TWI431380B - 沉積修復設備及方法 - Google Patents

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Description

沉積修復設備及方法 相關申請案之交叉參考
本申請案係在35 USC 119(e)下對於2006年5月12日提申名稱為“線開修復設備及方法”的美國臨時申請案號60/747158作權利主張，該案的內容整體合併於本文中以供參考。
本發明概括有關微電子電路之非接觸修復，且特別有關諸如主動矩陣液晶顯示面板等平板顯示器之修復。
 發明背景
液晶(LC)顯示器的製造期間，使用大型無色薄玻璃板作為一用於沉積薄膜電晶體(TFT)陣列之基材。通常，數個獨立TFT陣列被圍堵在一玻璃基材板內且常稱為TFT面板。或者，一主動陣列LCD或AMLCD係覆蓋住在每個次像素係利用一電晶體或二極體之該類別顯示器，且因此包圍TFT裝置。此等玻璃基材板亦可稱為AMLCD面板。平板顯示器(FPD)亦可利用任何有機發光二極體(OLED)技術製作，但一般製作在玻璃上，亦可製作在塑料基材板上。
TFT圖案沉積係在多階段中進行，其中在各階段中，一特定材料(諸如一金屬、氧化銦錫(ITO)、晶矽、非晶矽等)係沉積在一先前層(或玻璃)的頂上符合於一預定圖案。各階段通常包括數個步驟，諸如沉積、罩覆、蝕刻、剝除等。
這些階段各者及各階段內的不同步驟期間，可能發生 許多可能影響最終LCD產品的電性及/或光學效能之生產瑕疵。此等瑕疵包括但不限於進入ITO 112內之金屬突件110、進入金屬116內之ITO突件114、一所謂鼠咬118、一開路120、一電晶體124中之一短路122、及一異物粒子126，如第1圖所示。其他瑕疵包括罩幕問題，過度或不足蝕刻等。
即便TFT沉積製程受到嚴密控制，瑕疵發生仍不可免。這限制了產品良率且不利地影響生產成本。一般而言，在臨界沉積階段之後利用一或多個自動化光學檢驗(AOI)系統且藉由一光電檢驗機亦稱為陣列測試器或陣列檢查器(AC)以測試完成的TFT陣列來檢驗TFT陣列。通常，AOI及AC系統提供瑕疵座標；其未提供將瑕疵分類為殺手瑕疵、可修復瑕疵、或不影響TFT陣列效能的微疵(imperfections)(亦稱為製程瑕疵)所需要之高解析度影像。來自AOI或測試系統之瑕疵座標資訊係通往一TFT陣列檢視/工具，亦稱為陣列保存器(AS)，其中瑕疵受到檢視、分類、然後修復。
每板的平均瑕疵數量係可能(a)依據製程成熟度而變，(b)隨不同TFT陣列製造者而變及(c)隨不同製造廠而變。一般而言，TFT陣列製造線內的瑕疵檢視及修復產能尺寸係可處理每7代廠(2100mmx2400 mm尺寸)中300至400瑕疵。一般而言，每板有5至10%的瑕疵需要修復。
因為TFT陣列特徵結構通常很小(次像素尺寸譬如對於從7代板製造之大型40吋LCD電視機可為80x240微米及最高達到216x648微米)，陣列檢視/修復工具包括一顯微鏡來 進行一瑕疵檢視以決定該瑕疵是否可修復。顯微鏡視場相對於板尺寸(通常2.1x2.4m)呈現很小(介於100x100μm至2x2mm)。顯微鏡安裝在一精密XY階台上故使其可在板表面上方從一瑕疵遣送至另一者。瑕疵座標可從較早由AOI及AC檢驗系統所進行之檢驗得知。玻璃板在瑕疵檢視及後續修復期間藉由一真空夾盤在XY階台底下保持靜態。經檢視瑕疵係被分類、或分倉成不同範疇，包括需要修復者。可修復瑕疵藉由特定修復類型被進一步分倉，其通常為雷射機械加工或切割(亦稱為炸射(zapping))、雷射熔接、或橋接一開線。
上述系列的一般事件通常係皆為陣列檢視/修復工具。瑕疵的數量、類型、區位、尺寸/程度常隨著不同的板而變且在擷取瑕疵影像之後的幾乎所有工具具有皆需要一種通過判斷的手段-譬如，一影像是否真正為一瑕疵而非誤疵(nuisance)，已經發現的是何種瑕疵，一特定瑕疵是否需作修復，需要何種修復，需要什麼修復參數，什麼是下個要修復的瑕疵，等等。部分檢視/修復工具係合併了工具操作與人類操作員判斷及干預以識別、分類、及然後修復此等瑕疵。諸如光子動力公司(Photon Dynamics,Inc.)製造之ASx60家族的檢視/修復工具等其他檢視/修復工具係包括一自動瑕疵修復(ADR)能力藉以自動地(亦即無人員干預)分析檢視及AOI/測試資料、識別及分類瑕疵、然後建置修復參數、及執行修復。
第2及3圖以橫剖面顯示兩瑕疵修復範例。金屬突件瑕疵 110顯示於第2A圖中(請見第1圖的俯視圖)。此範例中，識別及分類瑕疵110之後，生成一修復配方，然後執行以移除突件，如第2B圖所示。材料移除係為一相對較直率的製程，利用雷射切割技術來控制雷射束的位置及功率/尺寸參數。
第3A-3E圖代表矯正金屬線32及34之間的一開路徑所進行之修復步驟。此範例中，利用一雷射36來破穿(“炸射”)鈍化層38以曝露或切割至金屬線內。然後，一用以沉積材料之部件(此範例中為一化學蒸氣氣體及移動的雷射能量源)係被導入以生成接觸電極42及44於金屬線32及34上。其後，形成一金屬線46以連接兩金屬線32及34。
相較於如第2圖所示需要切割之修復，諸如第3圖所示等需要開路徑矯正之修復係遠為更具挑戰性，因為其必須導入新材料以矯正此等瑕疵。挑戰包括了材料完整性及相容性，諸如新材料與面板之黏著、電阻係數、連續性、線寬度、線厚度、放置的精確度(板電路特徵結構及其內的瑕疵通常小於1至10微米)、及施加速度(因為用以修復單一開瑕疵的沉積製程應花費小於數十秒)等等。典型的修復線寬度小於10微米而長度位於100微米的級數，每修復理想的材料沉積時間係位於秒的級數。一生產線中，希望在相同工具內檢視然後修復瑕疵。一經適當選擇的直接寫入或列印途徑可滿足這些挑戰。“直接寫入”係為藉由對於基材添加或移除材料而不用罩幕或預先存在的形式藉以直接地在一基材上生成一圖案之任何技術。一般而言，直接寫入技術可採用具有位於所想要修復線寬度級數的束直徑且以 CAD/CAM程式作控制之雷射或粒子束(譬如，電子束)。直接寫入沉積方法係譬如包括噴墨列印、雷射化學氣相沉積(LCVD)、及其他方法，其部分描述於下文。
雷射直接寫入沉積方法：
雷射化學氣相沉積(LCVD)係為一用於平板顯示器的開線修復之熟知技術。其使用一聚焦於一基材的表面上以誘發局部化化學反應之雷射束。基材時常塗覆有一前驅物，其係在雷射束掃描處被局部地熱解或光解。熱解雷射CVD約略與熱CVD相同。光解CVD中，藉由雷射光與前驅物之間的交叉作用誘發一化學反應。第3C及3D圖代表光解LCVD製程。LCVD需要受控制的大氣，確切言之，一股平衡的前驅物氣體以真空流動，且因此LCVD裝備係包括氣流控制器、閥件、真空泵、及其他管件。
LCVD缺陷係包括：(i)緩慢的沉積速率(譬如對於3500埃厚、5微米寬x100微米長的線位於數十秒的級數)，(ii)需要圍繞受修復區域之受控制環境；確切言之，必須清除接近修復處的任何氣體然後必須導入惰性氣體或真空以免污染，(iii)需要在沉積之前製備表面以供最好的黏著，(iv)需要升高的表面溫度以供最好的黏著，(v)製造裝備的高複雜度，及(vi)因為氣流接近基材而導入污染之可能。
現今，LCVD製程係緩慢且其相關工具價格昂貴，而FP生產線一般包括數個較低成本的檢視/切割修復工具，諸如光子動力公司(Photon Dynamics,Inc.)所製造之ASx60產品及線開修復專用之一分離的LCVD工具。第19B圖顯示一 生產線中經過順序的檢視/修復工具之現今典型FP板流程。
用於沉積相對較小特徵結構之雷射誘發式往前轉移(LIFT)方法係在1980年代導入。LIFT方法中，一脈衝式雷射束被導引經過一雷射透明標靶以打擊及汽化一受轉移材料膜，其用以塗覆與雷射束相對之側上的標靶基材。LIFT由於雷射使薄材料汽化而為一種均質性熱解技術。梅爾(Mayer，美國專利案號4,752,455)所述的LIFT金屬轉移之雷射能量密度係位於1至10J/cm2 範圍中。經汽化材料傾向於較具反應性且較易劣化、氧化或受污染。LIFT方法因為身為高溫方法而不適合有機材料。並且，因為在標靶材料處達成高溫，亦可能發生標靶基材的燒蝕或濺鍍，導致標靶基材材料之轉移而其降低了所想要的膜材料純度之完整性。已經報導LIFT製程所生成的線係具有不良的均勻度、形態、黏著及解析度。
藉由爆炸雷射沉積(MELD)之微結構化係為LIFT的一變異且由梅爾在美國專利案號4,752,455及6,159,832中所描述。梅爾使用很高重覆率(10MHz)及10mJ的每脈衝能量之很短脈衝(小於或等於20皮秒)。雷射束穿過一具有被金屬化的相對表面之透明基材。束係汽化金屬膜材料且將其推進朝向標靶基材。典型能量密度近似1至3J/cm2 。’832專利描述使用超快雷射。歐牡容公司(Omron Corporation)(日本)發展中的雷射金屬轉移(LMT)製程係最接近於梅爾的MELD工作。因為LIFT及MELD皆需要一基材的表面上之一金屬膜的汽化及凝結，由於材料在相鄰體素(或經轉移3維像素) 之間展現許多不連續性，所產生圖案之機能(亦即，電傳導性)係很有限。
自從1990年代中期使用具有窄束的雷射及奈米墨水(具有位於五至數十奈米級數的尺寸之金屬粒子)，經由漆塗、刷塗、噴注之墨水沉積已經是一種用於電子電路的直接寫入之相關路徑。從約1999至2002之美國國防部的國防先進研究專案局(DARPA)介觀整合式正形電子(MICE)計畫係資助數項直接寫入技術途徑，其具有位於介觀範圍(1至100微米)之標靶線寬度。
氣劑噴注係為新墨西哥州歐布渴克的歐普托美克公司(Optomec,Inc.)在DARPA MICE計畫下所發展之一種將墨水材料施加至一基材之方法。此方法中，輸送系統包括(1)一霧化器，其將墨水破成1至10微米直徑且均值近似5微米的滴粒之一分佈，及(2)一輸送頭，其包括一同心地放置於墨水物流周圍之覆套氣體噴注。同心放置的氣體係聚焦墨水物流。經沉積墨水線必須隨後被固化。現今技術採用廣泛分佈的滴粒尺寸。該技術似乎在大於20微米之金屬線的直接寫入沉積中、且已發現在穩高於100微米尺寸之三維結構的製作中最為成功。然而，用以達成小於10微米寬度的線之此途徑的缺陷係包括：(i)高度複雜的製程因變性(譬如，墨水溫度、墨水黏度、霧化器壓力及溫度、氣體覆套流)，(ii)輸送針頭的頻繁阻塞，(iii)滴粒分佈的均值限於近似5微米，其將線寬度限制於近似7微米，(iv)限於具有小於約1000cP黏度之材料；及(v)決定線寬度之因素包括滴粒分 佈、墨水黏度、墨水/基材表面張力、溫度之均值。
持續拓展用於微電路的直接寫入沉積之列印器噴墨技術的應用。使用壓電、熱性、靜電、聲學、或其他驅動裝置之噴墨式列印頭隨選滴粒配送技術已經有充分文獻。生產級應用通常以數十皮升容積或以上來配送滴粒。十皮升係等同於近似一26微升直徑球體。然而，為了修復平板顯示器中所見之微電路，需要小於10微米的線寬度。若包括有用於分散經沉積墨水之部分餘裕，直徑4微米的滴粒可滿足FP修復要求，且此等滴粒尺寸等同於數十毫微微升的容積。雖然持續發展，用於很細微線寬度的噴墨技術尚未對於生產用途獲得證實。對於氣劑噴注技術之許多相同上述限制係適用於隨選列印噴墨技術。
矩陣輔助的脈衝式雷射蒸發直接寫入(MAPLE-DW)係由美國海軍研究研究室的庫里希(Chrisey)及匹克(Pique)在DARPA的MICE計畫下發展。MAPLE-DW途徑描述於美國專利案號6,177,151(‘151專利)及6,766,764(‘764專利)中。MAPLE-DW的數項後續變異係由美國專利案號6,805,918(‘918專利)及7,014,885(流變材料之轉移)(‘885專利)、及美國專利案號6,815,015(噴注行為)(‘015專利)所描述。美國專利案號7,014,885及6,815,015被整體合併於本文中以供參考。MAPLE-DW製程為LIFT的一變異，且兩者間之關鍵區別係在於：LIFT中，受轉移材料係被燒蝕或氣化，且因此由於施加的高能量而在轉移期間實質地改變，在MAPLE-DW中經轉移材料則實質地不變。
三種變異(MAPLE-DW、流變、及噴注)之間的關鍵差異主要在於(a)受轉移材料之本質，(b)雷射能量密度，及(c)依據材料本質及可取得能量而定之轉移機制。MAPLE-DW製程描述合併一轉移材料與一矩陣材料，其確切來說當曝露於脈衝式雷射能時具有比轉移材料更高揮發性之性質。轉移材料可包括但不限於金屬或非金屬包括絕緣體及生物材料。假設經塗覆材料(矩陣加上轉移材料)在沉積製程期間為固態。使用MAPLE-DW製程對於金屬之轉移能量密度在’1515及’764中被引述一般係為300至500mJ/cm2。MAPLE-DW轉移機構係由揮發或汽化矩陣材料所組成，其隨後造成轉移材料自支撐條帶(ribbon)脫附至接收基材。MAPLE-DW製程假設在轉移之後，經沉積材料不需作額外加工。
流變材料及製程描述於’918及’885專利中，其將流變材料界定為具有位於固體與液體之間範圍中的性質、且特徵在於諸如彈性或黏度等至少一基礎流變性質之材料類別。並且，流變材料包括但不限於凝膠、膏、墨水、濃縮溶液、懸浮物、牛頓性及非牛頓性流體、黏彈性固體及彈黏性流體。流變材料可包括但不限於金屬或非金屬包括絕緣體及生物材料。流變材料為(譬如)由功能性材料、溶劑或載具、化學及流變前驅物、束縛劑、介面活性劑、散佈劑、粉末、及/或生物材料構成之均質性混合物。功能性材料係為含有所想要沉積物的功能性質(諸如電性、磁性等等)之材料。對於使用流變材料轉移製程的金屬之轉移能量密度係 引述於’918專利中例如400至500mJ/cm2 。流變材料轉移機構如’918及’885專利所描述係由下列步驟所組成：(a)雷射能量在接近支撐條帶表面處局部地加熱一很小容積的流變流體，及然後(b)經汽化材料產生一高壓力迸發藉以將未汽化流體往前推進至接收基材。被轉移材料係為實質不變之流變流體。大部份沉積材料需要後加工諸如熱性、光熱、或光解製程以分解任何化學前驅物、或驅除溶劑載具、或鞏固或密化或燒結功能性材料及永久性束縛劑。
‘015專利所述的噴注效應係發生於使用流變流體之窄製程窗口條件下。確切言之，訂製轉移能量密度以控制轉移製程使得所轉移材料保持約略相同尺寸或小於入射雷射束輪廓。用於’015專利所記錄的噴注製程之轉移能量密度係小於100mJ/cm2 。噴注窗口中的操作之有利處在於：可生成可與入射雷射束尺寸相提並論之特徵結構尺寸。更確切言之，此等特徵結構尺寸可位於小於10微米範圍中，其係為對於修復FP開線瑕疵之要求。然而，對於如’015專利中所述的噴注行為之條件係需要透明條帶上相對較厚的塗覆(1至20微米厚，更確切來說在所引述範例中為5至10微米)，其導致同樣厚的經轉移特徵結構，遠大於FP修復中所要求之次微米厚度。
FP產業很有興趣的是支撐墨水或流變材料之製程，原因在於沉積修復可能需要譬如使用於色濾器中之光阻材料或以有機為基礎的材料等非金屬，及譬如金屬等傳導材料。然而，如所述，FP修復所需要之典型最小值特徵結構 尺寸係為5微米寬x一般0.2至0.4微米厚的線，且具有位於數個十分之一微米的級數之相對較小邊緣粗度。上述大部份直接寫入技術可容易地達成30微米線寬度，且藉由部分額外但適度的努力將可達成10微米線寬度。LCVD除外，譬如噴注等其他以墨水為基礎的DW技術將無法達成均勻且連續的次微米線厚度。
對於利用墨水/流變材料達成具有良好邊緣粗度之5微米寬x0.3微米厚的線之限制係譬如包括：(i)接收基材表面處之材料流，其可為輸送或基材溫度、黏度、基材材料或表面條件的一函數，(ii)經輸送滴粒尺寸(氣劑噴注或墨水噴注)或經輸送材料尺寸及厚度(材料轉移方法)，(iii)輸送機構至接收表面之相對位置。在一噴墨系統之案例中，譬如，一距離太大可能導致一線太寬(噴注分散)，而一距離太近則亦可能導致一線太寬(噴注潑濺)。利用墨水/流變材料以良好邊緣粗度達成5微米寬線之額外限制係包括：(iv)墨水或流變材料中的材料粒子尺寸，對於金屬，典型金屬粒子尺寸應位於數十奈米或更小，(v)輸送機構中的開孔尺寸，及(vi)雷射或能量源之束尺寸。
LIFT及MAPLE-DW製程中被轉移之材料通常係為固體，而流變材料則為均質性混合物，包括功能性材料、溶劑或載體材料、束縛劑、散佈劑等等，其任一者皆有助於諸如黏度等流變性質。部分選定流變材料係可包括具有低但不為零的蒸氣壓之溶劑或流體，其暗示流變材料中由於此等溶劑或流體而隨著時間的潛在變化。因此，為了有一 致的結果，特別是在小於或等於5微米線寬度，一項要求係在於受轉移流變材料具有隨著時間呈現一致之性質。可以數種方式來達成此要求之確保：(a)將受轉移的流變材料放置在一抑制變化之環境內(譬如，控制溫度及壓力條件)，或(b)控制製程之排序及處置步驟使得流變材料在轉移處的曝露時間總是相同。
朵格南(Duignan)等人在美國專利案號6,792,326、6,583,318、6,82,490、6,85,426及6,649,861參考文件描述一用於MAPLE-DW之設備。朵格男的設備基於諸如下列數項原因無法施用至使用流變材料之雷射直接寫入方法，(a)朵格南未能容納維持隨著時間呈現一致流變材料性質之要求，(b)朵格南並未提供對於用來驅除流變流體內的載體組份之後加工之要求，等。
因此，需要一能夠使用流變材料及相關聯製程步驟作重覆沉積修復之設備及方法。
NRL團隊及朵格南等人描述了合併雷射直接寫入沉積與雷射機械加工(炸射)之設備及方法，兩群組皆描述用以在沉積之前製備接收基材之機械加工及機械加工或所產生沉積之修整。’918、’885及’015專利中，NRL團隊導入對於後加工(固化)之要求。艾迪哥(Addiego)在美國專利案號5,164,565合併了一雷射機械加工(切割)修復功能與一沉積修復功能，但不包括對於FP生產所需要之臨界檢視功能。
已如第19B圖所描述及注意，經由一生產線之平板的現今生產流程係使用兩種工具來涵蓋所有類型的FP修復：(i) 一檢視/切割修復合併式工具及(ii)一獨立式沉積修復工具。因此，需要一可合併檢視及所有修復功能、且更確切來說可自動地檢視及分類瑕疵、然後產生且執行指令用以切割修復及沉積修復(諸如使用流變材料者)同時使相關面板保持裝載在工具內之低成本、快速瑕疵檢視/修復工具。
 發明概要
根據本發明的一實施例，一設備係包括整合式檢視、材料移除及材料沉積功能。該設備沿著相同光學軸線(路徑)進行檢視、材料移除及材料沉積(轉移)操作。該設備係部份地包括一攝影機、一對的透鏡、及一或多個雷射。利用一第一透鏡以沿著光學軸線聚焦攝影機於一形成在經歷檢視的標靶基材上之結構上。若經檢視結構被識別為需要材料移除，亦利用第一透鏡聚焦雷射束於結構上以移除出現在其上之一材料。若經檢視結構被識別為需要材料沉積，利用第二透鏡聚焦雷射束於一條帶上以將一流變化合物從一形成在條帶中之凹入井轉移至結構。可在移除或沉積操作之後進行額外的檢視操作。
一實施例中，流變化合物提供出現在基材上之一對節點之間的一電性連接。一實施例中，基材可為一具有一陣列的像素之平板顯示器、一太陽面板等。
一實施例中，設備進一步部份地包括一自動聚焦感測器，其具有一與攝影機的光學路徑、當操作中選擇性地使用時的第一及第二透鏡、及雷射束呈同軸之光學路徑。自 動聚焦感測器係在材料移除操作期間將基材與第一透鏡之間的距離維持於預定範圍內。自動聚焦感測器進一步在流變化合物轉移期間將條帶與第二透鏡之間的距離維持於預定範圍內。部分實施例中，自動聚焦感測器係為一追蹤自動聚焦感測器用以當條帶相對於基材移動將條帶與基材之間的距離維持在預定範圍內。
一實施例中，利用雷射束來固化沉積在基材上之流變化合物。另一實施例中，利用一熱源來固化被沉積在基材上後之流變化合物。熱源可為與移除及/或沉積操作期間所使用的雷射束不同之一雷射束。
一實施例中，設備進一步包括一可變形狀開孔，其隨著條帶相對於雷射束移動仍保持沿雷射束定心。另一實施例中，設備進一步包括一可變形狀開孔，其沿雷射束的一中心產生變異藉以步進橫越第二透鏡的一視場。一實施例中，雷射束為一其中同時地出現有多數個波長之攪合式雷射束。另一實施例中，雷射束具有依據操作要求所選擇之單一波長。雷射束的脈衝長度亦可變異。
一實施例中，設備包括一適可隨選(on-demand)製備條帶之條帶製備總成。條帶對於雷射束波長呈透明並包括一凹入井，其中凹入井係塗覆有適可定位在雷射束路徑中以轉移至基材之流變化合物。條帶係選用性地包括一塗覆有另一流變化合物之第二凹入井。另一實施例中，條帶包括一第一多數個凹入井及與第一多數個凹入井交織之一第二多數個凹入井。第一多數個凹入井係形成為塗覆有一第一 流變化合物，而第二多數個凹入井塗覆有一第二流變化合物。另一實施例中，藉由一未配置於設備中之總成來製備條帶。
一實施例中，設備進一步部份地包括一第一Z軸線控制器，其適可使第一透鏡相對於基材且平行於光學路徑移動，及一第二Z軸線控制器，其適可使條帶相對於第二透鏡且平行於光學路徑移動。第二Z軸線控制器可進一步適可使條帶停駐在一歸始位置(home position)及/或將條帶移動至一裝載/卸載高度以能夠更換條帶。一實施例中，設備進一步包括一當條帶停駐在覆蓋件中時適可容置條帶及控制諸如溫度、濕度等環境參數之覆蓋件。
一實施例中，設備進一步部份地包括一旋轉軸線控制器，其適可使條帶沿一平行於光學路徑的軸線相對於第一透鏡旋轉。旋轉軸線控制器係使條帶以一第一角度旋轉以將條帶停駐在一歸始位置中並使條帶以一第二角度旋轉以能夠更換條帶。一實施例中，設備進一步部份地包括一軸線控制器，其適可使條帶的一相對位置在一垂直於雷射束的光學路徑之平面中移動，及/或使基材的一相對位置在一垂直於雷射束的光學路徑之平面中移動。
根據本發明的另一實施例，一設備係部份地包括一第一模組，其適可形成一凹入井於一條帶中；及一第二模組，其適可在凹入井中配送墨水。設備進一步包括一第三模組，其適可將條帶停駐在一歸始位置中，一覆蓋件，其適可當條帶停駐在歸始位置中時覆蓋住條帶，及一溫度控制 器，其適可控制停駐在覆蓋件中之條帶的溫度。
圖式簡單說明
第1圖顯示如先前技藝所習知具有週期性電晶體陣列之一大扁平圖案狀媒體的一部分之俯視圖中的數個非週期性瑕疵；第2A及2B圖顯示如先前技藝所習知一具有一突件瑕疵之裝置在修復之前與之後的橫剖視圖；第3A至3E圖顯示如先前技藝所習知一具有一開路瑕疵之裝置在修復之前與之後的橫剖視圖；第4A圖顯示根據本發明的一實施例之一適可用於從一條帶轉移材料至一基材的直接寫入雷射轉移之設備的橫剖視圖；第4B圖顯示根據本發明另一實施例之一適可用於從一條帶轉移材料至一基材之直接寫入雷射轉移的設備之示意橫剖視圖；第4C圖顯示根據本發明的一實施例之使用於第4B圖的設備中之具有凹入井的條帶；第5A圖為根據本發明的一實施例之一整合式檢視/修復工具之功能方塊圖；第5B圖為根據本發明的一實施例之一兩檢視/修復工具的方塊圖，其各具有由單一條帶製備站所供應之新條帶的一相關聯卡匣；第6圖為根據本發明另一實施例之一整合式檢視/修復工具的功能方塊圖； 第7圖為根據本發明的一實施例之第5A及6圖的光學件酬載之方塊圖；第8A圖顯示根據本發明的一實施例之第7圖的可移式最終透鏡總成及直接寫入模組之不同組件；第8B圖顯示相對於可移式最終透鏡總成之最終透鏡的光學軸線之對於條帶的三個線性X位置；第8C圖顯示相對於接收基材之對於條帶的臨界Z位置；第8D圖顯示根據本發明的一實施例之第7圖的可移式最終透鏡總成及直接寫入模組之不同組件；第8E圖顯示相對於用於第8D圖實施例之最終透鏡的光學軸線之對於條帶的三個旋轉(theta，θ)位置；第9圖為根據本發明的一實施例之一隨選條帶總成；第10圖顯示根據本發明的一實施例之第9圖的條帶製備模組之不同組件；第11A及11B圖為根據本發明另一實施例之第9圖之條帶製備模組的組件之側視圖及俯視圖；第12A圖為根據本發明另一實施例之一隨選條帶總成；第12B-12E圖為第12A圖的條帶製備模組之不同橫剖視圖；第13A-13C圖為根據本發明另一實施例之一隨選條帶總成的數個圖式；第14圖為根據本發明的一實施例之用以進行一瑕疵的直接寫入修復所執行步驟之流程圖；第15A-15E圖提供與第14圖的流程圖相關聯之數個步 驟的更詳細描述；第16A及16B圖為一經墨製條帶的俯視圖，其分別顯示用於第8A及8D圖所示的兩實施例之相對於雷射束的動作方向；第17A及17B圖為各具有兩經墨製區之經墨製條帶的俯視圖，其分別顯示用於第8A及8D圖所示的兩實施例之相對於雷射束的動作方向；第17C圖為一具有交替順序之兩不同材料的經墨製區域之條帶的俯視圖，且顯示用於第8A圖所示實施例之相對於雷射束的動作方向；第18A圖顯示一適可將一可移式覆蓋件放置在停駐在一歸始位置中之條帶的經墨製部分上方之實施例；第18B及18C圖為一適可將條帶放置在一靜態擱架上方之實施例的側視圖；第18D圖為第18B及18C圖所示實施例之條帶在靜態擱架上方的旋轉運動之俯視圖；第19A圖為顯示如先前技藝所習知經由一順序的一檢視工具、雷射切割修復工具、及沉積修復工具之平板顯示器之方塊圖；第19B圖為顯示如先前技藝所習知經由一順序的檢視/雷射切割修復工具及一沉積修復工具之平板顯示器板的流程之方塊圖；第19C圖為顯示根據本發明的一實施例之經由包括整合式檢視、雷射切割修復、及沉積修復功能之單一工具平 板顯示器板的流程之方塊圖；第20A圖為一在一像素底下具有厚鈍化層之開資料線的橫剖視圖；第20B及20C圖顯示利用習知方法之第20A圖的開資料線之修復；第20D圖顯示根據本發明之第20A圖的開資料線之完成的修復；第21A圖為相對於一被定心在束軸線上的束定形開孔經由轉移線分段具有一經墨製條帶移動且相對於束具有兩軸線中的一基材移動之雷射轉移設備的示意圖；第21B圖為具有一被定位在一最大值視場內的束開孔、及一以至少等於最大視場的階步移動之經墨製條帶、及一相對於束在兩軸線中移動的基材之雷射轉移設備的另一實施例之示意圖。
 較佳實施例之詳細說明
根據本發明的一實施例，一設備係包括整合式檢視、材料移除及材料沉積功能。該設備沿著相同光學軸線(路徑)進行檢視、材料移除及材料沉積(轉移)操作。該設備係部份地包括一攝影機、一對的透鏡、及一或多個雷射。利用一第一透鏡以沿著光學軸線聚焦攝影機於一形成在經歷檢視的標靶基材上之結構上。若經檢視結構被識別為需要材料移除，亦利用第一透鏡聚焦雷射束於結構上以移除出現在其上之一材料。若經檢視結構被識別為需要材料沉積，利 用第二透鏡聚焦雷射束於一條帶上以將一流變化合物從一形成在條帶中之凹入井轉移至結構。
對於此處所述的本發明之目的，“墨水”及“流變材料”用語可互換使用。確切言之，流變材料係包括位於固體與液體間的一範圍中之性質的材料之類別，且特徵在於諸如彈性或黏度等至少一基礎流變性質。並且，流變材料係包括但不限於凝膠、膏、墨水、濃縮溶液、懸浮物、牛頓性及非牛頓性流體、黏彈性固體及彈黏性流體。流變材料係為(譬如)由功能性材料、溶劑或載具、化學及流變前驅物、束縛劑、介面活性劑、散佈劑、粉末、及/或生物材料構成之均質性混合物。功能性材料係為含有所想要沉積物的功能性質(諸如電性、磁性等等)之材料。流變材料可為具有介於5至500奈米的粒子尺寸且懸浮於一或多個溶劑及/或束縛劑內、且具有位於近似1cP至1,000,000cP範圍中的黏度之金屬或非金屬材料。
第4A圖顯示如美國專利案號7,014,885所描述由匹克(Pique)等人所作之流變材料的雷射轉移所需要之一設備400的關鍵組件之示意圖。受轉移流變材料或墨水408係施加至一面對接收基材404之透明條帶406。條帶作為用於流變材料之一支撐結構，且必須對於相關雷射波長具有光學透明性。一脈衝式雷射束416被導引經過聚焦光學件諸如與墨水相對的條帶表面處之一物或最終透鏡402，而墨水被轉移至接收基材404。藉由使雷射416相對於接收基材404移動、及使條帶相對於雷射移動故一經墨製區總是可供轉移 取用藉以令一經轉移圖案410形成於接收基材上。接收基材上之經轉移圖案係可能需要固化(未圖示)。
發明人用以建立流變材料的雷射轉移之噴注方案的實驗係指示出：標稱呈五微米寬或更小的線之線完整性(寬度、連續性、厚度、均勻性等)的可重覆性及可複製性似乎對於間隙可重覆性、材料組成物可重覆性、及形式可重覆性特別敏感。特定言之，發明人發現需要與’015專利所述的噴注方案非常不同之一操作方案來達成所想要的小線寬度及次微米厚度。操作的此非噴注方案係稱為“模板”或“貼花”轉移，並需要可輸送流變材料以在相對於雷射束及接收基材的一可重覆位置處以一可重覆組成物及形式(譬如厚度)被轉移之設備及方法。所提出的發明係描述可在模板轉移方案中操作之此一雷射轉移設備。
受沉積流變材料408相對於接收基材404之可重覆性垂直定位(第4A圖的Z)對於近似等於或小於5微米尺寸之經可重覆轉移的特徵結構而言很重要。部分實施例中，操作間隙412小於25微米，但位於小於5微米可重覆性內。根據本發明，可施加不同方法以將條帶定位在一可重覆小間隙。
根據一實施例，條帶406安裝至一高解析度Z階台，且因此利用來自一諸如自動聚焦感測器等間隙感測裝置之一主動回饋被維持在相距基材404之一固定的距離內。自動聚焦系統描述於共同讓渡標題為“追蹤自動聚焦系統”之2005年12月20日提申的美國申請案號014116-009710US；及共同讓渡的美國專利案號7,084,970中，兩者內容整體合併於本文 中以供參考。根據另一實施例，條帶安裝至一空氣軸承。然後利用經建立的空氣流條件來維持一固定的可重覆小間隙。根據另一實施例，為了維持一恆定位置，一凹部或井形成於條帶中且隨後充填有流變材料，如第4B及4C圖所示。
第4C圖為其中形成有凹入井424之條帶406的立體圖。凹入井424提供一部件以達成配置於井中之流變材料的可重覆均勻厚度。非凹入表面422可接觸接收基材404而不以未轉移材料污染接收基材。一實施例中，使用數個十分之一微米至數微米的一井深度420來提供處於標稱5微米線寬度及次微米線厚度之一適當線完整性。並且，凹入井可與上述任何定位方法合併使用以在基材404及條帶406的底表面422之間建立及維持一固定間隙。
模板轉移方案中雷射轉移製程所需要之流變材料的組成物平衡可能隨著時間而變，譬如，其中所含任何流體之蒸發。可藉由數種手段達成組成物的保存，包括當未使用時覆蓋住流變材料或墨水、使經墨製條帶返回至一可能受到環境控制(對於大氣、溫度、濕度等)之儲存容器、當需要時自一體塊供應器施加墨水，等等。
本發明的數項實施例係適可維持流變的組成物平衡，如下文進一步描述。第5A圖係為根據在工具外(亦即機外(off-board))製備何者直接寫入條帶406之一檢視及修復設備(下文或者稱為檢視及修復工具、或工具)500之功能方塊圖。第6圖為根據當需要時(亦即隨機)在工具上(亦即機載(on-board))製備何者直接寫入條帶406之一檢視及修復工具 600之功能方塊圖。工具500及600兩者中，檢視及炸射修復功能係與該工具的光學件酬載內之直接寫入功能作整合。譬如，工具500中，檢視及炸射修復功能504係與工具的光學件酬載550內之直接寫入功能506作整合。類似地，工具600中，檢視及炸射功能504與工具的光學件酬載650內之直接寫入功能606作整合。各酬載550或660係附接至一構杆階台502的橫粱，且可在構杆502移動於Y方向之同時於X方向中移動，且經合併運動係能夠具有藉由完全基材區域404的酬載之覆蓋。另一實施例中，基材移動於一靜態酬載之下。對於相對較大的基材，諸如可能為1公尺x1公尺尺寸之平板顯示器所需要者，藉由使光學件酬載移動於一靜態基材上方來達成一較小工具足跡且因此較低的有效成本。
區塊、模組及功能在此處可互換使用。第5A圖所示的實施例中，一條帶裝載/卸載區塊508及一條帶儲存區塊510顯示為被包括在工具500中；這兩區塊可被定位或未定位於移動的構杆502上。條帶可製備在位居工具500外之區塊520中且隨後裝載至亦位於工具500外之卡匣530內。一實施例中，條帶儲存區塊可為一具有適當開口以供更換之簡單容器或殼體，且若需要亦用於諸如溫度、濕度、壓力等等環境參數之控制。一實施例中，條帶裝載/卸載區塊508可為一機械臂裝載/卸載裝置，其將新條帶從條帶儲存容器510轉移至直接寫入模組506。機械臂裝置亦將經使用的條帶從直接寫入模組506轉移回到條帶儲存容器510。部分實施例中，條帶裝載/卸載區塊508可與條帶儲存容器510作物理性 整合。部分實施例中，新條帶530的卡匣及經使用條帶532的卡匣可自動地轉移於條帶製備區塊520及條帶儲存器510之間。部分實施例中，這些卡匣可人工地轉移。
第5B圖顯示一對的檢視/修復工具500，其各具有新條帶530之一相關聯的卡匣及經使用條帶532之一相關聯的卡匣。如圖所示，新條帶530的卡匣兩者係被單一條帶製備模組520所供應。其他實施例可包括被任何數量(大於或等於一)的條帶製備模組所供應之任何數量(大於或等於一)的檢視/修復工具500。
參照第6圖，直接寫入模組606包括一可更換隨選條帶倉匣620，進一步描述於下文。條帶倉匣620可包括一條帶及用以將墨水施加至條帶所需要之其他組件。當倉匣620的墨水供應被消耗或不再可使用時、或當條帶不再可使用時，倉匣620可由一新鮮倉匣622更換。部分實施例中，墨水供應亦可為倉匣形式，且可在條帶倉匣620內分開地更換。
第7圖分別為第5A及5B圖之配置於檢視及修復酬載550及650中之不同區塊的較詳細圖。各檢視及修復酬載(或下文稱為酬載)係包括在形成於一基材上之結構上進行整合式檢視、炸射修復、直接寫入修復及固化功能之區塊。各酬載包括一共同光學件區塊700、及一可移式最終透鏡總成740。可移式最終透鏡總成740係部份地包括可選擇式最終透鏡及一直接寫入區塊(或下文稱為模組)。
共同光學件區塊700顯示為包括(i)一成像區塊708，其轉而包括一攝影機及照射器及用以將照射輸送至形成於基 材404上的結構且自基材輸送影像之相關聯的光學件，(ii)一雷射總成702及用以輸送可由一使用者所選擇之數個不同波長的任一或多者且界定雷射束的能量及脈衝寬度所需要之相關聯的光學件，(iii)一可變開孔706，其放置在雷射束光學路徑中以提供一經定形輪廓於基材404處，及(iv)一自動聚焦總成710，其具有相關聯的光學件以追蹤基材平面404或條帶平面424且將回饋提供至可移式最終透鏡總成740的Z聚焦控制器以維持最終透鏡716或402在基材或條帶平面上之聚焦。
亦配置於共同光學件區塊700中之固化硬體712係可由一雷射(連續波或脈衝式)或一雷射二極體及用於提供一熱源以固化在直接寫入轉移期間所沉積的經轉移材料所需要之任何相關聯的光學件所組成。或者，雷射總成702可構形為可提供所需要的固化參數(脈衝長度、能量)。另一實施例中，固化硬體712可被併入可移式最終透鏡總成740中。雖然未圖示，請瞭解可使用一或多個控制模組來控制酬載550及650中所使用之不同組件。
雷射702可為一二極體泵送式雷射、一閃燈泵送式雷射、一連續波雷射、或適合材料移除及材料轉移之任何其他雷射。市售的脈衝式雷射通常橫跨從紫外光(UV)至紅外線(IR)、且更特別來說從256nm至1064nm之全頻譜範圍，且具有介於從10-12 至10-6 秒的脈衝寬度、及從0至大於100KHz的脈衝重覆頻率。一適當雷射的範例係為一頻率四倍或三倍Q切換式Nd：YAG雷射，其具有一廣泛範圍的波長諸 如1064nm(紅外線)、532nm(綠)、365nm(紫外光)、266nm(深紫外光)、且提供小於100奈秒、通常為五至三十奈秒間的脈衝。雷射的束輪廓可為高斯式。用於切割修復應用之雷射通量通常係為1J/cm2 的級數，而噴注方案中對於流變材料的雷射轉移之要求則通常為100mJ/cm2 的級數。因此，一作為切割及沉積修復功能兩者之雷射702應提供至少0.01至5J/cm2 的一通量範圍。並且，雷射702及及光學件704可同時地提供兩或更多波長；譬如，具有532nm與1064nm之一可由使用者界定的攪合物。並且，諸如一Q切換式雷射等雷射702係可構形為可提供小於100奈秒之脈衝以供轉移及切割修復，亦提供身為數百微秒長(譬如，100至300微秒)以供經轉移線的切割之脈衝。
本發明的一實施例中，可變形狀開孔706可為一可移式開縫開孔。此一可移式開縫開孔可由四個可調式邊緣構成，其中兩者可移動於+/-x方向而兩者可移動於+/-y方向。一實施例中，調整邊緣使得可變形狀開孔706保持對稱地定心於束軸線718上。可變形狀開孔可能譬如提供最高來到約500x500微米之長方形形狀。另一實施例中，可變形狀開孔706可包括兩固定的邊緣及兩移動的邊緣。兩固定的邊緣可處於直角而形成一角落。兩移動的邊緣之一者係移動於+/-x方向且第二者移動於+/-y方向。此等實施例中，開孔中心可能未保持在束軸線上。可變形狀開孔706係能夠以不同尺寸特徵結構作寫入。譬如，一5微米寬x50微米長的線可由十個5微米正方形、或者單一5微米x50微米長方形所構成，後 者係在單擊雷射內完成，前者則需要十擊，花費十倍長時間來寫入。可變形狀開孔可容許在最少步驟中具有最大可能特徵結構之一所想要線圖案的組態，因此在遠短於任何其他習知直接寫入方法所達成者之時間內完成寫入。
已經顯示對於噴注方案中的雷射轉移達成5微米線寬度而言，受沉積流變材料408相對於最終透鏡402的焦平面之可重覆垂直定位(第4A圖的Z)係很重要。自動聚焦單元710可因此以檢視功能使用其中在雷射機械加工(炸射)修復期間、且亦在直接寫入沉積修復的建置期間藉由成像區塊708來收集瑕疵的影像。
組件702、708、710及712的主光學或束路徑係配置為在單一軸線718上實質地同軸且自區塊700離開。同軸光學/束路徑718因此可供安裝在可移式最終透鏡總成740內的單一軸線階台板714上之數個最終透鏡任何者所取用。一同軸光學/束路徑的配置係能夠以單一最終透鏡具有多功能能力。譬如，可經由對於可移式最終透鏡總成740所選擇之單一最終透鏡來提供使用成像區塊708之檢視功能、使用雷射及光學件總成702、704、706之炸射(移除)功能、及自動聚焦710，故盡量降低功能之間的切換時間。或者，可在一最終透鏡中達成一較小組的經合併功能，其餘功能則可使用一或多個其他最終透鏡。易言之，雷射702及其相關聯的光學件704、成像區塊708、開孔706、自動聚焦總成(此處亦稱為自動聚焦感測器)及固化源710係具有相同的光學軸線(亦稱為光學路徑)718。當透鏡402選擇性地定位在位置中以 進行一寫入操作藉以將流變化合物從條帶轉移至基材時，透鏡402的光學軸線係與光學軸線718同軸。同理，當透鏡716選擇性地定位在位置中用以擷取基材的一影像藉以進行一檢視操作、或用以能夠自基材移除不需要的材料時，透鏡716的光學軸線與光學軸線718同軸。
可移式最終透鏡總成740可相對於光學區塊700移行於兩方向中：(1)對於最終透鏡的聚焦之Z調整，及(2)一第二線性方向(諸如X方向)或一旋轉方向(沿Z軸)以能夠(a)選擇數個最終透鏡的任一者以供檢視或炸射修復，或(b)選擇直接寫入模組及其專用最終透鏡。對於檢視/切割修復功能提供光學件組件材料性質(諸如透射)及操作波長(譬如，IR/可見光、UV或DUV)之間多種不同的放大及/或匹配。以所想要的轉移形狀尺寸為基礎來選擇直接寫入最終透鏡放大，且以轉移雷射波長為基礎來選擇其光學材料規格。
第7圖顯示一用於檢視及或炸射修復之最終透鏡716及一供直接寫入修復專用之第二最終透鏡402。直接寫入模組顯示為包括一最終透鏡402，及一條帶滑架總成724。條帶滑架總成724包括一二軸線階台，其中一軸線位於Z 720中且第二軸線722位居垂直於束軸線718之平面中且適可能夠在該平面中相對於雷射作動作。條帶滑架總成724包括一附接至第二軸線階台之安裝板722，及用以固持條帶406之相關聯硬體。第二軸線階台連同安裝板722係確保條帶406的一經墨製部分總是可供雷射702取用以供轉移。條帶滑架總成內之Z軸線階台720進行數項功能：(a)提供條帶406相對 於最終透鏡402及接收基材404之細微解析度Z調整，(b)每當工作進行寫入以外的功能時將條帶406揚升至接收基材404上方之一安全高度(歸始或停駐位置)，及(c)每當條帶需要更換時將條帶406移至一裝載/卸載高度。
第8A圖顯示根據本發明的一實施例之直接寫入模組及可移式最終透鏡總成之不同組件。此實施例中，條帶滑架總成724的兩動作軸線皆為線性：Z(720A)及X或Y(722A)。當最終透鏡402的光學軸線800定位為與雷射束路徑718同軸時，X(或Y)階台722A使條帶相對於直接寫入最終透鏡402、且因此相對於雷射702移動。因為固化步驟需使得沒有未轉移墨水材料位於固化源712或雷射702的視線外，第二軸線階台必須具有一夠長行程足以抵達位於條帶安裝板722A內之無障礙孔820。條帶安裝板722的Z行程範圍係受到基材404及最終透鏡402底部之間的空間所拘束。另一實施例中，假設條帶對於固化所使用的波長呈現透明，可經由條帶的未墨製部分來提供固化。
第8B及8C圖分別顯示沿著X及Z方向之條帶安裝板722的數個關鍵位置。第8B圖中，“歸始”位置852係用來在最終透鏡光學軸線718上對準無障礙孔(clear hole)820；“寫入”位置854用來在光學軸線718中放置條帶。“裝載/卸載”位置856中，條帶自光學軸線移動遠離。第8C圖中，Z歸始 836代表Z方向中之歸始位置。位置Z裝載 838只以範例顯示為高於Z歸始 ，但亦可與Z歸始 相同且只具有從最終透鏡至基材應有足夠間隙來更換條帶406之拘束。位置Z開始 834係為接近最終透鏡830 的焦平面之條帶安裝板722的下表面810之一標稱高度。寫入期間，墨水/條帶介面(第4C圖的424)必須以高度Zdw 832定位在焦平面830處。下文描述將位置建置於焦平面處之製程。
第8D圖為根據本發明另一實施例之直接寫入模組及可移式最終透鏡總成的組件之側視圖。第8E圖顯示對於第8D圖的實施例之數個關鍵旋轉位置。一動作軸線為Z(720D)，第二動作軸線(722D)則可沿Z軸線旋轉。歸始(停駐/固化)θ位置(722D-2)顯示為自寫入位置呈45°，但可為可相距束路徑718及最終透鏡402提供適當間隙之任何角度。裝載/卸載θ位置(722D-3)可與歸始位置相同，或其可為不同如第8E圖所示。寫入θ位置(722D-1)將條帶沿著光學束路徑718放置在最終透鏡402之下。
第8C圖所示的Z位置亦適用於第8D圖的實施例。第8D圖的實施例具有優於第8A圖實施例之數項優點。第一，使條帶安裝板相對於束路徑移動以供寫入之旋轉行程量係可相對較短。譬如，如果第8E圖中的樞軸點802相距寫入位置為25mm，移行經過3°角將可提供大於1mm總寫入長度，若各修復需要200微米的寫入長度，其可容納最高五個瑕疵修復。第二，條帶安裝板722D可完全地移動遠離光學件，譬如來到第8E圖的位置722B-3，故對於裝載/卸載之Z行程不再受到最終透鏡402所拘束，故能夠對於條帶裝載/卸載具有合理夠大的間隙。因此，對於使用一旋轉階台之第8D圖的實施例，總旋轉行程可小於或等於180度以提供三種功 能，亦即寫入、歸始、裝載/卸載。一實施例可能需要小於或等於90度的總行程來達成寫入/歸始/裝載-卸載功能。總行程愈短，從一位置移至另一位置所需要之時間愈短。諸如第8D圖所示者等使用一旋轉階台之本發明的一實施例係可提供小於約15度範圍內之具有高解析度的寫入功能。歸始及裝載/卸載位置可為大於約15度之任何位置，只要束路徑無障礙即可。
第8A及8D圖所示的實施例描述用於直接寫入模組之兩動作軸線。部分其他實施例中，可使用一第三動作軸線，譬如三個線性軸線X、Y、Z。
第16A及16B圖分別顯示適可沿著一線性軸線運動之對於第8A圖實施例、及適可沿著一旋轉軸線運動之對於第8D圖實施例之條帶1600的可能寫入路徑(1606及1604)。條帶1600的經墨製部分1602可如圖所示為長槽，或可為正方形、長方形、圓形或任何形狀的區域。第16B圖中，經墨製部分602的長度係顯示為實質地平行於弧動作1604，但如果經墨製部分602的寬度夠寬，長度可定向成實質地垂直於動作方向。因為只有經墨製條帶的一未使用部分提供予雷射以供轉移，條帶相對於雷射的動作是否為線性或旋轉並不重要，只要每條帶所被寫入的線總長度相較於條帶維度及條帶的經墨製區域為短即可。希望在機外更換條帶之前對於數個瑕疵修復使用一條帶，如第5圖所示，或隨選製備一新經墨製段，如第6圖所示。因此，譬如，如果典型的每瑕疵線長度近似為50至150微米長，一經墨製區域的實際維度應至少譬如為 每瑕疵的平均修復長度之五至十倍，或至少一至二毫米。
因為直接寫入功能具有一相對較低的任務循環，可能希望保護條帶的經墨製表面在未使用時不受損害或污染。一實施例可能使條帶返回到其儲存容器，但這將增添每次條帶需寫入之裝載、卸載、及建置的時間且因此可能衝擊到整體產出。另一實施例可將條帶升至其歸始位置且隨後將一可移式覆蓋件1802放置在經墨製部分上方如第18A圖所示。這需要一額外機構1804來將覆蓋件移至條帶。第三實施例可利用既存的兩軸線702及722來定位條帶406於一靜態擱架1806上方，如第18B及18C圖所示。此範例中，擱架設置於歸始位置處，而條帶406首先自其寫入高度Zdw 832移至擱架以上之一高度H1(顯示為第18B圖的步驟A)然後沿著旋轉軸線722從寫入軸線旋轉至擱架1806上方之歸始位置(顯示為步驟B)，然後最終降低至擱架1806上之近似高度Z歸始 ，其作為一保護覆蓋件，如第18C圖所示。第18D圖為條帶402在覆蓋件1806上方沿著其旋轉路徑之俯視圖。一實施例中，保護覆蓋件1806的溫度受到控制藉以對於經停駐條帶406提供一熱控制式環境。替代性地、或與溫度控制合併地，可在擱架中包括一用於條帶的經墨製部分之凹部，藉以提供一用於條帶之微環境，類似於較大儲存容器510所提供者。
第9圖顯示一隨選條帶總成950的一實施例。條帶910可譬如為一撓性塑料材料，且藉由一接取捲軸902自供應捲軸904拉取。條帶卷帶係穿過一條帶製備模組900，且隨著條帶910被一透明“列印頭”906引導而騎乘於其底下。光學件模 組700的光學件/束路徑718實質地同軸於且穿過最終透鏡402。束路徑718穿過透明列印頭906及條帶910以將墨水/流變材料轉移至形成於接收基材404上之標靶結構(未圖示)。包括條帶及捲軸之總成、及條帶製備總成900係可合併至一可更換卡匣620內如第6圖所示。部分實施例中，條帶製備模組900本身可為一倉匣且可與條帶及捲軸分開地更換。
第10圖顯示根據本發明的一實施例之用於第9圖的一隨選條帶總成之條帶製備模組900A的不同組件。條帶製備為一多步驟製程，且條帶顯示為從左移向右方。一雷射束1002可在條帶中燒蝕一凹部1000。凹部可為任何形狀、長方形、圓形等，且形成為最佳轉移之所需要深度(深度420)，部分實施例中小於數微米深。然後，墨水材料1006藉由一墨水配送器1004沉積在凹部1000中。隨著條帶移動於一刮刃1008底下，墨水係平置於凹部內且移除任何的多餘部分。可包括一選用性檢驗步驟其中一攝影機1012視覺地檢視具有經平置墨水1014之條帶。條帶的製備段隨後在條帶倉匣內繼續，穿行於滾軋銷908上方(請見第9圖)因此令條帶倒置故使經墨製部分面對接收基材404。部分實施例中，條帶製備模組900A可被倒置以不需倒置由第9圖所示的組件配置所製備之條帶。部分實施例中，譬如，墨水配送器1004可為一習知噴墨頭、或一氣劑噴注頭如美國專利案號7,108,894所描述，且得自歐普托美克公司(Optomec,Inc.)的品名M3 D。部分實施例中，雷射束1002可從修復雷射702及其光學件704被導引。部分實施例中，雷射束1002可由一 適當分離的額外雷射提供。其他實施例中，成像攝影機1012可與成像區塊708相同，而部分實施例中，攝影機1012則可為一適當分離的額外攝影機。
第11A及11B圖為根據本發明另一實施例之用於一隨選條帶總成之一條帶製備模組900B的不同組件之側視圖及俯視圖。施加一槽塗覆方法學。確切言之，條帶910被接取捲軸902拉過一具有墨水/流變材料1102的一貯器之容器1104。容器沿條帶在入口處被一墊片或密封件1106所密封。容器出口亦包括一墊片或密封件1108，但具有一與所想要墨水厚度呈等同高度之槽1110，在一實施例中譬如為0.1至5微米高。隨著條帶910被接取捲軸902拉過墨水貯器，墨水穿過槽且被槽平置至所想要的厚度1112。一略微的壓力量可施加於墨水容器1104內以將墨水往外壓抵。第11A及11B圖所示的實施例中，條帶包括沿著其長度被週期性地定位之通孔1120。這些孔可藉由雷射固化束而容許具有經轉移材料的直接視線。部分實施例中，孔可在組裝於供應捲軸904上之前預製於條帶中。其他實施例中，孔可由雷射燒蝕或機械衝壓、切割等製作於條帶製備模組900B內。第11A及11B圖所示的通孔特徵結構及特徵結構之生成方法亦可被包括在第10圖的實施例900A中。
第12A圖顯示根據本發明另一實施例之一隨選條帶總成950。實施例包括一透明列印頭1202，其含有一位於供應側上之凹入槽或通路1210。第12B圖顯示橫剖面A-A中之通路1210中的條帶910。如第12F圖的分解細部圖所示，一具 有墨水/流變材料的一貯器1206之供應模組1204係被定位成使其槽狀出口相對於列印頭1202及條帶910配置。可施加一略微壓力量以確保墨水通出供應模組。一刮刃1208在墨水供應模組的尾端邊緣處壓抵住列印頭，且隨著條帶經過使墨水平置。第12C圖為墨水施加平面處之條帶製備模組900C之剖面B-B。第12D圖為刮刃平面處之條帶製備模組900C的剖面C-C。部分實施例中可包括經過位於條帶背側的孔1220之真空或壓力以控制墨水輸送。此真空係拉取條帶相對於通路1210底部呈齊平。墨水可隨後如第12C圖所示流動。此一壓力推動條帶相對於刮刃1208及墨水貯器呈齊平，但禁止墨水留在條帶上。第12E圖顯示被提供予雷射束718以供轉移至接收基材404之完成的條帶。第12A圖的實施例中亦可包括第11圖所示的通孔特徵結構及該特徵結構之生成方法。
第13A圖為根據本發明另一實施例之一隨選條帶總成1300的立體圖。第13B及13C圖為隨選條帶總成1300的側視圖，其條帶導件分別位於上及下方向。同時參照第13A-13C圖，條帶製備模組900C係為一直接列印媒體機構，其包括一“造井”機構及墨水/流變材料的一配送器。雷射透明標靶條帶材料910之供應源係被進給至造井機構1304內，其用以沿著標靶條帶材料910長度浮雕一長方形輪廓淺井(如第4C圖所示)。當經浮雕條帶進給過墨水/配送器1306，墨水/流變材料係藉由墨水/配送器1306施加至經浮雕條帶。
在配送器1306的輸出側上係為一刮刃1308，其撫平墨 水且從標靶表面移除任何多餘物。結果係為一含有一充填有均勻厚度的流變材料之淺凹入井之條帶。條帶隨後被導件1310導往接收基材404。雷射束718係被最終透鏡402聚焦在流變材料上以將流變材料轉移至接收基材404。部分實施例中，可調整導件1310以在寫入製程期間容許條帶騎乘於接收基材404上方的一固定間隙處，如第13B圖所示。其他實施例中，可調整導件1310以在寫入製程期間容許條帶接觸接收基材404。當寫入完成時，條帶被導件1310揚升。
如第9至13圖所示，一隨選條帶製備總成的許多實施例之間具有數個共同性。條帶910必須對於用於材料轉移之雷射波長呈光學透明，且如果未提供孔1120，亦應對於雷射固化波長呈光學透明。條帶910應具足夠撓性以能夠儲存經使用材料的一供應源，譬如一捲軸至捲軸配置902及904所示。諸如玻璃、或塑料(譬如，MylarTM 或聚碳酸酯)等材料具有令人滿意的光學性質且可形成夠薄以具有供處置及儲存用之撓性。部分實施例中，條帶通常可具有橫剖面輪廓維度50微米至250微米厚，及近似2mm至10mm寬。其長度需足以穿過設備，且進一步提供足夠的寫入材料以容納譬如至少數週存量的瑕疵修復。若每瑕疵修復的典型線長度近似為50至100微米，則一1公尺條帶長度可提供多達10000修復。第9圖的列印頭906及第12圖的1202必須對於雷射轉移波長呈光學透明，或具有一供束穿過之通孔。列印頭可包括一淺通路以在條帶沿著其表面移行時引導條帶。列印頭的形式不限於第9及12圖所示者。並且，本發明的部分實 施例中，隨選製備模組可併入有諸如溫度、濕度、壓力等等環境參數之適當控制藉以維持適當的材料組成物。
系統之機外製備的條帶係具有與以一隨選基礎所製備者幾乎全部相同之要求。其可能為週期性經由平板(FP)或經由數個FP基材裝載至且隨後卸載自直接寫入總成之個別條帶。條帶因此必須具有適當勁度(stiffness)以供自動處置。機外製備之條帶或者可具有任何形狀(譬如，長方形或圓形)，其尺寸係由自動裝載/卸載處置要求及用於自動墨水施加的要求所設定。部分實施例中，條帶可位於數十毫米長度及闊度的級數，且具有數個十分之一毫米或更大的厚度。
可藉由類似於隨選條帶製備所使用者之一設備來製備機外製備的條帶。亦即，機外條帶可利用一雷射或藉由浮雕具有經由燒蝕所生成之凹入井。凹入井亦可蝕刻至機外條帶內。並且，流變材料可利用槽塗覆或刮刃或旋覆技術施加至機外條帶。
第8A及8D圖所示的直接寫入模組及可移式最終透鏡總成之實施例可使用一具有類似於第4C圖所示者的形式且在工具機外製備之條帶，譬如第5A圖所示。第8A至8E圖所述之相同的動作亦即最少2軸線且其中一動作軸線位於Z方向係亦使用於一機載隨選條帶總成，譬如第6圖所示。特定言之，如第8A至8E圖所示，隨選條帶製備模組係安裝在一雙軸線階台上，亦即Z及X/Y或θ。用以設定一隨選條帶總成與基材表面之間的間隙之部件係可與一機外條帶、且與參照第4A圖者相同。並且，如同一機外製備的條帶之案例 中，隨選條帶未寫入時必須停駐在基材表面以上之一安全高度處。如同機外製備的條帶，可利用具有對於Z階台720的控制器之回饋之自動聚焦模組來在寫入期間維持聚焦於隨選墨水/條帶介面平面上。
第14圖為根據本發明的一實施例之用以進行一瑕疵的直接寫入修復所執行步驟之流程圖1455。第15A至15E圖提供流程圖1455的數項步驟之額外詳細描述。在下文說明中同時地參照第7圖的模組及第8A至8F圖所描述位置。在製程起點，步驟1402，用於受修復瑕疵之資訊係經由電性測試或自動光學檢視(AOI)或在來自電性測試或AOI的一瑕疵檢視或輸入期間被提供至工具。在步驟1476，修復類型分類成炸射修復或直接寫入沉積修復。下文未進一步描述炸射修復製程1476。直接寫入製程的下個步驟中，光學件酬載係移至相關瑕疵，步驟1404。然後在步驟1406，利用第7圖的檢視最終透鏡716來驗證受修復瑕疵。在步驟1410，瑕疵部位製備可包括在“炸射”功能中利用雷射702來移除材料。材料移除製程可包含將譬如五微米直徑導孔經過一或多層鑽製至數微米深度，或清除較大區域，譬如略微地大於受寫入的線特徵結構之槽式形狀，譬如10微米寬x特徵結構長度。導孔可為推拔狀，在孔底部具有較小直徑，或沿著其全長具有一恆定直徑。操作者可藉由引喚步驟1420來檢視部位製備的結果。一旦瑕疵部位被製備且視為可接受，可執行寫入操作1430。如果系統組態包括一隨選條帶製備1480，如第6圖所示，條帶係在步驟1430開始前被墨製 且準備就緒。一旦在步驟1430完成經轉移線圖案，則操作者可在步驟1440選用性地檢視及核可該沉積。如果經轉移線圖案不可被接受，製程可返回步驟1410，在該期間經由部位製備操作來移除或修整經轉移線圖案。一旦經轉移線圖案可被接受，則其在步驟1450被固化。經轉移線圖案的固化之後，操作者在步驟1460再度具有檢視經固化轉移線圖案之選項。如果該修復完全不可接受，操作者可選擇再度開始部位製備步驟1410且利用炸射雷射702完全或部份地廢除該修復，且隨後藉由重覆步驟1430只1450重作該修復。或者，如果該修復只需要修整，操作者可在步驟1470選擇採用炸射雷射來修整任何多餘且隨後核可結果。如果該修復可被接受，系統在步驟1472使條帶返回其歸始位置，然後在步驟1474移至下個被修復瑕疵。
第15A圖為第14圖的寫入(沉積)步驟1430期間執行之流程圖。在已經檢視瑕疵、已經製備及檢視瑕疵部位之前並未引喚寫入步驟1430，且在使用一隨選條帶之實施例中，完成了條帶製備。並且，假設已經將諸如瑕疵區位、瑕疵類型、維度參數、線元件尺寸等等修復參數輸入工具資料頁中。然後，在步驟1504，藉由將酬載550或660相對於基材移動使得束軸線定位在修復起點。在步驟1506，直接寫入最終透鏡光學軸線800係移位以同軸於束軸線718，且因此直接寫入最終透鏡402及相關聯直接寫入設備移位至束路徑718中。在此點，經墨製條帶仍留在其歸始位置中，位於一高度Z歸始 836，且部分實施例中處於X歸始 或θ歸始 ， 譬如第8B圖的位置852或第8E圖的722D-2。Z歸始 836係為基材以上之一安全間隙高度。步驟1508期間，經墨製條帶在X(或Y)或θ中移至寫入位置，譬如第8B圖的854或第8E圖的722D-1，且在Z中被調整以將墨水/條帶介面平面放置在直接寫入最終透鏡402的焦平面830。利用自動聚焦總成(710)隨著條帶在Z中移動來偵測最終透鏡焦點。下文描述聚焦步驟1508的細節。藉由最終透鏡正確地聚焦於墨水/條帶介面830且藉由束路徑位於修復起點，開始直接寫入轉移。在步驟1510，經由步驟1402的修復配方界定來選擇用於被寫入線的第一元件之所想要的開孔尺寸706。然後，雷射702係脈動以轉移被寫入線的第一元件。如果寫入不完全，在步驟1514，條帶406在第7圖中經由動作裝置722相對於雷射前進至一經墨製區域，且酬載/雷射550或650相對於基材前進至下個區位。開孔尺寸根據所輸入修復參數被設定，然後雷射係脈動以轉移下個元件。繼續該迴路直到寫入操作完成為止。
第15B圖為與第15A圖所示流程圖的聚焦墨水/條帶介面步驟1508相關聯之步驟的流程圖。在步驟1522，經墨製條帶從其歸始X(或Y)或θ位置(譬如，第8B圖的852或第8E圖的722D-2)移動至X(或Y)或θ位置(譬如，第8B圖的854或第8E圖的722D-1)，同時維持Z歸始 間隙高度836。一旦位於Xdw 或θdw 位置中，在步驟1524，條帶移至Z開始 位置834。Z開始 顯示於第8C圖中，且可為穩穩位於相距基材的間隙距離內之任何系統(或使用者)界定的高度，且更確切言之，可為接 近墨水/條帶介面平面(譬如第4C圖的424)之高於基材表面之一平面的高度。下個步驟1526係引喚自動聚焦功能710，其將一信號回饋至用以導引階台之直接寫入總成Z階台720以細微地調整直到墨水/條帶介面平面424處於對焦830亦即位於位置Zdw 832處為止。
第14圖所示製程流程的一替代性實施例係可包括一用於隨選條帶製備之分支1480。第15C圖顯示一隨選條帶製備製程流程之細節。隨選製備可平行於寫入製程1400的至少初始步驟而發生，或者可在一旦知道需要一直接寫入瑕疵修復時即發生。更確切言之，必須在步驟1430處需要條帶之前及時完成地隨選製備。隨選條帶製備製程步驟1480係適用於參照第9、10、13圖所述的隨選條帶製備實施例。對於諸如第11、12圖所示者等隨選條帶製備實施例，因為這些實施例使用不需要凹入井的技術，第一製程步驟1582、亦即生成凹入井並不適用。用於隨選條帶製備之製程係如下述。第一，在步驟1582譬如藉由燒蝕或浮雕來生成一凹入井。然後墨水/流變材料係在步驟1584施加，接著為一撫平或平置至所想要厚度。接著，在步驟1586，藉由槽塗或刮刃技術移除多餘材料。在步驟1588，條帶的經製備段隨後係前進且定位在光學軸線中。
第15D圖為提供與第14圖的核可部位製備1420、核可經轉移線圖案1440、或核可經固化轉移線圖案1460步驟相關聯的更多細節之流程圖。任何這些操作中，核可製程的第一步驟1542係確保條帶位於基材以上之一安全高度，確切 來說條帶應位於第8C圖中之Z歸始 836，且若非如此則應移至Z歸始 。一旦條帶位於一安全位置，步驟1544在第7圖中藉由移動透鏡安裝板714使檢視最終透鏡716光學軸線移位以與束/成像軸線718同軸。步驟1546期間，可隨後藉由酬載550或650沿著經轉移線在X及Y方向中相對於基材移動之同時利用酬載成像區塊708來檢視經轉移線。若檢視令人滿意，則繼續第14圖所示之製程流程。如果檢視結果不令人滿意，操作者在步驟1548具有返回至步驟1410且以一炸射功能使用雷射作調整之選項。
第15E圖為提供與經轉移線圖案之第14圖的固化步驟1450相關聯的更多細節之流程圖。若需要的話，該建置係需令直接寫入最終透鏡402移位，故其光學軸線800與酬載的束軸線718呈同軸，如步驟1551所示。下個步驟1552中，條帶總成移至其歸始位置，譬如第8B圖中的852，或第8E圖中的722D-2。歸始位置如上述可容許經由條帶中的一諸如820或1120等開孔通往基材上的經轉移圖案之一無障礙束路徑，或藉由將條帶及條帶滑架板完全地移出束路徑外。譬如第7圖的550及650等酬載係被移動以將束718放置在修復的起點座標處，如步驟1554所示。步驟1556中，對於固化源715之擋板係開啟以使經轉移線開始曝露於固化源，譬如一雷射、一雷射二極體或其他熱能量源。另一實施例可接通及關斷固化源而非使用一擋板。隨後藉由使酬載/固化源550或650相對於階台移動及使經轉移線圖案曝露於固化源來固化經轉移線圖案，如步驟1558所示。當線 完全地曝露於固化源時，固化被視為完全且對於固化源之擋板受到關閉，或者固化源被關斷，如步驟1559所示。該製程然後繼續來到第14圖的步驟1460。
直接寫入設備，譬如第7、8、9、10、11、12、13圖所描述的任何者，係可適用於製備及轉移不只一材料而對於製程順序不添加或只添加極小時間且設備動作機構毫無或僅有極小改變。確切言之，隨選條帶可包括諸如第17A及17B圖所示用以提供平行凹入井之浮雕部件。或者，隨選條帶可如第17C圖所示燒蝕有經定形凹入井。可將具有不同墨水/流變材料之額外配送器添加至諸如第10及13圖所示者等組態，且這些案例中可被平行或序列地建置。諸如第12圖所示等額外的槽塗器係可序列地添加，其中槽相對於彼此移位且橫越條帶定位在特定井位置上方。譬如，第12圖的一槽塗器之槽可定位為可充填第17A及17B圖之一井，譬如1702，而一第二塗器的槽可定位為可充填第二井1704。機外製備之條帶可以充填有不同材料的多重凹入井作輸送，如第17A、17B及17C圖所示。
第17A、17B及17C圖亦指示譬如配置於井1702及1704中者等兩種不同材料可如何被第7及8圖所示設備容易地近接而不增加設備的複雜度之範例。第17A圖為條帶1702及1704相對於第8A圖的X階台722A所提供之線性路徑動作1708的定向之一範例。此範例中，X階台只在需要時從一譬如1702等材料移至譬如1704等下個材料。凹入井寬度大於經修復線圖案之典型長度，譬如，凹入井寬度可為數毫米 寬。第17B圖為條帶井1702及1704相對於如第8D圖的θ階台722D所提供的弧路徑動作1706之一範例。第17C圖為多重凹入井的定向之一範例，其中兩材料1712及1714形成一交織狀圖案且相對於第8A圖的X階台722A所提供之一線性路徑動作1708呈交替順序。亦可藉由將井放置為實質地與弧路徑呈直列狀來連同θ階台722D使用具有交替材料亦即交織狀圖案之條帶。其他實施例中，可藉由將含有材料1712的N凹入井放置在含有材料1714的M凹入井之間來形成交織狀圖案，其中M及N為大於1的任何整數。
具有容納不只一流變材料的能力之一如上述設備及方法係提供FPD面板修復及具有類似修復要求的其他應用方面之進一步優點，且亦具有一般直接寫入應用方面之優點。第20A-20D圖顯示一需要兩材料亦即金屬及非金屬諸如一有機鈍化材料以供修復之像素。第20A圖中，一開資料線瑕疵2010係配置在一諸如SiNx 2004等閘絕緣體膜上，而其塗覆於玻璃2002。開資料線係交叉於一像素底下。有機鈍化層2006近似2微米厚且被像素ITO層2008覆蓋。施加有機鈍化層2006及像素層2008之後，瑕疵溶解於陣列測試期間。使用諸如LCVD等習知沉積修復方法之修復係顯示於第2B及2C圖中。第2B圖中，使用雷射機械加工之習知方法首先係移除開資料線2010以上之有機鈍化層2006及ITO層2008。然後，如第2C圖所示，習知方法利用LCVD以一修復線2014修復開資料線2010。因為諸如LCVD等習知方法只可以單一金屬材料作修復，修復線2014上方之有機層2006 未被更換。若經修復開資料線位於一像素之下，該像素將無法運作。然而，本發明利用易於近接不只一流變材料之雷射轉移設備係可藉由有機材料2016的雷射轉移來覆蓋經修復線，如第20D圖所示。並且，因為本發明具有轉移至少兩材料之能力，本發明亦可轉移一第二金屬線2018以橋接ITO層。不只是開資料線之完全修復、而且包括有機鈍化層及ITO層之恢復係使得受影響的像素可以使用。
第8A至8E圖所示的本發明實施例中，雷射束718仍定心於最終透鏡402的視場中，且經墨製條帶相對於束移動。束可藉由可變開孔706被定形，但開孔仍沿雷射束718被定心。第21A圖描繪第8A至8E圖所示的實施例，其中開孔2102中心固定在束軸線718上，條帶相對於束移動，且基材404相對於酬載移動。第21B圖所示的本發明的一替代性實施例係藉由使經定形開孔在一最大視場內移動來生成經轉移線。更確切言之，如第21B圖所示，實施例係包括一具有略微大於典型瑕疵沉積修復的視場之最終透鏡402，譬如，最大視場(FOV)2104可為150微米x150微米。可變開孔2102在此實施例中並未相對於束中心保持呈定心，而是步進橫越視場2104，故取樣視場的一不同部份且因此經墨製條帶的一不同部份以生成經轉移線圖案之所需要線分段。在此實施例中，條帶並未對於各線分段呈步進，而是以至少與最大FOV 2104一樣大之階步產生移位。此實施例可放鬆對於條帶階台722之要求。
如上述，習知生產線配置中，檢視功能係與雷射切割 (炸射)功能合併至單一工具中，且開瑕疵修復係由一分開的工具完成。部分生產線配置使用兩分開的工具以供檢視及雷射切割功能。參照第19A、19B及19C圖，各箱代表板所流向之一不同工具。
對於任何FPD生產線很重要的是FPD板經過生產之流動速率。因為板相對較大(一般為1.5m至2m)且薄(一般為1mm)，板在製程及檢驗工具之間的交遞必須小心地進行。一檢視或修復工具內之典型裝載/對準/卸載時間為45秒。因此，使用三個不同工具亦即檢視工具1902、雷射切割工具1904、及開瑕疵/沉積修復工具1906之第19A圖的順序係需要3x45秒=135秒的每板置頂處置時間(overhead handling time)。具有兩不同工具亦即檢視及切割修復工具1910及開瑕疵/沉積修復工具1906之第19B圖的順序係需要90秒。根據本發明將所有功能合併在單一工具1912內之第19C圖的順序係只需要45秒的處置時間。
根據第19C圖所示之本發明的實施例，檢視操作、直接寫入修復操作及切割修復操作係由單一工具進行。檢視操作提供了時常隨不同板而變之數量、類型、區位、瑕疵尺寸/程度。在瑕疵影像擷取之後的幾乎所有工具步驟處皆需要一通過判斷之手段-譬如，一影像是否真正為一瑕疵而不是誤疵(nuisance)，已經發生何種瑕疵，一特定瑕疵是否需要修復，需要何種修復，需要什麼修復參數，下個受修復瑕疵是什麼，等等。部分檢視/修復工具係合併工具操作及人員操作者判斷及干預以識別、分類、及然後修復此等 瑕疵。本發明的一實施例係將直接寫入或沉積修復瑕疵識別、分類、沉積修復界定、及執行併入至檢視及切割/沉積修復工具內之一自動瑕疵修復(ADR)方法及架構中。一ADR架構及方法的一範例描述於讓渡予光子動力公司(Photon Dynamics,Inc.)且整體合併於本文中以供參考之美國申請案號60/646111中。更確切言之，對於合併了檢視、切割修復及沉積修復之本發明的一實施例，此一ADR能力係自動地(無人員干預)分析檢視及AOI/測試資料，並隨後識別且分類瑕疵，且然後建置修復參數，且執行修復。
參照第19A、19B及19C圖，置頂處置時間只是用以決定一經最適化工具順序之一因素。亦需考慮對於三個潛在步驟各者之加工時間。典型的每瑕疵檢視時間係為移至瑕疵(通常近似一秒)的時間及檢視瑕疵的時間(近似0.5秒)之總和。藉由雷射切割之修復係為移至瑕疵的時間(譬如1秒)及修復/切割的時間(譬如近似4秒)之總和。藉由沉積之開瑕疵的修復係為移至瑕疵的時間(譬如1秒)及寫入修復的時間之總和。使用LCVD方法的沉積修復可能花費60秒每修復，而使用經配送墨水之修復且包括固化係可能花費10秒每修復。需要修復之經檢視瑕疵的百分比可隨不同使用者、依據不同板而變。需要切割之修復的百分比vs.需要材料沉積者亦可能改變。
表1為數個示範性瑕疵及每板需要修復者之近似分解項目。將估計值正常化至100。表中包括經估計之每瑕疵的加工時間。
一範例中，若總共有100瑕疵，經由表1所示的分佈，完成檢視及修復的總加工時間顯示於表2中。
先前技藝LCVD沉積步驟係添加近似100秒每板且從檢視工具運送該板至專用LCVD工具之要求添加了另外的45秒。在一工具中包括整合式沉積修復、檢視及切割修復之本發明係被顯示為比起一二工具組態亦即具有一進行檢視/切割操作的第一工具及另一進行LCVD沉積操作之工具者節省了近似145秒。
FPD生產線可包括直列式裝備，其中個別的板從工具流至工具，或者其可利用具有多重經堆積板之卡匣，其從工具左轉(port)至工具。第19A、19B、19C圖所示之任何的流皆將適合一直列式生產線，而與LOR加工時間的長度無關。然而，對於使用卡匣之裝備，總是有可能將在卡匣內 的至少一板上發現一開瑕疵。更一般來說，一卡匣內之各板係有可能具有至少一開瑕疵。然後，整體卡匣必須被“拿起(held up)”以供這些少數瑕疵的沉積修復。任一案例中，一短沉積修復加工時間遠比一較長加工時間更為有利。為此，因為一短沉積修復時間通常穩穩低於處置時間，根據本發明且如第19C圖所示，一具有整合式檢視/切割修復/及沉積修復之工具係提供優於第19A及19B圖所示工具之數項優點。
參照第19A、19B圖所示的習知系統，首先可檢視所有潛在瑕疵，然後可修復所有需要雷射切割之瑕疵，接著修復所有開瑕疵。或者，所有開瑕疵可在所有需要雷射切割的瑕疵之後被修復。任一案例皆需要兩次移動至一受修復瑕疵，第一次為了檢視，而第二次為了修復該瑕疵。參照本發明的第19C圖，潛在瑕疵可被檢視且立即修復(雷射切割或沉積)。因此，根據本發明的一實施例，一瑕疵只被定位一次。
本發明的上述實施例係為示範性而非限制性。可能有不同替代及均等物。雖然已藉由範例參照一平板陣列修復來描述本發明，請瞭解本發明可適用於FPD內的其他修復製程，諸如色濾器修復、或面板修復。並且，本發明可使用於需要沉積的直接寫入應用中，諸如微電子電路生成及修復，平板及太陽面板上之電路列印、或太陽面板的修復、或電容器、電池、半導體電路等的生成。其他添加、減除或修改可從鑒於本揭示得知並預定落在申請專利範圍之範圍內。
32,34,46‧‧‧金屬線
36‧‧‧雷射
38‧‧‧鈍化層
42,44‧‧‧接觸電極
110‧‧‧金屬突件瑕疵
112‧‧‧ITO
114‧‧‧ITO突件
116‧‧‧金屬
118‧‧‧鼠咬
120‧‧‧開路
122‧‧‧短路
124‧‧‧電晶體
126‧‧‧異物粒子
400‧‧‧流變材料的雷射轉移所需要之設備
402‧‧‧物或最終透鏡,直接寫入最終透鏡,第二最終透鏡
404‧‧‧基材平面,接收基材
406‧‧‧透明條帶
408‧‧‧流變材料或墨水
410‧‧‧經轉移圖案
412‧‧‧操作間隙
416‧‧‧脈衝式雷射束
420‧‧‧井深度
422‧‧‧非凹入表面,條帶的底表面
424‧‧‧凹入井,條帶平面,墨水/條帶介面
500‧‧‧檢視及修復設備,檢視及修復工具,工具
502‧‧‧構杆
504‧‧‧檢視及炸射功能,檢視及炸射修復功能
506,606‧‧‧直接寫入功能,直接寫入模組
508‧‧‧條帶裝載/卸載區塊
510‧‧‧較大儲存容器,條帶儲存容器,條帶儲存區塊
520‧‧‧區塊
530‧‧‧卡匣,新條帶
532‧‧‧經使用條帶
550,650‧‧‧工具的光學件酬載,酬載/固化源,酬載/雷射,檢視及修復酬載
600‧‧‧檢視及修復工具
602‧‧‧經墨製部分
620‧‧‧可更換卡匣,可更換隨選條帶倉匣
622‧‧‧新鮮倉匣
660‧‧‧酬載
700‧‧‧光學件模組,光學區塊
702‧‧‧修復雷射,雷射及光學件總成
704‧‧‧雷射及光學件總成
706‧‧‧可變形狀開孔,可變開孔
708‧‧‧酬載成像區塊
710‧‧‧自動聚焦,自動聚焦功能,自動聚焦單元,自動聚焦總成, 固化源
712‧‧‧固化硬體
714‧‧‧透鏡安裝板,單一軸線階台板
715‧‧‧固化源
716‧‧‧透鏡,檢視最終透鏡
718‧‧‧雷射束,光學件/束路徑,光學束路徑,光學軸線,光學路徑,同軸光學/束路徑,束軸線,束/成像軸線,最終透鏡光學軸線,雷射束路徑
720‧‧‧Z軸線階台,直接寫入總成Z階台
720A,720D‧‧‧Z動作軸線
722‧‧‧動作裝置,第二軸線,條帶安裝板
722A‧‧‧X(或Y)階台,X或Y動作軸線
722B-3‧‧‧位置
722D‧‧‧θ階台,條帶安裝板,第二動作軸線
722D-1‧‧‧寫入θ位置
722D-2,852‧‧‧條帶總成歸始位置
722D-3‧‧‧裝載/卸載θ位置
724‧‧‧條帶滑架總成
740‧‧‧可移式最終透鏡總成
800‧‧‧直接寫入最終透鏡光學軸線,最終透鏡402的光學軸線
802‧‧‧樞軸點
810‧‧‧條帶安裝板722的下表面
820,1120‧‧‧開孔
830‧‧‧焦平面,最終透鏡,墨水/條帶介面
832‧‧‧寫入高度Zdw
834‧‧‧Z開始 接近最終透鏡830的 焦平面之條帶安裝板722的下表面810之標稱高度
836‧‧‧Z歸始 Z方向中之歸始位置,基材以上之安全間隙高度
838‧‧‧位置Z裝載
852‧‧‧歸始位置
854‧‧‧寫入位置
856‧‧‧裝載/卸載位置
900,900A,900B,900C‧‧‧條帶製備模組
902‧‧‧接取捲軸
904‧‧‧供應捲軸
906,1202‧‧‧列印頭
908‧‧‧滾軋銷
910,1600‧‧‧條帶
950,1300‧‧‧隨選條帶總成
1000‧‧‧凹部
1002‧‧‧雷射束
1004‧‧‧墨水配送器
1006‧‧‧墨水材料
1008,1208,1308‧‧‧刮刃
1012‧‧‧成像攝影機
1014‧‧‧經平置墨水
1102‧‧‧墨水/流變材料
1104‧‧‧墨水容器
1106,1108‧‧‧墊片或密封件
1110‧‧‧槽
1112‧‧‧所想要的厚度
1202‧‧‧透明列印頭
1204‧‧‧供應模組
1206‧‧‧貯器
1210‧‧‧凹入槽或通路
1220‧‧‧孔
1304‧‧‧造井機構
1306‧‧‧墨水/配送器
1310‧‧‧可調整導件
1400‧‧‧製程
1402,1404,1406,1410,1420,1430,1440,1450,1460,1470,1472,1474,1476,1478,1480‧‧‧步驟
1504,1506,1508,1510,1512,1514‧‧‧步驟
1522,1524,1526‧‧‧步驟
1542,1544,1546,1548‧‧‧步驟
1551,1552,1554,1556,1558,1559‧‧‧步驟
1582,1584,1586,1588‧‧‧步驟
1602‧‧‧條帶1600的經墨製部分
1604‧‧‧弧動作
1606‧‧‧可能寫入路徑
1702,1704‧‧‧條帶井
1706‧‧‧弧路徑動作
1708‧‧‧線性路徑動作
1712,1714‧‧‧材料
1802‧‧‧可移式覆蓋件
1804‧‧‧額外機構
1806‧‧‧靜態擱架,覆蓋件
1902‧‧‧檢視工具
1904‧‧‧雷射切割工具
1906‧‧‧開瑕疵/沉積修復工具
1912‧‧‧單一工具
2002‧‧‧玻璃
2004‧‧‧SiNx
2006‧‧‧有機鈍化層
2008‧‧‧像素ITO層
2010‧‧‧開資料線,開資料線瑕疵
2014‧‧‧修復線
2016‧‧‧有機材料
2018‧‧‧第二金屬線
2102‧‧‧可變開孔
2104‧‧‧視場
H1‧‧‧擱架以上之高度
第1圖顯示如先前技藝所習知具有週期性電晶體陣列之一大扁平圖案狀媒體的一部分之俯視圖中的數個非週期性瑕疵；第2A及2B圖顯示如先前技藝所習知一具有一突件瑕疵之裝置在修復之前與之後的橫剖視圖；第3A至3E圖顯示如先前技藝所習知一具有一開路瑕疵之裝置在修復之前與之後的橫剖視圖；第4A圖顯示根據本發明的一實施例之一適可用於從一條帶轉移材料至一基材的直接寫入雷射轉移之設備的橫剖視圖；第4B圖顯示根據本發明另一實施例之一適可用於從一條帶轉移材料至一基材之直接寫入雷射轉移的設備之示意橫剖視圖；第4C圖顯示根據本發明的一實施例之使用於第4B圖的設備中之具有凹入井的條帶；第5A圖為根據本發明的一實施例之一整合式檢視/修復工具之功能方塊圖；第5B圖為根據本發明的一實施例之一兩檢視/修復工具的方塊圖，其各具有由單一條帶製備站所供應之新條帶的一相關聯卡匣；第6圖為根據本發明另一實施例之一整合式檢視/修復工具的功能方塊圖；第7圖為根據本發明的一實施例之第5A及6圖的光學 件酬載之方塊圖；第8A圖顯示根據本發明的一實施例之第7圖的可移式最終透鏡總成及直接寫入模組之不同組件；第8B圖顯示相對於可移式最終透鏡總成之最終透鏡的光學軸線之對於條帶的三個線性X位置；第8C圖顯示相對於接收基材之對於條帶的臨界Z位置；第8D圖顯示根據本發明的一實施例之第7圖的可移式最終透鏡總成及直接寫入模組之不同組件；第8E圖顯示相對於用於第8D圖實施例之最終透鏡的光學軸線之對於條帶的三個旋轉(theta，θ)位置；第9圖為根據本發明的一實施例之一隨選條帶總成；第10圖顯示根據本發明的一實施例之第9圖的條帶製備模組之不同組件；第11A及11B圖為根據本發明另一實施例之第9圖之條帶製備模組的組件之側視圖及俯視圖；第12A圖為根據本發明另一實施例之一隨選條帶總成；第12B-12E圖為第12A圖的條帶製備模組之不同橫剖視圖；第13A-13C圖為根據本發明另一實施例之一隨選條帶總成的數個圖式；第14圖為根據本發明的一實施例之用以進行一瑕疵的直接寫入修復所執行步驟之流程圖；第15A-15E圖提供與第14圖的流程圖相關聯之數個步驟的更詳細描述； 第16A及16B圖為一經墨製條帶的俯視圖，其分別顯示用於第8A及8D圖所示的兩實施例之相對於雷射束的動作方向；第17A及17B圖為各具有兩經墨製區之經墨製條帶的俯視圖，其分別顯示用於第8A及8D圖所示的兩實施例之相對於雷射束的動作方向；第17C圖為一具有交替順序之兩不同材料的經墨製區域之條帶的俯視圖，且顯示用於第8A圖所示實施例之相對於雷射束的動作方向；第18A圖顯示一適可將一可移式覆蓋件放置在停駐在一歸始位置中之條帶的經墨製部分上方之實施例；第18B及18C圖為一適可將條帶放置在一靜態擱架上方之實施例的側視圖；第18D圖為第18B及18C圖所示實施例之條帶在靜態擱架上方的旋轉運動之俯視圖；第19A圖為顯示如先前技藝所習知經由一順序的一檢視工具、雷射切割修復工具、及沉積修復工具之平板顯示器之方塊圖；第19B圖為顯示如先前技藝所習知經由一順序的檢視/雷射切割修復工具及一沉積修復工具之平板顯示器板的流程之方塊圖；第19C圖為顯示根據本發明的一實施例之經由包括整合式檢視、雷射切割修復、及沉積修復功能之單一工具平板顯示器板的流程之方塊圖； 第20A圖為一在一像素底下具有厚鈍化層之開資料線的橫剖視圖；第20B及20C圖顯示利用習知方法之第20A圖的開資料線之修復；第20D圖顯示根據本發明之第20A圖的開資料線之完成的修復；第21A圖為相對於一被定心在束軸線上的束定形開孔經由轉移線分段具有一經墨製條帶移動且相對於束具有兩軸線中的一基材移動之雷射轉移設備的示意圖；第21B圖為具有一被定位在一最大值視場內的束開孔、及一以至少等於最大視場的階步移動之經墨製條帶、及一相對於束在兩軸線中移動的基材之雷射轉移設備的另一實施例之示意圖。
400‧‧‧流變材料的雷射轉移所需要之設備
402‧‧‧物或最終透鏡,直接寫入最終透鏡,第二最終透鏡
404‧‧‧基材平面,接收基材
406‧‧‧透明條帶
408‧‧‧流變材料或墨水
410‧‧‧經轉移圖案
412‧‧‧操作間隙
416‧‧‧脈衝式雷射束

Claims (68)

  1. 一種設備，包含：一成像區塊，其包含一攝影機及一照射器；一第一透鏡，其選擇性地定位為與該成像區塊的光學路徑呈同軸，以將該攝影機聚焦在形成於基材上之結構上，致能進行該結構的檢視；一雷射總成，其適可輸送具有與該成像區域的光學路徑呈同軸之光學路徑的雷射束；該第一透鏡進一步適可將該雷射束聚焦在該結構上，藉以若經檢視之該結構被識別為需要作材料移除，則移除出現於該結構中之一材料；一滑架總成，其適可將塗覆有流變化合物之一條帶攜載且定位於該雷射束的路徑中；一第二透鏡，其適可若經檢視之該結構被識別為需要作材料轉移，則選擇性地定位為與該成像區塊的光學路徑呈同軸，該第二透鏡適可將該雷射束聚焦於該條帶上，藉以將該定位於雷射束路徑中之流變材料轉移至該結構；及一自動聚焦感測器，其具有與該成像區塊的光學路徑呈同軸之光學路徑，且適可在該材料移除期間將該基材與該第一透鏡之間的距離維持在一預定範圍內，該自動聚焦感測器亦適可在該流變化合物的轉移期間將該條帶與該第二透鏡之間的距離維持在該預定範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該成像區塊進一步 適可在自其移除該材料之後擷取該結構的一影像。
  3. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該成像區塊進一步適可在該流變化合物沉積在該基材上之後擷取該結構的一影像。
  4. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該自動聚焦感測器係為一追蹤自動聚焦感測器，其適可當該條帶相對於該基材移動時將該條帶與該基材之間的一距離維持在一預定範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1項之設備，進一步包含：一可變形狀開孔，其適可當該條帶相對於該雷射束移動沿該雷射束保持定心(centered)。
  6. 如申請專利範圍第1項之設備，進一步包含：一可變開孔，其適可沿該雷射束的一中心改變，藉以步進橫越該第二透鏡的一視場。
  7. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該雷射束中具有同時地出現之複數個波長。
  8. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該雷射總成適可在任何給定時間將該雷射束的一波長設定至複數個波長中的一者。
  9. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該雷射總成進一步包含一適可改變該雷射束的一脈衝長度之控制器。
  10. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該雷射束進一步適可固化該基材上所沉積之該流變化合物。
  11. 如申請專利範圍第1項之設備，進一步包含： 一固化硬體，其包含一適可加熱該基材上所沉積的該流變化合物之熱源。
  12. 如申請專利範圍第11項之設備，其中該熱源為一第二雷射束。
  13. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該基材係為選自一由平板顯示器及太陽面板所組成的群組之一面板。
  14. 如申請專利範圍第1項之設備，其中經沉積之該流變化合物提供一對節點之間的一電性連接。
  15. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該條帶包含：一第一凹入井，其塗覆有該流變化合物，該第一凹入井適可定位在該雷射束的路徑中，而該雷射束可操作來將該流變化合物轉移至該基材，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  16. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該條帶進一步包含：一第二凹入井，其塗覆有一第二流變化合物，該第二凹入井適可定位在該雷射束的路徑中，而該雷射束可操作來將該第二流變化合物轉移至該基材。
  17. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該條帶包含：一第一複數個凹入井，其沿著該條帶的一長度形成，該第一複數個凹入井的各者塗覆有一第一流變化合物；及一第二複數個凹入井，其與該第一複數個凹入井交織(interleaved)，該第二複數個凹入井的各者塗覆有一不同於該第一流變化合物之第二流變化合物，該複數個第 一及第二凹入井的各者適可定位於該雷射束的路徑中，而該雷射束可操作來將配置於各凹入井中的該流變化合物轉移至該基材，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  18. 如申請專利範圍第1項之設備，進一步包含：一條帶製備總成，其適可隨選地(on-demand)製備該條帶。
  19. 如申請專利範圍第18項之設備，其中該條帶製備總成適可製備一條帶而其包含一塗覆有該流變化合物的第一凹入井，該第一凹入井適可定位於該雷射束的路徑中，而該雷射束可操作來將該流變化合物轉移至該基材，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  20. 如申請專利範圍第19項之設備，其中該條帶進一步包含一塗覆有一第二流變化合物之第二凹入井，該第二凹入井適可定位在該雷射束的路徑中，而該雷射束可操作來將該第二流變化合物轉移至該基材。
  21. 如申請專利範圍第18項之設備，其中該條帶製備總成適可製備一條帶，其包含：一第一複數個凹入井，其沿著該條帶的一長度形成，該第一複數個凹入井的各者塗覆有一第一流變化合物；及一第二複數個凹入井，其與該第一複數個凹入井交織，該第二複數個凹入井的各者塗覆有一不同於該第一流變化合物之第二流變化合物，該複數個第一及第二凹入井的各者適可定位在該雷射束的路徑中，而該雷射 束可操作來將配置於各凹入井中的該流變化合物轉移至該基材，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  22. 如申請專利範圍第1項之設備，進一步包含：一第一Z軸線控制器，其適可相對於該基材且平行於該光學路徑移動該第一透鏡的一位置；及一第二Z軸線控制器，其亦適可相對於該第二透鏡且平行於該光學路徑移動該條帶的一位置。
  23. 如申請專利範圍第22項之設備，其中該第二Z軸線控制器進一步適可將該條帶停駐於一歸始位置中。
  24. 如申請專利範圍第23項之設備，進一步包含：一覆蓋件，其適可當該條帶停駐在該歸始位置中時覆蓋該條帶。
  25. 如申請專利範圍第24項之設備，進一步包含：一溫度控制器，其適可控制停駐在該覆蓋件中之該條帶的一溫度。
  26. 如申請專利範圍第23項之設備，其中該第二Z軸線控制器進一步適可將該條帶移至一裝載/卸載高度，以致能該條帶的更換。
  27. 如申請專利範圍第22項之設備，進一步包含：一旋轉軸線控制器，其適可沿一平行於該光學路徑的軸線並相對於該第二透鏡旋轉該條帶。
  28. 如申請專利範圍第27項之設備，其中該旋轉軸線控制器以一第一角度旋轉該條帶，以將該條帶停駐在一歸始位置中。
  29. 如申請專利範圍第27項之設備，其中該旋轉軸線控制器以一第二角度旋轉該條帶，以致能作該條帶的更換。
  30. 如申請專利範圍第1項之設備，進一步包含：一軸線控制器，其適可在一垂直於該雷射束的光學路徑之平面中移動該條帶的一相對位置。
  31. 如申請專利範圍第30項之設備，進一步包含：一軸線控制器，其適可在一垂直於該雷射束的光學路徑之平面中移動該基材的一相對位置。
  32. 一種設備，包含：一成像區塊，其包含一攝影機及一照射器；一第一透鏡，其選擇性地定位為與該成像區塊的光學路徑呈同軸，以將該攝影機聚焦在形成於該基材上之結構上，致能進行該結構的檢視；一雷射總成，其適可輸送具有與該成像區域的光學路徑呈同軸之光學路徑之雷射束，該第一透鏡進一步適可將該雷射束聚焦在該結構上，藉以若經檢視之該結構被識別為需要作材料移除，則移除出現於該結構中之一材料；一滑架總成，其適可將塗覆有一流變化合物之條帶攜載且定位於該雷射束的路徑中；一第二透鏡，其適可若經檢視之該結構被識別為需要作材料轉移，則選擇性地定位為與該成像區塊的光學路徑呈同軸，該第二透鏡適可將該雷射束聚焦於該條帶上，藉以將該定位於該雷射束的路徑中之該流變材料轉 移至該結構；一第一Z軸線控制器，其適可相對於該基材且平行於該光學路徑移動該第一透鏡的一位置；及一第二Z軸線控制器，其亦適可相對於該第二透鏡且平行於該光學路徑移動該條帶的一位置。
  33. 如申請專利範圍第32項之設備，其中該第二Z軸線控制器進一步適可將該條帶停駐於一歸始位置中。
  34. 如申請專利範圍第33項之設備，進一步包含：一覆蓋件，其適可當該條帶停駐在該歸始位置中時覆蓋該條帶。
  35. 如申請專利範圍第34項之設備，進一步包含：一溫度控制器，其適可控制停駐在該覆蓋件中之該條帶的溫度。
  36. 如申請專利範圍第32項之設備，進一步包含：一軸線控制器，其適可在一垂直於該雷射束的光學路徑之平面中移動該條帶的一相對位置。
  37. 如申請專利範圍第32項之設備，進一步包含：一軸線控制器，其適可在一垂直於該雷射束的光學路徑之平面中移動該基材的一相對位置。
  38. 一種在一基材上進行一操作之方法，該方法包含：將一第一透鏡選擇性定位為與一成像區塊的一光學路徑呈同軸，以將一配置於該成像區塊中的攝影機聚焦在一形成於該基材上之結構上，致能進行該結構的一影像之擷取以檢視該結構； 沿著該光學路徑將一雷射束輸送至該結構；若經檢視之該結構被識別為需要作材料移除，則將該第一透鏡選擇性定位為與該光學路徑呈同軸；利用該第一透鏡將該雷射束聚焦在該結構上，藉以移除一出現於該結構中之材料；將塗覆有一流變化合物的條帶定位在該雷射束的路徑中；若經檢視之該結構被識別為需要作材料轉移，則將一第二透鏡選擇性定位為與該光學路徑呈同軸；利用該第二透鏡將該雷射束聚焦在該條帶上，藉以將該流變化合物轉移至該結構；在該材料移除期間將該基材與該第一透鏡之間的距離維持在預定範圍內；及在該流變化合物轉移期間將該條帶與該第二透鏡之間的距離維持在該預定範圍內。
  39. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：在自該結構移除該材料之後擷取該結構的一影像。
  40. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：在該流變化合物沉積在該基材上之後擷取該結構的一影像。
  41. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：當該條帶相對於該基材移動時將該條帶與該基材之間的一距離維持在一預定範圍內。
  42. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含： 當該條帶相對於該雷射束移動時將一可變形狀開孔維持成沿該雷射束定心。
  43. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：沿該雷射束的一中心改變一可變開孔，藉以步進橫越該第二透鏡的一視場。
  44. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該雷射束中具有同時地出現之複數個波長。
  45. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：選擇該雷射束的一波長。
  46. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：改變該雷射束的一脈衝長度。
  47. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：利用該雷射束來固化沉積在該基材上之該流變化合物。
  48. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：加熱沉積在該基材上之該流變化合物。
  49. 如申請專利範圍第48項之方法，進一步包含：利用一第二雷射束加熱沉積在該基材上之該流變化合物。
  50. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該基材為選自一由平板顯示器及太陽面板所組成的群組之一面板。
  51. 如申請專利範圍第38項之方法，其中經沉積之該流變化合物提供在一對節點之間的一電性連接。
  52. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該條帶包含一塗覆 有該流變化合物之第一凹入井，該第一凹入井適可定位在該雷射束的光學路徑中，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  53. 如申請專利範圍第52項之方法，其中該條帶進一步包含一塗覆有一第二流變化合物之第二凹入井，該第二凹入井適可定位在該雷射束的光學路徑中。
  54. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該條帶包含：一第一複數個凹入井，其沿著該條帶的一長度形成，該第一複數個凹入井的各者塗覆有該流變化合物；及一第二複數個凹入井，其與該第一複數個凹入井交織，該第二複數個凹入井的各者塗覆有一第二流變化合物，該複數個第一及第二凹入井的各者適可定位在該雷射束的光學路徑中，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  55. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：隨選地製備該條帶。
  56. 如申請專利範圍第55項之方法，其中該條帶包含一塗覆有該流變化合物之第一凹入井，該第一凹入井適可定位在該雷射束的光學路徑中，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  57. 如申請專利範圍第56項之方法，其中該條帶進一步包含一塗覆有一第二流變化合物之第二凹入井，該第二凹入井適可定位在該雷射束的光學路徑中。
  58. 如申請專利範圍第55項之方法，其中該條帶包含： 一第一複數個凹入井，其沿著該條帶的一長度形成，該第一複數個凹入井的各者塗覆有該流變化合物；及一第二複數個凹入井，其與該第一複數個凹入井交織，該第二複數個凹入井的各者塗覆有一第二流變化合物，該複數個第一及第二凹入井的各者適可定位在該雷射束的光學路徑中，該條帶對於該雷射束的一波長為透明。
  59. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：相對於該基材且平行於該光學路徑移動該第一透鏡的一位置；及相對於該第二透鏡且平行於該光學路徑移動該條帶的一位置。
  60. 如申請專利範圍第59項之方法，進一步包含：將該條帶停駐在一歸始位置中。
  61. 如申請專利範圍第60項之方法，進一步包含：覆蓋停駐在該歸始位置中時之該條帶。
  62. 如申請專利範圍第61項之方法，進一步包含：控制經覆蓋之該條帶之一溫度。
  63. 如申請專利範圍第60項之方法，進一步包含：將該條帶移至一裝載/卸載位置，以致能作該條帶之更換。
  64. 如申請專利範圍第59項之方法，進一步包含：使該條帶沿一平行於該光學路徑的軸線相對於該第二透鏡旋轉。
  65. 如申請專利範圍第64項之方法，進一步包含：使該條帶以一第一角度旋轉，以將該條帶停駐在一歸始位置中。
  66. 如申請專利範圍第64項之方法，進一步包含：使該條帶以一第二角度旋轉，以致能作該條帶之更換。
  67. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：在一垂直於該雷射束的光學路徑之平面中移動該條帶的一相對位置。
  68. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含：在一垂直於該雷射束的光學路徑之平面中移動該基材的一相對位置。
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