JPS60211846A - 多層絶縁膜の形成方法 - Google Patents
多層絶縁膜の形成方法Info
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- JPS60211846A JPS60211846A JP59067959A JP6795984A JPS60211846A JP S60211846 A JPS60211846 A JP S60211846A JP 59067959 A JP59067959 A JP 59067959A JP 6795984 A JP6795984 A JP 6795984A JP S60211846 A JPS60211846 A JP S60211846A
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- Japan
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- reaction chamber
- gas
- reaction
- multilayer insulating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明に基体上に複数層の異なる種類の絶縁膜を積層形
成する方法に関する。
成する方法に関する。
例えば４８導体装置において、半導体基板上の配線導体
膜間の層間絶に膜あるいはパッシベーション膜の界面の
電荷についての特性、あるいは不純物のゲッタリング効
果の向上のために、あるいは光学的素子において透明体
の屈折率を変化させるための表面膜において屈折率の制
御のために多層絶縁膜を用いることは周知である。この
ような多層絶縁膜を熱Ｃ■法やプラズマＣＶＤ技術を用
いて形成する場合、絶縁膜の種類によシ成長温度が異な
るため、同一反応室内で連続的に形成しようとすると、
基板温度を変更するためにかなシの時間を要するし、逆
に時間を短縮するためには異なる反応室内に移し換える
必要があシ、いずれの場合にも表面への不純物の付着に
ょシ絶ｌ＃、膜界面の制御が不充分であシ困難であった
。また、従来の技術、例えば熱ＣＶＤ法では基板温度を
かなシ高く設定せざるを得す、酸化シリコン版では３５
０℃、窒化シリコン膜では７５０℃という高温を使用し
ていた◇そのため基板自体へ種々の異影舎を及はすとと
もに、これらの膜を使用できる条件ががなシ限定されて
しまうという問題があった。
膜間の層間絶に膜あるいはパッシベーション膜の界面の
電荷についての特性、あるいは不純物のゲッタリング効
果の向上のために、あるいは光学的素子において透明体
の屈折率を変化させるための表面膜において屈折率の制
御のために多層絶縁膜を用いることは周知である。この
ような多層絶縁膜を熱Ｃ■法やプラズマＣＶＤ技術を用
いて形成する場合、絶縁膜の種類によシ成長温度が異な
るため、同一反応室内で連続的に形成しようとすると、
基板温度を変更するためにかなシの時間を要するし、逆
に時間を短縮するためには異なる反応室内に移し換える
必要があシ、いずれの場合にも表面への不純物の付着に
ょシ絶ｌ＃、膜界面の制御が不充分であシ困難であった
。また、従来の技術、例えば熱ＣＶＤ法では基板温度を
かなシ高く設定せざるを得す、酸化シリコン版では３５
０℃、窒化シリコン膜では７５０℃という高温を使用し
ていた◇そのため基板自体へ種々の異影舎を及はすとと
もに、これらの膜を使用できる条件ががなシ限定されて
しまうという問題があった。
本発明は、上述の問題点を解決して同一反応室内で低温
の基体上に連続的に多層絶縁膜を形成する方法を提供す
ることを目的とする。
の基体上に連続的に多層絶縁膜を形成する方法を提供す
ることを目的とする。
本発明によれば、反応室内に異なる種類の反応ガスを順
次導入し、光を反応室内に照射して反応エネルギーを与
えることにより、異なる種類の絶縁膜が基体上に積層成
長させられることによって上記の目的が達成される。照
射する光としては、必要なエネルギーを与えるだめの波
長より短い波長の光で、かつ吸収が著しいほど短波長の
光を避けるという根拠から、１００ＯＡないし４０００
Ａの波長の紫外光を用いることが望ましい。
次導入し、光を反応室内に照射して反応エネルギーを与
えることにより、異なる種類の絶縁膜が基体上に積層成
長させられることによって上記の目的が達成される。照
射する光としては、必要なエネルギーを与えるだめの波
長より短い波長の光で、かつ吸収が著しいほど短波長の
光を避けるという根拠から、１００ＯＡないし４０００
Ａの波長の紫外光を用いることが望ましい。
最初に、本発明の一実施例のための装置を示す第１図を
引用して、シリコン基板上に酸化シリコン膜、窒化シリ
コン膜を連続的に形成する方法について述べる。シリコ
ン基板１は、反応室２のヒータ３によシ２００℃に加熱
される底板上に載置されて、天井に設置された低圧水銀
ランプ４からの波長１７００〜２０００Ｘの紫外線を照
射されている。
引用して、シリコン基板上に酸化シリコン膜、窒化シリ
コン膜を連続的に形成する方法について述べる。シリコ
ン基板１は、反応室２のヒータ３によシ２００℃に加熱
される底板上に載置されて、天井に設置された低圧水銀
ランプ４からの波長１７００〜２０００Ｘの紫外線を照
射されている。
反応ガスとしては、先ずマスフローメータ５によって流
量制御されて、ボンベ６から５ｒｒＪ１分のＳｉＨ４ガ
ス、ボンベ７から８００ ｍ１７分のＮ２０ガス、ボン
ベ９から６５ｍ１／分のＮ２ガスを導入し、反応室２内
は真空ポンプ１０によシ排気してＩＴｏｒｒ前後の圧力
に保たれている。上記の反応ガスを１０分間流すことに
より、基板１の上に２ｏｏｏＸの厚さの酸化シリコン膜
が堆積する。次にガスを切換えボンベ６からの５ｉＨ４
を７０ｍ１Ｊ／分、ボンベ８からのＮＨ３を７００ｍ１
／分の割合で１５分間供給すると１００ＯＡの厚さの窒
化シリコン膜が同じく２００℃の低温のシリコン基板１
の上に連続的に形成される。
量制御されて、ボンベ６から５ｒｒＪ１分のＳｉＨ４ガ
ス、ボンベ７から８００ ｍ１７分のＮ２０ガス、ボン
ベ９から６５ｍ１／分のＮ２ガスを導入し、反応室２内
は真空ポンプ１０によシ排気してＩＴｏｒｒ前後の圧力
に保たれている。上記の反応ガスを１０分間流すことに
より、基板１の上に２ｏｏｏＸの厚さの酸化シリコン膜
が堆積する。次にガスを切換えボンベ６からの５ｉＨ４
を７０ｍ１Ｊ／分、ボンベ８からのＮＨ３を７００ｍ１
／分の割合で１５分間供給すると１００ＯＡの厚さの窒
化シリコン膜が同じく２００℃の低温のシリコン基板１
の上に連続的に形成される。
第２図は別の実施例のだめの装置を示し、第１図と共通
の部分には同一の符号が付されている。
の部分には同一の符号が付されている。
この場合は励起光源としてＡｒＦエキシマレーザの波長
１９３闇の発振光１１が反応室２内に入射され、反応ガ
スの切換えによシリコン基板１の上に酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜を連続的に気相成長によシ積層−するこ
とができる。
１９３闇の発振光１１が反応室２内に入射され、反応ガ
スの切換えによシリコン基板１の上に酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜を連続的に気相成長によシ積層−するこ
とができる。
他の構成の多層絶縁膜の形成は、他のＣＶＤ法により公
知の反応ガスを順次切換えて反応室に導入し、それらに
対応する反応エネルギーを与える波長を有する光を反応
室内に入射させることにより同様に連続的にできる。反
応ガスの種類によっては、ガスの切換と共に入射光を切
換えることが有効な場合もある。
知の反応ガスを順次切換えて反応室に導入し、それらに
対応する反応エネルギーを与える波長を有する光を反応
室内に入射させることにより同様に連続的にできる。反
応ガスの種類によっては、ガスの切換と共に入射光を切
換えることが有効な場合もある。
本発明は、複数の異なる種類の絶縁膜を積層するのに光
ＣＶＤ法を用いたもので、同一反応室内で膜種によらず
同一の低い基体温度で実施できるため、基体あるいはそ
の上に既に設けられている層の種類が限定されず、所望
の多層膜を連続的に形成することができる。従って半導
体装置の多層絶縁膜の形成をはじめとして光学素子その
他の製造に極めて有効に適用できる。
ＣＶＤ法を用いたもので、同一反応室内で膜種によらず
同一の低い基体温度で実施できるため、基体あるいはそ
の上に既に設けられている層の種類が限定されず、所望
の多層膜を連続的に形成することができる。従って半導
体装置の多層絶縁膜の形成をはじめとして光学素子その
他の製造に極めて有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例のための装置の断面図、第２
図は別の実施例のだめの装置の断面図である。
図は別の実施例のだめの装置の断面図である。
Claims (1)
- １）反応室内に異なる種類の反応ガスを順次導入し、光
を該反応室内に照射して反応エネルギーを与えることに
よシ、異なる種類の絶縁膜を基体上に積層成長させるこ
とを特徴とする多層絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067959A JPS60211846A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067959A JPS60211846A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211846A true JPS60211846A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13360007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067959A Pending JPS60211846A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 多層絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211846A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186537A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| US4687682A (en) * | 1986-05-02 | 1987-08-18 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. | Back sealing of silicon wafers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494994A (ja) * | 1972-04-27 | 1974-01-17 | ||
| JPS51147485A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-17 | Fujitsu Ltd | Method of forming multi-layer coating |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP59067959A patent/JPS60211846A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494994A (ja) * | 1972-04-27 | 1974-01-17 | ||
| JPS51147485A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-17 | Fujitsu Ltd | Method of forming multi-layer coating |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186537A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| US4687682A (en) * | 1986-05-02 | 1987-08-18 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. | Back sealing of silicon wafers |
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