JPH0421780A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0421780A JPH0421780A JP2123570A JP12357090A JPH0421780A JP H0421780 A JPH0421780 A JP H0421780A JP 2123570 A JP2123570 A JP 2123570A JP 12357090 A JP12357090 A JP 12357090A JP H0421780 A JPH0421780 A JP H0421780A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体層と絶縁層とを連続して生産性良く製造
することのできる、例えばＥＬ素子の製造に利用できる
気相成長装置に関する。
することのできる、例えばＥＬ素子の製造に利用できる
気相成長装置に関する。
〈従来の技術〉
薄膜ＥＬ素子は、少なくとも一方が透明な電極間に絶縁
層−発光層−絶縁層の三層を挾んだ、いわゆる二重絶縁
層構造が、安定性、信頼性に優れているために、この構
造で実用化されている。この薄膜ＥＬ素子は、従来、発
光層が電子ビーム蒸着法によりＺｎＳ：Ｍｎ膜を形成し
て作製され、絶縁層が反応性スパッタ法によりＳｉ３Ｎ
４膜等を形成して作製されている。また、近年は大面積
に均一な薄膜を形成するのにより適しており、優れたＥ
Ｌ素子を作製することのできる化学的気相成長法（以下
「ＣＶＤ法」と略す）による発光層の作製法（例えば特
公昭６０−４７７１７．特開平１２８９０９１）や、金
属アルコキシドを用いたＣＶＤ法による絶縁層の作製法
（例えば特開昭６１２９６６８０ 、 Ｊ、 Ａ、 Ａ
ｂｏａｆ ： Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、５ｏｃ
１１４、９４８ ｒ１９６７））についての検討が行わ
れている。
層−発光層−絶縁層の三層を挾んだ、いわゆる二重絶縁
層構造が、安定性、信頼性に優れているために、この構
造で実用化されている。この薄膜ＥＬ素子は、従来、発
光層が電子ビーム蒸着法によりＺｎＳ：Ｍｎ膜を形成し
て作製され、絶縁層が反応性スパッタ法によりＳｉ３Ｎ
４膜等を形成して作製されている。また、近年は大面積
に均一な薄膜を形成するのにより適しており、優れたＥ
Ｌ素子を作製することのできる化学的気相成長法（以下
「ＣＶＤ法」と略す）による発光層の作製法（例えば特
公昭６０−４７７１７．特開平１２８９０９１）や、金
属アルコキシドを用いたＣＶＤ法による絶縁層の作製法
（例えば特開昭６１２９６６８０ 、 Ｊ、 Ａ、 Ａ
ｂｏａｆ ： Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、５ｏｃ
１１４、９４８ ｒ１９６７））についての検討が行わ
れている。
そして、いずれの作製法を用いる場合にも、上記薄膜Ｅ
Ｌ素子は、まず絶縁層形成装置で絶縁層を形成した後、
発光層の形成装置に基板を移設し、発光層を形成した後
再び絶縁層形成装置に基板を移設するという工程により
作製されている。
Ｌ素子は、まず絶縁層形成装置で絶縁層を形成した後、
発光層の形成装置に基板を移設し、発光層を形成した後
再び絶縁層形成装置に基板を移設するという工程により
作製されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記のように、従来薄膜ＥＬ素子は、絶縁層と発光層を
移設を伴って別々の装置で作製していたので、生産性が
悪く量産化の際の問題となっていた。
移設を伴って別々の装置で作製していたので、生産性が
悪く量産化の際の問題となっていた。
そこで、本発明は基板の移動を伴うことなく連続して、
ＥＬ素子用の絶縁層−発光層−絶縁層の三層を形成する
めに利用できる、半導体層と絶縁層を短時間に連続して
形成できる装置を提供することを目的とする。
ＥＬ素子用の絶縁層−発光層−絶縁層の三層を形成する
めに利用できる、半導体層と絶縁層を短時間に連続して
形成できる装置を提供することを目的とする。
この目的のために、本発明者らは第３図に示すよりなＣ
ＶＤ装置を考案し、これによる薄膜ＥＬ素子の製造につ
いての検討を行った。本装置は反応管４の一端から原料
が供給され、他端から排気される構造を有しており、反
応管４の周囲に３つの独立した部分ヒーター７．８ａ、
８ｂが設けられた構造となっている。反応管４内は、こ
の部分ヒーター７．８ａ、８ｂにより原料領域Ａ、＠段
温調領域Ｂおよび基板温度領域Ｃの３つの温度領域に分
割される。絶縁層は、金属アルコキシドをバブリングに
よりキャリアガスに担持させるためのバブリングシステ
ム１とバブリングシステムｌからのキャリアガスを前段
温調領域Ｂまで導く導入管７により、金属アルコキシド
が反応管４内に供給され、これが熱分解されて基板温度
領域Ｃに設置される基板５へ形成されるようになってい
る。
ＶＤ装置を考案し、これによる薄膜ＥＬ素子の製造につ
いての検討を行った。本装置は反応管４の一端から原料
が供給され、他端から排気される構造を有しており、反
応管４の周囲に３つの独立した部分ヒーター７．８ａ、
８ｂが設けられた構造となっている。反応管４内は、こ
の部分ヒーター７．８ａ、８ｂにより原料領域Ａ、＠段
温調領域Ｂおよび基板温度領域Ｃの３つの温度領域に分
割される。絶縁層は、金属アルコキシドをバブリングに
よりキャリアガスに担持させるためのバブリングシステ
ム１とバブリングシステムｌからのキャリアガスを前段
温調領域Ｂまで導く導入管７により、金属アルコキシド
が反応管４内に供給され、これが熱分解されて基板温度
領域Ｃに設置される基板５へ形成されるようになってい
る。
発光層は、原料領域ＡＫ設けられた原料供給管２と原料
供給管３内に、母体原料と発光センター原料がそれぞれ
設置され、原料供給管２．３に導入されるキャリアガス
によって反応管４内に供給されて基板５へ形成されるよ
うＫなっている。本装置によれば、同一装置内で、基板
の移動を伴うことなく、絶縁層−発光層−絶縁層の三層
を連続して形成することができる。
供給管３内に、母体原料と発光センター原料がそれぞれ
設置され、原料供給管２．３に導入されるキャリアガス
によって反応管４内に供給されて基板５へ形成されるよ
うＫなっている。本装置によれば、同一装置内で、基板
の移動を伴うことなく、絶縁層−発光層−絶縁層の三層
を連続して形成することができる。
しかしながら、本装置では異なる層の形成反応への移行
に長時間を有する。すなわち、各層を形成する際、基板
温度は４００〜６００℃に設定される。そして、絶縁層
形成に際しては、はとんどの金属アルコキシド材料が約
３００℃から分解し始めるために、原料領域Ａは１００
〜１５０℃程度に保持され、前段温調領域Ｂは２００〜
２５０℃に保持される（第４図（ａ））。発光層形成に
際しては、発光層母体原料の昇華及び発光センター原料
とキャリアガスの反応に８００〜１０００℃の高温が必
要となるために、原料領域Ａは８００〜１０００℃に、
前段温調領域Ｂは６００〜７００℃に設定される（第４
図（ｂ））。このために、絶縁層形成後の発光層の形成
に際しては、原料領域Ａ及び前段温調領域Ｂの昇温か、
発光層形成後の絶縁層の形成には、原料領域Ａ及び前段
温調領域Ｂの冷却が必要となり、上記三層の形成に時間
がかかる。
に長時間を有する。すなわち、各層を形成する際、基板
温度は４００〜６００℃に設定される。そして、絶縁層
形成に際しては、はとんどの金属アルコキシド材料が約
３００℃から分解し始めるために、原料領域Ａは１００
〜１５０℃程度に保持され、前段温調領域Ｂは２００〜
２５０℃に保持される（第４図（ａ））。発光層形成に
際しては、発光層母体原料の昇華及び発光センター原料
とキャリアガスの反応に８００〜１０００℃の高温が必
要となるために、原料領域Ａは８００〜１０００℃に、
前段温調領域Ｂは６００〜７００℃に設定される（第４
図（ｂ））。このために、絶縁層形成後の発光層の形成
に際しては、原料領域Ａ及び前段温調領域Ｂの昇温か、
発光層形成後の絶縁層の形成には、原料領域Ａ及び前段
温調領域Ｂの冷却が必要となり、上記三層の形成に時間
がかかる。
そこで、本発明では絶縁層と発光層をさらに短時間で形
成できるものとした。尚、第４図は第３図に示す装置内
の概略温度分布を示す図である。
成できるものとした。尚、第４図は第３図に示す装置内
の概略温度分布を示す図である。
く課題を解決するための手段〉
本発明の気相成長装置は、気相成長部に１つ以上の半導
体層用の固体原料供給路と１つ以上の金属アルコキシド
供給路とが接続され、上記気相成長部には該気相成長部
内の温度を上記金属アルコキシド供給路内の温９よりも
高温に保つ能力を有する第１の加熱手段が備えられ、上
記固体原料供給路には該固体原料供給路内の温度を上記
気相成長部内の温度よりも高温に保つ能力を有する第２
の加熱手段が備えられ、上記金属アルコキシド供給路に
は金属アルコキシド供給路内の温度を一定に保つ能力を
有する第３の加熱手段が備えられていることを特徴とす
る。
体層用の固体原料供給路と１つ以上の金属アルコキシド
供給路とが接続され、上記気相成長部には該気相成長部
内の温度を上記金属アルコキシド供給路内の温９よりも
高温に保つ能力を有する第１の加熱手段が備えられ、上
記固体原料供給路には該固体原料供給路内の温度を上記
気相成長部内の温度よりも高温に保つ能力を有する第２
の加熱手段が備えられ、上記金属アルコキシド供給路に
は金属アルコキシド供給路内の温度を一定に保つ能力を
有する第３の加熱手段が備えられていることを特徴とす
る。
〈作 用〉
本発明の装置では、気相成長部に基板が設置され、固体
原料供給路内に半導体層用の固体原料が設置される。そ
して、基板が所定温度となるように第１の加熱手段によ
り気相成長部内が加熱され、固体原料供給路内が第２の
加熱手段により金属アルコキシド供給路内が第３の加熱
手段によりそれぞれ所定の温度分布となるように加熱さ
れる。このとき、一般に、固体原料供給炉内の温度は固
体原料設置部で最も高くする必要があり、この温度は基
板温度よりも高くなる。また、アルコキシド供給炉内の
温度は一定温度に保つ必要があり、これは基板温度より
も低くなる。第１．第２及び第３の加熱手段はそれぞれ
独立に制御されて上記の温度状態を保つように働く。
原料供給路内に半導体層用の固体原料が設置される。そ
して、基板が所定温度となるように第１の加熱手段によ
り気相成長部内が加熱され、固体原料供給路内が第２の
加熱手段により金属アルコキシド供給路内が第３の加熱
手段によりそれぞれ所定の温度分布となるように加熱さ
れる。このとき、一般に、固体原料供給炉内の温度は固
体原料設置部で最も高くする必要があり、この温度は基
板温度よりも高くなる。また、アルコキシド供給炉内の
温度は一定温度に保つ必要があり、これは基板温度より
も低くなる。第１．第２及び第３の加熱手段はそれぞれ
独立に制御されて上記の温度状態を保つように働く。
そして、半導体層形成時には、固体原料供給路内に装置
外部よりキャリアガスが導入され、該キャリアガスに半
導体層用原料が担持されて基板上に供給され半導体層が
形成され、絶縁層形成時には、本装置の外部装置でキャ
リアガスに金属アルコキシドが担持させられ、このキャ
リアガスが金属アルコキシド供給路を経て基板上に供給
されて絶縁層が形成される。
外部よりキャリアガスが導入され、該キャリアガスに半
導体層用原料が担持されて基板上に供給され半導体層が
形成され、絶縁層形成時には、本装置の外部装置でキャ
リアガスに金属アルコキシドが担持させられ、このキャ
リアガスが金属アルコキシド供給路を経て基板上に供給
されて絶縁層が形成される。
〈実施例〉
以下実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
第１図は本実施例の装置を説明する図であり、同図（ａ
）は本実施例装置の概略構造図、同図（ｂ）は本実施例
装置を使用する際の設定温度概略分布図である。本実施
例の装置は、基板５が配置される気相成長部４ｂに固体
原料供給路４ａと金属アルコキシド供給路４Ｃとが接続
された構成となっているっ気相成長部４ｂには加熱ヒー
ター７が、固体原料供給路４ａには加熱ヒーター８ａ
、８ｂが、金属アルコキシド供給路４Ｃには加熱ヒータ
ー９ａ 、９ｂが備えられている。本実施例では半導体
層をＥＬ発光層とするために固体原料供給路４ａには母
体原料供給管２と発光センター原料供給管３が、加熱ヒ
ーター８ａにより温度制御される原料領域Ａ内に設けら
れている。尚、加熱ヒーター８ｂにより前段温調領域Ｂ
が形成されている。金属アルコキシド供給路４ｃには、
導入管６が設けられバブリングシステム！、１′が接続
されており、加熱ヒーター９ａにより金属アルコキシド
供給路４ｃの一部が加熱されて前段温調領域Ｂ′が形成
され、加熱ヒーター９ｂにより導入管６内には温度領域
Ａ′が形成されている。本装置では、加熱ヒーター７．
８ａ及び８ｂ、並びに９ａ及び９ｂがそれぞれ第１．第
２．第３の加熱手段となっている。尚、バブリングシス
テム１，１′も加熱手段を備えている。
）は本実施例装置の概略構造図、同図（ｂ）は本実施例
装置を使用する際の設定温度概略分布図である。本実施
例の装置は、基板５が配置される気相成長部４ｂに固体
原料供給路４ａと金属アルコキシド供給路４Ｃとが接続
された構成となっているっ気相成長部４ｂには加熱ヒー
ター７が、固体原料供給路４ａには加熱ヒーター８ａ
、８ｂが、金属アルコキシド供給路４Ｃには加熱ヒータ
ー９ａ 、９ｂが備えられている。本実施例では半導体
層をＥＬ発光層とするために固体原料供給路４ａには母
体原料供給管２と発光センター原料供給管３が、加熱ヒ
ーター８ａにより温度制御される原料領域Ａ内に設けら
れている。尚、加熱ヒーター８ｂにより前段温調領域Ｂ
が形成されている。金属アルコキシド供給路４ｃには、
導入管６が設けられバブリングシステム！、１′が接続
されており、加熱ヒーター９ａにより金属アルコキシド
供給路４ｃの一部が加熱されて前段温調領域Ｂ′が形成
され、加熱ヒーター９ｂにより導入管６内には温度領域
Ａ′が形成されている。本装置では、加熱ヒーター７．
８ａ及び８ｂ、並びに９ａ及び９ｂがそれぞれ第１．第
２．第３の加熱手段となっている。尚、バブリングシス
テム１，１′も加熱手段を備えている。
以下に本装置により第２図に示す構造を有するＥＬ素子
を製造した場合について説明する。
を製造した場合について説明する。
ガラス基板等の透光性基板３１上にＩＴＯ膜３２を約３
ｏｏｏＸ形成し、エツチングにより該ＩＴＯ膜３２をス
トライプ状に形成したものを基板５とし、これを本装置
内にセットした後、第１図（ｂ） Ｆ示すような所定の
温度分布になるように装置内の昇温を行う。この後、絶
縁層３３はＡｔ（ＯＣ３Ｈ７）３及びＴａ（ＯＣ２Ｈ５
）５の金属アルコキシドをそれぞれバブリングシステム
１及び１′に入れ、Ｎ２．Ｈｅガス等の不活性ガスをバ
ブリングガスとして用いることにより反応炉４内へ輸送
し、約４５０ｔに保持された基板５上へ熱分解により約
ａ ｏ ｏ ｏＸ形成する。Ａｔ（ＯＣ３Ｈ７）ａ及び
Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５は、それぞれ約１２０℃及び約１
４０℃に保温し、導入管６は、気化したアルコキシドが
再び凝縮（液化）するのを防ぐため約１８０℃に加熱し
た。尚、成膜速度は、原料の供給量と基板温度に強く依
存し、原料供給量はバブラーの保持温度とバブリングガ
ス流量により制御できる。基板温度は通常４００〜６０
０℃の範囲で設定されるが、本実施例の温度では、バブ
リングガスＮ２流量を２５〜＋００ＳＣＣＭとすること
により、Ａｚ２ｏ３膜において〜２００久／ ｍ ｉ
ｎまたＴａ２０５膜において〜１００Ａ／ｍｉｎが得ら
れる。本条件下でバブリング／ステム１及び１′に流す
Ｎ２キャリアガスの流量と時間を制御する事により、Ａ
ｔ２０３膜及びＴａ２０５膜からなる各層が任意の厚み
を有する積層膜またはＴ ａ Ａ Ｉ Ｏｘ の混合膜
等が簡単に形成できる。またキャリアガスと同時に０２
や０３を流すことにより分解温度を制御することも可能
である。尚、前段温調領域Ｂ′は先の考案による装置と
同様の２００〜２５０℃に保持する。
ｏｏｏＸ形成し、エツチングにより該ＩＴＯ膜３２をス
トライプ状に形成したものを基板５とし、これを本装置
内にセットした後、第１図（ｂ） Ｆ示すような所定の
温度分布になるように装置内の昇温を行う。この後、絶
縁層３３はＡｔ（ＯＣ３Ｈ７）３及びＴａ（ＯＣ２Ｈ５
）５の金属アルコキシドをそれぞれバブリングシステム
１及び１′に入れ、Ｎ２．Ｈｅガス等の不活性ガスをバ
ブリングガスとして用いることにより反応炉４内へ輸送
し、約４５０ｔに保持された基板５上へ熱分解により約
ａ ｏ ｏ ｏＸ形成する。Ａｔ（ＯＣ３Ｈ７）ａ及び
Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５は、それぞれ約１２０℃及び約１
４０℃に保温し、導入管６は、気化したアルコキシドが
再び凝縮（液化）するのを防ぐため約１８０℃に加熱し
た。尚、成膜速度は、原料の供給量と基板温度に強く依
存し、原料供給量はバブラーの保持温度とバブリングガ
ス流量により制御できる。基板温度は通常４００〜６０
０℃の範囲で設定されるが、本実施例の温度では、バブ
リングガスＮ２流量を２５〜＋００ＳＣＣＭとすること
により、Ａｚ２ｏ３膜において〜２００久／ ｍ ｉ
ｎまたＴａ２０５膜において〜１００Ａ／ｍｉｎが得ら
れる。本条件下でバブリング／ステム１及び１′に流す
Ｎ２キャリアガスの流量と時間を制御する事により、Ａ
ｔ２０３膜及びＴａ２０５膜からなる各層が任意の厚み
を有する積層膜またはＴ ａ Ａ Ｉ Ｏｘ の混合膜
等が簡単に形成できる。またキャリアガスと同時に０２
や０３を流すことにより分解温度を制御することも可能
である。尚、前段温調領域Ｂ′は先の考案による装置と
同様の２００〜２５０℃に保持する。
次に、絶縁層原料の供給を停止し、基板温度領域Ｃの温
度を加熱ヒーター７により調整して基板温度を約５００
℃になるまで昇温する。これには約１０分間を要する。
度を加熱ヒーター７により調整して基板温度を約５００
℃になるまで昇温する。これには約１０分間を要する。
この後、発光層３４は、母体原料としてＺｎＳを、発光
センター原料としてＭｎを供給して、ＺｎＳ：Ｍｎ膜を
約６０００Ｘ形成する。この時、ＺｎＳ：Ｍｎ膜は約１
００Ａ／ｍｉｎで成長する。母体原料のＺｎＳは約９０
０〜１０００℃に加熱し、蒸気となったものをＨ２のキ
ャリアガスを用いて供給する。尚、Ｈ２Ｋ代えてＨｅ等
を用いても良い。発光センター原料のＭｎは約８００〜
９００℃に加熱したＭｎ上にＨＣｔガスを導入すること
により、 Ｍｎ（固体）＋ ２ＨＣｔ（ガス）−＋ＭｎＣ６２（ガ
ス）＋Ｈ２（ガス） の反応により反応管４内へ供給する。尚、発光センター
原料としてはＺｎＣｌ２．Ｈ２Ｓ、ＭｎＣｌ２等のガス
ソースを直接導入しても良い。また、ＺｎＳ原料とＭｎ
原料の温度差を設けるには、原料供給管２，３内での位
置を互いにずらせば良い。前段温調領域Ｂは６００〜７
００℃に保持する。
センター原料としてＭｎを供給して、ＺｎＳ：Ｍｎ膜を
約６０００Ｘ形成する。この時、ＺｎＳ：Ｍｎ膜は約１
００Ａ／ｍｉｎで成長する。母体原料のＺｎＳは約９０
０〜１０００℃に加熱し、蒸気となったものをＨ２のキ
ャリアガスを用いて供給する。尚、Ｈ２Ｋ代えてＨｅ等
を用いても良い。発光センター原料のＭｎは約８００〜
９００℃に加熱したＭｎ上にＨＣｔガスを導入すること
により、 Ｍｎ（固体）＋ ２ＨＣｔ（ガス）−＋ＭｎＣ６２（ガ
ス）＋Ｈ２（ガス） の反応により反応管４内へ供給する。尚、発光センター
原料としてはＺｎＣｌ２．Ｈ２Ｓ、ＭｎＣｌ２等のガス
ソースを直接導入しても良い。また、ＺｎＳ原料とＭｎ
原料の温度差を設けるには、原料供給管２，３内での位
置を互いにずらせば良い。前段温調領域Ｂは６００〜７
００℃に保持する。
次に、再び基板温度を約４５０℃に戻し、絶縁層３５の
形成をする。この絶縁層３５は絶縁層３３と同様にして
形成する。
形成をする。この絶縁層３５は絶縁層３３と同様にして
形成する。
以上のようにして絶縁層３３−発光層３４−絶縁層３５
を形成した後、基板５を本装置より取り出し、Ａｔ電極
３６をＩＴＯ電極と交差する方向にストライプ状に形成
し、薄膜ＥＬ素子が完成する。
を形成した後、基板５を本装置より取り出し、Ａｔ電極
３６をＩＴＯ電極と交差する方向にストライプ状に形成
し、薄膜ＥＬ素子が完成する。
本装置を用いると、以上のように連続して絶縁層３３−
発光層３４−絶縁層３５の三層を形成することができる
のであるが、以下に■従来の装置、■先の考案のＣＶＤ
装置、■本発明実施例の装置の各装置を用いて上記三層
を形成した場合の工程についての比較を示す。
発光層３４−絶縁層３５の三層を形成することができる
のであるが、以下に■従来の装置、■先の考案のＣＶＤ
装置、■本発明実施例の装置の各装置を用いて上記三層
を形成した場合の工程についての比較を示す。
以下余白
■従来
Ｉ）基板セント
↓
２）昇温
↓
３）第１絶縁層
↓
４）降温
■先の考案の装置
１）基板セント
↓
２）昇温
↓
３）第１絶縁層
↓
４）炉内温度分布変更
■本実流例の装置
１）基板セント
↓
２）昇温
↓
３）第１絶縁層
↓
４）基板温度変更
７）発光層
↓
８〕降温
発光層
↓
炉内温度分布変更
５）発光層
↓
６）基板温度変更
１１）第２絶縁層
↓
１２）降温
第２絶縁層
↓
降温
７）第２絶縁層
↓
８〕降温
以上示したように、本実施例による装置を用いると従来
の複数の装置を用いる場合に比べて、４工程が省略でき
る。また、第３図に示した装置に比べて工程数は同じで
あるが製造時間が短縮できる。これは、工程４）と工程
６）において、第３図の装置では約８００℃の温度変化
を伴うために各工程に約１５０分を要するのに対し、本
実施例の装置では約５０℃の温度変化を伴うだけである
ので各工程に約１０分を要するだけであることによる。
の複数の装置を用いる場合に比べて、４工程が省略でき
る。また、第３図に示した装置に比べて工程数は同じで
あるが製造時間が短縮できる。これは、工程４）と工程
６）において、第３図の装置では約８００℃の温度変化
を伴うために各工程に約１５０分を要するのに対し、本
実施例の装置では約５０℃の温度変化を伴うだけである
ので各工程に約１０分を要するだけであることによる。
さらに、本実施例の装置において、絶縁層形成時と発光
層形成時の基板温度を園−とすれば、工程４）と工程６
）をさらに除くことができ、待ち時間をなくしてさらに
短時間で連続して上記三層を形成することができる。
層形成時の基板温度を園−とすれば、工程４）と工程６
）をさらに除くことができ、待ち時間をなくしてさらに
短時間で連続して上記三層を形成することができる。
以上、本発明の一実施例の装置について説明したが、装
置の構成は第１図に限られるものではなく、発光層原料
供給路を例えば母体原料供給用と発光センター供給用の
２つとする等複数としても良く、さらには絶縁層原料供
給路を複数としても良い。
置の構成は第１図に限られるものではなく、発光層原料
供給路を例えば母体原料供給用と発光センター供給用の
２つとする等複数としても良く、さらには絶縁層原料供
給路を複数としても良い。
また、本装置で作製される発光層は上記水したものに限
られるものではなく、例えばＺｎＳ：Ｍｎ。
られるものではなく、例えばＺｎＳ：Ｍｎ。
ＺｎＳ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｓｍ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＳｒＳ：
Ｃｅ等の作製に用いることもできる。さらに、本装置で
用いられる絶縁層材料は上記水したものに限られるもの
ではなく、広く金属アルコキシド全般を用いることがで
き、例えばＡｔ（ＯＣ２Ｈ５）３．Ｔｉ（ＯＣ２Ｈ５）
４゜Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｈ５）４等を用いることができる
。
Ｃｅ等の作製に用いることもできる。さらに、本装置で
用いられる絶縁層材料は上記水したものに限られるもの
ではなく、広く金属アルコキシド全般を用いることがで
き、例えばＡｔ（ＯＣ２Ｈ５）３．Ｔｉ（ＯＣ２Ｈ５）
４゜Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｈ５）４等を用いることができる
。
〈発明の効果〉
本発明によれば、半導体層と絶縁層を基板の移動を伴う
ことなく連続して短時間で形成することが可能となる。
ことなく連続して短時間で形成することが可能となる。
特に、本発明による装置を用いれば、薄膜ＥＬパネルの
生産性が飛躍的に向上し、量産効果により低コストで表
示品質に優れた薄膜ＥＬ素子の生産が可能となる。
生産性が飛躍的に向上し、量産効果により低コストで表
示品質に優れた薄膜ＥＬ素子の生産が可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図は実施例に
示すＥＬ素子の構造を示す図、第３図は先の考案のＣＶ
Ｄ装置の概略構造図、第４図は第３図に示す装置内の概
略温度分布を示す図である。 １．１’・・バブリングシステム ２・母体原料供給管
３・・・発光センター原料供給管 ４ａ ・発光層原
料供給路 ４ｂ・・気相成長領域 ４Ｃ・絶縁層原料供
給路 ４ 反応管 ６・導入管 ７．８ａ。 ８ｂ、９・・・加熱ヒーター
示すＥＬ素子の構造を示す図、第３図は先の考案のＣＶ
Ｄ装置の概略構造図、第４図は第３図に示す装置内の概
略温度分布を示す図である。 １．１’・・バブリングシステム ２・母体原料供給管
３・・・発光センター原料供給管 ４ａ ・発光層原
料供給路 ４ｂ・・気相成長領域 ４Ｃ・絶縁層原料供
給路 ４ 反応管 ６・導入管 ７．８ａ。 ８ｂ、９・・・加熱ヒーター
Claims (1)
- １．気相成長部に１つ以上の半導体層用の固体原料供給
路と１つ以上の金属アルコキシド供給路とが接続され、
上記気相成長部には該気相成長部内の温度を上記金属ア
ルコキシド供給路内の温度よりも高温に保つ能力を有す
る第１の加熱手段が備えられ、上記固体原料供給路には
該固体原料供給路内の温度を上記気相成長部内の温度よ
りも高温に保つ能力を有する第２の加熱手段が備えられ
、上記金属アルコキシド供給路には金属アルコキシド供
給路内の温度を一定に保つ能力を有する第３の加熱手段
が備えられていることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123570A JPH0421780A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 気相成長装置 |
| US07/698,797 US5223305A (en) | 1990-05-14 | 1991-05-13 | Apparatus for vapor deposition |
| FI912316A FI95933C (fi) | 1990-05-14 | 1991-05-13 | Laite höyrykerrostamisen suorittamiseksi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123570A JPH0421780A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421780A true JPH0421780A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14863850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123570A Pending JPH0421780A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 気相成長装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5223305A (ja) |
| JP (1) | JPH0421780A (ja) |
| FI (1) | FI95933C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188112A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相処理装置、気相処理方法および基板 |
| US7955437B2 (en) * | 2000-12-12 | 2011-06-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Apparatus for fabricating a III-V nitride film |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5648113A (en) * | 1994-09-30 | 1997-07-15 | International Business Machines Corporation | Aluminum oxide LPCVD system |
| US5782980A (en) * | 1996-05-14 | 1998-07-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem |
| US6198074B1 (en) * | 1996-09-06 | 2001-03-06 | Mattson Technology, Inc. | System and method for rapid thermal processing with transitional heater |
| US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| EP2400046A1 (en) * | 2001-03-30 | 2011-12-28 | Technologies and Devices International Inc. | Method and apparatus for growing submicron group III nitride structures utilizing HVPE techniques |
| US7501023B2 (en) * | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
| US20070032046A1 (en) * | 2001-07-06 | 2007-02-08 | Dmitriev Vladimir A | Method for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run and semiconductor structure grown thereby |
| US20060011135A1 (en) * | 2001-07-06 | 2006-01-19 | Dmitriev Vladimir A | HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run |
| US6613143B1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-09-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for fabricating bulk GaN single crystals |
| CN107785488A (zh) | 2016-08-25 | 2018-03-09 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备及其使用方法和应用 |
| FR3130276A1 (fr) * | 2021-12-15 | 2023-06-16 | Safran Ceramics | Installation de traitement thermochimique et procédé de fabrication d’une pièce de friction en matériau composite |
Citations (3)
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| JPS6122619A (ja) * | 1984-05-25 | 1986-01-31 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 気相エピタキシヤル成長装置 |
| JPH01289091A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-21 | Sharp Corp | エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047717A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | Nippon Denso Co Ltd | ショックアブソ−バ制御装置 |
| JPS61296680A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | 松下電工株式会社 | 薄膜型ｅｌ素子の製法 |
| JPS6291494A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-25 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物半導体単結晶成長方法及び装置 |
| FR2670219B1 (fr) * | 1990-12-07 | 1993-03-19 | Europ Propulsion | Appareil et creuset pour depot en phase vapeur. |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2123570A patent/JPH0421780A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-13 FI FI912316A patent/FI95933C/fi not_active IP Right Cessation
- 1991-05-13 US US07/698,797 patent/US5223305A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI95933B (fi) | 1995-12-29 |
| FI912316A0 (fi) | 1991-05-13 |
| FI912316A (fi) | 1991-11-15 |
| FI95933C (fi) | 1996-04-10 |
| US5223305A (en) | 1993-06-29 |
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