JPS60211844A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
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- JPS60211844A JPS60211844A JP59067956A JP6795684A JPS60211844A JP S60211844 A JPS60211844 A JP S60211844A JP 59067956 A JP59067956 A JP 59067956A JP 6795684 A JP6795684 A JP 6795684A JP S60211844 A JPS60211844 A JP S60211844A
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は基体上に緻密な絶縁膜を被着する方法に関する
。
。
基体上に緻密な絶縁膜を被着することは、特に半導体工
業において半導体基板上の配線層との間の絶縁あるいは
パッシベーションのために広く行われている。このだめ
には熱ＣＶＤ（化学的気相成長）法やプラズマＣＶＤ法
による絶縁膜の基板上への堆積と、熱アニールによる緻
密化との組合わせが知られている。しかしこれらの技術
には種々の問題が内在している。まず、堆積技術に関し
て言えば熱ＣＶＤ法とは、その名が示す通シかなシの高
温が必要となるため適用範囲が限定されるとともに、室
温に冷却されたときの膜中の内部応力が基板に影響を与
えるという問題を有するし、プラズマＣＶＤ法では、温
度を低く押えることができる反面、基板や基板中に作シ
込まれているデバイスにプラズマ損傷を与え、特性値を
大きく変えてしまうという問題があった。また従来の緻
密化技術では、電気炉による高温を利用するため、たと
えプラズマＣＶＤ法を用いて堆積時にある程度温度を押
えても結果的には、その効果が消失してしまうと言う大
きな問題をかかえていた。
業において半導体基板上の配線層との間の絶縁あるいは
パッシベーションのために広く行われている。このだめ
には熱ＣＶＤ（化学的気相成長）法やプラズマＣＶＤ法
による絶縁膜の基板上への堆積と、熱アニールによる緻
密化との組合わせが知られている。しかしこれらの技術
には種々の問題が内在している。まず、堆積技術に関し
て言えば熱ＣＶＤ法とは、その名が示す通シかなシの高
温が必要となるため適用範囲が限定されるとともに、室
温に冷却されたときの膜中の内部応力が基板に影響を与
えるという問題を有するし、プラズマＣＶＤ法では、温
度を低く押えることができる反面、基板や基板中に作シ
込まれているデバイスにプラズマ損傷を与え、特性値を
大きく変えてしまうという問題があった。また従来の緻
密化技術では、電気炉による高温を利用するため、たと
えプラズマＣＶＤ法を用いて堆積時にある程度温度を押
えても結果的には、その効果が消失してしまうと言う大
きな問題をかかえていた。
本発明は、これに対して低温度の基体の上に絶縁膜を連
続的に堆祖し緻密化することができる方法を提供するこ
とを目的とする。
続的に堆祖し緻密化することができる方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明は、反応ガスに光により反応エネルギーを与えて
基体上に絶縁膜を気相成長させ、次いで可視乃至赤外領
域の光をその絶縁膜に照射して緻密化することによシ上
記の目的を達成する０反応エネルギーを与えるには、エ
ネルギー値に対応する波長よシ短波長の光を用い、通常
１０００ないし４０００Ｘの波長の紫外光が用いられる
０〔発明の実施例〕 以下第１図に示した装置を用いてシリコン基板上に酸化
シリコン膜のパターンを形成した実施例について説明す
る。シリコン基板１は反応室２の底板上罠載置され、ヒ
ータ３によシ２５０℃に加熱される０まず、反応室２内
にマスフローメータ４によシ流量制御してボンベ５より
５ｍｌ／分のＳｉＨ４ガス、ボンベ６よ′り８００ｍ１
／分のＮ２０ガスならびにキャリヤガスとしてボンベ７
よｔ）６５ｍＶ分のＮ２ガスを導入し、真空ポンプ８で
排気して反応室内を１０Ｔｏｒｒ前後の圧力に保つ。次
いで反応エネルギーに対応する１９ａｏ′Ａの波長の紫
外光９をＡｒＦエキシマレーザから基板１の上で焦点を
結ぶようにミラー１０、レンズ１１を介して入射させる
ｏｌＯＲＭ’７−のパワー密度の２μｍ径のビームを、
図示しない可動格子、シャッタ等を用いて所定のパター
ン通りに基板１の上を走査すると、ＳｉＨ４からのシリ
コンとＮ２０の分解によシ生ずる酸素から５０００Ａの
厚さの酸化膜シリコン膜のパターンが形成される。もち
ろん、光の全面照射により基板全面に酸化膜も形成する
ことができる。次に、反応室内ふん囲気をボンベ７から
のＮ２ガスのみに切換え、ミラー１０を回転してＣＯ。
基体上に絶縁膜を気相成長させ、次いで可視乃至赤外領
域の光をその絶縁膜に照射して緻密化することによシ上
記の目的を達成する０反応エネルギーを与えるには、エ
ネルギー値に対応する波長よシ短波長の光を用い、通常
１０００ないし４０００Ｘの波長の紫外光が用いられる
０〔発明の実施例〕 以下第１図に示した装置を用いてシリコン基板上に酸化
シリコン膜のパターンを形成した実施例について説明す
る。シリコン基板１は反応室２の底板上罠載置され、ヒ
ータ３によシ２５０℃に加熱される０まず、反応室２内
にマスフローメータ４によシ流量制御してボンベ５より
５ｍｌ／分のＳｉＨ４ガス、ボンベ６よ′り８００ｍ１
／分のＮ２０ガスならびにキャリヤガスとしてボンベ７
よｔ）６５ｍＶ分のＮ２ガスを導入し、真空ポンプ８で
排気して反応室内を１０Ｔｏｒｒ前後の圧力に保つ。次
いで反応エネルギーに対応する１９ａｏ′Ａの波長の紫
外光９をＡｒＦエキシマレーザから基板１の上で焦点を
結ぶようにミラー１０、レンズ１１を介して入射させる
ｏｌＯＲＭ’７−のパワー密度の２μｍ径のビームを、
図示しない可動格子、シャッタ等を用いて所定のパター
ン通りに基板１の上を走査すると、ＳｉＨ４からのシリ
コンとＮ２０の分解によシ生ずる酸素から５０００Ａの
厚さの酸化膜シリコン膜のパターンが形成される。もち
ろん、光の全面照射により基板全面に酸化膜も形成する
ことができる。次に、反応室内ふん囲気をボンベ７から
のＮ２ガスのみに切換え、ミラー１０を回転してＣＯ。
ガスレーザの波長９．６μｍの発振光１２を基板１の上
に照射すると酸化シリコン膜は９．３５μｍの吸収帯に
よりこの光を吸収し、基板温度の上昇なしに緻密化する
。
に照射すると酸化シリコン膜は９．３５μｍの吸収帯に
よりこの光を吸収し、基板温度の上昇なしに緻密化する
。
さらに、本発明はこのような酸化シリコン膜にとどまら
ず、使用ガス、使用光源を変えることにより各種絶縁膜
を堆積し、緻密化することができる。例えばＳｉＨ４ガ
スと窒素ガスを用いて２００℃の温度のシリコン基板上
に２４８ＯＡの波長のＫｒＦエキシマレーザの発振光を
照射することにより窒化シリコン膜を形成し、波長１０
．６μｍのＣＯ２ガスレーザの発振光によシ緻密化する
ことが有効である。
ず、使用ガス、使用光源を変えることにより各種絶縁膜
を堆積し、緻密化することができる。例えばＳｉＨ４ガ
スと窒素ガスを用いて２００℃の温度のシリコン基板上
に２４８ＯＡの波長のＫｒＦエキシマレーザの発振光を
照射することにより窒化シリコン膜を形成し、波長１０
．６μｍのＣＯ２ガスレーザの発振光によシ緻密化する
ことが有効である。
本発明によれは、基体上に絶縁膜を堆積、緻密化するの
に、光ＣＶＤ法と光エネルギーによるアニールとを組み
合わせて行うもので、基体温度を高くすることなく、同
一反応室内の連続的な操作によ勺緻密な絶縁膜を形成す
ることができ、光の走査によシ絶縁膜パターンの形成も
容易にできる。
に、光ＣＶＤ法と光エネルギーによるアニールとを組み
合わせて行うもので、基体温度を高くすることなく、同
一反応室内の連続的な操作によ勺緻密な絶縁膜を形成す
ることができ、光の走査によシ絶縁膜パターンの形成も
容易にできる。
は基板あるいは基板中に作成されたデバイスに損傷を与
えることがないので極めて有効である。
えることがないので極めて有効である。
第１図は本発明の一実施例のだめの装置の断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・川・反応室、５・
・・・・・５ｉＨ４ボンベ、６・・・・・・Ｎ２０ボン
ベ、７・・・・・・Ｎ２ボンベ、９・・・・・・ＡｒＦ
エキシマレーザｉ、１０・・印・ミラー、１２・・・・
・・Ｃ０２ガスレーザ光。
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・川・反応室、５・
・・・・・５ｉＨ４ボンベ、６・・・・・・Ｎ２０ボン
ベ、７・・・・・・Ｎ２ボンベ、９・・・・・・ＡｒＦ
エキシマレーザｉ、１０・・印・ミラー、１２・・・・
・・Ｃ０２ガスレーザ光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）反応ガスに光によフ反応エネルギーを与えて基体上
に絶縁膜を気相成長させ、次いで該絶縁膜に可視乃至赤
外領域の光を照射して緻密化することを特徴とする絶縁
膜の形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、反応エ
ネルギーを与える光として波長１０００ないし４０００
Ａの紫外光を用いることを特徴とする絶縁膜の形成方法
。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法にお
いて、絶縁膜が酸化シリコン膜であシ、緻密化のために
波長９．６μｍのＣ０２ガスレーザ発振光を用いること
を特徴とする絶縁膜の形成方法。 ４）特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法にお
いて、絶縁膜が窒化シリコン膜であシ、緻密化のために
波長１０．６μｍの００２ガスレ一ザ発振光を用いるこ
とを特徴とする絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067956A JPS60211844A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067956A JPS60211844A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211844A true JPS60211844A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13359913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067956A Pending JPS60211844A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282704A2 (en) * | 1987-03-20 | 1988-09-21 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Method of treating photoresists |
| JPH06283535A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hitachi Ltd | Ｉｃ素子に対する絶縁膜形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123133A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of semiconductor device |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP59067956A patent/JPS60211844A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123133A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282704A2 (en) * | 1987-03-20 | 1988-09-21 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Method of treating photoresists |
| JPH06283535A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hitachi Ltd | Ｉｃ素子に対する絶縁膜形成方法 |
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