JPS60218868A - 複合素子の製造方法 - Google Patents
複合素子の製造方法Info
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- JPS60218868A JPS60218868A JP7470784A JP7470784A JPS60218868A JP S60218868 A JPS60218868 A JP S60218868A JP 7470784 A JP7470784 A JP 7470784A JP 7470784 A JP7470784 A JP 7470784A JP S60218868 A JPS60218868 A JP S60218868A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、一つの半導体基体内に異なる機能を有する複
数の素子が複合されている複合素子の製造方法に関する
。
数の素子が複合されている複合素子の製造方法に関する
。
１枚の半導体基板に複数の素子が形成されている複合素
子は集積回路として知られ、その応扇は−極めて活発で
ある。このような複合素子に含まれる素子は種々の機能
を有するがそれらの素子を保護するために表面に設けら
れる保護膜は通常全面に同じ膜、例えば酸化膜、窒化膜
として形成される。しかし素子の特性からみてこのよう
な保護膜による保設が十分でない場合もあり、さらに基
板全体を樹脂層で被覆封止することが行われている。
子は集積回路として知られ、その応扇は−極めて活発で
ある。このような複合素子に含まれる素子は種々の機能
を有するがそれらの素子を保護するために表面に設けら
れる保護膜は通常全面に同じ膜、例えば酸化膜、窒化膜
として形成される。しかし素子の特性からみてこのよう
な保護膜による保設が十分でない場合もあり、さらに基
板全体を樹脂層で被覆封止することが行われている。
そのため、工程数も多くなり複合素子全体の寸法も大き
くなるという問題があった。
くなるという問題があった。
本発明はこれに対し、複合された各素子の表面をそれぞ
れに対応した保護膜によって覆うことができる複合素子
の製造方法を提供することを目的とする。
れに対応した保護膜によって覆うことができる複合素子
の製造方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、一つの半導体基体内に単位素子領域を
形成後、基体表面に異なる反応ガスを順次接触させ、各
反応ガスに対して反応エネルギーを与える光をいずれか
の単位素子領域上にそれぞれ照射し、各単位素子領域表
面をそれぞれ異なる反応生成物からなる堡詮膜によって
被覆することにより上記目的が達成される。
形成後、基体表面に異なる反応ガスを順次接触させ、各
反応ガスに対して反応エネルギーを与える光をいずれか
の単位素子領域上にそれぞれ照射し、各単位素子領域表
面をそれぞれ異なる反応生成物からなる堡詮膜によって
被覆することにより上記目的が達成される。
以下図を引用して本発明の一実施例について説明する。
第１図はロジック部のＭＯＳ）ランジスタ４１と光セン
サとしてのフォトダイオード４２を有する複合素子の一
部を示す。ｎ形シリコン基板ｌにはｐ形のソース、ドレ
イン領域２および９層３が拡散またはイオン注入により
形成され、フィールド酸化膜４を含む酸化シリコン膜５
が熱酸化法により設けられている。ソース、ドレイン領
域２の間の表面には酸化膜５の上に多結晶シリコンから
なるゲート６が位置し、またソース、ドレイン領域２お
よびフォトダイオード４２のアノード層３には５ｉＯｚ
Ｊ［５の開口部において蒸着Ａｔ配線７が接触している
。さらにこの上全面に酸化シリコン膜８を熱化学的ＣＶ
Ｄ法あるいはプラズマＣＶＤ法により堆積し、アニール
して緻密化されている。
サとしてのフォトダイオード４２を有する複合素子の一
部を示す。ｎ形シリコン基板ｌにはｐ形のソース、ドレ
イン領域２および９層３が拡散またはイオン注入により
形成され、フィールド酸化膜４を含む酸化シリコン膜５
が熱酸化法により設けられている。ソース、ドレイン領
域２の間の表面には酸化膜５の上に多結晶シリコンから
なるゲート６が位置し、またソース、ドレイン領域２お
よびフォトダイオード４２のアノード層３には５ｉＯｚ
Ｊ［５の開口部において蒸着Ａｔ配線７が接触している
。さらにこの上全面に酸化シリコン膜８を熱化学的ＣＶ
Ｄ法あるいはプラズマＣＶＤ法により堆積し、アニール
して緻密化されている。
しかしこの酸化膜では素子を十分保護することができな
い。そうかといって酸化膜８を厚くすれば光センサ部２
２への入射光を吸認してしまう。本発明によればＭＯＳ
）ランジスタ４の上面には窒化シリコンＭ９、フォト
ダイオード４２の上面にはＳｉＯ膜ｌＯを被覆する。こ
のような膜９．１０は、例えば第２図に示す装置によっ
て形成することができる。
い。そうかといって酸化膜８を厚くすれば光センサ部２
２への入射光を吸認してしまう。本発明によればＭＯＳ
）ランジスタ４の上面には窒化シリコンＭ９、フォト
ダイオード４２の上面にはＳｉＯ膜ｌＯを被覆する。こ
のような膜９．１０は、例えば第２図に示す装置によっ
て形成することができる。
第２図において、基板１を反応室２１のヒータ２２が内
蔵された底部２３の上に置き、２ｏｏ℃前後に加熱する
。反応室２１内を真空ポンプ２４により排気したのちマ
スフローメータ２５により流量を制御してボンベ２６よ
りＳｉＨ４ガスヲ７ｏＩＩＵ′―ボンベ２７よりＮＨｓ
ガスを７００ｍ１／ｍの割合で反応室２１内に導入して
圧力をＩＴｏｒｒ前後に保ち、ＡｒＦエキシマレーザの
１９３ ｎｍの波長の光３１を鏡３２、レンズ３３を介
して基板１のＭＯＳ）ランジスタ４１の表面上に照射す
る。これにより混合ガスの光化学反応によってＳ ｉ
３Ｎ４膜９が第１図に示すようにＭＯＳトランジスタ４
１の表面のみを覆う。
蔵された底部２３の上に置き、２ｏｏ℃前後に加熱する
。反応室２１内を真空ポンプ２４により排気したのちマ
スフローメータ２５により流量を制御してボンベ２６よ
りＳｉＨ４ガスヲ７ｏＩＩＵ′―ボンベ２７よりＮＨｓ
ガスを７００ｍ１／ｍの割合で反応室２１内に導入して
圧力をＩＴｏｒｒ前後に保ち、ＡｒＦエキシマレーザの
１９３ ｎｍの波長の光３１を鏡３２、レンズ３３を介
して基板１のＭＯＳ）ランジスタ４１の表面上に照射す
る。これにより混合ガスの光化学反応によってＳ ｉ
３Ｎ４膜９が第１図に示すようにＭＯＳトランジスタ４
１の表面のみを覆う。
次に反応室２１内を再排気後、ボンベ２６から１０ｄ／
ＩＩＩｋ（７）８ｉＨ４カス、ボンベ２８がら８ｏ−／
−のＮ２０ガス、ポンプ２９からＮ２ガス６５−／―を
導入してふん囲気を変える。同様にＡｒＦエキシマレー
ザ光３１を用いて、今度はフォトダイオード４２の表面
上を照射し、反応ガスからＳ ｉｏ２と空気との中間の
屈折率を有するＳｉＯの膜１０を堆積させる。
ＩＩＩｋ（７）８ｉＨ４カス、ボンベ２８がら８ｏ−／
−のＮ２０ガス、ポンプ２９からＮ２ガス６５−／―を
導入してふん囲気を変える。同様にＡｒＦエキシマレー
ザ光３１を用いて、今度はフォトダイオード４２の表面
上を照射し、反応ガスからＳ ｉｏ２と空気との中間の
屈折率を有するＳｉＯの膜１０を堆積させる。
これにより外部からの光は少ない反射で光センサ部に入
射する。さらに窒化膜９の上には光を遮蔽するための金
属膜１１を設ける。この金属膜１１も例えばＡｚ（ＣＨ
ｓ戸とＨｅの混合ガスのふん囲気にしてＡｒ＋レ−サ（
Ｄ ２５７２Ｘ ｌ！ｌＩ’Ｊ１４！（ｆＪｔｔ Ｑ上
Ｒ：Ｕ射して生ずる。Ａｔ膜を用いることができる。窒
化膜９の保護性を高めるため、例えばＣ０２ガスレーザ
光の照射にしてアニールして緻密化することも有効であ
る。
射する。さらに窒化膜９の上には光を遮蔽するための金
属膜１１を設ける。この金属膜１１も例えばＡｚ（ＣＨ
ｓ戸とＨｅの混合ガスのふん囲気にしてＡｒ＋レ−サ（
Ｄ ２５７２Ｘ ｌ！ｌＩ’Ｊ１４！（ｆＪｔｔ Ｑ上
Ｒ：Ｕ射して生ずる。Ａｔ膜を用いることができる。窒
化膜９の保護性を高めるため、例えばＣ０２ガスレーザ
光の照射にしてアニールして緻密化することも有効であ
る。
別の実施例としては複合素子により形成される回路の出
力段には耐熱性の高いプラスチック層を、ロジック部に
はそれほど耐熱性の高くないプラスチック層をそれぞれ
光化学反応により局部的に形成することもできる。
力段には耐熱性の高いプラスチック層を、ロジック部に
はそれほど耐熱性の高くないプラスチック層をそれぞれ
光化学反応により局部的に形成することもできる。
本発明は複合素子の各単位素子の上を光の局部的照射に
より生成される保護膜により各部の機能に応じて被覆す
るもので、光銹起反応は低温で誘起できるため他の素子
に影響を与えることなく、必要な保護特性を与えること
ができる。従って効率的な保詐ができ、保護膜の被覆の
みによるパッケージングも可能になるなど得られる効果
は極めて大きい。
より生成される保護膜により各部の機能に応じて被覆す
るもので、光銹起反応は低温で誘起できるため他の素子
に影響を与えることなく、必要な保護特性を与えること
ができる。従って効率的な保詐ができ、保護膜の被覆の
みによるパッケージングも可能になるなど得られる効果
は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例による複合素子の断面図、第
２図はそれに用いる装置の断面図である。 １・・・シリコン基板、９・・・光ＣＶＤ窒化シリコン
膜、１０・・・光ＣＶＤ−酸化シリコン膜、１１・・・
金属膜、２１・・・反応室、２６・・・８ｉＨ４ボンベ
、２７・・・ＮＨｓボンベ、２８・・・Ｎ２０ボンベ、
２９・・・Ｎ２ボンベ、３１・・・ＡｒＦエキシマレー
ザ光、４１・・・ＭＯＳ）ランジスタ、４２・・・フォ
トダイオード。
２図はそれに用いる装置の断面図である。 １・・・シリコン基板、９・・・光ＣＶＤ窒化シリコン
膜、１０・・・光ＣＶＤ−酸化シリコン膜、１１・・・
金属膜、２１・・・反応室、２６・・・８ｉＨ４ボンベ
、２７・・・ＮＨｓボンベ、２８・・・Ｎ２０ボンベ、
２９・・・Ｎ２ボンベ、３１・・・ＡｒＦエキシマレー
ザ光、４１・・・ＭＯＳ）ランジスタ、４２・・・フォ
トダイオード。
Claims (1)
- １）一つの半導体基体内に複数の単位素子領域を形成後
、基体表面に異なる反応ガスを順次接触させ、各反応ガ
スに対して反応エネルギーを与える光をいずれかの単位
素子領域上にそれぞれ照射し、各単位素子領域表面をそ
れぞれ異なる反応生成物よりなる保護膜によって被覆す
ることを特徴とする複合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7470784A JPS60218868A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 複合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7470784A JPS60218868A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 複合素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218868A true JPS60218868A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13554965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7470784A Pending JPS60218868A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 複合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414955A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Canon Kk | Manufacture of photosensor |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP7470784A patent/JPS60218868A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414955A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Canon Kk | Manufacture of photosensor |
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