JP2904958B2 - 酸化タンタル薄膜製造装置 - Google Patents
酸化タンタル薄膜製造装置Info
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- JP2904958B2 JP2904958B2 JP3148595A JP14859591A JP2904958B2 JP 2904958 B2 JP2904958 B2 JP 2904958B2 JP 3148595 A JP3148595 A JP 3148595A JP 14859591 A JP14859591 A JP 14859591A JP 2904958 B2 JP2904958 B2 JP 2904958B2
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- Japan
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- thin film
- gas
- tantalum oxide
- oxide thin
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＤＲＡＭ（ダイナミック
ラム）等の容量性絶縁膜などとして有用な酸化タンタル
薄膜の製造装置に関する。
ラム）等の容量性絶縁膜などとして有用な酸化タンタル
薄膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、原料ガスを真空室内で加熱分解・
反応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相
成長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段と
して注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸
化タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置を用い
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には、通常加熱し得る真空室を有する
いわゆるＣＶＤ装置が用いられている。
反応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相
成長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段と
して注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸
化タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置を用い
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には、通常加熱し得る真空室を有する
いわゆるＣＶＤ装置が用いられている。
【０００３】以下、図面を参照しながら従来の酸化タン
タル薄膜の製造装置について説明する。図４は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
タル薄膜の製造装置について説明する。図４は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
【０００４】従来ＣＶＤ装置による酸化タンタル薄膜の
製造は、原料として液状のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 等で代
表される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用いて
形成されてきた。
製造は、原料として液状のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 等で代
表される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用いて
形成されてきた。
【０００５】図４において、液体原料であるＴａ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）5 は実流量を直接制御することが困難であるた
め、流量制御装置３２によって１０００ｓｃｃｍに流量
制御されたＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス２１で、ヒータ２
２によって約１３０℃に温度制御されたアンプル２３内
のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 をバブリングする事によってヒ
ータ３０によって約１５０℃に加熱されたガス導入管２
６を通り真空室２４内に原料を導入した。
2 Ｈ5 ）5 は実流量を直接制御することが困難であるた
め、流量制御装置３２によって１０００ｓｃｃｍに流量
制御されたＨｅ、Ａｒ等の不活性ガス２１で、ヒータ２
２によって約１３０℃に温度制御されたアンプル２３内
のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 をバブリングする事によってヒ
ータ３０によって約１５０℃に加熱されたガス導入管２
６を通り真空室２４内に原料を導入した。
【０００６】流量制御装置３３によって１００ｓｃｃｍ
に流量制御された酸素ガス３１も同時に真空室２４に導
入され、真空室２４内に導入されたこれらの原料ガスは
真空室２４を加熱し得るヒータ２５によって約４５０℃
程度に加熱され、分解・反応させることにより真空室２
４内に配置されたポリシリコンやタングステンシリサイ
ド（ＷＳｉ）などから成る基板２７上に酸化タンタル薄
膜が形成される。
に流量制御された酸素ガス３１も同時に真空室２４に導
入され、真空室２４内に導入されたこれらの原料ガスは
真空室２４を加熱し得るヒータ２５によって約４５０℃
程度に加熱され、分解・反応させることにより真空室２
４内に配置されたポリシリコンやタングステンシリサイ
ド（ＷＳｉ）などから成る基板２７上に酸化タンタル薄
膜が形成される。
【０００７】しかしながらこのような装置では、装置構
成が変化すると有機タンタル原料ガスなどの流量が変化
しやすく安定した原料の供給がしにくい、液体有機タン
タル化合物を不活性ガスでバブリングして有機タンタル
化合物を供給するため大量の不活性ガスが必要である、
酸化タンタル薄膜の堆積速度が遅い、等の欠点がある。
成が変化すると有機タンタル原料ガスなどの流量が変化
しやすく安定した原料の供給がしにくい、液体有機タン
タル化合物を不活性ガスでバブリングして有機タンタル
化合物を供給するため大量の不活性ガスが必要である、
酸化タンタル薄膜の堆積速度が遅い、等の欠点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記課題を解
決し、有機タンタル化合物原料の実流量を制御でき、従
って安定した量の原料の供給が可能であり、薄膜堆積速
度の速い酸化タンタル薄膜を形成することができる酸化
タンタル薄膜製造装置を提供することを目的とする。
決し、有機タンタル化合物原料の実流量を制御でき、従
って安定した量の原料の供給が可能であり、薄膜堆積速
度の速い酸化タンタル薄膜を形成することができる酸化
タンタル薄膜製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の酸化タンタル製造装置は、液体有機タンタル化
合物の気化物または噴霧状物と酸素含有ガスならびに不
活性ガスとを導入し、加熱分解・反応させる化学気相成
長法による酸化タンタル薄膜を形成するためのヒータを
備えた加熱可能な真空室を有する薄膜製造装置におい
て、前記液体有機タンタル化合物の流量を液状で制御す
るための液体流量制御装置と、前記液体流量制御装置に
より流量制御された液体有機タンタル化合物と、前記酸
素含有ガスと不活性ガスの混合ガスとを合流させて前記
混合ガス流により前記液体有機タンタル化合物を気化ま
たは噴霧状物として前記混合ガスと共に前記真空室に導
入するための通路を備えた三方弁を有することを特徴と
する。
本発明の酸化タンタル製造装置は、液体有機タンタル化
合物の気化物または噴霧状物と酸素含有ガスならびに不
活性ガスとを導入し、加熱分解・反応させる化学気相成
長法による酸化タンタル薄膜を形成するためのヒータを
備えた加熱可能な真空室を有する薄膜製造装置におい
て、前記液体有機タンタル化合物の流量を液状で制御す
るための液体流量制御装置と、前記液体流量制御装置に
より流量制御された液体有機タンタル化合物と、前記酸
素含有ガスと不活性ガスの混合ガスとを合流させて前記
混合ガス流により前記液体有機タンタル化合物を気化ま
たは噴霧状物として前記混合ガスと共に前記真空室に導
入するための通路を備えた三方弁を有することを特徴と
する。
【００１０】
【作用】本発明の酸化タンタル製造装置は、液体有機タ
ンタル化合物の気化物または噴霧状物と酸素含有ガスな
らびに不活性ガスとを導入し、加熱分解・反応させる化
学気相成長法による酸化タンタル薄膜を形成するための
ヒータを備えた加熱可能な真空室を有する薄膜形成装置
において、前記液体有機タンタル化合物の流量を液状で
制御するための液体流量制御装置と、前記液体流量制御
装置により流量制御された液体有機タンタル化合物と、
前記酸素含有ガスと不活性ガスの混合ガスとを合流させ
て前記混合ガス流により前記液体有機タンタル化合物を
気化または噴霧状物として前記混合ガスと共に前記真空
室に導入するための通路を備えた三方弁を有するので、
液体流量制御装置により液体有機タンタル原料の流量を
液体の状態で直接制御でき、また三方弁で液体有機タン
タル化合物を気化または噴霧状物にできるのでバブリン
グの必要がなくなり不活性ガスの流量を低減することが
できる。したがって相対的に有機タンタル原料と酸素含
有ガスの量を増加することができる。
ンタル化合物の気化物または噴霧状物と酸素含有ガスな
らびに不活性ガスとを導入し、加熱分解・反応させる化
学気相成長法による酸化タンタル薄膜を形成するための
ヒータを備えた加熱可能な真空室を有する薄膜形成装置
において、前記液体有機タンタル化合物の流量を液状で
制御するための液体流量制御装置と、前記液体流量制御
装置により流量制御された液体有機タンタル化合物と、
前記酸素含有ガスと不活性ガスの混合ガスとを合流させ
て前記混合ガス流により前記液体有機タンタル化合物を
気化または噴霧状物として前記混合ガスと共に前記真空
室に導入するための通路を備えた三方弁を有するので、
液体流量制御装置により液体有機タンタル原料の流量を
液体の状態で直接制御でき、また三方弁で液体有機タン
タル化合物を気化または噴霧状物にできるのでバブリン
グの必要がなくなり不活性ガスの流量を低減することが
できる。したがって相対的に有機タンタル原料と酸素含
有ガスの量を増加することができる。
【００１１】よって、装置構成によらず有機タンタル原
料の供給量が常に安定し、不活性ガスに対する有機タン
タル原料ガス及び酸素含有ガスの分圧が増加し酸化タン
タル薄膜の堆積速度が増加できる酸化タンタル薄膜製造
装置が提供できる。
料の供給量が常に安定し、不活性ガスに対する有機タン
タル原料ガス及び酸素含有ガスの分圧が増加し酸化タン
タル薄膜の堆積速度が増加できる酸化タンタル薄膜製造
装置が提供できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例で使用した酸化タンタ
ル薄膜製造装置の概略図である。１が真空室で真空排気
装置２により１Torrの真空に排気される。３は真空室１
内に設けられた基板であり、本実施例ではポリシリコン
からなる基板を用いた。真空室１は真空室１の外側に設
けられたヒータ４によって２５０℃に加熱され、また、
基板３はヒータ５によって４５０〜６００℃程度の適当
な温度に加熱される。アンプル６内の液体有機タンタル
化合物であるＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 は不活性ガスである
Ｈｅガス７によって加圧され、液体流量制御装置８に導
入される。０．０１ｇ／ｍｉｎに流量制御された液体の
Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 は液体有機タンタル化合物供給管
１４より三方弁９に導入され、流量制御装置１５によっ
て１００ｓｃｃｍに流量制御された不活性ガスであるＡ
ｒガス１０と流量制御装置１７によって１００ｓｃｃｍ
に流量制御された酸素含有ガス（本実施例では酸素ガス
を用いた。）１６とがガス導入管１３で合流した混合ガ
スによって三方弁９内で噴霧されるかまたは気化された
のち三方弁９の排出通路と真空室１とを連結しているガ
ス導入管１１を加熱するためのヒータ１２によって２５
０℃に加熱されたガス導入管１１を通って真空室１に導
入される。導入された原料混合ガスは基板３表面付近で
反応し、基板３上に酸化タンタル薄膜が堆積される。
ル薄膜製造装置の概略図である。１が真空室で真空排気
装置２により１Torrの真空に排気される。３は真空室１
内に設けられた基板であり、本実施例ではポリシリコン
からなる基板を用いた。真空室１は真空室１の外側に設
けられたヒータ４によって２５０℃に加熱され、また、
基板３はヒータ５によって４５０〜６００℃程度の適当
な温度に加熱される。アンプル６内の液体有機タンタル
化合物であるＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 は不活性ガスである
Ｈｅガス７によって加圧され、液体流量制御装置８に導
入される。０．０１ｇ／ｍｉｎに流量制御された液体の
Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 は液体有機タンタル化合物供給管
１４より三方弁９に導入され、流量制御装置１５によっ
て１００ｓｃｃｍに流量制御された不活性ガスであるＡ
ｒガス１０と流量制御装置１７によって１００ｓｃｃｍ
に流量制御された酸素含有ガス（本実施例では酸素ガス
を用いた。）１６とがガス導入管１３で合流した混合ガ
スによって三方弁９内で噴霧されるかまたは気化された
のち三方弁９の排出通路と真空室１とを連結しているガ
ス導入管１１を加熱するためのヒータ１２によって２５
０℃に加熱されたガス導入管１１を通って真空室１に導
入される。導入された原料混合ガスは基板３表面付近で
反応し、基板３上に酸化タンタル薄膜が堆積される。
【００１３】上記で用いた三方弁９の機構を説明するた
め図２に本実施例で用いた三方弁の概略構造図を示し
た。図２において９は三方弁、４１は上下動可能な弁、
４３は三方弁のハウジング、４６は弁４１が上下に滑動
可能に設けられた弁嵌入孔、４２は弁の上下動を行うた
めの適宜の可動装置（図示せず）に連結されている弁可
動部材、４４はガス導入管１３に連なる酸素含有ガスと
不活性ガスの混合ガス導入通路で弁４１の近傍の径が狭
められている。また、４５は真空室１とを連結している
ガス導入管１１に連なる排出通路であり、１２はガス導
入管１１を加熱するためのヒータ、４７は図１における
液体流量制御装置を通過した液体有機タンタル化合物供
給管１４に連なっている液体有機タンタル化合物を供給
するためのノズルである。
め図２に本実施例で用いた三方弁の概略構造図を示し
た。図２において９は三方弁、４１は上下動可能な弁、
４３は三方弁のハウジング、４６は弁４１が上下に滑動
可能に設けられた弁嵌入孔、４２は弁の上下動を行うた
めの適宜の可動装置（図示せず）に連結されている弁可
動部材、４４はガス導入管１３に連なる酸素含有ガスと
不活性ガスの混合ガス導入通路で弁４１の近傍の径が狭
められている。また、４５は真空室１とを連結している
ガス導入管１１に連なる排出通路であり、１２はガス導
入管１１を加熱するためのヒータ、４７は図１における
液体流量制御装置を通過した液体有機タンタル化合物供
給管１４に連なっている液体有機タンタル化合物を供給
するためのノズルである。
【００１４】図２において、弁嵌入孔４６内の弁４１の
位置を弁可動部材４２により調整することにより、液体
有機タンタル化合物供給管１４から供給された液体有機
タンタル化合物がノズル４７の先端から供給されると、
ガス導入管１３に連なる酸素含有ガスと不活性ガスの混
合ガス導入通路４４の通路が狭くなっているため、前記
混合ガス導入通路４４を通る前記混合ガスの流速が早め
られ、ノズル４７から供給された液体有機タンタル化合
物を噴霧状物として排出通路４５を通り、ヒータ１２に
よって加熱されたガス導入管１１に供給され気化され真
空室１内に導入される。
位置を弁可動部材４２により調整することにより、液体
有機タンタル化合物供給管１４から供給された液体有機
タンタル化合物がノズル４７の先端から供給されると、
ガス導入管１３に連なる酸素含有ガスと不活性ガスの混
合ガス導入通路４４の通路が狭くなっているため、前記
混合ガス導入通路４４を通る前記混合ガスの流速が早め
られ、ノズル４７から供給された液体有機タンタル化合
物を噴霧状物として排出通路４５を通り、ヒータ１２に
よって加熱されたガス導入管１１に供給され気化され真
空室１内に導入される。
【００１５】図３は本発明の実施例の図１で示した装置
で形成した酸化タンタル薄膜の堆積速度（図３中白丸で
示す。）と図４で示した従来の装置で形成した酸化タン
タル薄膜の堆積速度（図３中黒丸で示す。）を示したも
のである。図４で示される従来装置で堆積した場合、酸
化タンタル薄膜の堆積速度は基板温度５００℃のとき約
２５オングストローム／ｍｉｎであるのに対し、図１で
示した本発明の装置で堆積した酸化タンタル薄膜の堆積
速度は約１００オングストローム／ｍｉｎであり、ま
た、基板温度５５０℃のときは、それぞれ従来装置では
約６０オングストローム／ｍｉｎであるのに対し、本発
明の装置の場合には約１５０オングストローム／ｍｉｎ
になっていることがわかる。
で形成した酸化タンタル薄膜の堆積速度（図３中白丸で
示す。）と図４で示した従来の装置で形成した酸化タン
タル薄膜の堆積速度（図３中黒丸で示す。）を示したも
のである。図４で示される従来装置で堆積した場合、酸
化タンタル薄膜の堆積速度は基板温度５００℃のとき約
２５オングストローム／ｍｉｎであるのに対し、図１で
示した本発明の装置で堆積した酸化タンタル薄膜の堆積
速度は約１００オングストローム／ｍｉｎであり、ま
た、基板温度５５０℃のときは、それぞれ従来装置では
約６０オングストローム／ｍｉｎであるのに対し、本発
明の装置の場合には約１５０オングストローム／ｍｉｎ
になっていることがわかる。
【００１６】尚、従来装置で不活性ガス２１の流量をよ
り少なくすると、更に酸化タンタルの堆積速度は低下し
てしまう。本発明においては、液体有機タンタル化合物
の例としてはＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ） 5 のほかに、例えばＴ
ａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）5 やＴａ（ＯＣ4 Ｈ9 ）5 等が挙げら
れる。特に限定するものではないが、これらの液体有機
タンタル化合物の供給量は通常０．００１〜０．５ｇ／
ｍｉｎ程度の範囲が好ましい。
り少なくすると、更に酸化タンタルの堆積速度は低下し
てしまう。本発明においては、液体有機タンタル化合物
の例としてはＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ） 5 のほかに、例えばＴ
ａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）5 やＴａ（ＯＣ4 Ｈ9 ）5 等が挙げら
れる。特に限定するものではないが、これらの液体有機
タンタル化合物の供給量は通常０．００１〜０．５ｇ／
ｍｉｎ程度の範囲が好ましい。
【００１７】また、基板材料としては特に限定するもの
ではないが、例えばポリシリコンあるいはタングステン
シリサイド（ＷＳｉ）等が好ましく用いられる。真空室
内壁温度は通常２００〜４００℃程度であり、ガス導入
管１１の温度は通常１２０〜３００℃程度が好ましい。
真空室内の圧力は通常０．５〜１０Torr程度の範囲が一
般的で、また、不活性ガスとしては特に限定するもので
はないが、通常ＡｒやＨｅ等が用いられ、酸素含有ガス
としては、前記有機タンタル化合物を真空下で加熱・分
解して酸化タンタルを形成できるガスであれば良く、具
体的には、酸素ガス、Ｎ2 Ｏガス等が通常使用されるが
これらに限定されるものではない。
ではないが、例えばポリシリコンあるいはタングステン
シリサイド（ＷＳｉ）等が好ましく用いられる。真空室
内壁温度は通常２００〜４００℃程度であり、ガス導入
管１１の温度は通常１２０〜３００℃程度が好ましい。
真空室内の圧力は通常０．５〜１０Torr程度の範囲が一
般的で、また、不活性ガスとしては特に限定するもので
はないが、通常ＡｒやＨｅ等が用いられ、酸素含有ガス
としては、前記有機タンタル化合物を真空下で加熱・分
解して酸化タンタルを形成できるガスであれば良く、具
体的には、酸素ガス、Ｎ2 Ｏガス等が通常使用されるが
これらに限定されるものではない。
【００１８】また、これらの不活性ガスや酸素含有ガス
の流量については特に制限するものではないが通常５０
〜１０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
の流量については特に制限するものではないが通常５０
〜１０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
【００１９】
【発明の効果】有機タンタル原料の供給量が常に安定
し、不活性ガスの流量を減少することができ、不活性ガ
スに対する有機タンタル原料ガス及び酸素含有ガスの分
圧が増加し酸化タンタル薄膜の堆積速度を早くし得る酸
化タンタル薄膜製造装置が提供できる。
し、不活性ガスの流量を減少することができ、不活性ガ
スに対する有機タンタル原料ガス及び酸素含有ガスの分
圧が増加し酸化タンタル薄膜の堆積速度を早くし得る酸
化タンタル薄膜製造装置が提供できる。
【図１】本発明の一実施例における酸化タンタル薄膜製
造装置の概略図である。
造装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施例における酸化タンタル薄膜製
造装置の三方弁の概略断面の端面図である。
造装置の三方弁の概略断面の端面図である。
【図３】本発明の一実施例の装置と、従来例の装置を用
いた場合の酸化タンタル薄膜の基板温度に対する堆積速
度を示すグラフである。
いた場合の酸化タンタル薄膜の基板温度に対する堆積速
度を示すグラフである。
【図４】従来の酸化タンタル薄膜製造装置の概略図であ
る。
る。
１ 真空室 ２ 真空排気装置 ３ 基板 ４ ヒータ ５ ヒータ ６ アンプル ７ 不活性ガス ８ 液体流量制御装置 ９ 三方弁 １１ ガス導入管 １２ ヒータ １３ ガス導入管 １４ 液体有機タンタル化合物供給管 １５ 流量制御装置 １６ 酸素含有ガス １７ 流量制御装置 ２１ 不活性ガス ２２ ヒータ ２３ アンプル ２４ 真空室 ２５ ヒータ ２６ ガス導入管 ２７ 基板 ２９ 真空排気装置 ３０ ヒータ ３１ 酸素ガス ３２ 流量制御装置 ３３ 流量制御装置 ４１ 弁 ４２ 弁可動部材 ４３ 三方弁のハウジング ４４ 混合ガス導入通路 ４５ 排出通路 ４６ 弁嵌入孔 ４７ ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/108 (72)発明者 鎌田 健 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 西里 洋 千葉県成田市新泉14−３ アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社 テク ノロジーセンター内 (56)参考文献 特開 平１−246366（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−190074（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/44 C23C 16/18 H01L 21/8242 H01L 27/108 B01J 3/02 C01G 35/00
Claims (1)
- 【請求項１】 液体有機タンタル化合物の気化物または
噴霧状物と酸素含有ガスならびに不活性ガスとを導入
し、加熱分解・反応させる化学気相成長法による酸化タ
ンタル薄膜を形成するためのヒータを備えた加熱可能な
真空室を有する薄膜製造装置において、前記液体有機タ
ンタル化合物の流量を液状で制御するための液体流量制
御装置と、前記液体流量制御装置により流量制御された
液体有機タンタル化合物と、前記酸素含有ガスと不活性
ガスの混合ガスとを合流させて前記混合ガス流により前
記液体有機タンタル化合物を気化または噴霧状物として
前記混合ガスと共に前記真空室に導入するための通路を
備えた三方弁を有することを特徴とする酸化タンタル薄
膜製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148595A JP2904958B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 酸化タンタル薄膜製造装置 |
| US07/901,555 US5203925A (en) | 1991-06-20 | 1992-06-19 | Apparatus for producing a thin film of tantalum oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3148595A JP2904958B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 酸化タンタル薄膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05819A JPH05819A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2904958B2 true JP2904958B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=15456273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3148595A Expired - Lifetime JP2904958B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 酸化タンタル薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904958B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2587251B2 (ja) | 1987-11-09 | 1997-03-05 | チッソ株式会社 | 立体規則性オレフィン重合体製造用触媒 |
| JP5016416B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2012-09-05 | 株式会社渡辺商行 | 気化器及び気化方法 |
| JPWO2002058141A1 (ja) * | 2001-01-18 | 2004-05-27 | 株式会社渡邊商行 | 気化器及びそれを用いた各種装置並びに気化方法 |
| JP5073696B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2012-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3148595A patent/JP2904958B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05819A (ja) | 1993-01-08 |
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