けるステップと、フィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填するステップとを含むことを特徴とする。したがって、フィルムと欠陥部の間に隙間を開けるので、レーザ光の照射による欠陥部の周辺のダメージが小さくなる。

好ましくは、レーザ光をフィルムに照射する際、基板とフィルムとの隙間にレーザ光を遮蔽する遮蔽板を挿入する。この場合は、レーザ光による欠陥部周辺のダメージを完全に無くすことができる。

また好ましくは、フィルムの孔の上方から欠陥部に向けて修正液の微細な霧を収束させて噴射することにより、欠陥部に修正液を充填する。

また好ましくは、修正液を硬化させるステップと、フィルムを除去するステップとを含む。

また、この発明に係る他のパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、欠陥部を含む範囲を覆うようにフィルムを配置するフィルム配置装置と、フィルム配置装置によって配置されたフィルムの欠陥部を覆う部分にレーザ光を照射して欠陥部と同じ、または欠陥部よりも大きな孔をフィルムのみに開けるレーザ装置と、レーザ装置によって開けられたフィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填する修正液充填装置とを備えることを特徴とする。したがって、フィルムのみに孔を開けるので、フィルムと欠陥部を略同時に除去していた従来に比べてレーザパワーが小さくて済み、欠陥部の周辺のダメージが小さくなる。

また、この発明に係るさらに他のパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、欠陥部と離れた別の位置で、フィルムにレーザ光を照射して欠陥部を修正するための孔を開けるレーザ装置と、レーザ装置によって開けられたフィルムの孔を欠陥部に位置合せして欠陥部を含む範囲の上にフィルムを配置するフィルム配置装置と、フィルム配置装置によって配置されたフィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填する修正液充填装置とを備えることを特徴とする。したがって、欠陥部と別の位置でフィルムに孔を開けるので、レーザ光の照射による欠陥部の周辺のダメージが小さくなる。

好ましくは、フィルム配置装置は、フィルムが巻回された第１のリールと、フィルムを巻き取る第２のリールとを含み、第１および第２のリール間でフィルムをＵ字状に垂らし、その垂れた部分を欠陥部を含む範囲に接触させる。

また好ましくは、フィルム配置装置は、さらに、基板に対して第１および第２のリールを相対的に移動させる位置決め装置を含む。

また、この発明に係るさらに他のパターン修正装置は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、欠陥部との間に所定の隙間を開けて、欠陥部を含む範囲の上方にフィルムを配置するフィルム配置装置と、フィルム配置装置によって配置されたフィルムにレーザ光の焦点を合わせて、フィルムの欠陥部に対向する部分にレーザ光を照射して欠陥部を修正するための孔を開けるレーザ装置と、レーザ装置によって開けられたフィルムの孔を介して欠陥部に修正液を充填する修正液充填装置とを備えることを特徴とする。したがって、フィルムと欠陥部の間に隙間を開けるので、レーザ光の照射による欠陥部の周辺のダメージが小さくなる。

好ましくは、フィルム配置装置は、フィルムが巻回された第１のリールと、フィルムを巻き取る第２のリールとを含み、第１および第２のリール間に張り渡されたフィルムを欠陥部を含む範囲の上方に配置する。

また好ましくは、フィルム配置装置は、フィルムが巻回された第１のリールと、フィルムを巻き取る第２のリールと、第１および第２のリールの間で基板の上方にフィルムを基板に略並行に張り渡すための２本のローラとを含む。

また好ましくは、フィルム配置装置は、さらに、基板に対して第１のリール、第２のリールおよび２本のローラを相対的に移動させる位置決め装置を含む。

また好ましくは、修正液充填装置は、フィルムの孔の上方から欠陥部に向けて修正液の微細な霧を収束させて噴射することにより、欠陥部に修正液を充填する。

また好ましくは、さらに、修正液充填装置によって欠陥部に充填された修正液を硬化させる修正液硬化装置を備え、フィルム配置装置は、修正液硬化装置によって欠陥部に充填された修正液が硬化された後に、フィルムを除去する。

以上のように、この発明によれば、欠陥部の修正にかかる時間が短縮され、タクトタイムの短縮が可能となり生産効率が向上する。また、従来技術で必要であった修正液塗布後のパターン整形手順およびその機構が不要あるいは簡略化されるため、装置構成の簡単化が可能となる。また、レーザ光の照射による欠陥部周辺へのダメージが小さくなる。

［実施の形態１］
図１は、この発明の実施形態１によるパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。

図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。修正する欠陥としては、電極のオープン欠陥部、プラズマディスプレイのリブ欠損部、カラーフィルタの白抜け欠陥などが挙げられる。たとえば、オープン欠陥部１３ａがある電極１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を部分加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ_２レーザなどを用いることが可能である。

微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。

噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する場合には、修正液２０として、銀ペースト、金ペースト、あるいは透明電極材料の微粒子を溶媒中に分散したものが使用される。また、修正液２０として、金属錯体溶液や金属コロイド溶液を用いてもよい。また、プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料であるガラスの粉末を溶媒中に均一に分散させたものが使用される。

容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２1ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。

なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状するためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波による噴霧装置を用いても構わない。

また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌してもよい。

減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。

加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、加熱部１７を省略することも可能である。

ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。

シャッタ３１は、欠陥修正を行う前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。

次に、このパター修正装置の使用方法について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、基板１４の表面に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する過程を示したもので、基板１４と塗布ノズル３０とを相対的に移動させる。たとえば、基板加熱部６で欠陥部１３ａを局所加熱しながらＸＹステージ１０を駆動させて欠陥部１３ａに修正材料の微粒子を堆積させていく。このとき、塗布ノズル３０と基板１４を接触させることなく一定の隙間（５ｍｍ前後）を持って修正を行う。なお、図３（ａ）〜（ｄ）では、図面の簡単化のため基板加熱部６の図示は省略されている。

まず図３（ａ）に示すように、塗布ノズル３０を描画開始点Ａ０よりも前の移動開始点Ａ１に位置決めした後、シャッタ３１を閉じた状態でＸＹステージ１０を駆動させて塗布ノズル３０を電極１３の延在方向に相対的に移動させ、塗布ノズル３０が一定速度になるまで加速させる。次に図３（ｂ）（ｃ）に示すように、一定速度で塗布ノズル３０を相対移動させながら、塗布ノズル３０が描画開始点Ａ０に到達した時点でシャッタ３１を開き、そのまま一定の速度で修正描画を行う。また図３（ｄ）に示すように、塗布ノズル３０が描画終了点Ｂ０に到達した時点でシャッタ３１を閉じ、描画終了点Ｂ０を通過しても塗布ノズル３０を定速で相対移動させ続け、その後、塗布ノズル３０を移動終了点Ｂ１に停止させる。つまり、描画開始点Ａ０から描画終了点Ｂ０までの間を一定の速度で塗布ノズル３０を相対移動させ、均一な線幅の堆積層３２を欠陥部1３ａに形成して欠陥部１３ａを修正する。なお、シャッタ３１の開閉制御は、ＸＹステージ１０の位置情報に基づいて行なう。また、シャッタ３１に応答遅れがある場合には、その時間を考慮してシャッタ３１の開閉時期を調整するとよい。

なお、堆積層３２の線幅を一定にするためには、上述したシャッタ３１の開閉制御に加え、欠陥部１３ａを含む基板１４の一部分または基板１４全体を最適な温度に保ち、噴霧部１５のアトマイズガスの流量、減圧部１６の排気流量、ヘッド部１８のシースガスの流量、加熱部１７のヒータ２８の温度などを最適値に管理する必要がある。また、修正液２０によっては、加熱部２０を省略してもよい場合もあるし、あるいは基板１４を加熱しなくてもよい場合もある。

また、修正描画を完了した後で、欠陥部１３ａに堆積した微粒子を基板加熱部６により本焼成してもよいし、基板１４全体を後工程の炉で再焼成しても構わない。

図４（ａ）（ｂ）は、図３（ａ）〜（ｄ）で示したパターン修正方法の比較例を示す図である。図４（ａ）に示すように、描画開始点Ａ０上に塗布ノズル３０が位置する状態でシャッタ３１を開き、その後でＸＹステージ１０を駆動すると、描画開始点Ａ０における堆積層３３は線幅よりも大きな直径の円形状の打点になる。また図４（ｂ）に示すように、描画終了点Ｂ０でＸＹステージ１０を停止してからシャッタ３１を閉じても、描画終了点Ｂ０における堆積層３３は線幅よりも大きな直径の円形状の打点になる。この堆積層３３を一定の線幅に修正するためには、線幅からはみ出た部分をカット用レーザ部４などで除去する工程が必要となる。

ここで、線幅からはみ出た余分な部分を除去する方法について説明しておく。図５は、観察光学系２およびカット用レーザ部４の構成を示す図である。図５において、レーザ部４の直下にある可変スリット４０はレーザ加工形状を形成するためのものであって、結像レンズ４１の焦点位置に設けられている。結像レンズ４１の下方にはハーフミラー４２，４３が設けられ、さらにその下には対物レンズ４４が設けられている。倍率が異なる複数の対物レンズ４４と、それらのうちの所望の倍率の対物レンズ４４を選択するレボルバを設けてもよい。可変スリット４０の開口部の形状が対物レンズ４４の倍率の割合で縮小されて加工形状となる。なお、落射光源４５の出射光がハーフミラー４３を介して欠陥部１３ａなどに照射され、ハーフミラー４２を介して欠陥部１３ａなどの画像がＣＣＤカメラ４６によって撮像され、図１のモニタ３に映し出される。

このような可変スリット４０とレーザ部４とを含むレーザ加工手段により、図４に示した描画開始点Ａ０および描画終了点Ｂ０における修正線幅よりも大きく膨らんだ打点を整形することができる。たとえば、図６に示すように、描画開始点Ａ０の打点と描画終了点Ｂ０の打点の余分な部分を含む範囲をレーザカットできるように可変スリット４０を調整して加工エリア４７ａ〜４７ｄを設定し、その４箇所を順次レーザカットすれば線幅の均一化が可能となる。また図７に示すように、欠陥部１３ａに堆積層３２を形成していく過程で堆積層３２の両側に微粒子の飛散物４８が点在したり、ささくれ状の側面形状になる場合が仮にあったとしても、同様にレーザカットを行うことで飛散物４８の除去したり、堆積層３２の側面を整形することができる。

なお、この実施の形態では、ＸＹステージ１０により基板１４を移動させて堆積層を描画したが、基板１４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層を描画してもよい。

また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。

また、上述の例では、基板加熱部６によって基板１４または欠陥部１３ａ近傍をたとえば１７０℃程度に加熱しながら、霧粒子中に含まれる溶媒を気化して微粒子のみを基板１４上に残るようにしたが、基板１４を加熱することなく常温でも修正することも可能である。この場合、描画線が太くなる傾向はあるが、溶媒が蒸発するときに霧粒子が弾けないので、加熱した時と比べて飛散物は少なくなる。

具体的には、金属ペースト、たとえば銀ナノペーストを使って電極描画を行う場合、霧粒子の量を減らして収束噴射すれば、基板１４を加熱しなくても、金属ペーストの粘性により飛散は低減され、常温でも１０μｍ程度の微細線の描画が可能となる。この場合には、欠陥部１３ａに銀ナノペーストからなる修正液２０が塗布された後、基板加熱部６あるいは炉によって修正液２０が焼成されて電極１３が導通状態となる。

［実施の形態２］
図８は、この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の要部を示す図である。実施の形態１ではシャッタ３１とＸＹステージ１０の制御により欠陥部1３ａを修正したが、この実施の形態２では欠陥部１３ａのみに微粒子が付着するようにシャッタ３１の代わりにスリット５０を欠陥部１３ａに対峙して設ける。スリット５０の開口部の長さＬｓは、欠陥部１３ａの長さＬｄの範囲に微粒子が付着堆積する範囲に予め設定される。スリット５０は、電動機構（図示せず）により開口部の長さＬｓを任意に変えることが可能な可変スリットである。また、スリット５０は、微粒子堆積装置５とは異なる部位に固定されている。微粒子堆積装置５と基板加熱部６を搭載するために別途設けたステージ５１を左右方向に、しかも、スリット５０の開口部の長さＬｓ以上に移動させて、欠陥部１３ａのみに微粒子を堆積させて欠陥部１３ａを修正する。この例では、ステージ５１を左右方向に移動させたが、欠陥部１３ａが奥行き方向に長ければ、ステージ５１を奥行き方向（前後方向）に移動するものにしてもよいし、あるいは前後左右に移動可能なものにしてもよい。

また、この例ではステージ５１の移動により微粒子の堆積による描画線を形成しているが、スリット５０と欠陥部１３ａの位置が固定されて相対的ずれがない場合には、微粒子堆積装置５および基板加熱部６を固定した状態でＸＹステージ１０を移動するようにしてもよい。なお、図８ではシャッタ３１を省略してあるが、シャッタ３１があっても構わない。

図９および図１０は、プラズマディスプレイの背面ガラス基板５２上に形成されるリブ５３の一部が欠損したリブ欠け欠陥部５３ａの修正方法を示す図である。リブ欠け欠陥部５３ａのように修正材料の微粒子を厚く堆積する必要がある場合は、微粒子堆積装置５および基板加熱部６を搭載したステージ５１を左右に複数回揺動させて複数の堆積層を積層する。図１０はリブ欠け欠陥部５３ａを修復した例であり、図９の矢視Ｚ方向から見た図に相当する。スリット５０の開口部の長さＬｓをリブ欠け欠陥部５３ａの長さＬｄに合わせ、ステージ５１を駆動してスリット５０の開口部の長さよりも大きな幅で塗布ノズル３０を左右に往復動させる。窪んだリブ欠け欠陥部５３ａには塗布ノズル３０が通過するごとに微粒子の堆積層が形成され、ｎ層の堆積層５４＿１〜５４＿ｎによってリブ欠け欠陥部５３ａが修正される。

図１０では基板加熱部６を省略して記載しているが、微粒子を欠陥部３７ａに描画塗布する際には基板加熱部６で加熱乾燥が行われており、堆積層５４＿１〜５４＿ｎを積層しても崩れることはない。そのため、積層後のリブ形状を再整形する過程または機構を省略することも可能である。また、１回の堆積膜厚は、修正材料にもよるが１μｍ前後であり、修正部の高さを測定器で測定しながら堆積させれば、修正部のトップ面をリブ５２とほぼ同じ高さにすることができるので、スキージ機構を省略することも可能である。

また、積層終了後、修正部を基板加熱部６で本焼成してもよいし、背面ガラス基板５２ごと後工程の炉で再焼成しても構わない。

なお、図１０に示すように、スリット５０の上面には微粒子の堆積物５５が溜まるので、堆積物５５が背面ガラス基板５２などの上に落下しないようにスリット５０の縁に反し５０ａ，５０ｂを設けている。また、スリット５０の上面に排気管５６を設けて、スリット５０の上面の堆積物５５を吸引除去している。また、スリット５０を洗浄する洗浄機構を設けてもよい。

図１１は、この実施の形態２のパターン修正装置の全体構成を示す図である。図１１において、ＸＹステージ１０のベース６０上には門柱６１が配置され、その門柱６１にはＺステージ１２が固定され、そのＺステージ１２には観察系、落射照明、可変スリットからなる観察光学系２と、カット用レーザ部４と、高さ測定器６２が搭載されている。また、Ｚステージ１２には、微粒子堆積装置５と基板加熱部６を搭載したステージ５１も搭載されている。上述したスリット５０は、たとえばＺステージ１２に支持される。

［実施の形態３］
図１２は、この発明の実施の形態３によるパターン修正方法を示す図である。図１２を参照して、このパターン修正方法が図８〜図１１で示したパターン修正方法と異なる点は、スリット５０の代わりにフィルム６５を使用する点である。フィルム６５として、たとえば薄膜のポリイミドフィルムを用いる。フィルム貼付機構（図示せず）によって欠陥部（たとえば１３ａ）を含む範囲にフィルム６５を貼り付けた後、欠陥部１３ａの大きさに合わせて図５の可変スリット４０を変化させ、レーザ部４によって欠陥部１３ａと同位置上のフィルム６５に欠陥部１３ａと同形状の孔６５ａを開ける。レーザ部４としては、ＹＡＧ第２高調波や第３、第４高調波、あるいはこれらの選択が可能なタイプを用いることができる。なお、レーザ部４としてはこれら以外にも使用できるものがあり、ここに示したレーザに限定されない。

レーザ加工後、図１２に示すように欠陥部１３ａを塗布ノズル３０の直下に移動させ、孔６５ａの開いたフィルム６５をマスクとして塗布ノズル３０から修正液２０の霧粒子を吐出して、欠陥部１３ａ上に修正材料の微粒子を堆積させる。このとき、欠陥部１３ａよりも広い範囲に渡って塗布ノズル３０を左右に移動させることで堆積が行われ、堆積中には基板加熱部６により加熱が行われている。これにより図１３（ａ）に示すように、欠陥部１３ａと孔６５ａの周囲のフィルム６５上に微粒子の堆積層６６が形成される。その後、図１３（ｂ）に示すように、フィルム６５を剥がせば、欠陥部１３ａのみに堆積層６６が残り、他の部分への微粒子の付着もなく修正が完了する。

このように、孔６５ａの開いたフィルム６５をマスクとして堆積層６６を形成することにより、塗布ノズル３０から噴出される修正液２０の霧粒子の収束径よりも細い線幅の堆積層６６を形成することも可能となり、１０μｍ以下の線幅のパターン修復も可能となる。

なお、この実施の形態３では、欠陥部１３ａと同形状の孔６５ａをフィルム６５に開けたが、たとえばガラス基板上に形成された着色部に複雑な形状の白抜け欠陥部が存在する場合は、白抜け欠陥よりも大きな所定形状（円形、四角形など）の範囲でフィルム６５と着色部をレーザ光で除去してもよい。これにより、白抜け欠陥部が複雑な形状の場合でも、フィルム６５に孔を容易に開けることができる。

［実施の形態４］
実施の形態１のパターン修正装置では、堆積層の描画を開始する前から予め霧粒子を塗布ノズル３０から噴射しておき、欠陥部のみに微粒子が堆積描画されるようにシャッタ３１を開閉制御したが、時間が経過するとシャッタ３１の上面部に溜まる微粒子が増していき、そこから溢れた場合には基板が汚染される。

そこで、この実施の形態４では、図１４に示すように排気管７０を設ける。排気管７０の吸引口は、シャッタ３１の上部で、かつ塗布ノズル３０先端の噴出口の横側近傍に配置される。排気管７０に接続された排気ポンプ（図示せず）は、堆積層の描画が行なわれないときは、塗布ノズル３０から噴射される霧粒子を排気管７０を介して吸引し排気する。これにより、シャッタ３１の上面部に微粒子が溜まることを抑制することができ、シャッタ３１から微粒子が溢れて基板が汚染されることを防止することができる。

また、修正液２０中の溶媒が気化した気体も吸引されるので、溶媒が固有の異臭を放つ場合でも異臭の低減化を図ることができる。したがって、局所排気装置がある場所にパターン修正装置を置く必要も無く、装置設置に対する設備投資を削減することができる。

なお、図１５に示すように、シャッタ３１を省略して排気管７０のみを塗布ノズル３１の先端側面に配置してもよい。排気管７０の排気能力を高めればシャッタ３１を省略することが可能となる。霧粒子を基板１４上の欠陥部１３ａに噴射する際には、排気管７０の排気を停止するか弱める。この場合は、シャッタ３１およびその駆動機構を省略することができ、装置構成の簡単化を図ることができる。

また図１６に示すように、排気管７０の先端下部に突出部７１を設け、その突出部７１をシャッタとして使用してもよい。この場合は、排気管７０とシャッタを一体化したため、部品の削減が可能である。

また図１７に示すように、複数の排気管７０を設けてもよい。複数の排気管７０の排気口は、塗布ノズル３０先端の周囲を囲むようにして配置される。また、塗布ノズル３０先端の周囲全体を囲む環状の排気口を有する排気管７０を設けてもよい。この場合は、噴射される霧粒子の流れの乱れを抑制し、効果的に霧粒子を吸引することができる。

また図１８に示すように、噴霧部１５に修正液２０を自動的に補充する補充容器７２および電動バルブ７３を設けてもよい。補充容器７２内には、噴霧部１５の容器１９に入っている修正液２０と同じものが充填されている。容器１９には、修正液２０の量を検出するセンサが設けられている。制御装置（図示せず）は、センサの検出結果に基づいて電動バルブ７３を開閉制御し、容器１９への修正液２０の補充を行なう。これにより、容器１９内の修正液２０の量を一定に保つことができる。したがって、修正液２０の霧粒子を安定に発生することができ、装置のメンテナンス回数の低減化を図ることができる。また、排気管７０を介して吸引した修正液を補充容器７２または容器１９に戻すことにより、修正液２０の使用効率を高めることができる。

［実施の形態５］
上記パターン修正装置では、塗布ノズル３０の内径は１００μｍから２００μｍ程度であり、塗布ノズル３０内で修正液２０の霧粒子の流れをシースガスで包み込み、塗布ノズル３０の内径よりも細く収束して噴出する。したがって、塗布ノズル３０の内周面はシースガスの膜で覆われるので、塗布ノズル３０の目詰まりの発生確率はディスペンサ方式やインクジェット方式よりも低い。しかし、微粒子堆積装置５の連続稼動時間あるいは停止時間が長い場合には、塗布ノズル３０の内周面に微粒子が堆積して塗布ノズル３０の内径が細くなり、ひいては塗布ノズル３０の目詰まりが発生する場合がある。また、減圧部１６、加熱部１７、ヘッド部１８内に修正液２０が付着し、塗布形状の劣化を招く場合がある。そこで、この実施の形態５では、噴霧部１５の後段の減圧部１６、加熱部１７およびヘッド部１８の洗浄を行う洗浄機構が追加される。この洗浄機構を用いて定期的に洗浄を行なうことにより、装置動作の安定化を図ることができる。

図１９は、洗浄機構の構成を示す図である。図１９において、アトマイズガス供給用の配管に開閉バルブ８０が設けられ、噴霧部１５と減圧部１６の間の配管に開閉バルブ８１が設けられる。また、開閉バルブ８１と減圧部１６の間の配管から分岐する配管が設けられ、その配管に洗浄ガスを選択的に流すための開閉バルブ８２が設けられる。また、減圧部１６の排気管２４に開閉バルブ８３が設けられ、シースガス供給用の配管に開閉バルブ８４が設けられる。

開閉バルブ８０，８１を閉じて修正液２０の霧粒子が減圧部１６以降に入らないようにし、さらに開閉バルブ８３，８４を閉じる。この状態で開閉バルブ８２を開けると、洗浄ガスが減圧部１６以降に流れ、塗布ノズル３０の先端から洗浄ガスが噴出される。これにより、塗布ノズル３０内に残った修正液２０が除去され、塗布ノズル３０の目詰まりが防止される。洗浄ガスは、窒素ガスでもよいし、圧縮空気でもよい。また、洗浄ガスの代わりに、アルコール系溶液、修正液２０の溶媒などの洗浄液を流してもよい。洗浄液を流した後に洗浄ガスを流せば、微粒子堆積装置５内に洗浄液が残るのを防止することができる。

また、上述のような洗浄を行う場合、基板やパターン修正装置を設置しているクリーンルームを洗浄ガスなどで汚染する場合があるので、ダクト８５の上面に設けた吸引孔８６に塗布ノズル３０を挿入した後で洗浄を行なう。洗浄ガスが吸引孔８６と塗布ノズル３０との隙間から漏れないようにＯリングのようなシール部材８７が設けられている。ダクト８５の下流側にはフィルタ８８が設けられている。減圧部１６以降に溜まっていた微粒子などの汚れはフィルタ８８で除去され、フィルタ８８を通過した洗浄ガスあるいは洗浄液は工場内にある排気ダクトあるいは廃液排出ダクトに排出される。なお、洗浄液を用いる場合は、フィルタ８８で濾過した廃液を貯蔵するタンクを設けてもよい。

また、開閉バルブ８０〜８３を閉じるとともに開閉バルブ８４を開け、シースガスの圧力を通常よりも高めて塗布ノズル３０の洗浄を行ってもよい。また、図２０に示すように、開閉バルブ８４とヘッド部１８の間の配管から分岐する配管を設け、その配管に洗浄ガスを選択的に流すための開閉バルブ９０を設けてもよい。また、排気管２４から分岐する配管を設け、その配管に洗浄ガスを選択的に流すための開閉バルブ９１を設けてもよい。この場合は、図１９で説明した開閉バルブ８２を省略してもよい。

［実施の形態６］
たとえば、液晶パネルのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）パネルの電極修正では１０μｍ以下のパターン形成が必要となる。また、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が２０μｍを切っており、これらを修正する要求が高まっている。この実施の形態６では、フィルム１００をマスクとして微細なパターンの欠陥を修正する方法について説明する。

図２１（ａ）〜（ｆ）は、この発明の実施の形態６によるパターン修正方法を示す図である。図２１（ａ）〜（ｆ）では、基板１４上に形成された電極１３のオープン欠陥部１３ａを修正する方法について説明する。

まず図２１（ａ）に示すように、カット用レーザ部４のレーザ光を観察光学系２を介して欠陥部1３ａに照射し、欠陥部１３ａを修正し易いようにレーザ加工により整形する。ただし、欠陥部１３ａにレーザ光を照射した際、欠陥部１３ａおよび、その周辺部にダメージを与え易い基板１４の場合や、欠陥部１３ａの整形が不要な場合は、この工程は省略される。

次に図２１（ｂ）に示すように、略Ｕ字形状に垂らしたフィルム１００を下降させ、垂らしたフィルム１００の最下端で欠陥部１３ａを覆うようにしてフィルム６５を基板１４の表面に接触させる。フィルム１００としては、薄膜フィルム、たとえば７．５μｍ程度のポリイミドフィルムを用いる。フィルム１００が１０μｍ以下の薄膜であるため、基板１４の表面にフィルム１００を接触させると、フィルム１００が吸引されるように基板１４の表面に付着する。

次いで図２１（ｃ）に示すように、フィルム１００のうちの欠陥部１３ａを覆う部分にレーザ光を照射してフィルム１００のみに孔１００ａを開ける。この孔１００ａは、欠陥部１３ａよりも一回り大きな形状とする。これは、後の工程で欠陥部1３ａの両側の正常な電極部にも修正液が塗布されるようにして、修正後における電極１３の導電性を良好にするためである。また、このときフィルム１００のみに孔１００ａが開くようにレーザパワーが比較的小さく設定されるので、欠陥部１３ａの周辺部がレーザ光によってダメージを受けることが防止される。

次に図２１（ｄ）（ｅ）に示すように、孔１００ａ上に塗布ノズル３０で修正液２０の霧を収束噴射しながら孔１００ａとノズル３０とを相対的に移動させ、孔１００ａの直下にある欠陥部１３ａに修正液２０を充填する。修正液２０としては、金属ナノ粒子を用いた銀ペースト、金ペースト、銅ペースト、パラジウムペーストやそれらを混ぜたペースト、あるいはそれらを希釈したものを用いるとよい。また、金属錯体溶液や金属コロイドを用いてもよい。これらの溶媒は、金属ナノペーストの場合にはテルピネオール、デカノール、テトラデカン、また、コロイド溶液の場合は水または水溶性溶媒（たとえば、アルコール系、グリコールエーテル系）が用いられる。

なお、塗布ノズル３０の先端は基板１４表面から５ｍｍ程度離間した位置に配置され、塗布ノズル３０の先端から霧粒子を含む流体が収束されて噴射されるが、霧粒子の流体は収束しており圧力が高いので、流体が欠陥部１３ａに衝突した際に、フィルム１００と基板１４の隙間に霧粒子が侵入する場合がある。この場合には、塗布ノズル３０の先端と基板１４表面との距離をもっと広げて流体の衝突圧を低減するようにしてもよい。また、修正液２０の霧を孔１００ａの幅とほぼ同じか、それより多少大きめに収束すれば、欠陥部１３ａに付着する修正液２０を微量にできるので、フィルム１００と基板１４との隙間に修正液２０が侵入し難くなり、正常な電極部が修正液２０で汚染されることを防止することができる。

必要に応じて欠陥部１３ａに充填した修正液２０を加熱または光照射によって固めてから、図２１（ｆ）に示すようにフィルム１００を除去すれば、欠陥部１３ａから修正液２０が漏れることなくパターン修正が完了する。なお、フィルム１００を基板１４から剥離後、基板加熱部６を用いて欠陥部１３ａを本焼成してもよいし、炉による焼成を行ってもよい。

なお、この実施の形態６では、修正液２０を欠陥部１３ａに充填する手段として微粒子堆積装置５を用いたが、充填手段はこれに限定されるものでなく、たとえば、図２２（ａ）に示すように塗布針１０１を用いて修正液２０を孔１００ａの上から欠陥部１３ａに塗布してもよいし、図２２（ｂ）に示すように、マイクロディスペンサ１０２を用いて修正液２０を孔１００ａの上から欠陥部１３ａに塗布してもよい。また、インクジェットのようにノズルから修正液２０の液滴を飛ばす方法であってもよい。フィルム１００と基板１４との隙間に修正液２０が毛細管現象で侵入するのを防止するため、塗布する修正液２０は微量の方が好ましい。そのためには、先端部をテーパ状に先細り形状にし、先端に平坦面を設けた塗布針１０１で微小量の修正液２０を欠陥部1３ａの中心に塗布するか、修正液２０を霧にして、ノズル３０から収束噴射して孔１００ａの幅と略同じか、それよりも少し大きな幅で塗布するのが最適である。あるいは、フィルム１００の基板１４に接する側を低粘着化処理して基板１４との密着性を高めれば、フィルム１００と基板１４との隙間に修正液２０が毛細管現象で侵入するのを抑制することができる。

また、液晶カラーフィルタの着色層が抜けた白欠陥部、異物が付着した異物欠陥部、あるいは隣接する着色層が混色した混色欠陥部に対しても上述のパターン修正方法を適用することが可能である。異物欠陥部および混色欠陥部を修正する場合は、図２１（ａ）の工程で異物欠陥部および混色欠陥部にレーザ光を照射して白欠陥部に変換した後、図２１（ｂ）〜（ｅ）の工程を実行する。これにより図２３（ａ）に示すように、ガラス基板１０３表面の着色層１０４の白抜欠陥部１０４ａがフィルム１００で覆われ、白欠陥部１０４ａよりも大きな孔１００ａがフィルム１００に開けられ、その孔１００ａ全体を塞ぐようにして修正液２０が塗布された状態になる。修正液２０としては、着色層と同色の紫外線硬化型のカラーインクが用いられる。

この状態で、フィルム１００の上方から紫外線照射装置１０５による紫外線照射を行って修正液２０を硬化させ、その後に図２３（ｂ）に示すように、フィルム１００を基板１０３から剥離する。このように、修正液２０を欠陥部１０4ａに塗布した直後に紫外線照射による硬化処理を行うことにより、修正液２０が基板１０３とフィルム１００の隙間に侵入することを防止することができる。

なお、図２３（ａ）では修正液２０を塗布した欠陥部１０４ａに紫外線を紫外線照射装置１０５から直接照射した例を示したが、紫外線照射装置１０５から観察光学系２の経路に紫外線を導き、対物レンズ４４から紫外線を照射してもよいし、基板１０３の下方から紫外線を照射してもよい。また、修正液２０として熱硬化型のインクを使用し、基板加熱部６によって熱硬化処理を行なってもよい。

また、液晶カラーフィルタの白欠陥部１０４ａを修正する場合には、図２４に示すように、白欠陥部１０４ａと略同じ大きさの孔１００ａをフィルム１００に開けてもよい。この場合は、着色層の膜厚むらによる光透過率のむらの発生が防止される。また、孔１００ａの下に着色層は無いので、レーザ光による着色層のダメージを低減できる。

図２５は、図２１（ａ）〜（ｆ）で示したパターン修正方法を実施するためのパターン修正装置の構成を示す図である。図２５において、このパターン修正装置では、ＸＹステージは、Ｘステージ１０６とＹステージ１０７とが分離して独立して移動するガントリー構造であり、基板１４はチャック部１１に固定される。また、Ｙステージ１０７と平行に移動可能な副Ｙステージ１０８がＹステージ１０７に固定され、副Ｙステージ１０８上には上下方向に進退可能な副Ｚステージ１０９が搭載される。副Ｚステージ１０９には、フィルム１００が巻回されたフィルム供給リール１１０と、フィルム１００を巻き取る巻き取りリール１１１とが基板１４を挟んで左右に配置される。フィルム１００は、欠陥部１３ａ近傍を覆う程度の幅があれば良く、たとえば１０ｍｍ前後のものを使用する。

副Ｙステージ１０８や副Ｚステージ１０９は、欠陥部１３ａにフィルム１００を接触して付着させることが可能なように、欠陥部１３ａの位置に追従させるものであって、粗い分解能で十分であり、精度は要求されない。たとえば、エアシリンダの使用も考えられる。また、基板１４の出し入れ時にフィルム１００が干渉しないように、フィルム１００を退避させる役目を持つ。また、副Ｙステージ１０８は、観察光学系２の直下にフィルム１００を移動させたり、観察光学系２からフィルム１００を遠ざける役目を持ち、その移動距離は短いもので十分である。

欠陥部１３ａにフィルム１００を接触および付着させる場合、まず図示しないモータによってリール１１０，１１１を駆動させ、フィルム１００が基板１４に触れない程度にフィルム１００をＵ字形状に垂らす。その状態で、副Ｚステージ１０９を下降させると、フィルム１００が薄くて基板１４にならう性質があるので、フィルム１００は欠陥部１３ａを含む範囲で基板１４の表面に接触して付着する。図２５では、フィルム１００は横方向一面で基板１４上に接触して付着している状態が示されている。フィルム１００が基板１４に接触して付着すれば、図２１（ｂ）〜（ｅ）に示したように欠陥部１３ａの修正を行なうことができる。フィルム１００を欠陥部１３ａから剥がす場合は、副Ｚステージ１０９を上昇させればよい。

なお、図２６に示すように、Ｙステージ１０７と平行に移動可能な副Ｙステージ１０９をベース上に配置してもよい。この場合、副Ｙステージ１０９の移動範囲はＹステージ１０７と同程度になる。

図２７は図２１（ａ）〜（ｆ）で示したパターン修正方法を実施するための他のパターン修正装置の構成を示す図であり、図２８は図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線断面図である。図２７および図２８において、このパターン修正装置では、観察光学系２を中心としてその前後にフィルム供給リール１１０と巻き取りリール１１１が配置される。リール１１０，１１１は固定板１１３に支持され、固定板１１３は、たとえばＺステージ１２に固定支持される。Ｚステージ１２とは独立して上下に進退可能な副Ｚステージ（図示せず）を介して固定板１１３をＺステージ１２に固定してもよい。

また、固定板１１３は、基板１４に対して平行に相対移動可能な移動ステージ（図示せず）を持つ。移動ステージを駆動することで、観察光学系２の直下にフィルム１００が配置されたり、観察光学系２から外れた位置にフィルム１００が配置される。欠陥部１３ａのみをレーザ光で加工したり、対物レンズ４４で欠陥部１３ａを観察する場合には、観察光学系２の直下からフィルム１００が外れるように移動ステージを駆動する。フィルム１００は、図２５の装置と同様に、図示しないモータの駆動によりＵ字形状に垂らされ、Ｚステージ１２の下降により、または固定板１１３を独立して上下動させる副Ｚステージ(図示せず)の下降により、欠陥部１３ａに接触して付着する。なお、図２７および図２８では、修正液２０の塗布機構が、塗布針１０１を用いた塗布機構部１１２として記載されている。

図２５〜図２８で示したように、フィルム１００は、Ｕ字形状に垂れた状態で基板１４表面に接触しているので、フィルム１００が欠陥部１３ａを覆うように基板１４に接触した状態でＸステージ１０６およびＹステージ１０７が微小距離（１ｍｍ程度）だけ移動してもフィルム１００のＵ字形状の部分がクッションになって、フィルム１００が欠陥部１３ａから剥がれることはない。そのため、レーザカットによりフィルム１００に孔１００ａを開ける場合、その孔１００ａが大きくて、観察光学系２およびレーザ部４の位置をずらしながらレーザ除去加工する場合であっても問題なく孔１００ａを開けることができる。

そのような例を図２９（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図２９（ａ）に示すように、液晶カラーフィルタでは、ガラス基板１０３の表面にＲ，Ｇ，Ｂの着色層１０４が行列状に配置され、その周りをブラックマトリックス１１４が囲んでいる。ブラックマトリックス１１４には、複数（図では３つ）の着色層１０４に亘る白欠陥部１１４ａが発生している。このような長い白欠陥部１１４ａをフィルム１００で覆い、フィルム１００の白欠陥部1１４ａに対応する部分にレーザ光を照射して孔１００ａを開ける場合、１回のレーザ照射で孔１００ａを開けることができず、観察光学系２およびレーザ部４の位置をずらせてレーザ光照射を複数回行なう必要がある。図２９（ｂ）の例では、白欠陥１１４ａを３区間１１５〜１１７に分け、各区間毎にＸステージ１０６（場合によってはＹステージ１０７も移動）を移動させて観察光学系２およびレーザ部４の位置をずらしてレーザ光照射を行なう。このようにステージ１０６，１０７を移動させる場合でも、フィルム１００のＵ字形状の部分がクッションになって、フィルム１００が白欠陥部１１４ａから剥がれることはない。

なお、この実施の形態６では、基板１４の上にフィルム１００を重ねてフィルム１００に孔１００ａを開けたが、予め基板１４から外れた位置でフィルム１００に孔１００ａを開け、その孔１００ａを欠陥部１３ａに位置合わせすれば、欠陥部１３ａにレーザ光が照射されないので欠陥部１３ａの周辺部にダメージが生じることがない。この場合、フィルム１００の孔１００ａと欠陥部１３ａの位置合せは手動で行ってもよいし、画像処理部７を用いて自動的に行ってもよい。

［実施の形態７］
図３０は、この発明の実施の形態７によるパターン修正装置の構成および使用方法を示す図である。パターン修正装置の構成は、図２５で示した実施の形態６のパターン修正装置と同じである。実施の形態６と異なる点は、フィルム１００が基板１４と一定の隙間を持って対峙していることである。隙間は、たとえば０．５ｍｍから１ｍｍ程度に設定される。この点を除けば、修正工程も同じである。フィルム１００は一定の張力で張った状態にある。

フィルム１００に孔１００ａを開ける場合、図３０に示すようにフィルム１００と基板１４の間に隙間を持った状態でレーザ加工してもよいし、フィルム１００を張った状態で基板１４にフィルム１００を接触させて孔１００ａを開け、その後、副Ｚテーブル１０９を上昇して隙間を設けてもよい。フィルム１００を基板１４に対して隙間を持って対峙させた状態で、欠陥部１３ａ上方にあるフィルム１００の上面にレーザ光の焦点を合わせて孔１００ａを開ければ、欠陥部１３ａに照射されるレーザ光はデフォーカスになり、欠陥部１３ａの周辺部に対するレーザ光の影響を最小限に留めることができる。

図３１（ａ）〜（ｄ）は、この方法で欠陥部１３ａを修正する工程を示す図である。まず図３１（ａ）に示すように、フィルム１００が基板１４と一定の隙間を持って対峙した状態で、欠陥部１３ａの上方に位置するフィルム１００に欠陥形状に合わせてレーザ光を照射し、孔１００ａを開ける。

次に図３１（ｂ）（ｃ）に示すように、塗布ノズル３０を孔１００ａの一方側から他方側まで横切るように移動させながら塗布ノズル３０から霧状の修正液２０を噴射させる。これにより、余分な修正液２０はフィルム１００上に残り、欠陥部１３ａのみに霧粒子内の微粒子が堆積する。このとき、基板１４とフィルム１００との隙間を広くしたので、その隙間に修正液２０が侵入することを防止することができ、基板１４および電極１３の正常な部分が修正液２０によって汚染されるのを防止することができる。次いで図３１（ｄ）に示すように、フィルム１００を欠陥部１３ａから退避させ、欠陥部１３ａに堆積した堆積層３３を加熱または光学手段により固めればパターン修正が完了する。

図３２は、この実施の形態７の変更例を示す図である。図３２において、この変更例では、図３１（ａ）で示したフィルム１００に孔１００ａを開ける際に、基板１４との隙間にレーザ光を遮蔽するための遮蔽板１１８が挿入される。これにより、レーザ光が直接欠陥部１３ａに照射されることが防止され、欠陥部１３ａおよび、その周辺部がレーザ光によるダメージを受けることを防止することができる。なお、遮蔽板１１８は、図示しない支持装置によってフィルム１００に対して平行に移動可能に支持される。支持装置は、たとえばＺステージ１２に固定される。

また、図３２で示した方法によってフィルム１００に孔１００ａが開けた後は、図３１（ａ）〜（ｄ）で示した方法で修正液２０を堆積させてもよいし、図３３に示すように、副Ｚステージ１０９を下降させて、基板１４にフィルム１００を接触させる、あるいは隙間を狭めるようにしてもよい。このとき、欠陥部１３ａと孔１００ａの位置が合わない場合には、フィルム供給リール１１０や巻き取りリール１１１を制御してフィルム１００の左右方向の位置の微調整を行なうとともに、副Ｙステージ１０８を制御してフィルム１００の前後方向の位置の微調整を行なうようにしてもよい。この機能を使うためには、それにあった分解能を副Ｙステージ１０８や、フィルム供給リール１１０と巻き取りリール１１１に備えればよい。なお、フィルム１００と基板１４の位置の微調整方法は、ここに示した方法に限定されるものではない。

図３４および図３５は、この実施の形態７のさらに他の変更例を示す図である。図３４および図３５において、このパターン修正装置が図２８のパターン修正装置と異なる点は、供給リール１１０と巻き取りリール１１１の間においてフィルム１００を基板１４に対して略平行に張り渡すための２本のローラ１２０，１２１が設けられている点である。ローラ１２０，１２１は、フィルム供給リール１１０や巻き取りリール１１１を固定支持する固定板１１３に、図示しない弾性部材を介して回転自在に支持される。Ｚステージ１２にはＸ方向、またはＸＹ方向に微動可能な微動ステージ１２２が設けられ、微動ステージ１２２には副Ｚステージ１２３が設けられ、固定板１１３は副Ｚステージ１２３に固定される。なお、微動ステージ１２２および副Ｚステージ１２３は省略可能である。

次に、このパターン修正装置の使用方法について説明する。まず図３４に示すように、基板１４との間に隙間を開けてフィルム１００を配置し、フィルム１００にレーザ光の焦点を合わせて欠陥部１３ａの形状と略同じかそれよりも大きく孔１００ａを開ける。次いで図３５に示すように、Ｚステージ１２または副Ｚステージ１２３を操作して、フィルム１００が基板１４に接触するまで固定板１１３を下方に移動させる。このとき、ローラ１２０，１２１がフィルム１００を介して基板１４に接触する場合があるが、ローラ１２０，１２１と固定板１１３の間に弾性部材を設けているので、ローラ１２０，１２１は上方に退避する。したがって、ローラ１２０，１２１が基板１４に一定以上の力で押し付けられることはない。

観察光学系２で欠陥部１３ａを観察した状態で、たとえば、修正液２０を先端に付着した塗布針１０１を観察光学系２の直下に挿入して孔１００ａ上に修正液２０を塗布する。観察光学系２の対物レンズは通常レボルバによって回転可能なため、対物レンズの作動距離（対物レンズ先端から焦点位置までの距離）が短くて、塗布針１０１が挿入できない場合は、レボルバを回転させて作動距離の長い対物レンズに変更してもよい。一般的に低倍率の方が作動距離は長くなり、１０倍の対物レンズの場合の作動距離は約３０ｍｍあり、塗布針１０１等の塗布機構を十分挿入できる。孔１００ａを含む範囲に修正液２０を塗布した後、図示しない光学手段により修正液２０の硬化処理が行われ、その後、固定板１１３を上方に移動すれば、欠陥修正が完了する。

なお、この実施の形態７では、基板１４の上方でフィルム１００に孔１００ａを開けたが、予め基板１４から外れた位置でフィルム１００に孔１００ａを開け、その孔１００ａを欠陥部１３ａに位置合わせすれば、欠陥部１３ａにレーザ光が照射されないので欠陥部１３ａの周辺部にダメージが生じることがない。この場合、フィルム１００の孔１００ａと欠陥部１３ａの位置合せは手動で行ってもよいし、画像処理部７を用いて自動的に行ってもよい。

［実施の形態８］
図３６（ａ）〜（ｃ）は、この発明の実施の形態８によるパターン修正方法を示す図である。図３６（ａ）〜（ｃ）において、このパターン修正方法では、予め、電極１３の欠陥部１３ａよりも十分に長い孔１００ａがフィルム１００に開けられている。フィルム１００の孔１００ａの中央部は、欠陥部１３ａと同じ方向に向けて欠陥部１３ａの上方に位置決めされる。このとき、基板１４とフィルム１００とは一定の隙間を持って対峙している。この状態で、修正が必要な範囲に霧状の修正液２０がフィルム１００の孔１００ａ越しに噴射され、欠陥部１３ａに堆積層３３が形成される。また、余分な修正液２０はフィルム１００の表面に堆積層３３として残る。フィルム１００を退避させた後、基板加熱部６によって堆積層３３を加熱して修正が完了する。

図３７（ａ）〜（ｃ）は、この実施の形態８の変更例を示す図である。図３７（ａ）〜（ｃ）において、この変更例では、２枚のフィルム１００が同一平面上に一定の隙間１２４を開けて配置され、その隙間１２４が欠陥部１３ａと同じ方向に向けて欠陥部１３ａの上方に位置決めされる。このとき、基板１４と各フィルム１００とは一定の隙間を持って対峙している。この状態で、修正が必要な範囲に霧状の修正液２０が２枚のフィルム１００の隙間１２４越しに噴射され、欠陥部１３ａに堆積層３３が形成される。また、余分な修正液２０は２枚のフィルム１００の表面に堆積層３３として残る。２枚のフィルム１００を退避させた後、基板加熱部６によって堆積層３３を加熱して修正が完了する。

なお、図３６（ａ）〜（ｃ）および図３７（ａ）〜（ｃ）で示したパターン修正方法では、フィルム１００が基板１４に対して隙間を持って対峙しているが、フィルム１００を基板１４に接触させてもよい。また、フィルム１００の材質を金属の薄膜に変えてもよい。金属薄膜を用いる場合、１回修正に使った後、図示しない洗浄装置によって付着した修正液２０を除去して再利用することも可能である。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

この発明の実施の形態１によるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。図１および図２に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。図３に示したパターン修正方法の比較例を示す図である。図１に示した観察光学系およびカット用レーザ装置の構成を示す図である。図５に示した観察光学系およびカット用レーザ装置の使用方法を示す図である。図５に示した観察光学系およびカット用レーザ装置の使用方法を示す他の図である。この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の要部を示す図である。図８に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。図８に示したパターン修正装置の使用方法を示す他の図である。図８〜図１０で示したパターン修正装置の全体構成を示す図である。この発明の実施の形態３によるパターン修正装置の要部を示す図である。図１２に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。この発明の実施の形態４によるパターン修正装置の要部を示す図である。実施の形態４の変更例を示す図である。実施の形態４の他の変更例を示す図である。実施の形態４のさらに他の変更例を示す図である。実施の形態４のさらに他の変更例を示す図である。この発明の実施の形態５によるパターン修正装置の要部を示す図である。実施の形態５の変更例を示す図である。この発明の実施の形態６によるパターン修正方法を示す図である。実施の形態６の変更例を示す図である。実施の形態６の他の変更例を示す図である。実施の形態６のさらに他の変更例を示す図である。図２１に示したパターン修正方法を実施するためのパターン修正装置の構成を示す図である。図２１に示したパターン修正方法を実施するための他のパターン修正装置の構成を示す図である。図２１に示したパターン修正方法を実施するためのさらに他のパターン修正装置の構成を示す図である。図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線断面図である。図２７および図２８に示したパターン修正装置を使用したパターン修正方法を示す図である。この発明の実施の形態７によるパターン修正装置の構成を示す図である。図３０に示したパターン修正装置を用いたパターン修正方法を示す図である。実施の形態７の変更例を示す図である。実施の形態７の他の変更例を示す図である。実施の形態７のさらに他の変更例を示す図である。図３４に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。この発明の実施の形態８によるパターン修正方法を示す図である。実施の形態８の変更例を示す図である。

符号の説明

１パターン修正装置、２観察光学系、３モニタ、４カット用レーザ部、５微粒子堆積装置、６基板加熱部、７画像処理部、８ホストコンピュータ、９制御用コンピュータ、１０ＸＹステージ、１１チャック部、１２Ｚステージ、１３電極、１３ａオープン欠陥部、１４基板、１５噴霧部、１６減圧部、１７加熱部、１８ヘッド部、１９容器、２０修正液、２１噴霧ノズル、２１ａ噴出口、２１ｂ吸入口、２２ノズル部、２３集気部、２４排気管、２５外管、２６隙間、２７パイプ、２８ヒータ、２９温度センサ、３０塗布ノズル、３１シャッタ、３２，３３堆積層、４０可変スリット、４１結像レンズ、４２，４３ハーフミラー、４４対物レンズ、４５落射光源、４６ＣＣＤカメラ、４７ａ〜４７ｄ加工エリア、４８飛散物、５０スリット、５１ステージ、５２背面ガラス基板、５３リブ、５３ａリブ欠け欠陥部、５４＿１〜５４＿ｎ，６６堆積層、５５堆積物、５６，７０排気管、６０ベース、６１門柱、６２高さ測定器、６５，１００フィルム、６５ａ，１００ａ孔、７１突出部、７２補充容器、７３電動バルブ、８０〜８４，９０，９１開閉バルブ、８５ダクト、８６吸込孔、８７シール部材、８８フィルタ、１０１塗布針、１０２マイクロディスペンサ、１０３ガラス基板、１０４着色層、１０４ａ，１１４ａ白抜欠陥部、１０５紫外線照射装置、１０６Ｘステージ、１０７Ｙステージ、１０８副Ｙステージ、１０９副Ｚステージ、１１０フィルム供給リール、１１１巻き取りリール、１１２塗布機構部、１１３固定板、１１４ブラックマトリックス、１１５〜１１７区間、１１８遮蔽板、１２０，１２１ローラ、１２２微動ステージ、１２３副Ｚステージ、１２４隙間。

Claims

基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を前記欠陥部に噴出する塗布ノズルとを含み、前記修正液を前記欠陥部に堆積させる堆積装置と、
前記基板と前記堆積装置を相対的に移動させる移動装置とを設け、
前記移動装置を駆動して前記基板と前記堆積装置を相対的に移動させながら前記修正液を前記欠陥部に堆積させることを特徴とする、パターン修正方法。
前記堆積装置は、さらに、前記塗布ノズルから噴出される霧状の修正液を受けるシャッタを含み、
前記塗布ノズルが前記欠陥部に対向している期間だけ前記シャッタを開けることを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。
前記移動装置を駆動して前記欠陥部の一方側の移動開始点から前記欠陥部の他方側の移動終了点まで前記塗布ノズルを移動させながら、前記塗布ノズルが前記欠陥部の一方端の描画開始点に到達したときに前記シャッタを開き、前記塗布ノズルが前記欠陥部の他方端の描画終了点に到達したときに前記シャッタを閉じることを特徴とする、請求項２に記載のパターン修正方法。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
前記欠陥部と略同じ寸法の開口部を有し、該開口部が前記欠陥部に対向して配置されるスリットと、
修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を前記スリットの開口部を介して前記欠陥部に噴出する塗布ノズルとを含み、前記修正液を前記欠陥部に堆積させる堆積装置と、
前記基板と前記堆積装置を相対的に移動させる移動装置とを設け、
前記移動装置を駆動して前記基板と前記堆積装置を前記スリットの開口部の長さよりも長い範囲に亘って相対的に移動させ、前記修正液を前記欠陥部に堆積させることを特徴とする、パターン修正方法。
前記スリットに付着した修正液を吸引除去することを特徴とする、請求項４に記載のパターン修正方法。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
修正液を霧状にして前記欠陥部に噴出し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させる堆積装置と、
レーザ光を出射してレーザカットを行なうレーザ装置とを設け、
前記欠陥部を含む範囲を覆うようにして前記基板上にフィルムを貼り付け、
前記レーザ装置によって前記フィルムのうちの前記欠陥部を覆っている部分をレーザカットして除去し、
前記堆積装置によって前記欠陥部を含み前記フィルムからはみ出さない範囲に前記修正液を堆積させ、
前記修正液の堆積が完了した後に前記フィルムを除去することを特徴とする、パターン修正方法。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
修正液を霧状にして前記欠陥部に噴出し、前記修正液を前記欠陥部に堆積させる堆積装置と、
レーザ光を出射してレーザカットを行なうレーザ装置とを設け、
前記欠陥部を含む範囲を覆うようにして前記基板上にフィルムを貼り付け、
前記レーザ装置によって前記フィルムのうちの前記欠陥部を覆っている所定形状の部分とその下部の微細パターンをレーザカットして除去し、
前記堆積装置によって前記所定形状の部分を含み前記フィルムからはみ出さない範囲に前記修正液を堆積させ、
前記修正液の堆積が完了した後に前記フィルムを除去することを特徴とする、パターン修正方法。
前記堆積装置は霧状の修正液を所定の太さに収束して噴出し、
前記レーザ装置によって形成される前記フィルムの開口部の幅は、前記堆積装置から噴出される霧状の修正液の収束径よりも細いことを特徴とする、請求項６または請求項７に記載のパターン修正方法。
前記修正液は、微粒子分散溶液であることを特徴とする、請求項１から請求項８までのいずれかに記載のパターン修正方法。
前記修正液は、金属錯体溶液であることを特徴とする、請求項１から請求項８までのいずれかに記載のパターン修正方法。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
前記基板の表面を観察する観察光学系と、
修正液を霧状にする噴霧部と、霧状にされた修正液を噴出する塗布ノズルとを含み、前記修正液を前記欠陥部に堆積させる堆積装置と、
前記基板と前記堆積装置を相対的に移動させる移動装置とを備えたことを特徴とする、パターン修正装置。
前記堆積装置は、さらに、噴出された霧状の修正液のうちの少なくとも一部を吸引する排気管を含むことを特徴とする、請求項１１に記載のパターン修正装置。
前記堆積装置は、さらに、待機時に前記塗布ノズルから噴出される霧状の修正液を受けるシャッタを含み、
前記排気管は、前記シャッタによって受けられた霧状の修正液を吸引し、
前記排気管と前記シャッタが一体的に形成されていることを特徴とする、請求項１２に記載のパターン修正装置。
前記堆積装置は、さらに、前記修正液を前記噴霧部に補充する補充装置を含むことを特徴とする、請求項１１から請求項１３までのいずれかに記載のパターン修正装置。
前記排気管によって吸引された修正液は、前記噴霧部または前記補充装置に戻されることを特徴とする、請求項１４に記載のパターン修正装置。
さらに、前記堆積装置のうちの少なくとも前記塗布ノズルを洗浄する洗浄装置を備えたことを特徴とする、請求項１１から請求項１５までのいずれかに記載のパターン修正装置。
前記洗浄装置は、少なくとも前記塗布ノズル内に洗浄ガスまたは洗浄液を流して洗浄する、請求項１６に記載のパターン修正装置。
前記洗浄装置は、その吸込口に前記塗布ノズルが挿入され、前記塗布ノズルから噴出される洗浄ガスまたは洗浄液を排出するダクトを含むことを特徴とする、請求項１７に記載のパターン修正装置。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
前記欠陥部を含む範囲を覆うようにフィルムを配置するステップと、
前記フィルムの前記欠陥部を覆う部分にレーザ光を照射して前記欠陥部と同じ、または前記欠陥部よりも大きな孔を前記フィルムのみに開けるステップと、
前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填するステップとを含むことを特徴とする、パターン修正方法。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
前記欠陥部と離れた別の位置で、フィルムにレーザ光を照射して前記欠陥部を修正するための孔を開けるステップと、
前記欠陥部に前記フィルムの孔を位置合せして前記欠陥部を含む範囲の上に前記フィルムを配置するステップと、
前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填するステップとを含むことを特徴とする、パターン修正方法。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
前記欠陥部との間に所定の隙間を開けて、前記欠陥部を含む範囲の上方にフィルムを配置するステップと、
前記フィルムにレーザ光の焦点を合わせて、前記フィルムの前記欠陥部に対向する部分にレーザ光を照射して前記欠陥部を修正するための孔を開けるステップと、
前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填するステップとを含むことを特徴とする、パターン修正方法。
前記レーザ光を前記フィルムに照射する際、前記基板と前記フィルムとの隙間に前記レーザ光を遮蔽する遮蔽板を挿入することを特徴とする、請求項２１に記載のパターン修正方法。
前記フィルムの孔の上方から前記欠陥部に向けて前記修正液の微細な霧を収束させて噴射することにより、前記欠陥部に前記修正液を充填することを特徴とする、請求項１９から請求項２２までのいずれかに記載のパターン修正方法。
前記修正液を硬化させるステップと、
前記フィルムを除去するステップとを含む、請求項１９から請求項２３までのいずれかに記載のパターン修正方法。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
前記欠陥部を含む範囲を覆うようにフィルムを配置するフィルム配置装置と、
前記フィルム配置装置によって配置された前記フィルムの前記欠陥部を覆う部分にレーザ光を照射して前記欠陥部と同じ、または前記欠陥部よりも大きな孔を前記フィルムのみに開けるレーザ装置と、
前記レーザ装置によって開けられた前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填する修正液充填装置とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
前記欠陥部と離れた別の位置で、フィルムにレーザ光を照射して前記欠陥部を修正するための孔を開けるレーザ装置と、
前記レーザ装置によって開けられた前記フィルムの孔を前記欠陥部に位置合せして前記欠陥部を含む範囲の上に前記フィルムを配置するフィルム配置装置と、
前記フィルム配置装置によって配置された前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填する修正液充填装置とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。
前記フィルム配置装置は、前記フィルムが巻回された第１のリールと、前記フィルムを巻き取る第２のリールとを含み、前記第１および第２のリール間で前記フィルムをＵ字状に垂らし、その垂れた部分を前記欠陥部を含む範囲に接触させることを特徴とする、請求項２５または請求項２６に記載のパターン修正装置。
前記フィルム配置装置は、さらに、前記基板に対して前記第１および第２のリールを相対的に移動させる位置決め装置を含むことを特徴とする、請求項２７に記載のパターン修正装置。
基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置であって、
前記欠陥部との間に所定の隙間を開けて、前記欠陥部を含む範囲の上方にフィルムを配置するフィルム配置装置と、
前記フィルム配置装置によって配置された前記フィルムにレーザ光の焦点を合わせ、前記フィルムの前記欠陥部に対向する部分にレーザ光を照射して前記欠陥部を修正するための孔を開けるレーザ装置と、
前記レーザ装置によって開けられた前記フィルムの孔を介して前記欠陥部に修正液を充填する修正液充填装置とを備えることを特徴とする、パターン修正装置。
前記フィルム配置装置は、前記フィルムが巻回された第１のリールと、前記フィルムを巻き取る第２のリールとを含み、前記第１および第２のリール間に張り渡された前記フィルムを前記欠陥部を含む範囲の上方に配置することを特徴とする、請求項２９に記載のパターン修正装置。
前記フィルム配置装置は、さらに、前記基板に対して前記第１および第２のリールを相対的に移動させる位置決め装置を含むことを特徴とする、請求項３０に記載のパターン修正装置。
前記フィルム配置装置は、前記フィルムが巻回された第１のリールと、前記フィルムを巻き取る第２のリールと、前記第１および第２のリールの間で前記基板の上方に前記フィルムを前記基板に略並行に張り渡すための２本のローラとを含むことを特徴とする、請求項２９に記載のパターン修正装置。
前記フィルム配置装置は、さらに、前記基板に対して前記第１のリール、前記第２のリールおよび前記２本のローラを相対的に移動させる位置決め装置を含むことを特徴とする、請求項３２に記載のパターン修正装置。
前記修正液充填装置は、前記フィルムの孔の上方から前記欠陥部に向けて前記修正液の微細な霧を収束させて噴射することにより、前記欠陥部に前記修正液を充填することを特徴とする、請求項２５から請求項３３までのいずれかに記載のパターン修正装置。
さらに、前記修正液充填装置によって前記欠陥部に充填された前記修正液を硬化させる修正液硬化装置を備え、
前記フィルム配置装置は、前記修正液硬化装置によって前記欠陥部に充填された前記修正液が硬化された後に、前記前記フィルムを除去することを特徴とする、請求項２５から請求項３４までのいずれかに記載のパターン修正装置。