JP3285897B2 - 酸化物超電導体製造用cvd原料の気化方法および気化装置 - Google Patents
酸化物超電導体製造用cvd原料の気化方法および気化装置Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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Description
をCVD法によって作製するためのCVD原料の気化方
法および気化装置に関し、均一かつ安定な原料ガスの長
時間にわたる供給を可能ならしめたものである。
として化学気相蒸着法(以下、CVD法という)を用
い、基板上に膜状の酸化物超電導体を形成する方法が知
られている。このCVD法による酸化物超電導体の製造
方法は、基板の選択性が少なく、例えば、可撓性に優れ
た金属材料製の薄帯に、厚さ数10μmオーダーの膜を
容易に形成できる方法であり、しかも成膜速度が速いこ
とから、長尺の酸化物超電導体を製造できる方法として
注目されている。
製造するには、酸化物超電導体の構成元素の有機金属錯
体(気相源)が収納された複数のバブラにアルゴンガス
などのキャリアガスを導入してバブリングを行い、有機
金属錯体のガスを発生させる。次に、各バブラから取り
出された有機金属錯体のガスを含む原料ガスを混合して
リアクタに導入し、リアクタの内部において、熱、光、
プラズマあるいはレーザ光などによって混合ガスを分解
し、リアクタ内に配置された基板上に膜状の酸化物超電
導体を形成することで酸化物超電導体を製造している。
させるとともに複数の原料ガスを混合してリアクタに輸
送するための気化装置として、図4に示すような気化装
置が使用されている。この気化装置は、粉末状(固体)
の有機金属錯体Cを収納する容器本体1と、この容器本
体1にキャリアガスを導入するための供給管2と、容器
本体1から原料ガスを取り出すための取出管3とを備え
たバブラ4を複数備えて構成されている。また、これら
各バブラ4の取出管3は輸送管5に接続した構成になっ
ている。また、この輸送管5はリアクタ6に接続されて
いる。
し、上記粉末状の有機金属錯体を気化させるとともに、
各供給管2からキャリアガスを各容器本体1内に供給
し、発生した原料ガスを各取出管3を介して輸送管5に
送り、輸送管5で各原料ガスを混合してリアクタ6に送
るようになっている。
下に述べるような種々の問題があった。まず第1に、原
料ガスの通路となる取出管3と輸送管5がいずれも細い
ために、これらの管内で僅かな温度ムラを生じても原料
ガスの一部が固化して、管内を閉塞してしまうという問
題があった。また、第2に容器本体1を高温に加熱する
際に粉末状の原料を溶融させてしまった場合、気化処理
後に固化した原料が変質し、キャリアガスの供給管2を
完全に閉塞してしまうという問題があった。
るために図5に示す構成の気化装置10を提案している
(特願平1−34466号)。この気化装置は、補助ガ
スの導入管15と混合ガスの取出管14とを接合してな
る混合筒11と、この混合筒11の側面に接合された複
数の気化筒12と、各気化筒12の端面に接続されたキ
ャリアガスの導入管16とを具備した構成となってい
る。また、上記混合筒11は取出管14及び導入管15
よりも大きな外径となるように、また、気化筒12は導
入管16よりも大きな外径となるように、混合筒11は
気化筒12よりも大きな外径となるように各々形成され
ている。また導入孔13は、気化筒12の内径よりも小
さくなるように形成されている。
の内部に有機金属錯体を収納しておき、これを加熱して
分解させるとともに、各気化筒12にキャリアガスを送
ることによって原料ガスを発生させ、これらの原料ガス
を混合筒11で混合してリアクタに送ることで目的の酸
化超電導体を成膜する事ができるようになっている。
筒12の内径を導入孔13の内径と導入管16の内径よ
りも大きくなるように形成し、また混合筒11の内径
は、上記気化筒12の内径よりもさらに大きく形成した
ので、気化筒12と混合筒11において目詰まりを起こ
すことなく成膜できる特徴がある。
化装置10にあっては、気化筒12に収納した有機金属
錯体を加熱して気化させる際、気化進行速度の微妙なコ
ントロールが困難であった。また、このように気化進行
速度のコントロールがうまくいかないと、リアクタ内に
所望の組成の原料ガスを長時間にわたり供給することも
困難となり、しいては所望の組成の超電導体が得にくく
なる恐れもある。従ってこの気化装置10はこれらの点
で未だ改良の余地があった。
一定量の原料ガスを長時間にわたり均一に発生させるこ
とを可能ならしめる酸化物超電導体製造用CVD原料の
気化方法の提供を目的とする。
電導体を構成する各元素の化合物を気化せしめ、それを
混合した状態でリアクタ内に供給し、リアクタの内部で
化学蒸着によって基材上に酸化物超電導体を生成させる
CVD法における酸化物超電導体製造用CVD原料の気
化方法において、内部に上記化合物を収納する反応筒内
の該化合物を、加熱手段により加熱気化させるととも
に、この加熱操作の際に該加熱手段による該化合物の加
熱領域を該反応筒に対して一方側に相対的に移動させ、
該反応筒内の該化合物を順次気化せしめることにより解
決される。
料の気化方法で用いる気化装置は、内部に酸化物超電導
体を構成する各元素の化合物を収納する反応筒と、該反
応筒の外側に設けられた加熱手段と、該加熱手段による
該化合物の加熱領域を該反応筒の一方側に相対的に移動
させる移動手段とを備えた構成であることが望ましい。
酸化物超電導体製造用CVD原料の気化方法を用いたC
VD法により作製される酸化物超電導体には、Y−Ba
−Cu−O系、Tl−Ba−Ca−O系や、Bi−Sr
−Ca−Cu−O系などがある。例えば、Y−Ba−C
u−O系の酸化物超電導体の作製では、Y-ビス-2,2,6,
6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート(略称:Y
(DPM)3)やBa-ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-
ヘプタンジオナート(略称:Ba(DPM)2)などの
原料が使用される。
するには、気化装置により気化された原料ガスを酸素と
混合してリアクタ内に供給する。この、酸素と原料ガス
との混合ガスはリアクタ内のにおいて加熱されて分解さ
れ、さらに光(レーザ、UVなど)、プラズマ、熱等に
より雰囲気中のO2ガスと反応してリアクタ内の基板上
に所望の組成の酸化物超電導体として成膜される。な
お、この時基板は、必要に応じ数百℃に加熱しておくの
が望ましい。
D原料の気化方法において好適に用いられる酸化物超電
導体製造用CVD原料の気化装置を例を挙げて説明す
る。図1は、本発明の酸化物超電導体製造用CVD原料
の気化装置の第1の例を示すものであり、図中符号20
は気化装置である。この気化装置20は、気化筒21
と、この気化筒21の外方に位置する管状炉22と、上
記気化筒21の内部に備えられ、かつ固体原料を載置す
るための原料ボート23と、上記気化筒21の内にキャ
リアガスを送通するためのマスフローコントローラ24
と、上記管状炉22を気化筒21の長手方向に移動させ
るための移動装置25とから構成されている。
部には容器状の原料ボート23が設けられ、さらにこの
原料ボート23には酸化物超電導体製造用の原料Gが収
納されている。この原料Gは、酸化物超電導体を構成す
る元素の化合物である。また、上記気化筒21の一端側
には気化筒21内へアルゴンガスなどのキャリアガスを
送通するためのマスフローコントローラ24が連設さ
れ、他端には原料ガス供給孔Hが形成されている。
1内の原料Gを加熱し気化させるための加熱手段として
誘導加熱方式の管状炉22が備えられ、さらにこの管状
炉22は、移動装置25により気化筒21の外方を長手
方向に移動する事ができるようになっている。また、上
記管状炉22には温度コントローラ26が設けられ、管
状炉の温度を適宜調節して気化筒21の加熱温度をコン
トロールすることができるようになっている。
本発明の酸化物超電導体製造用CVD原料の気化方法の
一例を示す。まず、気化筒21内の原料ボート23内に
酸化物超電導体製造用の原料Gを収容する。この時、原
料Gは原料ボート内に均一に分布されるのが望ましく、
粉状の状態にしておくと好ましい。次に、管状炉22の
スイッチをいれ、温度コントローラで管状炉22の温度
を制御しつつ、さらに移動装置25を操作して管状炉2
2を気化筒21の長手方向の一方側に所定の速度で移動
させながら気化筒21内部を加熱する。続いて気化筒2
1の一端に連設したマスフロコントローラ24を操作し
て気化筒21内にキャリアガスを送通し、原料ガスがガ
ス供給孔Hを経てリアクタ27に供給される。
本数は、1本に限定されず多数本用いても良く、さらに
他の気化方式を採用した気化筒と併用して用いても良
い。
気化方法にあっては、原料の加熱操作時において、管状
炉22を気化筒21の長手方向の一方側に所定の速度で
移動させながら気化筒21内部を加熱する操作を設けた
構成としたので、リアクタ27に長時間にわたり安定な
原料ガスの供給が可能となる。従って、線材のような長
尺の基材に酸化物超電導体を合成する際に特に有効であ
る。
述した構成としたので、固体を原料とするCVD装置に
適用可能であり、特に熱に不安定な原料にも適用するこ
とができる。また、気化筒21をガラス製にすれば、気
化の様子を肉眼で観察することができる。
状炉22が移動装置25により気化筒21の外方を長手
方向に移動する事ができるようにし、さらに上記管状炉
22には温度コントローラ26を設け、管状炉22の温
度を適宜調節して気化筒21の加熱温度をコントロール
することができるような構成としたので、気化装置20
を用いてリアクタ27内の基板に酸化物超電導体を蒸着
している途中の任意の時点で、管状炉22の移動速度や
温度を適宜変更することができる。従って、多様な作製
条件の設定が可能である。
VD原料の気化方法において好適に用いられる酸化物超
電導体製造用CVD原料の気化装置の第2の例を示すも
ので、図中符号30は気化装置である。本例の気化装置
30と先の例の気化装置20との相違点は、管状炉22
による原料Gの加熱領域を気化筒21の長手方向に対し
て一方側にかつ相対的に移動させるための加熱領域の移
動手段が、気化筒21の内部に設けられた移動ベルト3
1と、この移動ベルト31の上に備えられた原料ボート
23と、移動ベルト31上の原料ボート23が気化筒2
1の長手方向に移動するように移動ベルト31を操作す
る原料ボート移動装置32とから構成されている点で、
後の構成は先の第1の例の気化装置20と同じである。
の酸化物超電導体製造用CVD原料の気化方法の一例を
示す。まず、気化筒21内の原料ボート23内に酸化物
超電導体製造用の原料Gを収容する。次に管状炉22の
スイッチをいれ、温度コントローラで管状炉22の温度
を制御しつつ、さらに原料ボート移動装置32を操作し
て、移動ベルト31上の原料ボート23を気化筒21の
長手方向の一方側に所定の速度で移動させながら気化筒
21内部を加熱する。続いて気化筒21の一端に連設し
たマスフロコントローラ24を操作して気化筒21内に
キャリアガスを送通し、原料ガスがガス供給孔Hを経て
リアクタ27に供給される。なお、本例の気化装置30
にあっても先の第1の例で述べた気化装置20と同様の
効果を示す。
VD原料の気化方法において好適に用いられる酸化物超
電導体製造用CVD原料の気化装置の第3の例を示すも
ので、図中符号40は気化装置である。本例の気化装置
40と先に述べた2つの例の気化装置20および気化装
置30との相違点は、管状炉22による原料Gの加熱領
域を気化筒21の長手方向に対して一方側にかつ相対的
に移動させるための加熱領域の移動手段が、気化筒21
の外部に設けられ、かつ気化筒21を所定の速度で水平
方向に移動させることのできる気化筒移動装置41であ
る点で、後の構成は先の第1の例および第2の例の気化
装置20,30と同じである。
の酸化物超電導体製造用CVD原料の気化方法の一例を
示す。まず、気化筒21内の原料ボート23内に酸化物
超電導体製造用の原料Gを収容する。次に、管状炉22
のスイッチをいれ、温度コントローラで管状炉22の温
度を制御しつつ、さらに気化筒移動装置32を操作し
て、気化筒21を水平方向に所定の速度で移動させなが
ら気化筒21内部を加熱する。続いて気化筒21の一端
に連設したマスフロコントローラ24を操作して気化筒
21内にキャリアガスを送通し、原料ガスがガス供給孔
Hを経てリアクタ27に供給される。なお、本例の気化
装置40にあっても先の第1の例および第2の例で述べ
た気化装置20,30と同様の効果を示す。
原料Gの加熱領域を気化筒21の長手方向に対して一方
側にかつ相対的に移動させるための加熱領域の移動手段
がそれぞれ異なっているが、これら移動手段は、上記各
例のように単独で用いてももちろん良いが、各移動手段
を組み合わせて用いても良い。
気化筒の長手方向に移動するような構成としたが、この
加熱領域の移動方向は、これに限定されるものではな
く、例えば気化筒の幅方向に移動したり、斜め方向に移
動したりする構成としても良い。
て誘導加熱方式の管状炉を用いたが、加熱手段はこれに
限定されず、例えば、抵抗加熱方式やレーザ光の照射に
よる加熱あるいは赤外線などによる加熱手段でも良い。
特にレーザ光の照射による加熱をしようとする際は反応
筒の1部にレーザ光の入射窓を作製しておき、この入射
窓から入射したレーザ光を反応筒内の原料に照射して加
熱すると良い。
化筒の外側に設けた構成としたが、加熱手段は必ずしも
気化筒外部に備える必要はなく、気化筒の径を太くして
その内部に加熱手段を備えた構成としても良い。
筒21の全長Lが100cm、管状炉22の加熱帯Mの
長さが5cmのものを用意し、この管状炉22内の原料
ボート23内に粉状の原料Gを原料ボート23の全長N
1cm帯当たり5gとなるように広げて設置し、さらに
管状炉22の移動速度を1cm/分とし、上記実施例1
で述べた操作に従って原料Gの気化を行った。その結
果、リアクタ27内に毎分0.5gの原料ガスを100
分間にわたり安定して供給することができた。なお、こ
のスペックはハステロイC−276上にYBa2Cu3O
x超電導体を合成するのに十分な値である。また、この
装置を用いてハロステロイC−276上にY−Ba−C
u−O系の酸化物超電導体を成膜した。得られた超電導
体は、臨界電流密度100A/cm2であった。
料の気化方法にあっては、反応筒の内部に上記化合物を
収納した後、該反応筒内部の化合物を該反応筒の外側に
設けられた加熱手段により加熱操作を行うとともに、こ
の加熱操作の際に、該加熱手段による該化合物の加熱領
域を該反応筒の長手方向に対して一方側にかつ相対的に
移動させる構成としたのでリアクタ内に長時間にわたり
安定な原料ガスの供給が可能となる。従って、線材のよ
うな長尺の基材に酸化物超電導体を合成する際に特に有
効である。
に酸化物超電導体を構成する各元素の化合物を収納する
反応筒と、該反応筒の外側に設けられた加熱手段と、該
加熱手段による該化合物の加熱領域を該反応筒の長手方
向に対して一方側にかつ相対的に移動させる加熱領域の
移動手段とからなる構成としたので、固体を原料とする
CVD装置に適用可能であり、特に熱に不安定な原料に
も適用することができる。
気化方法において好適に用いられる酸化物超電導体製造
用CVD原料の気化装置の一例を示す図である。
気化方法において好適に用いられる酸化物超電導体製造
用CVD原料の気化装置の第2の例を示す図である。
気化方法において好適に用いられる酸化物超電導体製造
用CVD原料の気化装置の第3の例を示す図である。
化装置の第1の例を示す図である。
化装置の第2の例を示す図である。
状炉、23…原料ボート、25…移動装置、31…移動
ベルト、32…原料ボート移動装置、41…気化筒移動
装置41
Claims (2)
- 【請求項1】 酸化物超電導体を構成する各元素の化合
物を気化せしめ、それを混合した状態でリアクタ内に供
給し、リアクタの内部で化学蒸着によって基材上に酸化
物超電導体を生成させるCVD法における酸化物超電導
体製造用CVD原料の気化方法において、内部に上記化
合物を収納する反応筒内の該化合物を、加熱手段により
加熱気化させるとともに、この加熱操作の際に該加熱手
段による該化合物の加熱領域を該反応筒に対して一方側
に相対的に移動させ、該反応筒内の該化合物を順次気化
せしめることを特徴とする酸化物超電導体製造用CVD
原料の気化方法。 - 【請求項2】 内部に酸化物超電導体を構成する各元素
の化合物を収納する反応筒と、該反応筒の外側に設けら
れた加熱手段と、該加熱手段による該化合物の加熱領域
を該反応筒の一方側に相対的に移動させる移動手段とを
備えたことを特徴とする酸化物超電導体製造用CVD原
料の気化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22226691A JP3285897B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 酸化物超電導体製造用cvd原料の気化方法および気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22226691A JP3285897B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 酸化物超電導体製造用cvd原料の気化方法および気化装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0544039A JPH0544039A (ja) | 1993-02-23 |
JP3285897B2 true JP3285897B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=16779695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22226691A Expired - Lifetime JP3285897B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 酸化物超電導体製造用cvd原料の気化方法および気化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3285897B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP22226691A patent/JP3285897B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0544039A (ja) | 1993-02-23 |
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